[go: up one dir, main page]

DE69308074T2 - Solarmodul aus amorphem Halbleiter mit verbesserter Passivierung - Google Patents

Solarmodul aus amorphem Halbleiter mit verbesserter Passivierung

Info

Publication number
DE69308074T2
DE69308074T2 DE69308074T DE69308074T DE69308074T2 DE 69308074 T2 DE69308074 T2 DE 69308074T2 DE 69308074 T DE69308074 T DE 69308074T DE 69308074 T DE69308074 T DE 69308074T DE 69308074 T2 DE69308074 T2 DE 69308074T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solar module
layer
resin
barrier layer
water vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69308074T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69308074D1 (de
Inventor
Toshihito Endo
Atsuo Ishikawa
Yoshihisa Tawada
Hideo Yamagishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Publication of DE69308074D1 publication Critical patent/DE69308074D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69308074T2 publication Critical patent/DE69308074T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • H10F77/306Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H10F19/85Protective back sheets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Solarmodul und insbesondere eine photovoltaische Einrichtung mit einem amorphen Halbleiter, das heißt ein Solarmodul aus amorphem Halbleiter. Insbesondere betrifft sie ein Solarmodul für den Außengebrauch mit verbesserter Passivierung.
  • EP-A-0 536 738 gehört gemäß Artikel 54(3) EPÜ zum Stand der Technik und beschreibt ein Solarzellenmodul mit verbesserten Witterungseigenschaften und einem amorphen Silizium-Solarzellenelement, das aus einer Metallelektrodenschicht, einer amorphen Siliziumhalbleiterschicht, einer transparenten und leitenden Schicht und einer Gitterelektrode besteht, die in dieser Reihenfolge auf einem leitenden Substrat angeordnet sind. Die Gitterelektrode ist von einer dünnen Schicht bedeckt, die ein Epoxidharz mit einer Feuchtigkeitsdurchlässigkeit von 20 g/m² Tag 0.1 mm oder weniger enthält.
  • Die Zusammenfassung AN 90-301915 in der Datenbank WPI, Woche 9040, Derwent Publications Ltd., London, Großbritannien, & JP-A-2 214 129 beschreibt ein Abdichtverfahren für elektronische Bauteile, z.B. Solarzellen, das das Abdecken der elektronischen Bauteile mit einem Schutzfilm aufweist, der EVA- Copolymerharz mit einer Feuchtigkeitsdurchlässigkeit von 0.03 g mm/m² Tag enthält.
  • Im Gegensatz zu den kristallinen Solarzellen sind Solarzellen, die aus amorphen Halbleitern, wie etwa amorphem Silizium, hergestellt sind, dadurch gekennzeichnet, daß sie leicht auf verschiedenen Substratarten, wie etwa Glas, Metall, Harz, usw., bei relativ niedrigen Temperaturen hergestellt werden können. Demgemäß werden ziemlich kleine Solarmodule, wobei ein Solarmodul zum Beispiel als eine Struktur mit einer passivierenden Schicht über verbundenen Solarzellen definiert ist, typischerweise hergestellt, indem ein Solarzellenelement mit Schichten aus leitendem Metalloxid, amorphem Halbleiter und einer Metallelektrode auf einem Glassubstrat ausgebildet wird und dann die Struktur durch Vakuumlaminierung einer dünnen Harzlage mit einer unterlegten Klebeschicht passiviert wird. Da zur praktischen Anwendung eine robuste Struktur erforderlich ist, ist es notwendig, diese Art von Solarmodulen zu verstärken und folglich sind gewöhnlicherweise größere Solarmodule hergestellt worden, indem ein Feld aus Solarsubmodulen auf vorgespanntem Glas oder Schichtglas zusammengesetzt wird, bei dem jedes Submodul eine leitende Metalloxidschicht, eine amorphe Halbleiterschicht und eine Metallelektrodenschicht aufweist, die auf einem Glassubstrat hergestellt sind. Nachdem die elektrischen Kontakte hergestellt sind, wird das Modul durch Vakuumlaminierung einer dünnen Harzlage passiviert, die mit einer Klebeschicht unterlegt ist.
  • Ein Hauptproblem bei der Herstellung dieser Art von großem Solarmodul besteht darin, daß, wie vorstehend beschrieben, das Herstellungsverfahren komplex ist und zusätzlich zu den Herstellungsschritten des Submoduls aus verschiedenen Schritten, wie etwa dem Anordnen der Solarsubmodule auf dem vorgespannten Glas, dem Herstellen der elektrischen Verbindungen, der Vakuumlaminierung usw. besteht. Da ferner eine teuere Vakuumeinrichtung erforderlich ist, gibt es weitere Probleme erhöhter Herstellungskosten und verringerter Zuverlässigkeit.
