DE69327600T2

DE69327600T2 - Herstellungsverfahren von Submikronkontakten

Info

Publication number: DE69327600T2
Application number: DE69327600T
Authority: DE
Inventors: Fusen E. Chen; Girish Anant Dixit; Robert O. Miller
Original assignee: STMicroelectronics lnc USA
Current assignee: STMicroelectronics lnc USA
Priority date: 1992-02-28
Filing date: 1993-02-24
Publication date: 2000-06-21
Anticipated expiration: 2013-02-25
Also published as: DE69327600D1; US5582971A; JP3481965B2; EP0558304A3; JPH0620986A; US5523624A; EP0558304A2; EP0558304B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein die Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen, und speziell ein verbessertes Verfahren zum Ausbilden von Submikrometerkontankten.
Der Trend nach weitergehender Miniaturisierung von integrierten Halbleiterschaltungen, um Submikrometerstrukturgrößen zu erreichen und die Anzahl auf einer integrierten Schaltung hergestellten Bauelementen zu vergrößern, hat kleinere Isolationsbereiche zwischen den Bauelementen erforderlich gemacht. Desweiteren hat die Stufenüberdeckung ein Hauptproblem für Hersteller integrierter Schaltungen bis in die späten 80-er hinein dargestellt. Eine schlechte Stufenüberdeckung kann an der scharfen vertikalen Stufe von. Metall-zu-Substrat Kontakten, an Metall-zu-Metall Kontaktlöchern (Vias) und Metallüberkreuzungsstrukturen festgestellt werden. Mit zunehmendem Schrumpfen der Abmessungen erfüllen konventionelle Techniken, welche zur Verbesserung der Stufenüberdeckung verwendet werden, nicht die Erwartungen und sind mit Rücksicht auf strenge Designkriterien beschränkt.
Die Ausbildung von zuverlässigen Submikrometerkontakten für integrierte Schaltungsanwendungen wurde in der Mikroelektronikindustrie mit großer Aufmerksamkeit verfolgt. Beispielsweise werden in großem Ausmaß Metallfilme für eine Oberflächenverdrahtung verwendet. Der Metallisierungsprozeß von Verdrahtungs- bzw. Leitungskomponenten beginnt mit dem Ätzen von Kontaktöffnungen oder Kontaktlöchern durch die verschiedenen Schichten bis hinunter zu den aktiven Regionen im Halbleitersubstrat oder bis zum Kontakt mit einer darunterliegenden polykristallinen Siliziumschicht oder einer Metallzwischenverbindungsschicht. Sodann wird ein leitendes Metall auf der Oberfläche des Wafers in einer Weise abgeschieden, welche ei nen guten Kontakt mit den darunterliegenden aktiven Bauelementen liefert. Die zunehmende Chip-Dichte und die kleineren Geometrien haben die für die Oberflächenverdrahtung verfügbare Fläche reduziert.
Aufgrund seiner physikalischen Eigenschaften ist Aluminium insbesondere gut für die Herstellung von Metallzwischenverbindungen geeignet. Unter den Eigenschaften, welche Aluminium so brauchbar machen, ist es die Tatsache, daß es sehr leitfähig ist, eine gute mechanische Bindung mit verschiedenen dielektrischen Schichten bildet, welche im allgemeinen in der Halbleiterherstellung verwendet werden, und einen guten ohmschen Kontakt sowohl mit N-Typ als auch P-Typ Halbleiter bildet. Jedoch resultiert der Sputterprozeß, der zum Aufbringen von Aluminium- Dünnfilmschichten auf eine integrierte Schaltung verwendet wird, im allgemeinen in einem nicht idealen Auffüllen von Kontaktlöchern. Große Aluminiumkörner bilden sich tendentiell an der unteren Oberfläche der Isolationsschicht. Diese Körner, welche sich an den Rändern des Kontaktloches ausbilden, blockieren meist die Kontaktöffnung bevor das Aluminium die Möglichkeit hat, das Kontaktloch vollständig aufzufüllen. Dieses Blockadephänomen führt zu einer dünneren Schicht von Aluminium entlang den Seiten der Isolationsschicht, was zu Hohlräumen und unebenen Strukturen innerhalb des Kontaktloches führt. Dieses Blockadephänomen führt auch zu nicht-homogenen Stromdichten in der Metallzwischenverbindung. Dieses Problem verstärkt sich sobald Schaltungsbauelemente unter Verwendung kleinerer Geometrien hergestellt werden.
