[go: up one dir, main page]

DE69630014T2 - Thermoelektrische anordnung und thermoelektrischer(s) kühler/heizgerät - Google Patents

Thermoelektrische anordnung und thermoelektrischer(s) kühler/heizgerät Download PDF

Info

Publication number
DE69630014T2
DE69630014T2 DE69630014T DE69630014T DE69630014T2 DE 69630014 T2 DE69630014 T2 DE 69630014T2 DE 69630014 T DE69630014 T DE 69630014T DE 69630014 T DE69630014 T DE 69630014T DE 69630014 T2 DE69630014 T2 DE 69630014T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thermoelectric
layer
flexible
semiconductor elements
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69630014T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69630014D1 (de
Inventor
Shiro Kitasoma-gun SAKURAGI
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Silicon Engr Labs Ltd
CHIBA SANGYO CLEAN CO Ltd
CHIBA SANGYO CLEAN Co Ltd CHOSHO
FRIGISTOR TRADING CO Ltd
Morix Co Ltd Komaki
Morix Co Ltd
Original Assignee
Silicon Engr Labs Ltd
CHIBA SANGYO CLEAN CO Ltd
CHIBA SANGYO CLEAN Co Ltd CHOSHO
FRIGISTOR TRADING CO Ltd
Morix Co Ltd Komaki
Morix Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP27675195A external-priority patent/JP3151759B2/ja
Priority claimed from JP7351521A external-priority patent/JPH09181362A/ja
Application filed by Silicon Engr Labs Ltd, CHIBA SANGYO CLEAN CO Ltd, CHIBA SANGYO CLEAN Co Ltd CHOSHO, FRIGISTOR TRADING CO Ltd, Morix Co Ltd Komaki, Morix Co Ltd filed Critical Silicon Engr Labs Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69630014D1 publication Critical patent/DE69630014D1/de
Publication of DE69630014T2 publication Critical patent/DE69630014T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/007Mechanisms for moving either the charge or the heater
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/08Germanium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B21/00Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B21/02Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25DREFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F25D11/00Self-contained movable devices, e.g. domestic refrigerators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1036Seed pulling including solid member shaping means other than seed or product [e.g., EDFG die]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine thermoelektrische Einheit, beispielsweise eine thermoelektrische Chipeinheit, ein thermoelektrisches Modul oder eine thermoelektrische Schicht, die flexibel ist und in der thermoelektrische Halbleiterelemente benutzt sind, sowie eine Kühl- oder Heizvorrichtung, in der solche Einheiten verwendet sind.
  • Hintergrund der Technik
  • Thermoelektrische Einheiten, in denen thermoelektrische Halbleiterelemente benutzt sind, die aus Verbindungen, wie Wismut/Tellur-Verbindungen, Eisen/Silizium-Verbindungen oder Kobalt/Antimon-Verbindungen bestehen, werden in Anwendungen, wie Kühl- oder Heizvorrichtungen und Wärmekrafteinrichtungen eingesetzt. Eine derartige thermoelektrische Einheit ist zweckmäßig als Kühl- oder Heizquelle, die keine Flüssigkeiten oder Gase benutzt, wenig Platz braucht und keiner Rotationsreibung unterliegt, und die keine Wartung erfordert.
  • Diese thermoelektrische Einheit weist insgesamt zwei Arten thermoelektrische Halbleiterelemente, vom p-Typ (p-leitend) und vom n-Typ (n-leitend) auf, die abwechselnd in einem Feld angeordnet sind, wobei die thermoelektrischen Halbleiterelemente durch Löten mit Elektroden so verbunden sind, daß sie eine "n"-förmige Reihenschaltung bilden. Die thermoelektrischen Halbleiterelemente und Metallelektroden sind schichtartig zwischen keramischen Substraten angeordnet, die Metallschichten haben. Diese Anordnung ist weit verbreitet als thermoelektrisches Modul.
  • Ein bekanntes thermoelektrisches Modul ist in 22 gezeigt. Wie diese Figur zeigt, sind n-leitende thermoelektrische Halbleiterelemente und p-leitende thermoelektrische Halbleiterelemente 42 abwechselnd in einem thermoelektrischen Modul 41 angeordnet (in 22 ist nur das thermoelektrische Halbleiterelement am rechten Ende stellvertretend für eine Vielzahl von Elementen mit Bezugszeichen versehen). Die n-leitenden thermoelektrischen Halbleiterelemente und die p-leitenden thermoelektrischen Halbleiterelemente 42 sind mit Elektroden 43 verbunden. Ober- und Unterseiten der thermoelektrischen Halbleiterelemente 42 sind ab wechselnd mit den Elektroden 43 verbunden, so daß letztendlich alle Elemente in Reihe geschaltet sind. Die Verbindungen zwischen den Elektroden 43 und den thermoelektrischen Halbleiterelementen 42 sind mittels Löten hergestellt. Die Elektroden 43 sowohl an der Oberals auch an der Unterseite sind mit keramischen Substraten 44 verbunden, die mit einem Metall, wie Kupfer oder Nickel metallisiert sind, um die ganze Anordnung zusammenzuhalten. Das so aufgebaute thermoelektrische Element wird normalerweise als thermoelektrisches Modul bezeichnet.
  • Mit Elektroden dieses thermoelektrischen Moduls 41 ist eine Stromquelle verbunden, und wenn ein Strom in Richtung von jedem n-leitenden Element zu einem p-leitenden Element fließt, wird durch den Peltiereffekt sichergestellt, daß Wärme vom oberen Bereich der "n"-Gestalt absorbiert und Wärme von deren Unterseite erzeugt wird. Eine Umkehr der Verbindungsrichtung der Elektroden ändert die Richtungen, in der Wärme absorbiert und erzeugt wird. Dieses Phänomen wird ausgenutzt, um das thermoelektrische Element in einer Kühl- oder Heizvorrichtung verwenden zu können. Ein solches thermoelektrisches Modul ist in einem großen Anwendungsbereich nützlich, vom Kühlen von Geräten, beispielsweise Rechnerzentraleinheiten und Halbleiterlasern, bis zur Verwendung in isolierten Kühlräumen.
  • Mit thermoelektrischen Halbleiterelementen aus Wismut/Tellur-Verbindungen, die für die Verwendung in solchen thermoelektrischen Modulen stellvertretend stehen, besteht insofern ein Problem, als deren Kristalle die Tendenz haben, an Bruchflächen zu bersten. Deshalb werden im Stand der Technik gezogene Einkristalle zuerst in Scheiben geschnitten und die in Scheiben geschnittenen Kristalle gewürfelt, um rechteckige Gestalten zu ergeben, deren Dimensionen im Größenordnungsbereich von 1,5 mm × 1,5 mm × 2 mm liegen, die dann in thermoelektrischen Modulen verwendet werden. Da sich die Kristalle an den Bruchflächen leicht teilen, werden die rechteckigen thermoelektrischen Halbleiterelemente üblicherweise von Hand mit Hilfe von Pinzetten auf einem keramischen Substrat angeordnet, welches mit einer dünnen Metallschicht behandelt wurde. Nach dem Anordnen werden die Elemente dann mit Metallelektroden verlötet. Das bedeutet, daß das dabei entstehende thermoelektrische Modul außerordentlich fest ist und es ihm an Flexibilität mangelt. Da die Flexibilität auch durch das Löten selbst verringert wird, ist das thermoelektrische Modul starr. Darüber hinaus bedeutet die Verwendung eines keramischen Substrats, daß das thermoelektrische Modul keine Biegbarkeit oder Flexibilität besitzt und steif ist.
