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Die
Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung für einen Fernsehtuner.
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3 zeigt
eine herkömmliche
Oszillatorschaltung für
einen Fernsehtuner. 3 zeigt eine Oszillatorschaltung 41,
die beispielsweise für
einen VHF-Fernsehtuner für
niedriges Band und für
hohes Band verwendet wird, und die Oszillatorschaltung enthält einen
ersten und einen zweiten Schwingungstransistor 42 und 43 in
einer integrierten Schaltung 40 und einen außerhalb
der integrierten Schaltung 40 vorgesehenen Resonanzkreis 44.
Der erste und der zweite Schwingungstransistor 42 und 43 sind mit
ihren Emittern zusammengeschaltet und liegen gemeinsam an einer
Konstantstromquelle 45. Der erste Schwingungstransistor 42 ist
mit seinem Kollektor an einen Versorgungsanschluss B der integrierten
Schaltung 40 angeschlossen und der zweite Schwingungstransistor 43 ist
mit seinem Kollektor über
einen Speisewiderstand 46 an den Energieversorgungsanschluss
B angeschlossen. Der zweite Transistor 43 ist hochfrequenzmäßig über einen
in der integrierten Schaltung 40 befindlichen Koppelkondensator 47 auf
Masse gelegt.
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Aus
diesem Grund sind der erste und der zweite Schwingungstransistor 42 und 43 als
Differenzschaltung verschaltet, wobei die Basis des ersten Schwingungstransistors 42 und
der Kollektor des zweiten Schwingungstransistors 43 miteinander
in Phase sind.
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Die
integrierte Schaltung 40 ist mit einem ersten und weinem
zweiten Anschluss 40a und 40b ausgestattet, von
denen der erste Anschluss 40a mit der Basis des ersten
Schwingungstransistors 42 verbunden ist und der zweite
Anschluss 40b mit dem Kollektor des zweiten Schwingungstransistors 43 gekoppelt
ist. Der Resonanzkreis 44 enthält eine Induktivität 44a,
eine Varaktordiode 44b und dergleichen und ist mit seinem
einen Ende an den ersten und den zweiten Anschluss 40a und 40b über zwei
Koppelkondensatoren 48 und 49 angeschlossen. Der
Resonanzkreis 44 ist mit dem anderen Ende auf Masse gelegt.
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Die
Oszillatorschaltung
41 bildet folglich eine unsymmetrische
Oszillatorschaltung. Die Schwingungsfrequenz wird abhängig von
der Abstimmspannung Tu eingestellt, die an die Varaktordiode
44b gelegt
wird (vgl. zum Beispiel die Japanische Patent-Offenlegungsschrift
2001-257954 (
1)
oder die
US 5 144 263 als
Schrift zum Stand der Technik (
1).
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Bei
dem oben beschriebenen Aufbau ist der Kollektor des ersten Schwingungstransistors 42 mit der
Energiequelle verbunden und hochfrequenzmäßig auf Masse gelegt, und die
Basis des zweiten Schwingungstransistors ist mit einer Masseleitung
innerhalb der integrieren Schaltung durch den Massekondensator 47 auf
Masse gelegt. Daher wird die hochfrequenzmäßige Potenzialdifferenz zwischen dem
Energieversorgungsanschluss B und der Masseleitung hervorgerufen
durch Strom durch die Versorgungsleitung und die Masseleitung, und
die Potenzialdifferenz gelangt zwischen dem Kollektor des ersten
Schwingungstransistors 42 und die Basis des zweiten Schwingungskreises 43.
Folglich wird der Schwingungsvorgang instabil, was den C/N-Wert
des Oszillatorsignals beeinträchtigt
und möglicherweise zu
parasitärer
Schwingung führt.
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Ein
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine unsymmetrische Oszillatorschaltung
mit zwei Schwingungstransistoren, die als Differenzschaltung verschaltet
sind, zu stabilisieren und den C/N-Wert des Oszillatorsignals zu
verbessern.
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Erfindungsgemäß wird eine
Oszillatorschaltung für
einen Fernsehtuner geschaffen, die umfasst:
einen ersten und
einen zweiten Schwingungstransistor, die eine Differenzschaltung
bilden, und einen Resonanzkreis, der mit dem ersten und dem zweiten Schwingungstransistor
gekoppelt ist, wobei der Kollektor des ersten Schwingungstransistors
und die Basis des zweiten Schwingungstransistors hochfrequenzmäßig über einen
gemeinsamen Widerstand mit niedrigem Widerstandswert zur Vermeidung
parasitärer
Schwingungen auf Masse gelegt sind, die Basis des ersten Schwingungstransistors
und der Kollektor des zweiten Schwingungstransistors über zugehörige Koppelkondensatoren an
ein Ende des Resonanzkreises gekoppelt sind, und das andere Ende
des Resonanzkreises auf Masse gelegt ist.
