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EP0052788A1 - Lichtempfindliches Gemisch auf Basis von o-Naphthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches Kopiermaterial - Google Patents

Lichtempfindliches Gemisch auf Basis von o-Naphthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches Kopiermaterial Download PDF

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Publication number
EP0052788A1
EP0052788A1 EP81109008A EP81109008A EP0052788A1 EP 0052788 A1 EP0052788 A1 EP 0052788A1 EP 81109008 A EP81109008 A EP 81109008A EP 81109008 A EP81109008 A EP 81109008A EP 0052788 A1 EP0052788 A1 EP 0052788A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
naphthoquinone
diazide
sulfonic acid
photosensitive
sulfonyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP81109008A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0052788B1 (de
Inventor
Paul Dr. Stahlhofen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Priority to AT81109008T priority Critical patent/ATE8820T1/de
Publication of EP0052788A1 publication Critical patent/EP0052788A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0052788B1 publication Critical patent/EP0052788B1/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

Definitions

  • the invention relates to a positive-working photosensitive mixture which contains a water-insoluble resin-like binder which is soluble or swellable in aqueous alkaline solutions and, as a photosensitive compound, a naphthoquinone (1,2) diazide sulfonic acid ester of a trihydroxyphenyl ketone and which is intended in particular for the production of planographic printing plates.
  • the object of the invention was to propose a light-sensitive, positive working mixture with a new 1,2-naphthoquinone-2-diazide sulfonic acid ester as a light-sensitive compound, which is at least comparable in its printing and copying properties with the best known mixtures of this type, that but has a higher resistance to aqueous alkaline developer solutions and the organic solvents used in offset printing and a harder gradation.
  • the invention relates to a light-sensitive mixture which, as the light-sensitive compound, is a naphthoquinone- (1,2) -diazide- (2) -4- or -5-sulfonic acid ester of a trihydroxyphenyl ketone and a water-insoluble, in aqueous alkaline solutions soluble or at least swellable resinous binder.
  • the alkyl radicals R can be straight-chain or branched and optionally substituted by halogen atoms or alkoxy groups. They preferably contain 1 to 20 carbon atoms.
  • the aryl radicals R are preferably mononuclear and can be substituted by alkyl or alkoxy groups or halogen atoms. They preferably contain 6 to 10 carbon atoms. Compounds in which R is an aryl, in particular a phenyl, radical are particularly preferred.
  • the mixtures according to the invention are notable for high photosensitivity, good developer resistance and good adhesion to printing plate layer supports. They also have a high resistance to alcohol-containing fountain solutions and to gasoline hydrocarbons.
  • the quinonediazides contained in the mixture according to the invention are new. They are prepared in analogy to known processes by esterifying the phenolic hydroxyl groups of the base body with o-quinonediazide sulfonic acids or their reactive derivatives, e.g. B. the sulfonic acid chlorides.
  • the corresponding starting products, the bis (3-acyl-4,5,6-trihydroxy-phenyl) methanes, are obtained in good yield by reacting the corresponding 4-acyl-pyrogallols with aqueous formaldehyde solution (38% by weight) at 80 - 100 ° C in the presence of acidic catalysts such as hydrochloric acid, oxalic acid or p-toluenesulfonic acid. If necessary, an organic solvent, e.g. As alcohol or dioxane added.
  • the concentration of the new naphthoquinonediazide sulfonic acid esters in the light-sensitive layer can vary within relatively wide limits. In general, the proportion is 3 to 50, preferably between 7 and 25, based on the weight of the solid fraction of the photosensitive mixture.
  • the light-sensitive mixtures according to the invention also contain a polymeric, water-insoluble resinous binder, which is in the for the invention the mixture used dissolves solvents and is also soluble or at least swellable in aqueous alkalis.
  • novolak condensation resins which have proven themselves in many positive copying materials based on naphthoquinonediazides have also proven to be particularly useful and advantageous as an additive in the mixtures according to the invention with the new naphthoquinonediazide sulfonic acid esters. They promote the strong differentiation between the exposed and unexposed areas of the layer during development, especially the more highly condensed resins with substituted phenols, e.g. B. cresols, as formaldehyde condensation partner.
  • alkali-soluble or alkali-swellable binders are natural resins, such as shellac and rosin, and synthetic resins, such as copolymers of styrene and maleic anhydride or copolymers of acrylic acid or methacrylic acid, in particular with acrylic or methacrylic acid esters.
  • alkali-soluble resin can vary depending on the application; fractions of the total solid between 95 and 50, particularly preferably 90-65% by weight are preferred.
  • numerous other resins can also be used, preferably epoxies and vinyl polymers such as polyvinyl acetates, polyacrylates, polyvinyl acetals, polyvinyl ethers, polyvinyl pyrrolidones and the copolymers of the monomers on which they are based.
  • the cheapest proportion of these resins is aimed depends on the application requirements and the influence on the development conditions and is generally not more than 20% by weight of the alkali-soluble resin.
  • the light-sensitive mixture can also contain substances such as polyglycols, cellulose derivatives such as ethyl cellulose, wetting agents, dyes, adhesion promoters and fine-particle pigments and, if required, UV absorbers for special requirements such as flexibility, adhesion, gloss, coloring and color change, etc.
  • substances such as polyglycols, cellulose derivatives such as ethyl cellulose, wetting agents, dyes, adhesion promoters and fine-particle pigments and, if required, UV absorbers for special requirements such as flexibility, adhesion, gloss, coloring and color change, etc.
  • the mixtures are generally dissolved in a solvent.
  • Suitable solvents for the mixture according to the invention are ketones such as methyl ethyl ketone, chlorinated hydrocarbons such as trichlorethylene and 1,1,1-trichloroethane, alcohols such as n-propanol, ethers such as tetrahydrofuran, alcohol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and esters such as butyl acetate.
  • Mixtures can also be used, which can also contain solvents such as acetonitrile, dioxane or dimethylformamide for special purposes. In principle, all solvents can be used that do not react irreversibly with the layer components. Partial ethers of glycols, especially ethylene glycol monomethyl ether, are particularly preferred.
  • Metals are mostly used as a layer support for layer thicknesses below approx. 10 ⁇ m.
  • the following can be used for offset printing plates: bright rolled, mechanically or electrochemically roughened and possibly anodized aluminum, which is also chemically, e.g. B. with polyvinylphosphonic acid, silicates, phosphates, hexafluorosilicates or with hydrolyzed tetraethyl orthosilicate, can also be pretreated, also multi-metal plates z.
  • the mixtures according to the invention can be applied to zinc or magnesium plates and their commercially available microcrystalline alloys for one-step etching processes, and also to etchable plastics such as polyoxymethylene.
  • the mixtures according to the invention are suitable for rotogravure or screen printing forms due to their good adhesion and etch resistance on copper and nickel surfaces.
  • the mixtures according to the invention can also be used as photoresists in printed circuit board manufacture and in molded part etching.
  • Preferred supports for thick layers over 10 ⁇ m are plastic films, which then serve as temporary supports for transfer layers.
  • polyester films e.g. B. from polyethylene terephthalate, preferred.
  • polyolefin films such as polypropylene are also suitable.
  • the carrier material is coated in a known manner by spin coating, spraying, dipping, rolling, by means of wide-slot nozzles, doctor blades or by application from a caster.
  • the coating of e.g. B. circuit boards, glass or ceramic and silicon wafers can also be done by layer transfer from a temporary carrier. Exposure is carried out with the light sources customary in technology. Irradiation with electrons or lasers is also an option for imaging.
  • the photosensitive mixtures according to the invention are preferably used in the production of printing forms, i.e. H. especially offset, autotypical gravure and screen printing forms, in copy varnishes and so-called dry resists.
  • the printing plates produced using the new compounds have a high practical photosensitivity, as well as an improved resistance to alkaline developers and such organic solvents, as are usually used during the copying work or during the printing process on the printing presses.
  • Draw the preferred connections themselves are characterized by good solubility in the usual solvents, by a strong oleophilicity and by a good compatibility with the other constituents of the copying layer.
  • the portions of the copying layer struck by the light were removed by the development, and the unexposed image areas remained on the substrate, so that a printing stencil corresponding to the original was obtained.
  • About 250,000 flawless prints were obtained from the printing form thus produced in an offset printing machine.
  • the printing stencil was characterized by excellent developer resistance and adhesion to the base.
  • Printing plates with similarly good properties were obtained when the photosensitive compound in the coating solution was replaced by the same amount of the corresponding esterification product of naphthoquinone- (1,2) -diazid- (2) -5-sulfonic acid chloride and bis- (3-decanoyl-4, 5,6-trihydroxy-phenyl) methane or bis- (3-hexanoyl-4,5,6-tri-hydroxy-phenyl) methane was replaced.