  • Mit 1,5 mm × 1,5 mm × 2 mm sind die Abmessungen jedes thermoelektrischen Halbleiterelements klein, so daß auch die Abmessungen des thermoelektrischen Elements selbst, wenn es als Handelsprodukt auf den Markt kommt, außerordentlich klein sind, nämlich höchstens etwa 40 × 40 mm oder 60 × 60 mm.
  • Da die thermoelektrischen Halbleiterelemente ferner leicht zerbrechen können, wird ein thermoelektrisches Modul so gestaltet, daß es eine große Einbaudichte thermoelektrischer Halbleiterelemente auf einem keramischen Substrat hat. Die daraus resultierende Oberfläche der Anordnung aus den thermoelektrischen Halbleiterelementen (mit anderen Worten deren Kühl- oder Heizoberflächen) ist klein, so daß deren Wirkungsgrad beim Kühlen oder Heizen eines großen Oberflächenbereichs außerordentlich schlecht ist. Außerdem wird dieses Modul zu groß durch das Vorsehen weiteren Zubehörs, beispielsweise einer Wärmesenke oder eines Gebläses, um überschüssige Wärme abzuführen.
  • Da das bekannte thermoelektrische Modul 41 durch einen Doppelschichtaufbau aus dem oberen und unteren Substrat 44 aus Keramik zusammengehalten ist, bilden das obere und untere Substrat 44 vitale Bestandteile des Moduls. Das bedeutet, daß das gesamte thermoelektrische Element dick und der Wirkungsgrad seiner Wärmeleitfähigkeit schlecht ist.
  • Um die Wärmeleitfähigkeit in diesem Fall zu verbessern, sind Versuche mit der Verwendung von Isolierschichten oder flexiblen Harzschichten als Substrate anstelle von Keramik durchgeführt worden. Diese Verwendung einer Schicht oder einer Harzschicht als Substrat macht es möglich, die Dicke der Substrate, auf denen die thermoelektrischen Halbleiterelemente angebracht werden, zu verringern und damit die Wärmeleiteigenschaften zu verbessern.
  • Eine in der japanischen offengelegten Patentanmeldung 3-137462 offenbarte Technik betrifft beispielsweise die Ausführung thermoelektrischer Halbleiterelemente auf einem Isolierschichtsubstrat. Mit dieser Technik wird eine ziemlich große Dichte thermoelektrischer Halbleiterelemente erzielt. Außerdem ist an der Wärme absorbierenden Seite derselben ein Druckgefäß vorgesehen, so daß die Kühl- oder Heizvorrichtung starr ist.
  • Die japanische offengelegte Patentanmeldung 7-202275 offenbart eine Technik, bei der als eine Elektrode eine Kupferplatte verwendet ist, die an einer Harzschicht befestigt ist, welche Flexibilität und Wärmewiderstand besitzt, und auf einer solchen Elektrode sind thermoelektri sche Halbleiterelemente angebracht. Bei dieser Technik ist das fertige thermoelektrische Modul fest mit einer Kupferplatte auf der Harzschicht verlötet, so daß das komplette Modul starr ist und es ihm an Flexibilität mangelt.
  • In beiden Fällen ist es das Ziel, die Gesamtdicke des thermoelektrischen Elements zu verringern und den Wirkungsgrad der Wärmeübertragung zu erhöhen. Jede dieser Techniken beinhaltet aber eine große Anordnungsdichte thermoelektrischer Halbleiterelemente, so daß dem gesamten thermoelektrischen Element Flexibilität fehlt. Beide Anmeldungen geben mit anderen Worten nützliche Beispiele zum Verbessern des Wirkungsgrads des Wärmeübergangs, sie offenbaren aber keinerlei technische Lehren betreffend flexible Kühl- oder Heizelemente.
  • Aus US-A-5156004 und FR-A-1323569 sind starre thermoelektrische Elemente bekannt.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine thermoelektrische Einheit zu schaffen, bei der es nicht wahrscheinlich ist, daß sich thermoelektrische Halbleiterkristalle längs Bruchflächen teilen bzw. aufspalten. Diese Aufgabe wird durch die Ansprüche gelöst.
  • Mit der Erfindung sind eine thermoelektrische Einheit, wie eine Chipeinheit, eine thermoelektrische Einheit, ein thermoelektrisches Modul und eine thermoelektrische Schicht geschaffen, die, weil sie flexibel sind, das Teilen bzw. Aufspalten vermeiden.
  • Außerdem kann in einer Kühl- oder Heizvorrichtung gemäß der Erfindung eine große Kühl- oder Heizoberfläche abgedeckt werden, wozu nur kompakte ergänzende Ausstattung zum Abstrahlen von Wärme nötig ist und, aufgrund der Flexibilität, eine Anwendbarkeit selbst auf Objekte von komplizierter Gestalt gegeben ist.
  • Eine thermoelektrische Einheit gemäß der Erfindung weist thermoelektrische Halbleiterelemente des n-Typs und thermoelektrische Halbleiterelemente des p-Typs in gleicher Anzahl auf, die mit Elektroden verbunden und auf einem einzelnen Substrat angeordnet sind. Dabei sind die thermoelektrischen Halbleiterelemente des n-Typs und die thermoelektrischen Elemente des p-Typs in Löcher innerhalb des flexiblen Substrats eingesetzt.
  • Hierdurch ist es nicht wahrscheinlich; daß sich die Halbleiterkristalle des thermoelektrischen Elements an Bruchflächen teilen. Da das Chip-Substrat als ein flexibler Isolator gestaltet ist, wird eine flexible thermoelektrische Chipeinheit erhalten.
  • Thermoelektrische Einheiten gemäß der Erfindung können auf oder zwischen flexiblen Schichten angebracht werden, um thermoelektrische Schichten zu bilden.
  • Derartige thermoelektrische Schichten können in einer Kühl- oder Heizvorrichtung gemäß der Erfindung als Kühl- oder Heizquellen benutzt werden. Die Kühl- oder Heizvorrichtung nach der Erfindung kann auch eine thermoelektrische Schicht nutzen, in der bekannte thermoelektrische Module in einem bestimmten Abstand an einer flexiblen Schicht befestigt sind.
  • Da die Kühl- oder Heizvorrichtung nach der Erfindung flexibel ist, hat sie einen guten Kühl- oder Heizwirkungsgrad und kann leicht an einem Objekt von komplizierter Gestalt befestigt werden.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Beispiels der Konfiguration der thermoelektrischen Chipeinheit dieser Erfindung.
  • 2 ist eine Stirnansicht dieses Beispiels der Konfiguration der thermoelektrischen Chipeinheit dieses Erfindens;
  • 3 zeigt thermoelektrische Halbleiterelemente, die bei der Herstellung der thermoelektrischen Chipeinheit verwendet werden;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht einer bei der Herstellung der thermoelektrischen Chipeinheit verwendeten, gelochten Isolierplatte;
  • 5 ist eine auseinandergezogene, perspektivische Ansicht eines bei der Herstellung der thermoelektrischen Chipeinheit benutzten Montagegestells;
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht von in das Montagegestell eingesetzten, gelochten Isolierplatten;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht thermoelektrischer Halbleiterelemente, die Löcher in den gelochten Isolierplatten durchsetzen;
  • 8 zeigt, wie die thermoelektrischen Halbleiterelemente zusammen mit dem Montagegestell geschnitten werden;
  • 9 ist eine vergrößerte Ansicht zu trennender Bereiche;
  • 10 zeigt eine durch das Schneiden erhaltene thermoelektrische Chipeinheit, an der noch genutete Seitenplatten befestigt sind;
  • 11 ist eine Stirnansicht eines Beispiels einer thermoelektrischen Einheit;
  • 12 ist eine Draufsicht und eine Stirnansicht eines weiteren Beispiels einer thermoelektrischen Einheit;
  • 13 ist eine Draufsicht und eine Stirnansicht noch eines weiteren Beispiels einer thermoelektrischen Einheit;
  • 14 ist eine Draufsicht und eine Stirnansicht eines weiteren Beispiels einer thermoelektrischen Einheit,
  • 15 ist eine Draufsicht und eine Stirnansicht noch eines weiteren Beispiels einer thermoelektrischen Einheit;
  • 16 ist eine Stirnansicht eines Beispiels eines thermoelektrischen Moduls;
  • 17 ist eine Draufsicht und eine Stirnansicht eines Beispiels einer thermoelektrischen Schicht;
  • 18 ist eine Stirnansicht eines weiteren Beispiels einer thermoelektrischen Schicht;
  • 19 ist eine Draufsicht auf ein weiteres Beispiel einer thermoelektrischen Schicht;
  • 20 ist eine Draufsicht auf noch ein weiteres Beispiel einer thermoelektrischen Schicht;
  • 21 ist eine Draufsicht auf den Aufbau einer bandförmigen Kühl- oder Heizvorrichtung; und
  • 22 ist eine Stirnansicht des Aufbaus eines bekannten thermoelektrischen Moduls.
