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DE69030365T2 - Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen Mikrowellenbauelements - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines supraleitfähigen Mikrowellenbauelements

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Publication number
DE69030365T2
DE69030365T2 DE69030365T DE69030365T DE69030365T2 DE 69030365 T2 DE69030365 T2 DE 69030365T2 DE 69030365 T DE69030365 T DE 69030365T DE 69030365 T DE69030365 T DE 69030365T DE 69030365 T2 DE69030365 T2 DE 69030365T2
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DE
Germany
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substrate
microwave
superconducting
oxide superconducting
deposition
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DE69030365T
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DE69030365D1 (de
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Kenjiro C O Cabinet Bal Higaki
Hideo C O Cabinet Ball Itozaki
Saburo C O Cabinet Ball Tanaka
Shuji C O Cabinet Balot-S Yazu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Priority claimed from JP2000876A external-priority patent/JPH03205904A/ja
Priority claimed from JP2306733A external-priority patent/JPH04178004A/ja
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of DE69030365T2 publication Critical patent/DE69030365T2/de
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    • H10N60/0296Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
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    • HELECTRICITY
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Description

    Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung supraleitender Mikrowellenbauteile, wie z.B. Mikrowellenresonatoren und Mikrowellen-Laufzeitketten als passive Komponenten für elektromagnetische Wellen mit sehr kurzen Wellenlängen, insbesondere Mikrowellen und Millimeterwellen und die leitende Schichten aufweisen, welche aus oxidischen supraleitenden Materialien bestehen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein neuartiges Verfahren zur Herstellung eines Substrats, welches eingesetzt werden kann zur Herstellung von Mikrowellenbauteilen mit leitenden Schichten, die aus oxischen supraleitenden Dünnschichten bestehen.
  • Beschreibung des verwandten Gebietes
  • Mikrowellen und Millimeterwellen sind gekennzeichnet durch ihre geradlinigen Radiowellenausbreitungseigenschaften, Reflexion an leitenden Platten, Brechung aufgrund von Hindernissen, Interferenz zwischen Radiowellen, optisches Verhalten beim Durchsetzen von Grenzschichten zwischen verschiedienen Medien und dgl. Auch andere physikalische Erscheinungen, die nur einen winzigen Effekt bewirken und daher in der Praxis nicht verwendbar waren, treten deutlich bei Mikrowellen und Millimeterwellen in Erscheinung. Z.B. werden nunmehr ein Isolator und ein Zirkulator zur Ausnutzung des gyromagnetischen Effektes eines Ferrites verwendet, sowie medizinische Instrumente, wie z.B. Plasma- Diagnosegeräte unter Verwendung der Interferenz zwischen einem Gasplasma und einer Mikrowelle. Da ausserdem die Frequenz von Mikrowellen und Millimeterwellen äusserst hoch ist, werden Mikrowellen und Millimeterwellen zur Signalübertragung mit hoher Geschwindigkeit und hoher Dichte verwendet.
  • Im Fall des Ausbreitens einer elektromagnetischen Welle in Frequenzbändern vom Mikrowellen- und Millimeterbereich weist ein Speiseleitung vom Doppelleitertyp in einem relativ niedrigen Frequenzband grosse Übertragungsverluste auf. Wenn ausserdem der Abstand in einem Kuppelleiter den Wert einer Wellenlänge erreicht, bewirkt eine geringe Durchbiegung der Übertragungsleitung und eine geringe Anpassungsänderung im Anschlussteil eine Reflektion und Abstrahlung, welche leicht durch benachbarte Objekte beeinflusst werden. Demzufolge wurden hohle Wellenleiter verwendet, deren Querschnittsgrösse vergleichbar einer Wellenlänge ist. Der Wellenleiter und der aus dem Wellenleiter gebildete Schaltkreis bilden eine dreidimensionale Schaltung, die grösser ist als die in gewöhnlichen elektrischen und elektronischen Schaltkreisen verwendeten Bauteile. Dies bedeutet, dass die Anwendung von Mikrowellenschaltkreisen auf bestimmte Gebiete begrenzt war.
  • Es wurden jedoch miniaturisierte Bauteile entwickelt, bestehend aus Halbleitern als aktive Bauteile, die im Mikrowellenband arbeiten. Mit zunehmender Entwicklung der Technologie der integrierten Schaltungen wurden auch sogenannte Mikrostrip-Leiter mit äusserst kleinem Leitungsabstand verwendet.
  • 1986 entdeckten Bednorz und Müller&sub1; dass (La, Ba)&sub2;CuO bei einer Temperatur von 30 K in den supraleitenden Zustand überging. 1987 entdeckte Chu, dass YBa&sub2;Cu&sub3;O eine supraleitende kritische Temperatur in der Grössenordnung von 90 K aufwies und 1988 entdeckte Maeda ein supraleitendes Verbundoxid vom sogenannten Wismuth (Bi)-Typ, mit einer supraleitenden kritischen Temperatur, welche 100 K überstieg. Diese supraleitenden Verbundoxide gehen in den supraleitenden Zustand über, wenn sie mit dem billigen flüssigen Stickstoff gekühlt werden. Dadurch wurde die Möglichkeit einer tatsächlichen Anwendung der Supraleitungstechnologie diskutiert und näher untersucht.
  • Die Supraleitungseigenschaften können mit Vorteil in zahlreichen Anwendungen eingesetzt werden, wozu auch Mikrowellenbauteile gehören. Eine Mikrostripleitung weist einen Dämpfungskoeffizienten auf, der auf der Widerstandskomponente des Leiters beruht. Dieser auf die Widerstandksomponente beruhende Dämpfungskoeffizient wächst proportional zur Wurzel aus einer Frequenz. Andererseits wächst der dielektrische Verlust proportional zur Frequenzzunahme. Der Verlust in neueren Mikrostripleitungen beruht fast ausschliesslich auf dem Leitungswiderstand, da die dielektrischen Materialien verbessert wurden. Dies bedeutet, dass bei einer Verringerung des Widerstandes des Leiters in der Mikrowellenleitung es möglich ist, die Leistungsfähigkeit der Mikrowellenleitung erheblich zu steigern.
  • Es ist bekannt, dass Mikrowellenleiter als einfache Signalübertragungsleiter verwendet werden. Wird eine geeignete Musterausbildung vorgenommen, so kann die Mikrostripleitung auch als Induktor, als Filter, als Resonator, als Laufzeitkette, als Richtkoppler sowie als passive Mikrowellenschaltteile in Hybridschaltungen verwendet werden.
  • Die Mikrostripleitung besteht ganz allgemein aus einem Paar Leiter, welche voneinander durch eine dielektrische Schicht getrennt sind, wobei einer der Leiter geerdet ist.
  • Nunmehr wird ein Substrat betrachtet, welches zur Herstellung einer Mikrostripleitung verwendbar ist, welche Leiter aufweist, die aus oxidischem supraleitendem Material bestehen, wobei angenommen wird, dass das Substrat eine Platte aus einem dielektrischen Material und ein Paar oxidischer supraleitender Dünnschichten aufweist, die auf gegenüberliegenden Oberflächen der entsprechenden dielektrischen Platte angeordnet sind. Mit einem derartigen Substrat kann ein supraleitendes Mikrowellenbauteil mit einem vorgegebenen Leitermuster auf einer Oberfläche der dielektrischen Platte und einem geerdeten Leiter auf der anderen Seite der dielektrischen Platte leicht hergestellt werden durch entsprechende Musterausbildung einer der beiden oxidischen supraleitenden Dünnschichten.
  • Es ist jedoch sehr schwierig, das oben beschriebene Substrat zum Einsatz in einem Mikrowellenbauteil herzustellen durch ein Verfahren zur Abscheidung einer oxidischen supraleitenden Dünnschicht auf einer Oberfläche einer dielektrischen Platte und anschliessendes Abscheiden einer weiteren oxidischen supraleitenden Dünnschicht auf der anderen Oberfläche der dielektrischen Platte.
  • Der Grund dafür liegt darin: Zuerst kann eine oxidische supraleitende Dünnschicht nur dann erhalten werden, wenn eine Schicht aus oxidischem supraleitendem Material auf einem bestimmten Substrat unter bestimmten Abscheidebestimmungen abgeschieden wird. Da der in dem oxidischen supraleitenden Material enthaltene Sauerstoff instabil ist, wird zweitens bei Erwärmung des abgeschiedenen oxidischen supraleitenden Materials eine Änderung des Sauerstoffgehalts auftreten. Bei einem Verfahren, bei dem nacheinander oxidische supraleitende Dünnschichten erst auf der einen Oberfläche der dielektrischen Platte und danach auf der anderen oder zweiten Oberfläche der dielektrischen Platte abgeschieden werden, werden die supraleitenden Eigenschaften der oxidischen supraleitenden Dünnschicht, die auf der ersten Oberfläche der dielektrischen Platte abgeschieden worden ist, beeinträchtigt wenn die oxidische supraleitende Dünnschicht auf der zweiten Oberfläche der dielektrischen Platte abgeschieden wird. Aus diesem Grunde ist es schwierig, ein Substrat für Mikrowellenbauteile herzustellen, bei dem supraleitende Dünnschichten mit guten Eigenschaften gleichmässig auf beiden Substratoberflächen ausgebildet sind.
  • Aus der EP-A-0 345 441 ist ein Mikrowellenbauteil bekannt, welches einedielektrische Schicht aufweist und wenigstens ein Paar leitender Schichten auf gegenüberliegenden Oberflächen der dielektrischen Schicht, wobei wenigstens eine der leitenden Schichten einen Erdungsleiter bildet und die andere leitende Schicht ein vorgegebenes Muster aufweist, und wobei wenigstens ein Paar leitender Schichten aus oxidischem supraleitendem Material bestehen, welche auf den beiden gegenüberliegenden Oberflächen der dielektrischen Schicht ausgebildet sind.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es ein Verfahren zur Herstellung eines Mikrowellenbauteils hoher Leistungsfähigkeit zu schaffen, welches oxidische supraleitende Schichten mit guten Supraleitungseigenschaften auf gegenüberliegenden Substratflächen aufweist.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäss ein Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Mikrowellenbauteils vorgeschlagen, welches ein dielektrisches Substrat und wenigstens ein Paar oxidischer supraleitender Dünnschichten auf gegenüberliegenden Oberflächen des dielektrischen Substrats aufweist, wobei diese unter Verwendung einer Abscheidevorrichtung hergestellt werden, welche einen Substrathalter zur Halterung des Substrates dergestalt aufweist, dass die Abscheideoberflächen des Substrats senkrecht zu einer waagrechten Ebene der Abscheidevorrichtung angeordnet werden, wobei ein Targethalter zur Halterung eines Targets derart angeordnet wird, dass das Target senkrecht zu den Abscheideoberflächen des vom Substrathalter gehaltenen Substrats angeordnet wird und wobei eine Heizanordnung seitlich zu den Abscheideoberf lächen des vom Substrathalter gehaltenen Substrats angeordnet wird, um nicht die Abscheideoberflächen des Substrats und des vom Targethalter gehaltenen Targets abzuschirmen, so dass oxidische supraleitende Dünnschichten zugleich auf den entsprechenden sich gegenüberliegenden Abscheideoberflächen des Substrats abgeschieden werden.
  • Vorzugsweise wird wenigstens ein Paar supraleitender Dünnschichten in einem Zustand abgeschieden, in dem die Substrattemperatur 800ºC nicht überschreitet.
  • Die im erfindungsgemässen Mikrowellenbauteil vorhandenen Leiter bestehen aus einem Leiter mit vorgegebenen Muster und aus einem Erdungsleiter, der getrennt von dem gemusterten Signalleiter ausgebildet ist, wobei sowohl der gemusterte Leiter als auch der Erdungsleiter auf den oxidischen supraleitenden Dünnschichten ausgebildet sind, welche auf den sich gegenüberliegenden Oberflächen der dielektrischen Schicht abgeschieden sind und die eine gute im wesentlichen gleiche Supraleitfähigkeit aufweisen. Da beide Leiter aus oxidischen supraleitenden Dünnschichten mit guter Supraleitfähigkeit bestehen, wird der Wanderverlust in der Mikrowellenleitung, die durch das Mikrowellenbauteil gebildet wird, erheblich verringert und das verwendbare Frequenzband in Richtung zur Hochfrequenzseite erweitert. Da ausserdem der Leiter aus oxidischem supraleitendem Material besteht, kann der supraleitende Zustand durch Verwendung des billigen flüssigen Stickstoffs erreicht werden, so dass das Mikrowellenbauteil mit hoher Leistungsfähigkeit einen vergrösserten Anwendungsbereich findet.
  • Das oben erwähnte Paar aus leitenden Schichten besteht aus dem gleichen oxidischen supraleitenden Verbundmaterial. In diesem Eall weist das Paar von Leiterschichten gute und im wesentlichen gleiche supraleitende Eigenschaften auf. Da jedoch wenigstens ein Paar der supraleitenden Schichten aus unterschiedlichen oxidischen supraleitenden Materialien hergestellt werden kann, weisen in diesem Fall die beiden supraleitenden Schichten gelegentlich zwar gute supraleitende Eigenschaften auf, die jedoch nicht im wesentlichen gleich sind, da die unterschiedlichen oxidischen supraleitenden Materialien unterschiedliche kritische Temperaturen und/oder kritische Ströme aufweisen. Es kann jedoch gesagt werden, dass wenigstens ein Paar leitender Schichten aus unterschiedlichen oxidischen supraleitenden Verbundmaterialien bei guter Supraleitßähigkeit auch im wesentlichen vergleichbar miteinander ist.
  • Da die oxidischen supraleitenden Dünnschichten zugleich auf den sich gegenüberliegenden Oberflächen des dielektrischne Sbustrats abgeschieden werdne, wird keine der abgeschiedenen oxidischen supraleitenden Dünnschichten einer schädlichen Umgebungsbedingung wie z.B. Wärme, Elektronenbeschiessung und dgl. ausgesetzt. Demzufolge können die oxidischen supraleitenden Dünnschichten mit guten und gleichförmigen Eigenschaften auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen des dielektrischen Substrats abgeschieden werden.
  • Die die leitenden Schichten bildenden oxidischen supraleitenden Dünnschichten können durch jedes der bekannten Abscheideverfahren abgeschieden werden. Sollen jedoch die oxidischen supraleitenden Dünnschichten als Leiterschichten des Mikrowellenbauteils dienen, so ist es erforderlich, darauf zu achten, dass die Grenzschicht zwischen der dielektrischen Schicht und der oxidischen supraleitenden Dünnschicht einen guten Zustand aufweist. Bei Mikrowellenbauteilen fliesst ein elektrischer Strom auf der Oberfläche der Leiterschicht, so dass bei einer Störung der Oberflächengestalt und damit der elektromagnetischen Eigenschaften der durch den Einsatz des oxidischen supraleitenden Materials für die Leiterschicht erzielte Vorteil verloren geht. Besteht ausserdem die dielektrische Schicht aus Al&sub2;O&sub3; oder SiO&sub2;, so kann es in einigen Fällen passieren, dass Al&sub2;O&sub3; oder SiO&sub2; mit dem oxidischen supraleitenden Verbundmaterial aufgrund der während des Abscheideverfahrens der oxidischen supraleitenden Dünnschicht zugeführten Wärme reagiert mit dem Ergebnis, dass die supraleitenden Eigenschaften eines Signalleiters beeinträchtigt werden oder verschwinden.
  • Während des Abscheidens des oxidischen Supraleiters muss auf folgendes geachtet werden: (1) Das oxidische supraleitende Material und das Material der dielektrischen Schicht oder des Substrats dürfen nur wenig miteinander reagieren und (2) eine Behandlung, bei der die Materialien der oxidischen supraleitenden Schicht und der dielektrischen Schicht ineinander eindiffundieren, beispielsweise eine Erwärmung des Substrats auf eine hohe Temperatur während und nach der Abscheidung muss soweit wie möglich vermieden werden. Insbesondere ist es wesentlich sicherzustellen, dass die Substrattemperatur in keinem Fall 800ºC während des Verfahrens zur Abscheidung des oxidischen supraleitenden Materials überschreitet.
  • Unter diesen Gesichtspunkten eignet sich eine achsversetzte Zerstäubung oder eine Laserzerstäubung, da hier weniger Aufmerksamkeit auf die Substrattemperatur während der Abscheidung zu richten ist, so dass man frei und leicht die Substrattemperatur einhalten kann. Auch das sogenannte Nachglühen nach der Abscheidung ist unerwünscht nicht nur bei den oben angegebenen Abscheideverfahren, sondern auch bei anderen Abscheideverfahren. Es ist daher wichtig ein Abscheideverfahren zu wählen, das sicherstellt, dass die abgeschiedene supraleitende Schicht bereits die supraleitende Eigenschaft ohne Nachbehandlung aufweist.
