DE69601784T2

DE69601784T2 - Verfahren zur selektiven entfernung einer metallischen schicht von einem nichtmetallischen substrat

Info

Publication number: DE69601784T2
Application number: DE69601784T
Authority: DE
Inventors: Johan Bosman; Johannes Van Dooren
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1995-11-24
Filing date: 1996-11-14
Publication date: 1999-10-07
Anticipated expiration: 2016-11-15
Also published as: EP0806128A1; JPH10513314A; US5759416A; DE69601784D1; EP0806128B1; WO1997019580A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur selektiven Entfernung einer metallischen Schicht von einem nichtmetallischen Substrat.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer Printplatte, wobei dieses Verfahren die nachfolgenden Verfahrensschritte umfaßt:
(a) das Schaffen eines elektrisch isolierenden Substrats, auf dem eine metallische Schicht angebracht ist,
(b) das selektive Entfernen der metallischen Schicht von dem Substrat zum Bilden eines Musters metallischer Inseln auf dem Substrat.
Der Ausdruck "nichtmetallisch", bedeutet in diesem Zusammenhang als sich auf Substanzen, wie organische Polymere, feste organische Zusammensetzungen, Keramiken, Glasmaterial, kristallines Material, Karborund, Silizium usw. beziehend. Es ist nicht notwendig, daß das ganze Substrat aus einem solchen Material besteht: beispielsweise eine nichtmetallische Deckschicht auf einem metallischen Körper, oder ein nichtmetaiilscher Teil eines zusammengesetzten Körpers werden in diesem Zusammenhang auch als "nichtmetallische Substrate" betrachtet. Auf gleiche Weise gelten eine elektrisch isolierende Deckschicht auf einem elektrisch leitenden Körper, oder ein elektrisch isolierender Teil eines zusammengesetzten Körpers in diesem Zusammenhang als "elektrisch isolierende Substrate".
Ein Verfahren der eingangs erwähnten Art wird üblicherweise bei der Herstellung von Printplatten verwendet, die im Allgemeinen ein nicht-leitendes Substrate aufweisen, auf dem ein kompliziertes Muster aus CU-Inseln und Spuren vorgesehen ist (auf einer der beiden Hauptflächen). Ein solches Muster kann durch einheitliche Metallisierung einer Hauptfläche des Substrats mit einer dünnen Cu-Schicht erhalten werden, die an sich danach mit einer Photolackschicht (beispielsweise einem Gemisch aus einem alkalilöslichen Polymer, wie NOVOLAK, und einem lichtempfindlichen Zersetzungshemmer, wie O-Naphtoquinondiazid) bedeckt wird. Diese Photolackschicht wird danach durch eine mit einem Muster versehene Maske hindurch mit UV-Licht bestrahlt (wodurch das O-Naphtoquinondiazid örtlich in alkalilösliche 3- Indenkarbonsäure umgewandelt wird), ust dann einem alkalihaltigen Entwickler ausgesetzt wird. Das Ergebnis dieser Prozedur ist, daß die bestrahlten Teile des Photolacks gelöst werden, während die nicht-bestrahlten Teile des Photolacks ungestört bleiben und folglich als Ätzmaske wirksam sein können. Bei der nachfolgenden Behandlung in einem Ätzbad werden alle Kupfergebiete, die die nicht auf diese Weise durch eine Ätzmaske geschützt sind, entfernt, während diejenigen unterhalb einer Photolackmaske zurückbleiben. Das Substrat wird auf diese Weise mit einem Muster aus CU-Inseln und verbindenen CU-Spuren versehen, die dem verwendeten Maskenmuster entsprechen. Gewünschtenfalls kann der restliche Film aus nicht-bestrahltem Photolack auf der exponierten Oberfläche jeder dieser Inseln "gestrippt" (d. h. chemisch entfernt, beispielsweise unter Verwendung eines organischen Lösungsmittels) werden. Es sei bemerkt, daß die selektive Ätzung bei diesem Verfahren auch unter Verwendung eines physikalischen Ätzmittels, wie eines Plasmas, durchgeführt werden kann.
Ein Nachteil dieses bekannten Verfahrens ist, daß es wenigstens fünf Verfahrensschritte erfordert, d. h. Photolackauftragung, Bestrahlung, Entwicklung, Ätzung und Photolackentfernung. Außerdem ist die Basis der Gebrauch von umweltunfreundlichen organischen Chemikalien (beispielsweise in dem verwendeten Photolack).