  • Beste An und Weise zum Ausführen der Erfindung
  • Eine perspektivische Ansicht eines Beispiels des Aufbaus einer thermoelektrischen Chipeinheit gemäß der Erfindung ist in 1 gezeigt, und eine Draufsicht darauf ist in 2 gezeigt. Diese thermoelektrische Chipeinheit 1 hat eine Konfiguration, in der thermoelektrische Halbleiterelemente 30 in einem Chip-Substrat 2 eingebettet gehalten sind. (In 1 und 2 gibt es drei thermoelektrische Halbleiterelemente 30n des n-Typs und drei thermoelektrische Halbleiterelemente 30p des p-Typs.)
  • Das Chip-Substrat 2 besteht aus einem harten Isolator, der aus Keramik oder Epoxyglas gebildet ist, oder einem flexiblen Isolator, wie Kunststoff, Gummi oder einem Elastomer. Wenn es aus einem harten Isolator aufgebaut ist, kann die Festigkeit der thermoelektrischen Halb leiterelemente 30 durch das Chip-Substrat 2 verstärkt werden. Wenn es aus einem flexiblen Isolator aufgebaut ist, kann ein flexibles thermoelektrisches Modul hergestellt werden.
  • Die thermoelektrischen Halbleiterelemente 30 bestehen aus Halbleitereinkristallen eines Materials, wie Wismuttellurid, die einen kleinen Durchmesser in der Größenordnung von 0,5 bis 3,0 mm haben. Die Dicke des Chip-Substrats ist geringer als die der thermoelektrischen Halbleiterelemente 30, was erleichtert, diese thermoelektrische Chipeinheit 1 mit den Elektroden eines thermoelektrischen Moduls zu verbinden.
  • Eine thermoelektrische Chipeinheit einer solchen Gestaltung, daß die thermoelektrischen Halbleiterelemente von einem einzigen Chip-Substrat gehalten werden, gibt es in der Technik nicht. Die Verwendung dieser Konfiguration, bei der thermoelektrische Halbleiterelemente in einem einzigen Chip-Substrat eingebettet gehalten werden, hat den Vorteil, daß es für die Halbleiterkristalle schwer ist, sich an Bruchflächen zu teilen. Insbesondere wenn das Chip-Substrat 2 aus einem flexiblen Material gestaltet ist, ist es für die Kristalle schwer, sich zu teilen, wenn eine Situation eintritt, bei der das Chip-Substrat 2 gebogen wird. Im Gegensatz dazu werden die Halbleiterkristalle in dem bekannten thermoelektrischen Modul von zwei Substraten gehalten, so daß bei diesen Kristallen die Wahrscheinlichkeit besteht, daß sie sich teilen, wenn das Substrat gebogen wird.
  • Das Verfahren zum Herstellen dieser thermoelektrischen Chipeinheit soll nun unter Hinweis auf die 3 bis 10 beschrieben werden.
  • 3 bis 5 zeigen die bei der Herstellung der thermoelektrischen Chipeinheit benutzten Materialen und Werkzeuge. Wie aus 3 hervorgeht, bilden p-leitende Nadeleinkristalle 3p und n-leitende Nadeleinkristalle 3n, jedes mit einer Länge von 150 mm und einem Durchmesser von 2y ..mm, die thermoelektrischen Halbleiterelemente. Diese thermoelektrischen Halbleiterelemente werden durch ein Verfahren hergestellt, welches in den Beschreibungen und Zeichnungen von Patentanmeldungen offenbart ist, die von den gegenwärtigen Erfindern als japanische Patentanmeldung Nr. 6-336295 am 22. Dezember 1994 und japanische Patentanmeldung Nr. 7-276751 am 22. September 1995 herausgebracht wurden. Dieses Herstellungsverfahren macht es möglich, Nadeleinkristalle zu bilden, die einen Durchmesser in der Größenordnung von 0,5 bis 3,0 mm haben. Es ist auch festgestellt worden, daß mit diesem Her stellungsverfahren gebildete, zylindrische Halbleiterkristallstäbchen längs der Bruchflächen schwerer zu teilen sind als mit bekannten Verfahren gebildete, eckige Halbleiterkristalle.
  • Das Material einer in 4 gezeigten, gelochten Isolierplatte 23 ist unterschiedlich, je nach dem, ob das in 1 gezeigte Chip-Substrat 2 ein harter Isolator oder ein flexibler Isolator ist. Ist es ein harter Isolator, kann ein Material, wie Keramik oder Epoxyglas verwendet werden. Handelt es sich um einen flexiblen Isolator, kann ein Material, wie Kunststoff, Gummi oder ein Elastomer verwendet werden. Die Dicke ist 0,3 bis 0,5 mm, gleichgültig ob ein harter oder flexibler Isolator verwendet wird, und in senkrechter Richtung in der Nähe jedes Seitenrandes derselben ist eine in der Figur nicht gezeigte V-förmige Nut gebildet.
  • In der gelochten Isolierplatte 23 ist eine große Anzahl Löcher 24 zum Einsetzen der p-leitenden Nadeleinkristalle 3p und der n-leitenden Nadeleinkristalle 3n gebildet. Die Anordnung dieser Löcher 24 ermöglicht es, die Einbaudichte der thermoelektrischen Halbleiterelemente nach Bedarf einzustellen. Jede beliebige Anordnung von Elementen innerhalb der thermoelektrischen Chipeinheit kann entsprechend der Anzahl Löcher in der gelochten Isolierplatte und der Anzahlen von Reihen und Spalten derselben gewählt werden.
  • Ein in auseinandergezogener, perspektivischer Ansicht in 5 gezeigtes Montagegestell 25 ist aus zwei genuteten Seitenplatten 26 und einer einzigen Bodenplatte 29 gestaltet. Diese bestehen aus Aluminium und sind mittels Schrauben zusammengehalten, die zwischen Schraubenlöchern 28 hindurchgeführt sind. In senkrechter Richtung sind in jeder der genuteten Seitenplatten 26 mehrere Dutzend Nuten 27 in einem vorherbestimmten Abstand A von beispielsweise 2 bis 3 mm gebildet. Die schon genannte, gelochte Isolierplatte 23 wird in diese Nuten 27 eingesetzt.
  • Zunächst wird die gelochte Isolierplatte 23, wie in 6 gezeigt, in das Montagegestell eingebaut. Hierbei wird die gelochte Isolierplatte 23 dadurch aufrecht gehalten, daß die beiden Ränder der gelochten Isolierplatte 23 in die Nuten 27 eingepaßt werden, die in senkrechter Richtung in den Seitenflächen der genuteten Seitenplatten 26 gebildet sind. Es sei darauf hingewiesen, daß aus Gründen der Zweckmäßigkeit nur zwei gelochte Isolierplatten an den beiden Enden in dieser Figur gezeigt sind.