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Abstract

Es wird ein lichtempfindliches Gemisch, insbesondere für die Herstellung von Flachdruckplatten, beschrieben, das ein wasserunlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder mindestens quellbares harzartiges Bindemittel und einen Naphthochinondiazidsulfonsäureester der allgemeinen Formel I <IMAGE> enthält, worin D einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4-sulfonyl-oder einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonylrest und R einen Alkyl- oder Arylrest bedeutet. Die damit hergestellten Druckplatten zeichnen sich durch gute Resistenz gegenüber wäßrig-alkalischen Entwicklern, alkoholhaltigen Feuchtwässern und Benzinkohlenwasserstoffen aus.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein positiv arbeitendes lichtempfindliches Gemisch, das ein wasserunlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder quellbares harzartiges Bindemittel und als lichtempfindliche Verbindung einen Naphthochinon-(1,2)-diazidsulfonsäureester eines Trihydroxyphenylketons enthält und das insbesondere zur Herstellung von Flachdruckplatten bestimmt ist.
  • Lichtempfindliche Verbindungen der angegebenen Gattung sind aus der DE-PS 938 233 und der US-PS 3 802 885 bekannt. Es handelt sich hierbei um teilweise oder vollständig mit Naphthochinondiazidsulfonsäuren veresterte Di- oder Trihydroxybenzophenone. Von diesen Verbindungen werden in neuerer Zeit die vollständig veresterten Vertreter bevorzugt, die keine freien phenolischen OH-Gruppen mehr enthalten. Diese Verbindungen weisen eine relativ hohe Lichtempfindlichkeit auf und ergeben hohe Druckauflagen, sie haben jedoch den Nachteil einer für manche Zwecke zu geringen Löslichkeit in den üblicherweise zur Beschichtung von Druckplatten verwendeten organischen Lösungsmitteln, wie Glykolpartialethern oder Carbonsäurealkylestern wie Butylacetat. Sie ergeben ferner in Kombination mit den bevorzugten, in wäßrig-alkalischen Lösungsmitteln löslichen Bindemitteln, z. B. Novolaken, Schichten, die in unbelichtetem Zustand gegenüber den gebräuchlichen alkalischen Entwicklerlösungen nicht genügend resistent sind. Diese Schichten werden auch während des Drucks in Offsetdruckmaschinen bei Verwendung von Alkohol enthaltenden Feuchtwässern in gewissem Maße angegriffen und sind auch empfindlich gegenüber Benzinkohlenwasserstoffen, wie sie häufig während des Drucks zum Abwaschen der oleophilen Druckfarbe von der Platte verwendet werden.
  • Aus der DE-PS 11 18 606 sind Naphthochinondiazidsulfonsäureester von phenolischen Verbindungen mit etwas anderem Grundgerüst, z. B. von Derivaten des Diphenylmethans, bekannt. Auch'diese Ester enthalten stets mindestens eine freie Hydroxygruppe.
  • Aufgabe der Erfindung war es, ein lichtempfindliches, positiv arbeitendes Gemisch mit einem neuen 1,2-Naphthochinon-2-diazidsulfonsäureester als lichtempfindliche Verbindung vorzuschlagen, das in seinen druck- und kopiertechnischen Eigenschaften mit den besten bisher bekannten Gemischen dieser Art mindestens vergleichbar ist, das aber eine höhere Resistenz gegenüber wäßrig-alkalischen Entwicklerlösungen und-den beim Offsetdruck verwendeten organischen Lösungsmitteln sowie eine härtere Gradation aufweist.
  • Gegenstand der Erfindung ist ein lichtempfindliches Gemisch, das als lichtempfindliche Verbindung einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4- oder -5-sulfonsäureester eines Trihydroxyphenylketons und ein wasserunlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder mindestens quellbares harzartiges Bindemittel enthält.
  • Das erfindungsgemäße Gemisch ist dadurch gekennzeichnet, daß es einen Naphthochinondiazidsulfonsäureester der allgemeinen Formel I
    Figure imgb0001
    enthält, worin
    • D einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4-sulfonyl-oder einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonylrest und
    • R einen Alkyl- oder Arylrest

