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Die
Erfindung betrifft eine Lithographievorrichtung zum Ausführen von
Projektionslithographie mit Hilfe von geladenen Teilchen, welche
Vorrichtung ein abbildendes teilchenoptisches System enthält, um eine
lithographische Objektstruktur mit Hilfe dieses Bündels auf
einer lithographischen Abbildungsfläche abzubilden.
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Eine
Vorrichtung dieser An ist aus einem Artikel in Proceedings SPIE „Electron-Beam
Sources and Charged Particle Optics", 10. bis 14. Juli, 1995, von W. K.
Waskiewicz et al. mit dem Titel „Electron-Optical Design for
the SCALPEL: Proof-of-Concept
Tools" veröffentlicht
in SPIE Bd. 2522, 1995 bekannt.
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Teilchenoptische
Abbildung, insbesondere elektronenoptische Abbildung kann für die lithographische Fertigung
sehr kleiner Strukturen verwendet werden, wie z. B. integrierte
Elektronikschaltungen oder Masken für solche Schaltungen, mit einer
Auflösung,
die kleiner als die Wellenlänge
von Licht ist.
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Das
Abbilden einer lithographischen Objektstruktur auf eine lithographische
Abbildungsfläche
mit Hilfe von Elektronen kann im Prinzip in zwei Weisen ausgeführt werden:
sequentiell oder nicht sequentiell. Im Fall von sequentieller Abbildung
wird die emittierende Oberfläche
eine Elektronenquelle oder ein Teil davon in stark verkleinertem
Maßstab
auf die lithographische Abbildungsfläche, auf der die zu bildende
lithographische Struktur aufgebracht werden soll, abgebildet. Dieses
Bild der Elektronenquelle (der „Fleck") wird über dem Objekt beispielsweise
mit Hilfe von Ablenkspulen verlagert, wobei während dieser Verlagerung das
Elektronenbündel gegebenenfalls
ausgetastet wird. Die Bildelemente des abzubildenden Musters werden
dann sequentiell auf die lithographische Abbildungsfläche geschrieben.
Bei größer werdenden
Abmessungen der lithographischen Struktur wird deutlich mehr Zeit
für das
abtastende Schreiben dieser Struktur benötigt d. h. die Zunahme an Zeit
ist proportional zur Oberfläche
der Struktur. Weil heutzutage in der Technik der integrierten Schaltungen eine
starke Tendenz herrscht, stets größere Strukturen abzubilden,
nimmt der Durchsatz bei der Fertigung integrierter Schaltungen stark
ab, sodass dieses Verfahren der Abbildung zunehmend mühseliger
wird.
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Im
Fall nicht sequentieller Abbildung wird die abzubildende lithographische
Objektstruktur mit Hilfe des Elektronenbündels gleichmäßig bestrahlt
und wird ein fokussierendes Linsensystem verwendet, um ein gegebenenfalls
verkleinertes Bild der lithographischen Objektstruktur auf der lithographischen
Abbildungsfläche
zu bilden. Die Bildelemente des abzubildenden Musters werden somit
gleichzeitig, d. h. nicht sequentiell auf die lithographische Bildfläche projiziert.
Daher wird dieses Lithogaphieverfahren auch Projektionslithographie
genannt.
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Der
erwähnte
Artikel beschreibt ein Projektionslithographieverfahren, bei dem
eine lithographische Objektstruktur mit Hilfe eines Systems aus
rotationssymmetrischen Elektronenlinsen auf eine lithographische Abbildungsfläche abgebildet
wird. Eine solche lithographische Objektstruktur kann mit einer
(verhältnismäßig großen) Wiedergabe
einer lithographischen Maske gebildet werden, die auf die lithographische
Abbildungsfläche
abgebildet werden muss, um daraus die eigentliche (viel kleinere)
lithographische Maske abzuleiten. Die abzubildende lithographische
Objektstruktur kann auch durch die eigentliche Maske gebildet werden,
die dann auf die lithographische Abbildungsfläche (in diesem Fall ein Wafer)
abgebildet wird, um daraus integrierte Schaltungen zu bilden. Dieses
bekannte lithographische Verfahren wird SCALPEL® („Scattering
with Angular Limitation Projection Electron-beam Lithogaphy") genannt. Das Abbildungssystem
aus Elektronenlinsen wird darin durch zwei Elektronenlinsen mit
einem rotationssymmetrischen Linsenfeld gebildet, die zusammen ein teleskopisches
System bilden.