  • Die vorliegende Erfindung ist in Anbetracht dieser Art von Problemen, die der vorangehenden Technologie eigen sind, verwirklicht worden, und demgemäß ist es eine Aufgabe dieser Erfindung, ein Solarmodul bereitzustellen, das wirksam passiviert werden kann, indem einfache Schritte und herkömmliche Techniken verwendet werden.
  • Durch Ausführen der vorstehenden und verwandter Aufgaben stellt die vorliegende Erfindung ein Solarmodul bereit, das:
  • (a) eine leitende Metalloxidschicht;
  • (b) eine amorphe Halbleiterschicht;
  • (c) eine rückseitige Metallelektrode; und
  • (d) eine passivierende Harzschicht,
  • aufweist, wobei die leitende Metalloxidschicht, die amorphe Halbleiterschicht, die rückseitige Metallelektrode und die passivierende Harzschicht in dieser Reihenfolge auf einem transparenten Substrat ausgebildet sind und die passivierende Harzschicht eine wasserdampfbeständige Sperrschicht mit einer Wasserdampfdurchlässigkeit von nicht mehr als 1 g/m² Tag bei einer Dicke von 100 µm (gemessen gemäß ASTM E 96-53 T) aufweist.
  • Überdies ist bei dem Solarmodul der vorliegenden Erfindung die Wasserdampfsperrschicht aus einem Polyisobutylenharz hergestellt.
  • Außerdem wird es bei dem Solarmodul der vorliegenden Erfindung bevorzugt, daß die passivierende Harzschicht ebenfalls eine Sauerstoffsperrschicht aufweist, die eine Sauerstoffdurchlässigkeit von nicht mehr als 0.1 cm³ mm/m² Tag atm (gemessen gemäß ASTM D 1434-58), wie etwa ein Copolymer aus Ethylen und Vinylalkohol, besitzt.
  • Bei dem Solarmodul der vorliegenden Erfindung wird aufgrund der Anwesenheit der Wasserdampfsperrschicht in der passivierenden Harzschicht eine Leistungsverschlechterung der rückseitigen Metallelektrode durch Wasserdampf verhindert. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Leistungsverschlechterung, die von der Oxidation der rückseitigen Metallelektrode durch Sauerstoff herrührt, verhindert, da die passivierende Harzschicht auch eine Sauerstoffsperrschicht enthält.
  • Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Folge des Ausbildens der passivierenden Harzschicht durch Beschichten, daß die Herstellungsschritte und eine Einrichtung einfach und leicht gestaltet werden können.
  • Diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden in Hinblick auf die folgende Beschreibung, die beigefügten Patentansprüche und die zugehörigen Zeichnungen besser verstanden werden; es zeigen:
  • Fig. 1 eine schematische Abbildung eines Beispiels des Solarmoduls der vorliegenden Erfindung;
  • die Fign. 2 - 7 eine Reihe schematischer Zeichnungen, die die Herstellungsschritte eines Beispiels des Solarmoduls der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • Fig. 8 eine schematische Abbildung, die die Randstruktur eines Beispiels des Solarmoduls der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Fig. 9 eine schematische Abbildung, die die Randstruktur eines anderen Beispiels des Solarmoduls der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • Fig. 10 eine schematische Abbildung der Randstruktur eines früheren Solarmodultyps, wie er in dem Vergleichsbeispiel 1 beschrieben wird.
  • Fig. 1 ist eine schematische Abbildung eines Solarmoduls in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung. Das Modul wird durch das hintereinander erfolgende Aufbringen von Schichten aus einem transparenten, leitenden Film 30, einer Halbleiterschicht 40 und einer rückseitigen Metallelektrode 50 in dieser Reihenfolge auf einem transparenten Substrat 20 hergestellt, wonach die Passivierung der Struktur mit einer passivierenden Harzschicht 80 erfolgt. Die aktive Fläche dieses Solarmoduls ist nicht geringer als 0.05 m² und vorzugsweise nicht weniger als 0.1 m². Da es in zunehmendem Maße schwieriger wird, Vakuumlaminierungstechniken anzuwenden, wenn die Größe des Solarmoduls zunimmt, wird es immer vorteilhafter, ein Polyisobutylenharz für die passivierende Schicht zu verwenden, insbesondere bei aktiven Flächen, die größer als etwa 0.1 m² sind.
