DE859915C

DE859915C - Verfahren zur Herstellung von Hochohmwiderstaenden

Info

Publication number: DE859915C
Application number: DEP12265A
Authority: DE
Inventors: Leopold Dr Hiesinger
Original assignee: PHYSIKALISCHES UNTERSUCHUNGSLA
Current assignee: PHYSIKALISCHES UNTERSUCHUNGSLA
Priority date: 1948-10-02
Filing date: 1948-10-02
Publication date: 1952-12-18

Description

Verfahren zur Herstellung von Hochohmwiderständen Der Erfindung liegt dieAufgabe zugrunde, Hochohmwiderstände herzustellen, die einen gleichbleibenden Widerstand unter ,den bei der Anwendung üblichen mechanischen und chemischen Beanspruchungen behalten. Dabei soll das Verfahren eine wirtschaftliche Herstellung bei der Serienanfertigung ermöglichen.
Die Lösung dieser Aufgabe wunde darin. gefunden, daß auf einer nichtleitenden Unterlage dünne Schichten von Verbindungen, insbesondere Oxyden, durch Kathodenzerstäubung dadurch aufgebracht werden, daß die von der Kathode zerstäubten Elemente durch Reaktion mit den im Zerstäubungsraum vorhandenen Gasen in die Verbindungen übergeführt werden. Der Erfindung liegt die Beobachtung zugrunde, daß Elemente, die nach der bisherigen Auffassung nicht zerstäuben, in Wirklichkeit doch in besonders hohem Maße zur Zerstäu.bung gelangen, aber im Gasraum die noch restlich vorhandenen reagierenden Gase aufzehren und. dann in nichtmetallischer Form zur Kondensation gelangen, in der sie der Beobachtung bisher entgingen. Bei der nun erfindungsgemäß ausgenutzten. Erzeugung von Verbindungen durch Kathodenzerstäwbung ist es oft wesentlich, in reiner Gasatmosphäre zu arbeiten, beispielsweise bei der Herstellung von Oxyden in reinem Sauerstoff.
Bei der Erfindung wenden die Verbindungen auf den schon bisher zur Herstellung von Hochohmwiderständen benutzten Nichtleitern, z. B. keramischen -Massen, Glimmer und Papier, niedergeschlagen. Als Widerstandsmaterialien, die hierauf nach dem beschriebenen Verfahren der Kathodenzerstäubung aufgebracht werden, werden vorzugsweise solche Verbindungen, z. B. Oxyde und Sulfide, ausgewählt, die eine Lichtabsorption aufweisen, die also gefärbt oder schwarz sind. Die dünnen, durch Kathodenzerstäubung hergestellten. Widerstandsschichten bestehen beispielsweise aus Oxyden, wie Fee 03, Cr2 03, Ni O, Co O, "Si O, sowie niederen Tntanoxydern oder aus Titannitrid.
Die Schichten lassen sich nach dem beschriebenen Verfahren der Kathodenzerstäubung in gleichmäßiger Dicke in einer Stärke zwischen einigen Moleküllagen bis beispielsweise iö--#zem herstellen-. Sie besitzen die Struktur, die ein beständigerHochohmwiderstand erfordert und haften .fest an der Grundlage. Sie übertreffen in diesen Eigenschaften Widerstandsschichten, die nach anderem Verfahren hergestellt sind.
Wesentlich für die wirtschaftliche Anfertigung der Hochohmwiderstände ist' daß die Schichten nach dem Verfahren der Kathodenzerstäubung in großen Serien ohne Schwierigkeit hinsichtlich der Einstellung des genauen Wertes für die Dicke der Beläge aufgebracht wenden können. Hierbei wird die Form der Widerstände in einfachster Weise durch Verwendung entsprechend gestalteter Schablonen genau vorgeschrieben.
Von großer Bedeutung ist weiterhin, daß sich bei der Fertigung kleinerer oder größerer elektrischer Geräteteile die Herstellung der Hochohmwiderstände mit der Herstellung anderer elektrischer Teile in der gleichen Zerstäubungsanlage verbinden läßt. Die Widerstandsschichten lassen sich nach diesem Verfahren auf beliebigen Schaltteilen und Bauteilen, z. B. einer Radioapparatur, aufbringen. Ohne Unterbrechung werden beispielsweise nacheinander in der gleichen Zerstäubungsanlage die Überzüge zum Aufbau der dielektrischen Schichten und zum Aufbau der Hochohmwiderstände sowie 'der zwischen diesen Bauelementen erforderlichen 'metallischen Leitungen (Verdrahtung) aufgebracht; gegebenenfalls wind in der gleichen Anlage das Aufbringen einer Schicht, beispielsweise aus einem leitenden Metall, auch durch Hochvalkuumverdampfung ausgeführt.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Hochohmwiderständen, dadurch gekennzeichnet, daß dünne Überzüge von Verbindungen, insbesondere Oxyden, durch K athodenzerstäubung dadurch auf den elektrisch nichtleitenden Unterlagen aufgebracht werden, daß die von der Kathode zerstäubten Elemente durch Reaktion finit den im Zerstäubungsraum vorhandenen Gasen in: Verbindungen mit dem erforderlichen elektrischen Widerstand übergeführt werden. a. Verfahren nach .Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathod-enzerstäubung. in chemisch reinen Gasen, beispielsweise reinem Sauerstoff, durchgeführt wird. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß solche Elemente in einer S auerstoffatmosphärekathodenzerstäubt werden, die hierbei die Bildung dünner Schichten lichtabsorbierender Oxyde bewirken.