Die ungleichmäßige Dicke der in das Kontaktloch hineinlaufenden Aluminiumschicht, welche durch das oben beschriebene Stufenüberdeckungsproblem verursacht wird, hat eine negative Auswirkung auf die Funktionsfähigkeit des Bauelements. Falls die Hohlräume in dem Kontaktloch groß genug sind, kann der Kontaktwiderstand erheblich höher als gewünscht sein. Zusätzlich sind die dünneren Regionen der Aluminiumschicht dem bekannten Problem der Elektromigration unterworfen. Dieses Problem kann möglicherweise unterbrochene bzw. offene Schaltkreise an den Kontakten und damit einen vorzeitigen Ausfall der Bauelemente verursachen. Die Bauelemente müssen ein derartiges Design aufweisen, daß die Stromdichte in den Aluminiumzwischenverbindungsleitungen nicht so groß wird, um eine schnelle Elektromigration zu verursachen. Die dünneren Regionen der Aluminiumschicht treten meist auf abrupten Höhenänderungen auf der Oberfläche der integrierten Schaltung auf. Es wurden viele Ansätze angewendet, um zu versuchen, einen guten Metallkontakt zu unteren Zwischenverbindungsniveaus sicherzustellen. Beispielsweise wurden Schichten aus schwerschmelzendem Metall in Verbindung mit der Aluminiumzwischenverbindungsschicht verwendet, um die Leitung durch ein Kontaktloch zu verbessern. Kontaktlöcher mit schrägen Seitenwänden wurden verwendet, um die Metallauffüllung in dem Kontaktloch zu verbessern. Die Verwendung von solchen schrägen Seitenwänden wird jedoch mit schrumpfenden Bauelementgrößen immer weniger häufig, weil diese eine zu große Fläche auf dem Chip verbrauchen.
Aber selbst mit diesen Techniken sind die Probleme der vollständigen Auffüllung eines Kontaktloches mit Aluminium nicht gelöst. Dies liegt teilweise daran, daß Aluminium bei einer Temperatur abgeschieden wird, welche die Bildung von ziemlich großen Korngrößen unterstützt. Bei den gegenwärtigen Technologien sind auch Hohlräume und andere Unregelmäßigkeiten innerhalb des Kontaktes weiterhin ein Problem.
Die DE-A-39 15 337 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer planaren Niedrigimpendanz-Kontaktmetallisierung für hochintegrierte Halbleiterschaltungen. Um die Ebenheit zu verbessern, werden die Kontaktöffnungen in einer Isolationsschicht im Anschluß an die Abscheidung einer elektrisch leitenden Schicht mit einem Planarisierungsmateri al aufgefüllt, auf welchem eine Metallisierungsschicht aufgebracht wird.
Es wäre wünschenswert, eine Technik zum Herstellen von zuverlässigen Submikrometerkontakten für integrierten Schaltungen zu schaffen, wobei die Kontaktöffnungen vollständig aufgefüllt sind, was die Überdeckung in den Kontaktlöchern verbessert. Es ist ferner wünschenswert, eine Technik zum Anschließen der Kontaktöffnungen zu schaffen, um eine verbesserte Stufenüberdeckung und zuverlässige bzw. betriebssichere Bauelemente zu erhalten. Es ist ferner wünschenswert, daß eine derartige Technik mit gängigen Standardprozeßabläufen kompatibel ist.
Die Erfindung kann in einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterbauelementstruktur und in der hergestellten Halbleiterbauelementstruktur integriert werden, indem eine Kontaktöffnung in einer ersten dielektrischen Schicht, welche einen Abschnitt einer darunterliegenden ersten leitenden Schicht freilegt, ausgebildet wird. Eine Barrierenschicht wird auf der integrierten Schaltung und in der Kontaktöffnung ausgebildet. Ein dielektrisches Anschlußstück wird sodann am Boden der Kontaktöffnung ausgebildet. Eine zweite leitenden Region wird auf der Barrierenschicht und in der Kontaktöffnung ausgebildet.
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren nach Anspruch 1 zum Ausbilden von Submikrometerkontakten auf einer integrierten Schaltung, welches die Schritte umfaßt:
Ausbilden einer Kontaktöffnung in einer ersten dielektrischen Schicht unter Freilegung eines Abschnittes einer darunterliegenden ersten leitenden Schicht;
Ausbilden einer Barrierenschicht auf der integrierten Schaltung und in der Kontaktöffnung;
Ausbilden eines dielektrischen Anschlußstückes in einem unteren Abschnitt der Kontaktöffnung;
Ausbilden eines leitenden Anschlußstückes in einem oberen Abschnitt der Kontaktöffnung, welches auf dem dielektrischen Anschlußstück aufliegt; und
Ausbilden einer ersten leitenden Schicht auf der Barrierenschicht und dem leitenden Anschlußstück.
Die vorliegende Erfindung schafft ferner eine Struktur nach Anspruch 14, bestehend aus einem Abschnitt eines Halbleiterbauelements, mit:
einer dielektrischen Schicht mit einer hindurchgehenden Öffnung, welche einen Abschnitt einer darunterliegenden leitenden Struktur freilegt;
einer Barrierenschicht, welche auf der dielektrischen Schicht und in der Öffnung angeordnet ist;
einem dielektrischen Anschlußstück, welches einen unteren Abschnitt der Öffnung auffüllt;
einem leitenden Anschlußstück, welches auf dem dielektrischen Anschlußstück liegt und einen oberen Abschnittes der Öffnung auffüllt; und
einer leitenden Schicht, welche auf einem Abschnitt der Barrierenschicht und des leitenden Anschlußstücks angeordnet ist.
