DE863100C

DE863100C - Richtantenne mit entzipfeltem Richtdiagramm

Info

Publication number: DE863100C
Application number: DES7651D
Authority: DE
Inventors: Hans Dr Phil Nat Kaufmann
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1942-02-17
Filing date: 1942-02-18
Publication date: 1953-01-15

Description

Richtantenne mit entzipfeltem Richtdiagramm Bekanntlich zeigen die Richtdiagramme von Richtstrahlern im allgemeinen außer dem erwünschten Hauptmaximum in der Hauptstrahlrichtung eine Reihe Nebenmaxima, deren Zahl und Größe von dem Aufbau des Richtstrahlers abhängt. In allen Fällen, in denen mit dem Richtstrahler nur ein Leistungsgewinn erstrebt wird, spielen die Nebenmaxima (Zipfel) des Diagramms keine wesentliche Rolle. Soll dagegen mit dem Richtstrahler-eine Geheimhaltung oder Richtungsbestimmung bei der Funknavigation von Luft- oder Wasserfahrzeugen erreicht werden, so ist bei dem Diagramm des Richtstrahlers mehr auf Zipfelfreiheit als auf Leistungssteigerung in der Hauptrichtung Wert zu legen.
Es ist zur Unterdrückung der Nebenmaxima bei Richtstrahlern bereits vorgeschlagen worden, eine Anzahl von Dipolreihen oder Dipolspalten zu benutzen, wobei die Einzelantennen entweder mit verschiedenen (gleichphasigen) Strömen gespeist werden, wenn sie unter sich gleich sind, oder aber es werden die Antennen verschieden lang gemacht, und die durch die verschiedenen Längen bedingten Blindkomponenten werden durch zusätzliche Maßnahmen ausgeglichen. Die Erfindung zeigt einen anderen Weg zur Erreichung des erwähnten Zieles, und zwar ist mit ihr bei Dipolkombinationen eine vollkommene Entzipfelung des Richtdiagramms möglich.
Gemäß der Erfindung besteht eine Richtantenne mit entzipfeltem Richtdiagramm aus mehreren Doppeldipolen verschiedenen Durchmessers, die gleichphasig mit derselben Spannung gespeist werden. Die Durchmesser der Einzelantennen werden dabei vorzugsweise so gewählt, daß sich die Wurzeln aus den Scheinleitwerten der Einzelantennen oder die reziproken Wellenwiderstände in bestimmter Weise, z. B. nach Binomialkoeffizienten abstufen.
Im nachfolgenden sind noch nähere Einzelheiten für die Begründung der Maßnahmen gegeben; die die Erfindung vorschlägt.
Liegen alle Dipole an der Spannung U, so nimmt jeder Dipol, wenn G" sein reeller Leitwert ist, die Leistung . N" = U2 G" (I) auf, so daß die von ihm in einem gewissen. Aufpunkt herrührende Feldstärke en proportional 11-N-. = U Gn ist. Daher sind in der Gruppencharakteristik des Richtstrahlers die Koeffizienten p" bis auf einen nicht weiter interessierenden Proportionalitätsfaktor durch l/" zu ersetzen.
Nun ist für Doppeldipole bekanntlich der Eingangsleitwert G durch gegeben, wo R, = 197 Ohm und Z der von der Wellenlänge und der Antennendrahtdicke abhängige Wellenwiderstand ist. An Stelle der Giuppencharakteristik nach (2) kann man also für Doppeldipole auch die Charakteristiken verwenden. Für das völlig entzipfelte Diagramm ist bekannt, daß man für die p" die Binomialkoeffizienten wählen muß, also z. B. für fünf Strahler die Zahlen i, 4, 6, 4 =.
Diesen Zahlen müssen dann die Wellenwiderstände Zn umgekehrt proportional sein.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: s. Richtantenne mit entzipfeltem Richtdiagramm, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus mehreren Doppeldipolen verschiedenen Durchmessers besteht, die gleichphasig mit derselben Spannung gespeist werden.
2. Richtantenne nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchmesser der Dipole derart gewählt sind, daß sich die Wurzeln aus den Scheinleitwerten der Einzelantennen in bestimmter Weise, vorzugsweise nach Binomialkoeffizienten abstufen.
3. Richtantenne nach Anspruch z, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchmesser der Dipole derart gewählt sind, daß sich die reziproken Wellenwiderstände der Einzelantennen in bestimmter Weise, vorzugsweise nach Binomialkoeffizienten abstufen.