  • Für das transparente Substrat 20 können verschiedene Materialien, wie etwa Kunststoffolie oder Glassubstrate, verwendet werden. In dem Fall, daß die aktive Fläche relativ groß ist, und insbesondere wenn sie nicht kleiner als 0.5 m² ist, wird vorzugsweise in Hinblick auf seine Spannkraft vorgespanntes Glas oder Schichtglas verwendet.
  • Der transparente, leitende Film 30 kann aus SnO&sub2;, Indiumzinnoxid, Indiumoxid und dergleichen bestehen, wie er bei früheren Solarmodulen verwendet wird.
  • Die Halbleiterschicht 40 kann wie bei früheren Solarmodulen zum Beispiel aus einem amorphen Halbleiter bestehen. Bei der vorliegenden Erfindung stellt ein amorpher Halbleiter einen Halbleiter dar, der lediglich aus einem amorphen Halbleiter und einem Halbleiter mit einem ein kristallines Substrat enthaltenden amorphen Halbleiter besteht. a-Si:H; a-Si:H, das C, Ge, Sn oder F enthält; oder µcSiH (mikrokristallin) und dergleichen werden als spezielle Beispiele eines amorphen Halbleiters aufgezählt.
  • Die rückseitige Metallelektrode 50 kann wie bei früheren Solarmodulen zum Beispiel aus Aluminium bestehen.
  • Für die Sauerstoffsperrschicht 60 können Materialien mit einer Sauerstoffdurchlässigkeit von nicht mehr als 0.1 cm³ mm/m² 24 Std. atm verwendet werden. Es gibt viele Beispiele dieser Materialart, wie etwa Polyvinylidenchlorid; jedoch wird ein Harz aus einem Copolymer von Ethylen und Vinylalkohol besonders bevorzugt. Diese Sauerstoffsperrschicht ist enthalten, um Korrosion zu verhindern, da Sauerstoff so wirkt, daß bei hohen Temperaturen die Korrosion der rückseitigen Metallelektrode 50 beschleunigt wird. Die Filmdicke beträgt gewöhnlicherweise nicht weniger als 1 µm und beträgt vorzugsweise etwa 20 - 40 µm.
  • Für die Wasserdampfsperrschicht 70 wird Polyisobutylenharz mit kautschukartiger Elastizität und mit einer Wasserdampfdurchlässigkeit von nicht mehr als 1 g/m² 24 Std. bei 100 µm Filmdicke verwendet. Diese Art von Polyisobutylenharz wird typischerweise durch die Reaktion von einem Isobutenpolymer, das mindestens eine Funktionsgruppe (X) in einem Molekül besitzt, mit einem Härtungsmittel gebildet, das mindestens zwei Funktionsgruppen (Y) in einem Molekül besitzt und das mit der Funktionsgruppe (X) reagieren kann. Unter dem Gesichtspunkt, daß die Elastizität des gebildeten Harzes aufrechterhalten werden soll, ist die Funktionsgruppe (X) vorzugsweise am Ende des Polymers angeordnet. Ein bevorzugtes Beispiel ist ein Produkt, das durch die Anlagerungsreaktion eines Isobutenpolymers mit einer am Ende vorliegenden C-C-Doppelbindung mit einer Verbindung mit nicht mehr als zwei Hydrosilylgruppen gebildet wird. Diese Beispiele sind in JP-A-3-95266 gezeigt. Zum Beispiel ist das Härtungsmittel vorzugsweise eine Polysiloxanverbindung, wie etwa Cyclosiloxan, mit mindestens zwei Hydrosilylgruppen. Beispiele, die verwendet werden können, sind Zusammensetzungen aus (A) einem Polyisobutylenoligomer, das durch die Reaktion eines tertiären mit Chlor abgeschlossenen Polyisobutylen mit Trimethylallylsilan oder 1,9-Decadien gebildet wird, und (B) einem Härtungsmittel, das das Reaktionsprodukt aus 1,3,5,7-Tetramethylcyclotetrasiloxan mit 1,9-Decadien ist.
