DE68909665T2 - Verfahren zur Herstellung dielektrischer Keramik für elektrostatische Haltevorrichtungen. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung dielektrischer Keramik für elektrostatische Haltevorrichtungen.Info
- Publication number
- DE68909665T2 DE68909665T2 DE89304049T DE68909665T DE68909665T2 DE 68909665 T2 DE68909665 T2 DE 68909665T2 DE 89304049 T DE89304049 T DE 89304049T DE 68909665 T DE68909665 T DE 68909665T DE 68909665 T2 DE68909665 T2 DE 68909665T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transition metal
- firing
- firing step
- electrostatic chuck
- reducing atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
-
- H10P72/72—
-
- H10P72/722—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dielektrischer Keramiken geeignet für elektrostatische Haltevorrichtungen, die verwendet werden, um Halbleiter-Wafer zu halten, deren Flachheit zu korrigieren oder sie in Ätzvorrichtungen, CVD-Vorrichtungen, Elektronenstrahl-Bestrahlungsvorrichtungen, Belichtungsvorrichtungen etc. zu befördern.
- Die ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. 94953/1987 offenbart eine elektrostatische Haltevorrichtung, die durch Brennen von Aluminium, das ein bestimmtes Übergangsmetalloxid enthält, in einer reduzierenden Atmosphäre erzeugt wird.
- Die obige elektrostatische Haltevorrichtung besitzt jedoch bestenfalls eine Dielektrizitätskonstante ε zwischen 9 und 10 und erfordert das Anlegen einer hohen Spannung (etwa 400V) zur Erzeugung einer vorgegebenen Anziehungskraft. Daher war es erwünscht, dielektrische Keramiken für elektrostatische Haltevorrichtungen bereitzustellen, die eine höhere Dielektrizitätskonstante besitzen und eine vorgegebene Anziehungskraft bei Anlegen einer niedrigeren Spannung erzeugen können.
- Wenn lediglich angestrebt wird, die Dielektrizitätskonstante zu erhöhen, können dielektrische Materialien wie BaTiO&sub3; verwendet werden. Jedoch besitzen sämtliche Materialien dieser Art ungünstigerweise eine kleinere mechanische Festigkeit als Aluminium.
- Erfindunggemäß wird ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramik eine elektrostatische Haltevorrichtung bereitgestellt, umfassend den Schritt des Brennens eines keramischen Materials, das zu 1,0 bis 6,0 Gewichtsprozent aus einem Erdalkalimetall in Oxidform und zu 0,5 bis 6,0 Gewichtsprozent aus einem Übergangsmetall in Oxidform besteht, bei einer erhöhten Temperatur in einer reduzierenden Atmosphäre, während der Taupunkt des Atmosphärengases auf nicht mehr als etwa 45ºC gesteuert wird, wobei der Isolationswiderstand der dielektrischen Keramik auf einen Wert von nicht mehr als 10¹³ X cm gesteuert wird.
- Hier kann das Keramikmaterial wahlweise eine Sinterhilfe wie Siliziumoxid (silica) beinhalten.
- Das Erdalkalimetall kann in Form eines Oxides wie Kalziumoxid (calcia) oder Magnesiumoxid (magnesia) und einem Karbonat wie Kalziumkarbonat oder Kalzium-Magnesium-Karbonat verwendet werden.
- Auch das Übergangsmetall wie Titan kann gleichermaßen in Form eines seiner Oxide oder Karbonate als auch eines doppelten Oxids wie Aluminiumtitanat verwendet werden.
- Die oben hergestellte dielektrische Keramik für elektrostatische Haltevorrichtungen besteht hauptsächlich aus Aluminium-Partikeln und einer kleinen Menge einer Übergangsmetall-Verbindung (ein doppeltes Oxid umfassend ein Übergangsmetall-Oxid und ein Erdalkalimetall-Oxid), die zwischen den Partikeln vorhanden ist, und kann eine hohe Dielektriztätskonstante aufweisen, wobei auch eine ausreichende mechanische Festigkeit sichergestellt ist.