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Im
Kontext der vorliegenden Erfindung soll unter einem teleskopischen
System ein System aus Linsen verstanden werden, das ein einfallendes
paralleles Bündel
in ein paralleles austretendes Bündel
umwandelt. Die einfachste Form eines solchen Systems besteht aus
zwei Linsen, die eine gemeinsame optische Achse haben, wobei der
bildseitige Brennpunkt der einen Linse mit dem objektseitigen Brennpunkt
der anderen Linse zusammenfällt,
wie es bei dem erwähnten
System nach dem Stand der Technik der Fall ist. Projektionslithographie
erfordert ein teleskopisches System, weil eine verhältnismäßig große lithographische
Objektstruktur (mit einem Durchmesser in der Größenordnung von 1 mm) vollständig auf
die lithographische Abbildungsfläche
abgebildet werden muss. Die Ränder
der Struktur sollten im Prinzip ebenso scharf wie ihr Zentrum sein, was
bedeutet, dass die Abbildungsfehler an den Rändern der abzubildenden Struktur
kaum größer als
die in den zentralen Teilen sein dürfen. Dieser Bedingung kann
nur optimal genügt
werden, wenn das Abbildungssystem ein teleskopisches System ist,
sodass es für
die vorliegende Erfindung von essentieller Bedeutung ist, dass die
Abbildung mit Hilfe eines solchen Systems erfolgt.
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Bei
der Fertigung von integrierten Schaltungen mit Hilfe von Projektionslithographie
wird der Durchsatz durch die Größe des Stroms
in dem Elektronenbündel
bestimmt, mit dem die abzubildende lithographische Objektstruktur
(im Fall der IC-Fertigung also die abzubildende Maske) bestrahlt
wird. Für
den Strom in dem Elektronenbündel
gibt es eine Grenze, weil die Elektronen in dem Bündel einander
abstoßen
(so genannte Coulomb-Wechselwirkung), was zu einer Energiestreuung
der Elektronen in dem Bündel
führt und
zur Verformung des Bündels.
Beide Effekte sind umso größer, je
größer der
Strom in dem Elektronenbündel
ist, und bewirken Abbildungsfehler des Abbildungssystems. Die Abbildungsfehler
dürfen
einen festgelegten Wert nicht überschreiten,
sodass auch für
den Strom in dem Bündel
eine obere Grenze gilt und somit auch hinsichtlich des Durchsatzes
der zu fertigenden integrierten Schaltungen.
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Der
beschriebene Abstoßeffekt
ist in dem Teil des Elektronenbündels,
in dem der Zwischenraum der Elektronen in dem Bündel klein ist, d. h. am Ort
einer Überschneidung
in dem Elektronenbündel,
am größten. Bei
dem System nach dem Stand der Technik tritt eine solche Überschneidung
zwischen den genannten zwei runden Linsen auf, die zusammen das
teleskopische System bilden, d. h. am Ort der zusammenfallenden Brennpunkte
der beiden Linsen. Zwar können Überschneidungen
in dem Elektronenbündel
auch vor dem teleskopischen System gebildet werden, aber solche Überschneidungen
haben auf die (geometrischen) Abbildungsfehler keinen Einfluss,
weil sie in dem bestrahlenden Teil des Bündels liegen und nicht in dem
abbildenden Strahlengang zwischen dem Objekt (der lithographischen
Objektstruktur) und dem Bild (der lithographischen Abbildungsfläche) auftreten.
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Der
Erfindung liegt als Aufgabe zugrunde, die genannte Begrenzung des
Stroms in dem Elektronenbündel
weniger zwingend zu machen und somit den Durchsatz während der
Fertigung von integrierten Schaltungen zu erhöhen.
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Zur
Lösung
dieser Aufgabe ist die erfindungsgemäße lithographische Vorrichtung
dadurch gekennzeichnet, dass das teilchenoptische System zumindest
fünf Quadrupole
enthält,
wobei benachbarte Quadrupole der genannten Quadrupole jedes Mal
senkrecht zueinander stehen, wobei die Stärke und der Ort der genannten
Quadrupole derart sind, dass die Abbildung der lithographischen
Objektstruktur auf die lithographische Ab bildungsfläche stigmatisch
ist, und dass das System sowohl in der xz-Ebene als auch in der
yz-Ebene teleskopisch ist.