  • Das bei der vorliegenden Erfindung zu verwendende Polyisobutylenoligomer besitzt zahlenmäßig ein gemitteltes Molekulargewicht von gewöhnlicherweise 500 - 100 000 und vorzugsweise von 2 000 - 20 000. Das Oligomer wird in einer Mischung aus einem Weichmacher, wie etwa Polybuten, verwendet, wobei die Mischung eine Viskosität von 1 000 - 20 000 Poise besitzt, die für die Anwendung bei Solarmodulen gut geeignet ist.
  • Die Wasserdampfsperrschicht 70 ist in einer ähnlichen Weise wie die Sauerstoffsperrschicht 60 enthalten, um einen Qualitätsverlust der rückseitigen Metallelektrode 50 durch Wasserdampf zu verhindern. Eine Filmdicke von etwa 0.8 - 1.0 mm wird verwendet.
  • Bei dieser Ausführungsform wird die passivierende Harzschicht 80 als eine übereinander angeordnete Schicht ausgebildet, die aus der Sauerstoffsperrschicht 60 und der Wasserdampfsperrschicht 70 besteht; sie kann jedoch lediglich aus einer Wasserdampfsperrschicht 70 bestehen. Außerdem kann, obwohl es nicht in der Figur gezeigt ist, zwischen der passivierenden Harzschicht 80 und der rückseitigen Metallelektrode 50 eine Sperrschicht, zum Beispiel eine isolierende Schicht, wie etwa ein Siliziumoxid, enthalten sein. Dies hat die Funktion, die Diffusion der Atome von Wasserstoff, Alkalimetallen und Erdalkalimetallen, die in der Sauerstoffsperrschicht 60 oder der Wasserdampfsperrschicht 70 enthalten sind, in das Solarzellenelement zu verhindern.
  • Eine detaillierte Erläuterung der vorliegenden Erfindung wird auf der Grundlage spezieller Beispiele nachstehend gegeben.
  • Beispiel 1
  • Unter Verwendung des thermischen CVD-Verfahrens wurde eine SnO&sub2;-Schicht 30 von etwa 500 nm Dicke auf einem 4 mm dicken, 500 mm mal 600 mm großen Natronglassubstrat 20 hergestellt, wonach das Glas durch Erhitzen und schnelles Kühlen getempert wurde, wobei das leitende getemperte Glassubstrat gebildet wurde, das in Fig. 2 veranschaulicht ist. Die SnO&sub2;-Schicht 30 auf dem leitenden getemperten Glassubstrat wurde unter Verwendung der Grundfrequenz eines YAG-Lasers der Wellenlänge von etwa 1.06 µm in 1 cm breite elektrische Streifen unterteilt. Es wurde herausgefunden, daß die Widerstände zwischen den benachbarten SnO&sub2;-Schichten jeweils nicht weniger als 1 Megaohm betrugen. Danach wurde eine Ultraschallreinigung in Reinwasser durchgeführt, was zu dem eingeritzten leitenden getemperten Glas führte, das in Fig. 3 gezeigt ist.
  • Wie in Fig. 4 veranschaulicht, wurde eine Halbleiterschicht 40 über der eingeritzten SnO&sub2;-Schicht hergestellt, indem Schichten aus p-dotiertem amorphem Silizium-Halbleiter, amorphem i-Silizium-Halbleiter und n-dotiertem mikrokristallinem Silizium-Halbleiter der jeweiligen Dicke 15 nm, 450 nm bzw. 300 nm ausgebildet wurden. Diese Schichten wurden bei einer Substrattemperatur von 200ºC und einem Druck von 66.66 - 133.32 Pa (0.5 - 1.0 Torr) in einer kapazitiv gekoppelten Glimmentladungs-Zersetzungseinrichtung durch Zersetzung einer Gasmischung aus SiH&sub4;, CH&sub4; und B&sub2;H&sub6;, einer Gasmischung aus SiH&sub4; und H&sub2; und einer Gasmischung aus SiH&sub4;, PH&sub3; und H&sub2; in dieser Reihenfolge hergestellt. Nach dem Kühlen wurde die amorphe Halbleiterschicht 40 an Stellen, die um 50 µm von den eingeritzten Teilen der SnO&sub2;-Schicht versetzt waren, unterteilt, indem ein YAG-Laser mit seiner zweiten Harmonischen verwendet wurde, um eine Beschädigung der SnO&sub2;-Schicht 30 zu verhindern (siehe Fig. 5). Danach wurde für die rückseitige Metallelektrode 50 in Vakuum bei Raumtemperatur unter Verwendung einer Elektronenstrahl-Bedampfungseinrichtung ein dünner Aluminiumfilm von 250 nm Dicke hergestellt (siehe Fig. 6). Nachdem das Glassubstrat 20 aus der Bedampfungseinrichtung entnommen war, wurde die rückseitige Metallelektrode 50 an Stellen, die um 50 µm von den eingeritzten Teilen der amorphen Haibleiterschicht 40 versetzt waren, mit einem YAG-Laser unter Verwendung seiner zweiten Harmonischen eingeritzt, um eine Beschädigung der amorphen Halbleiterschicht 40 zu verhindern und um ein integriertes Solarmodul zu bilden, wie in Fig. 7 gezeigt ist. Die teilenden Zwischenräume, die durch die Lasereinritzung ausgebildet wurden, betrugen für die SnO&sub2;-Schicht 30, die amorphe Halbleiterschicht 40 und die rückseitige Metallelektrode 50 jeweils etwa 50 µm, 150 µm bzw.150 µm. Die erhaltene Solarzelle ergab unter Einstrahlung von 100 mW/cm² AM-1.5 künstlichem Sonnenlicht eine Abgabeleistung von etwa 15 Watt.
