DE69213837T2

DE69213837T2 - Dünnfilm-Lese-/Schreibkopf ohne Pol-Umgreifeffekt

Info

Publication number: DE69213837T2
Application number: DE1992613837
Authority: DE
Inventors: John Kirchberg; Paul Michalek; John Rice; Ray Riggles; Victor Zieren
Original assignee: Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1991-06-18
Filing date: 1992-06-11
Publication date: 1997-03-13
Anticipated expiration: 2012-06-12
Also published as: EP0519558A1; JPH07182622A; DE69213837D1; EP0519558B1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf magnetische Aufzeichungs- und Wiedergabeköpfe und insbesondere auf kombinierte Dünnfilm-Schreib-/Lese- Magnetköpfe.
Bei Magnetbändern wird Information in parallelen, in einem Abstand voneinander liegenden Spuren auf dem Band aufgezeichnet, bzw. von demselben ausgelesen. Zur Steigerung der Informationsdichte wurde die Breite der Spuren sowie der Raum zwischen denselben ständig verringert.
Zum Erzielen von Magnetköpfen mit entsprechend geringen Abmessungen werden solche Köpfe nun unter Anwendung von Dünnfilmtechniken hergestellt, und zwar von dem Typ, der bei der Herstellung integrierter Schaltungen auf Siliziumträgern angewandt wird. Die resultierenden Magnetköpfe bestehen aus dünnen Schichten aus magnetisch permeablem und im wesentlichen magnetisch undurchlässigem Werkstoff.
Diese Annäherung bietet die Möglichkeit einer integralen Kombination der Lese- und Schreibköpfe in einer einzigen Struktur. Eine solche Struktur, bei der ein magnetorestriktives Element (nachstehend als "MRE" bezeichnet) unterhalb eines Spaltes in dem unteren Flußleiter des Lesekopfes vorgesehen wird, ist in US-A- 5.269.895 mit dem Priortätsdatum 21.05.91 beschrieben und beansprucht.
Um ein Auslesen benachbarter Spuren durch Bandlauffehler zu vermeiden, ist der Schreibkopf bei solchen Strukturen typisch breiter als beispielsweise die doppelte Breite des Lesekopfes. Bei dem Bandformat der jüngsten vorgeschlagenen digitalen Compact-Kassetten (DCC) beträgt die Spurbreite 185 bis 195 µm, wobei die Schreibkopfbreite 180 µm beträgt und die Lesekopfbreite 70 µm.
Ein mit einer solchen Struktur einher gehendes Problem ist ein Signalverlust, der beim Lesen auftritt, wenn die Mitte des Lesekopfes in seitlicher Richtung gegenüber der Mitte der Spur verschoben ist, sogar wenn der Lesekopf noch völlig innerhalb der Grenzen der Spur liegt.
Es ist nun u.a. eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen kombinierten Dünnfilm-Lese-/Schreib-Magnetkopf der obengenannten Art zu schaffen, wobei der Signalverlust, der beim Lesen auftritt, wenn der Lesekopf gegenüber der Mitte der Spur in seitlicher Richtung verschoben ist, wesentlich verringert bzw. ausgeschaltet wird.
Nach der Erfindung zeigte es sich, daß dieser Signalverlust der Tatsache zuzuschreiben ist, daß die Schichten in der Dünnfilmstruktur über der (den) relativ schmalen Schicht bzw. Schichten , welche die Breite des Lesekopfes bestimm(en)t, beispielsweise die unteren Flußleiter, diese relativ schmalen Schichten "umgreifen", wodurch ein vertikaler Offset der Außenteile des Schreibspaltes in bezug auf den zentralen Punkt des Schreibspaltes über diesen relativ schmalen Schichten verursacht wird.
Der Ausdruck "umgreifen" bezieht sich auf eine gestufte Schicht oder Struktur, die entsteht, wenn eine Dünnfilmschicht ober auf einer Schicht gebildet wird, die eine geringere Breite hat, oder auf einer anderen solchen gestuften Schicht.
Dieser Signalverlust wird auch nach der Erfindung dadurch verringert bzw. ausgeschaltet, daß dieser vertikale Offset in dem Schreibspalt verringert bzw. eliminiert wird.