Die vorliegende Erfindung kann ein Verfahren liefern, bei welchem die dielektrische Schicht BPSG aufweist.
Die vorliegende Erfindung kann ein Verfahren oder eine Struktur liefern, bei welchen die schwerschmelzende Metallnitridschicht Titalnitrid aufweist.
Die vorliegende Erfindung kann ein Verfahren oder eine Struktur liefern, bei welchen die schwerschmelzenden Metallschicht Titan aufweist.
Die vorliegende Erfindung kann ein Verfahren oder eine Struktur liefern, bei welchen die schwerschmelzende Metallschicht Wolfram aufweist.
Die schwerschmelzende Metallnitridschicht kann durch chemische Gasphasenabscheidungen (CVD) ausgebildet werden.
Die vorliegende Erfindung kann ein Verfahren liefern, bei welchem die konforme Schicht Oxid aufweist.
Die vorliegende Erfindung kann ein Verfahren liefern, bei welchem die konforme Schicht Polysilizium aufweist.
Die vorliegende Erfindung kann eine Struktur liefern, bei welcher das Anschlußstück Oxid aufweist.
Die vorliegende Erfindung kann eine Struktur liefern, bei welcher das Anschlußstück Polysilizium aufweist.
Die neuartigen Merkmale, welche als charakteristisch für die Erfindung angesehen werden, sind in den beiliegenden Ansprüche angegeben. Die Erfindung selbst sowie eine bevorzugte Verwendungsart und weitere Gegenstände und Vorteile der Erfindung werden jedoch am besten unter Bezugnahme auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Zusammenschau mit der beigefügten Zeichnung verstanden. Darin zeigen:
Fig. 1-4 Querschnittsansichten von der Herstellung einer Halbleiterbauelementstruktur nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5-6 Querschnittsansichten einer alternativen Herstellung einer Halbleiterbauelementstruktur nach der vorliegenden Erfindung.
Die nachfolgend beschriebenen Prozeßschritte und Strukturen bilden nicht einen vollständigen Prozeßablauf zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Die vorliegende Erfindung kann in Verbindung mit integrierten Schaltungsherstellungstechniken, die im Stand der Technik verwendet werden, ausgeführt werden; und nur so viele der üblicherweise verwendeten Prozeßschritte sind hier enthalten, wie für das Verständnis der vorliegenden Erfindung notwendig sind. Die Figuren, welche Querschnitte von Abschnitten einer integrierten Schaltung während des Herstellungsverfahrens darstellen, sind nicht im Maßstab gezeichnet, sondern so, daß die wesentlichen Merkmale der Erfindung dargestellt sind.
Gemäß Fig. 1 soll ein integriertes Schaltungsbauelement auf einem Siliziumsubstrat 10 ausgebildet werden. Eine Feldoxidregion 12 ist auf dem Substrat ausgebildet, um aktive Bereiche voneinander zu trennen. Eine leitende Struktur, wie etwa eine Transistor-Gateelektrode, ist auf dem Substrat unter Verwendung bekannter Methoden ausgebildet und umfaßt eine Gateelektrode 14, welche auf einem Gateoxid 16 angeordnet ist. Der Transistor weist auch Oxidabstandshalter 18 und Source/Drain-Regionen 20 auf. Eine weitere leitende Struktur 22, z. B. eine Polysiliziumsignalleitung, kann auf der Feldoxidregion 12 ausgebildet sein. Eine konforme dielektrische Schicht 24 ist auf der integrierten Schaltung ausgebildet. Diese dielektrische Schicht kann aus Bohr-Phosphor-Silicatglas (BPSG) sein, typischerweise mit einer Dicke von ungefähr 500 bis 1000 Nanometer (5000 bis 10000 Angstrom). Die BPSG Schicht 24 wird sodann im allgemeinen aufgeschmolzen, um eine besser planarisierende Schicht zu bilden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 2 wird eine Kontaktöffnung 25 gebildet. Eine Photoresistschicht (nicht gezeigt) wird auf der dielektrischen Schicht ausgebildet und mittels im Stand der Technik bekannter Methoden strukturiert. Die dielektrische Schicht 24 wird unter Verwendung eines trockenen anisotropen Ätzprozesses geätzt, um die Kontaktöffnung 25 durch die dielektrische Schicht 24 hindurch auszubilden, wodurch die darunterliegende leitende Struktur 20 freigelegt wird. Die Photoresistschicht wird dann entfernt. Eine konforme Barrierenschicht 26 wird sodann auf der dielektrischen Schicht 24 und in der Öffnung 25 ausgebildet. Die Barrierenschicht 26 ist typischerweise ein schwerschmelzendes Metallnitrid, z. B. aus Titannitrid oder einem Titan/Titannitridverbundmaterial oder einem Wolfram/Titannitridverbundmaterial, mit einer Dicke zwischen ungefähr 50 bis 300 Nanometer (500 bis 3000 Angstrom). Die Barrierenschicht wird in Regel mit Hilfe einer Abscheidungstechnik ausgebildet, z. B. durch Sputtern oder einer Gasphasenabscheidung (CVD). Nachdem die Barrierenschicht ausgebildet wurde, wird diese ausgeheizt, um eine Silizid am Boden der Kontaktöffnung zu bilden, wodurch Kristallfehler im Substrat ausgeheilt werden. Dieser Ausheizungsprozeß aktiviert auch die Dotanten. Das Titannitrid wird nach der Ausbildung ausgeheizt. Das Titan, welches vor der Ausbildung des Titannitrids abgeschieden wurde, kann ausgeheizt werden, bevor das Titannitrid abgeschieden wird. Eine konforme Schicht 28 wird auf der Barrierenschicht 26 und in der Öffnung 25 ausgebildet. Die konforme Schicht 28 kann ein Oxid aufweisen mit einer Dicke von zwischen 100 bis 400 Nanometer (1000 bis 4000 Angstrom). Unter Verwendung eines Hochtemperaturoxids, d. h. weniger als 800 Grad, oder von Polysilizium paßt sich die Schicht an das darunterliegende Gebiet an, so daß die Kontaktöffnung vollständig aufgefüllt wird.
Unter Bezugnahme auf Fig. 3, wird die konforme Schicht 28 zurückgeätzt, so daß lediglich ein Anschlußstück 30 am Boden der Kontaktöffnung verbleibt. Die Barrierenschicht 26 fungiert als eine Ätzstopschicht während des Schrittes, bei welchem die konforme Schicht 28 geätzt wird. Die Größe des Anschlußstückes, welches in der Kontaktöffnung zurückbleibt, hängt teilweise von dem Material ab, welches zur Ausbildung des Anschlußstückes verwendet wird, und dessen resultierender Kapazität. Sodann wird eine leitende Schicht 32 auf der integrierten Schaltung ausgebildet. Die leitende Schicht 32 kann aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung oder Wolfram sein.
Unter Bezugnahme auf Fig. 4 kann die leitende Schicht 32 zurückgeätzt werden, um ein leitendes Anschlußstück 34 in der Öffnung 25 und oben auf dem Anschlußstück 30 auszu bilden. Wenn die Schicht 32 zurückgeätzt wird, kann sie eine besser planare Oberfläche für nachfolgend gebildete Schichten ausbilden.
Gemäß Fig. 5 wird eine alternative Methode zum Ausbilden einer Kontaktöffnung und eines Anschlußstückes dargestellt. Eine Polysiliziumschicht wird auf der ersten dielektrischen Schicht 24 und in der Öffnung 25 ausgebildet. Diese Polysiliziumschicht wird sodann zurückgeätzt, um Seitenwand-Polysiliziumabstandshalter 36 an den Seitenwänden der Kontaktöffnung 25 zu bilden. Eine Barrierenschicht 38 wird so dann entsprechend den oben beschriebenen Verfahrensschritten ausgebildet.
Gemäß Fig. 6 wird die Barrierenschicht ausgeheizt, um eine Silizidregion 40 entlang der Polysiliziumseitenwände und am Boden der Kontaktöffnung auszubilden. Ein Anschlußstück 42 und eine leitende Schicht 44 werden entsprechend den oben beschriebenen Verfahrensschritten ausgebildet. Die leitende Schicht 44 kann auch zurückgeätzt werden, um ein leitendes Anschlußstück auszubilden, wie es dargestellt ist.
Die Ausbildung eines Anschlußstückes am Boden der Kontaktöffnung hat mehrere Vorteile. Das Anschlußstück trennt das Aluminium von dem Substrat weiter voneinander, so daß es als eine zusätzliche Barriere fungiert, um ein Spitzenwachstum (Spiking) zu verhindern. Das Seitenverhältnis (Stufenhöhe/Kontaktdurchmesser) der Kontaktöffnung ist wesentlich kleiner, nachdem das dielektrische Anschlußstück ausgebildet wurde. Aluminium kann dann bei höheren Temperaturen mit besserer Stufenüberdeckung abgeschieden werden. Der Strom-"Verdichtungs"-Effekt tendiert dazu, den Großteil des Stromes an die Peripherie oder die Wände des leitenden Materials in eine Kontaktöffnung zu begrenzen. Daher verändert die Ausbildung eines Anschlußstückes aus einem derartigen Material, wie beispielsweise Oxid oder einem nicht-leitenden Zylinder in der Kon taktöffnung, nicht wesentlich den Stromflußweg. Der Strom fließt durch das leitende Material um das Anschlußstück herum unter Nutzung des Pfades mit dem geringsten Widerstand. Daher hat das Anschlußstück eine geringe Auswirkung auf die Bauelementleistungsfähigkeit. Aber selbst wenn das Einfügen des Anschlußstückes die elektrische Leitfähigkeit der Zwischenverbindungsstruktur verändern könnte, ist diese Änderung bei Submikrometerbauelementen jedoch relativ unbedeutsam.
Von dem Fachmann wird anerkannt, daß die oben beschriebenen Verfahrensschritte mit nahezu jedem konventionellen Prozeßablauf verwendet werden können. Während die Erfindung vor allem mit Bezugnahme auf ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel dargestellt und beschrieben wurde, ist für den Fachmann selbstverständlich, daß verschiedene Änderungen in der Form und im Detail durchgeführt werden können ohne den Schutzbereich der abhängigen Ansprüche zu verlassen.

Claims

1. Verfahren zum Ausbilden von Submikrometerkontakten auf einer integrierten Schaltung, welches die Schritte aufweist:

Ausbilden einer Kontaktöffnung (25) in einer ersten dielektrischen Schicht (24) unter Freilegung eines Abschnittes einer darunterliegenden ersten leitenden Schicht (20);

Ausbilden einer Barrierenschicht (26; 38) auf der integrierten Schaltung und in der Kontaktöffnung (25), wobei die Barrierenschicht ein schwerschmelzendes Metall aufweist;

Ausbilden eines dielektrischen Anschlußstückes (30; 42) in einem unteren Abschnitt der Kontaktöffnung (25); und

Ausbilden eines leitenden Anschlußstückes (34; 44) in einem oberen Abschnitt der Kontaktöffnung (25) auf der Oberseite des dielektrischen Anschlußstückes (30; 42).

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem der Schritt des Ausbildens der Kontaktöffnung umfaßt Ausbilden einer ersten leitenden Schicht (20) auf der integrierten Schaltung;

Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (24) auf der integrierten Schaltung; und

Ausbilden der Kontaktöffnung (25) in der dielektrischen Schicht (24) unter Freilegung eines Abschnittes der darunterliegenden ersten leitenden Struktur (20).

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei welchem der Schritt des Ausbildens des dielektrischen Anschlußstückes (30; 42) umfaßt:

Ausbilden einer im wesentlichen konformen Schicht (28) aus Oxid auf der Barrierenschicht (26; 38) und in der Kontaktöffnung (25); und

teilweises Ätzen der konformen Schicht (28), wobei die konforme Schicht (28) lediglich in dem unteren Abschnitt der Kontaktöffnung (25) zurückbleibt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, bei welchem der Schritt des Ausbildens des leitenden Anschlußstückes umfaßt:

Abscheiden einer leitenden Schicht (32) auf der Barrierenschicht (26; 38) und in der Kontaktöffnung (25); und

teilweises Ätzen der leitenden Schicht (32), wobei die leitende Schicht (32) nur auf dem dielektrischen Anschlußstück (30; 42) in der Kontaktöffnung (25) zurückbleibt.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei welchem die erste leitende Schicht (20) eine Source/Drain Region eines Transistors ist.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei welchem die erste dielektrische Schicht (24) BPSG aufweist und ferner den Schritt umfaßt: Aufschmelzen der BPSG Schicht vor der Ausbildung der Kontaktöffnung (25), um die BPSG Schicht im wesentlichen zu planarisieren.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei welchem die Kontaktöffnung (25) durch eine anisotrope Trockenätzung der dielektrischen Schicht (24) ausgebildet wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei welchem der Schritt des Ausbildens der Barrierenschicht (26; 38) umfaßt:

Ausbilden einer schwerschmelzenden Metallnitridschicht auf der dielektrischen Schicht (24) und in der Kontaktöffnung (25); und

Ausheizen der schwerschmelzenden Metallnitridschicht, um ein Silizid (27; 40) am Boden der Kontaktöffnung (25) zu bilden.

9. Verfahren nach Anspruch 8, welches ferner den Schritt aufweist: Ausbilden einer schwerschmelzenden Metallschicht auf der dielektrischen Schicht (24) und in der Kontaktöffnung (25) vor dem Schritt des Ausbildens der schwerschmelzenden Metallnitridschicht.

10. Verfahren nach Anspruch 9, welches ferner den Schritt aufweist: Ausheizen der schwerschmelzenden Metallschicht vor der Ausbildung der schwerschmelzenden Metallnitridschicht.

11. Verfahren nach Anspruch 9, welches ferner die Schritte umfaßt:

Ausbilden einer Polysiliziumschicht auf der integrierten Schaltung und in der Kontaktöffnung (25) vor dem Ausbildens der Barrierenschicht; und

Ätzen der Polysiliziumschicht, wobei Polysilizium-Seitenwände (36) an der Seitenwand der Kontaktöffnung (25) zurückbleiben und der Ausheizungsschritt ein Silizid an der Seitenwand (36) und am Boden der Kontaktöffnung (25) bildet.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, welches ferner den Schritt umfaßt: Ausbilden von Polysilizium-Seitenwänden (36) an den Seiten der Kontaktöffnung (25) vor dem Schritt des Ausbildens der Barrierenschicht.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei welchem ferner eine dritte leitende Schicht auf der Barrierenschicht und dem leitenden Anschlußstück ausgebildet wird.

14. Struktur bestehend aus einem Abschnitt eines Halbleiterbauelements, mit:

einer dielektrischen Schicht (24) mit einer hindurchgehenden Öffnung (25), welche einen Abschnitt einer darunterliegenden leitenden Struktur (20) freilegt;

einer Barrierenschicht (26; 38), welche auf der dielektrischen Schicht (24) und in der Öffnung (25) angeordnet ist und ein schwerschmelzendes Metall aufweist;

einem dielektrischen Anschlußstück (30; 42), welches einen unteren Abschnitt der Öffnung (25) auffüllt; und

einem leitenden Anschlußstück (34; 44) auf der Oberseite des dielektrischen Anschlußstückes (30; 42) und innerhalb eines oberen Abschnittes der Öffnung (25).

15. Struktur nach Anspruch 14, welche ferner eine leitende Schicht aufweist, die auf einem Abschnitt der Barrierenschicht (26; 38) und dem leitenden Anschlußstück (34; 44) angeordnet ist.

16. Struktur nach Anspruch 14 oder 15, welche ferner aufweist: eine erste Silizidregion (27; 40), welche zwischen der Barrierenschicht (26; 38) und der darunterliegenden leitenden Struktur (20) am Boden der Öffnung (25) angeordnet ist.

17. Struktur nach einem der Ansprüche 14 bis 16, welche ferner aufweist:

Polysilizium-Seitenwände (36) an den Seiten der Öffnung (25); und

eine zweite Silizidregion, welche zwischen den Polysilizium-Seitenwänden (36) und der Barrierenschicht (26; 38) angeordnet ist.

18. Struktur nach dem der Ansprüche 14 bis 17, bei welcher die Barrierenschicht (26; 38) eine schwerschmelzende Metallnitridverbundschicht aufweist.

19. Struktur nach Anspruch 18, welche ferner aufweist: eine schwerschmelzende Metallschicht, welche unterhalb der schwerschmelzenden Metallnitridschicht angeordnet ist.