[go: up one dir, main page]

DE69216918T2 - Digitale Kalibriervorrichtung - Google Patents

Digitale Kalibriervorrichtung

Info

Publication number
DE69216918T2
DE69216918T2 DE69216918T DE69216918T DE69216918T2 DE 69216918 T2 DE69216918 T2 DE 69216918T2 DE 69216918 T DE69216918 T DE 69216918T DE 69216918 T DE69216918 T DE 69216918T DE 69216918 T2 DE69216918 T2 DE 69216918T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
impedance
circuit
digital
bridge
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69216918T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69216918D1 (de
Inventor
Alfred Earl Dunlop
Thaddeus John Gabara
Scott Carroll Knauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
AT&T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24910925&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69216918(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by AT&T Corp filed Critical AT&T Corp
Publication of DE69216918D1 publication Critical patent/DE69216918D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69216918T2 publication Critical patent/DE69216918T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/24Frequency-independent attenuators
    • H03H11/245Frequency-independent attenuators using field-effect transistor

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Schaltungen zum Steuern elektrischer Eigenschaften zwischen einem Paar von Anschlüssen.
  • In der Leistung integrierter Schaltungen kinnen wesentliche Schwankungen einfach deshalb auftreten, da die eingesetzten Herstellungsprozesse nicht mit der gewünschten Präzision ausgeführt werden können. Es ist in der Tat nicht ungewöhnlich, eine wesentliche Leistungsschwankung zwischen integrierten Schaltungen identischer Konstruktion anzutreffen, die auf einem einzigen Halbleiterwafer, aber an einer unterschiedlichen Stelle auf dem Wafer hergestellt sind. Dazu gehören Schwankungen bei der Laufzeit, Geschwindigkeit (Lauffrequenzgang) und dem Stromverbrauch.
  • Konstrukteure, die integrierte Schaltungen verwenden wollen, müssen alle möglichen Schwankungen in der Leistung der IC berücksichtigen. In vielen Situationen entwickeln infolgedessen die Konstrukteure Worst- Case-Konstruktionen, nämlich Konstruktionen, die annehmen, daß alle IC-Parameter bzw. -Eigenschaften auf ihren schlechtesten Spezifikationspegeln liegen. Die Hersteller spezifizieren die Mindest- und Höchstwerte sowohl in Geschwindigkeit als auch Leistungseigenschaften ihrer IC. Das bedeutet natürlich, daß sich der Hersteller irgendwie selbst vergewissern muß, daß die integrierten Schaltungen innerhalb der versprochenen Grenzen von Betriebseigenschaften liegen. Dies bedeutet wiederum, daß außerhalb der versprochenen Grenzen liegende integrierte Schaltungen als "fehlerhaft" verworfen werden müssen. Es ist klar, daß die Möglichkeit, die Geschwindigkeits- und Stromverbrauchsschwankung von hergestellten Ic einzuengen, einen höheren Ertrag für den IC-Hersteller und wünschenswertere integrierte Schaltungen für den Konstrukteur ergeben würde.
  • Während bei der bipolaren ECL-Technik Schaltungsmittel für die Selbststeuerung des Leistungsverbrauchs innerhalb der integrierten Schaltungen bereitgestellt werden können, stehen für integrierte MOS-Schaltungen aufgrund der ihnen eigenen unterschiedlichen Betriebsart keine derartigen Schaltungsmittel zur Verfügung. Wie oben angedeutet, besteht die einzige Lösung für MOS-Schaltungen in der Auswahl der integrierten Schaltungen, die den Spezifikationen entsprechen, nachdem diese Schaltungen hergestellt worden sind.
  • Eine Frage, die mit der Geschwindigkeit und dem Leistungsverbrauch von Elementen in der gesamten integrierten Schaltung in Beziehung steht, ist die Frage der Erzeugung spezifischer Impedanzen, die an den Eingangslausgangsanschlüssen der integrierten Schaltungen vorliegen. Diese Frage umfaßt sowohl digitale als auch analoge Signale (d.h. sowohl digitale als auch analoge IC) und umfaßt Anschlüsse, die Signale übertragen und auch Anschlüsse, die Signale empfangen.
  • Wenn Signale einen IC-Anschluß verlassen, über eine nennenswerte Entfernung entlang einem Signalweg fließen und in einen weiteren IC-Anschluß eintreten, können von Impedanzsprungstellen an einer beliebigen Stelle an dem Signalweg und insbesondere von den Anschlüssen aus Signalreflexionen auftreten. Die meisten Reflexionen können beträchtliche Probleme sowohl in digitalen als auch analogen Umgebungen verursachen (z.B. die Fehlerkennung von Digitalsignalen). Es ist jedoch wohlbekannt, daß, wenn der Signalweg als Übertragungsleitung mit einem Wellenwiderstand betrachtet wird, unerwünschte Reflexionen beseitigt werden, wenn die Übertragungsleitung an den Sende- und/oder Empfangsenden mit Impedanzen abgeschlossen wird, deren Wert gleich dem Wellenwiderstand der Übertragungsleitung ist. Mit anderen Worten, was für eine wirkungsvolle Übertragung von Signalen mit sehr hoher Frequenz über Signalwege von nennenswerter Länge benötigt wird, sind integrierte Schaltungen, bei denen sowohl Eingangs- als auch Ausgangsanschlüsse spezifische und gut gesteuerte Impedanzen aufweisen.
  • Das allgemeinste Erfordernis für solche Abschlußimpedanzen ist, daß die Impedanz sowohl für positive als auch negative Signale dieselbe sein soll. Es ist eine etwas schwächere Version dieses Erfordernisses zulässig, wenn die Schaltung Signale mit einer einzigen Polarität entweder abgibt oder deren Empfang erwartet. Ein Beispiel dieser Situation ergibt sich, wenn die integrierte Schaltung Strom in digitaler Form abgibt (entweder etwas Strom abgibt oder keinen Strom abgibt). Dasselbe gilt, wenn die Schaltung Strom aufnimmt. Die Ausgangsimpedanz muß nur dann gleich dem Ubertragungsleitungswellenwiderstand sein, wenn Strom abgegeben wird. Auch ist gutbekannt, daß für eine optimale Leistungsübertragung die Ausgangsimpedanz einer Signalquelle der Lastimpedanz gleich sein muß, selbst wenn keine Übertragungsleitung vorhanden ist.
  • In einem Artikel mit dem Titel "A Self-Terminating Low-Voltage Swing CMOS Output Driver" (Ein CMOS-Ausgangstreiber mit niedriger Spannungsauslenkung und Selbstabschluß), IEEE Journal of Solid-State Circuits, Band 23, Nr. 2, Seiten 457-464, April 1988 beschrieben Knight et al. eine CMOS-Schaltungsanordnung zur Entwicklung eines Digitalsignals an einem Ausgangsanschluß, der durch eine spezifische und gesteuerte Ausgangsimpedanz gekennzeichnet ist. Der Ausgangspuffer ihrer Anordnung besteht aus einer Serienverbindung eines P-Kanal-Transistors, dessen Drain mit dem Drain eines N- Kanal-Transistors verbunden ist, während die Sources der beiden Transistoren mit ihren entsprechenden Stromversorgungen verbunden sind. Der Schaltungspunkt, wo die Drains der beiden Transistoren angeschlossen sind, ist ebenfalls mit dem Ausgangsanschluß verbunden. Das Gate jedes der Transistoren wird durch eine getrennte Voransteuerungsschaltung angesteuert und die Voransteuerungsschaltungen schalten ihre entsprechenden Transistoren wechselweise durch und steuern sie. Insbesondere setzt jede Voransteuerungsschaltung die Gate-Source-Spannung ihres entsprechenden Transistors auf einen spezifischen Pegel, um sicherzustellen, daß der Transistor dem Anschluß eine vorbestimmte Impedanz bietet.
  • Jede der Voransteuerungsschaltungen ist ein zwischen eine Festspannungsquelle und eine veränderliche Spannungsquelle geschalteter digitaler Inverter. Jede Voransteuerungsschaltung reagiert auch auf ein digitales Eingangssignal.. Das Digitalsignal einer Voransteuerungsschaltung ist der logische Kehrwert des Digitalsignals der anderen Voransteuerungsschaltung.
  • Die Anordnung von Knight et al. leidet hauptsächlich an einer Anzahl von Schwächen. Jede der Voransteuerungsschaltungen erfordert eine steuerbare Analogspannung und da die Pegel für diese Spannung unter sich ändernden Betriebsbedingungen aufrechterhalten werden müssen, ist die Schaltung zur Erzeugung dieser Spannung schwierig zu konstruieren, umfaßt eine bedeutende Anzahl von Bauteilen und verbraucht eine beträchtliche Menge an Strom. Auch ist das Rauschen ein Problem.
  • PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, Band 008, Nr. 153 (P-287) & PJ-A-59 051 303 zeigt eine Brückenschaltung, bei der eine Unsymmetrie der Brücke mit einer Bezugsspannung verglichen wird. Von einer Zentraleinheit werden Modulen mit veränderlichem Widerstand gesteuert, um zu versuchen, eine Abweichungsspannung mit der Bezugsspannung gleichzusetzen. Dies wird durch veränderung von zwei Widerstandsmodulen erreicht, wobei ein Widerstandsmodul parallel zum Widerstand eines ersten Brückenarms liegt und das zweite Widerstandsmodul parallel zu einem zweiten Brückenarm liegt.
  • CONF. PROC. MILITARY MICROWAVES '88, 5-7/7/88 LONDON, GB: P.G.A. JONES: DIGITALLY CONTROLLED MMIC ATTENUATORS-TECHNIQUES AND APPLICATIONS", (Digitalgesteuerte MMIC-Dämpfungsglieder - Verfahren und Anwendungen), Seiten 217-222, offenbart ein Mikrowellendämpfungssystem, bei dem aktive oder passive Netzwerke zur Steuerung der Dämpfung eines Mikrowellensignals benutzt werden.
  • Nach der vorliegenden Erfindung ist eine Schaltung nach Anspruch 1 vorgesehen.