Auf diese Weise weist der kombinierte Dünnfilm-Lese-/Schreib-Magnetkopf nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Anzahl Dünnfilmschichten auf, die einen Lesekopf mit einem Lesespalt und einen Schreibkopf mit einem Schreibspalt bilden, wobei der Schreibkopf, in Richtung der Normalen auf die Bandträgerfläche des kombinierten Kopfes gesehen, eine Breite hat, die größer ist als die Breite des Lesekopfes, und wobei wenigstens einige der Dünnfilmschichten über der lesekopfbreitenbestimmenden Schicht einen vertikalen Offset der Außenteile gegenüber den zentralen Teilen über der lesekopfbreitenbestimmenden Schicht aufweisen, mit dem Kennzeichen, daß der vertikale Offset in der schreibspaltbestimmenden Schicht kleiner ist als der durch die lesekopfbreitenbestimmende Schicht verursachte vertikale Offset.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der vertikale Offset in dem Schreibspalt kleiner als 33 % von λ, wobei λ die kürzeste Wellenlänge bzw. die doppelte Bitlänge der aufgezeichneten Information ist und vorzugsweise gibt es nahezu keinen durch die lesekopfbreitenbestimmende Schicht verursachten vertikalen Offset und vorzugsweise gibt es nahezu keinen vertikalen Offset in dem Schreibspalt.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung sind auf den Außengebieten wenigstens einer der Schichten mit vertikalem Offset Offsetverringerungsschichten vorgesehen.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist der vertikale Offset in der unteren Fläche wenigstens einer der Schichten über der lesekopfbreitenbestimmenden Schicht und unterhalb der schreibspaltbestimmenden Schicht kleiner als der vertikale Offset in der oberen Fläche und vorzugsweise ist die obere Fläche nahezu flach.
Ein kombinierter Dünnfilm-Lese-/Schreib-Magnetkopf nach einem anderen Aspekt der Erfindung ist in Anspruch 7 definiert.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird dieser Offset durch Verringerung oder Eliminierung des Offsets in der lesekopfspaltbestimmenden Isolierschicht, beispielsweise durch Bildung einer zweiten Isolierschicht auf dieser Schicht, vorzugsweise mit derselben Dicke wie diese Schicht, wobei dann danach derjenige Teil der zweiten Schicht, der die Flußleiter überlappt, beispielsweise durch selektives Ätzen, entfernt wird, verringert bzw. ausgeschaltet.
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird der Offset durch Planierung der oberen Fläche des oberen Flußleiters des Lesekopfes oder des unteren Pols des Schreibkopfes verringert bzw. ausgeschaltet (diese Schichten können entweder getrennt oder zu einer einzigen gemeinsamen Schicht kombiniert werden, wie in dem obengenannten US-A-5.269.895 beschrieben, und zwar durch chemisches oder Plasmaätzen oder durch mechanisches Schleifen oder Polieren vor der Bildung der zusätzlichen Schichten der Struktur.
Nach einer noch anderen Ausführungsform der Erfindung wird der Offset verringert bzw. ausgeschaltet durch Vergrabung der unteren Flußleiterschichten in der unterliegenden Schicht, die diese Flußleiterschichten gegenüber dem MRE isoliert.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch einen bekannten kombinierten Dünnfilm-Lese/Schreibmagnetkopf, gesehen in Richtung der Normalen auf der Bandträgerfläche,
Fig. 2 einen Schnitt gemäß dem nach Fig. 1 für eine Ausführungsform des erfindungsgemaßen Kopfes,
Fig. 3 und 4 einen Schnitt gemäß dem nach Fig. 2 für zwei zusätzliche Ausführungsformen nach der Erfindung,
Fig. 5 eine schematische darstellung des seitlichen Offsets, der zwischen der Mitte der schreibdefinierten Spur und dem lesekopf auftreten kann,
Fig. 6 eine Graphik der berechneten Beziehung zwischen genormter Signalstarke Urms/Urms, max und Lesespur-Offset, Δ;
Fig. 7 eine Graphik entsprechend der aus Fig. 6 für genormte Signalstärke und Signalverlust gegenüber der Stufe in der Abfaliflanke des Schreibspaltes δ geteilt durch die Bitlänge λ der aufgezeichneten Information, von 0 bis 1; und
Fig. 8 eine Graphik gemessener Signalstärke gegenüber Lesespur-Offset für einen bekannten kombinierten Dünnfilm-Lese-/Schreib-Magnetkopf.
Fig. 1 zeigt einen Schnitt, gesehen in der Richtung der Normalen auf der Bandträgerfläche, durch einen kombinierten Dünnfilm-Lese-/Schreib-Magnetkopf vom Typ, bei dem sich unterhalb eines Spaltes zwischen zwei unteren Flußleiterteilen ein MRE befindet, wie in der obengenannten US-A-5.269.895 beschrieben ist. (Der Schnitt gemäß Fig. 1 liegt zwischen der Bandträgerfläche und dem MRE, und umfaßt folglich nicht das MRE).
Ein Träger 12 aus im wesentlichen magnetisch undurchlässigem Material, wie Al&sub2;O&sub3;/TiO&sub2; trägt die Kopfstruktur. Zum Erhalten einer nahezu ebenen Oberfläche, auf der zum Ablagern des MREs und zum Schaffen einer elektrischen Isolierung zwischen dem MRE und der Oberfläche wird eine relativ dicke Schicht 14 aus elektrisch isolierendem und im wesentlichen magnetisch undruchlässigem Material, wie Al&sub2;O&sub3;, auf dem Träger angebracht und poliert. Um scharfe Kratzer zu bedecken, die bei herkömmlichen Poliertechniken zurückbleiben, wird eine verhältnismäßig dünne Deckschicht 16 aus einem elektrisch isolierenden und magnetisch nahezu undurchlässigem material, wie Al&sub2;O&sub3;, auf der Schicht 14 angebracht.
Nach der Bildung des MREs (im Schnitt nicht dargestellt) wird die elektrische Isolierung gegenüber den darüber liegenden Flußleiterteilen vorgesehen durch die Schicht 18 aus einem elektrisch isolierenden Material, wie Al&sub2;O&sub3;, und werden die unteren Flußleiterteile auf der Isolierschicht 18 angebracht, wobei der vordere Teil 20 in der Figur dargestellt ist, der aus einem magnetisch permeablen Material, wie Permalloy, besteht. Diese Flußleiterteile werden beispielsweise dadurch gebildet, daß zunächst eine kontinuierliche Schicht angebracht wird und daß das unerwünschte Material danach weggeätzt wird, oder durch selektive Niederschlagtechniken.
Der Lesespalt des Lesekopfes wird durch die Schicht 22 aus magnetisch undurchlässigem Material, wie Al&sub2;O&sub3;, definiert, die über die unteren Flußleiterteile angebracht ist. Über diese Schicht wird danach die Schicht 24 aus magnetisch undurchlässigem material, wie Permalloy, angebracht, die nicht nur als oberer Flußleiter des Lesekopfes wirksam ist, sondern auch der untere Pol des Schreibkopfes ist. Dieser "gemeinsame" Flußleiter kann auf bequeme Weise durch herkömmliche Techniken, wie Plattierung, angebracht werden.
Eine Deckschicht 26 aus nahezu magnetisch undurchlässigem Material, wie Al&sub2;O&sub3;, definiert den Schreibspalt, und eine magnetisch permeable Schicht 28 bildet den oberen Pol des Schreibkopfes, wodurch die kombinierte Dünnfilm-Lese-/Schreib- Kopfstruktur vervollständigt wird.
Die Breite "r" der unteren Flußleiterteile definiert die Breite des Lesekopfteus des kombinierten Lese-/Schreibkopfes, der, wie aus der Figur hervorgeht, wesentlich schmaler ist als die Breite "w" des darüber liegenden Schreibkopfes.
Wegen der relativ geringen Breite der Flußleiterteile heben die Deckschichten je einen zentralen Teil 22a bis 28a über dem Flußleiterteil 20, und Außenteile 22b bis 28b und 22c bis 28c, gegenüber dem zentralen Teil in vertikaler Richtung versetzt.
Nach der Erfindung hat es sich gezeigt, daß der vertikale Off-set des Schreibspaltes, nachstehend als "umgreifend" bezeichnet, beim Lesen zu Signalverlust führen kann, wenn der Lesekopf gegenüber der Mitte der Bandspur seitlich versetzt ist. Fig. 5 zeigt einen solchen Schreibspalt 500, wobei die Außen- oder Seitengebiete 500b und 500c gegenüber dem Mittengebiet 500a seitlich versetzt sind. Die Breite des Schreibspaltes definiert ebenfalls die Breite Wr der Spur. Durch die Umgreifung ist die Breite des Zentralgebietes 500a des Schreibspaltes dieselbe wie die Breite Wp des unteren Flußleiters 510. Die Mitte der unteren Flußleiter 510 ist gegenüber der Mittellinie der Spur um einem Betrag Δ seidich versetzt. Die Stufe in dem Schreibspalt ist durch δ definiert.
Der Effekt der Umgreifung laßt sich unter Anwendung der nachfolgenden Symbole, Voraussetzungen und der Theorie berechnen:
Liste der Symbole:
λ= Wellenlänge oder Bitlänge aufgezeichneter Information
Δ = Lesespur-Offset
δ = Stufe in der Abfallflanke des Schreibspaltes
φ = Phasenverschiebung von Seitengebieten des Schreibkopfes
Uc = Amplitude des zentralen Gebietes des Schreibkopfes
Us = Amplitude des Seitengebietes des Schreibkopfes
WR = Spurbreite des Schreibkopfes
WP = Spurbreite des Lesekopfes
Voraussetzungen:
a) das zentrale Schreibkopfgebiet hat eine Breite WP
b) der Schreibkopf liegt symmetrisch gegenüber der Oberseite des Lesekopfes
c) keine Seitenschreibeffekte
Theorie:
Der zentrale Schreibkopf hat eine Phase Null. Das von dem Teil des Bandes gelesene Signal, das von diesem zentralen Schreibkopf geschrieben worden ist, ist:
Uc(t) = Uc(Δ) sin ωτ
(1)
Uc(Δ)=Uc(0)(WP- Δ /WP)if Δ ≤WP
(2)
Die Seitenschreibkopfgebiete haben eine Phase φ, wegen der Verschiebung der Abfallspaltflanke δ:
φ=2π/λ)δ
(3)
Das aus diesen Gebieten ausgelesene Signal ist (für 2WP < WR < 3WP):
Us(τ)=Us(Δ)sin(ωτ + φ)
(4)
und
Us(Δ)=Uc(0)( Δ /WP)if Δ ≤WR-WP
(5)
Us(Δ)=Uc(0)(WR-WP/2WP)ifWR-WP/2≤ Δ ≤WP
(6)
Us(Δ)=Uc(0)(WR+WR-2 Δ /2WP)ifWP≤ Δ ≤WR+WP/2
(7)
Die Funktionen Us(Δ)* = Us(Δ)/Uc(0) und Uc(Δ)* = Uc(Δ)/Uc(0) sind in Fig. 6 durch gestrichelte Linien aufgetragen. In dieser Figur ist die Gesamt-rms-Spannung, genormt auf das Maximum (für Δ = 0) ebenfalls in gezogenen Linien aufgetragen. Dieses Ausgangssignal wird wie folgt berechnet: Das gesamte Wiedergabesignal ist:
Ut(τ) = Uc(τ) + Us(τ)
(8)
Die Anwendung der Gleichungen (1) und (4) ergibt:
Ut(τ)=Uc(Δ) sin ωτ + Us(Δ) sin (ωτ + φ)
(9)
Der rms-Wert ist:
Urms= U (Δ)+U (Δ)+2Uc(Δ)Us(Δ)cosφ/2
(10)
Für Δ = 0, Us(Δ) = 0, (Gleichung (5)), gilt also:
=Urms,max=Uc(0)/ 2
(11)
Folglich beträgt die genormte rms-Spannung:
Urms(Δ)/Urms,max=1/Uc(0) U (Δ) +U (Δ)+2Uc(Δ)s(Δ)cosφ
(12)
Für bestimmte Gebiete von Δ ist die Gleichung (12) mit den Gleichungen (2), (5)-(7) in Fig. A bewertet. Es ist eine symmetrische (gerade) Funktion von Δ, also nur die Kurven für positive Δ sind dargestellt, mit 4) als Parameter. Ein örtliches Minimum tritt auf für Δ = WP/2, wobei die Gleichungen (2) und (5) angewandt werden:
Urms( Δ =WP/2/Urms,max= 1+cosφ/2
(13)
Diese Verlustfunktion ist in Fig. 7 dargestellt. Die horizontale Achse gibt die Werte von δ/λ (für λ = 1 µm). Der Verlust wird ebenfalls in dB ausgedruckt (rechte Ordinate). Es scheint, daß ein Verlust von 1 dB bereits auftritt, wenn δ&sub1; = 0.15 µm (oder δs = 0.85 µm). Eine versuchsweise durchgeführte Spurabtastmessung an einem Kopf von dem in Fig. 1 dargestellten Typ ist in Fig. 8 dargestellt und zeigt viel Übereinstimmung mit Fig. 6. Die relativen Werte der örtlichen Minima sind nicht symmetrisch für Δ. Für einen negativen Wert Δ finden wir:
Urms/Urms,max = 0.43, also δ- = 0.358 µm.
Für einen positiven Wert Δ, finden wir:
Urms/Urms,max = 0.36, also δ+ = 0.383 µm.
Der Grund für diese Asymmetrie ist ein Versuchsfehler. Der Abstand der absoluten Minima beträgt 250 µm (extrapoliert). Dies ist in Übereinstimmung mit den Entwurfswerten WR = 185 µm und WP = 65 µm. Die Position der örtlichen Minima führt zu einem WP-Wert von 61 µm.
Aus dem Obenstehenden läßt sich folgern, daß je nach den Anforderungen des Systems über den erlaubten Verlust des 48 kHz-Signals durch Spurfolgefehler, Δ, nur sehr geringe Werte der Abfallflankenverschiebung, δ, toleriert werden können: 0,15 µm für 1 dB Verlust.