- Die Dielektrizitätskonstante wird vermutlich erhöht, da das Vorhandensein der Übergangsmetall-Verbindungen wie Titanat zwischen den Alumnium-Partikeln und auch das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre einen Teil der Übergangsmetall-Verbindungen in nichtstöchiometrische Verbindungen bringen, und als Folge Inhomogenität der Widerstandswerte in der Struktur mit sich bringen, was zum Vorhandensein einer großen Zahl winziger Kondensatoren führt.
- Die erfindungsgemäß hergestellten, dielektrischen Keramiken für elektrostatische Haltevorrichtungen können auch ausreichende mechanische Festigkeit erhalten, da die zusätzlichen Verbindungen die mechanischen Eigenschaften des Hauptbestandteils Aluminium nicht beeinträchtigen.
- Die oben erwähnten und andere charakteristische Eigenschaften und Vorzüge der vorliegenden Erfindung werden aus der detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen offensichtlich, die nachfolgend mit Bezug auf die beigefügte Zeichnung erfolgt.
- Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Brennvorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens; und
- Fig. 2 zeigt einen Graphen, der die Höhe der verbleibende elektrostatischen Kraft jeder Probe 8, 9, 10 und 11 aus der hier gezeigten Tabelle 3 darstellt sowie die Zeit, die bis zu ihrem Verschwinden vergeht.
- Bei dem Formen der erfindungsgemäßen, dielektrischen Keramiken sind die Additive, die dazugegeben werden, damit die Übergangsmetall-Verbindungen zwischen den Aluminium-Partikeln liegen, ein Erdalkalimetall und ein Übergangsmetall.
- Das Erdalkalimetall kann willkürlich aus Oxiden oder Karbonaten von Ca, Mg, Sr, Ba, etc. ausgewählt werden, und wenigstens eines von ihnen wird in einer Menge von etwa 1,0 bis 6,0 Gewichtsprozent in Oxidform dazugegeben. Das Übergangsmetall kann außer Ti auch Fe und Pb beinhalten, und irgendeines von ihnen wird in einer Menge von etwa 0,5 bis 6,0 Gewichtsprozent in Oxidform dazugegeben.
- Bei dem in das Aluminium-Material dazugegebenen Erdalkalimetall-Material kann eine Menge von weniger als 1,0 Gewichtsprozent in Oxidform die Wirkung seiner Zugabe nicht erreichen, und auf der anderen Seite kann eine Menge von mehr als 6,0 Gewichtsprozent zu der Bildung einer Flüssigphase bei niedrigen Temperaturen führen, die es unmöglich macht, ein ausreichendes Brennen durchzuführen. Auch bei dem in das Aluminium-Material dazugegebenen Übergangsmetall kann eine Menge von weniger als 0,5 Gewichtsprozent in Oxidform die Wirkung seiner Zugabe nicht erreichen, und auf der anderen Seite kann eine Menge von mehr als 6,0 Gewichtsprozent zu der Bildung einer Flüssigphase bei niedrigen Temperaturen führen, die es unmöglich macht, ein ausreichendes Brennen durchzuführen.
- Bei diesem Verfahren werden das Erdalkalimetall und das Übergangsmetall mit Aluminium und einer Sinterhilfe wie SiO&sub2; vermischt, wenn ein Rohlingsscheibe geformt wird, und sie reagieren durch das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre zur Erzeugung der Übergangsmetall-Verbindung. Hier enthält das Titanat als die Übergangsmetall-Verbindung CaTiO&sub3;, MgTiO&sub3;, SrTiO&sub3; und BaTiO&sub3;. Diese Übergangsmetall- Verbindungen werden in die Glas-Phasen zwischen die Aluminium-Partikel gemischt, wobei sie Sauerstoff in einem nicht konstanten Verhältnis verlieren, und haben die Aufgabe, die Dielektrizitätskonstante zu erhöhen und den Isolationswiderstand zu verringern.