  • Eine effektive Steuerung von Impedanzwerten in integrierten Schaltungsanwendungen wird durch einen Transistor einer integrierten Schaltung erreicht, dessen Größe digitalgesteuert wird. Die digitalgesteuerte Größe wird beispielsweise mit einer parallelen Zusammenschaltung von MOS-Transistoren erreicht. Bei einer Anwendung dient der digitalgesteuerte Transistor als gesteuerte Impedanz, die mit einem Ausgangsanschluß einer integrierten Schaltung verbunden ist. In dieser Anwendung wird eine Anzahl von Transistoren mit Steuersignalen durchgeschaltet und die Sammlung von durchgeschalteten Transistoren reagiert auf das normalerweise an einen herkömmlichen Transistor angelegte Eingangssignal. In einer anderen Anwendung, bei der der digitalgesteuerte Transistor als gesteuerte Impedanz am Eingang einer Schaltung dient, werden nur die Steuersignale, die Transistoren durchschalten und damit die effektive entwickelte Impedanz bestimmen, eingesetzt. In einer noch weiteren Anwendung wird die digitale Steuerung der Größe des Transistors zur Steuerung der Geschwindigkeit oder des Leistungsverbrauchs des effektiven Transistors eingesetzt. Eine solche Steuerung wird zum Löschen der Fertigungsabweichung der integrierten Schaltung ausgeübt. Als Alternative wird eine solche Steuerung als Teil einer Rückkopplungsregelung der Betriebseigenschaften der gesamten Schaltung ausgeübt. Bei der Rückkopplungsregelungsanwendung werden die Digitalsignale, die die Größe des Transistors steuern, aus einer Bewertung des Betriebes der Schaltung erhalten. Bei der Anwendung der Steuerung der Fertigungsschwankung werden die die Größe des Transistors steuernden Digitalsignale aus einem Maß der Parameter der integrierten Schaltung relativ zu einem Bezugselement erhalten.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnung
  • Figur 1 stellt eine idealisierte Ansicht einer Ausgangsans teuerschal tung dar;
  • Figur 2 stellt eine diagrammatische Ansicht der Anordnung der Figur 1 dar, wobei die Signalschnittstellen zu in den Ausgangsansteuerelementen betont sind;
  • Figur 3 stellt stellt ein Schaltschema einer Ausführungsform für den digitalen Impedanzblock 20 der Figur 2 dar;
  • Figur 4 zeigt die Schaltung zum Steuern der digitalen Impedanz 20;
  • Figur 5 zeigt eine Schaltung zum Steuern der digitalen Impedanz 30 der Figur 2;
  • Figur 6 stellt eine Anwendung dar, bei der unterschiedliche Mengen von Schaltungselementen mit verwandten digitalen Steuersignalen gesteuert werden;
  • Figur 7 zeigt eine Anwendung, bei der die unterschiedliche Steuerung unterschiedlicher Schaltungselemente der Prozessorsteuerung unterliegt, und
  • Figur 8 stellt eine Anwendung dar, bei der der digitalbemessene Transistor uber eine funktionelle Signalrückkopplung gesteuert wird.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Die ausführlicher unten offenbarten Grundsätze der vorliegenden Erfindung sind vorteilhafterweise auf die zwei oben beschriebenen Anwendungen anwendbar. Das heißt, die offenbarten Grundsätze sind auf die Aufgabe des Verringerns der fertigungsbezogenen Schwankungen der Transistorgröße zwischen integrierten Schaltungen einer gegebenen Konstruktion anwendbar. Und sie sind hervorragend anwendbar auf die Aufgabe des Steuerns der an Eingangs-/Ausgangsanschlüs sen integrierter Schaltungen gebotenen Impedanz. Die Frage der Anschlußimpedanz wird zuerst angesprochen. Danach wird die Anwendung der allgemeinen Größenbemessungssteuerung beschrieben.
  • Figur 1 stellt eine idealisierte Ansicht eines Ausgangsanschlusses 10 dar, der ein Digitalsignal an eine Übertragungsleitung 200 abgibt. Block 100 stellt die dem Ausgangsanschluß 10 zugeordnete Funktionsschaltung dar und diese Funktionsschaltung kann andere (Eingangsund/oder Ausgangs-)Anschlüsse aufweisen, mit denen sie verbunden ist. Für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung ist die genaue Beschaffenheit der Schaltung 100 bedeutungslos und das Verhältnis der Schaltung 100 mit anderen Anschlüssen wird der Einfachheit halber nicht behandelt.
  • Die mit dem Anschluß 10 verbundene Ausgangsansteuerstufe der Schaltung 100 ist symbolisch. durch Impedanzen 11 und 13 dargestellt. Bei der Impedanz 11 ist ein Anschlußleiter mit Erdpotential verbunden und der andere Anschlußleiter mit einem Anschlußleiter des steuerbaren Schalters 12 verbunden. Der andere Anschlußleiter des Schalters 12 ist mit dem Anschluß 10 verbunden. Gleichermaßen ist ein Widerstand 13 mit einem festen Minuspotential und mit dem steuerbaren Schalter 14 verbunden. Wie der Schalter 12 ist am Schalter 14 ein Anschlußleiter mit dem Anschluß 10 verbunden.
  • Der Schalter 14 wird durch ein digitales Eingangssignal Sin gesteuert und der Schalter 12 wird durch dessen logischen Kehrwert Sin gesteuert. Wenn der Schalter 14 geschlossen und der Schalter 12 offen ist, fließt Strom von der Übertragungsleitung 200 zum festen Minuspotential und die von diesem Strom angetroffene Impedanz ist die Impedanz 13. Wenn der Schalter 14 offen und der Schalter 12 geschlossen ist, fließt Strom vom Erdpotential in die Übertragungsleitung 200 und die von diesem Strom angetroffene Impedanz ist die Impedanz 11. Im Idealfall sind die Impedanzen 11 und 13 einander gleich und so eingestellt, daß sie dem Wellenwiderstand der Übertragungsleitung, z.B. 50 Ohm entsprechen.
  • In Verbindung mit der Notwendigkeit, die Elemente 11 und 13 einander gleichzumachen und sie auch auf einen vorbestimmten Wert einzustellen, ist das Folgende zu beachten. Als erstes ist die am häufigsten anzutreffende Realisierung einer Impedanz in einer integrierten MOS-Schaltung ein durchgeschalteter MOS-Transistor. Das Ausmaß, in dem der Transistor durchgeschaltet ist, bietet einen Weg zur Steuerung des Wertes der erzeugten Impedanz und die Größe des Transistors bietet einen weiteren Weg zur Steuerung des Wertes der erzeugten Impedanz. Obwohl die Grundsätze der vorliegenden Erfindung auf andere Realisierungsformen von Impedanzen anwendbar sind, behandelt die vorliegende Offenbarung nur diesen am häufigsten anzutreffenden Weg. Zweitens ist es bei den heute verfügbaren Konstruktionsverfahren möglich, MOS-Transistoren für integrierte Schaltungen zu erzeugen, die in der gleichen Umgebung sehr ähnliche Eigenschaften aufweisen. Es ist daher nicht zu schwierig, Impedanzen 11 und 13 herzustellen, die im wesentlichen denselben Wert aufweisen oder die durch ein im voraus entworfenes festes Verhältnis zueinander in Beziehung stehen. Es ist jedoch äußerst schwierig, Impedanzen 11 und 13 (konsequent) mit einem spezifischen Wert herzustellen.
  • Da diese große Schwierigkeit erkannt wurde, werden die Werte der Impedanzen 11 und 13 während des Betriebes der Schaltung digital geregelt.
  • Figur 2 stellt eine diagrammatische Ansicht der Anordnung der Figur 1 dar. Sie enthält einen digitalen Impedanzblock 20, der auf das Eingangssignal Sin und auf die Minusspannungsquelle reagiert. Auch enthält er einen digitalen Impedanzblock 30, der auf den (über den Inverter 15 abgeleiteten) Kehrwert von Sin und auf das Erdpotential reagiert. Die Ausgänge der Blöcke 20 und 30 (23 bzw. 33) sind miteinander verbunden und an den Ausgangsanschluß 10 angelegt. Um die oben erwähnte digitale Regelung bereitzustellen, reagiert der Block 20 auf den digitalen Regelsignalbus 21 und der Block 30 reagiert auf den digitalen Regelsignalbus 31.
  • Figur 3 stellt eine Ausführungsform des digitalen Impedanzblocks 20 dar (der Block 30 ist im wesentlichen gleichartiger Konstruktion). Er ist im Grunde ein digitalbemessener Transistor. Der Kern der Figur 3 umfaßt eine parallele Zusammenschaltung der MOS-Transistoren 24 zwischen dem Anschluß 22 mit festem Minuspotential des Blocks und dem Ausgangsanschluß 23 des Blocks. Bei der "Impedanzregelungs-"Anwendung stellt diese Anordnung im Grunde eine Parallelschaltung von Widerstandswegen dar.
  • Die Anzahl der benutzten Transistoren 24 ist der Wahl des Konstrukteurs überlassen. Jeder der Transistoren 24 wird (an seinem Gateanschluß) mit einem NAND-Gatter 25 gesteuert. Die Gatter 25 sind Gatter mit zwei Eingängen. Ein Eingang der Gatter 25 ist mit dem Eingangsanschluß 26 des digitalbemessenen Blocks verbunden, der in dem vorliegenden Fall ein digitaler Impedanzblock ist. Die übrigen Eingänge der Gatter 25 sind miteinander verbunden, um den digitalen Regelbus (21) des digitalen Impedanzblocks zu bilden.
  • Die Grundidee hinter der Struktur der digitalen Impedanzschaltung 20 der Figur 3 ist, daß eine Anzahl der Transistoren 24 von den Steuersignalen voll durchgesteuert werden und dadurch in ihren niederohmigen Zustand versetzt werden. Wenn eine ausreichende Anzahl dieser Transistoren in ihren niederohmigen Zustand versetzt wird, läßt sich die effektive Impedanz zwischen Anschlüssen 22 und 23 auf den gewünschten Pegel absenken. Es handelt sich einfach um eine Addition von Leitwerten.
  • Nebenbei gesagt können, obwohl die Figur 3 mit einer Parallelschaltung von Widerständen dargestellt ist, die Grundsätze der vorliegenden Erfindung mit gleicher Wirksamkeit dort, wo die Anwendungen es erfordern, auf andere Zusammenschaltungsanordnungen wie beispielsweise eine Serienschaltung von Elementen oder eine Serien- und Parallelschaltung von Elementen angewandt werden. Der Fachmann sollte auch wissen, daß die Transistoren 20 N-Kanal- anstatt P-Kanal-Transistoren wie in Figur 3 gezeigt sein können und die Gatter 25 dann UND-Gatter anstatt NAND-Gatter sein würden. In manchen Anwendungen kann sich eine andere Logikfunktion in den Gattern 25 wie beispielsweise ODER, NDR oder Exklusiv-ODER als nützlich erweisen.
  • In der Anordnung der Figur 3 können die Transistoren 24 gleich bemessen sein. In diesem Fall erhöht jeder vom Steuerbus 21 durchgeschaltete Transistor den Leitwert zwischen Anschluß 22 und 23 um einen festen Schritt. Dadurch wird eine lineare schrittweise Einstellfunktion des Leitwertes zwischen Anschluß 22 und 23 geboten.
  • Ein anderer Weg zum Bemessen der Transistoren 24 besteht darin, die Impedanzen der Transistoren 24 um eine Potenz von 2 miteinander in Beziehung zu bringen. Das heißt, der erste und kleinste Transistor kann einen Leitwert X aufweisen, der zweite Transistor (mit dersel ben Länge, ist zweimal so breit und hat den Leitwert 2X und der nte Transistor ist 2n-mal so breit und hat den Leitwert 2nX.
  • Dieser binäre Ansatz erfordert eine geringere Anzahl von parallelen Wegen als der Ansatz mit gleichgroß bemessenen Transistoren (log K Transistoren für den binären Ansatz gegenüber K Transistoren für den gleichförmigen Ansatz). Manchmal jedoch stößt man auf ein Taktproblem, wenn ein gegebener Transistor durchgeschaltet wird und gleichzeitig alle vorher durchgeschalteten Transistoren gesperrt werden müssen (z.B. Umschalten von 01111111 auf 10000000).