  • Eine Lösung eines Copolymers von Ethylen und Vinylalkohol (zum Beispiel EVAL (Handelsname, hergestellt von Kuraray Co. Ltd.)) in Dimethylsulfoxidlösung wurde auf die Oberfläche der rückseitigen Metallelektrode 50 dieses Solarmoduls aufgetragen, um nach dem Trocknen eine Dicke von etwa 20 µm zu erhalten, dann etwa 30 min lang bei 130ºC gehalten, und durch Verdampfen des Lösungsmittels ausgehärtet, um eine Sauerstoffsperrschicht 60 auszubilden. Nach dem Kühlen wurde eine Wasserdampfsperrschicht 70 mit Polyisobutylen als Hauptbestandteil durch Beschichten, gefolgt von einem etwa einstündigen thermischen Aushärten bei 130ºC ausgebildet. Hier wurde die Glaskante mit dem passivierenden Harz 80 bedeckt, um das Eindringen von Wasser an der Kantenfläche zu verhindern. Diese Struktur ist in den Fign. 8 und 9 gezeigt. Die Polyisobutylenharzschicht 70 wurde unter Verwendung der folgenden Zusammensetzung hergestellt: 100 Gewichtsanteile Polyisobutylenoligomer, 100 Gewichtsanteile Polybuten, 9 Gewichtsanteile DD4H, 120 Gewichtsanteile SiO&sub2;, 5 Gewichtsanteile TiO&sub2;, 5 Gewichtsanteile Kohlenstoff und 1 Gewichtsanteil eines Alterungsschutzmittels. Das Polyisobutylenharz besaß ein Molekulargewicht von etwa 5 000 und wurde gemäß Beispiel 11 aus JP-A-3-152164 angefertigt. DD4H ist 1,3,5,7-Tetramethyl-1-{10-(1,3,5,7-Tetramethylcyclotetracyloxanyl)-1-Decyl}-Cyclotetracyloxan, wie in Beispiel 11 aus JP-A-3-95266 beschrieben ist.
  • An den elektrischen Kontaktstellen wurde das Harz entfernt, elektrische Zuleitungen wurden durch Löten verbunden und die Teile, an denen das Harz entfernt worden ist, wurden dann wieder mit der vorstehend beschriebenen Polyisobutylen-Zusammensetzung beschichtet und bei 130 ºC ausgehärtet. Nach dem Kühlen wurde das Solarmodul vervollständigt, indem die Kantenfläche zwischen der passivierenden Harzschicht 80 und dem beschichteten Glassubstrat 20 mit einem Aluminiumrahmen bedeckt wurde. Ein auf diese Weise hergestelltes Solarmodul mit der in Fig. 9 gezeigten Struktur ergab unter 100 mW/cm² AM-1.5 künstlichem Sonnenlicht eine Abgabeleistung von 15 Watt.
  • Beispiel 2
  • Ein Solarmodul wurde in der gleichen Weise wie Beispiel 1 angefertigt, außer daß das Glassubstrat 20 eine Größe von 300 mm mal 400 mm und eine Dicke von 3 mm besaß. Um die Zuverlässigkeit dieses Moduls auszuwerten, wurde die Zeitabhängigkeit der Moduleigenschaften bei einem Drucktemperaturversuch (Versuchsbedingungen: Zimmertemperatur 127ºC, relative Feuchtigkeit 80 % RH, Zimmerdruck 2 Atmosphären) untersucht. Werte der maximalen Abgabeleistung, die während des Versuchs gemessen wurden, sind in Tabelle 1 normalisiert auf die Anfangswerte gezeigt.
