EA200601832A1 - Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа - Google Patents
Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способаInfo
- Publication number
- EA200601832A1 EA200601832A1 EA200601832A EA200601832A EA200601832A1 EA 200601832 A1 EA200601832 A1 EA 200601832A1 EA 200601832 A EA200601832 A EA 200601832A EA 200601832 A EA200601832 A EA 200601832A EA 200601832 A1 EA200601832 A1 EA 200601832A1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- cathode
- dielectric
- zone
- tunnel
- ion
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Способ ионной обработки диэлектрических поверхностей и устройство для его реализации относятся к области вакуумной обработки поверхности потоком ионов с целью ее очистки, активации, модификации, ассистирования, имплантации, травления и предназначены для нейтрализации заряда на поверхности диэлектрика перед нанесением плёночного покрытия. Предлагаемый в качестве изобретения способ отличается от известных способов аналогичного назначения тем, что поток электронов формируют с помощью плазменного катодного разряда с туннелеобразным магнитным полем, причем часть магнитного потока туннелеобразного магнитного поля одновременно пересекает поверхность катода и обрабатываемую поверхность диэлектрика. а в качестве катода используют графит и/или бор. При этом в состав рабочего газа включают кислород с содержанием 10-100%. Предлагаемое в качестве изобретения устройство для реализации предлагаемого способа отличается от известных устройств аналогичного назначения тем, что в качестве источника электронов используют катодное разрядное устройство, катод которого выполнен из графита и/или бора, а магнитная система установлена под поверхностью катода для создания на его поверхности магнитного потока туннелеобразной формы. При этом катодное разрядное устройство расположено относительно поверхности диэлекфика и выходной апературы источника ионов таким образом, что зона воздействия потока ионов на обрабатываемую поверхность и зона пересечения магнитного потока с этой поверхностью образуют зону взаимного перекрытия.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200601832A EA009514B1 (ru) | 2006-08-16 | 2006-08-16 | Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа |
| CN 200710107941 CN101126147B (zh) | 2006-08-16 | 2007-05-18 | 离子束处理电介质表面的方法及实施该方法的装置 |
| TW96117921A TWI419193B (zh) | 2006-08-16 | 2007-05-18 | 離子束處理電介質表面的方法及實施該方法的裝置 |
| JP2007211954A JP5241169B2 (ja) | 2006-08-16 | 2007-08-15 | 誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA200601832A EA009514B1 (ru) | 2006-08-16 | 2006-08-16 | Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA200601832A1 true EA200601832A1 (ru) | 2008-02-28 |
| EA009514B1 EA009514B1 (ru) | 2008-02-28 |
Family
ID=39094280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA200601832A EA009514B1 (ru) | 2006-08-16 | 2006-08-16 | Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5241169B2 (ru) |
| CN (1) | CN101126147B (ru) |
| EA (1) | EA009514B1 (ru) |
| TW (1) | TWI419193B (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102751154A (zh) * | 2011-04-22 | 2012-10-24 | 上海凯世通半导体有限公司 | 离子注入实时检测和控制装置 |
| GB201216138D0 (en) * | 2012-09-11 | 2012-10-24 | Gencoa Ltd | Plasma source |
| RU170626U1 (ru) * | 2016-10-31 | 2017-05-03 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Установка локального ионного травления диэлектрических поверхностей |
| CN109003940A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法 |
| US12522915B2 (en) | 2019-01-30 | 2026-01-13 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a vacuum system, method for vacuum processing of a substrate, and apparatus for vacuum processing a substrate |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0742586B2 (ja) * | 1988-05-10 | 1995-05-10 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法 |
| US5136171A (en) * | 1990-03-02 | 1992-08-04 | Varian Associates, Inc. | Charge neutralization apparatus for ion implantation system |
| RU2058428C1 (ru) * | 1990-07-24 | 1996-04-20 | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им.В.И.Ульянова (Ленина) | Устройство для нанесения покрытий в вакууме |
| US5466929A (en) * | 1992-02-21 | 1995-11-14 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for suppressing electrification of sample in charged beam irradiation apparatus |
| WO1999050471A1 (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-07 | Universiteit Gent | Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings |
| US6313428B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-11-06 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing space charge of ion beams and wafer charging |
| US6454910B1 (en) * | 2001-09-21 | 2002-09-24 | Kaufman & Robinson, Inc. | Ion-assisted magnetron deposition |
| JP3680274B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2005-08-10 | 住友イートンノバ株式会社 | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
| US6740894B1 (en) * | 2003-02-21 | 2004-05-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor |
| FR2856677B1 (fr) * | 2003-06-27 | 2006-12-01 | Saint Gobain | Substrat revetu d'une couche dielectrique et procede pour sa fabrication |
-
2006
- 2006-08-16 EA EA200601832A patent/EA009514B1/ru not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-05-18 TW TW96117921A patent/TWI419193B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-05-18 CN CN 200710107941 patent/CN101126147B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-15 JP JP2007211954A patent/JP5241169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101126147A (zh) | 2008-02-20 |
| CN101126147B (zh) | 2012-12-05 |
| JP5241169B2 (ja) | 2013-07-17 |
| TWI419193B (zh) | 2013-12-11 |
| JP2008047535A (ja) | 2008-02-28 |
| TW200847216A (en) | 2008-12-01 |
| EA009514B1 (ru) | 2008-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200608489A (en) | Plasma treatment method and plasma etching method | |
| WO2006077582A3 (en) | System and method for treating biological tissue with a plasma gas discharge | |
| EP3062331A3 (en) | Ambient desorption, ionization, and excitation for spectrometry | |
| GB2573435A8 (en) | Apparatus for detecting constituents in a sample and method of using the same | |
| MY147170A (en) | Method and device for treatment or coating of surfaces | |
| WO2012073142A3 (de) | Verfahren und vorrichtung zur ionenimplantation | |
| EP2819148A3 (en) | Electron ionization (EI) utilizing different EI energies | |
| WO2019122358A3 (en) | Ion source | |
| JP2015525438A5 (ja) | ガリウムイオンを有するイオンビームを発生する方法及び装置 | |
| WO2014128462A3 (en) | An analytical apparatus utilising electron impact ionisations | |
| MX2012011702A (es) | Dispositivo de rayo plasmatico no termico como fuente de ionizacion espacial para espectrometria de masa ambiental y metodo para su aplicacion. | |
| CA2839405C (en) | Looped ionization source | |
| JP2015037079A5 (ru) | ||
| JP2020507883A5 (ru) | ||
| SG11201811663XA (en) | Method for implanting single or multiply charged ions into a surface of a treated object and device for implementation of the method | |
| EA200601832A1 (ru) | Способ ионной обработки поверхности диэлектрика и устройство для осуществления способа | |
| BR0317372A (pt) | Fonte de arco de vácuo com dispositivo gerador de campo magnético | |
| TW200618026A (en) | Beam space-charge compensation device and ion implantation system having the same | |
| EA201892197A1 (ru) | Стеклянная подложка со сниженным внутренним отражением и способ ее изготовления | |
| EA201892126A1 (ru) | Синяя отражающая стеклянная подложка и способ ее изготовления | |
| TW200737271A (en) | Techniques for reducing effects of photoresist outgassing | |
| JP2018532569A5 (ru) | ||
| MX2011010862A (es) | Aparato y metodo para el tratamiento de superficie con plasma. | |
| WO2013002954A3 (en) | Windowless ionization device | |
| WO2018187222A3 (en) | Systems and methods for ionizing a surface |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): BY RU |