Nach der Erfindung läßt sich dieser Umgreifungspoleffekt dadurch verringern bzw. ausschalten, daß der vertikale Offset bzw. die Stufe δ in dem Schreibspalt verringert bzw. ausgeschaltet wird.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt, ähnlich wie der aus Fig. 1, wobei die Stufe δ eliminiert worden ist. Der Träger 32 trägt Al&sub2;O&sub3;-Schichten 34 bis 38, den unteren Flußleiterteil 40 und die Lesespaltschicht 42, die den Flußleiterteil 40 umgreift. Auf der Schicht 42 ist eine dünne "Ätzstoppschicht" aus einem material, wie einem Molybdän, angebracht, wodurch es möglich ist, die unterliegende Schicht 42 gegen Ätzwirkung zu schützen. Auf der Schicht 44 ist eine zusätzliche Oxidschicht 46 angebracht, vorzugsweise mit einer Dicke entsprechend der der Stufe in der Lesespaltschicht 42, verringert um die Dicke der Ätzstoppschicht. Darauf folgend wird der zentrale Teil der Schicht 46, der über den Flußleiterteil 40 liegt entfernt, wie durch Ätzen durch eine Photomaske, wonach die exponierte Ätzstoppschicht durch Ätzen entfernt wird, was für diese Schicht selektiv ist. Vorsprünge 46a und 46b, Artifakte des Ätzverfahrens, beeinflussen die Arbeitsmerkmale des Kopfes nicht wesentlich.
Als Beispiel wird für einen Flußleiterteil 40 mit einer Dicke von 0,5 µm und für einen Lesespalt 42 von 0,4 µm, wird über die Schicht 42 eine 0,1 µm dicke Ätzstoppschicht 44 gebildet, wonach eine 0,4 µm dicke Oxidschicht 46 auf der Schicht 44 gebildet wird. Nachdem diese Schichten gebildet sind, wird der zentrale Teil der Schicht 46 durch Ätzen über eine Photomaske entfernt, wonach eine Entfernung des exponierten Teils der Schicht 44 folgt, wobei ein Ätzmittel verwendet wird das dafür selektiv ist. Danach wird die Photomaske entfernt. Die Schichten 48, 50, 52 entsprechen den Schichten 24, 26 bzw. 28 der Vorrichtung nach Fig. 1.
Für herkömmliche Verarbeitungstechniken mit der Möglichkeit gewünschte Dicken zu erzeugen mit einer Genauigkeit von plus oder minus 5 Prozent, wird der Schreibspalt-Offset in dem obengenannten Beispiel von 0,5 µm bis Null plus oder minus 0,14 µm.
Eine andere Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 3 dargestellt, in der wie Schichten 62 bis 66 und 72 bis 78 den Schichten 12 bis 16 bzw. 22 bis 28 in Fig. 1 entsprechen. Bei dieser Ausführungsform wird der Offset durch Vergrabung der unteren Flußleiterschichten (von denen eine, 70, dargestellt ist) in der unterliegenden Schicht 68 verringert bzw. eliminiert, welche Schicht diese Flußleiterschichten gegen- über der MRE isoliert, beispielsweise durch Bildung eines Schnittes in der Isolierschicht 68, wonach dieser Schnitt mit Flußleitermaterial gefüllt wird, entweder durch selektiven Niederschlag oder durch Bildung einer Schicht aus Flußleitermaterial über die ganze Oberfläche, und danach Entfernung der Teile der Schicht aus Flußleitermaterial über dem Schnitt beispielsweise durch Ätzung über eine Photomaske. In dem Fall kann es notwendig sein, eine Isolierschicht größerer Dicke anzubringen, um eine entsprechende Trennung der vergrabenen Flußleiterschichten von dem unterliegenden MRE beizubehalten.
Eine andere Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 4 dargestellt, wobei Schichten 110 bis 190 den Schichten 12 bis 28 in Fig. 1 entsprechen. Bei dieser Ausführungsform wird die Abstufung in dem Schreibspalt durch Planierung des unteren Pols 170 vor der Bildung der Schreibspaltschicht 180. Dies kann beispielsweise durch Plasmaätzen, durch Schleifen oder Polieren der Schicht 170 erfolgen.
Die Erfindung wurde anhand einer beschränkten Anzahl Ausführungsbeispiele beschrieben. Andere Ausführungsformen sowie Abwandlungen und Änderungen der beschriebenen Ausführungsformen dürften dem Fachmann im Rahmen der vorliegenden Erfindung einleuchten.

Claims

1. Kombinierter Dünnfilm-Lese-/Schreib-Magnetkopf mit einer Anzahl Dünnfilmschichten, die einen Lesekopf mit einem Lesespalt und einen Schreibkopf mit einem Schreibspalt bilden, Wobei der Schreibkopf gesehen in Richtung einer Normalen auf der Bandtragefläche des kombinierten Kopfes eine Breite (W) aufweist, die größer ist als die Breite (R) des Lesekopfes, und wobei wenigstens einige der Dünnfilmschichten über der lesekopfbreitenbestimmenden Schicht (40; 150) einen vertikalen Offset (δ) der Außenteile gegenüber den Mittenteilen über der lesekopfbreitenbestimmenden Schicht haben, dadurch gekennzeichnet, daß der vertikale Offset in der schreibspaltbestimmenden Schicht (50; 180) kleiner ist als der durch die lesekopfbreitenbestimmende Schicht verursachte vertikale Offset.

2. Kombinierter Kopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vertikale Offset in dem Schreibspalt weniger als 33% der kürzesten Wellenlänge bzw. die doppelte Bitlänge der aufgezeichneten Information ist.

3. Kombinierter Kopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es nahezu keinen vertikalen Offset in dem Schreibspalt gibt.

4. Kombinierter Kopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Außengebieten wenigstens einer (42) der Schichten mit einem vertikalen Offset Offsetverringerungsschichten (44, 46) vorgesehen sind.

5. Kombinierter Kopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vertikale Offset in der oberen Fläche wenigstens einer (170) der Schichten über der lesekopfbreitenbestimmenden Schicht und unter der schreibspaltbestimmenden Schicht geringer ist als der vertikale Offset in der unteren Oberfläche.

6. Kombinierter Kopf nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Fläche nahezu flach ist.

7, Kombinierter Dünnfilm-Lese-/Schreib-Magnetkopf mit einer Anzahl Dünnfilmschichten, die einen Lesekopf mit einem Lesespalt und einen Schreibkopf mit einem Schreibspalt bilden, Wobei der Schreibkopf gesehen in Richtung einer Normalen auf der Bandtragefläche des kombinierten Kopfes eine Breite (W) aufweist, die größer ist als die Breite (R) des Lesekopfes, dadurch gekennzeichnet, daß die lesekopfbreitenbestimmende Schicht (170) in der Schicht (68) unterhalb der lesekopfbreitenbestimmenden Schicht vergraben ist, so daß die oberen Flächen dieser beiden Schichten nahezu planparallel sind

Text in der Zeichnung:

Fig. 6 Lesespur-Offset, Δ

Fig.

7 Verlust für

Fig.

8 Kopfausgang / Spur-Offset (Δ) (mm) Kopfausgang (normalisiert)