Als alternative Methode zu diesem Verfahren kann man versuchen unmittelbar die gewünschte selektive Entfernung der metallischen Schicht unter Anwendung von Laserablation zu erreichen. In einem solchen Szenario wird klar, daß es zum Erzielen einer ausreichenden Strahlungshitze der metallischen Schicht im Allgemeinen notwendig ist, einen IR-Laserstrahl zu benutzen, beispielsweise von einem 1064-nm Nd : YAG-Laser. Solche IR-Wellenlängen werden aber nicht nur von der metallischen Schicht stark absorbiert, sondern auch von dem unterliegenden Substrat. Dadurch leidet die Substratoberfläche fast unvermeidlich an wesentliche Verbrennungsbeschädigungen, die beispielsweise zu einer zunehmenden Gefahr vor Kurzschluß durch die Bildung unerwünschter kohlenstoffreicher Spuren. Außerdem kann das Substrat sich verwerfen durch eine außergewöhnliche Hitze.
Ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist aus EP-A-0 466 202 bekannt.
Es ist nun u. a. eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zu schaffen, bei dem Laserablation angewandt wird zur selektiven Entfernung einer metallischen Schicht von einem nichtmetallischen Substrat, ohne eine große Gefahr vor Beschädigung durch Verbrennung oder Verwerfung.
Diese und andere Aufgabe werden erfüllt nach einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art mit den nachfolgenden Verfahrensschritten:
- Bedeckung der metallischen Schicht durch eine Beschichtung aus einem Snreichen metallischen Material;
- Zuführung eines Laserstrahls einer Wellenlänge λ zu einem selektierten Gebiet der Beschichtung, wobei λ im Bereich von 450-650 nm liegend gewählt wird, wodurch eine örtliche Erhitzung der Deckschicht in diesem Bereich verursacht wird und dadurch eine ablative Entfernung des selektierten Gebietes der Deckschicht und des unterliegenden Teils der metallischen Schicht.
Der Ausdruck "Sn-reich" bezieht sich in diesem Zusammenhang auf Deckschichten mit wenigstens 50 At% Sn (Zinn), und vorzugsweise wenigstens 75 At% Sn. Die Erkermtnisse, die dieser Erfindung zugrunde liegen, werden nachstehend erläutert.
Im Allgemeinen leiden Laser mit einer sichtbaren Wellenlänge, die mit mäßigen Leistungen (in der Größenordnung von 1 - 5 Watt) arbeiten an zu viel Reflexion an Metalloberflächen zum Erzeugen einer effektiven Erhitzung des unterliegenden Metallkörpers; deswegen wurden bisher IR-Laser dazu verwendet. Anmelderin hat nun aber gefunden, daß Sn-Laser darin eine bemerkenswerte Ausnahme in diesem Verhalten bilden, daß sie eine verbesserte Adsorption an sichtbaren Wellenlängen zeigen und insbesondere in dem grünen Teil des Spektrums. Dadurch, daß eine relativ dünne Deckschicht aus Sn-reichem Metall auf einer unterliegenden metallischen Schicht (mit nur wenig oder ohne Sn) aufgetragen wird, schafft die Erfindung ein Mittel, durch das sichtbare Strahlungsenergie auf effektive Weise benutzt werden kann zum Erhitzen der metallischen Schicht: zunächst durch Absorption in der Sn-reichen Schicht und danach durch thermische Leitung durch die unterliegende metallische Schicht. Die Hitzenabsorption und die Übertragung in diesem Verfahren ist effizient genug um für eine schnelle Ablation der unterliegenden metallischen Schicht zu sorgen, sogar bei mäßigen Laserteilchenflüssen, und wobei die Wellenlänge des verwendeten Laserstrahls dennoch derart ist, daß eine außergewöhnliche Erhitzung (Verbrennung) des unmittelbar darunterliegenden nichtmetallisches Substrate vermieden wird. Ein besonderer Vorteil von Sn ist, daß dies relativ wenig intermetallische Verbindungen bildet, so daß es einfach ist, dieses Material auf anderen Metallen anzubringen bzw. von denselben zu entfernen. Außerdem ist es gut erhältlich, preisgünstig und nicht giftig.
Die Sn-reiche Deckschicht auf der metallischen Schicht kann beispielsweise unter Anwendung eines stromlosen Auftragungsverfahrens (beispielsweise Zerstäubung) oder in einem elektrolytischen Verfahren (beispielsweise in einem Bad wässerigen Zinnchlorids oder in einem Zinnbad). Auf alternative Weise kann eine dünne Schicht aus geschmolzenem Zinn gesprüht oder im Schleuderverfahren auf der metallischen Schicht angebracht werden.
