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DE602006009662D1 - Verfahren zur Einengung der Schwellspannungsverteilung gelöschter Flash-Speicherzellen während Schreiboperationen - Google Patents

Verfahren zur Einengung der Schwellspannungsverteilung gelöschter Flash-Speicherzellen während Schreiboperationen

Info

Publication number
DE602006009662D1
DE602006009662D1 DE602006009662T DE602006009662T DE602006009662D1 DE 602006009662 D1 DE602006009662 D1 DE 602006009662D1 DE 602006009662 T DE602006009662 T DE 602006009662T DE 602006009662 T DE602006009662 T DE 602006009662T DE 602006009662 D1 DE602006009662 D1 DE 602006009662D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
narrowing
flash memory
memory cells
threshold voltage
voltage distribution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602006009662T
Other languages
English (en)
Inventor
Rino Micheloni
Luca Crippa
Roberto Ravasio
Federico Pio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
SK Hynix Inc
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL, Hynix Semiconductor Inc filed Critical STMicroelectronics SRL
Publication of DE602006009662D1 publication Critical patent/DE602006009662D1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/344Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
DE602006009662T 2006-08-24 2006-08-24 Verfahren zur Einengung der Schwellspannungsverteilung gelöschter Flash-Speicherzellen während Schreiboperationen Active DE602006009662D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06119452A EP1909290B1 (de) 2006-08-24 2006-08-24 Verfahren zur Einengung der Schwellspannungsverteilung gelöschter Flash-Speicherzellen während Schreiboperationen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE602006009662D1 true DE602006009662D1 (de) 2009-11-19

Family

ID=37602996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
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Country Status (3)

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US (1) US7529136B2 (de)
EP (1) EP1909290B1 (de)
DE (1) DE602006009662D1 (de)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP1909290B1 (de) 2009-10-07
EP1909290A1 (de) 2008-04-09
US7529136B2 (en) 2009-05-05
US20080049521A1 (en) 2008-02-28

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