  • Die p-leitenden Nadeleinkristalle 3p und die n-leitenden Nadeleinkristalle 3n werden dann durch die Löcher 24 der gelochten Isolierplatte 23 hindurchgeführt, wie in 7 gezeigt. Hierbei werden die Bauelemente des p-Typs und des n-Typs abwechselnd angeordnet. Es sei noch erwähnt, daß aus Gründen der Zweckmäßigkeit in dieser Figur nur eines der p-leitenden Nadeleinkristalle 3p gezeigt ist.
  • In die Räume, die zwischen dem Montagegestell und den mehreren Dutzend gelochter Isolierplatten 23 gebildet sind, wird dann ein Klebstoff, beispielsweise ein Polyamid eingespritzt, um die p-leitenden Nadeleinkristalle 3p und die n-leitenden Nadeleinkristalle 3n an den gelochten Isolierplatten 23 zu fixieren.
  • Als nächstes werden die mittels Klebstoff an den perforierten Isolierplatten 23 befestigten p-leitenden Nadeleinkristalle 3p und n-leitenden Nadeleinkristalle 3n aus Bereichen in der Mitte zwischen den gelochten Isolierplatten 23 getrennt. Da diese an den gelochten Isolierplatten 23 und dem Montagegestell 25 mittels dieses Klebstoffs festsitzen, werden sie gemeinsam mit dem Montagegestell getrennt, wie in 8 gezeigt. Das Trennen erfolgt mittels einer Drahtsäge, wie durch Pfeile B in 8 angedeutet. In 8 sind nur zwei Trennschnitte gezeigt. Eine Vergrößerung der zu trennenden Bereiche ist in 9 gezeigt. Es sei darauf hingewiesen, daß die Oberflächen der p-leitenden Nadeleinkristalle 3p und der n-leitenden Nadeleinkristalle 3n mit Klebstoff bedeckt sind, auch wenn dies in 9 nicht gezeigt ist. Durch dieses Trennen können mehrere Dutzend thermoelektrische Chipeinheiten gleichzeitig geschaffen werden, wie in 10 gezeigt. Es sei allerdings angemerkt, daß in diesem Stadium die durchschnittenen, genuteten Seitenplatten 26 des Montagegestells und die gelochten Isolierplatten 23 noch festhängen, so daß die genuteten Seitenplatten 26 an der einen oder anderen Seite durch Aufbringen von Kraft, mit der sie an den Stellen der V-förmigen Nuten im V gebogen werden, entfernt werden.
  • Das oben beschriebene Verfahren macht es möglich, mehrere Dutzend thermoelektrische Chipeinheiten herzustellen, wie in 1 und 2 gezeigt.
  • Eine thermoelektrische Einheit kann erhalten werden, indem Elektroden an den thermoelektrischen Halbleiterelementen der so geschaffenen thermoelektrischen Chipeinheit befestigt werden, beispielsweise durch Löten. Wenn das Chip-Substrat jeder thermoelektrischen Chipeinheit ein flexibler Isolator ist, wird die thermoelektrische Einheit unweigerlich auch flexibel.
  • Es sei erwähnt, daß die gegenwärtigen Erfinder eine Anordnung aus Elektroden, die mit einer thermoelektrischen Chipeinheit verbunden sind, eine "thermoelektrische Einheit" nennen.
  • Die in dieser thermoelektrischen Einheit verwendeten Elektroden könnten natürlich Metallplatten sein, zum Beispiel die üblicherweise verwendeten Kupferplättchen, oder es könnten auch flexible Elektroden verwendet werden. Zu den Beispielen, die man als flexible Elektroden erwähnen kann, gehören dünne Metallplättchen, beispielsweise Plättchen aus Kupfer oder Phosphorbronze, Gummi oder Kunststoff, die eine Leitfähigkeit und einen Widerstand besitzen, der ausreichend geringer ist als der der thermoelektrischen Halbleiterelemente, oder Metallnetze oder dergleichen. Wenn eine flexible Elektrode dieses Typs verwendet wird, wird die Flexibilität der thermoelektrischen Einheit selbst weiter erhöht.
  • Eine Seitenansicht eines Beispiels dieser thermoelektrischen Einheit ist in 11 zu sehen. Diese thermoelektrische Einheit 4 ist aus einem Chip-Substrat 2a in Form eines flexiblen Isolators, einer thermoelektrischen Chipeinheit, in die thermoelektrische Halbleiterelemente des n-Typs 30n und thermoelektrische Halbleiterelemente des p-Typs 30p eingebaut sind, und Elektroden 5 erhalten, die aus durch Löten befestigten dünnen Kupferplättchen gebildet sind. Diese Anordnung könnte natürlich in diesem Zustand als Fertigprodukt versandt werden. Die hierbei benutzten Elektroden 5 haben eine Dicke im Größenordnungsbereich von 0,1 mm, so daß sie ausreichend flexibel sind. Die Flexibilität kann weiter erhöht werden, indem der Abstand vergrößert wird, in dem die thermoelektrischen Halbleiterelemente 30 angeordnet sind. Ein Wert der Einbaudichte der thermoelektrischen Halbleiterelemente 30, der für das Verhältnis zwischen Flexibilität und Kühl- oder Heizwirkungsgrad optimal ist, wird in der Praxis angestrebt.
  • Es können viele verschiedene Verwirklichungen thermoelektrischer Einheiten geschaffen werden, je nach der Auslegung der Anordnung von Löchern 24 in der gelochten Isolierplatte 23. Beispiele hierfür sind in den 12 bis 15 gezeigt. In jeder dieser Figuren ist A eine Draufsicht und B eine Seitenansicht. Die in den Draufsichten zu erkennenden, geschwärzten und hohlen Ovale dienen der Unterscheidung zwischen p-leitenden und n-leitenden Elementen.
  • 12 zeigt eine thermoelektrische Einheit, in der sechs thermoelektrische Halbleiterelemente in einer einzigen Reihe angeordnet sind, und 13 zeigt eine thermoelektrische Ein heit, in der zehn thermoelektrische Halbleiterelemente in einer einzigen Reihe angeordnet sind. 14 zeigt eine Anordnung aus vierzehn thermoelektrischen Halbleiterelementen in zwei Reihen. 15 zeigt eine Anordnung aus zehn thermo-elektrischen Halbleiterelementen in zwei Reihen.
  • 16 zeigt ein thermoelektrisches Modul, welches dadurch verwirklicht ist, daß über der thermoelektrischen Einheit gemäß 11 eine Isolationsdecke angeordnet ist. Dieses thermoelektrische Modul 6 hat ausreichende Flexibilität im Gegensatz zu der Steifheit des bekannten thermoelektrischen Moduls, das absolut keine Flexibilität besitzt. Die thermoelektrischen Halbleiterelemente eines bekannten thermoelektrischen Moduls sind nicht in ein Substrat eingebettet, wie oben beschrieben, sondern sie sind in einem Schichtaufbau zwischen einem Substrat an einer wärmeabsorbierenden Seite und einem Substrat an einer wärmeabstrahlenden Seite gestaltet, wie schon beschrieben.
  • Wie 16 zeigt, ist oberhalb und unterhalb der Elektroden 5 der thermoelektrischen Chipeinheit ein flexibler Isolator 7 vorgesehen, und eine flexible Isolationsdecke oder Schicht 8 kann gleichfalls oberhalb und unterhalb dieser flexiblen Isolatoren 7 vorgesehen sein. Natürlich können die flexiblen Isolatoren 7 selbst auch als flexible Schichten oder Decken dienen. Wenn zum Beispiel als flexibler Isolator wärmeleitfähige Silikonschichten verwendet werden, können diese gleichzeitig auch die Funktion flexibler Isolationsdecken oder Schichten erfüllen.
  • Ein flexibles thermoelektrisches Modul kann auf die oben beschriebene Weise erhalten werden. Hierzu können natürlich beliebige andere flexible Schichten statt wärmeleitfähige Silikonschichten verwendet werden. Es können auch Metallnetze, dünne Metallplättchen oder dergleichen oben auf einem mit Silikonschichten bedeckten thermoelektrischen Modul verwendet werden.
  • Die oben beschriebenen thermoelektrischen Einheiten und thermoelektrischen Module können je als unabhängige Erzeugnisse vertrieben werden, und jedes kann unmittelbar in einer Reihe von Anwendungsfällen verwendet werden. Wenn man sie aber zu thermoelektrischen Schichten macht, könnte man ihren Marktwert erhöhen und ihren Anwendungsbereich ausweiten. Die Montage thermoelektrischer Einheiten oder thermoelektrischer Module auf einer flexiblen Schicht macht es möglich, eine flexible thermoelektrische Schicht zu erhalten. Die gegenwärtigen Erfinder nennen ein thermoelektrisches Element, in welchem thermoelektrische Einheiten oder thermoelektrische Module auf einer Isolierschicht montiert sind, eine "thermoelektrische Schicht".
  • Beispiele dieser thermoelektrischen Schichten sind in 17 und 18 gezeigt. Eine thermoelektrische Schicht wird durch Anbringen thermoelektrischer Module 6 auf einer flexiblen Isolierschicht 9 erhalten. Eine flexible Decke 10 kann zum Schutz gleichfalls vorgesehen werden. Es sei erwähnt, daß 17A eine Draufsicht ist, während 17B und 18 Stirnansichten sind. 18 zeigt ein Beispiel, bei dem Schichten 11 sowohl an der Oberseite als auch an der Unterseite benutzt sind, und 17B zeigt ein Beispiel, bei dem eine Schicht 9 nur an der Unterseite verwendet und eine Decke 10 an der Oberseite befestigt ist.
  • Gemäß der hier beschriebenen Erfindung ermöglicht es die Benutzung flexibler thermoelektrischer Einheiten oder thermoelektrischer Module, eine flexible thermoelektrische Schicht zu erhalten. Das in der thermoelektrischen Schicht verwendete flexible Material könnte eine dünne Kupfer- oder Phosphorbronzeplatte sein, oder es könnte sich um ein Metallnetz handeln. Eine Harzschicht, die überragende Wärmeleitfähigkeit hat, beispielsweise eine wärmeleitfähige Silikonschicht könnte verwendet werden. Alternativ könnte ein geeigneter Kunststoff oder Elastomer oder dergleichen verwendet werden.
  • Auch wenn 17 und 18 Beispiele thermoelektrischer Schichten zeigen, ist die Erfindung nicht auf die Form thermoelektrischer Schichten beschränkt. Es ist möglich, thermoelektrische Schichten verschiedener, unterschiedlicher Formen durch die Verwendung unterschiedlicher Konfigurationen zu schaffen oder dadurch, daß die Anordnungsdichte der thermoelektrischen Einheiten oder thermoelektrischen Module derselben variiert wird.
  • Wenn beispielsweise der Abstand der Anordnung thermoelektrischer Module größer gemacht wird, wird allein dadurch die Flexibilität der thermoelektrischen Schicht erhöht und außerdem der Wärmewirkungsgrad verbessert. In einem Kühl- oder Heizkasten sind zum Beispiel nur ungefähr ein oder zwei thermoelektrische Module mit Abmessungen von 40 mm im Quadrat benutzt worden. Da die thermoelektrischen Module selbst so klein sind, können sie in einem beliebigen Teil des Kastens unbeschränkt eingebaut werden. Daher muß, um das Innere des Kastens auf etwa 5°C zu halten, die Temperatur der thermoelektrischen Module selbst niedrig gesetzt werden, auf etwa –5°C, und das Kühlen oder Erwärmen des Kastens mittels der Wärmeleitfähigkeit der Aluminium- oder Kupferplättchen darin muß lange dauern. Im Gegensatz dazu kann bei einer thermoelektrischen Schicht gemäß dieser Erfindung, bei der die thermoelektrischen Einheiten oder thermoelektrischen Module eine geringe Einbaudichte haben, der thermoelektrischen Schicht selbst ein verhältnismäßig großer Oberflächenbereich gegeben werden. Es ist deshalb unnötig, sie lokal innerhalb des Kastens anzuordnen, sie kann in einem großen Bereich vorgesehen werden, was natürlich ihren Wärmewirkungsgrad verbessert. Mit anderen Worten, die thermoelektrische Schicht kann über der gesamten Innenfläche des Kastens angeordnet werden, so daß es nicht erforderlich ist, die Temperatur der thermoelektrischen Halbleiterelemente sehr niedrig zu machen, und die gewünschte Temperatur kann auch innerhalb einer kurzen Frist erreicht werden.
  • Die thermoelektrische Schicht kann als eine Schicht verschiedener, unterschiedlicher Gestalten ausgebildet werden. Außerdem könnten bekannte thermoelektrische Module verwendet werden, die nicht so flexibel sind wie die thermoelektrischen Module dieser Erfindung. In 19 sind als Beispiel fünf der bekannten thermoelektrischen Module 41 auf einer bandförmigen, flexiblen Schicht 9 angeordnet gezeigt. Ähnlich sind drei Reihen zu acht bekannten thermoelektrischen Modulen 41 in 20 in einem rechtwinkligen Feld gezeigt. Die Anordnung derselben kann also frei gewählt werden. Ferner könnte die Schicht eine kreisförmige Schicht, konzentrische kreisförmige Schichten, eine dreieckige Schicht oder eine sternförmige Schicht sein. Die am besten geeignete Gestalt kann ausgewählt werden, die zu dem zu erwärmenden oder abzukühlenden Objekt paßt.
  • Da diese thermoelektrische Schicht in der Technik vollkommen unbekannt ist, wird sie von den gegenwärtigen Erfindern erstmals eingeführt. Bekannte thermoelektrische Module können an einer flexiblen Schicht zur Verwendung als thermoelektrische Schicht festgemacht werden, wie in 19 und 20 gezeigt. Es ist auch möglich, eine thermoelektrische Schicht herzustellen, die bekannte thermoelektrische Elemente und thermoelektrische Elemente gemäß dieser Erfindung aufweist. Davon wird erwartet, daß sich der Anwendungsbereich thermoelektrischer Halbleiterelemente drastisch erweitern läßt.
  • Ein spezielles Beispiel einer bandförmigen Kühl- oder Heizvorrichtung, die um einen Kopfteil, Armteil oder Beinteil eines Menschen geschlungen werden kann, ist in 21 als ein Beispiel für die Anwendung einer flexiblen thermoelektrischen Schicht gezeigt. In dieser Kühl- oder Heizvorrichtung sind gewöhnliche, im Handel erhältliche thermoelektrische Mo dule 41 in einem bestimmten Abstand auf einer flexiblen Schicht 45 angeordnet, die aus einem langen, schmalen Phosphorbronzeplättchen gebildet ist. Mit jedem Ende der flexiblen Schicht 45 ist ein Band 46 verbunden, um diese Kühl- oder Heizvorrichtung am menschlichen Körper zu befestigen, wenn sie als Kühl- oder Heizvorrichtung benutzt wird.
  • Je sieben der thermoelektrischen Halbleiterelemente des p-Typs und des n-Typs, jedes 20 mm lang und 6 mm breit, sind in jedem thermoelektrischen Modul 41 angeordnet und von einem Aluminium- oder Kupfersubstrat gehalten. Acht dieser thermoelektrischen Module 41 sind auf einem dünnen Phosphorbronzeplättchen 45 angeordnet, welches 0,4 mm dick, 150 mm lang und 40 mm breit ist. Da die als Schicht verwendete Phosphorbronzeplatte so dünn ist, ist sie flexibel, so daß man erwarten kann, daß sie die Wirkung hat, den Kopf zu kühlen und die Füße zu wärmen, wenn sie zum Beispiel als Kopfband benutzt wird.
  • In diesem Fall ist die Dichte thermoelektrischer Module 41, die an der Schicht 45 befestigt sind, vorzugsweise zwischen 3% und 55%, ausgedrückt als Verhältnis des Oberflächenbereichs der thermoelektrischen Halbleiterelemente zum wirksamen Oberflächenbereich der Schicht. Ist die Dichte größer als 55%, fehlt es der Schicht an Biegbarkeit; ist sie geringer als 3%, gibt es keinen erkennbaren Effekt unter dem Gesichtspunkt des Wärmewirkungsgrades. Es sei angemerkt, daß sich der wirksame Oberflächenbereich hier auf den Bereich dieser Schicht ohne Abschnitte, die für andere Zwecke verwendet werden, bezieht (beispielsweise in 21 die Bereiche, wo die Bänder 46 mit der Schicht verbunden sind). Die Einbaudichte der thermoelektrischen Module 41 auf der Schicht 45 erhält man in der Praxis aus einem Abwägen des Kühl- oder Heizwirkungsgrades und der Flexibilität.
  • Das thermoelektrische Element dieser Erfindung ist die Basis einer thermoelektrischen Chipeinheit. Unweigerlich hat entweder die Oberseite oder die Unterseite eines thermoelektrischen Elements eine hohe Temperatur und die jeweils andere Seite eine niedrige Temperatur. Die thermoelektrische Chipeinheit, die die Basis dieser Erfindung darstellt, ist aus in ein Chip-Substrat eingebettetem, thermoelektrischem Halbleiterelement gestaltet, so daß dieses Chip-Substrat auch als Trennung dient. Anders ausgedrückt, zwischen der Oberseite und der Unterseite eines gewöhnlichen thermoelektrischen Moduls wird eine Luftströmung induziert, wodurch der Wärmewirkungsgrad erniedrigt wird; da aber das Chip-Substrat diese Luftströmung zwischen der Oberseite und der Unterseite des thermoelektrischen Elements gemäß dieser Erfindung unterdrückt, wird dessen Wärmewirkungsgrad verbessert.
  • Der zwischen der Oberseite und der Unterseite eines gewöhnlichen thermoelektrischen Elements hervorgerufene Temperaturunterschied verursacht eine Expansion der Oberfläche hoher Temperatur und eine Kontraktion der Oberfläche niedriger Temperatur, so daß das ganze thermoelektrische Element unweigerlich einer Biege- und Spannungsverformung unterworfen wird. Da das als Trennung im thermoelektrischen Element gemäß dieser Erfindung wirkende Chip-Substrat flexibel ist, werden durch Spannungen verursachte Verformungen absorbiert, und das Element hat folglich den Vorteil, eine große Beständigkeit gegenüber wiederholter Spannungsverformung zu besitzen.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Wie schon gesagt, kann die thermoelektrische Einheit, das thermoelektrische Modul, und die thermoelektrische Schicht gemäß dieser Erfindung in Kühl- oder Heizvorrichtungen Verwendung finden.
  • Ein Beispiel für die Anwendung desselben ist ein bandförmiges Sportgerät, Haushaltsgerät oder ein medizinisches Gerät, welches zum Erwärmen oder Kühlen verwendet wird. Ein weiteres Anwendungsbeispiel ist ein Kühl- oder Heizgerät zur Verwendung im Freien. Ein spezielles Beispiel dafür ist ein Kühl- oder Heizkasten. Die Wirkungen, die erzielt werden, wenn das Kühl- oder Heizelement gemäß dieser Erfindung in einem solchen Kasten verwendet wird, sind bereits beschrieben worden. Ein drittes Anwendungsbeispiel liegt auf Landwirtschaftlichem Gebiet. Es kann benutzt werden, um die Temperatur eines Wasserbehälters oder Topfes einzustellen.
  • Ein viertes Anwendungsgebiet ist die Fertigungstechnik. Da die thermoelektrische Schicht gemäß dieser Erfindung so flexibel ist, kann sie ohne Schwierigkeiten an ein Objekt von komplizierter Gestalt angepaßt werden. So kann zum Beispiel diese thermoelektrische Schicht eine nützliche Funktion als Kühl- oder Heizvorrichtung erfüllen, wenn sie um einen Körper von kreiszylindrischer Gestalt geschlungen wird, beispielsweise eine Welle oder ein Lager. Diese thermoelektrische Schicht kann auch um ein Rohr gewickelt werden, um die Temperatur eines durch das Rohr fließenden Fluids einzustellen. Wenn das Fluid im Rohr einen verhältnismäßig hohen Schmelzpunkt hat, ist es wahrscheinlich, daß sich das Fluid im Rohr verfestigt und das Rohr blockiert, falls dessen Temperatur sinkt. In einem solchen Fall kann durch die Verwendung der thermoelektrischen Schicht gemäß dieser Erfindung zum Aufrechterhalten der Temperatur desselben, das Fluid gefördert werden, ohne sich zu verfestigen. Darüber hinaus kann diese Vorrichtung zum Kühlen oder Heizen eines Motors oder sonstigen Mechanismus innerhalb einer Fabrik benutzt werden.
  • Eine fünfte Anwendung ist Bekleidung. Anwendbar ist diese Vorrichtung beispielsweise für Kleidung für Rennläufer, Rennfahrer, Rennpferde, im Freien benutzte Kälteschutzkleidung, Kälteschutzkleidung für Leute, die im Innern von Kühlräumen arbeiten, wärmende oder kühlende industrielle Kleidung an extrem kalten oder heißen Orten, oder Feuerbekämpfungsausrüstung.

Claims (5)

  1. Thermoelektrische Einheit (6) umfassend gleiche Anzahlen von thermoelektrischen Halbleiterelementen des n-Typs (3n, 30n) und des p-Typs (3p, 30p), die auf einem einzelnen Chip-Substrat (2, 2a; 23) aus einem flexiblen Isolator angeordnet sind, wobei die thermoelektrischen Halbleiterelemente vom n-Typ und vom p-Typ (3p, 30p) in Löcher (24) im Chip-Substrat (2) eingesetzt und durch Elektroden (5) miteinander verbunden sind, die aus einem flexiblen leitenden Material gebildet sind.
  2. Thermoelektrische Einheit (6) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie von einem isolierenden flexiblen Material (7, 8) bedeckt ist.
  3. Thermoelektrische Schicht umfassend thermoelektrische Einheiten (6) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einheiten (6) auf einer flexiblen Schicht (9) im Abstand voneinander angeordnet sind, um ein Feld von thermoelektrischen Einheiten auf der Schicht zu bilden.
  4. Thermoelektrische Schicht mit thermoelektrischen Einheiten (6) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einheiten (6) zwischen flexiblen Schichten (7, 8; 11) in einem Abstand voneinander montiert sind, um ein Feld der thermoelektrischen Elemente zwischen den Schichten zu bilden.
  5. Heiz- oder Kühlvorrichtung umfassend eine thermoelektrische Schicht nach Anspruch 4.
DE69630014T 1995-09-29 1996-07-30 Thermoelektrische anordnung und thermoelektrischer(s) kühler/heizgerät Expired - Fee Related DE69630014T2 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27675195A JP3151759B2 (ja) 1994-12-22 1995-09-29 熱電半導体針状結晶及び熱電半導体素子の製造方法
JP27675195 1995-09-29
JP35152195 1995-12-26
JP7351521A JPH09181362A (ja) 1995-12-26 1995-12-26 可撓性を有する熱電素子及びそれからなる冷却加熱装置
PCT/JP1996/002145 WO1997013284A1 (fr) 1995-09-29 1996-07-30 Dispositif thermoelectrique et refroidisseur/chauffeur thermoelectrique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69630014D1 DE69630014D1 (de) 2003-10-23
DE69630014T2 true DE69630014T2 (de) 2004-06-09

Family

ID=26552099

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69630014T Expired - Fee Related DE69630014T2 (de) 1995-09-29 1996-07-30 Thermoelektrische anordnung und thermoelektrischer(s) kühler/heizgerät
DE69627299T Expired - Fee Related DE69627299T2 (de) 1995-09-29 1996-07-30 Verfahren zur herstellung geformter kristalle durch spritzen einer flüssigkeit mit druck in vertikaler richtung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69627299T Expired - Fee Related DE69627299T2 (de) 1995-09-29 1996-07-30 Verfahren zur herstellung geformter kristalle durch spritzen einer flüssigkeit mit druck in vertikaler richtung

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5885345A (de)
EP (3) EP0795630B1 (de)
DE (2) DE69630014T2 (de)
WO (2) WO1997013284A1 (de)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10178216A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Seru Appl Kk 熱電素子及び熱電冷却装置
US6458319B1 (en) * 1997-03-18 2002-10-01 California Institute Of Technology High performance P-type thermoelectric materials and methods of preparation
JP3255629B2 (ja) 1999-11-26 2002-02-12 モリックス株式会社 熱電素子
US6440212B1 (en) * 2000-02-28 2002-08-27 Microfab Technologies, Inc. Low cost method for making thermoelectric coolers
DE10045419B4 (de) * 2000-09-14 2007-12-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Bauelements, thermoelektrisches Bauelement sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
KR20040008155A (ko) 2001-04-09 2004-01-28 리써치 트라이앵글 인스티튜트 Dna 게놈 및 프로테옴 칩용, 열광학 스위칭 회로용,그리고 ir 태그용 박막 열전기 냉각 및 가열 장치
US6410971B1 (en) 2001-07-12 2002-06-25 Ferrotec (Usa) Corporation Thermoelectric module with thin film substrates
JP4193206B2 (ja) * 2001-07-25 2008-12-10 セイコーエプソン株式会社 半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、集積回路、電気光学装置及び電子機器
WO2003032408A1 (en) 2001-10-05 2003-04-17 Research Triangle Institute Phonon-blocking, electron-transmitting low-dimensional structures
US6700052B2 (en) * 2001-11-05 2004-03-02 Amerigon Incorporated Flexible thermoelectric circuit
US20040178517A9 (en) * 2001-12-21 2004-09-16 Siu Wing Ming Split body peltier device for cooling and power generation applications
WO2003090286A1 (en) 2002-04-15 2003-10-30 Nextreme Thermal Solutions Thermoelectric device utilizing double-sided peltier junctions and method of making the device
DE10230080B4 (de) * 2002-06-27 2008-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer thermoelektrischen Schichtenstruktur und Bauelemente mit einer thermoelektrischen Schichtenstruktur
CN100427850C (zh) * 2002-08-07 2008-10-22 菲尼克斯咨询有限公司 调温穿戴物
DE602004015449D1 (de) * 2003-05-23 2008-09-11 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren zur herstellung einer thermoelektrischen vorrichtung
JP4521236B2 (ja) * 2004-08-31 2010-08-11 株式会社東芝 熱電変換装置及び熱電変換装置の製造方法
US7523617B2 (en) 2004-10-22 2009-04-28 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Thin film thermoelectric devices for hot-spot thermal management in microprocessors and other electronics
US7587901B2 (en) 2004-12-20 2009-09-15 Amerigon Incorporated Control system for thermal module in vehicle
JP2006287066A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Denso Corp 熱電変換装置およびその装置の製造方法
WO2006113607A2 (en) 2005-04-18 2006-10-26 Nextreme Thermal Solutions Thermoelectric generators for solar conversion and related systems and methods
WO2007002337A2 (en) 2005-06-22 2007-01-04 Nextreme Thermal Solutions Methods of forming thermoelectric devices including conductive posts and/or different solder materials and related methods and structures
WO2007002342A2 (en) 2005-06-22 2007-01-04 Nextreme Thermal Solutions Methods of forming thermoelectric devices including electrically insulating matrixes between conductive traces and related structures
CN1943918B (zh) * 2005-08-25 2012-07-25 雅马哈株式会社 制备热电材料、形成热电器件和制造热电模块的方法
US20070101737A1 (en) 2005-11-09 2007-05-10 Masao Akei Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation
US7310953B2 (en) 2005-11-09 2007-12-25 Emerson Climate Technologies, Inc. Refrigeration system including thermoelectric module
US7679203B2 (en) 2006-03-03 2010-03-16 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Methods of forming thermoelectric devices using islands of thermoelectric material and related structures
US8222511B2 (en) 2006-08-03 2012-07-17 Gentherm Thermoelectric device
US7338027B1 (en) * 2006-08-22 2008-03-04 Cameron International Corporation Fluid saving blowout preventer operator system
US20080087316A1 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Masa Inaba Thermoelectric device with internal sensor
FR2918080B1 (fr) * 2007-06-29 2010-12-17 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede d'elaboration de plaquettes en materiau semi-conducteur par moulage et cristallisation dirigee
TWI338390B (en) * 2007-07-12 2011-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible thermoelectric device and manufacturing method thereof
US9105809B2 (en) 2007-07-23 2015-08-11 Gentherm Incorporated Segmented thermoelectric device
WO2009036077A1 (en) 2007-09-10 2009-03-19 Amerigon, Inc. Operational control schemes for ventilated seat or bed assemblies
KR20170064568A (ko) 2008-02-01 2017-06-09 젠썸 인코포레이티드 열전 소자용 응결 센서 및 습도 센서
CN102098947B (zh) 2008-07-18 2014-12-10 阿美里根公司 气候受控床组件
US8487177B2 (en) * 2010-02-27 2013-07-16 The Boeing Company Integrated thermoelectric honeycomb core and method
US9601677B2 (en) 2010-03-15 2017-03-21 Laird Durham, Inc. Thermoelectric (TE) devices/structures including thermoelectric elements with exposed major surfaces
JP5656295B2 (ja) 2011-04-22 2015-01-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 熱電変換モジュールとその製造方法
RU2482403C1 (ru) * 2011-09-02 2013-05-20 Общество с ограниченной ответственностью "Системы связи и технического контроля" (ООО "Системы СТК") Теплообменник термоэлектрических устройств нагрева-охлаждения
WO2013052823A1 (en) 2011-10-07 2013-04-11 Gentherm Incorporated Thermoelectric device controls and methods
JP5956155B2 (ja) * 2012-01-05 2016-07-27 フタバ産業株式会社 熱電発電装置
US9989267B2 (en) 2012-02-10 2018-06-05 Gentherm Incorporated Moisture abatement in heating operation of climate controlled systems
US8397518B1 (en) 2012-02-20 2013-03-19 Dhama Innovations PVT. Ltd. Apparel with integral heating and cooling device
JP5815112B2 (ja) * 2012-02-27 2015-11-17 株式会社Kelk 熱電モジュール、熱電発電装置および熱電発電器
JP5670989B2 (ja) 2012-11-20 2015-02-18 アイシン高丘株式会社 熱電モジュールの製造方法
US9352997B2 (en) * 2013-06-27 2016-05-31 Nachi-Fujikoshi Corp. Melt molding method of germanium
US9662962B2 (en) 2013-11-05 2017-05-30 Gentherm Incorporated Vehicle headliner assembly for zonal comfort
KR102252584B1 (ko) 2014-02-14 2021-05-14 젠썸 인코포레이티드 전도식 대류식 기온 제어 조립체
US11639816B2 (en) 2014-11-14 2023-05-02 Gentherm Incorporated Heating and cooling technologies including temperature regulating pad wrap and technologies with liquid system
US11857004B2 (en) 2014-11-14 2024-01-02 Gentherm Incorporated Heating and cooling technologies
EP3218942B1 (de) 2014-11-14 2020-02-26 Charles J. Cauchy Heiz- und kühltechnologien
US11152556B2 (en) 2017-07-29 2021-10-19 Nanohmics, Inc. Flexible and conformable thermoelectric compositions
US11223004B2 (en) 2018-07-30 2022-01-11 Gentherm Incorporated Thermoelectric device having a polymeric coating
US12178130B2 (en) * 2018-11-20 2024-12-24 The Regents Of The University Of California Flexible thermoelectric devices
JP7608337B2 (ja) 2018-11-30 2025-01-06 ジェンサーム インコーポレイテッド 熱電調整システム及び方法
US11152557B2 (en) 2019-02-20 2021-10-19 Gentherm Incorporated Thermoelectric module with integrated printed circuit board
US20210059854A1 (en) * 2019-09-03 2021-03-04 Purdue Research Foundation Portable Thermal Therapy System
US20250216126A1 (en) * 2023-12-27 2025-07-03 Faizan Ahmed Thermoelectric system consisting of alternating trapezoid elements with increased figure of merit

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2815303A (en) * 1953-07-24 1957-12-03 Raythcon Mfg Company Method of making junction single crystals
JPS34595B1 (de) * 1956-12-28 1959-02-10
JPS3724548Y1 (de) * 1960-03-07 1962-09-17
FR1323569A (fr) * 1962-02-13 1963-04-12 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux dispositifs de refroidissement thermoélectriques
US3240628A (en) * 1962-06-14 1966-03-15 Carrier Corp Thermoelectric panel
JPS3827922Y1 (de) * 1962-11-30 1963-12-20
JPS4023300Y1 (de) * 1964-02-03 1965-08-10
JPS5117972B2 (de) * 1971-09-01 1976-06-07
JPS4832942B1 (de) * 1971-12-16 1973-10-09
JPS5120097A (ja) * 1974-08-09 1976-02-17 Takumi Sogabe Maguneshiatanketsushono seizohoho
FR2330976A1 (fr) * 1975-11-05 1977-06-03 Air Ind Perfectionnements apportes aux installations thermoelectriques
FR2509637A1 (fr) * 1981-07-17 1983-01-21 Commissariat Energie Atomique Procede de sustentation, de positionnement et de moulage sans contact de masses liquides permettant la solidification en forme de materiaux et application de ce procede a la mise en forme de materiaux en microgravite
JPS5858348A (ja) * 1981-10-05 1983-04-06 株式会社東洋パイルヒユ−ム管製作所 断熱複合板に於ける目地の施工法
JPS5858348U (ja) * 1981-10-14 1983-04-20 三菱電機株式会社 電子冷却装置
US4459428A (en) * 1982-04-28 1984-07-10 Energy Conversion Devices, Inc. Thermoelectric device and method of making same
US4610754A (en) * 1982-10-29 1986-09-09 Westinghouse Electric Corp. Method for growing crystals
US4540550A (en) * 1982-10-29 1985-09-10 Westinghouse Electric Corp. Apparatus for growing crystals
EP0115711B1 (de) * 1983-02-09 1986-10-08 Commissariat à l'Energie Atomique Verfahren zur Herstellung von Platten aus metallischem oder halbleitendem Material durch Abformen ohne direkte Berührung mit den Wänden der Form
US4497973A (en) * 1983-02-28 1985-02-05 Ecd-Anr Energy Conversion Company Thermoelectric device exhibiting decreased stress
JPS6070720A (ja) * 1983-09-27 1985-04-22 Toshiba Corp シリコン薄体製造装置
JPS6215842A (ja) * 1985-07-12 1987-01-24 Fujitsu Ltd 電子装置の冷却構造
US4907060A (en) * 1987-06-02 1990-03-06 Nelson John L Encapsulated thermoelectric heat pump and method of manufacture
JPH01115812A (ja) * 1987-10-28 1989-05-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd シリコン薄板の製造装置
CN1051242A (zh) * 1989-10-27 1991-05-08 吴鸿平 复合半导体温差致冷器
JPH0711178Y2 (ja) * 1990-06-25 1995-03-15 大同ほくさん株式会社 多結晶シリコンシート製造装置におけるシリコン注入圧制御機構
US5031689A (en) * 1990-07-31 1991-07-16 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Flexible thermal apparatus for mounting of thermoelectric cooler
JPH07202275A (ja) * 1993-06-28 1995-08-04 Kiyoshi Yanagimachi 電子冷却素子の集合体
DE4326662A1 (de) * 1993-08-09 1995-02-23 Rost Manfred Dr Rer Nat Habil Flexible Peltierbatterie

Also Published As

Publication number Publication date
EP0795630A4 (de) 2000-05-10
US5885345A (en) 1999-03-23
WO1997013284A1 (fr) 1997-04-10
US6097088A (en) 2000-08-01
EP1329538A2 (de) 2003-07-23
EP0795630B1 (de) 2003-04-09
DE69630014D1 (de) 2003-10-23
WO1997013010A1 (fr) 1997-04-10
EP0805501A4 (de) 1998-09-23
DE69627299D1 (de) 2003-05-15
EP0805501A1 (de) 1997-11-05
EP0805501B1 (de) 2003-09-17
DE69627299T2 (de) 2004-01-29
EP0795630A1 (de) 1997-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69630014T2 (de) Thermoelektrische anordnung und thermoelektrischer(s) kühler/heizgerät
DE69121843T2 (de) Wärmesenke und ihr Herstellungsverfahren
DE19856771C2 (de) Thermoelektrisches Modul und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69318663T2 (de) Thermoelektrische Kühlvorrichtung für thermoelektrischen Kühlschrank und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19646915C2 (de) Thermoelektrischer Umwandlungsmodul und Verfahren zum Herstellen desselben
DE69430150T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer mit Rippen versehenen Diamant-Wärmesenke
DE102007015293B4 (de) Metall/Keramik-Verbindungssubstrat mit Wärmeabstrahlkörper
DE69008681T2 (de) Duplex-Wärmetauscher.
DE102007028791B4 (de) Thermoelektrische Umwandlungsvorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE3716196C2 (de)
DE19653956A1 (de) Flaches Wärmerohr
DE102004002030B4 (de) Verbundmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015109361B4 (de) Halbleiterbauteil
DE19733455A1 (de) Wärmetauscheranordnung sowie Kühlsystem mit wenigstens einer derartigen Wärmetauscheranordnung
DE2450901A1 (de) Halbleitervorrichtung mit ein grosses seitenverhaeltnis aufweisenden pn-uebergaengen und verfahren zur herstellung
DE9319259U1 (de) Kühlkörper
DE19707514A1 (de) Halbleitermodul
DE69918644T2 (de) Elektronisches Leistungselement mit Kühlvorrichtung
DE2109191A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH09181362A (ja) 可撓性を有する熱電素子及びそれからなる冷却加熱装置
DE2265208C2 (de) Hochspannungs-Halbleitergleichrichter
DE4311839A1 (de) Mikrokühleinrichtung für eine Elektronik-Komponente
DE202021101224U1 (de) Heizelement
DE3783571T2 (de) Waermeaustauscher und verfahren zum herstellen desselben.
EP0393496B1 (de) Aus Kupfer- und Keramikschichten bestehendes Substrat für Leiterplatten elektrischer Schaltungen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee