DE959392C - Aus amorphem Selen bestehende Widerstandsschicht - Google Patents
Aus amorphem Selen bestehende WiderstandsschichtInfo
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Description
- Aus amorphem Selen bestehende Widerstandsschicht Die Erfindung betrifft eine aus amorphem, vorzugsweise im Vakuum bei Temperaturen unter 5o° C aufgedampftem Selen bestehende Widerstandsschicht eines lichtelektrischen Elements, dessen Widerstand gemäß Patent 898641 durch geeignete Wahl der Schichtdicke auf Röntgenstrahlen ansprechbar gestaltet ist.
- Lichtelektrische Selen-Widerstandsschichten besitzen eine hinreichende Empfindlichkeit, wenn ihre Dicke etwa 1 bis 2,u beträgt. Die Ansprechempfindlichkeit auf Röntgenstrahlen ist bei solchen Zellen sehr gering. Sie kann gesteigert werden, wenn die Selenschicht in einer größeren Stärke aufgedampft wird. Eine wesentliche Voraussetzung für die Verwendung derartiger Schichten zum Bau empfindlicher Röntgenbild-Fernseh-Aufnahmeröhren besteht darin, die amorphe Selenschicht optimal zu dimensionieren. Versuche haben .ergeben, daß dafür die Schichtdicke so zu wählen ist, daß sie folgende Gesetzmäßigkeit erfüllt: epd = 2,Ad + r.
- Darin bedeutet ,u den Absorptionskoeffizient der amorphen Selenschicht, der sich aus der Gleichung ,u = i i oo 7,3 -f- i,12 errechnet, wobei @ die Wellenlänge der benutzten Röntgenstrahlung in Angströmeinheiten ist und d die Schichtdicke der amorphen Selenschicht. Für eine Wellenlänge von 0,33 Angström liegt die optimale Schichtdicke danach bei etwa 300 ,u.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Aus amorphem, vorzugsweise im Vakuum bei Temperaturen unter 5o° C aufgedampftem Selen bestehende Widerstandsschicht eines lichtelektrischen Elements, dessen Widerstand gemäß Patent 898 641 durch geeignete Wahl der Schichtdicke auf Röntgenstrahlen ansprechbar gestaltet ist, gekennzeichnet durch eine derartige Wahl dieser Schichtdicke, daB sie folgende Gesetzmäßigkeit erfüllt: eßd -2,ud -I-1, worin d die Schichtdicke und ,u der Absorptionskoeffizient der Selenschicht bedeuten und ,u sich aus der Gleichung ,u = I ioo #s + i,12 errechnet, wobei A, die Wellenlänge des eingestrahlten Röntgenlichtes in Angströmeinheiten ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEZ3945A DE959392C (de) | 1954-01-22 | 1954-01-22 | Aus amorphem Selen bestehende Widerstandsschicht |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEZ3945A DE959392C (de) | 1954-01-22 | 1954-01-22 | Aus amorphem Selen bestehende Widerstandsschicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE959392C true DE959392C (de) | 1957-03-07 |
Family
ID=7618969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEZ3945A Expired DE959392C (de) | 1954-01-22 | 1954-01-22 | Aus amorphem Selen bestehende Widerstandsschicht |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE959392C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12041796B2 (en) | 2016-12-02 | 2024-07-16 | The Research Foundation For The State University Of New York | Fused multi-layer amorphous selenium sensor |
-
1954
- 1954-01-22 DE DEZ3945A patent/DE959392C/de not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12041796B2 (en) | 2016-12-02 | 2024-07-16 | The Research Foundation For The State University Of New York | Fused multi-layer amorphous selenium sensor |
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