DE69204863T2 - Schaltung, die eine temperaturabhängige Referenzspannung produziert, vor allem zur Regulierung der Batterieladungsspannung von einem Wechselstromgenerator. - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Regelschaltungen für Wechselstromgeneratoren in Kraftfahrzeugen oder ähnliches.
• Es ist hinreichend bekannt, die Regulierung der Ladespannung einer Kraftfahrzeugbatterie durch Steuerung des Erregerstroms des Wechselstromgenerators in Abhängigkeit von dem Ergebnis des Vergleichs zwischen der effektiven Ausgangsspannung des Wechselstromgenerators und einer gegebenen Referenzspannung vorzunehmen.
• Die Referenzspannung kann zwar konstant sein; es hat sich jedoch in bestimmten Fällen als wünschenswert herausgestellt, diese Spannung in Abhängigkeit von der Temperatur zu verändern.
• In einer Schaltung herkömmlicher Art zur Herbeiführung einer Referenzspannung, die sich linear und abnehmend in Abhängigkeit von der Temperatur verändert, ist es für die Steigung und die Höhe der Geraden zur Angabe des Werts der Referenzspannung in Abhängigkeit von der Temperatur notwendig, rechnerisch oder experimentell spezifische Werte für mindestens drei Widerstände der Schaltung zu bestimmen.
• Von daher wird verständlich, daß eine solche Schaltung kaum für die Integretion in einem Siliziumchip geeignet ist, vor allem wenn es möglich sein soll, die Schaltung für unterschiedliche temperaturabhängige Referenzspannungs-Kennlinien zu parametrieren. Wenn N die Anzahl der möglichen Kennlinien ist, dann ist es notwendig, 3xN Widerstände in Verbindung mit von außen betätigten Sicherungen vorzusehen. Der Platzbedarf und die Kosten der integrierten Schaltung werden dadurch in unerwünschter Weise erhöht.
• Der Zweck der vorliegenden Erfindung besteht hauptsächlich darin, diesen Nachteil im Stand der Technik zu beseitigen und eine Schaltung zur Erzeugung einer veränderlichen Referenzspannung vorzuschlagen, bei der eine Kennlinie auf überaus einfache und wirtschaftliche Weise aus einer Mehrzahl von Kennlinien ausgewählt werden kann.
• Ein weitere Zweck der Erfindung besteht darin, die Anzahl der Widerstände und Sicherungen für die Herbeiführung einer gegebenen Anzahl möglicher Steigungen zu verringern.
• Zu diesem Zweck bezieht sich die Erfindung auf eine Schaltung zur Erzeugung einer temperaturabhängigen Referenzspannung, vor allem zur Regulierung der Batterieladungsspannung von einem Wechselstromgenerator, wie sie in Anspruch 1 definiert wird.
• Bevorzugte, aber nicht ausschließliche Merkmale der erfindungsgemäßen Schaltung werden in den Unteransprüchen definiert.
• Weitere Merkmale, Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich deutlicher aus der nachstehenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung, die als Beispiel ohne einschränkende Wirkung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen angeführt wird, auf denen folgendes dargestellt ist:
• Figur 1 zeigt ein Schaltbild zu einer Schaltung nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung.
• Figur 2 zeigt eine Grafik zur Veranschaulichung der Kennlinie der mit der Schaltung von Figur 1 erzeugten temperaturabhängigen Referenzspannung.
• Figur 3 zeigt ein Schaltbild zu einer Schaltung nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
• Figur 4 zeigt eine Grafik zur Veranschaulichung der Kennlinie der mit der Schaltung von Figur 3 erzeugten temperaturabhängigen Referenzspannung.