  • Bei einem weiteren Weg zum Bemessen der Transistoren 24 werden die Transistoren 24 in zwei oder mehr Teilmengen gruppiert. Bei der Verwendung von zwei Teilmengen werden die Transistoren in einer Teilmenge zur Grobeinstellung der Gesamtimpedanz benutzt, während die Transistoren in der anderen Teilmenge dann zur Feineinstellung der Gesamtimpedanz benutzt werden. Um eine Möglichkeit der Einstellung eines zwischenliegenden Grades an Feinheit zu erzeugen, können natürlich mehr als zwei Teilmengen benutzt werden. Bei einer Ausführungsform zur Grob-/Feinsteuerung wurde beispielsweise die Gesamtbreite der Transistoren in der "feinen" Teilmenge der Breite eines Einzeltransistors in der "groben" Teilmenge gleichgesetzt und in jeder der Teilmengen befanden sich 16 Transistoren.
  • Die Figur 4 zeigt die Schaltung zur Entwicklung der Impedanzsteuersignale. Insbesondere zeigt sie die Schaltung zur Entwicklung der Impedanzsteuersignale für den digitalen Impedanzblock 20 der Figur 2. Die Schaltung der Figur 4 ist im Prinzip eine Wheatstone-Brücke. Sie enthält eine zwischen den Erdpotentialanschluß und Abgleichanschluß 51 geschaltete Impedanz 41, eine zwischen den Minuspotentialanschluß und Abgleichanschluß 51 geschaltete Impedanz 42, eine zwischen den Erdpotentialanschluß und Abgleichanschluß 52 geschaltete Bezugsimpedanz 43 und einen zwischen den Minuspotentialanschluß und Abgleichanschluß 52 geschalteten digitalen Impedanzblock 44. Die Impedanzen 1 und 42 weisen einen beliebigen zweckdienlichen Wert auf, stehen aber in einem gegebenen Verhältnis zueinander. Die Impedanz 44 ist die Impedanz, die im Verlauf des Brückenabgleichs gesteuert wird und die Impedanz 43 ist die Bezugsimpedanz. Da nur das Verhältnis der Impedanzen 41 und 42 für den Brückenabgleich von Bedeutung ist, können diese Impedanzen Impedanzen sein, die auf der integrierten Schaltung hergestellt werden. Die Impedanz 44 ist eine gesteuerte Impedanz und, da sie sich auf der integrierten Schaltung befindet, prüft sie im Effekt die Herstellungsgüte der integrierten Schaltung. Die Impedanz 43 ist die einzige Impedanz, die genau gebildet werden muß. Natürlich müssen die Impedanzen 41 und 42 nicht unbedingt auf der integrierten Schaltung hergestellt werden und wenn sie auf der integrierten Schaltung hergestellt werden, muß Sorgfalt geübt werden, daß sie in einem bekannten Verhältnis zueinander stehen und miteinander mitlaufen. Eine mögliche Anordnung, die diesem Kriterium genügt, besteht aus in einer auf dem Substrat der integrierten Schaltung gebildeten hochdotierten Polysiliciumschicht hergestellten Widerständen.
  • Im Betrieb erscheint eine Spannungsdifferenz zwischen den Abgleichanschlüssen 51 und 52, wenn das Verhältnis der Impedanz 44 zur Impedanz 43 nicht dem Verhältnis der Impedanz 42 zur Impedanz 41 gleich ist. Diese Spannungsdifferenz wird vom Vergleicher 53 gemessen. Die Aufgabe beim Abgleichen der Brücke besteht darin, diese Spannung in die Nähe von Null zu bringen. Diese Aufgabe wird auf getaktete Weise durch Anlegen eines Taktes und des Ausgangs des Vergleichers 53 an den Wandler 54 erfüllt. Der Takt wird vom Oszillator 55 abgeleitet.
  • Der Wandler 54 entwickelt eine Menge von Digitalsignalen, die an den Impedanzsteuerbus des digitalen Impedanzblocks 44 angelegt werden. Wenn die Parallelanordnung der Widerstandswege im Block 44 Transistoren gleicher Größe umfaßt, kann der Wandler 54 einfach durch ein bidirektionales Schieberegister realisiert werden, dessen Linksverschiebeeingang einen Logikpegel 1 liefert und dessen Rechtsverschiebeeingang einen Logikpegel 0 liefert. Durch den Ausgang des Vergleichers 53 wird bestimmt, ob das Schieberegister nach rechts oder nach links verschiebt. Wennder Vergleicherausgang anzeigt, daß die Spannung am Anschluß 52 niedriger als die Spannung am Anschluß 51 ist, ist es notwendig, mehr 0'en in das Schieberegister einzuschieben.
  • Wenn die Parallelanordnung der Widerstandswege im Block 44 Transistoren umfaßt, die miteinander auf die oben beschriebene binäre Weise im Verhältnis stehen, kann der Wandler 54 durch einen Vorwärts-/Rückwärtszähler realisiert werden, der durch den Takt fortgeschaltet wird, wobei die Vorwärts-/Rückwärtssteuerung des Zählers auf den Vergleicher 53 reagiert. Wenn der Vergleicherausgang anzeigt, daß die Spannung am Anschluß 52 niedriger als die Spannung am Anschluß 51 ist, ist es notwendig, die Zählung im Zähler herabzusetzen und die Vorwärts- /Rückwärtssteuerung wird daher auf "Rückwärtszählung" gesetzt.
  • Wenn die Parallelanordnung von Widerstandswegen im Block 44 Teilmengen von Transistoren nach dem oben beschriebenen Grob-/Feinsteuerschema umfaßt, ist der Wandler 54 nur etwas aufwendiger. Er kann beispielsweise wie oben beschrieben mit einem binären Vorwärts-/Rückwärtszähler gefolgt von einer Anzahl von Teilwandlern, die auf den Vorwärts-/Rückwärtszähler reagieren, realisiert werden. Die Teilwandler wandeln eine Binärnummer in eine gleichwertige Nummer von Einsen um. Bei der oben beschriebenen Realisierung, bei der es zwei Teilmengen gibt und bei der die Teilmenge von kleinen Transistoren 16 Transistoren enthält, deren Gesamtbreite der Breite eines Einzeltransistors in der Teilmenge großer Transistoren gleich ist, ist ein erster Teilwandler mit den vier niedrigstwertigen Bit des Vorwärts-/Rückwärtszählers verbunden und ein zweiter Teilwandler ist mit den höherwertigen Bit des Vorwärts-/Rückwärtszählers verbunden.
  • Wie oben angedeutet, wirkt die Brücke der Figur 4 auf die Impedanz 44, aber die Impedanz 44 wertet nur die Eigenschaften der integrierten Schaltung aus. Insbesondere wertet die Impedanz 44 die Abweichung der Eigenschaften der integrierten Schaltung von irgezxdeinem Nennwert aus. Diese Auswertung spiegelt sich in den vom Wandler 54 entwickelten Steuersignalen wider. Wenn der Block 20 auf eine Weise aufgebaut ist, die zu dem Aufbau des Impedanzblocks 44 kompatibel ist, dann können infolgedessen die an den digitalen Impedanzblock 44 angelegten entwickelten Steuersignale direkt an den Block 20 angelegt werden. Wenn beispielsweise die parallelen Widerstandswege im Block 44 eine gleiche Impedanz aufweisen und die parallelen Widerstandswege im Block 20 ebenfalls gleicher Impedanz sind, dann können die vom Wandler 54 entwickelten digitalen Steuersignale direkt an den Bus 21 angelegt werden. Die Widerstände der Widerstandswege im Block 20 brauchen nicht dieselben wie die Widerstände der Widerstandswege im Block 44 sein; wenn sie jedoch nicht gleich sind, unterscheidet sich die vom Block 20 gebotene effektive Impedanz von der vom Block 44 gebotenen effek tiven Impedanz (aber es wird zwischen ihren Werten ein festes Verhältnis aufrechterhalten). Eigentlich kann im Block 20 ein anderes Widerstandsschema als im Block 44 vorliegen (zum Beispiel Binärwerte in einem und gleiche Werte im anderen), aber wenn dies der Fall ist, dann müssen die Steuersignale des Impedanzblocks 20 dementsprechend umgesetzt werden, um diesem unterschiedlichen Schema zu entsprechen. Eine solche Umsetzung kann mit einem (nicht gezeigten) getrennten Umsetzer erreicht werden, der zwischen den Wandler 54 und Bus 21 zwischengeschaltet ist. Die oben beschriebenen Teilwandler sind derartige Umsetzer.
  • Wenn die an den Vergleicher 53 angelegte Differenzspannung ein Minimum erreicht, neigt die Funktion der Schaltung der Figur 4 zu Schwingungen, wobei die Ausgabe des Vergleichers 53 regelmäßig zwischen dem Logikpegel 1 und Logikpegel 0 wechselt. Obwohl derartige Schwingungen kein echtes Problem darstellen, ist es sinnvoll, die Schwingungen von der Steuerung zum Block 20 zu sperren. Der Vorteil einer solchen Abtrennung liegt darin, daß die Signalleitungen, die die digitalen Informationen zum Block 20 übermitteln, nicht fortlaufend auf einen Pegel angehoben werden müssen, nur um in der nachfolgenden Taktperiode auf einen anderen Pegel herabgesetzt zu werden. Damit wird Strom gespart und die Einspeisung von durch das Schalten eingeführtem unnötigen Rauschen verhindert. In der Figur 4 wird diese Abtrennung mit dem Detektorblock 56 und Register 57 ausgeführt. Der Block 56 ist mit dem Vergleicher 53 verbunden. Er wird auf das Erkennen der Gegenwart einer Folge von wechselnden 1-en und 0-en (d.h. einer ausgewählten Anzahl von Paaren 1, 0) in dem logischen Ausgangssignal des Vergleichers 53 eingestellt. Wenn die Folge erkannt wird, entwickelt er ein Sperrsignal und legt es an das Register 57 an. Das Register 57 ist mit dem Ausgang des Wandlers 54 verbunden, so daß sich jede Änderung des Ausgangssignals des Wandlers 54 im Ausgang des Registers 57 widerspiegelt, bis das Sperrsignal die Ausgabe des Registers 57 fixiert. Die Ausgabe des Registers 57 bleibt so lange fixiert, wie der Vergleicher 53 mit der Ausgabe einer Folge von abwechselnden 1-en und 0-en fortfährt.
  • In der Figur 4 ist die Ausgabe des Registers 57 eine Menge von Digitalsignalen, die an den Bus 21 der Figur 3 angelegt werden. Da erwartet wird, daß das Register 57 seinen Zustand ziemlich selten ändern wird, ist die erwartete Datenrate zwischen der Brücke der Figur 4 und den NAND-Gattern der Figur 3 in Wirklichkeit sehr niedrig. Wenn die Herstellung von Signalleitungen sehr aufwendig ist (diese z.B. einen zu großen Anteil des Substrats einnehmen), können die Informationen von der Brücke der Figur 4 zu den NAND-Gattern der Figur 3 seriell gesandt werden. Dies läßt sich durch Senden der Rechtsverschiebe-/Linksverschiebesignale des Wandlers 54 (die vom Detektor 56 freigegeben sind) direkt zur Schaltung der Figur 3 ausführen, wo ein dem Wandler 54 gleichartiger Wandler enthalten ist.
  • Es ist durchaus möglich, daß sich die an den digitalen Impedanzblock 20 angelegten Steuersignale von den Steuersignalen unterscheiden, die an den digitalen Impedanzliock 30 angelegt werden müssen. Das beruht darauf, daß die Transistoren im Block 20 eine Substratvorspannungswirkung aufweisen, die die Transistoren im Block 30 nicht haben.
  • Die Figur 5 zeigt die Schaltung zum Erzeugen der Steuersignale für den Block 30. Sie ist im wesentlichen mit der Figur 4 identisch, nur daß in der Figur 4 eine feste "Bezugs-"Impedanz 43 eingesetzt wird, während in der Figur 5 ein digitaler Impedanzblock 45 benutzt wird. Der Block 45 ist mit dem Block 44 der Figur 4 identisch und wird durch die den Block 44 steuernden Signale gesteuert (nach dem Register 57). In der Figur 5 ist die gesteuerte und damit abgeänderte Impedanz die digitale Impedanz 46.
  • Wie oben angedeutet, steht die Genauigkeit der mit den in den Schaltungen der Figur 4 und Figur 5 entwickelten digitalen Steuersignalen abgeleiteten Impedanzen im Verhältnis zu a) der Genauigkeit des Verhältnisses der Impedanzen 41 und 42 und b) der Genauigkeit des Betrages der Impedanz 43. Da das einzige Element, das im absoluten Sinn genau sein muß, die Impedanz 43 ist, bedeutet dies, daß alle anderen in den Figuren 1-5 enthaltenen Elemente zusammen mit der Funktionsschaltung 100 in einem Substrat der integrierten Schaltung erzeugt werden können. Hinsichtlich der Impedanz 43 muß, bis ein Verfahren zur Erzeugung einer genauen Impedanz auf einem Substrat entwickelt worden ist, diese mit einem nicht auf dem Chip befindlichen Bauteil realisiert werden. Es ist natürlich bekannt, daß unter gewissen Umständen genaue Widerstände mit Verwendung von Lasertrimming, Laser-/elektrischem Durchbrennen von Verbindungen usw. in Silicium hergestellt werden können.
  • Es ist zu beachten, daß für eine Schaltung (Funktionsschaltung 100) mit einer Größe, von der einigermaßen erwartet werden kann, daß sie die gleichen bzw. mitlaufenden Eigenschaften aufrechterhält, nur eine Bezugsimpedanz 43 benötigt wird. In dem Fall, wenn die gleichen Impedanzen benötigt werden und diese Impedanzen denselben Schwankungen m erliegen, denen die Impedanz 20 unterworfen ist, können die an den Block 20 angelegten Steuersignale an alle Impedanzen angelegt werden, die zwischen einen Ausgangsanschluß und das feste Minuspotential geschaltet sind, und die an den Block 30 angelegten Steuersignale können an alle Impedanzen angelegt werden, die zwischen einen Ausgangsanschluß und das Erdpotential geschaltet sind. Im Fall, wenn ein festes Verhältnis zwischen der Impedanz des Blocks 20 und irgendwelchen anderen Impedanzen besteht, kann zwischen die Steuerschaltungen des Blocks 20 und den Steueranschluß dieser anderen Impedanzen eine Umsetzungsschaltung eingeschaltet werden. Dies ist in Figur 6 dargestellt, wo der Generator 110 für digitale Steuersignale Digitalsignale zu den gesteuerten Impedanzen 103 und 105 der Funktionsschaltung 100 sendet und diese Signale von der Umsetzungsschaltung 102 umgesetzt und zu anderen gesteuerten Impedanzen (z.B. 104) der Funktionsschaltung 100 gesandt werden. Man beachte&sub1; daß die Bezugsquelle 120 sich außerhalb der Schaltung 100 befindet. Die Umsetzschaltung 102 kann in Wirklichkeit veränderlich sein, beispielsweise unter Programmsteuerung, und dies ist in der Figur 7 mit Umsetzern 105-109 dargestellt.
  • Das Diagramm der Figur 3, das den digitalen Impedanzblock 20 darstellt, erzeugt eine Impedanz, die ebenfalls durch ein Eingangssignal (Anschluß 26) gesteuert wird. Grundlegend gibt die Steuerung am Anschluß 26 die Impedanz frei, wenn das entsprechende Eingangssignal angelegt wird, und ansonsten sperrt sie die Impedanz vollständig. Damit wird die Schalterwirkung der Figur 1 realisiert und die Funktion der Digitalsignalsteuerung des Elements 20 ausgeführt. Das Element 20 ist damit nicht allein eine Impedanz, sondern ein Signalübertragungselement mit gesteuerter Impedanz. Wenn ein Anschluß zum Empfangen von Informationen benutzt wird, ist in der am Anschluß gebotenen Impedanz keine derartige Schalterwirkung notwendig und auch nicht gewünscht. Was benötigt wird, ist eher eine feste Eingangsimpedanz mit einem gegebenen Wert. Dies läßt sich einfach dadurch erreichen, daß die NAND-Gatter 25 in der Figur 3 gegen Inverter ausgetauscht werden, die auf die Steuersignale des Busses 21 reagieren. Oder bei gewissen Anwendungen, bei denen die digitale Impedanz der Funktion einer Eingangsabschlußimpedanz dient, kann sie trotzdem durch das Signal am Anschluß 26 ausgeschaltet werden.
  • In manchen Fällen ist bekannt, daß das an einen Eingangsanschluß angelegte Signal einseitig gerichtet ist, in dem Sinne&sub1; daß der Strom stets in einer Richtung durch den Anschluß (z.B. in den Anschluß hinein) fließt. Der Strom kann zwischen einem großen Wert und einem kleinen Wert wechseln, kann aber immer noch einseitig gerichtet sein. Ein solcher Zustand besteht beispielsweise, wenn die ein solches Signal abgebende Quelle eine Vorrichtung mit emittergekoppelter Logik (ECL - emitter coupled logic) ist. Unter solchen Umständen besteht kein Erfordernis, zwei digitale Impedanzen nach der Figur 2 bereitzustellen. Eine genügt.
  • Auch gibt es manche Anwendungen, bei denen Strom an einem Anschluß auf einseitig gerichtete Weise abgegeben wird und es nicht wichtig ist, eine gleiche Impedanz in der anderen Richtung bereitzustellen. Beispielsweise liefert eine eine Laserdiode antreibende integrierte Schaltung Strom für die Diode nur auf Logikpegel 1. Es braucht wiederum nur eine der digitalen Impedanzen der Figur 2 benutzt werden.
  • In der obigen Offenbarung wird hauptsächlich die Frage der Steuerung des Wertes einer an einem Anschluß der Schaltung gebotenen Impedanz angesprochen. Es wird darauf hingewiesen, daß dies eine sehr bedeutende Fähigkeit in der Technik integrierter Schaltungen ist, wo genaue Impedanzen schwer zu erlangen sind. Die Grundsätze der vorliegenden Erfindung können jedoch auf andere Aspekte wie beispielsweise die Steuerung der Fertigungs toleranz anderer Bauteile in den integrierten Schaltungen (und damit die engere Kontrolle der Betriebseigenschaften solcher Schaltungen) angewandt werden. Beispielsweise die Steuerung der Eigenschaften eines MOS-Transistors als Transistor.
  • Bei der Konstruktion einer integrierten Schaltung ist es beinahe immer möglich, die Konstruktion (vor der Herstellung der Schaltung) zu analysieren und Abschnitte der Schaltung bzw. spezifische Elemente der Schaltung, d.h. Transistoren, zu identifizieren, die für den Betrieb der Schaltung in einem Sinn oder einem anderen kritisch sind. Typischerweise ist der Konstrukteure interessierende Parameter die Geschwindigkeit der Schaltung (bzw. der Frequenzgang der Schaltung), die Laufzeit von Signalen durch die Schaltung und der Stromverbrauch der Schaltung. Nach Identifizierung der kritischen Elemente in einer Schaltung kann der Konstrukteur entscheiden, die Konstruktion durch Austauschen aller kritischen Transistoren gegen ihre digitalgeänderten Äquivalente (Elemente der Figur 3) zu ändern. Wenn daher zufälligerweise eine gefertigte integrierte Schaltung die Fertigungsstraße verläßt und alle Transistoren größer als erwartet sind, stellen sich die digitalen Äquivalente während des Betriebes der Schaltung nach den hier offenbarten Grundsätzen selbst ein, um ihre effektive Größe zu verringern. Durch eine Verringerung der effektiven Größe des Transistors wird seine Geschwindigkeit verringert, seine Impedanz erhöht und sein Stromverbrauch reduziert.
  • Die Fähigkeit, die kritischen Transistoren in der Funktionsschaltung 100 zu beeinflussen, ist in der Figur 1 mit Blöcken 100 angedeutet (die je nach ihrer Anordnung in der Schaltung 100 den Blöcken 20 oder 30 gleich sein können). Die Fähigkeit ist nur angedeutet, da die genaue Anordnung der Blöcke 101 in der Schaltung 100 von der Schaltung selbst abhängig ist und keinen Teil der vorliegenden Erfindung bildet.
  • Die obige Offenbarung konzentriert sich auf die Steuerung der effektiven Größe von Transistoren zur Steuerung der Impedanz eines Anschlusses oder zum Kompen sieren von Fertigungsabweichungen in Elementen innerhalb der Funktionsschaltung der integrierten Schaltung. Wie oben offenbart, wird dies mit Hilfe einer Brück& mit einer Bezugsimpedanz 43 und einer "IC-Abtast-"Impedanz 44 erreicht. Die Brückenanordnung entwickelt Signale, die die effektive Größe der Transistoren steuern. Steuerung der effektiven Größe eines digitalbemessenen Transistors muß jedoch nicht auf ein Maß der Abweichung der integrierten Schaltung von einem Bezugswert begrenzt sein. Die effektive Größe des Transistors kann auch aus einem Maß der funktionellen Wirksamkeit der Funktionsschaltung selbst gesteuert werden. Dies ist eine Nutzung der digitalen Größesteuerung eines Transistors im klassischen Rückkopplungs- oder Vorwärtskopplungsmodus.
  • Die Figur 8 zeigt beispielsweise Elemente eines Systems, in dem eine integrierte Schaltung 120 an einem Anschluß 122 an eine Laserdiode 121 angekoppelt ist. Die Lichtausgabe der Laserdiode 121 ist an die Faser 123 angekoppelt, durchläuft die Faser und wird am "entfernten Ende" an den Lichtdetektor 124 angelegt. Die elektronische Ausgabe des Detektors 124 wird an das Spitzendetektormittel 125 angelegt, das die empfangene Signalspitze mit einem gegebenen Schwellwert vergleicht. Mit einer dem Wandler 54 der Figur 4 nicht ungleichen Schaltung wird ein Digitalsignal entwickelt, das anzeigt, wie nahe sich das empfangene Spitzensignal an die durch den gegebenen Schwellwert angegebene Sollspitze annähert. Dieses Digitalsignal wird über den Weg 126 zurück zur integrierten Schaltung 120 übermittelt, wo es entspre chend zwischengespeichert und an die digitalgesteuerte Ansteuerschaltung 127 angelegt wird, die die Laserdiode 121 über den Anschluß 122 ansteuert, um die in die Laserdiode 121 eingespeiste Leistungsmenge zu beeinflussen.