  • Beispiel 3
  • Auf der rückseitigen Metallelektrodenfläche 50 eines Solarzellenelements, das auf einem 3 mm dicken, 300 mm mal 400 mm großen Glassubstrat 20 in einer zu Beispiel 1 ähnlichen Weise hergestellt wurde, wurde eine wie in Beispiel 1 angefertigte Polyisobutylenharzschicht direkt aufgetragen und 1 Std. lang bei 130ºC thermisch ausgehärtet, um eine Wasserdampfsperrschicht 70 auszubilden. An den elektrischen Kontaktstellen wurde das Harz entfernt, wurden die elektrischen Zuleitungen durch Löten verbunden und die Teile, an denen das Harz entfernt worden ist, wurden wieder mit der Polyisobutylen-Zusammensetzung wie in Beispiel 1 vergossen und 1 Std. lang bei 130 ºC thermisch ausgehärtet. Nach dem Kühlen wurde die Kantenfläche des Moduls mit einem Aluminiumrahmen bedeckt, der einen thermoplastischen Butylenkautschuk enthielt, um das Solarmodul zu vervollständigen. Die Zeitabhängigkeit der Eigenschaften dieses Solarmoduls wurden dann untersucht, indem ein Drucktemperaturversuch unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 2 durchgeführt wurde. Die Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Ein Solarmodul wurde auf einem 3 mm dicken, 300 mm mal 400 mm großen Glassubstrat 120 mit einem herkömmlichen Vakuumlaminierungsverfahren hergestellt. Die in Fig. 10 gezeigte Struktur wies ein Glassubstrat 120, einen transparenten, leitenden Film 130, eine Halbleiterschicht 140, eine rückseitige Metallelektrode 150 und eine passivierende Harzschicht 180 auf, die aus einem Ethylenvinylacetatcopolymer-Harzfilm 160 und einem Film aus Aluminiumfolie bestand, die zwischen Polyvinylfluoridharz (PVF-Harz) 170 schichtenweise angeordnet war. Diese passivierende Harzschicht 180 wurde wie folgt hergestellt. Eine Klebeschicht aus Ethylenvinylacetatcopolymer-Harzfilm 160 der Dicke 600 µm wurde ein bißchen größer als das Glassubstrat 120 geschnitten und so angeordnet, daß das Substrat 120 bedeckt war. Darauf wurde ein Film aus zwischen Polyvinylfluoridharz schichtenweise angeordneter Aluminiumfolie (PVF 38 µm / Al- Folie 30 µm / PVF 38 µm) 170 in ähnlicher Weise ein bißchen größer als das Substrat 120 geschnitten, auf dem Substrat 120 angeordnet und unter Verwendung eines Vakuumlaminierungsverfahrens thermokompressionskontaktiert. Die Zeitabhängigkeit der Eigenschaften dieses Solarmoduls wurde dann untersucht, indem ein Drucktemperaturversuch unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 2 durchgeführt wurde. Die Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Ein Solarmodul wurde auf eine ähnliche Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt, außer daß anstelle des Aluminiumfolien-Polyvinylfluoridharzlaminats 170 aus Vergleichsbeispiel 1 ein 100 µm dicker Polyethylenfilm bei der Herstellung der passivierenden Harzschicht 180 verwendet wurde. Die Wasserdampfdurchlässigkeit der Polyethylenschicht war 2 - 3 g/m² Tag. Die Zeitabhängigkeit der Eigenschaften dieses Solarmoduls wurde dann untersucht, indem ein Drucktemperaturversuch unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 2 durchgeführt wurde. Die Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 3
  • Ein Solarmodul wurde auf eine ähnliche Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt, außer daß anstelle des Aluminiumfolien-Polyvinylfluoridharzlaminats 170 aus Vergleichsbeispiel 1 ein 100 µm dicker Polypropylenfilm mit einer Wasserdampfdurchlässigkeit von etwa 1.5 g/m² Tag bei der Herstellung der passivierenden Harzschicht 180 verwendet wurde. Die Zeitabhängigkeit der Eigenschaften dieses Solarmoduls wurde dann untersucht, indem ein Drucktemperaturversuch unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 2 durchgeführt wurde. Die Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1 Normalisierte maximale Abgabeleistung
  • Aus Tabelle 1 ist es ersichtlich, daß im Gegensatz zu den Vergleichsbeispielen 1 - 3 die Solarmodule der vorliegenden Erfindung meist keine Verschlechterung der maximalen Solarzellenabgabeleistung nach einem Drucktemperaturversuch von 500 Std. zeigen, der einen harten Test für elektrische Komponenten darstellt.