• Figur 5 zeigt ein Schaltbild zu einer Schaltung nach einer dritten Ausführungsform der Erfindung.
• Figur 6 zeigt eine Grafik zur Veranschaulichung der Kennlinie der mit der Schaltung von Figur 5 erzeugten temperaturabhängigen Referenzspannung.
• Figur 7 veranschaulicht eine mögliche praktische Ausführungsform für einen Teil der Schaltungen der Figuren 1, 3 und 5.
• Im Vorfeld ist darauf hinzuweisen, daß in den einzelnen Figuren identische oder gleichartige Elemente oder Teile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet werden.
• Zunächst wird auf Figur 1 Bezug genommen, in der ein Teil einer integrierten Regelschaltung für Wechselstromgeneratoren dargestellt ist, mit der eine Referenzspannung erzeugt wird, die nach einem vorgegebenen Verlauf in Abhängigkeit von der Temperatur veränderlich ist.
• Die PNP-Transistoren T1 bis T7 bilden in Verbindung mit Widerständen R1 bis R7 Stromquellen.
• Um T3, T8, T9, C4, R8 und R9 herum ist ein Spannungserzeuger für eine feste Spannung aufgebaut, das heißt für eine Spannung, deren Wert absolut temperaturunabhängig ist. Im vorliegenden Beispiel handelt es sich um eine sogenannte "Band Gap"-Spannung, die an der Basis von T8 bis T9 abgenommen wird. Diese Spannung wird mit UBG bezeichnet und hat beispielsweise einen Wert von 1,26 Volt.
• Diese Spannung, die mit einem bestimmten Faktor im Bereich der Widerstände R10 und R11 multipliziert wird, wird über ein Transistorenpaar T10 und T11 am Emitter von T11 reproduziert. Die an diesem Emitter erzeugte Spannung wird mit Uf bezeichnet.
• Der Emitter von T11 wird mit einem ersten Anschluß eines Widerstands R12 verbunden, dessen zweiter Anschluß zum einen mit dem Stromerzeuger T7, R7, zum anderen mit dem Emitter eines PNP-Transistors T14 und schließich mit einer Ausgangsklemme für die Referenzspannung Uref verbunden ist.
• Zwei NPN-Transistoren T12 und T13 empfangen an ihren Kollektoren zwei identische Stromwerte, die durch R5, T5 bzw. R6, T6 geliefert werden. Die Basen von T12, T13 sind mit dem Kollektor von T12 verbunden. Der Emitter von T12 ist direkt mit der Masse verbunden, während der Emitter von T13 über einen Widerstand R13 mit der Masse verbunden ist. Die Basis von T14 ist mit dem Kollektor von T13 verbunden, und der Kollektor von T14 ist an den Emitter von T13 angeschlossen.
• Es ist festzustellen, daß es sich bei T12 um einen Transistor mit nur einem Emitter handelt, während T13 mehrere Emitter umfaßt, deren Anzahl beispielsweise 10 betragen kann.
• Die Funktionsweise der vorstehend dargelegten Schaltung läßt sich wie folgt beschreiben.
• Zunächst ist darauf hinzuweisen, daß der Wert von R13 so gewählt wird, daß bei einer kritischen Temperatur, die beispielsweise gleich 20ºC gewählt wird, die Klemmenspannung von R13, gleich der Differenz zwischen der Emitter-Basis-Spannung von T12 und der Emitter- Basis-Spannung von T13, einem Strom in R13 entspricht, der genau gleich der Summe der durch die Stromerzeuger R6, T6 und R7, T7 gelieferten Ströme ist.
• Es dürfte verständlich sein, daß die vorerwähnte Differenz positiv ausfällt, da die Stromdichte in T13 aufgrund der größeren Anzahl von Emittern kleiner als die Stromdichte in T12 ist und da sich daraus ein kleinerer Wert für die Emitter-Basis-Spannung von T13 ergibt.