    bedeutet.
  • Von den Verbindungen der Formel I werden diejenigen, in denen D eine Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfon- säureestergruppe bedeutet, bevorzugt.
  • Die Alkylreste R können geradkettig oder verzweigt sein und gegebenenfalls durch Halogenatome oder Alkoxygruppen substituiert sein. Sie enthalten vorzugsweise 1 bis 20 Kohlenstoffatome. Die Arylreste R sind vorzugsweise einkernig und können durch Alkyl- oder Alkoxygruppen oder Halogenatome substituiert sein. Sie enthalten vorzugsweise 6 bis 10 Kohlenstoffatome. Verbindungen, in denen R ein Aryl-, insbesondere ein Phenylrest ist, werden besonders bevorzugt.
  • Die erfindungsgemäßen Gemische zeichnen.sich durch hohe Lichtempfindlichkeit, gute Entwicklerresistenz und gute Haftung auf Druckplattenschichtträgern aus. Sie weisen ferner eine hohe Resistenz gegenüber alkoholhaltigen Feuchtwässern und gegenüber Benzinkohlenwasserstoffen auf.
  • Die in dem erfindungsgemäßen Gemisch enthaltenen Chinondiazide sind neu. Ihre Herstellung erfolgt in Analogie zu bekannten Verfahren durch Veresterung der phenolischen Hydroxygruppen der Grundkörper mit o-Chinondiazidsulfonsäuren oder deren reaktionsfähigen Derivaten, z. B. den Sulfonsäurechloriden.
  • Die entsprechenden Ausgangsprodukte, die Bis-(3-acyl-4,5,6-trihydroxy-phenyl)-methane erhält man in guter Ausbeute durch Umsetzung der entsprechenden 4-Acyl-pyrogallole mit wäßriger Formaldehydlösung (38 Gew.-%) bei 80 - 100°C in Gegenwart von sauren Katalysatoren, wie Salzsäure, Oxalsäure oder p-Toluolsulfonsäure. Falls notwendig, wird zur Auflösung der Verbindungen ein organisches Lösungsmittel, z. B. Alkohol oder Dioxan, zugesetzt.
  • Einige der so hergestellten Ausgangsprodukte sind in der folgenden Tabelle aufgeführt. Hinter dem Schmelzpunkt ist in Klammern das Lösungsmittel angegeben, aus dem umkristallisiert wurde.
    Figure imgb0002
  • Die Konzentration der neuen Naphthochinondiazidsulfonsäureester in der lichtempfindlichen Schicht kann in relativ weiten Grenzen schwanken. Im allgemeinen liegt der Anteil bei 3 bis 50, vorzugsweise zwischen 7 und 25 bezogen auf das Gewicht des Feststoffanteils des lichtempfindlichen Gemischs.
  • Die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemische enthalten ferner ein polymeres, wasserunlösliches harzartiges Bindemittel, das sich in den für das erfindungsgemäße Gemisch verwendeten Lösungsmitteln löst und in wäßrigen Alkalien ebenfalls löslich oder zumindest quellbar ist.
  • Die bei vielen Positiv-Kopiermaterialien auf Basis von Naphthochinondiaziden bewährten Novolak-Kondensationsharze haben sich als Zusatz auch bei den erfindungsgemäßen Gemischen mit den neuen Naphthochinondiazidsulfonsäureestern als besonders brauchbar und vorteilhaft erwiesen. Sie fördern die starke Differenzierung zwischen den belichteten und unbelichteten Schichtpartien beim Entwickeln, besonders die höher kondensierten Harze mit substituierten Phenolen, z. B. Kresolen, als Formaldehyd--Kondensationspartner. Als weitere alkalilösliche bzw. in Alkali quellbare Bindemittel sind natürliche Harze, wie Schellack und Kolophonium, und synthetische Harze, wie Mischpolymerisate aus Styrol und Maleinsäureanhydrid oder Mischpolymerisate der Acrylsäure oder Methacrylsäure, insbesondere mit Acryl- oder Methacrylsäureestern, zu nennen.
  • Die Art und Menge des alkalilöslichen Harzes kann je nach Anwendungszweck verschieden sein; bevorzugt werden Anteile am Gesamtfeststoff zwischen 95 und 50, besonders bevorzugt 90 - 65 Gew.-%. Zusätzlich können noch zahlreiche andere Harze mitverwendet werden, bevorzugt Epoxide und Vinylpolymerisate wie Polyvinylacetate, Polyacrylate, Polyvinylacetale, Polyvinylether, Polyvinylpyrrolidone und die Mischpolymerisate der ihnen zugrundeliegenden Monomeren. Der günstigste Anteil an diesen Harzen richtet sich nach den anwendungstechnischen Erfordernissen und dem Einfluß auf die Entwicklungsbedingungen und beträgt im allgemeinen nicht mehr als 20 Gew.-% vom alkalilöslichen Harz. In geringen Mengen kann das lichtempfindliche Gemisch für spezielle Erfordernisse wie Flexibilität, Haftung, Glanz, Färbung und Farbumschlag etc. außerdem noch Substanzen wie Polyglykole, Cellulosederivate wie Ethylcellulose., Netzmittel, Farbstoffe, Haftvermittler und feinteilige Pigmente sowie bei Bedarf UV-Absorber enthalten.
