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DE69731625D1 - Herstellungsprozess von Kreuzpunktspeicherbauelementen mit Zellen, die einen zur Bitleitung und zum Feldoxyd selbstjustierten Source-Kanal aufweisen - Google Patents

Herstellungsprozess von Kreuzpunktspeicherbauelementen mit Zellen, die einen zur Bitleitung und zum Feldoxyd selbstjustierten Source-Kanal aufweisen

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Publication number
DE69731625D1
DE69731625D1 DE69731625T DE69731625T DE69731625D1 DE 69731625 D1 DE69731625 D1 DE 69731625D1 DE 69731625 T DE69731625 T DE 69731625T DE 69731625 T DE69731625 T DE 69731625T DE 69731625 D1 DE69731625 D1 DE 69731625D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
aligned
cells
self
bit line
manufacturing process
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69731625T
Other languages
English (en)
Inventor
Elio Colabella
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69731625D1 publication Critical patent/DE69731625D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
DE69731625T 1997-08-08 1997-08-08 Herstellungsprozess von Kreuzpunktspeicherbauelementen mit Zellen, die einen zur Bitleitung und zum Feldoxyd selbstjustierten Source-Kanal aufweisen Expired - Lifetime DE69731625D1 (de)

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Publication Number Publication Date
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Family

ID=8230754

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US (2) US6057192A (de)
EP (1) EP0896369B1 (de)
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