Die gewählte Dicke tc der zinnreichen Schicht wird von dem verfügbaren Laserteilchenflusses abhängig sein. Im Allgemeinen gilt, je größer der Wert tc, umso größer der erforderliche Laserteilchenfluß zum Erhalten einer (schnellen) Ablation der metallischen Schicht. Für Laserflüsse der Größenordnung von 0,1-1 kW/mm² werden günstige Ergebnisse erzielt, wenn tc ≤ 2,5 um ist.
Eine musterweise selektive Entfernung der metallischen Schicht kann auf einfache Weise dadurch geleitet werden, daß man eine fokussierten Laserpunkt über vorbestimmte Strecken auf der unterliegenden Schicht laufen läßt. Eine solche Prozedur kann aber ziemlich zeitaufwendig sein für relativ große Bedeckungsgebiete. Ein alternatives Verfahren, das viel schneller ist, ist einen verbreiterten Laserstrahl zu projizieren und fokussieren durch eine vorgemusterte Platte auf (große Gebiete der) der ganzen Deckschicht, wodurch gleichzeitig alle Gebiete der metallischen Schicht, die eine Ablation durchmachen sollen, erhitzt werden. Eine Verbreiterung eines bestimmten Laserstrahls auf diese Weise verringert den damit einhergehenden Laserteilchenfluß in der Fokusebene, aber diese Verringerung kann dadurch kompensiert werden, daß anfangs eine größere Laserleistung gewählt wird. Im Allgemeinen verursa chen Diffraktionseffekte keine wesentliche Degradation der Musterauflösung, wenn der Laserstrahl auf diese Weise verbreitet wird.
In vielen Anwendungsbreichen, wie bei Printplatten beispielsweise, wird es nicht notwendig sein, nach der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens die Sn-reiche Schicht zu entfernen; ein solchen Verfahren erfordert nur zwei Verfahrensschritte und zwar, Schichtauftragung und Laserbestrahlung. Wenn aber Entfernung der Schicht dennoch erwünscht ist, dann kann dieser Vorgang unter Verwendung kommerziell verfügbarer Zinnstripper, beispielsweise erfolgen, dies erfordert dann aber einen zusätzlichen Verfahrensschritt.
Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet komplizierte Musterung matallischer Schichten mit hohem Auflösungsvermögen. Bei Forschungsversuchen haben die Erfinder das Verfahren routinemäßig angewandt zum Erzeugen gutdefinierter Inseln mit Abmessungen der Größenordnung von 100 um.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahren weist das Kennzeichen auf, daß die Schicht aus Sn-reichem metallischem Material wenigstens 90 Aufreichnungsträger% Sn aufweist und daß 500 nm ≤ λ ≤ 550 nm beträgt. Wie bereits erwähnt, Sn ist insbesondere absorptionsfähig bei grünen Wellenlängen, so daß das erfindungsgemäße Verfahren am effektivsten ist für λ = 500-550 nm. Außerdem je größer der Anteil Sn in der aufgetragenen Schicht, umso effektiver wird die Absorption des eintreffenden sichtbaren Lichtes dieser Schicht sein. In dieser Hilsicht kann man erwarten, daß eine Schicht aus reinem Sn die besten Ergebnisse erziel.
Bei einer besonders vorteilhaften Verwirkichung der vorhergehenden Ausführungsform wird der verwendete Laserstrahl von einem zweite-Harmonischen ND : YAG laser oder einem Kupferdampflaser hergeleitet. Nd : YAG hat eine starke Laserlinie bei 1064 nm, der grünes Licht mit einer Wellenlänge von 532 nm nach einer Frequenzdopplung erzeugt; Kupferdampflaser erzeugen auf der anderen Seite starke Linien bei etwa 511 und 578 nm. Die Leistungsausgabe solcher Laser liegt in einem besonders praktischen Bereich zum Gebrauch bei der Erfindung (typisch in der Größenordnung von 1-5 Watt und 5-25 Watt für kommerziell verfügbare Laser).
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens weist das Kennzeichen auf, daß tc ≤ λ ist. Für Deckschichten mit dieser Dicke ist die Eindringtiefe eine eintreffenden Laserstrahls derselben Größenordnung wie tc selbst, so daß die Deckschicht auf effektive Weise unmittelbar über die ganze Dicke von einem eintreffenden Laserstrahl erhitzt wird. Da die Schicht dicker gemacht ist, wird aber die Intensität des Lichtes, das an den niedrigeren Gebieten anlangt, mehr vernachlässigbar sein, so daß nur die oberen Gebiete der Schicht durch den auftreffenden Strahl unmittelbar erhitzt werden. Dadurch wird Wärmeübertragung zu der unterliegenden metallischen Schicht in dem Fall durch die thermische Leitfähigkeit der unteren Bereichen der Schicht beeinflußt, da Sn ein relativ schlechter Leiter ist, wird die Effizienz des erfindungsgemäßen Verfahrens entsprechend reduziert.