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Wie
aus der Teilchenoptik bekannt ist, hat ein Quadrupolfeld eine rein
konvergierende Wirkung auf ein Bündel
geladener Teilchen in einer ersten Ebene (der konvergierenden Ebene),
die die optische Achse enthält, während es
in einer Ebene (der divergierenden Ebene), die dazu senkrecht verläuft und
eine optische Achse enthält,
eine rein divergierende Wirkung hat. Im Kontext der vorliegenden
Erfindung soll unter zueinander senkrecht stehenden Quadrupolen
ein System aus Quadrupolen verstanden werden, bei dem die konvergierende
(divergierende) Ebene des einen Quadrupols senkrecht zu der konvergierenden
(divergierenden) Ebene eines anderen Quadrupol steht.
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Die
Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass es im Prinzip möglich ist,
mit mehr als einem Quadrupol ein stigmatisches Bild zu erstellen.
Die Realisierung dieses Bildes mit Hilfe eines Systems, das sowohl
in der xz-Ebene als auch in der yz-Ebene teleskopisch ist, ermöglicht es,
die gewünschte
hohe Auflösung
an den Rändern
des Bildes zu erhalten.
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Außerdem bietet
die Verwendung von Quadrupolen den zusätzlichen Vorteil, dass, im
Vergleich zu runden Linsen, in den Wicklungen der Feld erzeugenden
Polstücke
nur wenig Leistung verloren geht. Dies liegt an der in der Teilchenoptik
wohlbekannten Tatsache, dass für
Quadrupole bei Verwendung einer verhältnismäßig geringen Zahl Amperewindungen
eine starke Linsenwirkung erhalten werden kann und somit ein geringer Leistungsverlust.
Daher bewirken diese Wicklungen nur eine geringe Temperaturzunahme,
sodass mechanische Verformung infolge von Wärmeausdehnung begrenzt bleibt.
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Es
sei bemerkt, dass aus der japanischen Patentanmeldung 5-286948,
veröffentlicht
am 2. 6. 1995 (eingereicht am 16. 11. 1993, Veröffentlichungsnummer 7-142318)
an sich bekannt ist, der Coulomb-Wechselwirkung in einem ein Linsensystem
durchlaufenden Elektronenbündel
durch Verformung einer Überschneidung
mit Hilfe von am Ort der Überschneidung
angeordneten Quadrupole zu begegnen, um eine Bündelstruktur zu bilden, die
einen vergrößerten Bündelquerschnitt
aufweist. Die aus dem erwähnten
Dokument bekannten Abbildungssysteme sind jedoch dazu gedacht, eine
Form des Flecks für
eine sequentielle Abbildungsanwendung zu bilden (also das abtastende
Belichten der lithographischen Abbildungsfläche). Solche bekannten Systeme
enthalten sowohl rotationssymmetrische Linsen als auch Quadrupole.
Gemäß dem in
dem erwähnten Dokument
beschriebenen Verfahren wird die gewünschte Fleckform durch Abbilden
eines bündelbegrenzenden
Spal tes auf einen zweiten bündelbegrenzenden
Spalt und durch Abbilden dieser Gesamtheit ihrerseits auf eine lithographische
Abbildungsfläche
erhalten. Es wird deutlich sein, dass es sich hier nicht um Projektionslithographie
handelt und daher das erwähnte
Dokument hinsichtlich der benötigten
Schritte, um Projektionslithographie ausschließlich mit Quadrupolen auszuführen, die
außerdem
ein teleskopisches System bilden, keinerlei Hinweise bietet.
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Mit
den oben erwähnten
erfindungsgemäßen Maßnahmen
wird auch erreicht, dass das Bild rotationsfrei ist, d. h. dass
das Bild auf der lithographischen Abbildungsfläche nicht relativ zu der lithographischen
Objektstruktur verdreht ist, ungeachtet der Erregung der Quadrupole.
Dies vereinfacht die Ausrichtung der zu verwendenden Apparatur wesentlich.
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Bei
einer bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Lithographievorrichtung
ist die x-Vergrößerung von
der lithographischen Objektstruktur zur lithographischen Abbildungsfläche gleich
der y-Vergrößerung.