  • Zur Beschichtung eines geeigneten Schichtträgers werden die Gemische im allgemeinen in einem Lösungsmittel gelöst. Die Wahl der Lösungsmittel ist auf das vorgesehene Beschichtungsverfahren, die Schichtdicke und die Trocknungsbedingungen abzustimmen. Geeignete Lösungsmittel für das erfindungsgemäße Gemisch sind Ketone wie Methylethylketon, chlorierte Kohlenwasserstoffe wie Trichlorethylen und 1,1,1-Trichlorethan, Alkohole wie n-Propanol, Ether wie Tetrahydrofuran, Alkoholether wie Ethylenglykolmonoethylether und Ester wie Butylacetat. Es können auch Gemische verwendet werden, die zudem noch für spezielle Zwecke Lösungsmittel wie Acetonitril, Dioxan oder Dimethylformamid enthalten'können. Prinzipiell sind alle Lösungsmittel verwendbar, die mit den Schichtkomponenten nicht irreversibel reagieren. Partialether von Glykolen, insbesondere Ethylenglykolmonomethylether, werden besonders bevorzugt.
  • Als Schichtträger für Schichtdicken unter ca. 10 um werden meist Metalle verwendet. Für Offsetdruckplatten können eingesetzt werden: walzblankes, mechanisch oder elektrochemisch aufgerauhtes und ggf. anodisiertes Aluminium, das zudem noch chemisch, z. B. mit Polyvinylphosphonsäure, Silikaten, Phosphaten, Hexafluorosilikaten oder mit hydrolysiertem Tetraethylorthosilikat, vorbehandelt sein kann, außerdem Mehrmetallplatten z. B. aus Al/Cu/Cr oder aus Messing/Chrom. Für die Herstellung von Hochdruckplatten können die erfindungsgemäßen Gemische auf Zink- oder Magnesium-Platten sowie deren handelsübliche mikrokristalline Legierungen für Einstufenätzverfahren aufgetragen werden, außerdem auf ätzbare Kunststoffe wie Polyoxymethylen. Für Tiefdruck- oder Siebdruckformen eignen sich die erfindungsgemäßen Gemische durch ihre gute Haftung und Ätzfestigkeit auf Kupfer- und Nickeloberflächen. Ebenso lassen sich die erfindungsgemäßen Gemische als Photoresists in der Leiterplattenfertigung und beim Formteilätzen verwenden.
  • Für weitere Anwendungen kommen auch andere Träger wie Holz, Papier, Keramik, Textil und andere Metalle in Betracht.
  • Bevorzugte Träger für dicke Schichten über 10 um sind Kunststoff-Folien, die dann als temporäre Träger für Transferschichten dienen. Dafür und für Farbprüffolien werden Polyesterfolien, z. B. aus Polyethylenterephthalat, bevorzugt. Polyolefinfolien wie Polypropylen sind jedoch ebenfalls geeignet.
  • Die Beschichtung des Trägermaterials erfolgt in bekannter Weise durch Aufschleudern, Sprühen, Tauchen, Walzen, mittels Breitschlitzdüsen, Rakeln oder durch Gießer-Antrag. Schließlich kann die Beschichtung von z. B. Leiterplatten, Glas oder Keramik und Silizium-Scheiben auch durch Schichtübertragung von einem temporären Träger erfolgen. Belichtet wird mit den in der Technik üblichen Lichtquellen. Auch das Bestrahlen mit Elektronen oder Lasern stellt eine Möglichkeit zur Bebilderung dar.
  • Die zum Entwickeln verwendeten wäßrig-alkalischen Lösungen abgestufter Alkalität, vorzugsweise mit einem pH im. Bereich von 10-14, die'auch kleinere Mengen organischer Lösungs- oder Netzmittel enthalten können, entfernen die vom Licht getroffenen Stellen der Kopierschicht und erzeugen so ein positives Abbild der Vorlage.
  • Bevorzugte Anwendung finden die erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemische bei der Herstellung von Druckformen, d. h. insbesondere Offset-, autotypischen Tiefdruck- und Siebdruckformen, in Kopierlacken und sogenannten Trockenresists.
  • Die unter Verwendung der neuen Verbindungen hergestellten Druckplatten besitzen eine hohe praktische Lichtempfindlichkeit, sowie eine verbesserte Resistenz gegenüber alkalischen Entwicklern und solchen organischen Lösungsmitteln, wie sie üblicherweise während der Kopierarbeiten oder während des Druckvorgangs an den Druckmaschinen verwendet werden. Die bevorzugten Verbindungen selbst zeichnen sich durch eine gute Löslichkeit in den üblichen Lösungsmitteln, durch eine starke Oleophilie sowie durch eine gute Verträglichkeit mit den übrigen Bestandteilen der Kopierschicht aus.
  • Die Erfindung wird an Hand der folgenden Beispiele näher erläutert, in denen Gewichtsteile (Gt) und Volumteile (Vt) im Verhältnis von g'zu ccm stehen. Prozente sind, wenn nichts anderes angegeben ist, Gewichtsprozente.
    • Beispiel 1
  • Mit einer Lösung von
    • 1,10 Gt des Veresterungsproduktes aus 1 Mol Bis-(3-benzoyl-4,5,6-trihydroxy-phenyl)-methan und 6 Mol Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäurechlorid,
    • 6,00 Gt eines Kresol-Formaldehyd-Novolaks mit einem Erweichungspunkt von 105-120°C,
    • 0,12 Gt 4-(p-Tolylmercapto)-2,5-diethoxy-benzol- diazoniumhexafluorophosphat und
    • 0,06 Gt Kristallviolett (C.I. 42 555) in
      • 40 Gt Ethylenglykolmonomethylether und
      • 50 Gt Tetrahydrofuran

    wurde eine elektrochemisch aufgerauhte und anodisierte Aluminiumplatte mit einem Oxidgewicht von 3 g/m2 beschichtet. Der anodisierte Aluminiumträger war vor dem Aufbringen der lichtempfindlichen Kopierschicht mit einer wäßrigen Lösung von Polyvinylphosphonsäure behandelt worden, wie es in der DE-PS l 621 478 beschrieben ist.
  • Das so hergestellte lichtempfindliche Material mit einem Gewicht der lichtempfindlichen Schicht von 2,30 g/m2 wurde unter einer transparenten Positivvorlage bildmäßig belichtet und anschließend mit der folgenden Lösung entwickelt:
    • 5,3 Gt Natriummetasilikat x 9 Wasser,
    • 3,4 Gt Trinatriumphosphat x 12 Wasser,
    • 0,3 Gt Natriumdihydrogenphosphat (wasserfrei) in
    • 91,0 Gt Wasser.
  • Durch die Entwicklung wurden die vom Licht getroffenen Anteile der Kopierschicht entfernt, und es blieben die unbelichteten Bildstellen auf dem Schichtträger zurück, so daß eine der Vorlage entsprechende Druckschablone erhalten wurde. Von der so hergestellten Druckform wurden in einer Offsetdruckmaschine etwa 250.000 einwandfreie Drucke erhalten. Die Druckschablone zeichnete sich durch eine ausgezeichnete Entwicklerresistenz und Haftung auf der Unterlage aus.
  • Auffallend gut war außerdem die Resistenz der Kopierschicht gegenüber bestimmten organischen Lösungsmitteln, z. B. alkoholhaltigen Feuchtwässern oder benzinhaltigen Auswaschmitteln, wie sie während des Druckvorganges an den Druckmaschinen verwendet werden.
  • In den folgenden Beispielen werden weitere Beschichtungslösungen angegeben, bei denen ähnliche Ergebnisse erhalten wurden. Wenn nicht gesondert vermerkt, entsprechen Herstellung und Verarbeitung der damit erhaltenen Druckplatten den in Beispiel 1 beschriebenen.Bedingungen.
    • Beispiel 2
  • Mit einer Lösung von
    • 1,00 Gt des Veresterungsproduktes aus 1 Mol Bis-(3-acetyl-4,5,6-trihydroxy-phenyl)-methan und 6 Mol Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäurechlorid,
    • 6,10 Gt des in Beispiel 1 angegebenen Novolaks,
    • 0,15 Gt Polyvinylbutyral (69-71 % Vinylbutyraleinheiten, ca. l % Vinylacetateinheiten und 24-27 % Vinylalkoholeinheiten),
    • 0,06 Gt Sudangelb GGN (C.I. 11 021) und
    • 0,06 Gt Kristallviolett in
      • 45 Gt Ethylenglykolmonomethylether und
      • 50 Gt Tetrahydrofuran

    wurde eine wie in Beispiel 1 beschrieben vorbehandelte Aluminiumplatte beschichtet. Die so hergestellte vorsensibilisierte Druckplatte wurde unter einer transparenten Positiv-Vorlage bildmäßig belichtet und mit der im Beispiel 1 angegebenen Lösung entwickelt. Die Entwicklerresistenz der unbelichteten Schichtbereiche sowie die Resistenz gegenüber alkoholhaltigem Feuchtwasser war sehr gut.
  • Wenn in der Beschichtungslösung der angegebene Naphthochinondiazidsulfonsäureester durch gleiche Mengen der analogen Veresterungsprodukte aus Bis-(3-propionyl-4,5,6-trihydroxy-phenyl)methan oder aus Bis-(3-butyryl-4,5,6-trihydroxy-phenyl)methan ersetzt wurde, wurden Druckplatten mit ähnlich guten Eigenschaften erhalten.
    • Beispiel 3
  • Mit einer Lösung von
    • 1,00 Gt des Veresterungsproduktes aus 1 Mol Bis-(3-octadecanoyl-4,5,6-trihydroxy-phenyl)-methan und 6 Mol Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäurechlorid,
    • 6,10 Gt des in Beispiel 1 angegebenen Novolaks,
    • 0,10 Gt Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4-sulfonsäurechlorid und
    • 0,06 Gt Kristallviolett in
    • 45 Gt Ethylenglykolmonomethylether und
    • 50 Gt Tetrahydrofuran

    wurde eine elektrochemisch aufgerauhte und anodisierte Aluminiumplatte mit einem Oxidgewicht von 3,0 g/m2 beschichtet. Die so hergestellte lichtempfindliche Druckplatte wurde unter einer transparenten Positiv-Vorlage bildmäßig belichtet und mit der im Beispiel 1 angegebenen Lösung entwickelt.
  • Druckplatten mit ähnlich guten Eigenschaften wurden erhalten, wenn in der Beschichtungslösung die lichtempfindliche Verbindung durch die gleiche Menge des entsprechenden Veresterungsprodukts aus Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäurechlorid und Bis-(3-decanoyl-4,5,6-trihydroxy-phenyl)methan oder Bis-(3-hexanoyl-4,5,6-tri- hydroxy-phenyl)methan ersetzt wurde.

Claims (5)

1. Lichtempfindliches Gemisch, das einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4- oder -5-sulfonsäureester eines Trihydroxyphenylketons und ein wasserunlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder mindestens quellbares harzartiges Bindemittel enthält, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Naphthochinondiazidsulfonsäureester der allgemeinen Formel I
Figure imgb0003
enthält, worin
D einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4-sulfonyl-oder einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonylrest und
R einen Alkyl- oder Arylrest

bedeutet.
2. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es als alkalilösliches Bindemittel einen Phenolharz-Novolak enthält.
3. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es, bezogen auf seinen Gehalt an nichtflüchtigen Bestandteilen, 3 bis 50 Gew.-% an Verbindungen der Formel I enthält.
4. Lichtempfindliches Kopiermaterial aus einem Schichtträger und einer lichtempfindlichen Schicht, die einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4- oder -5-sulfonsäureester eines Trihydroxyphenylketons und ein wasserunlösliches, in wäßrig-alkalischen Lösungen lösliches oder mindestens quellbares harzartiges Bindemittel enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der Naphthochinondiazidsulfonsäureester der allgemeinen Formel I
Figure imgb0004
entspricht, worin
D einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-4-sulfonyl-oder einen Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonylrest und
R einen Alkyl- oder Arylrest

bedeutet.
5. Lichtempfindliches Kopiermaterial nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger aus Aluminium besteht, dessen Oberfläche mechanisch oder elektrolytisch aufgerauht und anodisch oxydiert ist.
EP81109008A 1980-11-21 1981-10-27 Lichtempfindliches Gemisch auf Basis von o-Naphthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches Kopiermaterial Expired EP0052788B1 (de)

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AT81109008T ATE8820T1 (de) 1980-11-21 1981-10-27 Lichtempfindliches gemisch auf basis von onaphthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial.

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0193166A3 (en) * 1985-02-28 1987-12-23 Hoechst Celanese Corporation Light-sensitive composition and light-sensitive positive registration material
EP0305828A3 (en) * 1987-08-31 1990-07-04 Hoechst Aktiengesellschaft Light-sensitive composition based on 1,2-naphthoquinone diazides, and light-sensitive registration material made therewith
EP0488712A1 (de) * 1990-11-28 1992-06-03 Hoechst Celanese Corporation Positiv-arbeitende Fotolackzusammensetzung
EP0541905A1 (de) * 1991-11-13 1993-05-19 Hoechst Aktiengesellschaft Lichtempfindliches Gemisch mit o-Naphthochinondiazidsulfonsäureestern und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3124936A1 (de) * 1981-06-25 1983-01-20 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch auf basis von o-naphthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
US4600684A (en) * 1983-02-10 1986-07-15 Oki Electric Industry Co., Ltd. Process for forming a negative resist using high energy beam
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
JPS62178562A (ja) * 1986-01-30 1987-08-05 Japan Synthetic Rubber Co Ltd １，２−キノンジアジド化合物の製造方法
US4732837A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer
JPS6478249A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and image forming method
JP2552891B2 (ja) * 1988-01-26 1996-11-13 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
EP0380676B1 (de) * 1988-02-17 1994-05-04 Tosoh Corporation Fotoresist-zusammensetzung
JP2552900B2 (ja) * 1988-06-07 1996-11-13 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2930310B2 (ja) * 1988-12-21 1999-08-03 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版
US4992356A (en) * 1988-12-27 1991-02-12 Olin Hunt Specialty Products Inc. Process of developing a radiation imaged product with trinuclear novolak oligomer having o-naphthoquinone diazide sulfonyl group
US4992596A (en) * 1988-12-27 1991-02-12 Olin Hunt Specialty Products Inc. Selected trinuclear novolak oligomers and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures
US4957846A (en) * 1988-12-27 1990-09-18 Olin Hunt Specialty Products Inc. Radiation sensitive compound and mixtures with trinuclear novolak oligomer with o-naphthoquinone diazide sulfonyl group
JP2700918B2 (ja) * 1989-04-26 1998-01-21 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5219714A (en) * 1989-10-30 1993-06-15 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected trihydroxybenzophenone compounds and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures
US5019478A (en) * 1989-10-30 1991-05-28 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Selected trihydroxybenzophenone compounds and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures
US5196517A (en) * 1989-10-30 1993-03-23 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected trihydroxybenzophenone compounds and their use as photoactive compounds
JP2743111B2 (ja) * 1990-05-31 1998-04-22 冨士薬品工業株式会社 光粘着化感光性組成物
US5554481A (en) * 1993-09-20 1996-09-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photoresist composition
JPH09185161A (ja) 1995-10-31 1997-07-15 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 低光学ドットゲインカラー校正複合材料
US6025105A (en) * 1998-02-18 2000-02-15 Toshiba America Business Solutions, Inc. Toner compositions and use

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE506677A (de) * 1950-10-31
BE526866A (de) * 1953-03-11
NL247588A (de) 1959-01-21
US3635709A (en) * 1966-12-15 1972-01-18 Polychrome Corp Light-sensitive lithographic plate
US3802885A (en) * 1967-08-15 1974-04-09 Algraphy Ltd Photosensitive lithographic naphthoquinone diazide printing plate with aluminum base
JPS505083B1 (de) 1970-09-16 1975-02-28
JPS5431712B2 (de) * 1972-07-11 1979-10-09
JPS5421089B2 (de) * 1973-05-29 1979-07-27
US4105450A (en) * 1973-07-27 1978-08-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Spectrally sensitized positive light-sensitive o-quinone diazide containing composition
DE2847878A1 (de) * 1978-11-04 1980-05-22 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch
JPS561045A (en) * 1979-06-16 1981-01-08 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photosensitive composition

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Keine Entgegenhaltungen *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0193166A3 (en) * 1985-02-28 1987-12-23 Hoechst Celanese Corporation Light-sensitive composition and light-sensitive positive registration material
EP0305828A3 (en) * 1987-08-31 1990-07-04 Hoechst Aktiengesellschaft Light-sensitive composition based on 1,2-naphthoquinone diazides, and light-sensitive registration material made therewith
EP0488712A1 (de) * 1990-11-28 1992-06-03 Hoechst Celanese Corporation Positiv-arbeitende Fotolackzusammensetzung
EP0541905A1 (de) * 1991-11-13 1993-05-19 Hoechst Aktiengesellschaft Lichtempfindliches Gemisch mit o-Naphthochinondiazidsulfonsäureestern und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial

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