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DE69316627T2 - Erzeugung eines Diagnose-Signals bei Erreichen eines Grenzstromes durch einen Leistungstransistor - Google Patents

Erzeugung eines Diagnose-Signals bei Erreichen eines Grenzstromes durch einen Leistungstransistor

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DE69316627T2
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Germany
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transistor
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power transistor
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Stefano Sueri
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CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno
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STMicroelectronics SRL
CORIMME Consorzio per Ricerca Sulla Microelettronica nel Mezzogiorno
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02PIGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P3/00Other installations
    • F02P3/02Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
    • F02P3/04Layout of circuits
    • F02P3/05Layout of circuits for control of the magnitude of the current in the ignition coil
    • F02P3/051Opening or closing the primary coil circuit with semiconductor devices

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  • Electronic Switches (AREA)
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung der Art, wie sie im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannt ist. Eine solche Schaltung wird z. B. verwendet zum Steuern der in einer induktiven Last gespeicherten Energie, wobei es wichtig ist, ein Diagnosesignal zur Verfügung zu stellen, wenn der Strom in der Induktivität einen vorgegebenen Pegel erreicht.
  • In Fig. 1 ist ein Ansteuerungssystem für eine Induktivität gezeigt. Die Induktivität L ist zwischen einem Versorgungsknoten Vs und einem Transistor T&sub1; angeschlossen, der als Schalter dient und von einer Ansteuerungsschaltung (ANSTEUERUNG) angesteuert wird, an deren Eingang ein Signal VIN angelegt wird.
  • Wenn wie in Fig. 2 gezeigt VIN auf Hochpegel wechselt, wird T&sub1; eingeschaltet und es beginnt ein Strom IC durch die Induktivität zu fließen, der mit einer linearen Funktion der Zeit ansteigt. Für einen beliebigen Wert 1, der vom Strom erreicht wird, ist die zugehörige in der Induktivität gespeicherte Energie gegeben durch:
  • E = 1/2 LI²
  • Die Leistungsstufe umfaßt normalerweise eine Schaltung zum Begrenzen des maximalen Stroms, um eine Zerstörung des Transistors zu vermeiden, weshalb im Schaubild der Fig. 2 der Strom auf einen Maximalwert Imax begrenzt ist. Wenn der Transistor T&sub1; immer bei derselben in der Induktivität gespeicherten Energiemenge abgeschaltet werden muß, ist es außerdem erforderlich, dann ein Signal zu erzeugen, wenn der Strom I einen vorgegebenen Pegel ID erreicht, um die in der Induktivität gespeicherte Energie am Ende jeder Aufladephase, d. h. wenn T&sub1; abschaltet, zu maximieren. Dies ist z. B. häufig bei einer elektronischen Zündkerzenansteuerung erforderlich, bei der es ferner erforderlich ist, daß der Pegel ID, bei dem das Abschalten auftritt, sehr nahe an der maximalen Stromgrenze Imax liegt.
  • Bei herkömmlichen Systemen wird dies auf die in Fig. 3 gezeigte Weise erreicht. Eine Maximalstrombegrenzungsschaltung A1 (BEGRENZER) greift in die Ansteuerungsschaltung (ANSTEUERUNG) ein, wenn der durch IC entstehende Spannungsabfall am Sensorwiderstand RS gleich der Referenzspannung E&sub1; ist, d. h. wenn Rs Imax = E&sub1;.
  • In ähnlicher Weise wird ein Diagnosesignal VD der Fig. 2 erzeugt, wenn Rs ID = E&sub2;, wenn berücksichtigt wird, daß aus den obengenannten Gründen ID einen Wert sehr nahe bei Imax aufweisen kann. Zu diesem Zweck wird ein zweiter Diagnosekomparator (DIAGNOSE) A2 verwendet.
  • Unter der Vorgabe, daß ID kleiner sein muß als Imax, wenn auch sehr dicht darunter, muß auch E&sub1; größer sein als E&sub2;, muß jedoch einen Wert aufweisen, der sehr dicht daneben liegt. Die Absolutwerte von E&sub1; sowie E&sub2; sollten andererseits so klein wie möglich sein, da diesen ein Spannungsabfall an Rs entspricht, der durch den Strom IC entsteht. Ein solcher Spannungsabfall liegt in Serie mit der Sättigungsspannung des Transistors und bewirkt eine Verlustleistung, weshalb die Spannung an Rs und somit auch E&sub1; und E&sub2; nicht größer als einige 10 mV sein sollten. Dies bedeutet, daß dann, wenn ein Diagnosesignal z. B. für einen Wert größer als 90 % des Grenzstroms Imax benötigt wird, E&sub2; > 0,9 E&sub1; erfüllt sein muß.
  • Als Zahlenbeispiel ergibt sich unter der Annahme von Imax = 5A und Rs = 10 m&Omega; ein Wert E&sub1; = 50 mV und somit E&sub2; > 0,9 50 mV = 45 mV. Dies bedeutet, daß E&sub1; - E&sub2; < 5 mV gilt. Gelegentlich kann E&sub2; > 0,95 E&sub1; erforderlich sein, wobei die Differenz zwischen E&sub1; und E&sub2; sogar kleiner als einige wenige mV sein muß.
  • Die bekannte Anordnung der Fig. 3 ist kritisch, da die Spannungsdifferenz an Rs, bei der die Operationsverstärker A&sub1; und A&sub2; reagieren müssen, sehr klein ist (in der Größenordnung von Millivolt) und hinsichtlich der Größenordnung mit dem Spannungs-Offset der verwendeten Komparatoren vergleichbar ist. Dies kann zu einer nicht vernachlässigbaren Ungenauigkeit bei der Signalisierung des Erreichens des Diagnosepegels ID durch den Strom IC führen. Wenn der Offset des Differenzverstärkers A&sub2; absolut größer als die Spannungsdifferenz E&sub1; - E&sub2; wird, erzeugt das System schließlich nicht das benötigte Diagnosesignal, was ernsthafte Konsequenzen für das Funktionieren des Systems nach sich zieht.
  • Mit anderen Worten, in allen Anwendungen, in denen aus offensichtlichen Gründen der Optimierung der Strompegel ED sehr dicht am Grenzpegel Imax fixiert sein muß, können die bekannten Schaltungen unter sehr kritischen Bedingungen arbeiten, wodurch die Zuverlässigkeit und die Genauigkeit bei der Sicherstellung eines korrekten Verhältnisses zwischen ID und Imax verlorengeht.
  • AUFGABE UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist die Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, ein System zum Erzeugen eines Diagnosesignals zu schaffen, das anzeigt, wenn der durch einen Leistungstransistor fließende Strom einen vorgegebenen Pegel erreicht, dessen Genauigkeit im wesentlichen unempfindlich ist gegenüber dem Eingangs-Offset der entsprechenden Detektorschaltungen.
  • Es ist ein weiteres Ziel der Erfindung, die bekannte Schaltung zu vereinfachen, indem ein einzelner Überwachungskomparator verwendet wird, um die Ungenauigkeit zu beseitigen, die sich aus unterschiedlichen Eigenschaften des äquivalenten Eingang-Offsets der unterschiedlichen Überwachungskomparatoren ergibt. Diese Aufgaben werden gelöst durch eine Schaltung, wie sie in Anspruch 1 beschrieben ist.
  • Die Schaltung verwendet einen einzelnen Detektor-Differenzverstärker, der ein Signal erzeugen kann, dessen Pegel eine Funktion der Differenz zwischen einer Referenzspannung und einer Spannung ist, die aufgrund des durch den Leistungstransistor fließenden Stroms an einem Sensorwiderstand anliegt. Das vom Differenzverstärker (KOMPARATOR) erzeugte Signal wird herkömmlicherweise zum Ansteuern eines Transistors verwendet, der funktional so angeschlossen ist, daß er einen Teil des Ansteuerungsstroms abzieht, der von einer herkömmlichen Ansteuerungsschaltung einem Leistungstransistor zugeführt wird.
  • Auf diese Weise wird eine negative Reaktion verwirklicht, die eine maximale Grenze des Stroms durch den Leistungstransistor bestimmt, wobei gemäß der Erfindung dasselbe Signal, das vom Komparator erzeugt wird, zum Ansteuern eines zweiten Transistors verwendet wird, durch den ein Strom geschickt wird, der kleiner ist als der vom ersten Transistor abgezogene Strom.
  • Das am zweiten Transistor anliegende Signal wird verwendet, um das gewünschte Diagnosesignal zu erzeugen, indem eine Schwellenschaltung verwendet wird.
  • Der zweite Transistor, der in einer Stromspiegelbeziehung mit dem ersten Strombegrenzungstransistor angesteuert wird, erreicht einen Sättigungszustand vor dem ersten Transistor und bestimmt somit das Auslösen einer Schwellenschaltung, die das Diagnosesignal erzeugt, aufgrund des Erreichens eines Strompegels ID, der um einen vorgegebenen Wert definitiv kleiner ist als der Grenzstromwert Imax.
  • Der durch den zweiten Transistor gezwungene Strom ist ein Spiegelstrom, der in einem gegebenen Verhältnis zu einem Ansteuerungsstrom stehen kann, der an den Leistungstransistor geliefert wird.
  • Das Verhältnis zwischen ID und Imax hängt nicht mehr vom Eingang-Äquivalenz-Offset des Komparators ab, wie bei den Schaltungen des Standes der Technik, da die entsprechenden Schaltungen festlegen: einerseits den Grenzwert des Stroms durch den Ausgangsleistungstransistor, und andererseits die Erzeugung eines Diagnosesignals bei Erreichen eines bestimmten Pegels ID durch den Strom, was beides durch dasselbe vom Komparator erzeugte Signal gesteuert wird. Die Schaltung erlaubt somit das Fixieren des Verhältnisses sehr nahe bei 1, wodurch eine korrekte Operation der Schaltung auch bei Vorhandensein von Störungen sichergestellt wird. In der Praxis erlaubt die Erfindung, die vom Leistungstransistor gehandhabte Energie zu maximieren, während ein hoher Grad an Sicherheit und Zuverlässigkeit erhalten bleibt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die unterschiedlichen Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deutlicher anhand der folgenden Beschreibung einer wichtigen Ausführungsform unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, in welchen:
  • Fig. 1 ein Funktionsschaubild einer Ausgangsstufe zum Ansteuern einer Last L ist;
  • Fig. 2 eine Reihe von Operationsschaubildern einer Leistungsstufe zeigt, gemäß einem bestimmten Rückstrombedarf für diesen Typ von Schaltung, wie oben beschrieben ist;
  • Fig. 3 ein Blockschaltbild eines Steuersystems des Standes der Technik für eine Leistungsstufe gemäß den in den Schaubildern der Fig. 2 dargestellten Anforderungen ist, wie oben beschrieben ist;
  • Fig. 4 ein funktionales Blockschaltbild einer Steuerschaltung für eine Leistungsstufe gemäß der vorliegenden Erfindung ist;
  • Fig. 5 ein Schaltbild einer Ausführungsform der Schaltung der Erfindung ist.
  • ALLGEMEINE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die Funktionsblockschaltbilder der Fig. 3 und 4 stellen den Unterschied zwischen dem bekannten Verfahren zur Erzeugung eines Diagnosesignals VD, das in Fig. 3 dargestellt ist, und dem in Fig. 4 dargestellten Verfahren der Erfindung dar.
  • Wie gezeigt, verwendet die Erfindung einen einzelnen Komparator, der von einem Differenzverstärker A (KOMPARATOR) gebildet werden kann, der ein Signal als Funktion der Differenz zwischen einer Referenzspannung E&sub1; und der über dem Sensorwiderstand Rs anliegenden Spannung, durch den der im Leistungstransistor T&sub1; (und in der Last L) fließende Strom IC fließt, erzeugen kann.
  • Das vom Komparator A erzeugte Signal steuert zwei Schaltungen an. Die erste Schaltung (BEGRENZER) erzeugt ein Begrenzungssignal für den maximalen Strom, der durch den Leistungstransistor T&sub1; fließen darf, welches auf die Ansteuerungsschaltung (ANSTEUERUNG) wirkt, die einen Ansteuerungsstrom an den Leistungstransistor T&sub1; liefert. Die zweite Schaltung (DIAGNOSE) ist eine Schaltung, die ein Diagnosesignal VD erzeugen kann, wenn ein Teil des Stroms IC einen Wert ID erreicht, der um einen vorgegebenen Wert kleiner ist als der Grenzwert Imax des Stroms IC, der von der BEGRENZER-Schaltung vorgegeben wird.
  • BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • In Fig. 5 ist eine bevorzugte Ausführungsform der Schaltung der Erfindung gezeigt. Die Schaltung operiert auf folgende Weise. Wenn VIN auf Hochpegel gesteuert wird, schließt die Steuerschaltung (ANSTEUERUNG) den Schalter N, wobei in T&sub2; ein Strom ID fließt. Ferner werden T&sub4; und T&sub5;, die beide in einer Stromspiegelkonfiguration mit dem Transistor T&sub2; verbunden sind, eingeschaltet und erzeugen Ströme, deren Wert vom jeweiligen Verhältnis der Emitterfläche zu T&sub2; abhängt.
  • T&sub5; erzeugt einen Ansteuerungsstrom I&sub5; = IF für die Basis von T&sub9;, der den Leistungstransistor T&sub1; mit einem Basisstrom I&sub9; = IB aktiviert. Selbstverständlich gilt die Gleichung: I&sub9; = IB = IF hFE(Tg), wobei der Strom IC über den Transistor T&sub1; in der Induktivität L zu fließen beginnt.
  • Wenn IC den Wert Imax = E&sub1; / Rs erreicht, wird der Differenzverstärker A aktiviert, wobei dessen Ausgang beginnt, einen Strom an die Basen der Transistoren T&sub6; und T&sub7; zu liefern.
  • T&sub7; beginnt, einen Strom I&sub7; zu absorbieren, indem er diesen vom Ansteuerungsstrom I&sub5; abzieht, so daß dann, wenn IF = I&sub5; - I&sub7; gilt und I&sub5; konstant ist, aufgrund einer Erhöhung von I&sub7; der Strom IF abnimmt und somit I&sub9; = IB abnimmt. Wenn schließlich IB auf den durch IB = IC / hFE(T&sub1;) gegebenen Wert abgesunken ist, stabilisiert sich der Strom durch die Last auf einem maximalen Pegel Imax, der hinsichtlich der Tatsache, daß die Rückkopplungsschleife des Verstärkers A dazu neigt, die Bedingung E&sub1; = Imax Rs aufrechtzuerhalten, nicht übermäßig groß sein kann.
  • Um gemäß der Erfindung ein Diagnosesignal VD zu erhalten, wird ein Transistor T&sub6; verwendet, der funktional in einer Stromspiegelkonfiguration mit dem Transistor T&sub7; verbunden ist. Somit erreichen die beiden Transistoren T&sub6; und T&sub7; gleichzeitig einen leitenden Zustand mit einem Stromverhältnis, das direkt vom Verhältnis zwischen ihren Emitterflächen abhängt. Beispielsweise kann angenommen werden, daß I&sub6; = I&sub7; gilt.
  • Von der Schwellenschaltung, die aus der Stufe besteht, die T&sub3; und R&sub1; enthält, wird ein Diagnosesignal VD = R&sub1; I&sub3; erzeugt. Das Signal VD wird beim Einschalten von T&sub3; erzeugt, was durch das Signal bestimmt wird, das im wesentlichen am Transistor T&sub6; anliegt. Das Einschalten von T&sub3; findet nur dann statt, wenn I&sub6; > I&sub4;, wobei jedoch I&sub6; = I&sub7; = I&sub5; - IF und IF = Imax / [hFE(T&sub1;) hFE(T&sub9;)] gelten.
  • Durch Vorgabe der Bedingung E&sub4; < I&sub5; - IF geht der Transistor T&sub6; dann, wenn er den gesamten Strom 14 absorbiert hat, in die Sättigung und aktiviert T&sub3;, wodurch die Erzeugung des Diagnosesignals VD bestimmt wird.
  • Das Diagnosesignal VD wird immer definitiv vor dem Erreichen des maximalen Grenzstroms erzeugt, da wie oben erwähnt I&sub4; < I&sub5; - IF und I&sub6; = I&sub7; gilt, wobei die Kollektorspannung des Transistors T&sub6; dazu neigt, definitiv vor der Kollektorspannung von T&sub7; abzusinken. Durch geeignetes Einstellen des Emitterflächenverhältnisses zwischen T&sub6; und T&sub7; sowie zwischen T&sub4; und T&sub5; ist es möglich, ein bestimmtes Verhältnis ID / Imax genau zu bestimmen, das ferner sehr nahe bei 1 liegen kann.
  • Der einzige Parameter der obenbeschriebenen Schaltung, der immer noch eine Ungenauigkeit bei der Definition eines Strompegels in der Induktivität, bei dem das Diagnosesignal erzeugt wird, bewirken kann, kann aus dem oben bereits erwähnten Ausdruck abgeleitet werden. IF = Imax / [hFE(T&sub1;) hFE(T&sub9;)]. Tatsächlich hängt IF von den Stromverstärkungsfaktoren von T&sub1; und T&sub9; ab, die sich mit der Temperatur verändern können und/oder einer "Prozeßstreuung" unterliegen können. Diese Ursache einer möglichen Ungenauigkeit kann besser verstanden werden durch Betrachten des Ausdrucks: I&sub7; = I&sub5; - IF, wobei I&sub6; > I&sub4; und I&sub6; = I&sub7; gilt. Die erste Gleichung bezeichnet eine strenge Abhängigkeit von der Temperatur aufgrund des Ausdrucks IF, während die zweite Ungleichung temperaturunabhängig ist. Als Folge hiervon kann die obige dritte Gleichung inkohärent mit den ersten beiden Beziehungen sein.
  • Um die Auswirkungen dieses möglichen Problems zu vermeiden, kann eine zusätzliche Schaltung eingeführt werden, die aus den Transistoren T&sub8; und T&sub1;&sub0; besteht, wie in der Ausführungsform der Fig. 5 gezeigt ist. Die Funktion der zusätzlichen Schaltung ist folgende.
  • T&sub8; und T&sub1;&sub0; sind in einer Stromspiegelkonfiguration mit T&sub9; verbunden, wodurch die folgenden Bedingungen erfüllt sind:
  • IF = I&sub1;&sub0;; 19 = {A&sub9; / A&sub1;&sub0;] I&sub1;&sub0;; I&sub8; = {A&sub8; / A&sub1;&sub0;] I&sub1;&sub0;; wobei A&sub8;, A&sub9; und A&sub1;&sub0; die jeweiligen Emitterflächen der Transistoren sind.
  • Außerdem kann mit dem Hinzufügen der Schaltung, die aus T&sub8; und T&sub1;&sub0; besteht, gezeigt werden, daß die folgenden Bedingungen erfüllt sein müssen, um ein Diagnosesignal VD erzeugen.
  • I&sub6; > I&sub4; - I&sub8;; während I&sub7; = I&sub5; = IF;
  • jedoch IF = I&sub1;&sub0; und I&sub8; = {A&sub8; / A&sub1;&sub0;] I&sub1;&sub0;;
  • wobei unter der Annahme von z. B. A&sub8; = A&sub1;&sub0; die folgenden Beziehungen abgeleitet werden:
  • I&sub6; > I&sub4; - I&sub8; (1)
  • I&sub7; = I&sub5; - I&sub8; (2)
  • wobei eingestellt ist: I&sub6; = I&sub7; (3)
  • Nur der Strom 18 weist eine Abhängigkeit vom Stromverstärkungsfaktor der Transistoren auf, der (aus Fig. 5) gegeben ist durch:
  • Der Ausdruck I&sub8; ist jedoch sowohl im Ausdruck (1) als auch im Ausdruck (2) enthalten, was in Kombination mit Gleichung (3) zeigt, daß die Bedingung der Erzeugung eines der Diagnosesignais praktisch unabhängig ist vom Stromverstärkungsfaktor des Leistungstransistors T&sub1;.

Claims (5)

1. Schaltung zum Begrenzen des Maximalstroms (Imax) durch einen Leistungstransistor (T&sub1;) und zum Erzeugen eines Diagnosesignals (VD), das anzeigt, wenn der Strom (IC) durch den Leistungstransistor T&sub1; einen vorgegebenen Pegel (ID) erreicht, der kleiner ist als ein Maximalstrompegel (Imax), wobei die Schaltung versehen ist mit einem Differenzverstärker (A) mit einem Ausgang, an dem ein Signal erzeugt wird, dessen Amplitude eine Funktion der Differenz zwischen einer Referenzspannung (I&sub1;) und einer an einem Sensorwiderstand (Rs) anliegenden Spannung ist, durch den der Strom (IC) fließt und der funktional mit den entsprechenden Eingängen des Verstärkers verbunden ist, und wenigstens einem ersten Transistor (T&sub7;) mit einem Steueranschluß, der mit dem Ausgang des Verstärkers (A) verbunden ist und funktional so angeschlossen ist, daß er einen Teil (I&sub7;) eines Ansteuerungsstroms (I&sub5;) des Leistungstransistors (T&sub1;), der von einer Ansteuerungsschaltung erzeugt wird, abzieht, indem er ihn an einen gemeinsamen Masseknoten der Schaltung ableitet, um den Strom (IC) zu begrenzen, gekennzeichnet durch
wenigstens einen zweiten Transistor (T&sub6;) mit einem Steueranschluß, der mit dem Ausgang des Verstärkers (A) verbunden ist;
eine Stromoperationseinrichtung (T&sub4;), die durch den zweiten Transistor (T&sub6;) einen Strom (I&sub4;) schickt, der kleiner ist als der vom ersten Transistor (T&sub7;) abgezogene Strom (I&sub7;);
eine Schwellenschaltung (T&sub3;, R&sub1;), die die am zweiten Transistor (T&sub6;) anliegende Spannung erfaßt und ein Diagnosesignal (VD) erzeugt.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromoperationseinrichtung in Form einer Stromspiegelschaltung (T&sub2;, T&sub4;, T&sub5;) ausgeführt ist, deren erster Ausgangszweig (T&sub4;) den Strom (I&sub4;) durch den zweiten Transistor (T&sub6;) schickt, und ein zweiter Ausgangszweig derselben (T&sub5;) den Ansteuerungsstrom (I&sub5;) zu einem Steuerknoten des Leistungstransistors (T&sub1;) schickt.
Schaltung nach Anspruch 2, in der der Transistor (T&sub4;) des ersten Zweiges des Stromspiegels, der den Strom (I&sub4;) durch den zweiten Transistor (T&sub6;) schickt, eine kleinere Emitterfläche besitzt als der Transistor (T&sub5;) des zweiten Zweiges des Stromspiegels, der den Ansteuerungsstrom (I&sub5;) schickt.
Schaltung nach Anspruch 3, in der der Leistungstransistor (T&sub1;) durch eine Stufe angesteuert wird, die einen fünften Transistor (T&sub9;) enthält, der durch einen Strom angesteuert wird, der gleich dem Ansteuerungsstrom (I&sub5;) ist, der vom Transistor des zweiten Zweiges des Stromspiegels (T&sub2;, T&sub4;, T&sub5;) kleiner gehalten wird als der Stromanteil (17), der vom ersten Transistor (T&sub7;) abgezogen wird.
5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen sechsten Transistor (T&sub8;) enthält, der zusammen mit dem fünften Transistor (T&sub9;) und einem siebten, dioden-konfigurierten Transistor (T&sub1;&sub0;) einen zweiten Stromspiegel bildet, wobei der sechste Transistor (T&sub8;) einen Strom von einem Ansteuerungsknoten der Schwellenschaltung (T&sub3;, R&sub1;) absorbiert; und wobei das Verhältnis zwischen den jeweiligen Emitterflächen der fünften, sechsten und siebten Transistoren (T&sub9;, T&sub8;, T&sub1;&sub0;) so be schaffen ist, daß der Auslösezustand der Schwellenschaltung (T&sub3;, R&sub1;) unabhängig von einer Anderung des Stromverstärkungsfaktors des Leistungstransistors (T&sub1;) gehalten wird.
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