• Wenn sich die Temperatur im Verhältnis zu dem vorgenannten Schwellenwert erhöht, verringert sich die Emitter-Basis-Spannung in T13 stärker als in T12. Daraus folgt, daß sich die Klemmenspannung von R13 erhöht. Demzufolge ist in R13 ein zusätzlicher Strom im Verhältnis zu den Strömen erforderlich, die aus den Stromerzeugern R6, T6 und R7, T7 kommen. Dieser Strom kann nur über R12 und T11 entnommen werden. Daraus ergibt sich, daß die Spannung Uref am zweiten Anschluß von R12 gleich der durch T11 abgegebenen Festspannung abzüglich eines Spannungsabfalls ist, der proportional zu dem durch R12 fließenden Strom (von rechts nach links in der Figur) ausfällt.
• Die vorstehenden Ausführungen, die sich auf den Fall mit steigender Temperatur beziehen, lassen sich natürlich auch auf den Fall eines Absinkens der Temperatur unter 20ºC übertragen. Genauer gesagt: Ein Absinken der Temperatur bewirkt einen proportionalen Anstieg der Emitter-Basis-Spannungen in T12 und T13, wobei jedoch die Änderung in T13 größer ausfällt. Demzufolge verringert sich die Klemmenspannung von R13, und ein Teil des von R7, T7 kommenden Stroms, der normalerweise über T14 durch R13 fließen würde, wird über R12 und R14 zur Masse abgezweigt. Daher ist Uref gleich der Festspannung am Emitter von T11, zuzüglich der so an den Anschlüssen von R12 erzeugten Spannung.
• In diesem Zusammenhang ist darauf hinzuweisen, daß die Linearität der temperaturabhängigen Veränderung der Emitter-Basis-Spannungen in einer Linearität des Stromanstiegs in R12 (in einer oder der anderen Richtung) mit zunehmendem Temperaturunterschied (nach oben oder nach unten) im Verhältnis zum kritischen Wert von 20ºC zum Ausdruck kommt. Die Kennlinie des Werts von Uref in Abhängigkeit von der Temperatur θ ist von daher eine Gerade C1, die in Figur 2 dargestellt wird.
• Es wird verständlich, daß die Steigung dieser Geraden C1 einfach durch die Wahl eines gewünschten Werts für R12 bestimmt wird. Weiter unten werden besonders einfache und wirtschaftliche Mittel beschrieben, die es im Rahmen einer Ausführung auf dem Chip einer integrierten Schaltung ermöglichen, einen Wert aus einer großen Anzahl von möglichen Werten für R12 festzulegen.
• Darüber hinaus ist zu beachten, daß der Wert des Widerstands R14 annähernd gleich der Summe der Werte von R10 und R11 gewählt wird, um die jeweiligen Übergänge von T10 und T11 auszugleichen, als notwendige Voraussetzung für ein gelungenes Umkopieren des Werts von Uf zwischen T10 und T11.
• Figur 3 veranschaulicht eine zweite Ausführungsart der Erfindung. Die Schaltung übernimmt im wesentlichen die Elemente der Schaltung von Figur 1, so daß im folgenden nur die konstruktionsmäßigen Unterschiede gegenüber dieser Schaltung beschrieben werden.
• Die Aufgabe der Schaltung von Figur 3 besteht darin, eine Kennlinie zu erhalten, in der Uref konstant unter einer relativ hohen, fest vorgegebenen Temperatur, beispielsweise 30ºC, liegt und bei über 30ºC linear mit steigender Temperatur im Verhältnis zu diesem Wert abnimmt.
• In diesem Falle entfällt der Stromerzeuger R7, T7. Es wird ein zusätzlicher Transistor T15 des Typs PNP eingebaut, der mit seiner Basis an den Emitter von T11, mit seinem Emitter an den Stromerzeuger R6, T6 und mit seinem Kollektor an die Masse angeschlossen wird.
• Der Wert von R13 wird diesmal so festgelegt, daß bei der kritischen Temperatur von 30ºC allein der durch den Stromerzeuger R6, T6 gelieferte Strom in der Lage ist, an den Anschlüssen von R13 eine Spannung zu erzeugen, die gleich der Differenz zwischen der Emitter- Basis-Spannung von T12 und der Emitter-Basis-Spannung von T13 ist.