- Die Mengen in Oxidform des dazuzugebenden Erdalkalimetalls und Übergangsmetalls sind aus dem Grund wie oben vorgeschrieben, daß kleinere Mengen als die oben aufgeführten Verhältnisse die Wirkung ihrer Zugabe nicht erreichen, und größere Mengen als die oben aufgeführten Verhältnisse die Bildung von Übergangsmetall-Verbindungen in proportionaler Menge mit sich bringen, aber als Aluminium-Keramik-Material zu einer Herabsetzung der mechanischen Festigkeit führen.
- Das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre, welches das Hauptbrennen zur Erlangung eines dichten Sinters ist, wird bei 1500 bis 1650ºC (allgemein etwa 1600ºC) für zwischen 1 bis 7 Stunden (allgemein etwa 2 Stunden) durchgeführt. Bei der vorliegenden Erfindung hängt die Steuerung des Taupunktes des Atmosphärengases in diesem Schritt eng mit dem volumenspezifischen Widerstand der entstehenden Keramiken zusammen.
- Experimentelle Beispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend beschrieben.
- Vorgeschriebene Mengen von SiO&sub2;, CaO, MgO, SrO, BaO und TiO&sub2; wurden wie in Tabelle 1 unter Gewichtsprozent für die Proben 2 bis 7 gezeigt abgewogen und gemischt und mit einer Kugelmühle gemahlen. Nachdem sowohl ein Binder als auch Toluol, Butylacetat usw. dazugegeben worden waren, wurde die entstandene Mischung entlüftet und ausgehärtet, und danach in Rohlingsscheiben geformt. Die entstandenen Rohlingsscheiben wurden auf Substrate laminiert, welche in ähnlicher Form in Rohlingsscheiben geformt waren und auf deren Oberfläche Elektrodenschichten umfassend Wolfram, Molybdän oder ähnliches gedruckt waren, gefolgt von Brennen bei 1600ºC in einer reduzierenden Atmosphäre, wobei der Taupunkt (TP) des Atmosphärengases auf 30ºC gesetzt war.
- Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Brennvorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, in welcher die Brennvorrichtung einen Ofen 1 und eine Zufuhreinheit 2 zur Zufuhr von Atmosphärengas in diesen Ofen 1 umfaßt. Die Zufuhreinheit umfaßt eine Stickstoffgas-Flasche 3 und eine Wasserstoffgas-Flasche 4, und das darin enthaltene Stickstoffgas und Wasserstoffgas werden durch Ventile 5 und 6 bzw. Durchflußmesser 7 und 8 zusammengeführt und durch eine Leitung 9a als Atmosphärengas direkt in den Ofen 1 zugeführt, oder alternativ durch eine Leitung 9b in einen Wassertank 10 zugeführt, in dem das Stickstoffgas N&sub2;, Wasserstoffgas H&sub2; und Wasserdampf H&sub2;O aufsprudeln, welche dann in den Ofen 1 als Atmosphärengas zugeführt werden, um ungebrannte, auf der Unterlage 11 angeordnete Keramiken 12 zu brennen. Hier ist der Wassertank 10 mit einer Heizung ausgerüstet. Bei einer solchen Konstruktion kann in dem Fall, daß das Wasserstoffgas und Stickstoffgas durch den Wassertank 10 in den Ofen 1 zugeführt werden, der Taupunkt (TP) des in den Ofen 1 zugeführten Atmosphärengases durch die Steuerung der Wassertemperatur in dem Wassertank 10 auf einer gegebenen Temperatur gehalten werden. Somit wird der in dem Atmosphärengas enthaltene Wasserdampf oder der Sauerstoff-Partialdruck in dem Atmosphärengas gesteuert.