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Vorzugsweise
befinden sich der erste und der zweite Schwingungstransistor, die
Kuppelkondensatoren und der Widerstand in der integrierten Schaltung,
und der Widerstand ist in der integrierten Schaltung auf Masse gelegt,
wobei die integrierte Schaltung mit einem Anschluss versehen ist,
der an die Koppelkondensatoren angeschlossen ist, während der
Resonanzkreis sich außerhalb
der integrierten Schaltung befindet und ein Ende des Resonanzkreises
an den Anschluss gekoppelt ist.
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Im
Folgenden wird eine Ausführungsform der
Erfindung beispielhaft unter Bezugnahme auf die begleitenden schematischen
Zeichnungen erläutert.
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Es
zeigen:
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1 eine
Schaltungsskizze des Aufbaus einer Oszillatorschaltung für einen
Fernsehtuner;
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2 eine
Schaltungsskizze des Aufbaus einer Oszillatorschaltung für einen
Fernsehtuner gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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3 eine
Schaltungsskizze des Aufbaus einer herkömmlichen Oszillatorschaltung
für einen Fernsehtuner.
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1 zeigt
eine Oszillatorschaltung 1 für beispielsweise die Verwendung
in einem VHF-Fernsehtuner für
niedriges oder hohes Band. Die Schaltung enthält einen ersten und einen zweiten
Schwingungstransistor 2 und 3, die in einer integrierten Schaltung 20 ausgebildet
sind und einen Resonanzkreis 4 außerhalb der integrierten Schaltung 20.
Der erste und der zweite Schwingungstransistor 2 und 3 sind
mit ihrem Emittern zusammengeschaltet und liegen gemeinsam an einer
Konstantstromquelle 5. Der erste Schwingungstransistor 4 ist
mit seinem Kollektor an den Energieversorgungsanschluss B der integrierten
Schaltung angeschlossen, und der zweite Schwingungstransistor 3 ist
mit seinem Kollektor über
einen Speisewiderstand 6 an den Energieversorgungsanschluss
B angeschlossen. Der Kollektor des ersten Schwingungstransistors 2 und
die Basis des zweiten Schwingungstransistors 3 sind hochfrequenzmäßig mit
einem gemeinsamen Massepunkt innerhalb der integrierten Schaltung 20 über einen ersten
und einen zweiten Gleichstrom-Sperrkondensator 7 bzw. 8 in
der integrierten Schaltung 20 verbunden.
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Der
erste und der zweite Schwingungstransistor 2 und 3 sind
als Differenzschaltung verschaltet, wobei die Basis des ersten Schwingungstransistors 2 und
der Kollektor des zweiten Schwingungstransistors 3 in Phase
sind.
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Die
integrierte Schaltung 20 ist mit seinem Anschluss 20a ausgestattet.
Ein erster und ein zweiter Koppelkondensator 9 und 10 befinden
sich in der integrierten Schaltung 20. Der Anschluss 20a ist
mit der Basis des ersten Schwingungstransistors 2 über den
ersten Koppelkondensator 9 und mit dem Kollektor des zweiten
Schwingungstransistors 3 über den zweiten Koppelkondensator 10 verbunden.
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Der
Resonanzkreis 4 enthält
eine Induktivität 4a,
eine Varaktordiode 4b und dergleichen, und er ist mit einem
Ende an den Anschluss 20a und mit dem anderen Ende außerhalb
der integrierten Schaltung 20 mit Masse verbunden.
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Hierdurch
bildet die Oszillatorschaltung 1 eine unsymmetrische Oszillatorschaltung.
Die Schwingungsfrequenz wird, basierend auf der an die Varaktordiode
angelegten Abstimmspannung Tu, eingestellt.
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Bei
dem oben beschriebenen Aufbau sind der Kollektor des ersten Schwingungstransistors 2 und
die Basis des zweiten Schwingungstransistors 3 mit dem
gemeinsamen Massepunkt verbunden, sodass sie hochfrequenzmäßig beide
auf Massepotenzial liegen und der Schwingungsvorgang stabilisiert ist,
was den C/N-Wert verbessert und parasitäres Schwingen unterbindet.
Die Basis des ersten Schwingungstransistors 2 und der Kollektor
des zweiten Schwingungstransistors 3 sind mit dem Anschluss 20a über den
ersten bzw. den zweiten Koppelkondensator 9 und 10 verbunden,
sodass lediglich ein einziger Anschluss notwendig ist, um den Resonanzkreis 4 anzuschließen. Hier durch
lässt sich
die Baugröße der integrierten
Schaltung 20 klein halten.
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In 2 werden
die gleichen Elemente wie in 1 nicht
noch einmal beschrieben. Der erste Schwingungstransistor 2 ist
mit seinem Kollektor über
einen Speisewiderstand 11 an einen Energieversorgungsanschluss
B angeschlossen. Der Speisewiderstand 11 ist nicht immer
notwendig. Ein erster Gleichstrom-Sperrkondensator 7 ist
an den Kollektor des ersten Schwingungstransistors 2 und
ist an ein Ende des Widerstands 12 geringen Widerstandswerts
angeschlossen, und ein zweiter Gleichstrom-Sperrkondensator 8 ist
mit der Basis des zweiten Schwingungstransistors 3 und
außerdem
mit dem Ende des einen geringen Widerstandswert aufweisenden Widerstands 12 verbunden.
Das andere Ende des Widerstands 12 liegt auf Masse. Der
Widerstand 12 befindet sich innerhalb der integrierten Schaltung 20.
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Bei
diesem Aufbau erreichen der Kollektor des ersten Schwingungstransistors 2 und
die Basis des zweiten Schwingungstransistors 3 gleichen
Potenzialpegel durch den Widerstand 12, sodass sich der
C/N-Wert wirksam verbessern lässt.
Der Widerstand 12 dämpft
den Q-Wert des Resonanzkreises 4, und deshalb lässt sich
ein parasitäres
Schwingen noch wirksamer verhindern.
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Wie
oben ausgeführt,
sind erfindungsgemäß der Kollektor
des ersten Schwingungstransistors und die Basis des zweiten Schwingungstransistors
hochfrequenzmäßig an den gemeinsamen
Erdungspunkt angeschlossen, während
die Basis des ersten Schwingungstransistors und der Kollektor des
zweiten Schwingungstransistors über
zugehörige
Koppelkondensatoren mit einem Ende des Resonanzkreises gekoppelt
sind, während
das andere Ende des Resonanzkreises auf Masse liegt. Auf diese Weise erhalten
der Kollektor des ersten Schwingungstransistors und die Basis des
zweiten Schwingungstransistors hochfrequenzmäßig gleichen Massepotenzialpegel,
und der Schwingungsvorgang wird stabilisiert, was den C/N-Wert verbessert
und parasitäres Schwingen
verhindert.
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Der
erste und der zweite Schwingungstransistor und die Koppelkondensatoren
befinden sich in der integrierten Schaltung, der Kollektor des ersten Schwingungstransistors
und die Basis des zweiten Schwingungstransistors sind hochfrequenzmäßig auf den
Erdungspunkt innerhalb der integrierten Schaltung gelegt. Die integrierte
Schaltung ist mit einem Anschluss versehen, der an die Koppelkondensatoren
angeschlossen ist, außerhalb
der integrierten Schaltung befindet sich ein Resonanzkreis, dessen eines
Ende mit dem Anschluss verbunden ist. Deshalb ist nur ein derartiger
Anschluss zum Verbinden des Resonanzkreises notwendig, und die Größe der integrierten
Schaltung kann kleingehalten werden.
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Der
Kollektor des ersten Schwingungstransistors und die Basis des zweiten
Schwingungstransistors sind über
einem, einen geringen Widerstandswert aufweisenden gemeinsamen Widerstand
auf Masse gelegt, die Basis des ersten Schwingungstransistors und
der Kollektor des zweiten Schwingungstransistors sind mit einem
Ende des Resonanzkreises über
zugehörige
Koppelkondensatoren verbunden, und das andere Ende des Resonanzkreises
ist auf Masse gelegt, wobei der Widerstand den Q-Wert des Resonanzkreises
dämpft,
demzufolge parasitäre
Schwingung wirksamer verhindert werden kann.
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Der
erste und der zweite Schwingungstransistor, die Koppelkondensatoren
und der Widerstand befinden sich innerhalb der integrierten Schaltung, wobei
der Widerstand in der integrierten Schaltung auf Masse gelegt ist,
und die integrierte Schaltung mit einem Anschluss ausgestattet ist,
der mit den Koppelkondensatoren verbunden ist, während der Resonanzkreis sich
außerhalb
der integrierten Schaltung befindet und mit einem Ende an den Anschluss
gekoppelt ist. Deshalb nur ein einziger Anschluss notwendig, um
den Resonanzkreis anzuschließen,
sodass die Baugröße der integrierten
Schaltung kleingehalten werden kann.