Die Dicke tm der metallischen Schicht ist auf günstige Weise weniger als 25 um und vorzugsweise weniger als 10 um. Je größer der Wert von tm, umso größer die zum Erhitzen der metallischen Schicht auf eine bestimmte Temperatur erforderliche Energiemenge und umso länger es dauert, eine solche Erhitzung zu erreichen. Anmelderin hat im Allgemeinen gefunden, daß wenn tm > 25 um ist, für mäßige Laserteilchenflüsse (in der Größenordnung von 0,1-1 kW/mm²) die metallische Schicht nicht über die ganze Dicke genügend erhitzt wird um sie völlig von dem Substrat zu ablatieren. Auf alternative Weise kann die metallische Schicht vor und/oder während der Bestrahlung, beispielsweise dadurch, daß ein heißer Gasstrom über die metallisierte Seite des Substrats geführt wird, oder dadurch, daß die metallisierte Seite mit einer IR-Lampe erwärmt wird, einer zusätzlichen Erhitzung ausgesetzt werden.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens weist das Kennzeichen auf, daß tm ≤ 5 um ist. Für eine solche Dicke kann eine schnelle Ablation mehrerer metallischer Schichten (beispielsweise Cu, Al, Au, Ni) erreicht werden unter Verwendung eines 1-Watt zweite Harmonische ND : YAG-Lasers, fokussiert zu einer Punktgröße der Größenordnung von 100 um, ohne Zusatzheizung.
Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf ein Verfahren zum Herstellen einer Printplatte, wobei dieses Verfahren die nachfolgenden Verfahrensschritte umfaßt:
(a) das Schaffen eines elektrisch isolierenden Substrats, auf dem eine metallische Schicht angebracht ist,
(b) das selektive Entfernen der metallischen Schicht von dem Substrat zum Bilden eines Musters metallischer Inseln auf dem Substrat.
Nach der Erfindung weist ein derartiges Verfahren das Kennzeichen auf, daß der Verfahrensschritt (b) unter Anwendung des oben erläuterten erfindungsgemäßen Verfahrens durchgeführt wird.
Der oben geprägte Ausdruck "Printplatte" betrifft Hartprintplatten sowie Folien, entweder einseitig oder doppelseitig bedruckt und gemeint für Oberflächenbestückung oder Lochbestückung. Außerdem soll der Ausdruck derart interpretiert werden, als umfasse er auch "moulded interconnect devices" (MIDs). in dem Verfahrensschritt (a) genanntes Substratmaterial, beispielsweise glasfaserverstärktes Epoxyharz, Hartpapierepoxyharz, Hartpapierphenolharz und Polyethylenterephthalatfolien (PET). Anmelderin hat gefunden, daß im Allgemeinen nichtaromatische Substratstoffe gegenüber aromatischen Substratstoffe bevorzugt werden, weil die erstgenannten weniger empfindlich sind für Oberflächenkarbonisation. Die Metallisierung des Substrats kann beispielsweise durch stromlose Ablagerung von Metall auf dem Substrat (beispielsweise unter Anwendung eines Zerstäubungsverfahrens), durch Aufkleben eines Metallfilms auf dem Substrat oder durch Laminierung eines Metallfilms auf einer erweichten Oberfläche des Substrats erfolgen. Geeignete Metalle dazu sind Cu, Al, Au und mehrere Legierungen mit einem oder mehreren dieser Elemente.
Abgesehen von der Anwendung bei der Herstellung von PCBs kann das erfindungsgemäße Verfahren auf nützliche Weise in verschieden anderen Bereichen angewandt werden. Dabei handelt es sich beispielsweise um die Erzeugung von Elektrodenmustern auf keramischen dielektrischen Platten zur Kondensatorherstellung, das Anbringen von Pixelkonfigurationen auf einer Glasplatte zum Gebrauch bei Flüssigkristallwiedergabeanordnungen, die Erzeugung metallischer Verbindungsspuren innerhalb des (Kunststoff)Gehäuses einer integrierten Schaltung, sowie bei vielen dekorativen Applikationen und Produktmarkierungsverfahren.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schaubildliche Ansicht eines Teils eines nichtmetallischen Substrats, auf dem eine metallische Schicht vorgesehen ist,
Fig. 2 den Gegenstand aus Fig. 1 nach der Auftragung darauf einer Schicht aus einem Sn-reichen metallischen Material,
Fig. 3 den Gegenstand aus Fig. 2 nach der ablativen Entfernung eines Teils der metallischen Schicht nach der Erfindung,
Fig. 4 eine schaubildliche Ansicht einer Printplatte, hergestellt nach der Erfindung.

Ausführungsform I

Die Fig. 1-3 zeigen einige Aspekte des erfindungsgemäßen Verfahrens. Entsprechende Elemente in den jeweiligen Figuren sind mit dem jeweils gleichen Bezugszeichen angegeben.
Fig. 1 zeigt einen Teil eines Substrats 1, das an einer Hauptfläche 1a mit einer metallischen Schicht 3 einer Dicke tm versehen ist. Die Schicht 3 hat eine exponierte Fläche 3a. Auch dargestellt ist ein Oberflächengebiet 5, das einen Teil der Schicht 3 angibt, der in einem späteren Verfahrensschritt selektiv entfernt werden soll. Deutlichkeitshalber ist hier das Gebiet 5 schattenartig dargestellt.
Bei einer speziellen Ausführungsform besteht das Substrat 1 aus ULTEM - einem kommerziell erhältlichen glasfaserverstärkten Epoxyharz von "General Electric Plastics". Die Schicht 3 besteht im Wesentlichen aus reinem Cu und hat eine Dicke tm von 4 um. Die Schicht 3 ist auf dem Substrat 1 durch thermische Erweichung der Oberfläche 1a und durch unmittelbare Laminierung eines Cu-Films darauf vorgesehen (wobei beispielsweise eine Rollenpresse verwendet worden ist).
In Fig. 2 ist die exponierte Oberfläche 3a mit einer Sn-reichen metallischen Schicht 7 mit einer Dicke tm versehen. In einem spezifischen Beispiel besteht die Schicht 7 aus im Wesentlichen reinem Sn, und tc 500 nm. Das Schattengebiet 5' liegt unmittelbar über dem Gebiet 5 aus Fig. 1.
In Fig. 3 sind das Gebiet 5' und die unterliegenden Teile der Schicht 3 und der Schicht 7 nach der Erfindung ablativ entfernt worden. Dazu wurde ein 532-nm Laserstrahl von einem frequenzverdoppelten Nd : YAG Laser in einer "Scan"- Bewegung über das Oberflächengebiet 5' geführt. Der (nicht dargestellte) Laserstrahl hatte eine Leistung von 1 Watt und war zu einem Punkt von 80 um auf das Oberflächengebiet 5' fokussiert. Dieser Punkt wurde mit einer linearen Geschwindigkeit von 30 mm/s geradlinig verschoben. Alle Teile des Oberflächengebietes 5', die von dem Punkt beschienen werden, wurden schnell auf eine Temperatur der Größenordnung von 1000ºC erhitzt, wodurch ein zugeordneter Temperaturanstieg in der schicht 3 stattfand durch thermische Leitung aus der Schicht 7. Durch diesen Temperaturanstieg wurde die Schicht 3 örtlich von dem Substrat 1 ablatiert, wobei die überliegende Schicht 7 mitgenommen wurde.