  • Die dielektrische Schicht kann aus einem beliebigen der bekannten dielektrischen Materialien bestehen. So sind z.B. SrTiO&sub3; und YSZ vorteilhaft im Hinblick auf dL.e Abscheidung der supraleitenden Dünnschicht. Ein zu grosser dielektrischer Verlust dieses Materiales würde jedoch den Vorteil eines verringerten Leitungsverlustes aufgrund der Verwendung eines Supraleiters zunichte machen. Im Hinblick auf eine Verbesserung der Eigenschaften der Mikrowellenleitung ist es vorteilhaft, wenn ein Material mit einem geringen dielektrischen Verlust z.B. Al&sub2;O&sub3;, LaAlO&sub3;, NdGaO&sub3;, MgO und SiO&sub2;verwendet wird. Insbesondere eignet sich LaAlO&sub3; sehr gut, da es bis zur Erreichung sehr hoher Temperaturen stabil ist und nur wenig mit einem oxidischen supraleitenden Verbundmaterial reagiert und da es einen dielektrischen Verlust aufweist, der nur 1/10 oder weniger desjenigen von SrTiO&sub3; und YSZ beträgt. Als Substrat mit geringem dielektrischem Verlust und auf dem das oxidische supraleitende Material in gutem Zustand abscheidbar ist, ist es möglich ein Substrat zu verwenden, bei dem auf den sich gegenüberliegenden Oberflächen einer dielektrischen Platte z.B. aus Saphir und SiO&sub2; mit äusserst kleinem dielektrischen Verlust eine Pufferschicht angeordnet wird, die es ermöglicht, das oxidische supraleitende Material in hervorragendem Zustand abzuscheiden.
  • Zur Ausbildung des gemusterten Signalleiters und des Erdungleiters in Mikrowellenbauteil eignet sich ein Yttrium (Y) enthaltendes oxidisches supraleitendes Verbundmaterial und ein Thalhum (Tl) oder Wismuth (Bi) enthaltendes oxidisches supraleitendes Verbundmaterial, da diese eine hohe kritische Temperatur der Supraleitung aufweisen und bereits bei Kühlung mit flüssigem Stickstoff supraleitend werden. Selbstverständlich ist die Auswahl der Materialien für den gemustereten Leiter und den Erdungsleiter im Mikrowellenbauteil nicht auf diese Materialien beschränkt.
  • Das oxidische supraleitende Verbundmaterial, das auf der gesamten Oberfläche des Substrats abgeschieden wird, kann durch ein Nass-Atzverfahren unter Verwendung von Chlorwasserstoffsäure oder anderen Atzstoffen als Muster ausgebildet werden.
  • Ist das erfindungsgemässe Mikrowellenbauteil ein Mikrowellenresonator, so kann dieser die Gestalt eines linearen Resonators aufweisen bestehend aus rechtwinkligen Leiterschichten vorgegebener Breite und vorgegebener Länge oder die Gestalt eines kreisförmigen Scheibenresonators oder eines Ringresonators aufweisen mit einem kreisförmigen Leiter vorgegebenen Durchmessers.
  • Besteht das erfindungsgemässe Bauteil aus einer Mikrowellenlaufzeitkette, so kann die für diese erwünschten Eigenschaften geeignete Musterbildung der Leiterschicht auf der einen Oberfläche der dielektrischen Schicht erhalten werden. Die Laufzeitkette kann verwirklicht werden, indem diese eine erwünschte oder vorgegebene Induktivität aufweist, z.B. durch geeignete Bemessung der Breite und der Länge des gemusterten Signalleiters im Falle einer Mikrostripleitung.
  • Diese und andere Eigenschaften, Vorteile und Besonderheiten der vorliegenden Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter erfindungsgemässer Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit der beigefügten Zeichnung besser hervor. Es sei betont, dass die beschriebenen Ausführungsbeispiele nur der Illustration der vorliegenden Erfindung dienen und diese nicht darauf beschränken.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnung
  • Figur 1 zeigt schematisch einen Schnitt durch ein Substrat eines supraleitenden Mikrowellenbauteils, welches mit dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellt werden kann;
  • Figur 2a zeigt schematisch einen senkrechten Schnitt durch eine Abscheidevorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens;
  • Figur 2B zeigt schematisch einen waagrechten Schnitt durch die in Figur 2A dargestellte Vorrichtung;
  • Figur 3A zeigt schematisch einen Schnitt durch ein supraleitendes Mikrowellenbauteil, welches erfindungsgemäss hergestellt werden kann;
  • Figur 3B zeigt schematisch einen Schnitt eines anderen Ausführungsbeispiels eines supraleitenden Mikrowellenbauteis, welches erfindungsgemäss hergestellt werden kann;
  • Figur 4 zeigt schematisch eine Draufsicht auf einen gemusterten Signalleiter eines supraleitenden Mikrowellenbauteils&sub1; das gemäss der Erfindung hergestellt werden kann;
  • Figuren 5A
  • bis 5B zeigen schematisch Schnittansichten zu verschiedenen Bearbeitungszeitpunkten durch einen erfindungsgemässen Mikrowellenresonator;
  • Figur 6 ist eine graphische Darstellung zur Erläuterung der Eigenschaften eines erfindungsgemäss hergestellten Mikrowellenresonators;
  • Figur 7 zeigt schematisch eine Draufsicht auf einen gemusterten Signalleiter einer erfindungsgemäss her gestellten supraleitenden Mikrowellen Laufzeitkette, und
  • Figur 8 ist eine graphische Darstellung zur Erläuterung der Eigenschaften der erfindungsgemäss hergestellten Mikrowellenlaufzeitkette.
  • Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
  • Wie Figur 1 zeigt, weist ein erfindungsgemäss hergestelltes supraleitendes Mikrowellenbauteil ein Paar oxidischer supraleitender Dünnschichten 1 und 2 auf, die auf den sich gegenüberliegenden Oberflächen eines einzigen dielektrischen Substrats 3 abgeschieden sind.
  • Mit dem in Figur 1 dargestellten Substrat kann ein Mikrowellenbauteil hergestellt werden durch Ausbildung eines Musters auf einer der beiden oxidischen supraleitenden Dünnschichten 1 und 2.
  • Figuren 2A und 2B zeigen eine Abscheidevorrichtung, mit der das erfindungsgemässe Verfahren zur Herstellung des Substrats für ein Mikrowellenbauteil verwirklicht werden kann.
  • Figur 2A zeigt schematisch einen senkrechten Schnitt durch die Abscheidevorrichtung und Figur 2A zeigt schematisch einen waagrechten Schnitt durch die Abscheidevorrichtung.
  • Gemäss Figuren 2A und 2B weist die Abscheidevorrichtung einen Substrathalter 12 zur Halterung des Substrats derart auf, dass die sich gegenüberliegenden Abscheideoberflächen des Substrats senkrecht zu einer waagrechten Ebene angeordnet sind, wobei ein Paar Targethalter 14a und 14b seitlich vom Substrathalter 12 vorgesehen sind und wobei jeder ein Target 13a bzw. 13b trägt; zwei Paar Heizanordnungen 15a bis 15d sind ebenfalls seitlich vom Substrathalter 12 angeordnet. Der Substrathalter 12, die Targethalter 14a und 14b und die Heizanordnungen 15a bis 15d sind in einer Kammer 16 angeordnet.
  • Der Substrathalter 12 ergreift nur einen Teil der Seitenfläche des Substrats 3 und einen Teil des Umfangs der Abscheideoberflächen des Substrats 3, so dass ein wesentlicher Abschnitt der beiden sich gegenüberliegenden Abscheideoberflächen des Substrats 3 nicht durch den Substrathalter 12 abgedeckt wird. Die Targethalter 14a und 14b sind derart ausgestaltet, dass sie das Target 13a bzw. 13b derartig halten, dass das Target 13a bzw. 13b senkrecht zu den Abscheideoberflächen des Substrats 3 angerodnet sind, welches vom Substrathalter gehalten wird. Die Heizanordnungen 15a bis 15d sind seitlich versetzt von der Stimseite der beiden sich gegenüberliegenden Abscheideoberflächen des Substrats 3 angeordnet, so dass das Substrat 3 durch die versetzte Anordnung erwärmt werden kann, ohne dass sie den Weg zwischen der Abscheideoberfläche des Substrats und dem vom Targethalter gehaltenen Target abschirmen.
  • Durch Verwendung der oben beschriebenen Abscheidevorrichtung können oxidische supraleitende Dünnschichten zu gleicher Zeit auf einem Paar sich gegenüberliegender Abscheideoberflächen eines einzigen Substrats 3 abgeschieden werden, während das Paar sich gegenüberliegender Abscheideoberflächen des Substrats 3 erwärmt wird.
  • Beispiel 1
  • Es wurde ein Substrat für ein supraleitendes Mikrowellenbauteil unter Verwendung der in Figur 2 dargestellen Abscheidevorrichtung hergestellt.
  • Als dielektrisches Substrat 3 wurde ein Substrat aus LaAlO&sub3; mit einer Dicke von 0,5 mm, einer Breite von 15 mm und einer Länge von 15 mm verwendet. Ein supraleitendes Verbundmaterial vom Y-Ba-Cu-O-Typ wurde als oxidischer Supraleiter verwendet und durch Zerstäubung unter den folgenden Bedingungen abgesschieden:
  • Target : YaBa&sub2;Cu&sub3;Oy
  • Zerstäubungsgas : Ar mit 20 % O&sub2;
  • Gasdruck : 665 Pa (0,5 Torr)
  • Substrattemperatur : 600ºC
  • Schichtdicke : 4000 Å
  • Als Heizquelle wurde eine Wolfram-Halogenlampe verwendet. In diesem Substrat für ein Mikrowellenbauteil, bei dem die oxidischen supraleitenden Dünnschichten auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen ausgebildet wurden, wurden die Eigenschaften der oxidischen supraleitenden Dünnschicht auf jeder der beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen gemessen. Im folgenden sind die Messergebnisse dargestellt:
  • Wie man sieht, weisen die oxidischen supraleitenden Dünnschichten, die auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen des Substrates, das unter Verwendung der Erfindung hergestellt worden ist, im wesentlichen die gleichen Supraleitungseigenschaften auf.
  • Beispiel 2
  • Ein Substrat für ein supraleitendes Mikrowellenbauteil wurde unter Verwendung der Abscheidevorrichtung gemäss Beispiel 1 hergestellt.
  • Es wurde ein MgO-Substrat der gleichen Grösse wie das in Beispiel 1 verwendete Substrat eingesetzt. Als supraleitendes Material wurde ein Y-Ba-Cu-O-Verbundoxid gewählt, welches mittels Zerstäubung abgeschieden wurde unter den folgenden Bedingungen:
  • Target . Yaba&sub2;Cu&sub3;Oy
  • Zerstäubungsgas . Ar mit 20 % O&sub2;
  • Gasdruck . 665 Pa (0,5 Torr)
  • Substrattemperatur . 620ºC
  • Schichtdicke . 4000 Å
  • Im derart hergestellten Substrat für ein Mikrowellenbauteil, bei dem die oxidischen supraleitenden Dünnschichten auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen abgeschieden wurden, wurden die Eigenschaften jeder oxidischen supraleitenden Dünnschicht auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen gemessen. Im folgenden sind die Messergebnisse dargestellt:
  • Wie man sieht, weisen die oxidischen supraleitenden Dünnschichten, die auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen des erfindungsgemäss hergestellten Substrates im wesentlichen die gleichen supraleitenden Eigenschaften auf.
  • Beispiel 3
  • Ein Substrat für ein supraleitendes Mikrowellenbauteil wurde unter Verwendung der gleichen Abscheidevorrichtung wie im Beispiel 1 und unter Verwendung eines MgO-Substrats und eines Wismut enthaltenden supraleitenden Verbundmaterials hergestellt. Das MgO-Substrat wies die gleiche Abmessung wie das in Beispiel 1 verwendete Substrat auf. Das Wismut enthaltende supraleitende Verbundmaterial wurde durch Zerstäubung abgeschieden unter den folgenden Bedingungen:
  • Target Bi&sub3;Sr&sub2;Ca&sub2;CuOz
  • Zerstäubungsgas : Ar mit 20 % O&sub2;
  • Gasdruck 133 Pa (0,1 Torr)
  • Substrattemperatur : 650ºC
  • Schichtdicke . 3000 Å
  • Im derart erhaltenen Substrat für eine Mikrowellenbauteil, bei dem die oxidischen supraleitenden Dünnschichten auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen abgeschieden wurden, wurden die Eigenschaften einer jeden oxidischen supraleitenden Dünnschicht auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen bemessen. Im folgenden sind die Messergebnisse dargestellt:
  • Wie man sieht, weisen die oxidischen supraleitenden Dünnschichten auf den beiden sich gegenüberliegenden Oberflächen des erfindungsgemäss hergestellten Substrats im wesentlichen die gleichen Supraleitungseigenschaften auf.
  • Aus der obigen Beschreibung geht hervor, dass das erfindungsgemässe Verfahren zu einem Substrat für ein Mikrowellenbauteil führt, welches ein einziges Substrat und ein Paar supraleitender Dünnschichten auf den sich gegenüberliegenden Substratoberflächen enthält, wobei diese im wesentlichen die gleichen guten Supraleitungseigenschaften aufweisen.
  • Da erfindungsgemäss hergestellte Substrat kann leicht bearbeitet werden, um so verschiedene Mikrowellenbauteile durch geeignete Musterausbildung einer der beiden oxidischen supraleitenden Dünnschichten auf den sich gegenüberliegenden Substratoberflächen zu erhalten. Das Mikrowellenbauteil weist einen geringen Übertragungsverlust und ein verbreitertes Frequenzband auf, da es mit einem Leiter aus einer oxidischen supraleitenden Dünnschicht mit guten Supraleitungseigenschaften versehen ist.
  • Im folgenden werden verschiedene Ausführungsbeispiele von Mikrowellenbauteilen beschrieben, die hergestellt wurden unter Verwendung von erfindungsgemäss für supraleitende Mikrowellenbauteile hergestellten Substraten
  • Ausführungsbeispiel 1
  • Ein Mikrowellenresonator mit einer dielektrischen Schicht bestehend aus einem LaAlO&sub3;-Substrat und Leiterschichten in Form von YBa&sub2;Cu&sub3;Oy-Dünnschichten wurde hergestellt.
  • Figuren 3A und 3B zeigen Schnittansichten einer Mikrowellenübertragungsleitung, welche einen erfindungsgemäss hergestellten Mikrowellenresonator bilden kann.
  • Die in Figur 3A dargestellte Mikrowellenübertragungsleitung ist eine sogenannte Mikrostripleitung mit einer dielektrischen Schicht 3, einem mittigen Signalleiter 1a mit einem gewünschten Muster auf der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht und einem Erdungsleiter 2, der die gesamte Unterseite der dielektrischen Schicht 3 bedeckt.
  • Die in Figur 3B dargestellte Mikrowellenübertragungsleitung ist eine sogenannte symmetrische Mikrostripleitung mit einem mittigen Signalleiter 1a, einer dielektrischen Schicht 3, in welche der mittige Signalleiter 1a entlang des Zentrums eingebettet ist und einem Paar Erdungsleitern 2a und 2b, die auf der oberen und der unteren Oberfläche der dielektrischen Schicht 3 ausgebildet sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel wurde im Hinblick auf die guten Eigenschaften einer Mikrowellenleitung der Mikrowellenresonator durch Verwendung des Aufbaus als symmetrische Mikrostripleitung gemäss Figur 3 hergestellt. Der Signalleiter la und die Erdungsleiter 2a und 2b wurden als Dünnschichten aus YBa&sub2;Cu&sub3;Oy hergestellt, während die dielektrische Schicht 3 aus LaAlO&sub3; bestand.
  • Figur 4 zeigt eine Musterausbildung für den mittigen Signalleiter des im folgenden beschriebenen erfindungsgemäss hergestellten Mikrowellenresonators.
  • Wie Figur 4 zeigt, ist der gemusterte mittige Signalleiter des Mikrowellenresonators in Form eines Paars mittiger Leiter 1b ausgebildet, die zueinander ausgerichtet sind, jedoch voneinander getrennt sind, während ein weiterer mittiger Leiter 1c zwischen dem Paar mittiger Leiter 1b angeordnet ist und zu dem Paar mittiger Leiter 1b ausgerichtet ist. Der mittige Leiter 1c ist von dem Paar mittiger Leiter 1b durch Schlitze 4a und 4b getrennt, wobei jeder Schlitz 4a und 4b einen Koppelkondensator bildet. Insbesondere weist jeder der mittigen Leiter 1b eine Breite von 0,26 mm auf und jeder Schlitz 4a und 4b ist 0,70 mm breit. Das Paar mittiger Leiter 1b bildet eine Mikrostripleitung mit einer Impedanz von 50 Ω bei 10 GHZ. Der mittige Leiter 1c wiederum weist eine Breite von 0,26 mm und eine Länge von 8,00 mm auf.
  • In den Figuren 5A bis 5D ist ein Verfahren zur Herstellung dieses Ausführungsbeispiels eines Mikrowellenresonators gemäss der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • Zuerst wird ein Substrat für ein supraleitendes Mikrowellenbauteil gemäss Figur 5A hergestellt, welches nach dem oben beschriebenen erfindungsgemässen Verfahren hergestellt wird. Eine LaAlO&sub3;-Platte mit einer Dicke von 0,5 mm wurde als dielektrisches Substrat 3 verwendet. Mit den im Zusammenhang mit dem Beispiel 1 beschriebenen Abscheideverfahren und den Abscheidebedingungen wurden Dünnschichten 1 und 2 mit einer Dicke von 6000 Å aus YBa&sub2;Cu&sub3;Oy zugleich auf der oberen und der unteren Oberfläche des dielektrischen Substrats 3 aus LaAlO&sub3; abgeschieden.
  • Danach wurde gemäss Figur SB ein Muster in der oxidischen supraleitenden Dünnschicht 1 durch ein Nassätzverfahren hergestellt, wobei als Ätzstoff Chlorwasserstoffsäure verwendet wurde, so dass die in Figur 4 dargestellte gemusterte oxidische supraleitende Dünnschicht 1a auf der oberen Oberfläche des dielektrischen Substrats 3 aus LaAlO&sub3; entstand. Gemäss Figur 5C wurde ausschliesslich die gemusterte oxidische supraleitende Dünnschicht 1 mit einer Maske 5 bedeckt und eine dielektrische Schicht 3a aus LaAlO&sub3; auf der oberen Oberfläche des dielektrischen Substrats 3 aus LaAlO&sub3; mit Ausnahme der gemusterten oxidischen supraleitenden Dünnschicht 1a abgeschieden bis die abgeschiedene dielektrische Schicht 3a aus LaAlO&sub3; die gleiche Dicke aufwies wie die gemusterte oxidische supraleitende Dünnschicht 1a. Die Abscheidung der dielektrischen Schicht 3a aus LaAlO&sub3; erfolgte durch ein Elektronenstrahl- Verdampfungsverfahren unter Verwendung von La und Al (Metall) als Verdampfungsquellen mit einem Gasdruck von 2,66 x 10&supmin;² Pa (2 x 10&supmin;&sup4; ) Torr und einer Substrattemperatur von 600ºC.
  • Gemäss Figur 5D wurde ein dielektrisches Substrat 3b aus LaAlO&sub3; mit einer Dünnschicht aus YBa&sub2;Cu&sub3;Oy auf seiner oberen Oberfläche als Leiter 2 auf der oberen Oberfläche des Substrats 3 mit dem gemusterten Leiter 1a angeordnet und befestigt.
  • Dadurch wurde der mit seinem Querschnitt in Figur 3b dargestellte Mikrowellenresonator erhalten.
  • Der wie oben beschrieben hergestellte Mikrowellenresonator wurde mit einem Netzwerkanalysator verbunden, um die Frequenzeigenschaften einer Übertragungsleistung im Bereich von 2 GHz bis 20 GHz zu messen. Das Messergebnis ist in Figur 6 dargestellt.
  • Zur Bestimmung der Frequenzselektivität eines Mikrowellenresonators ist es üblich, als Q-Faktor das Verhältnis einer Resonanzfrequenz "fo" und einer Bandbreite "B" anzugeben, wobei der Grad der Übertragungsleistung nicht unter einen Wert fällt, welcher niedriger ist als der maximale Grad bei 3 dB(Q = fo/B) Als Vergleichsbeispiel wurde ein Mikrowellenresonator mit der gleichen Spezifikation wie der gemäss der vorliegenden Erfindung oben beschriebene Mikrowellenresonator hergestellt mit der Ausnahme, dass nicht aus Aluminium bestehende Leiter verwendet wurden. Der Q-Faktor des erfindungsgemässen Mikrowellenresonators und derjenige des Vergleichsbeispiels wurden gemessen. Das Messergebnis ist in Tabelle 1 dargestellt. Tabelle 1
  • Es wird angenommen, dass der hohe Q-Faktor des erfindungsgemässen Mikrowellenresonators verglichen mit dem Vergleichsbeispiel durch die Tatsache erhalten wird, dass sowohl der mittige Signalleiter als auch die Erdungsleiter einen sehr geringen Oberflächen- oder Randwiderstand aufweisen. Dies beruht wahrscheinlich darauf, dass sowohl der Signalleiter als auch die Erdungsleiter aus oxidischen supraleitenden Dünnschichten bestehen mit guter, im wesentlichen gleicher Supraleitfähigkeit. Mit anderen Worten kann gesagt werden, dass sowohl die den Signalleiter als auch die Erdungsleiter bildenden oxidischen supraleitenden Dünnschichten nur geringe Defekte aufweisen.
  • Wie man sieht, kann der Mikrowellenresonator bei der Temperatur des flüssigen Stickstoffs betrieben werden und weist einen bemerkenswert hohen Q-Faktor auf, da dieser Mikrowellenresonator eine Mikrostripleitung aufweist, deren Leiter aus oxidischen supraleitenden Schichten mit ausgezeichneten Eigenschaften der Supraleitung bestehen.
  • Ausführungsbeispiel 2
  • Eine Mikrowellenlaufzeitkette mit einer dielektrischen Schicht bestehend aus einem Substrat aus LaAlO&sub3; und Leiterschichten bestehend aus Dünnschichten aus YBa&sub2;Cu&sub3;Oy wurde hergestellt.
  • Eine Mikrowellenübertragungsleitung in Form einer erfindungsgemässen Laufzeitkette kann den in den Figuren 3A und 3B dargestellten Querschnitt aufweisen.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel wurde die Mikrowellenlaufzeitkette hergestellt unter Verwendung der in Figur 3A dargestellten Struktur einer Mikrostripleitung. Dabei bestand der mittige Signalleiter 1a und der Erdungsleiter 2 aus einer Dünnschicht aus YBa&sub2;Cu&sub3;Oy während die dielektrische Schicht 3 aus LaAlO&sub3; bestand.
  • Figur 7 zeigt das Muster des mittigen Signalleiters der Mikrowellenlaufzeitkette, die gemäss dem nachstehend beschriebenen Verfahren hergestellt wurde.
  • Gemäss Figur 7 weist der mittige Signalleiter 1 ein Mänderoder Zick-Zack-Muster auf. Der Signalleiter 1a weist eine Breite von 280 µm und eine Länge 63 cm auf. Der Signalleiter la bildet eine Mikrostripleitung mit einer chararakteristischen Impedanz von 50 Ω. Die Verzögerungszeit der Mikrowellenlaufzeitkette betrug 10 ns, wenn sich die Leiter im Supraleitungszustand befanden.
  • Diese Mikrowellenlaufzeitkette wurd wie folgt hergestellt: Zuerst wird ein Substrat für ein supraleitendes Mikrowellenbauteil hergestellt, wie es weiter oben beschrieben ist. Eine Platte aus LaAlO&sub3; mit einer Dicke von 0,5 mm wurde als dielektrisches Substrat 3 verwendet. Mit dem gleichen Abscheideverfahren und den gleichen Abscheidebedingungen wie im Beispiel 1, wurden Dünnschichten 1 und 2 mit einer Dicke von 6000 Å aus YBa&sub2;Cu&sub3;O&sub3; zugleich auf der oberen Oberfläche und der unteren Oberfläche des dielektrischen Substrats 3 aus LaAlO&sub3; abgeschieden. Danach wurde der supraleitenden Dünnschicht 1 durch ein Nassätzverfahren ein Muster erteilt, wobei als Ätzmittel Chlorwasserstoffsäure verwendet wurde, so dass das in Figur 7 dargestellte Muster als oxidische supraleitende Dünnschicht 1a auf der oberen Oberfläche des dielektrischen Substrats 3 aus LaAlO&sub3; entstand.
  • Als Vergleichsbeispiel wurde eine Mikrowellenlaufzeitkette hergestellt mit einer Verzögerungszeit von 10 ns bestehend aus einer Stripleitung mit einem Leiter einer Breite von 280 µm bestehend aus einer Aluminium-Dünnschicht, die auf einem Saphir-Substrat abgeschieden wurde.
  • Der Übertragungsverlust des erfindungsgemässen Ausführungsbeispiels einer Mikrowellenlaufzeitkette und des Vergleichsbeispiels wurde durch Einspeisen von 1 GHZ bis 40 GHZ gemessen. Das Messergebnis ist in Figur 8 dargestellt.
  • Es wird angenommen, dass der geringe Übertragungsverlust der erfindungsgemässen Mikrowellenlaufzeitketter verglichen mit dem Ausführungsbeispiel auf der Tatsache beruht, dass sowohl der mittige Signalleiter als auch der Erdungsleiter einen sehr geringen Oberflächen- oder Randwiderstand aufweisen. Dies beruht darauf, dass sowohl der Signalleiter als auch der Erdurigsleiter aus oxidischen supraleitenden Dünnschichten mit im wesentlichen gleicher guter Supraleitfähigkeit bestanden. Mit anderen Worten kann gesagt werden, dass die oxidischen supraleitenden Dünnschichten, welche den Signalleiter und den Erdungsleiter bilden, nur geringe Defekte aufweisen.
  • Wie man sieht, erhält man erfindungsgemäss eine Mikrowellenlaufzeitkette, welche bei der Temperatur des flüssigen Stickstoffs betrieben werden kann und nur geringe Übertragungsverluste aufweist, da die Mikrowellenlaufzeitkette aus einer Mikrostripleitung besteht, deren Leiter aus oxidischem supraleitendem Material mit ausgezeichneten Eigenschaften der Supraleitung bestehen.
  • Zwar wurde die Erfindung im Zusammenhang mit speziellen Ausführungsbeispielen beschrieben, jedoch sei darauf hingewiesen, dass sie keineswegs darauf beschränkt ist, sondern alle in den Rahmen der Ansprüche fallende Äquivalente umfasst.

Claims (2)

1. Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Mikrowellenbauteils, mit einem dielektrischen Substrat (3, 3a, 3b) und mit wenigstens einem Paar oxidischer supraleitender Dünnschichten (1a, 1b, 1c, 2; 1a, 2a, 2b), die auf entsprechenden gegenüberliegenden Flächen des Substrats ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Paar oxidischer supraleitender Dünnschichten hergestellt wird unter Verwendung einer Abscheidevorrichtung, welche einen Substrathalter (12) zur Halterung des Substrates dergestalt aufweist, daß die Abscheideoberflächen des Substrates (3) senkrecht zu einer waagrechten Ebene der Abscheidevorrichtung angeordnet werden, daß ein Targethalter (14a, 14b) zur Halterung eines Targets (13a, 13b) derart angeordnet wird, daß das Target senkrecht zu den Abscheideoberflächen des vom Substrathalter gehaltenen Substrats angeordnet ist und daß eine Heizanordnung (15a, 15b, 15c, 15d) seitlich zu den Abscheideoberflächen des vom Substrathalter gehaltenen Substrates angeordnet wird, um nicht die Abscheideoberflächen des Substrats und des vom Targethalter gehaltenen Targets abzuschirmen, so daß oxidische supraleitende Dünnschichten zugleich auf den entsprechenden, sich gegenüberliegenden Abscheideoberflächen des Substrats abgeschieden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Paar oxidischer supraleitender Dünnschichten abgeschieden wird, bei Einhaltung einer Substrattemperatur von nicht mehr als 800ºC.
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