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DE69800493D1 - Integrierte Speicherschaltung mit einer Schaltung zur Erzeugung einer hohen Programmierspannung - Google Patents

Integrierte Speicherschaltung mit einer Schaltung zur Erzeugung einer hohen Programmierspannung

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Publication number
DE69800493D1
DE69800493D1 DE69800493T DE69800493T DE69800493D1 DE 69800493 D1 DE69800493 D1 DE 69800493D1 DE 69800493 T DE69800493 T DE 69800493T DE 69800493 T DE69800493 T DE 69800493T DE 69800493 D1 DE69800493 D1 DE 69800493D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
generating
programming voltage
integrated memory
high programming
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
DE69800493T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69800493T2 (de
Inventor
Mohamad Chehadi
David Naura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA filed Critical STMicroelectronics SA
Publication of DE69800493D1 publication Critical patent/DE69800493D1/de
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Publication of DE69800493T2 publication Critical patent/DE69800493T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
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DE69800493T 1997-10-15 1998-10-14 Integrierte Speicherschaltung mit einer Schaltung zur Erzeugung einer hohen Programmierspannung Expired - Lifetime DE69800493T2 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9712871A FR2769744B1 (fr) 1997-10-15 1997-10-15 Circuit integre a memoire comprenant un circuit interne de generation d'une haute tension de programmation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69800493D1 true DE69800493D1 (de) 2001-02-22
DE69800493T2 DE69800493T2 (de) 2001-05-03

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DE69800493T Expired - Lifetime DE69800493T2 (de) 1997-10-15 1998-10-14 Integrierte Speicherschaltung mit einer Schaltung zur Erzeugung einer hohen Programmierspannung

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US (2) US6125063A (de)
EP (1) EP0910097B1 (de)
DE (1) DE69800493T2 (de)
FR (1) FR2769744B1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100454118B1 (ko) * 2001-10-23 2004-10-26 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 테스트 방법
US20030115502A1 (en) * 2001-12-14 2003-06-19 Smiths Industries Aerospace & Defense Systems, Inc. Method of restoring encapsulated integrated circuit devices
JP2003257199A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US7376020B2 (en) * 2005-12-13 2008-05-20 Microchip Technology Incorporated Memory using a single-node data, address and control bus
US7805046B2 (en) * 2007-07-06 2010-09-28 Weatherford/Lamb, Inc. Termination of fiber optic cable
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2012082880A1 (en) * 2010-12-14 2012-06-21 University Of Massachusetts Methods and systems for low-power storage
JP2012234591A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US10390829B2 (en) 2015-08-26 2019-08-27 Ethicon Llc Staples comprising a cover

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63181196A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JPH02177100A (ja) * 1988-12-27 1990-07-10 Nec Corp 半導体記憶装置のテスト回路
JPH0770620B2 (ja) * 1990-12-26 1995-07-31 株式会社東芝 半導体記憶装置
JPH0760845B2 (ja) * 1991-03-22 1995-06-28 株式会社東芝 半導体記憶装置
JPH0729373A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5363335A (en) * 1993-09-28 1994-11-08 Intel Corporation Nonvolatile memory with automatic power supply configuration
US5379260A (en) * 1993-09-30 1995-01-03 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Memory cell having a super supply voltage
JP3015652B2 (ja) * 1994-03-03 2000-03-06 株式会社東芝 半導体メモリ装置

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EP0910097B1 (de) 2001-01-17
US6538931B1 (en) 2003-03-25
EP0910097A1 (de) 1999-04-21
DE69800493T2 (de) 2001-05-03
US6125063A (en) 2000-09-26
FR2769744B1 (fr) 2001-03-30

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