Claims (3)

1. Schaltung zum Steuern elektrischer Eigenschaften zwischen einem Paar von Anschlüssen (22, 23), mit folgendem:
einer Brückenschaltung mit einem zwischen einen ersten Pol der besagten Brücke und einen zweiten Pol (52) der besagten Brücke geschalteten ersten Element (43), einem zwischen den besagten ersten Pol der besagten Brücke und einen Abgleichanschluß (51) geschalteten zweiten Element (41), einem zwischen einen dritten Anschluß der besagten Brücke und den besagten Abgleichanschluß (51) geschalteten dritten Element (52), und einem zwischen den besagten zweiten Pol (52) der besagten Brücke und besagten dritten Anschluß der besagten Brücke geschalteten digitalgesteuerten Bezugsmodul (44);
einem digitalgesteuerten Modul (20) mit dem besagten Paar von Anschlüssen (22, 23) und einem Anschluß (21) für Digitalsignale zur Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften des besagten Moduls (20) zwischen dem besagten Paar von Anschlüssen (22, 23); und
einem zwischen den besagten Abgleichanschluß (51) und besagten zweiten Pol (52) geschalteten Vergleichermodul (53);
wobei das besagte Vergleichermodul (53) zur Entwicklung von Digitalsignalen zur Steuerung des digitalgesteuerten Bezugsmoduls (44) und zur Entwicklung von an den besagten Anschluß (21) für Digitalsignale des besagten digitalgesteuerten Moduls (20) angelegten Digitalsignalen dient, wobei das besagte Vergleichermodul (53) einen zwischen den besagten Abgleichanschluß (51) und besagten zweiten Pol geschalteten Vergleicher, ein Taktimpulserzeugungsmittel (55) und einen Wandler (54) der auf den besagten Vergleicher und das besagte Taktimpulserzeugungsmittel (55) reagiert, um besagte Steuersignale zur Steuerung des besagten digitalgesteuerten Bezugsmoduls (44) zu entwickeln, aufweist,
dadurch gekennzeichnet, daß
das besagte digitalgesteuerte Modul (20) auf einem Substrat einer integrierten Schaltung aufgebaut ist und kein Element der besagten Brückenschaltung ist;
das besagte digitalgesteuerte Bezugsmodul (44) auf dem besagten Substrat der integrierten Schaltung aufgebaut ist;
das besagte erste Element ein Bezugselement (43) ist und auf einem anderen als dem besagten Substrat der integrierten Schaltung aufgebaut ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, wobei das besagte Bezugselement (43) ein Impedanzelement ist.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, mit folgenden:
einem auf den besagten Vergleicher (53) reagierenden Folgedetektor (56) zur Erkennung einer vom besagten Vergleicher (53) entwickelten Signalfolge, und ein auf den besagten Wandler (54) und den besag ten Folgedetektor (56) reagierendes Register (57) zur Entwicklung der besagten an den besagten Anschluß (21) für Digitalsignale angelegten Digitalsignale.
DE69216918T 1991-06-28 1992-06-18 Digitale Kalibriervorrichtung Expired - Lifetime DE69216918T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/724,560 US5194765A (en) 1991-06-28 1991-06-28 Digitally controlled element sizing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69216918D1 DE69216918D1 (de) 1997-03-06
DE69216918T2 true DE69216918T2 (de) 1997-05-15

Family

ID=24910925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69216918T Expired - Lifetime DE69216918T2 (de) 1991-06-28 1992-06-18 Digitale Kalibriervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5194765A (de)
EP (1) EP0520685B1 (de)
CA (1) CA2071035C (de)
DE (1) DE69216918T2 (de)

Families Citing this family (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5254883A (en) * 1992-04-22 1993-10-19 Rambus, Inc. Electrical current source circuitry for a bus
US5414254A (en) * 1993-04-22 1995-05-09 Honeywell Inc. Optical switch with tamper indicating feature for discouraging the use of an external light source to defeat the intended operation of the optical switch
JPH0738408A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Sharp Corp バッファ回路
GB9404013D0 (en) * 1994-03-02 1994-04-20 Inmos Ltd Current generating unit
SE502766C2 (sv) * 1994-03-23 1996-01-08 Ellemtel Utvecklings Ab Kopplingsarrangemang
JP3332115B2 (ja) * 1994-04-08 2002-10-07 株式会社東芝 多入力トランジスタおよび多入力トランスコンダクタ回路
EP0717501A1 (de) * 1994-12-15 1996-06-19 Advanced Micro Devices, Inc. Pufferschaltung mit programmierbarer Treibfähigkeit
US5621335A (en) * 1995-04-03 1997-04-15 Texas Instruments Incorporated Digitally controlled output buffer to incrementally match line impedance and maintain slew rate independent of capacitive output loading
US5721144A (en) * 1995-04-27 1998-02-24 International Business Machines Corporation Method of making trimmable modular MOSFETs for high aspect ratio applications
JPH09140126A (ja) * 1995-05-30 1997-05-27 Linear Technol Corp 適応スイッチ回路、適応出力回路、制御回路およびスイッチング電圧レギュレータを動作させる方法
US6462603B1 (en) * 1995-08-08 2002-10-08 Bryan M. H. Pong Solid-state relay
US5770969A (en) * 1995-08-22 1998-06-23 International Business Machines Corporation Controllable decoupling capacitor
EP0763891A1 (de) * 1995-09-07 1997-03-19 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Verbindungsanordnung
US5638007A (en) * 1995-09-26 1997-06-10 Intel Corporation Method and apparatus for limiting the slew rate of output drivers of an integrated circuit by using programmable flash cells
US5703496A (en) * 1995-09-26 1997-12-30 Intel Corporation Method and apparatus for limiting the slew rate of output drivers by selectively programming the threshold voltage of flash cells connected thereto
US6026456A (en) * 1995-12-15 2000-02-15 Intel Corporation System utilizing distributed on-chip termination
US5705937A (en) * 1996-02-23 1998-01-06 Cypress Semiconductor Corporation Apparatus for programmable dynamic termination
US5838631A (en) 1996-04-19 1998-11-17 Integrated Device Technology, Inc. Fully synchronous pipelined ram
US6009487A (en) * 1996-05-31 1999-12-28 Rambus Inc. Method and apparatus for setting a current of an output driver for the high speed bus
US5731711A (en) * 1996-06-26 1998-03-24 Lucent Technologies Inc. Integrated circuit chip with adaptive input-output port
US5757249A (en) * 1996-10-08 1998-05-26 Lucent Technologies Inc. Communication system having a closed loop bus structure
US5872736A (en) * 1996-10-28 1999-02-16 Micron Technology, Inc. High speed input buffer
US5917758A (en) 1996-11-04 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Adjustable output driver circuit
US5949254A (en) * 1996-11-26 1999-09-07 Micron Technology, Inc. Adjustable output driver circuit
US6115318A (en) * 1996-12-03 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Clock vernier adjustment
US5838177A (en) * 1997-01-06 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Adjustable output driver circuit having parallel pull-up and pull-down elements
US5940608A (en) * 1997-02-11 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating an internal clock signal that is synchronized to an external clock signal
US5920518A (en) * 1997-02-11 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Synchronous clock generator including delay-locked loop
US6912680B1 (en) 1997-02-11 2005-06-28 Micron Technology, Inc. Memory system with dynamic timing correction
US5956502A (en) * 1997-03-05 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Method and circuit for producing high-speed counts
US5946244A (en) 1997-03-05 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Delay-locked loop with binary-coupled capacitor
US5870347A (en) 1997-03-11 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Multi-bank memory input/output line selection
US5831472A (en) * 1997-03-31 1998-11-03 Adaptec, Inc. Integrated circuit design for single ended receiver margin tracking
US5822200A (en) * 1997-04-21 1998-10-13 Nt International, Inc. Low level, high efficiency DC/DC converter
US6014759A (en) * 1997-06-13 2000-01-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for transferring test data from a memory array
US6173432B1 (en) * 1997-06-20 2001-01-09 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating a sequence of clock signals
US6411131B1 (en) 1997-06-25 2002-06-25 Sun Microsystems, Inc. Method for differentiating a differential voltage signal using current based differentiation
US6060907A (en) * 1997-06-25 2000-05-09 Sun Microsystems, Inc. Impedance control circuit
US5955894A (en) * 1997-06-25 1999-09-21 Sun Microsystems, Inc. Method for controlling the impedance of a driver circuit
US5990701A (en) * 1997-06-25 1999-11-23 Sun Microsystems, Inc. Method of broadly distributing termination for buses using switched terminators
US6281714B1 (en) 1997-06-25 2001-08-28 Sun Microsystems, Inc. Differential receiver
US5982191A (en) * 1997-06-25 1999-11-09 Sun Microsystems, Inc. Broadly distributed termination for buses using switched terminator logic
US6085033A (en) * 1997-06-25 2000-07-04 Sun Microsystems, Inc. Method for determining bit element values for driver impedance control
US5953284A (en) * 1997-07-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adaptively adjusting the timing of a clock signal used to latch digital signals, and memory device using same
US6044429A (en) 1997-07-10 2000-03-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for collision-free data transfers in a memory device with selectable data or address paths
US6011732A (en) * 1997-08-20 2000-01-04 Micron Technology, Inc. Synchronous clock generator including a compound delay-locked loop
KR100318685B1 (ko) * 1997-08-22 2002-02-19 윤종용 프로그래머블임피던스콘트롤회로
DE69840141D1 (de) * 1997-08-29 2008-11-27 Rambus Inc Stromsteuerungstechnik
US5926047A (en) * 1997-08-29 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Synchronous clock generator including a delay-locked loop signal loss detector
US6870419B1 (en) 1997-08-29 2005-03-22 Rambus Inc. Memory system including a memory device having a controlled output driver characteristic
US6094075A (en) 1997-08-29 2000-07-25 Rambus Incorporated Current control technique
US6101197A (en) * 1997-09-18 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting the timing of signals over fine and coarse ranges
US6008683A (en) * 1997-10-31 1999-12-28 Credence Systems Corporation Switchable load for testing a semiconductor integrated circuit device
US6147520A (en) * 1997-12-18 2000-11-14 Lucent Technologies, Inc. Integrated circuit having controlled impedance
US5923594A (en) * 1998-02-17 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for coupling data from a memory device using a single ended read data path
US6115320A (en) 1998-02-23 2000-09-05 Integrated Device Technology, Inc. Separate byte control on fully synchronous pipelined SRAM
US6269451B1 (en) 1998-02-27 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting data timing by delaying clock signal
DE19820248B4 (de) * 1998-05-06 2006-02-23 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Ausgangspufferschaltkreis mit umschaltbarem Ausgangs-Gleichtaktpegel
GB2350247B (en) * 1998-05-22 2003-02-19 Seagate Technology Adaptive low-noise current generator and method
US6326821B1 (en) 1998-05-22 2001-12-04 Agere Systems Guardian Corp. Linearly-controlled resistive element apparatus
US6016282A (en) * 1998-05-28 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Clock vernier adjustment
US6405280B1 (en) 1998-06-05 2002-06-11 Micron Technology, Inc. Packet-oriented synchronous DRAM interface supporting a plurality of orderings for data block transfers within a burst sequence
US6338127B1 (en) 1998-08-28 2002-01-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for resynchronizing a plurality of clock signals used to latch respective digital signals, and memory device using same
US6349399B1 (en) * 1998-09-03 2002-02-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating expect data from a captured bit pattern, and memory device using same
US6279090B1 (en) 1998-09-03 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for resynchronizing a plurality of clock signals used in latching respective digital signals applied to a packetized memory device
US6433618B1 (en) * 1998-09-03 2002-08-13 International Business Machines Corporation Variable power device with selective threshold control
US6029250A (en) * 1998-09-09 2000-02-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adaptively adjusting the timing offset between a clock signal and digital signals transmitted coincident with that clock signal, and memory device and system using same
KR100307634B1 (ko) * 1998-11-04 2001-11-07 윤종용 전류제어 회로 및 이를 구비하는 패킷 방식 반도체 메모리장치
US6232814B1 (en) * 1998-11-10 2001-05-15 Intel Corporation Method and apparatus for controlling impedance on an input-output node of an integrated circuit
US6430696B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for high speed data capture utilizing bit-to-bit timing correction, and memory device using same
US6374360B1 (en) 1998-12-11 2002-04-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for bit-to-bit timing correction of a high speed memory bus
US6163178A (en) * 1998-12-28 2000-12-19 Rambus Incorporated Impedance controlled output driver
US6157206A (en) * 1998-12-31 2000-12-05 Intel Corporation On-chip termination
US6470060B1 (en) 1999-03-01 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating a phase dependent control signal
US6425097B1 (en) * 1999-05-27 2002-07-23 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for testing an impedance-controlled input/output (I/O) buffer in a highly efficient manner
US6278306B1 (en) 1999-06-07 2001-08-21 Sun Microsystems, Inc. Method for an output driver with improved slew rate control
US6366139B1 (en) 1999-06-07 2002-04-02 Sun Microsystems, Inc. Method for an output driver with improved impedance control
US6281729B1 (en) 1999-06-07 2001-08-28 Sun Microsystems, Inc. Output driver with improved slew rate control
US6339351B1 (en) 1999-06-07 2002-01-15 Sun Microsystems, Inc. Output driver with improved impedance control
US7069406B2 (en) * 1999-07-02 2006-06-27 Integrated Device Technology, Inc. Double data rate synchronous SRAM with 100% bus utilization
US6606705B1 (en) 1999-09-15 2003-08-12 Intel Corporation Method and apparatus for configuring an I/O buffer having an initialized default signaling level to operate at a sampled external circuit signaling level
US6316957B1 (en) 1999-09-20 2001-11-13 Sun Microsystems, Inc. Method for a dynamic termination logic driver with improved impedance control
US6297677B1 (en) 1999-09-20 2001-10-02 Sun Microsystems, Inc. Method for a dynamic termination logic driver with improved slew rate control
US6294924B1 (en) 1999-09-20 2001-09-25 Sun Microsystems, Inc. Dynamic termination logic driver with improved slew rate control
US6420913B1 (en) 1999-09-20 2002-07-16 Sun Microsystems, Inc. Dynamic termination logic driver with improved impedance control
US7051130B1 (en) 1999-10-19 2006-05-23 Rambus Inc. Integrated circuit device that stores a value representative of a drive strength setting
US7124221B1 (en) * 1999-10-19 2006-10-17 Rambus Inc. Low latency multi-level communication interface
US6396329B1 (en) 1999-10-19 2002-05-28 Rambus, Inc Method and apparatus for receiving high speed signals with low latency
US7161513B2 (en) * 1999-10-19 2007-01-09 Rambus Inc. Apparatus and method for improving resolution of a current mode driver
US7269212B1 (en) 2000-09-05 2007-09-11 Rambus Inc. Low-latency equalization in multi-level, multi-line communication systems
US6321282B1 (en) * 1999-10-19 2001-11-20 Rambus Inc. Apparatus and method for topography dependent signaling
US6646953B1 (en) * 2000-07-06 2003-11-11 Rambus Inc. Single-clock, strobeless signaling system
US7031420B1 (en) * 1999-12-30 2006-04-18 Silicon Graphics, Inc. System and method for adaptively deskewing parallel data signals relative to a clock
US6624662B1 (en) * 2000-06-30 2003-09-23 Intel Corporation Buffer with compensating drive strength
US7248635B1 (en) 2000-07-20 2007-07-24 Silicon Graphics, Inc. Method and apparatus for communicating computer data from one point to another over a communications medium
US6703908B1 (en) * 2000-07-20 2004-03-09 Silicon Graphic, Inc. I/O impedance controller
US7333516B1 (en) 2000-07-20 2008-02-19 Silicon Graphics, Inc. Interface for synchronous data transfer between domains clocked at different frequencies
US6831924B1 (en) 2000-07-20 2004-12-14 Silicon Graphics, Inc. Variable mode bi-directional and uni-directional computer communication system
US20030009924A1 (en) * 2000-11-03 2003-01-16 Sajadian Zahra Nassrin Outdoor numeric/allphabetic lighting
US7079775B2 (en) 2001-02-05 2006-07-18 Finisar Corporation Integrated memory mapped controller circuit for fiber optics transceiver
US6566904B2 (en) 2001-05-07 2003-05-20 Cicada Semiconductor, Inc. Pad calibration circuit with on-chip resistor
GB0111313D0 (en) * 2001-05-09 2001-07-04 Broadcom Corp Digital-to-analogue converter using an array of current sources
US6545522B2 (en) 2001-05-17 2003-04-08 Intel Corporation Apparatus and method to provide a single reference component for multiple circuit compensation using digital impedance code shifting
JP4657497B2 (ja) * 2001-06-07 2011-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 可変インピーダンス回路
US6801989B2 (en) * 2001-06-28 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Method and system for adjusting the timing offset between a clock signal and respective digital signals transmitted along with that clock signal, and memory device and computer system using same
US6806728B2 (en) * 2001-08-15 2004-10-19 Rambus, Inc. Circuit and method for interfacing to a bus channel
CN1244986C (zh) * 2001-08-31 2006-03-08 松下电器产业株式会社 驱动电路
US6756858B2 (en) * 2001-12-12 2004-06-29 Agilent Technologies, Inc. Conductive path compensation for matching output driver impedance
US6642742B1 (en) 2002-03-21 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling output impedance
US7362800B1 (en) 2002-07-12 2008-04-22 Rambus Inc. Auto-configured equalizer
US7292629B2 (en) 2002-07-12 2007-11-06 Rambus Inc. Selectable-tap equalizer
US8861667B1 (en) 2002-07-12 2014-10-14 Rambus Inc. Clock data recovery circuit with equalizer clock calibration
US6998875B2 (en) * 2002-12-10 2006-02-14 Ip-First, Llc Output driver impedance controller
US6985008B2 (en) * 2002-12-13 2006-01-10 Ip-First, Llc Apparatus and method for precisely controlling termination impedance
US6949949B2 (en) * 2002-12-17 2005-09-27 Ip-First, Llc Apparatus and method for adjusting the impedance of an output driver
US7119549B2 (en) * 2003-02-25 2006-10-10 Rambus Inc. Output calibrator with dynamic precision
US7215891B1 (en) 2003-06-06 2007-05-08 Jds Uniphase Corporation Integrated driving, receiving, controlling, and monitoring for optical transceivers
US7168027B2 (en) 2003-06-12 2007-01-23 Micron Technology, Inc. Dynamic synchronization of data capture on an optical or other high speed communications link
US6924660B2 (en) 2003-09-08 2005-08-02 Rambus Inc. Calibration methods and circuits for optimized on-die termination
US7088127B2 (en) * 2003-09-12 2006-08-08 Rambus, Inc. Adaptive impedance output driver circuit
US6922082B2 (en) * 2003-09-30 2005-07-26 Intel Corporation Select logic for low voltage swing circuits
US7234070B2 (en) * 2003-10-27 2007-06-19 Micron Technology, Inc. System and method for using a learning sequence to establish communications on a high-speed nonsynchronous interface in the absence of clock forwarding
GB0328574D0 (en) * 2003-12-10 2004-01-14 Ibm Electronic component value trimming systems
US6980020B2 (en) * 2003-12-19 2005-12-27 Rambus Inc. Calibration methods and circuits for optimized on-die termination
US7817674B2 (en) 2004-01-09 2010-10-19 Vitesse Semiconductor Corporation Output clock adjustment for a digital I/O between physical layer device and media access controller
US7049875B2 (en) * 2004-06-10 2006-05-23 Theta Microelectronics, Inc. One-pin automatic tuning of MOSFET resistors
US7196567B2 (en) * 2004-12-20 2007-03-27 Rambus Inc. Systems and methods for controlling termination resistance values for a plurality of communication channels
US7327167B2 (en) * 2005-04-28 2008-02-05 Silicon Graphics, Inc. Anticipatory programmable interface pre-driver
TWI286883B (en) * 2005-05-19 2007-09-11 Rdc Semiconductor Co Ltd Tristate operating mode setting device
US7389194B2 (en) * 2005-07-06 2008-06-17 Rambus Inc. Driver calibration methods and circuits
US7439760B2 (en) 2005-12-19 2008-10-21 Rambus Inc. Configurable on-die termination
US7923710B2 (en) * 2007-03-08 2011-04-12 Akros Silicon Inc. Digital isolator with communication across an isolation barrier
TW200910373A (en) * 2007-06-08 2009-03-01 Mosaid Technologies Inc Dynamic impedance control for input/output buffers
US8531848B2 (en) * 2007-12-07 2013-09-10 METAMEMS Corp. Coulomb island and Faraday shield used to create adjustable Coulomb forces
US20090149038A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 Metamems Llc Forming edge metallic contacts and using coulomb forces to improve ohmic contact
US7946174B2 (en) * 2007-12-07 2011-05-24 METAMEMS Corp. Decelerometer formed by levitating a substrate into equilibrium
US7863651B2 (en) 2007-12-07 2011-01-04 METAMEMS Corp. Using multiple coulomb islands to reduce voltage stress
US8159809B2 (en) * 2007-12-07 2012-04-17 METAMEMS Corp. Reconfigurable system that exchanges substrates using coulomb forces to optimize a parameter
US7728427B2 (en) * 2007-12-07 2010-06-01 Lctank Llc Assembling stacked substrates that can form cylindrical inductors and adjustable transformers
US7812336B2 (en) * 2007-12-07 2010-10-12 METAMEMS Corp. Levitating substrate being charged by a non-volatile device and powered by a charged capacitor or bonding wire
US7965489B2 (en) * 2007-12-07 2011-06-21 METAMEMS Corp. Using coulomb forces to form 3-D reconfigurable antenna structures
US8008070B2 (en) * 2007-12-07 2011-08-30 METAMEMS Corp. Using coulomb forces to study charateristics of fluids and biological samples
US8018009B2 (en) * 2007-12-07 2011-09-13 METAMEMS Corp. Forming large planar structures from substrates using edge Coulomb forces
TWI330372B (en) * 2008-02-14 2010-09-11 Au Optronics Corp Bidirectional controlling device for increasing resistance of elements on voltage stress
US20110019760A1 (en) * 2009-07-21 2011-01-27 Rambus Inc. Methods and Systems for Reducing Supply and Termination Noise
DE102009057107B4 (de) 2009-12-04 2011-11-10 Micronas Gmbh Verfahren und Schaltungsanordnung zum Steuern von Schalttransistoren einer integrierten Schaltung
US8030968B1 (en) * 2010-04-07 2011-10-04 Intel Corporation Staged predriver for high speed differential transmitter
US10423545B2 (en) 2015-07-08 2019-09-24 International Business Machines Corporation Adjusting an optimization parameter to customize a signal eye for a target chip on a shared bus
US10241937B2 (en) 2015-07-08 2019-03-26 International Business Machines Corporation Adjusting an optimization parameter to customize a signal eye for a target chip on a shared bus
US10114788B2 (en) * 2015-07-08 2018-10-30 International Business Machines Corporation Adjusting an optimization parameter to customize a signal eye for a target chip on a shared bus
CN113253787A (zh) * 2021-06-17 2021-08-13 苏州裕太微电子有限公司 一种芯片内电阻校正电路

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5116114B1 (de) * 1971-07-28 1976-05-21
US4310754A (en) * 1976-07-14 1982-01-12 Pitney Bowes Inc. Communication means with transducer physically spaced from interior wall of secure housing
US4592057A (en) * 1981-03-23 1986-05-27 International Business Machines Corporation Versatile digital controller for light emitting semiconductor devices
US4598198A (en) * 1984-05-21 1986-07-01 Banner Engineering Corp. Automatic power control for modulated LED photoelectric devices
US4584492A (en) * 1984-08-06 1986-04-22 Intel Corporation Temperature and process stable MOS input buffer
NL8403693A (nl) * 1984-12-05 1986-07-01 Philips Nv Adaptief electronisch buffersysteem.
DE3505983A1 (de) * 1985-02-21 1986-08-21 Audio System DB AG, Basel Schaltungsanordnung zur elektronischen erzeugung einer widerstandseinstellung und damit aufgebauter audio-anlage
US4855623A (en) * 1987-11-05 1989-08-08 Texas Instruments Incorporated Output buffer having programmable drive current
US4825101A (en) * 1988-02-11 1989-04-25 Advanced Micro Devices, Inc. Full-level, fast CMOS output buffer
IT1232421B (it) * 1989-07-26 1992-02-17 Cselt Centro Studi Lab Telecom Sistema automatico per l adattamento dell impedenza d uscita di cir cuiti di pilotaggio veloci in tecnologia cmos
US5134311A (en) * 1990-06-07 1992-07-28 International Business Machines Corporation Self-adjusting impedance matching driver
US5170073A (en) * 1991-10-24 1992-12-08 Intel Corporation Ultra-low noise port output driver circuit

Also Published As

Publication number Publication date
CA2071035A1 (en) 1992-12-29
DE69216918D1 (de) 1997-03-06
US5194765A (en) 1993-03-16
EP0520685A1 (de) 1992-12-30
CA2071035C (en) 1997-10-21
EP0520685B1 (de) 1997-01-22
US5298800A (en) 1994-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69216918T2 (de) Digitale Kalibriervorrichtung
DE69716970T2 (de) Einstellbare Ausgangstreiberschaltung
DE19946154C2 (de) Spannungsgesteuerter Niedervolt-Oszillator mit geringer Schwankungsbreite
DE4412055C1 (de) CMOS-Abschlußwiderstandsschaltung
DE69737344T2 (de) Pulsbreitenregler
DE69412652T2 (de) Übermittlung von logischen Signalen sehr niedriger Spannung zwischen CMOS-Chips für eine grosse Anzahl Hochgeschwindigkeitsausgangsleitungen mit jeweils grosser kapazitiver Last
DE3872762T2 (de) Referenzspannungsgeneratorschaltung.
DE3782367T2 (de) Mos-halbleiterschaltung.
DE10047451B4 (de) Datenausgabeschaltkreis für ein Halbleiterbauelement
DE69618123T2 (de) Ausgangsschaltung
DE3875870T2 (de) Cmos/ecl konverter-ausgangspufferschaltung.
DE3906927C2 (de)
DE69117553T2 (de) Ausgangsschaltung
DE3627681A1 (de) Ausgangsschaltung
DE19637444C2 (de) Eingabeschaltung
DE69118214T2 (de) Digitaler Halbleiterschaltkreis
DE69317249T2 (de) Automatische Steuerung der Schaltgeschwindigkeit einer Pufferschaltung
DE68907451T2 (de) Ausgangstreiberschaltung für Halbleiter-IC.
DE69624016T2 (de) CMOS-PECL-Pegelumsetzungsschaltung
DE69220523T2 (de) Sender-Empfänger für gleichzeitige, bidirektionelle Datenübertragung im Basisband
DE69725829T2 (de) Halbleiterausgangpufferschaltung
DE19937829A1 (de) Schaltung, Verfahren und Vorrichtung zum Ausgeben, Eingeben bzw. Empfangen von Daten
DE19717331A1 (de) Treiberschaltung
DE68916612T2 (de) ECL/CMOS-Pegelwandler.
DE69621576T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right

Ref document number: 520685

Country of ref document: EP