Ausführungsform 2

Fig. 4 zeigt eine schaubildliche Ansicht einer Printplatte unter Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 6. Ein feuerverzögerndes Glasepoxysubstrat 1 wurde einheitlich auf einer Seite mit einer 5 um dicken Schicht aus Cu laminiert, worüber danach eine 450 nm dicke Schicht aus Sn angebracht wurde. Unter Verwendung eines 2 Watt frequenzverdoppelten Nd : YAG Lasers wurden selektierte Teile der Cu-Schicht nach der Erfindung ablatiert. Dies geschah derart, daß eine Reihe von Cu- Inseln 43 und diese verbindenden Spuren 45 zurückblieben. Die Inseln 43 entsprechen der Montagestellen der Pins verschiedener elektrischer Elemente (beispielsweise integrierter Schaltungen, Widerstände, Kondensatoren, Dioden usw.), während die verbindenden Spuren 45 zum Verbinden dieser Elemente nach einem bestimmten elektrischen Schaltplan dienen.
Als Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens, angewandt zum Erzengen derselben behalten die Inseln 43 und die Spuren 45 eine Deckschicht aus Snreichem Material auf ihrer Oberfläche. Gewünschtenfalls kann diese Deckschicht unter Verwendung kommerziell erhältlicher Stripp-Mittel entfernt werden. Das Vorhandensein der Deckschicht wird aber meistens einen ungünstigen Effekt auf die nachfolgenden Lötarbeiten haben, so daß eine derartige Entfernung im Allgemeinen unnötig ist.

Claims

1. Verfahren zur selektiven Entfernung einer metallischen Schicht (3) von einem nichtmetallischen Substrat (1), wobei dieses Verfahren die nachfolgenden Verfahrensschritte umfaßt:

das Bedecken der metallischen Schicht (3) mit einer Deckschicht (7) aus einem metallischen Material (2), das wenigstens 50 At% Sn enthält, und

das Zuführen eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge λ zu einem selektierten Gebiet (5') der Deckschicht (7), dadurch gekennzeichnet, daß λ gewählt ist in dem Bereich von 450-650 nm, und daß der Laserstrahl dadurch eine örtliche Erhitzung der Deckschicht in diesem Gebiet verursacht und daß danach eine ablative Entfernung des selektiven Gebietes (5') der Deckschicht (7) und des unterliegenden Teils (5) der metallischen Schicht (3) durchgeführt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht aus metallischen Material wenigstens 90 At% Sn aufweist und daß 500 nm ≤ λ ≤ 550 nm ist.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der verwendete Laserstrahl von einem Zweite-harmonische-Nd: YAG-Laser oder von einem Kupferdampf-Laser herrührt.

4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht aus meyallischen Material eine Dicke tc ≤ λ hat.

5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht eine Dicke tm ≤ 5 um hat.

6. Verfahren zum Herstellen einer Printplatte, wobei dieses Verfahren die nachfolgenden verfahrensschritte umfaßt:

(a) das Schaffen eines elektrisch isolierenden Substrats, auf dem eine metallische Schicht angebracht ist,

(b) das selektive Entfernen der metallischen Schicht von dem Substrat zum Bilden eines Musters metallischer Inseln auf dem Substrat,

dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt (b) unter Anwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 5 durchgeführt wird.