DE879435C

DE879435C - Photocell

Info

Publication number: DE879435C
Application number: DEB9898D
Authority: DE
Inventors: Georg Dr Maurer
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1941-12-19
Filing date: 1941-12-19
Publication date: 1953-06-11

Description

Es" ist bekannt, daß die lichtelektrische Ausbeute von Fotoschichten, die auf einem Unterlagemetall einen Halbleiter tragen, an dessen Außenfläche noch elektropositive Atome adsorbiert sein können, gesteigert werden kann, wenn der wirksamen Außenfläche des Halbleiters Elektronen von außen unmittelbar durch Elektronenbeschuß zugeführt werden. Gemäß der Erfindung wird ohne Beschießung des Halbleiters mit Elektronen durch andersartige unmittelbare Zuführung von Elektronen, die nicht durch den Halbleiter hindurchgehen, die lichtelektrische Ausbeute der Schicht gesteigert und die Grenze der lichtelektrischen Wirkung weiter ins Langwellige, nach dem Ultrarot hin, vorgeschoben. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß der Halbleiteroberfläche Elektronen durch metallische Leitung, z. B. über eine genügend dünne, z. B. aufgedampfte, z. B. netz- oder kammförmige Metallschicht, zugeführt werden. Die Metallschicht bezieht die Elektronen ihrerseits durch metallische Leitung, z. B. aus der Metallunterlage des Halbleiters oder'aus einer sonstigen Elektronenquelle.It is known that the photoelectric yield of photolayers which carry a semiconductor on a base metal, on the outer surface of which it is still electropositive atoms can be adsorbed, can be increased if the effective External surface of the semiconductor Electrons from the outside directly through electron bombardment are fed. According to the invention, without bombarding the semiconductor with Electrons through other direct supply of electrons that are not through pass through the semiconductor, the photoelectric yield of the layer is increased and the limit of the photoelectric effect further into the long-wave, after the ultra-red there, advanced. This is achieved according to the invention in that the semiconductor surface Electrons through metallic conduction, e.g. B. over a sufficiently thin, z. B. vaporized, z. B. reticulated or comb-shaped metal layer are supplied. The metal layer draws the electrons in turn through metallic conduction, e.g. B. from the metal base of the semiconductor or from another electron source.

Bei der Bauart nach der Erfindung ist es möglich, an einer Reihe von Schichten, z. B. an solchen, deren Halbleiter aus mit Cäsium behandeltem Natriumchlorid besteht, und die sonst mit sichtbarem Licht praktisch keine oder nur eine schwache lichtelektrische Wirkung ergeben, höhere lichtelektrische Ausbeuten zu erzielen. Die Erfindung ist überall da mit Vorteil anwendbar, wo die Elektronen sonst aus nichtmetallischen Schichten oder aus in nichtmetallischem Zustand befindlichen Schichten, z. B. aus Selen, nachgeliefert werden müßten, gleichgültig, ob diese nichtmetallischen Schichten für sich allein oder als Zwischenschichten vorhanden sind.In the construction according to the invention, it is possible to use a number of Layers, e.g. B. on those whose semiconductors are made of sodium chloride treated with cesium exists, and which otherwise with visible light practically no or only a weak one result photoelectric effect to achieve higher photoelectric yields. The invention can be used to advantage wherever the electrons come from non-metallic layers or layers in a non-metallic state, z. B. from selenium, would have to be delivered, regardless of whether these are non-metallic Layers are present on their own or as intermediate layers.

Die Zeichnung erläutert einAusführungsbeispiel. Abb. i ist ein Schnitt durch eine gemäß der Erfindung aufgebaute Schicht; Abb. 2 ist eine Draufsicht auf die Außenfläche des Halbleiters.The drawing explains an embodiment. Fig. I is a section by a layer constructed according to the invention; Fig. 2 is a top plan view of the outer surface of the semiconductor.

Abb. i veranschaulicht, daß auf eine z. B. aus Silber bestehende Metallunterlage i eine z. B. aus Cäsiumoxyd bestehende Halbleiterschicht 2 aufgebracht ist. Auf der Außenfläche der Halbleiterschicht 2, an der elektropositive Atome adsorbiert sein können, ist gemäß der Erfindung ein Metallgitter 3 aufgebracht, das mit der Metallunterlage i durch den metallischen Leiter .4 verbunden ist und die unmittelbare Nachlieferung von Elektronen in die Halbleiteraußenfläche ermöglicht. Abb. 2 zeigt die Ausbildung des Metallgitters 3, das z. B. aufgedampft sein kann. Die zwischen den einzelnen Gitterbalken liegenden Flächenteile 5 der Halbleiteraußenfläche können während des Aufdampfens des Gitters 3 z. B. durch ein kammartiges Werkzeug abgedeckt oder in sonstiger bekannter Weise gegen das Aufdampfen von Metallschichten geschützt werden.Fig. I illustrates that on a z. B. made of silver metal base i a z. B. consisting of cesium oxide semiconductor layer 2 is applied. on the outer surface of the semiconductor layer 2 on which electropositive atoms are adsorbed can be, a metal grid 3 is applied according to the invention, which with the Metal pad i is connected by the metallic conductor .4 and the immediate Subsequent delivery of electrons to the outer surface of the semiconductor made possible. Fig. 2 shows the formation of the metal grid 3, the z. B. can be vapor-deposited. The between surface parts 5 of the semiconductor outer surface lying on the individual grid bars during the vapor deposition of the grid 3 z. B. covered by a comb-like tool or protected in any other known manner against the vapor deposition of metal layers will.

Wenn die aufgedampfte Metallschicht genügend dünn ist, kann auf ihre besondere gitterartige Ausbildung verzichtet werden. Die Halbleiteraußenfläche kann dann Elektronen emittieren, auch wenn die aufgedampfte Metallschicht die Halbleiteraußenfläche anscheinend zusammenhängend bedeckt.If the vapor-deposited metal layer is sufficiently thin, you can apply it special grid-like training can be dispensed with. The semiconductor outer surface can then emit electrons, even if the vapor-deposited metal layer touches the semiconductor outer surface apparently coherently covered.

Claims

CLAIM OF THE PATENT: Photocell with a photo layer consisting of a semiconductor applied to a base metal, on the outer surface of which electropositive atoms may also be adsorbed, characterized in that electrons are additionally fed to the outer surface of the semiconductor without using the path through the semiconductor, z. B. by a vapor-deposited on the outer surface of the semiconductor, sufficiently thin or reticulated metal layer that the electrons emitted from it to the effective semiconductor surface z. B. by metallic line from the metal substrate of the semiconductor or from another electron source.