Allgemein weicht bei Verwendung von Quadrupolen für ein stigmatisches
Bild die Vergrößerung in
der x-Richtung von der in der y-Richtung ab. In solchen Fällen wären zusätzliche
Maßnahmen
erforderlich, um die so verursachte Verzeichnung auszugleichen,
beispielweise durch eine vorherige Verzeichnung des abzubildenden
Objektes. Mit diesen Maßnahmen
wird ein nicht verzeichnetes Bild erhalten, sodass solche zusätzlichen
Maßnahmen
entfallen können.
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Bei
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Lithographievorrichtung
haben die verschiedenen Parameter des abbildenden teilchenoptischen
Systems die in Anspruch 3 angegebenen Werte.
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Die
Erfindung wird im Weiteren anhand der Zeichnung beschrieben, in
der entsprechende Bezugszeichen entsprechende Elemente angeben.
Es zeigen:
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1 eine schematische Darstellung
eines abbildenden teilchenoptischen Systems für die Abbildung einer lithographischen
Objektstruktur auf einer lithographischen Abbildungsfläche gemäß dem heutigen
Stand der Technik;
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2 eine schematische Darstellung
eines abbildenden teilchenoptischen Systems, das mit fünf erfindungsgemäßen Quadrupolen
versehen ist.
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1 ist eine schematische
Darstellung eines abbildenden teilchenoptischen Systems nach dem Stand
der Technik zum Abbilden einer lithographischen Objektstruktur auf
einer lithographischen Abbildungsfläche. In dieser Figur wird von
einer Elektronen quelle 2 ein Elektronenbündel erzeugt.
Das Elektronenbündel durchläuft das
Linsensystem entlang einer optischen Achse 4. Das dargestellte
System besteht auch aus zwei runden (d. h. rotationssymmetrischen)
Linsen 10 und 12, deren Achsen mit der optischen
Achse des Systems zusammenfallen. Beide Linsen 10 und 12 bilden
eine abzubildende lithographische Objektstruktur, beispielsweise
eine lithographische Maske, auf einer lithographischen Abbildungsfläche 16,
beispielsweise einem Wafer, auf dem integrierte Schaltungen gebildet
werden sollen, ab. In dem dargestellten System ist die Brennweite f1 der Linse 10 gleich 160 mm, ebenso
wie der Abstand d1 von der Maske 14 zur
Linse 10. Die Brennweite f2 der
Linse 12 ist gleich 40 mm, ebenso wie der Abstand d2 von der Linse 12 zur zu bestrahlenden
Oberfläche des
Wafers 16. Aus diesen Zahlen ergibt sich, dass die Maske
auf den Wafer mit einem Verkleinerungsfaktor abgebildet wird, der
160 : 40 = 4 : 1 beträgt.
Wenn das Verhältnis
des Durchmessers der Bohrung zum Spalt (Bohrung-Spalt-Verhältnis) der
beiden Linsen als gleich gewählt
wird und die Anregung dieser Linsen gleich, aber entgegengesetzt
ist, wird dieses System kaum eine oder keine Bilddrehung bewirken.
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Die
auf der Oberfläche
des Wafers 16 abzubildende Maske 14 wird mit Hilfe
zweier Kondensorlinsen 6 und 8 bestrahlt, die
am Ort des Bündelquerschnittes 20,
d. h. am Ort der Maske 14, ein mehr oder weniger paralleles
Bündel
mit einer Breite von ungefähr
1 mm bilden. Diese Figur zeigt auch eine runde bündelbegrenzende Blende 24,
die am Ort der zusammenfallenden Brennpunkte der Linsen 10 und 12 einen
Durchmesser von 160 μm
hat. Aus den genannten Werten der Brennweite f1 der
Linse 10 und dem Durchmesser der Blende 24 folgt
auch, dass der Öffnungswinkel 26 des
Elektronenbündels
gleich 1 mrad ist.
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1 zeigt zwei Strahlengänge: den
Strahlengang des bestrahlenden Bündels 28 (in
ausgezogenen Linien dargestellt) und den des abbildenden Bündels 30 (in
gestrichelten Linien dargestellt). Auch wenn das bestrahlende Bündel und
das abbildende Bündel
keine gesonderten Bündel
sind, sondern Teil des Bündels von
Elektronen, die aus der Quelle 2 treten, wird zwischen
den beiden imaginären
Bündeln 28 und 30 eine Trennung
vorgenommen, um die unterschiedlichen Funktionen (Bestrahlung und
Abbildung) zu verdeutlichen. Die Strahlen des bestrahlenden Bündels 28 fallen
parallel auf die Maske 14 über das Kondensorsystem 6, 8 ein.
