DE889656C

DE889656C - Detector for rectifying electromagnetic waves, especially ultra-short waves

Info

Publication number: DE889656C
Application number: DEW1401D
Authority: DE
Inventors: Heinrich Dr Welker
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1944-02-11
Filing date: 1944-02-12
Publication date: 1953-09-14

Description

Detektor zur Gleichrichtung elektromagnetischer Wellen, insbesondere Ultra-Kurzwellen Der Gegenstand der Erfindung betrifft eine Flächendetektoranordnung zur Gleichrichtung von elektromagnetischen Wellen, ,insbesondere Ultra-Kurzwellen. Es ist bekannt, für Trocken- oder Kristallgleichrichter diese beispielsweise in Form einer Scheibe anzuordnen oder in.. Form eines Spitzendetektors. Die scheibenartige Gleichrichteranordnung wurde insbesondere beim Selen-oder Kupferoxydulgleichrichter angewendet. Der Spitzendetektor hat den Nachteil, daß er infolge des Spitzenkontaktes keine genügende Konstanz und Stabilität aufweist. Der Spitzendetektor ist auch hinsichtlich seiner Kapazität nicht so günstig als es auf den ersten Blick den Anschein: hat, und zwar beruht dies darauf, daß die Streukapazität, die ein Übergreifen der elektrischen Kraftlinien von anderen Teilen der Detektornadel auf den Kristall bewirkt, sehr groß und schädlich ist.Detector for rectifying electromagnetic waves, in particular Ultra-short waves The subject matter of the invention relates to an area detector arrangement for the rectification of electromagnetic waves, especially ultra-short waves. It is known, for example, for dry or crystal rectifiers in To be arranged in the form of a disk or in the form of a peak detector. The disk-like The rectifier arrangement was used in particular in the case of selenium or copper oxide rectifiers applied. The tip detector has the disadvantage that it as a result of the tip contact does not have sufficient constancy and stability. The top detector is also concerning its capacity is not as favorable as it appears at first glance: This is based on the fact that the stray capacitance, which spreads over the electrical Lines of force from other parts of the detector needle on the crystal causes a lot is great and harmful.

Die Nachteile des Flächengleichrichters und die Nachteile des Spitzendetektors zu beseitigen und deren Vorteile miteinander zu verbinden, ist der Zweck der Erfindung. Hierbei wird unter einem Flächendetektor eine Gleichrichteranordnung verstanden, bei welcher der die Gleichrichtung hervorrufende Halbleiter, die beiden Elektroden und deren Zuleitungen 4n einer Ebene angeordnet sind. Es ist wesentlich, daß die Zuleitungen hierbei in die Ebene der Elektroden gelegt werden. Dabei muß jedoch berücksichtigt werden, daß die eigentlichen:Elektroden an sich von einer ausgesprochenen Kleinheit sind, so daß die Anbringung der Zuleitungen ein sehr schwieriges Problem darstellt. Auch die .Bedeutung .des Wortes Ebene ist nicht etwa so aufzufassen, daß Halbleiter, Elektroden und Zuleitungen in einer mathematischen Ebene liegen mühten, im Gegenteil, zwischen. diesen drei wesentlichen Teilen bestehen geringe Höhenunterschiede, .die jedoch mit unbewaffnetem Auge kaum oder nur wenig _ festzustellen sind. Bei mikro-.skopsscher Betrachtung treten diese Unterschiede naturgemäß in Erscheinung. Sie liegen etwa unter i 0o ,u.The disadvantages of the surface rectifier and the disadvantages of the peak detector to eliminate and to combine their advantages with one another, is the purpose of the invention. Here, an area detector is understood to mean a rectifier arrangement, in which the rectifying semiconductor, the two electrodes and the leads 4n of which are arranged in one plane. It is essential that the Leads are placed in the plane of the electrodes. Included got to However, it must be taken into account that the actual: electrodes per se of a so that the attachment of the leads is a very difficult task Problem. Also, the meaning of the word level is not to be understood as that semiconductors, electrodes and leads are on a mathematical level struggled, on the contrary, between. these three essential parts consist of minor ones Differences in altitude, which, however, can hardly or only little to be seen with the naked eye are. With a microscopic view, these differences naturally occur Appearance. They are approximately below i 0o, u.

Die Anordnung dieser Schichten auf einer isolierenden Trägerplatte kann: in verschiedener Weise geschehen, beispielsweise durch Aufdampfen, Aufspritzen oder ähnliches. Schon aus diesen Darlegungen geht hervor, daß ein Spitzendetektor wesentlich verschieden von einem Flächendetektor ist und beide Begriffe etwas wesentlich anderes darstellen. Auch der Scheibengleichrichter kann nicht unter den Begriff des Flächendetektors fallen, weil hier .die Zuführungen zu den Elektroden aus der Ebene selbst herausragen.The arrangement of these layers on an insulating carrier plate can: be done in various ways, for example by vapor deposition, spraying or similar. From these explanations it is already clear that a peak detector is significantly different from an area detector and both terms are somewhat essential represent different. Even the disc rectifier cannot come under the term of the area detector fall because here .the leads to the electrodes from the Level itself stick out.

Zur Erörterung des Gegenstandes der Erfindung dienen die Zeichnungen, und es stellen dar Fig. i eine Aufsicht auf eine bekannte Anordnung, die jedoch dem vorliegenden Zweck nicht gerecht werden kann, Fig. 2 einen Querschnitt durch Fig. i, Fig. 3 und 5 Anordnungen von Detektoren mit Ohmschen Nebenschlüssen gemäß der Erfindung, Fig. 4 und 6 die Querschnitte zu Fig. 3 und 5, Fig. 7 die Spitzenanordnung .in einer Ebene, Fig. 8 :den Querschnitt durch Fig. 7, Fig. 9 und i i Detektoranordnungen ohne Ohmsche Nebenschlüsse, Fiä. io und 12 die Querschnitte zu Fig. 9 und i i, Fig. 13 und' 15 kapazitätsarme Detektorausführungen ohne Nebenschlüsse und ohne Stromlin.ienverschiebung, Fig. 14 und 16 die Querschnitte zu Fig: 13 und 15, Fig. 17 und i9 vereinfachte Ausführungsformen der Fig. 13 und 15, Fig. 1:8 und 2o Querschnitte hierzu, Fig.21 Verlauf der Stromlinien an einer Elektrode mit und ohne Sperrschicht.The drawings serve to discuss the subject matter of the invention, and FIG. 1 shows a plan view of a known arrangement which, however can not do justice to the present purpose, Fig. 2 shows a cross section through Fig. I, Fig. 3 and 5 arrangements of detectors with ohmic shunts according to of the invention, FIGS. 4 and 6 the cross-sections for FIGS. 3 and 5, FIG. 7 the tip arrangement .in one plane, FIG. 8: the cross section through FIG. 7, FIG. 9 and i i detector arrangements without ohmic shunts, Fiä. io and 12 the cross-sections for Fig. 9 and i i, Fig. 13 and 15 low-capacitance detector designs without shunts and without streamline displacement, 14 and 16 show the cross-sections of FIGS. 13 and 15, FIGS. 17 and 19 simplified embodiments 13 and 15, FIG. 1: 8 and 2o cross-sections for this, FIG. 21 course of the streamlines on an electrode with and without a barrier layer.

Aus- darstellungstechnischen Gründen sind ,die auf der Unterlage aufgedampften Leiter gestaffelt übereinander :dargestellt. In Wirklichkeit liegen sie aber eher dachziegelartig übereinander, so daß also ,die Leiter und .die Halbleiter teils einander überdecken, teils auf der Glas- oder Quarzplatte aufruhen. Weiterhin ist die obere Elektrode mit einer Sperrschicht versehen, die nicht gesondert dargestellt ist. Das.Versehen einer Elektrode mit Sperrschicht bildet nicht .den Gegenstand der Erfindung.Technical reasons for presentation are those that are vapor-deposited on the base Ladder staggered one above the other: shown. In reality, however, they are more likely to be Tile-like on top of each other, so that the conductors and .the semiconductors are partly cover each other, partly resting on the glass or quartz plate. Furthermore is the upper electrode is provided with a barrier layer, which is not shown separately is. Providing an electrode with a barrier layer does not constitute the object the invention.

Die Fig. i zeigt"eine Anordnung, bei welcher auf einer nichtleitenden Unterlage, z. B. aus Quarz i, eine Metallauflage 2 mit ringförmigem Ausschnitt aufgedampft ist. Darauf wird ein halbleitender Ring 3 aufgedampft, der den Metallring 2 am Rand 4 überlappt. Die Mitte dieses Halbleiterringes 3 ist frei gelassen. In der Mitte dieses Ringes bzw. der Scheibe 3 wird eine Metallscheibe 5 aufgedampft, deren Rand 6,die Scheibe 3 überlappt. Bei dieser bekannten Anordnung ist festzustellen, daß :der Rand oder die Schneide des äußeren Metallringes 2 in größerem Abstand von 'der Schneide oder Kanter der zentral gelegenen Metallscheibe 5 angeordnet ist. Es überlappen oder überschneiden sich also die zentrale Metallscheibe 5 und der Außenring 2 bei weitem nicht.Fig. I shows "an arrangement in which on a non-conductive Document, e.g. B. made of quartz i, a metal plating 2 vapor-deposited with an annular cutout is. A semiconducting ring 3 is vapor-deposited thereon, which attaches the metal ring 2 to the edge 4 overlaps. The center of this semiconductor ring 3 is left free. In the middle this ring or the disc 3, a metal disc 5 is vapor-deposited, the edge of which 6, the disc 3 overlaps. In this known arrangement it should be noted that : the edge or the cutting edge of the outer metal ring 2 at a greater distance from 'the The cutting edge or edge of the centrally located metal disc 5 is arranged. It overlap or so the central metal disk 5 and the outer ring 2 overlap far from it.

Grundlegend abweichend hiervon ist .der Gegenstand: 'der Erfindung. Beim Gegenstand der Erfindung herrscht derb Grundgedanke vor, die beiden Metallkörper einander weitgehend zu nähern bzw. überschneiden zu lassen. Auf alle Fälle muß der Grundsatz aufrechterhalten werden, daß die Entfernung oder die Abstände innerhalb gewisser Grenzen beschränkt sind. Ganz besonders kommt dieses zum Ausdruck in .der Ausführung gemäß Fig. 7.The subject matter of the invention is fundamentally different from this. In the subject matter of the invention, the basic idea prevails, the two metal bodies to approximate or overlap each other as much as possible. In any case he has to Principle to be maintained that the distance or the distances within certain limits are limited. This is particularly expressed in .der Execution according to FIG. 7.

Der Erfindungsgedanke ist beispielsweise, in Fig. 3 veranschaulicht, Hier wird auf isolierender Grundfläche bzw. Quarz oder Glas i ein metallischer Spiegel 8 aufgedampft, der, wie dargestellt, die Form eines Streifens besitzt. Auf diesen Metallspiegel, zur Hälfte diesen überdeckend; zur Hälfte auf der Glas- oder Quarzplatte i aufruhend, wird eine Halbleiterschicht 9 .aufgebracht. Auch diese Halbleiterschicht 9 übergreift der auf die Quarzplatte i aufgebrachte Metallstreifen io. Dabei kommt die Stirnkante i i des Metallstreifens. unmittelbar benachbart zur Kante 12 der Metallauflage B.The idea of the invention is illustrated, for example, in FIG. 3, Here, a metallic mirror is placed on an insulating base surface or on quartz or glass 8, which, as shown, has the shape of a strip. On this Metal mirror, covering half of it; half on the glass or quartz plate i resting, a semiconductor layer 9 is applied. This semiconductor layer too 9 overlaps the metal strip io applied to the quartz plate i. Here comes the front edge i i of the metal strip. immediately adjacent to the edge 12 of the Metal overlay B.

Bei Fig. 5 ,ist die Anordnung die gleiche, nur mit dem Unterschied, :daß hier der Metallstreifen io die Form eines Keiles 13 besitzt, dessen Spitze 14 abgerundet ausgebildet ist, und die Kante i2 unter Zwischenlagerung der Halbleiterschicht 9 mit ihrer vorderen. abgerundeten Spitze 14 übergreift.In Fig. 5, the arrangement is the same, only with the difference : that here the metal strip io has the shape of a wedge 13, the tip of which 14 is rounded, and the edge i2 with the interposition of the semiconductor layer 9 with your front. rounded tip 14 overlaps.

In Fig. 7 ist eine bauliche Variante veranschaulicht, durch welche die Begrenzungsgröße des Gegenstandes der Erfindung dargelegt wird. Hier ist auf einer Quarzunterlage i ein metallischer Streifen ß aufgedampft: Dieser metallische eStreifen 8 erhält jedoch in der Achse des späteren Metallstreifens- io eine halbrunde Aussparung 7. Auf diese Aussparung und diese übergreifend wird ein Halbleiterspiegel 9 aufgebracht. Der Metalleiter io wird so angeordnet, ,daß lediglich seine vordere Spitze 14 den Halbleiterspiegel 9 übergreift, und zwar ist diese Ausführung hier so. gewählt, weil bei den bisherigen Anordnungen keine nennenswerte radiale Ausbreitung der elektrischen Stromlinien vorhanden ist. Wird aber, wie im Beispielsfall der Fig. 7, die Metallspitze von dem Metallfeld ungefähr kreisförmig umlagert, so treten die elektrischen Kraftlinien allseitig von der Spitze zum Metallfeld 8 -über, zumal wenn die Entfernung zwiechen Spitze 14 und. Metallfeld'hegrenzungslinien noch etwas größer ist. In den Anordnungen gemäß Fig. 9 bis 2o sind Ausführungsformen gezeigt, die voneinander .durch bauliche Abweichungen sich unterscheiden, die jedoch alle auf dem Grundgedanken beruhen., die einander gegenüberliegenden Wirkungsschneiden durch eine Halbleiterschicht so zu trennen, daß trotz dieserTrennung die Schneiden zum mindesten einander sehr benachbart übereinander oder übereinander und sich überschneidend angeordnet sind.In Fig. 7, a structural variant is illustrated by which the limit of the subject matter of the invention is set forth. Here is on a quartz base i a metallic strip ß vapor-deposited: this metallic However, the strip 8 has a semicircular shape in the axis of the later metal strip Recess 7. A semiconductor mirror is formed on this recess and across it 9 applied. The metal conductor io is arranged so that only its front Tip 14 overlaps the semiconductor mirror 9, namely this version is here so. chosen because in the previous arrangements there was no significant radial expansion of the electrical streamlines is present. But, as in the example, the 7, the metal tip surrounded by the metal field in an approximately circular manner, so step the electrical lines of force on all sides from the tip to the metal field 8 -over, especially if the distance between tip 14 and. Metal field boundary lines something else is bigger. In the arrangements according to FIGS. 9 to 2o are embodiments shown, which differ from each other due to structural deviations, but which all based on the basic idea, the opposing cutting edges to be separated by a semiconductor layer in such a way that, despite this separation, the cutting edges at least very closely to one another, one above the other or one above the other and overlapping are arranged.

Den Verlauf der Stromlinien beim Übergang von einer Halbleiterschicht auf eine aufgedampfte Elektrode stellt .die Fig. 21 dar. Zu dieser neuen. Anordnung des Erfindungsgegenstandes ist folgendes zu bemerken: Die in Fig. i dargestellte Flächendetektoranordnung, wie sie von der Widerstandsphotozelle (Lichtdetektor) her bekannt ist, ist nicht in der Lage, gleichzurichten. Dies kommt daher, daß der Gleichrichtereffekt im Halbleiter auf die unmittelbare Nähe der Elektroden: beschränkt ist, im Gegensatz zur Photozelle, wo der Photoeffekt überall im Halbleiter stattfindet, sofern nur Licht auftrifft. Damit der Gleichrichtereffekt als Grenzschichteffekt überhaupt hervortreten kann, muß der elektrische Widerstand des der gleichrichtenden Sperrschicht vorgeschalteten Halbleiters klein im Verhältnis zum eigentlichen Sperrschichtenwiderstand sein. Diese Bedingung, die sehr wichtig ist, führt dazu, daß bei Scheibengleichrichtern höchstens 6o ,u starke Halbleiterschichten zur Anwendung gelangen können.The course of the streamlines at the transition from a semiconductor layer on a vapor-deposited electrode represents .die Fig. 21. For this new. arrangement of the subject matter of the invention, the following should be noted: The one shown in FIG Area detector arrangement, as shown by the resistance photocell (light detector) is known to be unable to rectify. This is because the Rectifier effect in the semiconductor in the immediate vicinity of the electrodes: limited is, in contrast to the photo cell, where the photo effect takes place everywhere in the semiconductor, as long as only light hits. Thus the rectifier effect as a boundary layer effect can emerge at all, the electrical resistance of the rectifying The junction of the upstream semiconductor is small in relation to the actual junction resistance be. This condition, which is very important, leads to disc rectifiers a maximum of 6o, u thick semiconductor layers can be used.

Der Gegenstand der Erfindung will durch eine Beschränkung des kürzesten Abstandes zwischen den beiden Elektroden diesen Mangel beheben. Dabei kann die Beschränkung dadurch geschehen, daß die beiden. Metallelektroden unter Zwischenlagerung der Halbleiterschicht si.ch mit ihren Stirnseiten unmittelbar nähern oder gar überschneiden, so daß der Strom im Halbleiter nur eine kurze oder kürzeste Strecke zurückzulegen braucht, um von einem Metalleiter zum anderen zu gelangen.The object of the invention aims by limiting the shortest Distance between the two electrodes correct this deficiency. The restriction happen because the two. Metal electrodes with intermediate storage of the semiconductor layer si.ch directly approach or even overlap with their front sides, so that the Electricity in the semiconductor only needs to travel a short or very short distance, to get from one metal conductor to another.

Die Lösung der gestellten Aufgabe ist auch dadurch möglich, daß der Detektor gemäß Fig. 7 ausgeführt wird. Der Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß die Entfernung der beiden Halbleiter voneinander nicht so -,einzig klein. auszufallen braucht als bei den beschriebenen anderen Anordnungen, was für die praktische Herstellung vielleicht von Vorteil -ist. Bei dieser Anordnung wird nämlich der aufgedampfte Halbleiter 9 in der Achse des Metallstreifens 1o halbkreisförmig um dessen. Spitze ausgespart und dort der Spiegel 9 zwischengelegt. Dadurch wird erreicht, daß sich die Stromlinien in der Ebene radial nach allen Seiten ausbreiten können. Trotzdem - hierbei die Entfernung zwischen den beiden Schneiden. oder Kanten. der Elektrode etwas größer gewählt werden kann, ist der Vorschaltwiderstand wegen der Ausbreitung der Stromlinien durchaus noch in erträglichen Grenzen. Während jedoch beim räumlichen Spitzendetektor auch bei beliebig großem Abstand zwischen Spitze und Gegenelektrode der Vorschaltwiderstand endlich bleibt, wächst im gegebenen Fall dieser Vorschaltwiderstand langsam gegen unendlich. Daher ist beim flächenhaften Spitzendetektor die Entfernung zwischen Spitze und Gegenelektrode erfindungsgemäß zu beschränken. Diese Entfernung kann allerdings beim Gegenstand der Fig. 7 wesentlich größer sein als bei den. übriger dargestellten Anordnungen. Als obere Grenze kann i mm zugrunde gelegt werden.The solution to the problem is also possible in that the Detector according to FIG. 7 is carried out. The advantage of this arrangement is that that the distance between the two semiconductors is not so - just small. fail needs than with the other arrangements described, what for the practical production maybe an advantage. In this arrangement, namely, the vapor-deposited Semiconductor 9 in the axis of the metal strip 1o semicircular around it. top recessed and there the mirror 9 interposed. This achieves that the streamlines in the plane can spread radially in all directions. Nevertheless - here the distance between the two cutting edges. or edges. the electrode can be chosen somewhat larger, the series resistance is due to the spread the streamlines are still within tolerable limits. However, while in the case of spatial Tip detector even with any distance between tip and counter electrode If the series resistance remains finite, this series resistance increases in the given case slowly towards infinity. Therefore, in the case of the planar peak detector, the distance is to restrict between the tip and the counter electrode according to the invention. This distance can, however, be much larger in the subject of FIG. 7 than in the. the rest illustrated arrangements. I mm can be used as the upper limit.

Beim Gegenstand der Fig. 9 bis 2o hat die auf der isolierenden Unterlage i aufgedampfte Metallelektrode 1-5 eine rechteckige Gestalt, über welcher der Halbleiter 16 diesen rechteckigen Streifen überdeckend gelagert ist. Über diesen Halbleiter kommt dann die Gegenelektrode, 17, und zwar so, daß die Schneiden 1$ der Gegenelektrode und die Schneiden 19 :der Elektrode, 17 entweder übereinander benachbart liegen oder übereinander sich überschneidend. Es ist nicht unbedingt notwendig, daß der Halbleiter 16 die Gegenelektrode auch auf einem so großen Feld untergreift wie die Grundelektrode, im Gegenteil ist es zweckmäßiger, den Halbleiter die Gegenelektrode nur kurz untergreifen zu lassen (Fig. 13, 15). Diese Anordnung ist jedoch schwieriger herzustellen, weshalb die Anordnungen gemäß Fig. 9, 11, 17 und 19 den Vorzug verdienen. Durch den Wegfall überflüssiger Halbleiterflächen, wie s.ie im Gegensatz zu FinG. 3 und 5 in den Fig.9 bis 2o veranschaulicht sind, wird, der Vorteil erreicht, daß schädliche Nebenschlüsse vermieden werden. Die Abkürzung der Halbleiterschicht beimUntergreifen unter die Deckelektrode besteht darin, daß, wie in Fig. 21 veranschaulicht, die Stromlinien im Halbleiter 9 die Tendenz haben, sofort, wie sie über dem Stromleiter 8 angelangt sind, nach diesem abzubiegen. Wird jedoch der Widerstand ,größer, wenn der Gleichrichter in Sperrichtung betrieben wird, so suchen die Stromlinien durch Vergrößerung der Auftreffflächen .den Widerstand herabzusetzen, d. h. sie breiten sich auf der Sperrschicht möglichst weit und breit aus (gestrichelt gezeichnet) und verschlechtern die Gleichrichtung. Dieses kann verhindert werden, wenn die Sperrschicht entsprechend beschränkt oder bemessen wird, wie es die Anordnungen gemäß Fig, 9 bi-s 20 z-eigen.When the subject of Fig. 9 to 2o has on the insulating pad i vapor-deposited metal electrode 1-5 a rectangular shape over which the semiconductor 16 is stored covering this rectangular strip. About this semiconductor Then comes the counter electrode 17, in such a way that the cutting edges 1 $ of the counter electrode and the cutting edges 19: of the electrode 17, either lie adjacent to one another or overlapping one another. It is not absolutely necessary that the Semiconductor 16 also engages under the counter electrode in a field as large as that Ground electrode, on the contrary, it is more expedient to make the semiconductor the counter electrode to let reach under only briefly (Fig. 13, 15). However, this arrangement is more difficult to produce, which is why the arrangements according to FIGS. 9, 11, 17 and 19 deserve preference. By eliminating superfluous semiconductor areas, such as the one in contrast to FinG. 3 and 5 are illustrated in FIGS. 9 to 2o, the advantage is achieved that harmful shunts are avoided. The abbreviation of the semiconductor layer when reaching under under the top electrode is that, as illustrated in Fig. 21, the Streamlines in the semiconductor 9 have the tendency immediately as they cross the conductor 8 have arrived, turn off after this. However, the resistance becomes greater when the rectifier is operated in reverse direction, search the streamlines Increase the impact surface. Reduce the resistance, d. H. they spread extends as far and wide as possible on the barrier layer (shown in dashed lines) and degrade the rectification. This can be prevented if the barrier layer is limited or dimensioned accordingly, as is the case with the arrangements according to FIG up to 20 z-own.

Bei den Ausführungsformen gemäß Fig. 17 bis 20 ist die Anordnung so getroffen, daß eine Elektrode 15 flächenhaft auf der Isolierunterlage i ausgebildet ist und die Sperrschicht 20 als ein Streifen die Elektrode überlappend aufgedampft ist. Diese Sperrschicht übergreift dann die Gegenelektrode 21. Die Schneiden .der Elektrode 15 und, 21 liegen hierbei entweder benachbart übereinander oder sich überschneidend übereinander unter Zwischenschalturng der Sperrschicht 2o.In the embodiments according to FIGS. 17 to 20, the arrangement is as follows taken that an electrode 15 is formed flat on the insulating pad i and the barrier layer 20 is vapor deposited as a strip overlapping the electrode is. This barrier layer then overlaps the counter electrode 21. The cutting edges .der Electrodes 15 and 21 are either adjacent one above the other or overlap one above the other with the interposition of the barrier layer 2o.

Weitere Vorteile der Flächendetektoren bestehen außerdem darin, daß die Streukapazität der Anordnung sehr klein gemacht «-erden kann. Die Kapazität der Sperrschicht selbst ist hingegen immer vorhanden und läuft parallel mit der für die Richtung des erforderlichen Widerstandes des Gleichrichters nötigen elektrischen Berührfläche. Eine besonders kleine Streukapazität besitzen diie Anordnungen gemäß Fig. 9, 11, 13, 15. Im Gegensatz zum Spitzendetektor kann beim Gegenstand der Erfindung der elektrische Widerstand in weiten Grenzen variiert werden, vor allem gegen,die niederohmige Seite zu. Die Wärmeableitung ist eine vorzügliche, weil sie durch die Grundplatte erfolgt. Infolge der winzigen Abmessungen und der guten Wärmeableitungen kann der Detektor gemäß dem Gegenstand der Erfindung sehr leicht tiefgekühlt werden. Diese Möglichkeit bringt andererse,its wieder eine höhere Empfindlichkeit des Detektors durch die Herabsetzung des thermischen Rauschens mit sich und gleichzeitig eine Verbesserung der Gleichrichtung.Further advantages of the area detectors are that the stray capacitance of the arrangement can be made very small. The capacity the barrier itself, however, is always present and runs in parallel with the necessary electrical for the direction of the required resistance of the rectifier Contact surface. The arrangements according to FIG. 1 have a particularly small stray capacitance Figures 9, 11, 13, 15. In contrast to the tip detector, the object the invention, the electrical resistance can be varied within wide limits against everything, the low-resistance side too. The heat dissipation is excellent, because it takes place through the base plate. As a result of the tiny dimensions and the The detector according to the subject matter of the invention can very good heat dissipation be easily frozen. This possibility brings other, its again a higher one Sensitivity of the detector by reducing the thermal noise with itself and at the same time an improvement in rectification.

Es verdient noch hervorgehoben zu werden, daß selbstverständlich nur jeweils eine der Elektroden als sperrschdchttragende. Elektrode ausgebildet ist. In den Figuren ist als sperrschichttragende Elektrode die obere Elektrode gewählt.It still deserves to be emphasized that, of course, only one of the electrodes as a barrier material. Electrode is formed. In the figures, the upper electrode is selected as the electrode carrying the barrier layer.

Inder Fig. :.i ist der Verlauf der Stromlinien in der Halbleiterschicht veranschaulicht. Wenn die Halbleiterschicht 9 nicht begrenzt wird, beispielsweisedurch ihr Aufhören mit der Fläche 22, sondern sich weiter fortsetzt, so breiten sich,die Stromlinien 23 über der Elektrode 1s weiterhin, aus, was von nachteiliger Wirkung ist und eine Verschlechterung .der Anordnung mit sich bringen muß.In the figure: i is the course of the streamlines in the semiconductor layer illustrated. When the semiconductor layer 9 is not limited, for example by their cessation with the surface 22, but continues, so that spreads Streamlines 23 over the electrode 1s continue, from what has an adverse effect and a deterioration. of the arrangement must bring with it.

Claims

PATENT CLAIMS: i. Detector for the rectification of electromagnetic waves, especially ultra-short waves, characterized in that the electrodes separated from one another by an interposed semiconductor are brought as close as possible to one another, in that the electrodes and the semiconductor are arranged on top of one another in the manner of roof tiles.

2. Detector according to claim i, characterized in that that the shortest distance between the two electrodes is less than i mm, so .that harmful ballast resistances are kept small.

3. Detector after Claim i and 2, characterized in that the two electrodes are next to one another lie on top of each other. q ..

Detector according to claims i and 2, characterized in that that the two electrode tips are arranged one above the other so that they are reach over with the interposition of the semiconductor.

5. Detector according to claim i his q., characterized in that the distance between the electrode and the counter-electrode i mm does not exceed.

6. Detector according to claim i to 5, characterized in that that the semiconductor layer lying outside the metal electrodes is kept so small is that harmful interferences with life are largely avoided. are.

7. Detector according to claims i to 6, characterized in that the one overlapped with the blocking electrode Part of the semiconductor layer is kept so small that the harmful effect of the Streamline shift is reduced to a minimum. B.

Detector according to claim i to 7, characterized in that deep freezing is provided.

9. Detector according to claims i -to 8, characterized in that one electrode is planar and the overlying counter electrode is rod-like so that the Rod electrode with the interposition of the semiconductor in the middle of the surface electrode is led. ok Detector according to Claims i to 9, characterized in that at a tip formation, the rod-like electrode which is flat-like, formed Electrode around the tip of the rod under the semiconductor is cut out in a circle. ii. Detector according to claims i to io, characterized in that the each overhead Electrode (cover electrode) is provided with a rectifying barrier layer.