  • Wie vorstehend erläutert, besitzt das Solarmodul der vorliegenden Erfindung trotz seiner großen Fläche einen ausgezeichneten Widerstand gegen Wasserdampf und Sauerstoff. Deshalb besitzen die Solarmodule ausgezeichnete Zuverlässigkeit, da sogar nach langen Zeitspannen im Außengebrauch meist keine Leistungsverschlechterung auftritt.

Claims (4)

1. Solarmodul mit einem Glassubstrat (20), auf dem in dieser Reihenfolge ausgebildet ist:
(a) eine leitende Metalloxidschicht (30);
(b) eine amorphe Halbleiterschicht (40);
(c) eine rückseitige Metallelektrode (50); und
(d) eine passivierende Harzschicht (80),
wobei die passivierende Harzschicht (80) eine Wasserdampfsperrschicht (70) mit einer Wasserdampfdurchlässigkeit von nicht mehr als 1 g/m² Tag aufweist, die bei einer Dicke von 100 µm gemessen wurde, und wobei die Wasserdampfsperrschicht (70) ein Polyisobutylenharz aufweist.
2. Solarmodul nach Anspruch 1, wobei die passivierende Harzschicht (80) ferner eine Sauerstoffsperrschicht (60) mit einer Sauerstoffdurchlässigkeit von nicht mehr als 0.1 cm³ mm/m² Tag atm aufweist.
3. Solarmodul nach Anspruch 2, wobei die Sauerstoffsperrschicht (60) ein Copolymer von Ethylen und Vinylalkohol enthält.
4. Solarmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die aktive Fläche des Solarmoduls nicht weniger als 0.1 m² beträgt.
DE69308074T 1992-06-08 1993-06-07 Solarmodul aus amorphem Halbleiter mit verbesserter Passivierung Expired - Fee Related DE69308074T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17478592 1992-06-08
JP13528593A JP3287647B2 (ja) 1992-06-08 1993-05-12 太陽電池モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69308074D1 DE69308074D1 (de) 1997-03-27
DE69308074T2 true DE69308074T2 (de) 1997-05-28

Family

ID=26469165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69308074T Expired - Fee Related DE69308074T2 (de) 1992-06-08 1993-06-07 Solarmodul aus amorphem Halbleiter mit verbesserter Passivierung

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0577985B1 (de)
JP (1) JP3287647B2 (de)
DE (1) DE69308074T2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006062019A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-03 Näbauer, Anton, Dr. Verfahren zur Herstellung von mechanisch stabilen Dünnschicht Photovoltaik Solarmodulen unter Verwendung von Glas

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112549A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Canon Inc 太陽電池モジュール
AU731869B2 (en) 1998-11-12 2001-04-05 Kaneka Corporation Solar cell module
US6380478B1 (en) * 1999-07-16 2002-04-30 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module
JP2003037281A (ja) * 2001-05-17 2003-02-07 Canon Inc 被覆材及び光起電力素子
JP4496774B2 (ja) * 2003-12-22 2010-07-07 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006310680A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Kaneka Corp 薄膜太陽電池モジュール
JP2007165531A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池及び太陽電池製造方法
JPWO2009051122A1 (ja) * 2007-10-19 2011-03-03 株式会社カネカ 薄膜太陽電池モジュール
US8211265B2 (en) 2010-06-07 2012-07-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for preparing multilayer structures containing a perfluorinated copolymer resin layer
US8211264B2 (en) 2010-06-07 2012-07-03 E I Du Pont De Nemours And Company Method for preparing transparent multilayer film structures having a perfluorinated copolymer resin layer
EP2598331A1 (de) 2010-07-30 2013-06-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Mehrlagige folien mit einer fluorierten copolymerharzschicht und einer verkapselungsschicht
US8409379B2 (en) 2010-07-30 2013-04-02 E I Du Pont De Nemours And Company Multilayer structures containing a fluorinated copolymer resin layer and an ethylene terpolymer layer
DE102011008280A1 (de) * 2010-10-15 2012-04-19 Wilhelm Stein Fotovoltaikmodul und Verfahren zur Herrstellung eines Fotovoltaikmoduls
US8507097B2 (en) 2010-12-21 2013-08-13 E I Du Pont De Nemours And Company Multilayer films containing a fluorinated copolymer resin layer and a cross-linkable ionomeric encapsulant layer
EP2833416B1 (de) * 2012-03-30 2021-11-10 DSM Advanced Solar B.V. Solarzellenmodul mit rückseitenkontakt
JP2014013838A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池用集電シート及び太陽電池モジュール
US10874426B2 (en) 2017-02-10 2020-12-29 Covidien Lp Seal assembly with integral filter and evacuation port
US11357542B2 (en) 2019-06-21 2022-06-14 Covidien Lp Valve assembly and retainer for surgical access assembly
JP7736295B2 (ja) * 2021-09-07 2025-09-09 株式会社エネコートテクノロジーズ ペロブスカイト太陽電池
CN118525612A (zh) * 2022-01-07 2024-08-20 松下控股株式会社 光电转换模块

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57143872A (en) * 1981-02-27 1982-09-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd Panel for solar cell
JPS59122570A (ja) * 1982-12-28 1984-07-16 Toppan Printing Co Ltd 感圧性粘着フイルムの製造方法
JPS63102277A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Teijin Ltd 太陽電池モジユ−ル
DE68911201T2 (de) * 1988-05-24 1994-06-16 Asahi Glass Co Ltd Methode für die Herstellung eines Solarzellenglassubstrates.
JP2732315B2 (ja) 1989-05-29 1998-03-30 鐘淵化学工業株式会社 硬化剤、その製造方法及び該硬化剤を用いた硬化性組成物
JPH0617324Y2 (ja) * 1989-06-19 1994-05-02 セントラル硝子株式会社 太陽電池モジュール
JP2832465B2 (ja) 1989-11-09 1998-12-09 鐘淵化学工業株式会社 電気・電子部品材料用組成物及び電気・電子部品材料
JP2938634B2 (ja) 1991-10-08 1999-08-23 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006062019A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-03 Näbauer, Anton, Dr. Verfahren zur Herstellung von mechanisch stabilen Dünnschicht Photovoltaik Solarmodulen unter Verwendung von Glas

Also Published As

Publication number Publication date
DE69308074D1 (de) 1997-03-27
EP0577985B1 (de) 1997-02-12
JPH0661518A (ja) 1994-03-04
JP3287647B2 (ja) 2002-06-04
EP0577985A1 (de) 1994-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69308074T2 (de) Solarmodul aus amorphem Halbleiter mit verbesserter Passivierung
DE69907866T2 (de) Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen-Modulen
EP0715358B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht und so hergestellte Solarzelle
DE69210350T2 (de) Sonnenzellenmodul mit verbesserten witterungsbeständigen Eigenschaften
DE2854652C2 (de)
DE69734860T2 (de) Herstellungsverfahren von integrierten Dünnfilm-Solarzellen
DE3686605T2 (de) Photovoltaische duennfilmvorrichtung.
DE69634289T2 (de) Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
DE3280455T2 (de) Biegsame photovoltaische Vorrichtung.
DE102012100795B4 (de) Superstrat-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE69434904T2 (de) Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und photoelektrischer Umwandlungsmodul, je mit einem Schutzelement aus Fluor enthaltendem Polymerharz
DE2858777C2 (de)
DE19958878B4 (de) Dünnschicht-Solarzelle
DE69833862T2 (de) Solarzellenmodul
DE69731799T2 (de) Solarzellenmodul
DE102011018268A1 (de) Single Junction CIGS/CIC Solar Module
EP0630524A1 (de) Klimastabiles dünnschichtsolarmodul
EP0232749A2 (de) Verfahren zur integrierten Serienverschaltung von Dünnschichtsolarzellen
DE19921515A1 (de) Dünnschichtsolarzelle auf der Basis der Ia/IIIb/VIa- Verbindungshalbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE212008000087U1 (de) Photovoltaische, vor der Umwelt geschützte Einrichtung
DE102004049197A1 (de) Solarbatterie und Herstellverfahren für eine solche
DE69634059T2 (de) Integriertes Dünnschicht-Sonnenzellenmodul und Herstellungsverfahren
DE4104713C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Solarzellenmoduls
EP2751848A1 (de) Dünnschicht-photovoltaik-modul mit hydrophober rückseitenbeschichtung
DE3851402T2 (de) Integrierte sonnenzelle und herstellungsverfahren.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee