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DE971601C - Mehrstufiger Transistorverstaerker - Google Patents

Mehrstufiger Transistorverstaerker

Info

Publication number
DE971601C
DE971601C DES31208A DES0031208A DE971601C DE 971601 C DE971601 C DE 971601C DE S31208 A DES31208 A DE S31208A DE S0031208 A DES0031208 A DE S0031208A DE 971601 C DE971601 C DE 971601C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
conductance
input
output
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES31208A
Other languages
English (en)
Inventor
Joachim Dr-Ing Dosse
Helmut Weber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES31208A priority Critical patent/DE971601C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE971601C publication Critical patent/DE971601C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Mehrstufiger Transistorverstärker Die Verwendung des Transistors in mehrstufigen Verstärkern erfordert wegen der sehr verschiedenen Werte des Ein- und Ausgangswiderstandes Übertrager, die den Eingangswiderstand einer Stufe an den Ausgang der vorhergehenden Stufe anpassen, so daß kein Leistungsverlust infolge Fehlanpassung auftritt. Um den Raumbedarf eines Transistorverstärkers wesentlich herabzusetzen und so den Vorteil der geringen Abmessungen der Transistoren besser auszunutzen, wäre es sehr erwünscht, derartige Anpassungsübertrager nicht verwenden zu müssen, da selbst die kleinsten bisher bekanntgewordenen magnetisch wirkenden Übertrager räumlich sehr viel größer als die Transistoren sind.
  • Es ist bekannt, in aufeinanderfolgenden Transistorverstärkerstufen die Transistoren in verschiedenen Schaltungen, die sich dadurch voneinander unterscheiden, daß Basis, Emitter oder Kollektor jeweils als gemeinsame Elektrode für Ein-und Ausgangskreis benutzt wird, zu verwenden. Die drei angeführten Schaltungsarten sollen im folgenden kurz als Basis-, Emitter-oder Kollektorschaltung bezeichnet werden. Bei der Zusammenschaltung von Transistoren wird von der Erkenntnis ausgegangen, daß beispielsweise der Ausgangswiderstand eines Transistors in der Basisschaltung genau denselben Wert wie der Eingangswiderstand desselben Transistors in der Kollektorschaltung besitzt und daß der Ausgangswiderstand in der Kollektorschaltung zwar nicht genauso groß, aber doch von derselben Größenordnung wie der Eingangswiderstand in der Basisschaltung ist, so daß man zwischen dem Transistor in Kollektorschaltung und dein nachfolgenden Transistor in Basisschaltung eine nicht allzu große Fehlanpassung erhält.
  • Dabei wird jedoch meist übersehen, daß die an-. geführten Widerstandsbeziehungen, streng genommen, nur bei Leerlauf am anderen Ende der Schaltung gelten und bei Anpassung oder Fehlanpassung völlig anders -iverden können.
  • Es ist sogar bei der Kollektorschaltung durchaus möglich, daß es infolge der gegenseitigen Abhängigkeit der Anpassungsverhältnisse an Ein-und Ausgang grundsätzlich gar nicht möglich ist, Anpassung an Ein- und Ausgang gleichzeitig zu erzielen.
  • Der Transistorverstärker gemäß der Erfindung mit mehreren Verstärkerstufen in Basis- oder Emitterschaltung ist dadurch gekennzeichnet, daß zum Zwecke der Ankopplung einer Verstärkerstufe an ihre folgende ein Anpassungstransistor in Kollektorschaltung Verwendung findet, der derart gestaltet ist, daß er nach Formierung einen nahe hei Eins liegenden Strornverstärkungsfaktor und ein Verhältnis des Ausgangsleitwertes bei Leerlauf am Eingang zum Eingangsleitwert bei Leerlauf am Ausgang von einem sich wesentlich von Eins unterscheidenden Wert besitzt, wobei das Verhältnis des Ausgangsleitwertes bei Lerlauf am Eingang zum Eingangsleitwert bei Leerlauf am Ausgang des Anpassungstransistors so eingestellt ist, daß der Eingangsleitwert des Anpassungstransistors an den Ausgangsleitwert der vorangehenden Verstärkerstufe und/oder der Ausgangsleit-,,vert des Anpassungstransistors an den Eingangsleitwert der nachfolgenden Verstärkerstufe genau angepaßt ist.
  • Der Erfindung liegt die Erhienntnis zugrunde, daß der komplexe Eingangsleitwert Y, = A i -I- jB1 eines Transistors, dessen Ausgangskreis mit einem äußeren komplexen Leitwert Y" = Aa -I- jBa abgeschlossen ist, zwar im allgemeinen in komplizierter Form von Aa und Ba abhängt, jedoch für den Sonderfall, daß die Kurzschluß-Stabilität ö, K= i - k1 K k2 K klein gegen Eins ist, die einfache Form Y1 = AlL -i- Y"/ü2 annimmt, wobei k1K und 112K die Stromverstärkungsfaktoren in den beiden Betriebsrichtungen bei Kurzschluß und ü2 das Verhältnis des Ausgangsleitwertes bei Leerlauf am Eingang zum Eingangsleitwert bei Leerlauf am Ausgang des Transistors sind.
  • Diese Beziehung sagt aus, daß ein beliebiger Leitwert Y", der an .den Ausgang des Transistors geschaltet wird, am Eingang desselben mit dem transformierten Wert Y"/i!2 parallel zu dem Eigenleitwert AlL des Transistors bei Leerlauf erscheint. Eine entsprechende Beziehung gilt auch für den umgekehrten Fall, daß ein Leitwert Yi an den Eingang geschaltet wird. Er erscheint am Ausgang als transformierter Leitwert Yi - ü2 parallel zum Eigenleitwert A2L.
  • Die Erfindung basiert weiterhin auf der Erkenntnis, daß das Übersetzungsverhältnis in Kollektorschaltung in der folgenden, sehr einfachen Weise mit dem Stromverstärkungsfaktor des Transistors in Basisschaltung bei Kurzschluß am Ausgang kilA zusammenhängt: Gemäß der Erfindung wird der Anpassungstransistor bei der Formierung so behandelt, daß sein Stromverstärkungsfaktor nahe bei Eins liegt, so daß ii.2 ein kleiner Wert wird, also das Übersetzungsverhältnis wesentlich von Eins abweicht. Den Wert von ü2 kann man dann noch in gewissen Grenzen durch Wahl des Arbeitspunktes verändern. Es ist nach der Erfindung also möglich, die Größenordnung des Übersetzungsverhältnisses durch die Formierung des Transistors, den genauen Wert des Ühersetzungsverhältnisses durch Wahl des Arbeitspunktes festzulegen.
  • Ein so behandelter Transistor hat erfindungsgemäß den weiteren Vorteil, daß die Lage seines Arbeitspunktes im Kennlinienfeld eine normale, annähernd vollständige Aussteuerung erlaubt, was bei Transistoren, die in üblicher Weise auf hohe Leistungsverstärkung in Basisschaltung formiert sind und z. B. im Falle des Spitzentransistors eine wesentlich höhere Stromverstärkung als Eins aufweisen, nicht möglich ist, weil man bei diesen den Arbeitspunkt mehr oder weniger in eine Ecke des Kennlinienfeldes verlegen muß, um die richtigen Ühertragungseigenschaften zu erhalten, dann aber auf eine größer,-- Aussteuerung verzichten muß, um Verzerrungen zu vermeiden.
  • Durch die Wahl des Stromverstärkungsfaktors klx .@i erreicht man weiterhin, daß der Anpassungstransistor ohne besondere Vorkehrungen stabil arbeitet, was bei größeren Werten des Stromverstärkungsfaktors nicht der Fall ist.
  • Da bekanntlich die Leistungsübertragung verhältnismäßig unempfindlich gegen Abweichungen von der genauen Anpassung der Widerstände ist, können Schwankungen des Übersetzungsverhältnisses infolge kleiner Schwankungen des Arbeitspunktes im Betriebe in der Regel in Kauf genommen werden. Bei sehr starker Herauf- oder Herabtransformierung, also sehr kleinem ü2 können allerdings durch sehr kleine Änderungen von k ;,7 schon sehr große Schwankungen von ii.2 verursacht werden. Für diesen Fall sieht die Erfindung vor, den Arbeitspunkt des Anpassungstransistors zu stabilisieren. Dies geschieht in der Weise, daß der Emitterstrom, von dem die Stromverstärkung am stärksten abhängt, durch ein Regelglied, z. B. durch einen spannungsabhängigen Widerstand, in an sich bekannter Weise konstant gehalten wird. Bei manchen Transistoren hängt das Übersetzungsverhältnis auch vom Kollektorgleichstrom ab, und zwar im umgekehrten Sinne wie vom Emittergleichstrom. In diesem Falle ist es zweckmäßig, die Differenz beider Ströme, d. h. den über den Basiskontakt fließenden Strom, konstant zu halten.
  • An Hand der Figuren wird die Arbeitsweise des Anpassungstransistors nach der Erfindung durch Schaltungsbeispiele genauer erläutert. Es zeigt Fig. i einen Transistor in Kollektorschaltung, Fig.2 das Ersatzschaltbild desselben Transistors, wenn alle Größen auf die Eingangsseite bezogen sind, Fig.3 eine Verstärkerschaltung, in der Anpassungstransistoren verwendet sind, Fig.4 eine besonders vorteilhafte Verstärkerschaltung unter Verwendung von Anpassungstransistoren.
  • Fig. i stellt schematisch einen Transistor in Kollektorschaltung dar, dessen Eingangsklemmen mit i und dessen Ausgangsklemmen mit 2 bezeichnet sind. 3 ist die Basis, 4. der Emitter, 5 der Kollektor und 6 der Halbleiterblock.
  • Fig. 2 ist das Ersatzschaltbild des Anpassungstransistors, wobei bereits die besonderen, oben erläuterten Arbeitsbedingungen berücksichtigt sind. Der Querleitwert 7 ist gleich dem Eingangsleitwert AiL bei Leerlauf, d. h. bei offenen Klemmen 2, bei i hereingemessen. 3-l ißt man bei offenen Klemmen i den Leitwert an den Klemmen 2, so erhält man beim wirklichen Anpassungstransistor (Fig, i) den Leitwert AL, beim Ersatzschaltbild nach Fig. 2, wenn man alle Leitwerte auf den Eingangskreis bezieht, den Leitwert A2 L/242 = A1 L.
  • Fig.3 zeigt einen Transistorverstärker gemäß der Erfindung mit mehreren Verstärkerstufen in Basisschaltung, bei dem zum Zwecke der Ankopplung einer Verstärkerstufe an die nächstfolgende ein Anpassungstransistor in Kollektorschaltung Verwendung findet. Die Eingangsklemmen sind mit 31 bezeichnet. Der Kollektorstrom aller Transistoren, der Verstärkertransistoren T i und T-2 sowie der Anpassungstransistoren AT i und AT 2, wird aus einer einzigen Spannungsquelle geliefert. Diese braucht nicht über hohe Widerstände oder über eine Speisedrossel mit den Transistoren verbunden sein. Vielmehr erlaubt die Schaltung gemäß der Erfindung eine solche Betriebsweise der Anpassungstransistoren, daß die Anschlüsse 33 und 33' der Stromversorgung wechselstrommäßig an Erde liegen.
  • Die Emittergleichströme werden gemäß der Erfindung von einem hochohmigen Spannungsteiler 3.4 über ebenfalls hohe Widerstände 35 bzw. 35' den Emitteranschlüssen 36 bzw. 36' der Anpassungstransistoren zugeführt. Die Emitterströme für die Verstärkertransistoren T i bzw. T 2 werden in an sich bekannter Weise mittels durch Kondensatoren abgeblockter Widerstände 37 bzw. 37' über die Widerstände 38 bzw. 38' zugeführt, wobei die Widerstände 38 bzw. 38' groß gegen die kleinen Eingangswiderstände der Verstärkertransistoren sind. Die Kapazitäten der Koppelkondensatoren 39, 31o, 311, 312 und 313 sind für die zu verstärkenden Frequenzen genügend groß, so daß sie vernachlässigbareWechselstromwiderstände darstellen. Die Widerstände 35 und 35' können erfindungsgemäß spannungsabhängig sein oder spannungsabhängige Teile enthalten, die die Emitterströme der Anpassungstransistoren und damit deren Übersetzungsverhältnisse konstant halten. Die Übersetzungsverhältnisse der Anpassungstransistoren AT i und AT 2 können je nach den verschiedenen Erfordernissen der Anpassung von einer Verstärkerstufe T i zur nächsten, T 2, oder von der letzten, T2, an den Außenwiderstand, der an die Ausgangsklemmen 3 2 angeschlossen werden soll, verschieden sein.
  • Fig.,. zeigt eine Verstärkerschaltung, die gegenüber der in Fig.3 dargestellten Schaltungsanordnung weitere Vereinfachungen und Verbesserungen aufweist. Wenn man die Widerstände q.5, ,115 und 45', die die Emitteranschlüsse mit der Erdklemme .43 verbinden, so wählen kann, daß die gewünschten Emitterströme, die in der Regel zwischen 0,5 und 2 1nA liegen, fließen, kann der in Fig. 3 dargestellte Spannungsteiler 34 entbehrt werden. Wenn dasselbe auch für den Emitter des Transistors T 2 gilt, kann das RC-Glied, in Fig. 3 mit 37' bezeichnet, entfallen. Die Widerstände 47 und .48 dienen zur Einstellung der Gleichstromdaten des Transistors T i. Die Stromversorgung erfolgt dann lediglich von der Klemme 43' über den Regelwiderstand .414. Analog zu der in Fig. 3 dargestellten Schaltungsanordnung bezeichnen in der Schaltungsanordnung nach Fig. q. .41 die Eingangsklemmen, 42 die Ausgangsklemmen, 4.9, 410, 4.11, 412 und 413 die Koppelkondensatoren.

Claims (3)

  1. PATEN TA NS PßÜCHE: i. Transistorverstärker mit mehreren Verstärkerstufen in Basis- oder Emitterschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zwecke der Ankopplung einer Verstärkerstufe an ihre folgende ein Anpassungstransistor in Kollektorschaltung Verwendung findet, der derart gestaltet ist, daß er nach Formierung einen nahe bei Eins liegenden Stromverstärkungsfaktor und ein Verhältnis des Ausgangsleitwertes bei Leerlauf am Eingang zum Eingangsleitwert bei Leerlauf am Ausgang von einem sich wesentlich von Eins unterscheidenden Wert besitzt.
  2. 2. Transistorverstärker nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis des Ausgangsleitwertes bei Leerlauf am Eingang zum Eingangsleitwert bei Leerlauf am Ausgang des Anpassungstransistors durch Wahl des Arbeitspunktes so eingestellt ist, daß der Eingangsleitwert des Anpassungstransistors an den Ausgangsleitwert der vorangehenden Verstärkerstufe und/oder der Ausgangsleitwert des Anpassungstransistors an den Eingangsleitwert der nachfolgenden Verstärkerstufe genau angepaßt ist.
  3. 3. Transistorverstärker nach Anspruch i und 3, dadurch gekennzeichnet, daß derArbeitspunkt des Anpassungstransistors durch ein Regelglied stabilisiert ist. q.. Transistorverstärker nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Stabilisierung des Arbeitspunktes des Anpassungstransistors der Emitterstrom durch ein hierfür vorgesehenes Schaltmittel konstant gehalten wird. 5. Transistorverstärker nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Stabilisierung des Arbeitspunktes des Anpassungstransistors der durch die Basiselektrode fließende Strom durch ein hierfür vorgesehenes Schaltmittel konstant gehalten wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 826 148; H. G. M e n d e, »Rundfunkempfang ohne Röhren«. 1951, Tabelle V auf S. 49; »Zeitschrift für angewandte Physik«,1951, Heft 6, S. 231 bis 236; »Archiv der elektr. Übertragung«, 1952, August, S. 340 und 341; Zeitschrift »Bell. Syst. Techn. Journ.«, 1949. Juliheft, S.389.
DES31208A 1952-11-26 1952-11-26 Mehrstufiger Transistorverstaerker Expired DE971601C (de)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE826148C (de) * 1948-11-06 1951-12-27 Western Electric Co Transistorverstaerker fuer elektrische Schwingungen

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE826148C (de) * 1948-11-06 1951-12-27 Western Electric Co Transistorverstaerker fuer elektrische Schwingungen

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