Die parallelen Strahlen werden über
die Linse 10 in der gemeinsamen Brennebene dieser Linse
und der Linse 12 fokussiert, woraufhin sie wieder parallel
aus der Linse austreten, um in Richtung der Abbildungsfläche 16 zu
laufen. Die Strahlen des abbildenden Bündels 30 fallen über das
Kondensorsystem 6, 8 nicht parallel auf die Maske 14 ein.
Folglich wird die Maske 14 von der Linse 10 im
Unendlichen abgebildet, d. h. die aus einem bestimmten Punkt der
Maske 14 austretenden Strahlen treten aus der Linse 10 als
paralleles Bündel
aus. Die Linse 12 fokussiert dieses parallele Bündel auf
der Abbildungsfläche 16,
die mit dem bildseitigen Brennpunkt der Linse 12 zusammenfällt. Die
von dem Bündel 28 bestrahlte
Maske 14 wird somit auf die Abbildungsfläche 16 abgebildet.
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Zwischen
den beiden Linsen 10 und 12, die zusammen das
teleskopische System bilden, wird am Ort der zusammenfallenden Brennpunkte
der beiden Linsen eine Überschneidung 18 gebildet.
Somit tritt an diesem Punkt in dem Strahlengang die höchste räumliche
Konzentration von Elektronen zwischen den Linsen 10 und 12 auf,
also innerhalb der Öffnung
der runden bündelbegrenzenden
Blende 24, die einen Durchmesser von 160 μm hat. Die
Abmessung der Blende 24 wird durch den geforderten Öffnungswinkel
des abbildenden Bündels
bestimmt, welcher Öffnungswinkel
seinerseits durch die zulässigen
Bildfehler festgelegt wird, also durch die gewünschte Auflösung des Bildes.
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2 ist eine schematische
Darstellung eines abbildenden teilchenoptischen Systems, das fünf erfindungsgemäße Quadrupole 32, 34, 36, 38 und 40 enthält. Diese
Figur zeigt den Strahlengang durch das System für sowohl die xz-Ebene als auch
die yz-Ebene, wobei wie in 1 der
Strahlengang des bestrahlenden Bündels 28 durch
ausgezogene Linien und der des abbildenden Bündels 30 durch gestrichelte
Linien dargestellt wird. Ein Vergleich des Strahlenganges in der
xz-Ebene mit dem in der yz-Ebene lässt erkennen, dass überall,
wo in das abbildende Bündel 28 der
xz-Ebene eine Brennlinie bildet (wie in den Quadrupolen 34 und 38),
dieses Bündel
keine Brennlinie in der yz-Ebene bildet und umgekehrt. Das bedeutet,
dass statt Überschneidungen
mit einer stark konzentrierten Raumladung, wie die Überschneidung 18 in 1, räumlich getrennte Brennlinien
mit viel geringerer Raumladungskonzentration gebildet werden.
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Die
physikalischen Abmessungen des Systems von 2 werden durch sechs Abmessungsparameter
A, a, b, c, d und D definiert, die die folgende Bedeutung haben:
A
= der Abstand zwischen der Maske 14 und dem ersten Quadrupol 32,
a
= der Abstand zwischen dem ersten Quadrupol 32 und dem
zweiten Quadrupol 34,
b = der Abstand zwischen dem
zweiten Quadrupol 34 und dem dritten Quadrupol 36,
c
= der Abstand zwischen dem dritten Quadrupol 36 und dem
vierten Quadrupol 38,
d = der Abstand zwischen dem
vierten Quadrupol 38 und dem fünften Quadrupol 40 und
D
= der Abstand zwischen dem fünften
Quadrupol 40 und der Abbildungsfläche 16.
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Es
wird angenommen, dass die Winkelvergrößerung durch das System von
der Maske 14 zur Abbildungsfläche 16 gleich M ist.
Weiterhin ist eine Grundvoraussetzung, dass das System teleskopisch
ist. Wenn zwei der genannten fünf
Abbildungsparameter eines solchen Systems festgelegt sind (beispielweise
b und D) kann der Wert der übrigen
drei Parameter bestimmt werden. Ein System ist teleskopisch, wenn
es der Übertragungsmatrix
T genügt:
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Es
kann jetzt gezeigt werden, dass die obigen Anforderungen durch die
folgenden Beziehungen (2)–(5)
erfüllt
werden:
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In
diesen Ausdrücken
ist C = √(M
+ 6M2 + M3). Für die zugehörigen Linsenerregungen
gilt, dass q1 = a (siehe Ausdruck (3); q1 ist somit eine Brennweite), q5 =
d (siehe Ausdruck (5)), während
für q2–q4 gilt, dass:
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Als
Beispiel wird angenommen, dass die Winkelvergrößerung M = 4 ist, dass der
Abstand b zwischen dem zweiten Quadrupol 34 und dem dritten
Quadrupol 36 gleich 200 mm ist und dass der Abstand D zwischen dem
fünften
Quadrupol 40 und der Abbildungsfläche 16 gleich 20 mm
ist. Mit diesen Werten sind die Werte für die verschiedenen Parameter
so, wie in der folgenden Tabelle I angegeben:
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Wenngleich
das Bündel 28 in 2 als paralleles Bündel in
der Zone zwischen der Maske 14 und dem Quadrupol 32 dargestellt
ist, weist dieses Bündel
in Wirklichkeit eine gewisse Winkelstreuung auf, die in einem praktischen
Fall bis zu 1 mrad beträgt.
Dies würde
zu einer Abmessung von 160 μm
für die Überschneidung 18 in 1 führen. In 2 bedeutet das, dass die Breite der Brennlinie
beim Zentrum des Quadrupols 34 gleich dieser Winkelstreuung
mal dem Abstand a ist, also ungefähr 96 μm. Der Quadrupol 34 ist
mit einer bündelbegrenzenden
Spalt 42 versehen, dessen Längsrichtung senkrecht zur Zei chenebene
steht. Die Hauptfunktion dieses Spaltes ist das Abfangen von Elektronen,
die im optischen Weg über
diesen Spalten gestreut worden sind, sodass sie die eigentliche
Brennlinie verfehlen würden
und wegen ihrer Abbildungsfehler die Auflösung verringern würden. Eine
Brennlinie wird auch senkrecht zur xz-Ebene gebildet, d. h. im Zentrum
des Quadrupols 36. Die Breite dieser Brennlinie wird durch
die Stärke
der Quadrupole 32 und 34 und die Werte der Abstände a und
b bestimmt. Es wird offensichtlich sein, dass das (virtuelle) Bild,
mit einer Breite von 96 μm, das
in der yz-Ebene von dem Quadrupol 32 erstellt wird, mit
einer linearen Vergrößerung,
die b/2a beträgt,
in dem Quadrupol 36 abgebildet wird; die Breite des letzteren
Bildes scheint somit ungefähr
100 μm zu
sein. Der Quadrupol 36 ist mit einem bündelbegrenzenden Spalt 44 versehen,
dessen Längsrichtung
senkrecht zur Zeichenebene steht. Die Funktion dieses Spaltes ist
die gleiche wie die des Spaltes 42. Die Breite dieser beiden Spalte
kann daher gleich der Breite der beiden Brennlinien gewählt werden.
Verwendet man die oben genannten Zahlen, dann wird deutlich, dass
bei einer Breite des einfallenden Bündels von 1 mm (d. h. am Ort
der Maske 14) die Länge
der beiden Brennlinien ungefähr
2 mm beträgt.
Daraus folgt, dass der Strom eine Fläche von ungefähr 0,1 mm × 2 mm =
0,2 mm2 durchlaufen sollte. Bei dem in 1 gezeigten Fall ist die
von dem Bündel durchlaufene
Fläche
ungefähr
gleich 0,025 mm2 für einen Querschnitt der Überschneidung,
der 160 μm
beträgt.
Daher wird, wenn für
die Situation von 2 die
gleiche Stromdichte wie in 1 erlaubt
sein soll, eine Zunahme des gesamten Bündelstroms im Verhältnis der
genannten Flächen
zulässig
sein. Dies ergibt für
die Zunahme des Bündelstroms
einen Faktor acht. Der zulässige
Strom in dem Bündel
kann daher um diesen Faktor zunehmen, sodass der Durchsatz bei der
Fertigung von integrierten Schaltungen auch um einen gleichen Faktor
zunehmen kann.