- Tabelle 2 zeigt Vergleiche der Eigenschaften (Dielektrizitätskonstante, Isolationswiderstand, Vorhandensein von Übergangsmetall-Verbindungen, Anziehungskraft und mechanische Festigkeit) von jedem Zusammensetzungsbeispiel der Proben 2 bis 7 und dem Stand der Technik in Tabelle 1.
- Wie in Tabelle 2 zu sehen ist, lagert sich mit ansteigender Menge an TiO&sub2; die Übergangsmetall-Verbindung innerhalb der Keramiken ab und gleichzeitig wird die Dielektrizitätskonstante um den Faktor 1,5 bis 15.5 mal größer als beim Stand der Technik und die Anziehungskraft steigt ebenfalls um den Faktor 40 bis 62.5. Auch wird der Isolationswiderstand auf einen Bereich von 10¹² X cm bis 10&sup8; X cm in umgekehrten Verhältnis zu dem Anstieg der Menge an TiO&sub2; herabgesetzt, und das bedeutet, daß eine größere Raumladungsmenge innerhalb des Isolationsfilms erzeugt wird, und auch die Oberflächenladung auf der Oberfläche des Isolationsfilms, was einen Anstieg der Anziehungskraft mit sich bringt. Die mechanische Festigkeit wurde etwas kleiner, aber nicht in solchem Maße, daß daraus irgendwelche Schwierigkeiten entstehen.
- Als nächstes wird nachfolgend ein Verfahren zur Steuerung des Isolationswiderstandes beschrieben, welches bei der Minimierung der verbleibenden elektrostatischen Kraft zur Verbesserung des Ansprechverhaltens nützlich ist.
- Um die verbleibende elektrostatische Kraft in dem Isolationsfilm zu entfernen, kann der Isolationswiderstand verringert werden, um Wirkung zu erzielen, aber ein übermäßig verringerter Isolationswiderstand kann ungewünscht einen großen Verbrauch elektrischer Energie zur Folge haben, und somit sollte sein Wert beispielsweise auf annähernd 10&sup8; X cm bis 10¹³ X cm gesteuert werden, auf annähernd 10¹&sup0; X cm bis 10¹³ X cm bei Raumtemperatur, wenn die elektrostatische Haltevorrichtung bei Temperaturen von -50 bis 200ºC verwendet wird, wobei diese Werte auch unter wirtschaftlichen Gesichtspunkten geeignet sind. Um diesen Isolationswiderstand zu erhalten, kann das Vorhandensein von Wasserdampf oder der Taupunkt (TP) des Atmosphärengases gesteuert werden, wenn das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre durchgeführt wird. Der Taupunkt (TP) des Atmosphärengases kann so gesteuert werden, daß er nicht über 45ºC liegt.
- Tabelle 3 zeigt die Zusammensetzungsbeispiele von Keramiken des Al&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-(CaO, MgO, SrO, BaO)-TiO&sub2;-Systems, die Brennbedingungen und den erzielten Isolationswiderstand für jede der Proben 8 bis 11.
- Wie in Figur 2 gezeigt, wird die für den Abbau der verbleibenden elektrostatischen Kraft benötigte Zeit mit Abnahme des Taupunkts (TP) des Atmosphärengases kürzer, wenn das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre durchgeführt wird, wie bei den Proben 11, 10, 9 bis 8. Insbesondere Probe 8 zeigte Eigenschaft, das die für den Abbau der elektrostatischen Kraft (400g/cm²) benötigte Zeit mit 13 Sekunden extrem kurz war.
- Das Herabsetzen der verbleibenden elektrostatischen Kraft wird auch durch die Verringerung des Isolationswiderstands unterstützt, und es wird vermutet, daß die Abbaugeschwindigkeit der restlichen Raumladung und Oberflächenladung in umgekehrtem Verhältnis zu der Verringerung des Isolationswiderstands beschleunigt wird.
- Die mit dem Rohlingsscheiben-Laminierungsverfahren gefertigten, ausgeformten Erzeugnisse beinhalten Binder in grossen Mengen, so daß die Binder bei einem übermäßig niedrigen Taupunkt des Atmosphärengases nicht entfernt werden können und die entstehenden, gebrannten Erzeugnisse nicht dicht gefertigt werden können. Entsprechend wird erfindungsgemäß ein Verfahren verwendet, bei welchem unter den Bedingungen eines Taupunktes von 45ºC einmal Kalzinieren (vorbereitendes Brennen) zur gründlichen Entfernung der Binder durchgeführt wird, und danach bei einer höheren Temperatur Sintern (d.h. das Hauptbrennen oder Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre) durchgeführt wird, wobei der Taupunkt zur Steuerung des Isolationswiderstandswertes gesteuert wird.
- Das vorbereitende Brennen kann bei 500 bis 1200ºC (allgemein etwa 1200ºC) für etwa 1 Stunde bis etwa 2 Stunden durchgeführt werden.
- Tabelle 4 zeigt die Zusammensetzungsbeispiele und Brennbedingungen bei den Beispielen, bei welchen der Isolationswiderstand durch Verwendung des Verfahrens der Taupunktsteuerung des Atmosphärengases weiter verringert wurde, während das Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre durchgeführt wurde.
- Für den Fall, daß dieses Steuerverfahren verwendet wird, ergibt sich der Vorteil, daß die dielektrischen Keramiken mit einer kleinen, verbleibenden elektrostatischen Kraft erhalten werden können, und es ist unnötig, irgendwelche andere Arbeitsvorgänge oder spezielle Prozesse anzuwenden, um die verbleibende elektrostatische Kraft durch Anlegen einer Rückwärtsspannung oder Wechselstrom auszuschalten oder die verbleibende elektrostatische Kraft durch Herabsetzen der Volumenbestandteile mittels Anwendung des Schlitzverfahrens (slit processing) klein zu machen.
- Die vorliegende Erfindung ist wie oben beschrieben aufgebaut und weist somit die folgenden Vorteile auf.
- Wegen der auf das etwa 1,5-fache bis 15-fache verglichen mit dem Stand der Technik heraufgesetzten Dielektrizitätskonstanten, können die Substrate dauerhaft angezogen werden und unter angelegter niedriger Spannung gehalten werden, so daß das Erzeugnis nach dem erfindungsgemäßen Verfahren nicht nur wirtschaftlich ist, sondern auch frei von jeglicher Möglichkeit zum Auftreten von Isolationsfehlern, wenn ein Halbleiter-Bauteil davon angezogen wird, und natürlich kann der Isolationsfilm der elektrostatischen Haltevorrichtung nur schwer durchbrochen werden, was Sicherheit sicherstellt, und das Erzeugnis zeigt mechanische Festigkeit mit ähnlichen Werten wie Aluminium, womit es Verbesserungen in der Zuverlässigkeit verspricht.
- Es ist auch möglich, den Isolationswiderstand auf einen Wert zu verringern, daß die elektrostatische Kraft erzeugt werden kann, die groß genug zum Tragen nicht magnetischer Materialien wie Wafer-Scheiben in der Atmosphäre oder in Vakuum ist, und es ist auch möglich, die verbleibende elektrostatische Kraft zu minimieren, so daß die vorliegende Erfindung zu dem Verbesserung in dem Ansprechverhalten beitragen kann. Tabelle 1 Probe Nr. *Stand der Technik Tabelle 2 Probe Nr. Dielektrizitätskonstante ε Isolationswiderstand Vorhandensein von Titanat F (g/cm²) (unter Anlegen von 1Kv) nicht vorh. vorhanden *Stand der Technik Tabelle 3 Probenzusammensetzung (Gew.%) Probe Nr. TP bei vorbereitendem Brennen TP bei Haupt-Brennen Isolationswiderstand keiner* *Es wurde kein Wasserdampf zugeführt. Tabelle 4 Probenzusammensetzung (Gew.%) Probe Nr. TP bei vorbereitendem Brennen TP bei Haupt-Brennen Isolationswiderstand keiner* *Es wurde kein Wasserdampf zugeführt.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramik
für eine elektrostatische Haltevorrichtung umfassend den
Schritt des Brennens eines keramischen Materials, das von
1,0 bis 6,0 Gewichtsprozent eines Erdalkalimetalls in
Oxidform und von 0,5 bis 6,0 Gewichtsprozent eines
Übergangsmetalls in Oxidform enthält, bei einer erhöhten
Temperatur in einer reduzierenden Atmosphäre, während der
Taupunkt des Atmosphärengases auf nicht mehr als etwa 45ºC
gesteuert wird, wobei der Isolationswiderstand der
dielektrischen Keramik auf einen Wert von nicht mehr als
10¹³ X cm gesteuert wird.
2. Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramik
zur Verwendung in einer elektrostatischen Haltevorrichtung
nach Anspruch 1, bei welchem das Übergangsmetall Titan
umfaßt.
3. Verfahren zur Herstellung dielektrischer Keramik für
eine elektrostatische Haltevorrichtung nach Anspruch 1, bei
welchem der Schritt des Brennens einen vorbereitenden
Brennschritt gefolgt von einem Hauptbrennschritt
beinhaltet, wobei der vorbereitende Brennschritt in einer
reduzierenden Atmosphäre mit einem Taupunkt von 45ºC durchgeführt
wird, und der Hauptbrennschritt in einer reduzierenden
Atmosphäre durchgeführt wird.
4. Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramik
für eine elektrostatische Haltevorrichtung nach Anspruch 3,
bei welchem der vorbereitende Brennschritt in einem ersten
Temperaturbereich von etwa 1200ºC oder weniger durchgeführt
wird, und der Hauptbrennschritt in einem zweiten
Temperaturbereich, der höher als der erste Temperaturbereich ist,
durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10484488 | 1988-04-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE68909665D1 DE68909665D1 (de) | 1993-11-11 |
| DE68909665T2 true DE68909665T2 (de) | 1994-02-10 |
Family
ID=14391639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE89304049T Expired - Fee Related DE68909665T2 (de) | 1988-04-26 | 1989-04-24 | Verfahren zur Herstellung dielektrischer Keramik für elektrostatische Haltevorrichtungen. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5104834A (de) |
| EP (1) | EP0339903B1 (de) |
| JP (1) | JP2733091B2 (de) |
| AT (1) | ATE95513T1 (de) |
| CA (1) | CA1336476C (de) |
| DE (1) | DE68909665T2 (de) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043956A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置 |
| JPH06737A (ja) * | 1991-03-29 | 1994-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック基板 |
| EP0564982A3 (en) * | 1992-04-04 | 1995-09-13 | Hoechst Ceram Tec Ag | Ceramic alumina body with high metallization adherence |
| JP2938679B2 (ja) * | 1992-06-26 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス製静電チャック |
| US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
| US5413360A (en) * | 1992-12-01 | 1995-05-09 | Kyocera Corporation | Electrostatic chuck |
| US5384681A (en) * | 1993-03-01 | 1995-01-24 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
| JPH06326175A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法 |
| US5511799A (en) * | 1993-06-07 | 1996-04-30 | Applied Materials, Inc. | Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential |
| US5467252A (en) * | 1993-10-18 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Method for plating using nested plating buses and semiconductor device having the same |
| JPH07153825A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Toto Ltd | 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法 |
| US5801915A (en) * | 1994-01-31 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer |
| US6278600B1 (en) | 1994-01-31 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved temperature control and puncture resistance |
| US5729423A (en) * | 1994-01-31 | 1998-03-17 | Applied Materials, Inc. | Puncture resistant electrostatic chuck |
| TW288253B (de) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
| US5792562A (en) * | 1995-01-12 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making |
| US5671116A (en) * | 1995-03-10 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof |
| JP2971369B2 (ja) * | 1995-08-31 | 1999-11-02 | トーカロ株式会社 | 静電チャック部材およびその製造方法 |
| US5835333A (en) * | 1995-10-30 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Negative offset bipolar electrostatic chucks |
| JP3670416B2 (ja) | 1995-11-01 | 2005-07-13 | 日本碍子株式会社 | 金属包含材および静電チャック |
| US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
| JP3457495B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2003-10-20 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体、金属埋設品、電子機能材料および静電チャック |
| WO1997038481A1 (en) * | 1996-04-10 | 1997-10-16 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Process for providing a glass-ceramic dielectric layer on an electrically conductive substrate and electrostatic chucks made by the process |
| US5761023A (en) * | 1996-04-25 | 1998-06-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback |
| US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
| TW303505B (en) * | 1996-05-08 | 1997-04-21 | Applied Materials Inc | Substrate support chuck having a contaminant containment layer and method of fabricating same |
| US6175485B1 (en) * | 1996-07-19 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck and method for fabricating the same |
| US5864459A (en) * | 1996-08-14 | 1999-01-26 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Process for providing a glass dielectric layer on an electrically conductive substrate and electrostatic chucks made by the process |
| WO1998047176A1 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-22 | The Morgan Crucible Company Plc | Composite ceramic dielectrics |
| JPH11157953A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-15 | Nhk Spring Co Ltd | セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置 |
| US6641939B1 (en) | 1998-07-01 | 2003-11-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Transition metal oxide doped alumina and methods of making and using |
| US6259592B1 (en) | 1998-11-19 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same |
| US6263829B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
| US6273958B2 (en) | 1999-06-09 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma processing |
| JP4530380B2 (ja) | 1999-11-29 | 2010-08-25 | 日本特殊陶業株式会社 | スパークプラグ用絶縁体及びそれを備えるスパークプラグ |
| US6478924B1 (en) | 2000-03-07 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber support having dual electrodes |
| US6598559B1 (en) | 2000-03-24 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled chamber |
| US6581275B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits |
| US6682627B2 (en) | 2001-09-24 | 2004-01-27 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having a corrosion-resistant wall and method |
| US6986865B2 (en) * | 2002-07-10 | 2006-01-17 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method for manufacturing an electrostatic chuck |
| JP4248833B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2009-04-02 | 株式会社ソディック | セラミックス及びその製造方法 |
| US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
| US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
| JP2007266289A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tdk Corp | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
| US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| JP5872998B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-03-01 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ焼結体、それを備える部材、および半導体製造装置 |
| JP6277015B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US10246375B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-04-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-phase high thermal conductivity composite dielectric materials |
| GB2583911A (en) | 2019-05-03 | 2020-11-18 | Morgan Advanced Ceramics Inc | High density corrosion resistant layer arrangement for electrostatic chucks |
| US12512232B2 (en) | 2020-12-29 | 2025-12-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Low loss tangent dielectric based on spinel-structured oxide |
| CN116924776A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-10-24 | 浙江新纳陶瓷新材有限公司 | 一种新的esc陶瓷盘一体化烧结方法 |
| CN120423860B (zh) * | 2025-07-07 | 2025-10-24 | 湖北芯陶科技有限公司 | 一种氧化铝静电卡盘陶瓷及其一体化烧结方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4020234A (en) * | 1974-01-02 | 1977-04-26 | International Business Machines Corporation | High-alumina content compositions containing BaO-MgO-SiO2 glass and sintered ceramic articles made therefrom |
| US4109377A (en) * | 1976-02-03 | 1978-08-29 | International Business Machines Corporation | Method for preparing a multilayer ceramic |
| JPS6059104B2 (ja) * | 1982-02-03 | 1985-12-23 | 株式会社東芝 | 静電チヤツク板 |
| JPS59152636A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Toshiba Corp | 静電チャック装置の製造方法 |
| JPS60127259A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-06 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜用基板の製造方法 |
| JPS60176967A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-11 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
| FR2568722B1 (fr) * | 1984-08-03 | 1987-10-23 | Thomson Csf | Substrat en ceramique dielectrique et procede d'obtention |
| JPS61179009A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 高周波誘電体磁器 |