• Wenn die Temperatur unter 30ºC liegt, erhöhen sich die beiden Emitter-Basis-Spannungen linear, wobei die Amplitude für T13 jedoch größer ausfällt. Dementsprechend verringert sich die Klemmenspannung von R13, und ein Teil des von R6, T6 gelieferten Stroms wird abgezweigt, so daß er nicht durch R13 fließt. Diese Abzweigung erfolgt über T15.
• Es dürfte verständlich sein, daß in diesem Falle, unabhängig vom Ausmaß des Temperaturrückgangs, der Transistor T14 gesperrt ist und kein Strom in R12 erzeugt wird, so daß für den gesamten Temperaturbereich unter 30ºC der Wert der Spannung Uref in etwa gleich dem Wert der Festspannung Uf bleibt.
• Wenn hingegen die Temperatur über 30ºC steigt, dann erhöht sich die Klemmenspannung von R13, und es muß ein Strom entnommen werden, um ihn zu dem von R6, T6 gelieferten Strom hinzuzufügen. In diesem Fall kann der besagte Strom nur von der Schaltung T11, R12 und T14 kommen, so daß in R12 - von rechts nach links mit Blick auf Figur 3 - ein Strom fließt, der proportional zum Abstand zwischen der Isttemperatur und dem kritischen Wert von 30ºC ausfällt.
• Von daher wird verständlich, daß sich Uref mit diesem Abstand linear verringert.
• Die entsprechende Kennlinie C2 wird in Figur 4 veranschaulicht.
• Ebenso wie im Falle von Figur 1 genügt es, R12 zu verändern, um die Steigung der für θ > 30ºC erhaltenen Geraden auf einen gewünschten Wert zu bringen.
• Figur 5 veranschaulicht eine dritte Hauptausführungsart der vorliegenden Erfindung.
• In diesem Falle geht es darum, eine Kennlinie der temperaturabhängigen Referenzspannung zu erhalten, bei der die folgenden Voraussetzungen erfüllt sind:
• - Bei θ kleiner als ein fester Wert, beispielsweise 30ºC, liegt Uref bei einem ersten vorgegebenen konstanten Wert gleich Uf.
• - Bei θ zwischen 30ºC und einem größeren Wert, der beispielsweise zwischen 70ºC und 90ºC liegt und im vorliegenden Falle gleich 80ºC gewählt wird, verringert sich Uref linear mit dem Wert des Abstands der Temperatur von 30ºC.
• - Und bei θ größer als 80ºC ist Uref erneut konstant und gleich einem Wert Uf', der kleiner als Uf ist.
• Die Schaltung von Figur 5 übernimmt alle Elemente der Schaltung von Figur 3, die an dieser Stelle nicht erneut beschrieben werden.
• Die Basis des NPN-Transistors T16 ist mit dem gemeinsamen Anschluß zwischen R15 und R16 verbunden. Sein Emitter ist über einen Widerstand R17 mit der Masse verbunden. Der gemeinsame Anschluß zwischen R12 und T14 ist einerseits mit der Basis eines NPN-Transistors T17 verbunden, dessen Emitter an den Emitter von T16 angeschlossen ist, und andererseits mit der Ausgangsklemme für Uref. T16 und T17 sind als Differentialverstärker geschaltet, wobei sie an ihrer jeweiligen Basis zum einen die Spannung Uf' < Uf und zum anderen die am Anschluß von R12 auf der Seite von T14 abgenommene Spannung erhalten.
• R18, T18 und R19, T19 bilden Stromerzeuger, die einen gleichen Stromwert an die Kollektoren von T16 und T17 anlegen. Der Kollektor von T18 ist mit der Basis eines PNP-Transistors T20 verbunden, der einem Emitter- Widerstand R20 zugeordnet ist. Der Kollektor von T20 ist mit der Ausgangsklemme für Uref, mit der Basis von T17 und mit dem gemeinsamen Anschluß zwischen R12 und T14 verbunden.
• Die Funktionsweise der Schaltung bei Temperaturwerten unter 80ºC ist die gleiche wie bei der Schaltung von Figur 3, so daß sie an dieser Stelle nicht nochmals beschrieben werden soll. Im Diagramm von Figur 6 ist daher eine Kennlinie C3 zu erkennen, die aus einer Geraden mit Nullsteigung unter 30º und einer Geraden mit einer gegebenen negativen Steigung (hier ebenfalls durch den Wert von R12 festgelegt) über 30ºC besteht.
• Sobald die Temperatur den zweiten kritischen Wert, beispielsweise 80ºC erreicht, wird die Funktionsweise durch den oben beschriebenen Zusatzstrom beeinflußt. Genauer gesagt: Solange Uref größer als Uf' bleibt, ist T16 gesperrt, und es kann kein Strom durch die Basis von T20 fließen. T20 ist also gesperrt.
• Sobald Uref im Anschluß an eine Erhöhung von &theta; unter Uf' absinkt, wird T16 durchlassend, wodurch außerdem der Durchlaßzustand des Transistors T20 bewirkt wird. Dieser läßt einen Strom durchfließen, der über T14 in R13 entsprechend zum Anstieg seiner Klemmenspannung fließt.
• Ab einem Wert von Uref gleich Uf' wird daher jeder in R13 erforderliche Zusatzstrom durch die Schaltung R20, T20, T14 geliefert. Demzufolge stabilisiert sich der Strom in R12, und der Wert der Spannung Uref bleibt im wesentlichen konstant.
• Figur 6 veranschaulicht das Profil, das sich für Uref in Abhängigkeit von der Temperatur ergibt und das herkömmlicherweise als "Z"-Kurve bezeichnet wird.
• Auf diese Weise wurden Schaltungen beschrieben, mit denen sich unterschiedliche temperaturabhängige Referenzspannungsprofile erzeugen lassen. Diese Profile finden nach Maßgabe der Erfordernisse Anwendung, die vor allem mit dem Anbringungsort der Batterie im Fahrzeug und mit dem möglichen Risiko zusammenhängen, daß sie veränderlichen Temperaturen ausgesetzt wird, wobei sich ihr Innenwiderstand verändern kann, sowie auch mit den Risiken einer Erwärmung der Wechselstromgeneratoren selbst, insbesondere im Falle von kleinformatigen Wechselstromgeneratoren, deren Wärmeabführungsfähigkeiten begrenzt sind.
• Unter Bezugnahme auf Figur 7 soll nun eine praktische Anwendung des Widerstands R12 in einem Chip mit einer integrierten Schaltung beschrieben werden.
• Wie bereits weiter oben angesprochen wurde, kann es sich als wünschenswert erweisen, die Steigung für die Abnahme von Uref in Abhängigkeit von der Temperatur in einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen zu verändern.
• R12 besteht in diesem Falle aus einer Reihenschaltung einer bestimmten Anzahl von Widerständen, im vorliegenden Falle von vier Widerständen R bis 8R, deren Werte eine geometrische Folge bilden, deren Inkrement gleich zwei ist.
• Vier Sicherungen - im vorliegenden Falle vier Metallisierungen F1 bis F4, die vier Zenerdioden Z1 bis Z4 überlagern - sind mit jedem der Widerstände parallel geschaltet. Fünf Zugangsanschlüsse B ermöglichen wahlweise in den Zenerdioden die Einspeisung der erforderlichen Ströme für die Erwärmung der Dioden auf eine ausreichende Temperatur, um das Schmelzen und die Unterbrechung der Metallisierungen F1 bis F4 herbeizuführen.
• Es dürfte verständlich sein, daß eine derartige Lösung über eine geeignete Einwirkung auf die Zenerdioden und ihre Metallisierungen die Möglichkeit schafft, für R12 einen aus fünfzehn Werten gleich R, 2R, 3R, ..., 14R bzw. 15R festzulegen, um so fünfzehn verschiedende Steigungen zu erhalten.
• Eine solche Lösung ist besonders einfach und wirtschaftlich, da sie es im allgemeinen ermöglicht, mit N Widerständen 2N - 1 mögliche Werte für den Widerstand zu erhalten.

Claims (10)

1. Schaltung zur Erzeugung einer temperaturabhängigen Referenzspannung, vor allem zur Regulierung der Batterieladungsspannung von einem Wechselstromgenerator, enthaltend eine Spannungsquelle für eine temperaturunabhängige Festspannung (Uf) , dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem die folgenden Bestandteile umfaßt:

- zwei bipolare Transistoren (T12, T13), deren Basen untereinander verbunden sind und deren Basis- Emitter-Übergänge unterschiedliche Temperaturverhalten aufweisen und die jeweils an ihrem Kollektor einen konstanten Strom erhalten,

- einen ersten Widerstand (R13), der zwischen dem Emitter eines (T13) der Transistoren und einem festen Potential geschaltet ist und dessen Klemmenspannung repräsentativ für die Temperatur ist, der die beiden Transistoren ausgesetzt sind, während der Emitter des anderen Transistors (T12) direkt mit dem festen Potential verbunden ist,

- einen zweiten Widerstand (R12), von dem ein Anschluß mit der Festspannungsquelle verbunden ist und von dem ein zweiter Anschluß mit dem Emitter des genannten ersten Transistors (T13) über einen anderen Transistor (T14) verbunden ist und einen Ausgang für die Referenzspannung bildet, und in dem zumindest in einem vorgegebenen Temperaturbereich ein Strom fließen kann, der gleich dem Zusatzstrom ist, der durch einen Anstieg der Klemmenspannung des genannten ersten Widerstands im Verhältnis zu einer Spannung entsprechend einer kritischen Temperatur induziert wird.

2. Schaltung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Transistoren in einer integrierten Schaltung vorgesehen sind und daß einer der Transistoren (T13) ein Multiemitter-Transistor ist.

3. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 und 2 , dadurch gekennzeichnet, daß in dem zweiten Widerstand (R12) außerdem in Gegenrichtung ein Abzweigstrom fließen kann, der durch eine Verringerung der Klemmenspannung des genannten ersten Widerstands im Verhältnis zu der genannten Spannung entsprechend der kritischen Temperatur induziert wird (Fig. 1).

4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 und 2 , dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem einen Transistor (T15) enthält, in dem ohne Durchgang durch den genannten zweiten Widerstand (R12) ein Abzweigstrom fließen kann, der durch eine Verringerung der Klemmenspannung des genannten ersten Widerstands im Verhältnis zu der genannten Spannung entsprechend der kritischen Temperatur induziert wird (Fig. 3).

5. Schaltung nach Anspruch 4 , dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem Mittel (T16-T20) enthält, um den Wert des durch den zweiten Widerstand hindurchgehenden Stroms auf einen gegebenen Wert zu begrenzen.

6. Schaltung nach Anspruch 5 , dadurch gekennzeichnet, daß die genannten Mittel zwei bipolare Transistoren (T16, T17) enthalten, die als Differentialverstärker geschaltet sind, wobei die Basis eines dieser Transistoren mit dem Ausgang für die Referenzspannung verbunden ist und die Basis des anderen Transistors über eine Teilerbrücke (R15, R16) mit der Festspannungsquelle verbunden ist, wobei der Ausgang des genannten Differentialverstärkers mit einem Transistor (T20) verbunden ist, in dem, wenn die Referenzspannung einen Spannungswert (Uf') erreicht, der durch die Teilerbrücke bestimmt wird, und ohne Durchgang durch den zweiten Widerstand ein Strom gleich dem Zusatzstrom fließen kann, der durch einen Anstieg der Klemmenspannung des genannten ersten Widerstands im Verhältnis zu einem Wert induziert wird, bei dem die genannten Referenzspannung gleich dem durch die Teilerbrücke bestimmten Spannungswert ist (Fig. 5).

7. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6 , dadurch gekennzeichnet, daß sie Mittel (R-8R, Z1-Z4, F1-F4) enthält, um den Wert des zweiten Widerstands auf einen Wert aus einer Mehrzahl von Werten festzulegen und so eine Steigung für die lineare Verringerung der genannten Referenzspannung in mindestens einem vorbestimmten Temperaturbereich zu bestimmen.

8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten Mittel, um den Wert des zweiten Widerstands auf einen Wert aus einer Mehrzahl von Werten festzulegen, eine Gruppe von Bauteilen (F1-F4) enthalten, die selektiv ausgeschaltet werden können und die jeweils parallel mit einem Widerstand geschaltet sind, der zu einer Mehrzahl von in Reihe geschalteten Widerständen (R-8R) gehört.

9. Schaltung nach Anspruch 8 , dadurch gekennzeichnet , daß die Werte der genannten Widerstände (R-8R) eine geometrische Folge bilden, deren Inkrement gleich 2 ist.

10. Vorrichtung zur Regulierung der Batterieladungsspannung von einem Wechselstromgenerator, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Schaltung zur Erzeugung einer Referenzspannung nach einem der vorangehenden Ansprüche enthält.