| JPS61211907A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-20 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
| JPS623066A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-09 | 株式会社東芝 | セラミツク組成物 |
| JPH0697675B2 (ja) * | 1985-10-21 | 1994-11-30 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック基盤 |
| US4678683A (en) * | 1985-12-13 | 1987-07-07 | General Electric Company | Process for cofiring structure comprised of ceramic substrate and refractory metal metallization |
| JPS62229711A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
| US4769294A (en) * | 1986-11-26 | 1988-09-06 | Ceramics Process Systems Corp. | Alumina materials for low temperature co-sintering with refractory metallization |
-
1989
- 1989-04-24 EP EP89304049A patent/EP0339903B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-24 DE DE89304049T patent/DE68909665T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-24 AT AT89304049T patent/ATE95513T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-04-25 JP JP1105678A patent/JP2733091B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-26 US US07/343,805 patent/US5104834A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-26 CA CA000597909A patent/CA1336476C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1336476C (en) | 1995-08-01 |
| JP2733091B2 (ja) | 1998-03-30 |
| EP0339903A1 (de) | 1989-11-02 |
| US5104834A (en) | 1992-04-14 |
| JPH0222166A (ja) | 1990-01-25 |
| ATE95513T1 (de) | 1993-10-15 |
| DE68909665D1 (de) | 1993-11-11 |
| EP0339903B1 (de) | 1993-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68909665T2 (de) | Verfahren zur Herstellung dielektrischer Keramik für elektrostatische Haltevorrichtungen. | |
| DE60101641T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxiden mit Perowskitstruktur | |
| DE69034034T2 (de) | Keramischer Mehrschicht-Chipkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69710259T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
| DE69704580T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammmensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
| DE10035612B4 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithischer Keramikkondensator | |
| DE69835044T2 (de) | Dielektrische Keramik und monolitischer keramischer Kondensator diese enthaltend | |
| DE69807366T2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
| DE69710265T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und diese verwendender monolithischer keramischer Kondensator | |
| EP0459575B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Monolayer-Kondensatoren | |
| DE69304034T2 (de) | Nichtreduzierbare, dielektrische keramische Zusammensetzung | |
| DE69833427T2 (de) | Nichtreduzierendes keramisches dielektrium | |
| DE10024236A1 (de) | Keramikkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE112009002221B4 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithischer Keramikkondensator | |
| DE19721989A1 (de) | Dielektrikum-Sputtertarget mit hoher Festigkeit und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2504658A1 (de) | Bei niedrigen temperaturen sinterbare keramische stoffzusammensetzung mit hoher dielektrizitaetskonstante und verfahren zu deren herstellung. | |
| EP0823718A2 (de) | Bauteil mit einem Kondensator | |
| DE112014002548T5 (de) | Laminierter Keramikkondensator | |
| DE68912988T2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator. | |
| DE10040414B4 (de) | Dielelektrisches Keramikmaterial und elektrisches Bauelement | |
| DE60126700T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Zusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Geräts | |
| DE69023316T2 (de) | Keramischer kondensator eines halbleitertyps mit laminierten und kornisolierten grenzschichten. | |
| DE3237571A1 (de) | Keramisches dielektrikum auf basis von wismut enthaltendem bati0(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts) | |
| DE69707247T2 (de) | Keramischer vielschichtkondensator | |
| DE19548351A1 (de) | Bei niedriger Temperatur sinterfähige dielektrische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante, mehrschichtiger keramischer Kondensator unter Verwendung derselben, und Herstellungsverfahren dafür |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |