DE602004002305T2

DE602004002305T2 - Optischer Aufzeichnungsträger

Info

Publication number: DE602004002305T2
Application number: DE602004002305T
Authority: DE
Inventors: Koji Mishima; Hiroyasu Inoue; Tsuyoshi Komaki; Daisuke Yoshitoku; Hitoshi Arai; Kenji Yamaga; Hironori Kakiuchi
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-01-08
Filing date: 2004-01-07
Publication date: 2007-04-05
Anticipated expiration: 2024-01-08
Also published as: EP1437724A3; CN1560843A; EP1437724A2; TW200421336A; EP1437724B1; US20040152016A1; ATE339760T1; US7932015B2; DE602004002305D1; KR20040063839A

Description

Hintergrund der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium und insbesondere ein optisches Aufzeichnungsmedium, das eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten umfasst, und in dem in einer gewünschten Weise bei einer von einer Lichteinfallsebene entferntesten Aufzeichnungsschicht Daten eingeschrieben und daraus ausgelesen werden können und bei der in einer gewünschten Weise aus einer Aufzeichnungsschicht bzw. Aufzeichnungsschichten, die von der der Lichteinfallsebene entferntesten Aufzeichnungsschicht verschieden sind, Daten eingeschrieben und wieder ausgelesen werden können.
Beschreibung des Standes der Technik
Optische Aufzeichnungsmedien, wie etwa CD, DVD und dergleichen, sind auf breiter Front als Aufzeichnungsmedien für die Aufzeichnung digitaler Daten verwendet worden. Solche optische Aufzeichnungsmedien erfordern eine Verbesserung in der Fähigkeit, große Mengen von Daten aufzuzeichnen, und verschiedene Vorschläge sind gemacht worden, um die Datenaufzeichnungskapazität davon zu verbessern.
Eine davon ist ein optisches Aufzeichnungsmedium mit zwei Aufzeichnungsschichten, und ein solches optisches Aufzeichnungsmedium ist bereits in die praktische Verwendung eingebracht worden als ein optisches Aufzeichnungsmedium, das dazu angepasst worden ist, nur Daten auszulesen, wie etwa das DVD-Video und die DVD-ROM.
Ein solches Aufzeichnungsmedium, das nur zum Auslesen von Daten ausgelegt ist, und das mit zwei Aufzeichnungsschichten ausgestattet ist, wird durch Laminieren zweier Substrate gebildet, von denen jedes vorgefertigte Löcher besitzt, die eine Aufzeichnungsschicht auf der Oberfläche davon über eine Zwischenschicht bilden.
Ferner ist kürzlich in Verbindung mit einem optischen Aufzeichnungsmedium, in dem Daten vom Anwender aufgezeichnet werden können, vorgeschlagen worden, das zwei Aufzeichnungsschichten besitzt (siehe japanische offengelegte Patentanmeldung Nr. 2001-243655 usw.).
In dem optischen Aufzeichnungsmedium, das in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 2001-243655 beschrieben ist, schließt jede Aufzeichnungsschicht einen Aufzeichnungsfilm und dielektrische Filme (Schutzfilme) ein, die den Aufzeichnungsfilm dazwischen einschichten und wobei zwei Aufzeichnungsschichten, von denen jede eine solche Konfiguration besitzt, über eine Zwischenschicht laminiert werden.
In dem Fall, wenn Daten in ein optisches Aufzeichnungsmedium mit einer Mehrzahl von Aufzeichnungsfilmen aufgezeichnet werden sollen, in die Daten vom Anwender eingeschrieben werden können, wird ein Laserstrahl, dessen Leistung so moduliert worden ist, dass sie gleich ist einer Aufzeichnungsleistung Pw, die größer ist als die reproduzierende Leistung Pr, auf die eine oder die andere der Aufzeichnungsschichten fokussiert und darauf projiziert, wodurch der Zustand eines in der mit dem Laserstrahl bestrahlten Aufzeichnungsschicht eingeschlossenen Aufzeichnungsfilm geändert wird und wodurch eine Aufzeichnungsmarke in dem Aufzeichnungsfilm gebildet wird.
Da die Reflexionskoeffizienten zwischen dem Bereich des Aufzeichnungsfilms, wo eine Aufzeichnungsmarke gebildet ist, und blanken Bereichen des Aufzeichnungsfilms, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet ist, differieren, können Daten ausgelesen werden durch Projizieren eines Laserstrahls, dessen Leistung auf eine Ausleseleistung Pr eingestellt ist, auf die Aufzeichnungsschicht und Detektieren der Menge des Laserstrahls, der von der Aufzeichnungsschicht reflektiert wird.
In einem optischen Aufzeichnungsmedium, das eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten einschließt, wird die Datenaufzeichnung in und die Datenwiedergabe aus der von der Lichteinfallsebene am entferntesten Aufzeichnungsschicht dadurch bewerkstelligt, dass ein Laserstrahl auf die Aufzeichnungsschicht über die Aufzeichnungsschicht(en) projiziert wird, die näher der Lichteinfallsebene sind als die von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegende Aufzeichnungsschicht.
Um in einer von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht in einer gewünschten Weise Daten aufzuzeichnen oder daraus wiederzugeben, ist es deshalb notwendig, dass jede der Aufzeichnungsschichten, die der Lichteinfallsebene näher sind als die davon am entferntesten liegende Aufzeichnungsschicht, eine ausreichend hohe Lichttransmittanz bezüglich des Laserstrahls besitzen.
Um Daten wiederzugeben, die in der Aufzeichnungsschicht bzw. den Aufzeichnungsschichten aufgezeichnet sind, die von der von der Lichteinfallsebene am entferntesten Aufzeichnungsschicht verschieden sind, so dass man ein Signal mit einem hohen C/N-Verhältnis erhält, ist es andererseits notwendig, ein Material auszuwählen zum Bilden jeder der Aufzeichnungsschicht(en), die von der von der Lichteinfallsebene am entferntesten Aufzeichnungsschicht verschieden sind, so dass die Differenz in den Reflexionskoeffizienten zwischen den Bereichen davon, wo eine Aufzeichnungsmarke gebildet ist, und dem blanken Bereich davon, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet ist, ausreichend groß wird.
Es ist bis jetzt jedoch noch kein optisches Aufzeichnungsmedium entwickelt worden, das eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten einschließt und so aufgebaut ist, dass Daten darin von dem Anwender aufgezeichnet werden können, eine Aufzeichnungsschicht bzw. Aufzeichnungsschichten, die von der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht verschieden sind, eine ausreichend hohe Lichttransmittanz bezüglich des Laserstrahls hat, und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten zwischen der Region davon, wo eine Aufzeichnungsmarke gebildet ist, und der blanken Region davon, ausreichend groß ist.
Zusammenfassung der Erfindung
Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein optisches Aufzeichnungsmedium bereitzustellen, das eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten einschließt, und in dem Daten in einer Aufzeichnungsschicht, die von einer Lichteinfallsebene am entferntesten liegt, auf eine gewünschte Weise aufgezeichnet und ausgelesen werden können, und Daten in einer Aufzeichnungsschicht bzw. Aufzeichnungsschichten, die von der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht verschieden sind, auf eine gewünschte Weise aufgezeichnet und ausgelesen werden können.
Das obige Ziel und andere Ziele der vorliegenden Erfindung können erreicht werden durch ein optisches Aufzeichnungsmedium, das ein Substrat und eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten umfasst, die zumindest über Zwischenschichten laminiert sind, wobei mindestens eine der Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden ist, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element X enthält, das mit dem Metall M nach Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird.
In einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung ist gefunden worden, dass in dem Fall, wo mindestens eine der Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden ist, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element X enthält, das mit dem Metall M nach Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird, die Aufzeichnungsschicht eine ausreichend hohe Transmittanz bezüglich des Laserstrahls hat.
Da es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls während der für die Ankunft des Laserstrahls an der von der Lichteinfallsebene entferntesten Aufzeichnungsschicht erforderlichen Zeitdauer auf ein Minimum zu unterdrücken, ist es deshalb nach der vorliegenden Erfindung möglich, Daten in der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht in einer gewünschten Weise aufzuzeichnen. Da es möglich, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls auf ein Minimum während der für die Ankunft des an der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht reflektierten Laserstrahls erforderlichen Zeitdauer auf ein Minimum zu unterdrücken, ist es andererseits möglich, Daten auf eine gewünschte Weise auszulesen, die in der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht aufgezeichnet sind, wenn Daten, die aus der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht ausgelesen werden sollen.
Weil Daten in der Aufzeichnungsschicht aufgezeichnet werden, die das Metall M und das Element X enthalten, indem man den Laserstrahl zum Aufzeichnen der Daten und Kombinieren des Metalls M und des Elements X projiziert, um einen Kristall einer Verbindung des Metalls M mit dem Element X zu bilden, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung ferner möglich, die Differenz in den Reflexionskoeffizienten bezüglich des Laserstrahls zwischen einem Bereich, wo die Verbindung des Metalls M mit dem Element X kristallisiert ist, und anderen Bereichen, zu erhöhen, und es ist deshalb möglich, auf eine gewünschte Weise nicht nur in der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht aufzuzeichnen und auszulesen, sondern auch von der Aufzeichnungsschicht bzw. den Aufzeichnungsschichten, die von der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht verschieden sind.
In einem bevorzugten Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung enthalten alle die Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element X, das mit dem Metall M nach Bestrahlen mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird.
Gemäß diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Lichttransmittanz der Aufzeichnungsschichten, die von der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht verschieden sind, insgesamt beträchtlich zu verbessern.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung enthalten alle die Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element X, das mit dem Metall M nach Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird, und sind in einer solchen Weise gebildet, dass die Aufzeichnungsschichten, die der Lichteinfallsebene näher sind, dünner sind.
Da es möglich ist, die Lichttransmittanz der Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, als Ganzes viel weiter zu verbessern, ist es nach diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung möglich, auf eine gewünschte Weise in der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht Daten aufzuzeichnen und auszulesen.
In einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung wurde ferner herausgefunden, dass in dem Fall, wo alle die Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element X enthält, das mit dem Metall M nach Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird und so gebildet sind, dass die näher zur Lichteinfallsebene liegenden Aufzeichnungsschichten dünner sind, die Reflexionskoeffizienten der Aufzeichnungsschichten, die weiter von der Lichteinfallsebene entfernt liegen, in Bezug auf den Laserstrahl höher werden, und es ist deshalb möglich, Daten von den Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, auf eine gewünschte Weise auszulesen.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt das optische Aufzeichnungsmedium eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht und eine dritte Aufzeichnungsschicht auf einem Substrat in dieser Reihenfolge ein, und die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht sind so gebildet, dass die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat, und dass ein Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,40 bis 0,70 beträgt.
In einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung ist herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo das optische Aufzeichnungsmedium eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht und eine dritte Aufzeichnungsschicht auf dem Substrat in dieser Reihenfolge einschließt, und die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet sind, dass die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat, und dass das Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,40 bis 0,70 ist, der Anteil des von der zweiten Aufzeichnungsschicht absorbierten Laserstrahls und des von der dritten Aufzeichnungsschicht absorbierten, im Wesentlichen gleich gemacht werden können und sie auf ausreichend hohe Niveaus, nämlich 10 % bis 30 %, eingestellt werden können. Deshalb ist es nach diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung möglich, Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht und der dritten Aufzeichnungsschicht in einer gewünschten Weise aufzuzeichnen, indem man Laserstrahlen mit im Wesentlichen der gleichen Leistung darauf projiziert.
Ferner enthüllte eine von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführte Untersuchung, dass in dem Fall, wo das optische Aufzeichnungsmedium eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht und eine dritte Aufzeichnungsschicht auf einem Substrat in dieser Reihenfolge einschließt und die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet sind, dass die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat und dass das Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,40 bis 0,70 ist, der Reflexionskoeffizient der zweiten Aufzeichnungsschicht und derjenige von der dritten Aufzeichnungsschicht bezüglich des Laserstrahls im Wesentlichen einander gleich gemacht werden können und dass sie im Wesentlichen groß gemacht werden können. Deshalb ist es gemäß diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung möglich, auf gewünschte Weise Daten aus der zweiten Aufzeichnungsschicht und der dritten Aufzeichnungsschicht auszulesen.
In der vorliegenden Erfindung ist es weiter bevorzugt, die dritte Aufzeichnungsschnitt und die zweite Aufzeichnungsschicht so zu bilden, dass ein Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,46 bis 0,69 ist, und es ist am meisten bevorzugt, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschnitt so zu bilden, dass ein Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,50 bis 0,63 ist.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt das optische Aufzeichnungsmedium eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht, eine dritte Aufzeichnungsschicht und eine vierte Aufzeichnungsschicht auf dem Substrat in dieser Reihenfolge ein, und die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht werden so gebildet, dass die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 20 nm bis 50 nm hat, dass ein Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,48 bis 0,93 ist und dass ein Verhältnis der Dicke der vierten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,39 bis 0,70 ist.
In einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung ist herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo das optische Aufzeichnungsmedium eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht, eine dritte Aufzeichnungsschicht und eine vierte Aufzeichnungsschicht auf dem Substrat in dieser Reihenfolge einschließt, und die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet werden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 20 nm bis 50 nm hat, dass das Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,48 bis 0,93 ist und dass das Verhältnis der Dicke der vierten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,39 bis 0,70 ist, die Menge des Laserstrahls, die von der zweiten Schicht absorbiert wird, diejenige die von der dritten Schicht absorbiert wird und diejenige, die von der vierten Schicht absorbiert wird, im Wesentlichen gleich gemacht werden können und dass sie auf ausreichend hohe Niveaus eingestellt werden können, nämlich auf 10 % bis 20 %. Deshalb ist es gemäß diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung möglich, Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht auf eine gewünschte Weise aufzuzeichnen, indem man Laserstrahlen mit im Wesentlichen der gleichen Leistung darauf projiziert.
Ferner ist in einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo das optische Aufzeichnungsmedium eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht, eine dritte Aufzeichnungsschicht und eine vierte Aufzeichnungsschicht auf dem Substrat in dieser Reihenfolge einschließt und die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet sind, dass die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 20 nm bis 50 nm hat, dass das Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,48 bis 0,93 ist und dass das Verhältnis der Dicke der vierten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,39 bis 0,70 ist, der Reflexionskoeffizient der zweiten Aufzeichnungsschicht, der der dritten Aufzeichnungsschicht und der der vierten Aufzeichnungsschicht in Bezug auf den Laserstrahl im Wesentlichen einander gleich gemacht werden können, und sie im Wesentlichen groß gemacht werden können. Deshalb ist es gemäß diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung möglich, Daten aus der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht in einer gewünschten Weise auszulesen.
In der vorliegenden Erfindung ist es weiter bevorzugt, die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so zu bilden, dass ein Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,50 bis 0,90 ist und ein Verhältnis der Dicke der vierten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,39 bis 0,65 ist, und es ist am meisten bevorzugt, die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so zu bilden, dass ein Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,57 bis 0,80 ist und ein Verhältnis der Dicke der vierten Aufzeichnungsschicht zu der der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,42 bis 0,54 ist.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht das Element X wenigstens aus einem Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus S, O, C und N.
S, O, C und N sind hoch reaktionsfähig mit wenigstens einem Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La und können vorzugsweise als das Element X verwendet werden. Insbesondere sind die in der sechsten Elementengruppe enthaltenen O und S geeignet reaktionsfähig mit dem Metall M und, anders als F oder Cl, die in der siebten Elementengruppe enthalten sind, reagieren nicht mit dem Metall M, ohne dass sie mit einem Laserstrahl zum Aufzeichnen von Daten bestrahlt werden, so dass O und S besonders bevorzugt für das Element X sind.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, die das Metall M und das Element X enthält, des Weiteren wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti.
In der vorliegenden Erfindung ist es in dem Fall, wo die wenigstens eine das Metall M und das Element X enthaltende Aufzeichnungsschicht ferner Mg enthält, für die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht bevorzugt, dass sie 18,5 Atom-% bis 33,7 Atom-% Mg enthält, und es ist weiter bevorzugt für die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, dass sie 20,0 Atom-% bis 33,5 Atom-% Mg enthält.
Andererseits ist in der vorliegenden Erfindung in dem Fall, wo die wenigstens eine das Metall M und das Element X enthaltende Aufzeichnungsschicht ferner Al enthält, bevorzugt für die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, dass sie 11 Atom-% bis 40 Atom-% Al enthält, und es ist weiter bevorzugt für die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, dass sie 18 Atom-% bis 32 Atom-% Al enthält.
Darüber hinaus ist es in der vorliegenden Erfindung in dem Fall, wo die wenigstens eine das Metall M und das Element X enthaltende Aufzeichnungsschicht ferner Ti enthält, bevorzugt für die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, dass sie 8 Atom-% bis 34 Atom-% Ti enthält, und es ist weiter bevorzugt für die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, dass sie 10 Atom-% bis 26 Atom-% Ti enthält.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung schließt die entfernteste Aufzeichnungsschicht aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten einen ersten Aufzeichnungsfilm, enthaltend Cu als eine primäre Komponente, und einen zweiten Aufzeichnungsfilm, enthaltend Si als eine primäre Komponente, ein.
Da die entfernteste Aufzeichnungsschicht aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten einen ersten Aufzeichnungsfilm, enthaltend Cu als eine primäre Komponente, und einen zweiten Aufzeichnungsfilm, enthaltend Si als eine primäre Komponente, einschließt, ist es gemäß diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung möglich, dass Rauschniveau eines beim Auslesen von in der von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernten Aufzeichnungsschicht aufgezeichneten Daten erhaltenen Signals auf ein niedrigeres Niveau zu drücken und es ist möglich, die Änderung im Reflexionskoeffizienten zwischen vor und nach der Aufzeichnung von Daten zu erhöhen. Selbst wenn das optische Aufzeichnungsmedium für eine lange Zeit aufbewahrt worden ist, können ferner aufgezeichnete Daten davor bewahrt werden, verschlechtert zu werden, und die Zuverlässigkeit des optischen Aufzeichnungsmediums kann erhöht werden.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird zwischen der von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernten Aufzeichnungsschicht und dem Substrat ein reflektierender Film gebildet.
Da ein auf die entfernteste Aufzeichnungsschicht durch die Lichteinfallsebene projizierter Laserstrahl von der Oberfläche des reflektierenden Films reflektiert wird und der Laserstrahl, der von dem reflektierenden Film reflektiert wird, und der Laserstrahl, der von der von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernten Aufzeichnungsschicht reflektiert wird, miteinander interferieren, kann gemäß diesem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung die Änderung im Reflexionskoeffizienten zwischen vor und nach der Datenaufzeichnung erhöht werden und Daten, die in der von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernten Aufzeichnungsschicht aufzeichnet sind, können mit hoher Empfindlichkeit ausgelesen werden.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, enthaltend das Metall M und das Element X, so aufgebaut, dass Daten darin aufgezeichnet werden können und aufgezeichnete Daten ausgelesen werden können, indem man einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm verwendet.
Da die wenigstens eine Aufzeichnungsschicht, enthaltend das Metall M und das Element X, eine ausgezeichnete optische Eigenschaft im Hinblick auf einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm zeigt, ist es bevorzugt, Daten aufzuzeichnen und aufgezeichnete Daten auszulesen, indem man einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm verwendet.
Die obige und andere Zielsetzungen der vorliegenden Erfindung können auch erreicht werden, indem man ein optisches Aufzeichnungsmedium, umfassend ein Substrat und eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten, laminiert über mindestens Zwischenschichten, verwendet, wobei wenigstens eine der Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden ist, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten, die wenigstens eine Art von Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und wenigstens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus S, O, C und N als eine primäre Komponente enthält und die mit wenigstens einer Art von Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, zusammengegeben wird.
Gemäß der Untersuchung der Erfinder der vorliegenden Erfindung ist herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo wenigstens eine der Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La und wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus S, O, C und N als eine primäre Komponente enthält, und mit wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti zusammengegeben wird, die Aufzeichnungsschicht eine ausreichend hohe Transmittanz im Hinblick auf den Laserstrahl hat.
Deshalb ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, in einer gewünschten Weise Daten in der von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht aufzuzeichnen und daraus auszulesen, und es ist auch möglich, Daten in der Aufzeichnungsschicht bzw. den Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden ist, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt sind, aufzuzeichnen und daraus auszulesen.
In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt für alle die Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, dass sie wenigstens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und wenigstens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Si, O, C und N als eine primäre Komponente enthalten und mit wenigstens einem Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, zusammengegeben werden.
In einem bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die Aufzeichnungsschicht, die wenigstens ein Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und wenigstens ein Element, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Si, O, C und N als eine primäre Komponente, enthält, und mit wenigstens einem Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, zusammengegeben wird, durch einen Gasphasenwachstumsprozess gebildet, indem man ein Target, enthaltend wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La und wenigstens ein Element, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus S, O, C und N als eine primäre Komponente und ein Target, enthaltend wenigstens ein Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Al, als eine primäre Komponente verwendet.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die Aufzeichnungsschicht, die wenigstens ein Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und wenigstens ein Element, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus S, O, C und N als eine primäre Komponente, enthält und mit wenigstens einem Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, zusammengegeben wird, durch einen Gasphasenwachstumsprozess unter Verwendung eines Targets, das eine Mischung von ZnS und SiO₂ oder eine Mischung von La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ als eine primäre Komponente enthält und eines Targets, enthaltend wenigstens ein Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als eine primäre Komponente gebildet.
In einem weiter bevorzugten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die Aufzeichnungsschicht, die wenigstens ein Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und wenigstens ein Element, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus S, O, C und N als eine primäre Komponente, enthält und mit wenigstens einem Metall, ausgewählt aus einer Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, zusammengegeben wird, durch einen Gasphasenwachstumsprozess unter Verwendung eines Targets, das aus einer Mischung von ZnS und SiO₂ oder einer Mischung aus La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ besteht und eines Targets, bestehend aus Mg, Al und Ti, als eine primäre Komponente gebildet.
In der vorliegenden Erfindung ist es in dem Fall, wo das Target, enthaltend die Mischung von ZnS und SiO₂, verwendet wird, bevorzugt, ein Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ so einzustellen, dass es 50:50 bis 90:10 ist und weiter bevorzugt auf etwa 80:20 eingestellt wird.
In dem Fall, wo das Molverhältnis von ZnS in der Mischung von ZnS und SiO₂ gleich oder größer ist als 50 %, können der Reflexionskoeffizient und die Lichttransmittanz der Aufzeichnungsschicht in Bezug auf den Laserstrahl gleichzeitig verbessert werden und in dem Fall, wo das Molverhältnis von ZnS in der Mischung von ZnS und SiO₂ gleich ist oder kleiner als 90 %, ist es möglich, wirkungsvoller die Bildung von Rissen in der Aufzeichnungsschicht aufgrund von mechanischen Spannungen zu verhindern. Weiterhin können in dem Fall, wo das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ der Mischung von Zn und SiO₂ etwa 80:20 ist, sowohl der Reflexionskoeffizient als auch die Lichttransmittanz der Aufzeichnungsschicht in Bezug auf den Laserstrahl weit mehr verbessert werden, während es möglich ist, wirkungsvoller die Bildung von Rissen in der Aufzeichnungsschicht zu verhindern.
In dem Fall, wo das die Mischung von La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ enthaltende Target verwendet wird, ist es außerdem in der vorliegenden Erfindung bevorzugt, ein Molverhältnis von Si₂O zu La₂O₃ und Si₃N₄ so einzustellen, dass es 10:90 bis 50:50 ist, und es ist weiter bevorzugt, ein Molverhältnis von La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ so einzustellen, dass es 20:30:50 ist.
In dem Fall, wo das Molverhältnis von SiO₂ in der Mischung von La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ gleich oder kleiner ist als 10 %, ist die Tendenz vorhanden, dass Risse in der Aufzeichnungsschicht erzeugt werden und in dem Fall, wo das Molverhältnis von SiO₂ in der Mischung von La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ 50 % übersteigt, wird der Brechungsindex der Aufzeichnungsschicht klein, wodurch der Reflexionskoeffizient der Aufzeichnungsschicht klein wird. Andererseits ist es in dem Fall, wo das Molverhältnis von La₂O₃ und Si₃N₄ 50 % bis 90 % beträgt, möglich, den Brechungsindex in der Aufzeichnungsschicht zu erhöhen und die Bildung von Rissen in der Aufzeichnungsschicht zu verhindern.
Die obigen und andere Ziele und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen deutlich.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die ein optisches Aufzeichnungsmedium zeigt, das ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
2 ist eine vergrößerte schematische Schnittdarstellung des Teils des optischen Aufzeichnungsmediums, das mit A in 1 angezeigt ist.
3 ist eine vergrößerte schematische Schnittdarstellung, die eine erste Aufzeichnungsschicht zeigt.
4 zeigt einen Schritt bei der Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.
5 zeigt einen Schritt bei der Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.
6 zeigt einen Schritt bei der Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.
7 zeigt einen Schritt bei der Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.
8 zeigt einen Schritt bei der Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist.
9 ist ein Diagramm, das ein Pulsfolgemuster eines Laserleistungssteuerungssignals zum Steuern der Leistung eines Laserstrahls zeigt, wenn Daten in einem optischen Aufzeichnungsmedium aufgezeichnet werden sollen.
10 ist eine schematische vergrößerte Schnittdarstellung, die eine erste Aufzeichnungsschicht zeigt, bevor Daten darin aufgezeichnet werden.
11 ist eine schematische vergrößerte Schnittdarstellung, die eine erste Aufzeichnungsschicht zeigt, nachdem Daten darin aufgezeichnet worden sind.
12 ist eine schematische perspektivische Darstellung, die ein optisches Aufzeichnungsmedium zeigt, das eine andere bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
13 ist eine vergrößerte schematische Schnittdarstellung des Teils des optischen Aufzeichnungsmediums, das in 12 mit B angezeigt ist.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
1 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die ein optisches Aufzeichnungsmedium zeigt, das eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 2 ist eine schematische vergrößerte Schnittdarstellung, die mit A in 1 angezeigt ist.
Wie in 1 gezeigt, wird ein optisches Aufzeichnungsmedium 10 gemäß dieser Ausführungsform scheibenartig ausgebildet und hat einen Außendurchmesser von etwa 120 mm und eine Dicke von etwa 1,2 mm.
Wie in 2 gezeigt, schließt das optische Aufzeichnungsmedium 10 gemäß dieser Ausführungsform ein Trägersubstrat 11, eine erste Aufzeichnungsschicht 20, eine erste Zwischenschicht 12, eine zweite Aufzeichnungsschicht 30, eine zweite Zwischenschicht 13 und eine dritte Aufzeichnungsschicht 40 und eine Lichttransmissionsschicht 15 ein.
Die erste Aufzeichnungsschicht 20, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 sind Aufzeichnungsschichten, in denen Daten aufgezeichnet werden, d.h., das optische Aufzeichnungsmedium 10 gemäß dieser Ausführungsform schließt drei Aufzeichnungsschichten ein.
Wie in 2 gezeigt, ist das optische Aufzeichnungsmedium 10 gemäß dieser Ausführungsform so aufgebaut, dass ein Laserstrahl L auf die Lichttransmissionsschicht 15 projiziert wird und eine Lichteinfallsebene 15a von einer Oberfläche der Lichttransmissionsschicht 15 gebildet wird.
Wie in 2 gezeigt, bildet die erste Aufzeichnungsschicht 20 eine Aufzeichnungsschicht, die von der Lichteinfallsebene 15a am weitesten entfernt ist, und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 bildet eine Aufzeichnungsschicht, die der Lichteinfallsebene 15a am nächsten ist.
Wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20, der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet werden sollen, oder wenn Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20, der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, wird ein blauer Laserstrahl L mit einer Wellenlänge λ von 380 nm bis 450 nm von der Seite der Lichteinfallsebene 15a projiziert und auf die erste Aufzeichnungsschicht 20, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 fokussiert.
Wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen oder wenn Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, wird deshalb die erste Aufzeichnungsschicht 20 mit einem Laserstrahl L über die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 bestrahlt, und wenn Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet werden sollen oder wenn Daten, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, wird die zweite Aufzeichnungsschicht 30 mit dem Laserstrahl L über die dritte Aufzeichnungsschicht 40 bestrahlt.
Das Trägersubstrat 11 dient als ein Träger, um die mechanische Festigkeit sicherzustellen, die für das optische Medium 10 erforderlich ist.
Das Material, das verwendet wird, um das Trägersubstrat 11 zu bilden, ist nicht insbesondere beschränkt insoweit, als das Trägersubstrat 11 als Träger des optischen Aufzeichnungsmediums 10 dienen kann. Das Trägersubstrat 11 kann aus Glas, Keramik, Harz oder dergleichen bestehen.
Darunter wird Harz bevorzugt zum Bilden des Trägersubstrats 11 verwendet, da Harz einfach gestaltet werden kann. Verdeutlichende Beispiele von Harzen, die zum Bilden des Trägersubstrats 11 geeignet sind, schließen Polycarbonatharz, Acrylharz, Epoxyharz, Polystyrolharz, Polyethylenharz, Polypropylenharz, Siliconharz, Fluorpolymere, Acrylnitril-Butadien-Styrolharz, Harnstoffharz und dergleichen ein. Unter diesen wird aus dem Gesichtspunkt der einfachen Verarbeitbarkeit, optischer Eigenschaften und dergleichen, Polycarbonatharz am meisten bevorzugt zum Bilden des Trägersubstrats 11 verwendet, und in dieser Ausführungsform wird das Trägersubstrat 11 aus Polycarbonatharz gebildet. Da der Laserstrahl L über die Lichteinfallsebene 15a projiziert wird, die dem Trägersubstrat 11 gegenüberliegt, ist es in dieser Ausführungsform unnötig, dass das Trägersubstrat 11 eine Lichttransmittanzeigenschaft hat.
In dieser Ausführungsform hat das Trägersubstrat 11 eine Dicke von etwa 1,1 mm.
Wie in 2 gezeigt, sind Rillen 11a und Grate 11b alternierend und spiralförmig auf der Oberfläche des Trägersubstrats 11 ausgebildet. Die Rillen 11a und/oder Grate 11b dienen als eine Führungsspur für den Laserstrahl L, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen und wenn Daten aus der ersten Aufzeichnungsschicht 20 ausgelesen werden sollen.
Die Tiefe der Rillen 11a ist nicht im Besonderen beschränkt und ist vorzugsweise auf 10 nm bis 40 nm eingestellt. Der regelmäßige Abstand der Rillen 11a ist nicht im Besonderen beschränkt und wird vorzugsweise auf 0,2 μm bis 0,4 μm eingestellt.
Wie in 2 gezeigt, wird die erste Aufzeichnungsschicht 20 auf der Oberfläche des Trägersubstrats 11 gebildet.
3 ist eine vergrößerte schematische Schnittdarstellung, die die erste Aufzeichnungsschicht 20 zeigt.
Wie in 3 gezeigt, wird die erste Aufzeichnungsschicht 20 durch Laminieren eines reflektierenden Films 21, eines zweiten dielektrischen Films 22, eines ersten Aufzeichnungsfilms 23a, eines zweiten Aufzeichnungsfilms 23b und eines ersten dielektrischen Films 24 aufgebaut.
Der reflektierende Film 21 dient dazu, den in die Lichteinfallsebene 15a eintretenden Laserstrahl L so zu reflektieren, dass er von der Lichteintrittsebene 15a emittiert wird und dass Hitze wirkungsvoll abgestrahlt wird, die in dem ersten Aufzeichnungsfilm 23a und dem zweiten Aufzeichnungsfilm 23b durch die Bestrahlung mit dem Laserstrahl L erzeugt wird.
Das Material, das zum Bilden des reflektierenden Films 21 verwendet wird, ist nicht im Besonderen beschränkt, insoweit als es einen Laserstrahl reflektieren kann, und der reflektierende Film 21 kann gebildet werden aus Mg, Al, Ti, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Ag, Pt, Au und dergleichen. Unter diesen Materialien ist es bevorzugt, den reflektierenden Film 21 aus Al, Au, Ag, Cu oder Legierungen davon zu bilden, da sie einen hohen Reflexionskoeffizienten und hohe Wärmeleitfähigkeit besitzen.
Der reflektierende Film 21 wird vorzugsweise so gebildet, dass er eine Dicke von 20 nm bis 200 nm besitzt. Wenn der reflektierende Film 21 dünner ist als 20 nm, ist es schwierig, den reflektierenden Film 21 mit einem ausreichend hohen Reflexionskoeffizienten zu bilden, und der reflektierende Film 21 strahlt in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 erzeugte Wärme nicht leicht ab. Andererseits wird, wenn der reflektierende Film 21 dicker ist als 200 nm, die Produktivität des optischen Aufzeichnungsmediums 10 verringert, da eine lange Zeit zum Bilden des reflektierenden Films 21 erforderlich ist und das Risiko besteht, dass der reflektierende Film 21 aufgrund interner Spannungen und dergleichen reißt.
Wie in 3 gezeigt, wird der zweite dielektrische Film 22 auf der Oberfläche des reflektierenden Films 21 gebildet.
Der zweite dielektrische Film 22 dient dazu, zu verhindern, dass das Trägersubstrat 11 durch Wärme deformiert wird und dient auch als ein Schutzfilm zum Schützen des ersten Aufzeichnungsfilms 23a und des zweiten Aufzeichnungsfilms 23b zusammen mit dem ersten dielektrischen Film 24.
Das dielektrische Material zum Bilden des zweiten dielektrischen Films 22 ist nicht im Besonderen beschränkt insoweit, als es transparent im Wellenlängenbereich des Laserstrahls L ist, und der zweite dielektrische Film 22 kann z.B. aus einem dielektrischen Material, enthaltend Oxid, Nitrid, Sulfid, Fluorid oder eine Kombination davon, als eine primäre Komponente gebildet werden. Der zweite dielektrische Film 22 wird vorzugsweise gebildet aus Oxid, Nitrid, Sulfid, Fluorid oder einer Kombination davon, enthaltend wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Si, Ge, Zn, Al, Ta, Ti, Co, Zr, Pb, Ag, Sn, Ca, Ce, V, Cu, Fe und Mg. Die Mischung von ZnS und SiO₂ ist besonders bevorzugt als ein dielektrisches Material zum Bilden des zweiten dielektrischen Films 22, und das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ ist vorzugsweise 50:50 bis 85:15 und weiter bevorzugt etwa 80:20.
Wie in 3 gezeigt, wird der erste Aufzeichnungsfilm 23a auf der Oberfläche des zweiten dielektrischen Films 22 gebildet und der zweite Aufzeichnungsfilm 23b wird ferner auf der Oberfläche des ersten Aufzeichnungsfilms 23a gebildet.
Der erste Aufzeichnungsfilm 23a und der zweite Aufzeichnungsfilm 23b sind Aufzeichnungsfilme, in denen Daten aufgezeichnet werden sollen.
In dieser Ausführungsform enthält der erste Aufzeichnungsfilm 23a Cu als eine primäre Komponente, und der zweite Aufzeichnungsfilm 23b enthält Si als eine primäre Komponente.
In dieser Beschreibung bedeutet die Aussage, dass ein Aufzeichnungsfilm ein bestimmtes Element als eine primäre Komponente enthält, dass der Gehalt des Elements 50 Atom-% bis 100 Atom-% beträgt.
Es ist bevorzugt für den ersten Aufzeichnungsfilm 23a, der Cu als eine primäre Komponente enthält, mit wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al, Zn, Sn, Mg und Au, zusammengegeben zu werden. In dem Fall, wo das wenigstens eine Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al, Zn, Sn, Mg und Au, zu dem ersten Aufzeichnungsfilm 23a zugegeben wird, der Cu als eine primäre Komponente enthält, ist es möglich, das Rauschniveau in dem ausgelesenen Signal zu verringern und die Langzeitspeicherzuverlässigkeit zu verbessern.
Es ist bevorzugt, den ersten Aufzeichnungsfilm 23a und den zweiten Aufzeichnungsfilm 23b so zu bilden, dass die Gesamtdicke davon 2 nm bis 40 nm beträgt.
In dem Fall, wo die Gesamtdicke des ersten Aufzeichnungsfilms 23a und des zweiten Aufzeichnungsfilms 23b dünner ist als 2 nm, ist die Änderung im Reflexionskoeffizient zwischen vor und nach Bestrahlung mit dem Laserstrahl L klein, so dass man ein ausgelesenes Signal mit einem hohen C/N-Verhältnis nicht erhalten kann. Wenn die Gesamtdicke des ersten Aufzeichnungsfilms 23a und des zweiten Aufzeichnungsfilms 23b 40 nm übersteigt, wird andererseits die Aufzeichnungscharakteristik des ersten Aufzeichnungsfilms 20 verschlechtert.
Die individuellen Dicken des ersten Aufzeichnungsfilms 23a und des zweiten Aufzeichnungsfilms 23b sind nicht im Besonderen beschränkt, es ist aber bevorzugt, das Verhältnis der Dicke des ersten Aufzeichnungsfilms 23a zur Dicke des zweiten Aufzeichnungsfilms 23b, nämliche Dicke der ersten Aufzeichnungsschicht 31/Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 32 so festzulegen, dass sie von 0,2 bis 5,0 beträgt.
Wie in 3 gezeigt, wird der erste dielektrische Film 24 auf der Oberfläche des zweiten Aufzeichnungsfilms 23b gebildet.
Der erste dielektrische Film 24 kann aus dem Material gebildet werden, das zum Bilden des zweiten dielektrischen Films 22 geeignet ist.
Wie in 2 gezeigt, wird die erste Zwischenschicht 12 auf der Oberfläche der ersten Aufzeichnungsschicht 20 gebildet. Die erste Zwischenschicht 12 dient dazu, die erste Aufzeichnungsschicht 20 und die zweite Aufzeichnungsschicht 30 durch eine physikalisch und optisch ausreichende Distanz voneinander zu beabstanden.
Wie in 2 gezeigt, sind Rillen 12a und Grate 12b alternierend auf der Oberfläche der ersten Zwischenschicht 12 ausgebildet. Die Rillen 12a und/oder Grate 12b, die auf der Oberfläche der ersten Zwischenschicht 12 ausgebildet sind, dienen als eine Führungsspur für den Laserstrahl L, wenn Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet werden sollen oder wenn Daten aus der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 ausgelesen werden sollen.
Wie in 2 gezeigt, wird die zweite Aufzeichnungsschicht 30 auf der ersten Zwischenschicht 12 ausgebildet, und die zweite Zwischenschicht 13 wird auf der Oberfläche der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 ausgebildet.
Die zweite Zwischenschicht 13 dient dazu, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 durch eine physikalisch und optisch ausreichende Distanz voneinander zu beabstanden.
Wie in 2 gezeigt, sind Rillen 13a und Grate 13b alternierend auf der Oberfläche der zweiten Zwischenschicht 13 gebildet. Die Rillen 13a und/oder Grate 13b, die auf der Oberfläche der zweiten Zwischenschicht 13 ausgebildet sind, dienen als eine Führungsspur für den Laserstrahl L, wenn Daten in der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet werden sollen oder wenn Daten aus der dritten Aufzeichnungsschicht 40 ausgelesen werden sollen.
Die Tiefe der Rillen 12a, 13a und der regelmäßige Abstand der Rillen 12a, 13a kann im Wesentlichen genauso eingestellt werden, wie jene der Rillen 11a, die auf der Oberfläche des Trägersubstrats 11 ausgebildet sind.
Es ist für die erste Zwischenschicht 12 notwendig, dass sie eine ausreichend hohe Lichttransmittanz besitzt, da der Laserstrahl L durch die erste Zwischenschicht 12 durchgeht, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen und Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, und es ist für die zweite Zwischenschicht 13 notwendig, dass sie eine ausreichend hohe Lichttransmittanz besitzt, da der Laserstrahl L durch die zweite Zwischenschicht 13 durchgeht, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen und Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, und wenn Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet werden sollen und Daten, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen.
Das Material zum Bilden sowohl der ersten Zwischenschicht 12 als auch der zweiten Zwischenschicht 13 ist nicht im Besonderen beschränkt insofern, als es eine hohe Lichttransmittanz für den Laserstrahl L hat und ein Acrylharz, das durch ultraviolette Strahlung ausgehärtet werden kann, wird bevorzugt zum Bilden sowohl der ersten Zwischenschicht 12 als auch der zweiten Zwischenschicht 13 verwendet.
Es ist bevorzugt, jede der ersten Zwischenschicht 12 und der zweiten Zwischenschicht 13 so zu bilden, dass sie eine Dicke von 5 μm bis 50 μm haben, und es ist weiter bevorzugt, sie so zu bilden, dass sie eine Dicke von 10 μm bis 40 μm besitzt.
Die zweite Aufzeichnungsschicht 30 ist eine Aufzeichnungsschicht, in der Daten aufgezeichnet werden sollen, und in dieser Ausführungsform ist die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als ein einzelner Film aufgebaut.
Wie in 2 gezeigt, wird die dritte Aufzeichnungsschicht 40 auf der Oberfläche der zweiten Zwischenschicht 13 ausgebildet.
Die dritte Aufzeichnungsschicht 40 ist eine Aufzeichnungsschicht, in der Daten aufgezeichnet werden sollen, und in dieser Ausführungsform ist die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als ein einzelner Film aufgebaut.
In dieser Ausführungsform enthält sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv.
Konkret wird die zweite Aufzeichnungsschicht 30 auf der Oberfläche der ersten Zwischenschicht 12 durch einen Gasphasenwachstumsprozess gebildet, wie etwa einem Sputterprozess unter Verwendung eines Targets, das aus der Mischung aus ZnS und SiO₂ besteht und eines Targets, das wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, enthält. Während des Prozesses zum Bilden der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 wirkt das wenigstens eine Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, auf die Mischung aus ZnS und SiO₂ als ein reduzierendes Mittel und als ein Ergebnis wird Zn von S getrennt und einfache Substanzen aus Zn werden gleichmäßig in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 dispergiert.
In dieser Ausführungsform hat die dritte Aufzeichnungsschicht 30 die gleiche Zusammensetzung wie die der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und deshalb wird die dritte Aufzeichnungsschicht 40 auf der Oberfläche der zweiten Zwischenschicht 13 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa einem Sputterprozess, gebildet, wobei ein Target, bestehend aus einer Mischung aus ZnS und SiO₂ und ein Target, bestehend wenigstens aus einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, verwendet wird.
Ferner wird in dieser Ausführungsform die zweite Aufzeichnungsschicht 30 so gebildet, dass sie eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat, und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 wird so gebildet, dass das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,40 bis 0,70 beträgt.
Da ein Laserstrahl L durch die zweite Aufzeichnungsschicht 30 hindurchgeht, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet oder daraus ausgelesen werden sollen, ist es notwendig für die zweite Aufzeichnungsschicht 30, dass sie eine ausreichend hohe Lichttransmittanz hat, so dass ein Signal mit einem hohen Pegel erhalten werden kann, wenn Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden. Da ein Laserstrahl L durch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 hindurchgeht, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen oder Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, oder wenn Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet werden sollen oder Daten, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, ist es ferner für die dritte Aufzeichnungsschicht 40 notwendig, dass sie eine ausreichend hohe Lichttransmittanz hat, so dass ein Signal mit einem hohen Pegel erhalten werden kann, wenn Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet sind, oder wenn Daten, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen.
Da ein Laserstrahl L, der von der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 reflektiert und durch die Lichteintrittsebene 15a emittiert wird, detektiert wird, wenn Daten, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, und ein Laserstrahl L, der von der dritten Aufzeichnungsschicht 40 reflektiert und durch die Lichteintrittsebene 15a emittiert wird, detektiert wird, wenn Daten, die in der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, hat andererseits sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 einen ausreichend hohen Lichtreflexionskoeffizienten, so dass ein Signal mit einem hohen Pegel erhalten werden kann, wenn Daten, die in jeder davon aufgezeichnet sind, ausgelesen werden.
In dieser Ausführungsform enthält sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv. In einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung ist herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als Additiv enthält, jede davon eine hohe Lichttransmittanz für einen Laserstrahl L mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm besitzt.
Ferner werden in dieser Ausführungsform die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 so gebildet, dass das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,40 bis 0,70 ist. Eine von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführte Untersuchung enthüllte, dass in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 so gebildet werden, dass die Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 größer als die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40, jede von ihnen eine viel höhere Lichttransmittanz für den Laserstrahl L mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm besitzt.
Da es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls L auf ein Minimum während der für die Ankunft des Laserstrahls L an der ersten Aufzeichnungsschicht 20 erforderlichen Zeitdauer zu unterdrücken, ist es deshalb gemäß dieser Ausführungsform möglich, in dem Fall, wo Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen, Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht in einer gewünschten Weise aufzuzeichnen. Da es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls L auf ein Minimum während der für die Ankunft des an der ersten Aufzeichnungsschicht 20 reflektierten Laserstrahls L an der Lichteintrittsebene 15a erforderlichen Zeitdauer zu unterdrücken, ist es andererseits möglich, wenn Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen, in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnete Daten in einer gewünschten Weise auszulesen.
Ferner ist in einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthält und die Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 größer als die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 ist, der Reflexionskoeffizient der Aufzeichnungsschicht, die weiter von der Lichteintrittsebene 15a entfernt ist, im Hinblick auf den Laserstrahl L vergrößert werden kann. Deshalb ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, nicht nur Daten aus der ersten Aufzeichnungsschicht 20, sondern auch aus der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und der dritten Aufzeichnungsschicht 40 auf eine gewünschte Weise auszulesen.
Ferner ist es bevorzugt, dass die Menge des Laserstrahls L, der von der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 absorbiert wird, und derjenige, der von der dritten Aufzeichnungsschicht 40 absorbiert wird, im Wesentlichen einander gleich sind, so dass Laserstrahlen L für die Datenaufzeichnung mit im Wesentlichen gleichen Leistungen auf die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 projiziert werden und Daten auf gleiche Weise darin aufgezeichnet werden können.
Um Daten, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und in der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet sind, auf gleiche Weise auszulesen, ist es darüber hinaus bevorzugt, dass der Reflexionskoeffizient der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 im Hinblick auf einen Laserstrahl L, der auf die zweite Aufzeichnungsschicht 20 fokussiert und darauf über die dritte Aufzeichnungsschicht 40 projiziert wird, und der Reflexionskoeffizient der dritten Aufzeichnungsschicht 40 im Hinblick auf den Laserstrahl L, der auf die dritte Aufzeichnungsschicht 40 fokussiert und projiziert wird, im wesentlichen gleich sind.
In einer von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung ist herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 so gebildet werden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 30 eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat und dass das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,40 bis 0,70 beträgt, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 so gebildet werden können, dass die Menge des Laserstrahls L, der von der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 absorbiert wird, und derjenige, der von der dritten Aufzeichnungsschicht absorbiert wird, im Wesentlichen einander gleich gemacht werden können, und dass der Absorptionskoeffizient der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 im Hinblick auf den Laserstrahl L mit einer Leistung und darauf projiziert und derjenige der dritten Aufzeichnungsschicht im Hinblick auf den Laserstrahl L mit einer Leistung und darauf projiziert, ausreichend groß sind, nämlich 10 % bis 30 %. Deshalb ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht und der dritten Aufzeichnungsschicht auf eine gewünschte Weise aufzuzeichnen.
In einer weiteren, von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung ist herausgefunden worden, dass in dem Fall, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthalten, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat, und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,40 bis 0,70 ist, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 so gebildet werden können, dass der Reflexionskoeffizient der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und derjenige der dritten Aufzeichnungsschicht 40 im Wesentlichen zueinander gleich sind und dass jede von ihnen einen ausreichend hohen Reflexionskoeffizient besitzt. Deshalb ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, Daten aus der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und der dritten Aufzeichnungsschicht 40 auf eine gewünschte Weise auszulesen.
Wie in 2 gezeigt, wird die Lichttransmissionsschicht 15 auf der Oberfläche der dritten Aufzeichnungsschicht 40 ausgebildet.
Die Lichttransmissionsschicht 15 dient dazu, den Laserstrahl L zu transmittieren, und die Lichteinfallsebene 15a wird durch eine der Oberflächen davon gebildet.
Es ist bevorzugt, die Lichttransmissionsschicht 15 so zu bilden, dass sie eine Dicke von 30 μm bis 200 μm hat.
Das Material zum Bilden der Lichttransmissionsschicht 15 ist nicht im Besonderen beschränkt, und, ähnlich zu der ersten Zwischenschicht 12 und der zweiten Zwischenschicht 13, wird vorzugsweise ein Ultraviolettstrahlen-härtbares Acrylharz zum Bilden der Lichttransmissionsschicht 15 verwendet.
Die Lichttransmissionsschicht 15 kann gebildet werden, indem man eine aus einem lichttransmittierenden Harz bestehende Folie auf die Oberfläche der dritten Aufzeichnungsschicht 40 unter Verwendung eines Klebstoffes aufklebt.
Für die Lichttransmissionsschicht 15 ist es notwendig, dass sie eine ausreichend hohe Lichttransmittanz hat, da der Laserstrahl L durch die Lichttransmissionsschicht 15 durchgeht, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20, der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet werden sollen und wenn Daten, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20, der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet sind, ausgelesen werden sollen.
Das optische Aufzeichnungsmedium 10 mit dem oben beschriebenen Aufbau kann z.B. auf die folgende Weise hergestellt werden.
4 bis 8 zeigen Schritte zum Herstellen des optischen Aufzeichnungsmediums 10.
Wie in 4 gezeigt, wird das Trägersubstrat 11 mit der Rille 11a und dem Grat 11b auf seiner Oberfläche zuerst durch Spritzgießen unter Verwendung eines Stempels 60 hergestellt.
Dann werden, wie in 5 gezeigt, der reflektierende Film 21, der zweite dielektrische Film 22, der erste Aufzeichnungsfilm 23a, der zweite Aufzeichnungsfilm 23b und der erste dielektrische Film 24 nacheinander unter Verwendung eines Gasphasenwachstumsprozesses, wie etwa einem Sputterprozess, auf der Oberfläche des mit der Rille 11a und dem Grat 11b ausgebildeten Trägersubstrats 11 gebildet, wodurch die erste Aufzeichnungsschicht 20 gebildet wird.
Ferner wird, wie in 6 gezeigt, ein durch ultraviolette Strahlung härtbares Harz auf die erste Aufzeichnungsschicht 20 durch ein Spinn-Beschichtungsverfahren aufgebracht, um einen Beschichtungsfilm auf der Oberfläche zu bilden, und die Oberfläche des Beschichtungsfilms wird mit einer ultravioletten Strahlung über einen Stempel 61 bestrahlt, während sie mit dem Stempel 61 belegt ist, wodurch die erste Zwischenschicht 12 gebildet wird, die mit Rillen 12a und Graten 12b auf ihrer Oberfläche ausgebildet ist und eine Dicke von 5 μm bis 50 μm hat.
Die zweite Aufzeichnungsschicht 30 wird dann auf der Oberfläche der Zwischenschicht 12 ausgebildet.
Ferner wird die zweite Aufzeichnungsschicht 30 mit einer Dicke von 15 nm bis 50 nm auf der Oberfläche der ersten Zwischenschicht 12 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa einem Sputterprozess, gebildet, indem ein Target, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂ und ein Target, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, verwendet wird. Während des Prozesses zum Bilden der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 wirkt das wenigstens eine Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, auf die Mischung von ZnS und SiO₂ als ein Reduktionsmittel, und als ein Ergebnis wird ZnS von S getrennt, und einfache Substanzen aus Zn werden gleichmäßig in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 dispergiert.
Obwohl es nicht allseits klar ist, ist es andererseits vernünftig, daraus zu schließen, dass das wenigstens eine Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, sich mit einem Teil von S, der von Zn abgetrennt wurde, oder S, das in ZnS enthalten ist, verbindet, um eine Verbindung zu bilden.
In dieser Ausführungsform wird das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ der Mischung von ZnS und SiO₂, die in dem Target enthalten ist, das zum Bilden der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 verwendet wird, vorzugsweise auf 50:50 bis 90:10 und weiter bevorzugt auf etwa 80:20 eingestellt.
In dem Fall, wo das Molverhältnis von ZnS in der Mischung von ZnS und SiO₂ gleich oder größer als 50 % eingestellt wird, können der Reflexionskoeffizient und die Lichttransmittanz der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 im Hinblick auf den Laserstrahl gleichzeitig verbessert werden und in dem Fall, wo das Molverhältnis von ZnS in der Mischung von ZnS und SiO₂ gleich oder kleiner als 90 % eingestellt wird, ist es möglich, wirkungsvoll die Bildung von Rissen in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgrund von mechanischen Spannungen zu verhindern.
Ferner können in dem Fall, wo das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ der Mischung von ZnS und SiO₂ auf etwa 80:20 eingestellt wird, sowohl der Reflexionskoeffizient als auch die Lichttransmittanz der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 im Hinblick auf den Laserstrahl weit mehr verbessert werden, während es möglich ist, weiter wirkungsvoll die Bildung von Rissen in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 zu verhindern.
In dieser Ausführungsform ist in dem Fall, wo Mg in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 enthalten ist, der Gehalt an Mg vorzugsweise 18,5 Atom-% bis 33,7 Atom-% und weiter bevorzugt 20 Atom-% bis 33,5 Atom-%.
In dem Fall, wo Al in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 enthalten ist, ist der Gehalt von Al andererseits vorzugsweise 11 Atom-% bis 40 Atom-% und weiter vorzugsweise 18 Atom-% bis 32 Atom-%.
In dem Fall, wo Ti in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 enthalten ist, ist ferner der Gehalt an Ti vorzugsweise 8 Atom-% bis 34 Atom-% und weiter vorzugsweise 10 Atom-% bis 26 Atom-%.
Dann wird, wie in 8 gezeigt, ein durch ultraviolette Strahlung härtbares Harz auf die zweite Aufzeichnungsschicht 30 durch ein Spinn-Beschichtungsverfahren aufgebracht, um einen Beschichtungsfilm zu bilden, und die Oberfläche des Beschichtungsfilms wird mit einer ultravioletten Strahlung über einen Stempel (nicht gezeigt) bestrahlt, während sie mit dem Stempel bedeckt ist, wodurch die zweite Zwischenschicht 13 mit Rillen 13a und Graten 13b auf ihrer Oberfläche gebildet wird.
Ferner wird, wie in 8 gezeigt, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 auf de Oberfläche der zweiten Zwischenschicht 13 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa einem Sputterprozess, gebildet, indem ein Target, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und ein Target, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend Mg, Al und Ti, verwendet wird, so dass das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 20 0,40 bis 0,70 beträgt.
In dieser Ausführungsform werden die gleichen Targets verwendet, wie jene, die zur Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 verwendet werden, und deshalb hat die dritte Aufzeichnungsschicht 40 die gleiche Zusammensetzung wie diejenige der zweiten Aufzeichnungsschicht 30.
Schließlich wird ein durch ultraviolette Strahlung härtbares Harz auf die dritte Aufzeichnungsschicht 40 durch ein Spinn-Beschichtungsverfahren aufgebracht, um einen Beschichtungsfilm zu bilden, und die Oberfläche des Beschichtungsfilms wird mit einer ultravioletten Strahlung bestrahlt, um das durch ultraviolette Strahlung härtbare Harz auszuhärten, wodurch die Lichttransmissionsschicht 15 mit einer Dicke von 30 μm bis 200 μm gebildet wird.
Dies schließt die Herstellung des optischen Aufzeichnungsmediums 10 ab.
Daten werden in dem auf diese Weise aufgebauten optischen Aufzeichnungsmedium 10 gemäß dieser Ausführungsform folgendermaßen aufgezeichnet.
Wenn in dieser Ausführungsform Daten in dem optischen Aufzeichnungsmedium 10 aufgezeichnet werden sollen, wird die Lichteinfallsebene 15a der Lichttransmissionsschicht 15 mit einem Laserstrahl L mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm bestrahlt, und der Laserstrahl L wird auf die erste Aufzeichnungsschicht 20, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 oder die dritte Aufzeichnungsschicht 40 fokussiert.
9 ist ein Diagramm, das das Pulsfolgemuster eines Laserleistungssteuerungssignals zum Steuern der Leistung des Laserstrahls L zeigt, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20, der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet werden sollen.
Wie in 9 gezeigt, enthält das Pulsfolgemuster des Laserleistungssteuerungssignals, das zum Aufzeichnen von Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20, der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 verwendet wird, Pulse, deren Niveaus zwischen einem Niveau entsprechend der Aufzeichnungsleistung Pw, einem Niveau entsprechend der mittleren Leistung Pm und einem Niveau entsprechend der Grundleistung Pb moduliert werden.
Die Aufzeichnungsleistung Pw, die mittlere Leistung Pm und die Grundleistung Pb werden so eingestellt, dass die Aufzeichnungsleistung Pw größer ist als die mittlere Leistung Pm und die mittlere Leistung Pm gleich oder größer ist als die Grundleistung Pb, und die oben genannten drei Niveaus des Pulsfolgemusters werden dementsprechend festgelegt.
Wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen, wird der Laserstrahl L, dessen Leistung gemäß dem Laserleistungssteuerungssignal mit dem in 9 gezeigten Pulsfolgemuster moduliert wird, auf die erste Aufzeichnungsschicht 20 fokussiert und darauf über die Lichttransmissionsschicht 15, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die zweite Aufzeichnungsschicht 30 projiziert.
10 ist eine schematische vergrößerte Schnittdarstellung, die die erste Aufzeichnungsschicht 20 zeigt, bevor Daten darin aufgezeichnet werden, und 11 ist eine schematische vergrößerte Schnittdarstellung, die die erste Aufzeichnungsschicht 20 zeigt, nachdem Daten darin aufgezeichnet worden sind.
Wenn der Laserstrahl L auf die erste Aufzeichnungsschicht 20 projiziert wird, werden der erste Aufzeichnungsfilm 23a und der zweite Aufzeichnungsfilm 23b, die in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 enthalten sind, erhitzt, wodurch Cu, das in dem ersten Aufzeichnungsfilm 23a als eine primäre Komponente enthalten ist, und Si, das in dem zweiten Aufzeichnungsfilm 23b enthalten ist, gemischt werden, so dass ein gemischter Bereich M gebildet wird. Da der Reflexionskoeffizient des gemischten Bereiches M im Hinblick auf den Laserstrahl von jedem der anderen Bereiche unterschiedlich ist, kann der gemischte Bereich M als eine Aufzeichnungsmarke verwendet werden.
Da sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als Additiv enthält, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 eine Dicke von 15 nm bis 50 nm besitzt und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,40 bis 0,70 ist, haben in dieser Ausführungsform die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 ausreichend hohe Lichttransmittanzen in Bezug auf den Laserstrahl L. Da es möglich ist, die Verringerung der Leistung des Laserstrahls L auf ein Minimum zu unterdrücken, wenn der Laserstrahl L durch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die zweite Aufzeichnungsschicht 30 hindurchgeht, können deshalb Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 in einer gewünschten Weise aufgezeichnet werden.
Da es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls L auf das Minimum zu unterdrücken, wenn der Laserstrahl L durch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die zweite Aufzeichnungsschicht 30 hindurchgeht, und es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des von der ersten Aufzeichnungsschicht 20 reflektierten Laserstrahls L auf das Minimum zu unterdrücken, wenn der Laserstrahl L durch die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 hindurchgeht, können andererseits in dem Fall, wo in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnete Daten ausgelesen werden sollen, in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnete Daten auf eine gewünschte Weise ausgelesen werden.
Da der reflektierende Film 21 zwischen dem Trägersubstrat 11 und der ersten Aufzeichnungsschicht 20 ausgebildet ist, interferieren ferner in dieser Ausführungsform der Laserstrahl L, der von dem reflektierenden Film 21 reflektiert wird, und der Laserstrahl L, der von der ersten Aufzeichnungsschicht 20 reflektiert wird, miteinander, wodurch die Änderung im Reflexionskoeffizient zwischen vor und nach der Datenaufzeichnung erhöht werden kann. Deshalb können in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnete Daten mit hoher Empfindlichkeit ausgelesen werden.
Wenn Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet werden sollen, wird andererseits der Laserstrahl L, dessen Leistung gemäß dem Laserleistungssteuerungssignal mit dem in 9 gezeigten Pulszugmuster moduliert wird, auf die zweite Aufzeichnungsschicht 30 fokussiert und darauf über die Lichttransmissionsschicht 15 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 projiziert.
Wenn der Laserstrahl L, dessen Leistung auf die Aufzeichnungsleistung Pw moduliert wird, auf die zweite Aufzeichnungsschicht 30 projiziert wird, wird die zweite Aufzeichnungsschicht erhitzt und in der erhitzten Region der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 in Form einer einzigen Substanz enthaltenes Zn reagiert mit S, wodurch kristalline ZnS-Körner gebildet werden. Als Folge davon bilden die kristallinen ZnS-Körner einen Kristallisationskeim und amorphes ZnS, das um die kristallinen ZnS-Körner herum vorhanden ist, kristallisiert. Da der Bereich, wo sich die kristallinen ZnS-Körner auf diese Weise gebildet haben, einen Reflexionskoeffizienten im Hinblick auf den Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm hat, der sich von jenen anderer Bereiche der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 unterscheidet, kann sie als eine Aufzeichnungsmarke verwendet werden, und Daten werden in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet.
Wenn Daten in der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet werden sollen, wird der Laserstrahl L, dessen Leistung gemäß dem Laserleistungskontrollsignal mit dem in 9 gezeigten Pulszugmuster moduliert wird, auf die dritte Aufzeichnungsschicht 40 fokussiert und darauf über die Lichttransmissionsschicht 15 projiziert.
Da die dritte Aufzeichnungsschicht 40 die gleiche Zusammensetzung hat wie diejenige der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, wird ein Bereich der dritten Aufzeichnungsschicht 40, der mit dem Laserstrahl L bestrahlt wird, in dieser Ausführungsform kristallisiert, und Daten werden in der dritten Aufzeichnungsschicht 40 ähnlich zu der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 aufgezeichnet, wenn der Laserstrahl L auf die dritte Aufzeichnungsschicht 40 projiziert wird.
Da sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthält, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,40 bis 0,70 ist, können in dieser Ausführungsform die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 so gebildet werden, dass ein Anteil des Laserstrahls L, der von der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 absorbiert wird, und derjenige, der von der dritten Aufzeichnungsschicht 40 absorbiert wird, im Wesentlichen einander gleich gemacht werden können und dass der Absorptionskoeffizient der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 im Hinblick auf den Laserstrahl L mit einer Leistung und darauf projiziert und derjenige der dritten Aufzeichnungsschicht im Hinblick auf den Laserstrahl L mit einer Leistung und darauf projiziert, ausreichend hoch ist, nämlich 10 % bis 30 %. Deshalb ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, auf eine gewünschte Weise Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufzuzeichnen.
In dieser Ausführungsform wird die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls L sowohl für die erste Aufzeichnungsschicht 20, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40, in denen Daten aufgezeichnet werden sollen, eingestellt.
Wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen, wird insbesondere die Aufzeichnungsleistung Pw auf ein solches Niveau eingestellt, dass Cu, das in dem ersten Aufzeichnungsfilm 23a als eine primäre Komponente enthalten ist, und Si, das in dem zweiten Aufzeichnungsfilm 23b als primäre Komponente enthalten ist, zuverlässig gemischt werden können, indem man den Laserstrahl L auf die erste Aufzeichnungsschicht 20 projiziert, wodurch ein gemischter Bereich M gebildet wird. Wenn andererseits Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet werden sollen, wird die Aufzeichnungsleistung Pw auf ein solches Niveau eingestellt, dass Zn und S, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 enthalten sind, zuverlässig miteinander verbunden werden können, indem man den Laserstrahl L auf die zweite Aufzeichnungsschicht 30 oder die dritte Aufzeichnungsschicht 40 projiziert, wodurch ZnS gebildet wird.
Gleichermaßen werden die mittlere Leistung Pm und die Grundleistung Pb des Laserstrahls L sowohl für die erste Aufzeichnungsschicht 20, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40, in denen Daten aufgezeichnet werden sollen, eingestellt.
Insbesondere wird, wenn Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnet werden sollen, die mittlere Leistung Pm oder die Grundleistung Pb auf ein solches Niveau eingestellt, dass Cu, das in dem ersten Aufzeichnungsfilm 23a als eine primäre Komponente enthalten ist, und Si, das in dem zweiten Aufzeichnungsfilm 23b als eine primäre Komponente enthalten ist, nicht gemischt werden können, selbst wenn der Laserstrahl L der mittleren Leistung Pm oder der Grundleistung Pb auf die erste Aufzeichnungsschicht 20 projiziert wird. Andererseits wird, wenn Daten in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 aufgezeichnet werden sollen, die mittlere Leistung Pm oder die Grundleistung Pb auf ein solches Niveau eingestellt, dass Zn und S, die in der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 oder der dritten Aufzeichnungsschicht 40 enthalten sind, nicht verbunden werden können, selbst wenn der Laserstrahl L der mittleren Leistung Pm oder der Grundleistung Pb auf die erste Aufzeichnungsschicht 20 projiziert wird.
Insbesondere wird die Grundleistung Pb auf ein extrem niedriges Niveau eingestellt, so dass ein Bereich, der von dem Laserstrahl L erhitzt wird, dessen Leistung auf die Aufzeichnungsleistung eingestellt ist, schnell abgekühlt werden kann, indem das Niveau des Laserstrahls L von der Aufzeichnungsleistung Pw auf die Grundleistung Pb umgeschaltet wird.
12 ist eine schematische perspektivische Darstellung, die ein optisches Aufzeichnungsmedium zeigt, das eine andere bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 13 ist eine vergrößerte schematische Schnittdarstellung des Teils des optischen Aufzeichnungsmediums, das in 12 mit B angezeigt ist.
Wie in 13 gezeigt, schließt das optische Aufzeichnungsmedium 100 gemäß dieser Ausführungsform ein Substrat 11, eine erste Aufzeichnungsschicht 20, die auf der Oberfläche des Trägersubstrats 11 ausgebildet ist, eine erste Zwischenschicht 12, die auf der Oberfläche der ersten Aufzeichnungsschicht 20 ausgebildet ist, eine zweite Aufzeichnungsschicht 30, die auf der Oberfläche der ersten Zwischenschicht 12 ausgebildet ist, eine zweite Zwischenschicht 13, die auf der Oberfläche der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 ausgebildet ist, eine dritte Aufzeichnungsschicht 40, die auf der Oberfläche der zweiten Zwischenschicht 13 ausgebildet ist, eine dritte Zwischenschicht 14, die auf der Oberfläche der dritten Aufzeichnungsschicht 40 ausgebildet ist, eine vierte Aufzeichnungsschicht 50, die auf der Oberfläche der dritten Zwischenschicht 14 ausgebildet ist, und eine Lichttransmissionsschicht 15, die auf der Oberfläche der vierten Aufzeichnungsschicht 50 ausgebildet ist, ein und hat einen ähnlichen Aufbau wie das optische Aufzeichnungsmedium 10, das in 1 und 2 gezeigt ist, mit der Ausnahme, dass die dritte Zwischenschicht 14 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 ausgebildet sind und dass es vier Aufzeichnungsschichten besitzt.
Die dritte Zwischenschicht 14 dient dazu, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 durch eine physikalisch und optisch ausreichende Distanz voneinander zu beabstanden.
Wie in 13 gezeigt, sind die Rillen 14a und die Grate 14b alternierend auf der Oberfläche der dritten Zwischenschicht 14 ausgebildet. Die Rillen 14a und/oder Grate 14b, die auf der Oberfläche der dritten Zwischenschicht 14 ausgebildet sind, dienen als Führungsspur für den Laserstrahl L, wenn Daten in der vierten Aufzeichnungsschicht 50 aufgezeichnet werden sollen oder wenn Daten aus der vierten Aufzeichnungsschicht 50 ausgelesen werden sollen.
Das Material zum Bilden der dritten Zwischenschicht 14 ist nicht im Besonderen beschränkt, insoweit, als es eine hohe Lichttransmittanz für den Laserstrahl L hat, und ein durch ultraviolette Strahlung aushärtbares Acrylharz wird vorzugsweise zum Bilden der dritten Zwischenschicht 14 ähnlich zu der ersten Zwischenschicht 12 und der zweiten Zwischenschicht 13 verwendet.
Es ist bevorzugt, die vierte Zwischenschicht 14 so zu bilden, dass sie eine Dicke von 5 μm bis 50 μm hat, und es ist weiter bevorzugt, sie so zu bilden, dass sie eine Dicke von 10 μm bis 40 μm hat.
Die vierte Aufzeichnungsschicht 50 wird auf der Oberfläche der dritten Zwischenschicht 14 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa ein Sputterprozess, gebildet, indem man ein Target, bestehend aus der Mischung von ZnS und SiO₂ und ein Target, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, verwendet.
In dieser Ausführungsform werden die gleichen Targets verwendet, wie jene, die zum Bilden der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und der dritten Aufzeichnungsschicht 40 verwendet werden, und deshalb hat die vierte Aufzeichnungsschicht 50 die gleiche Zusammensetzung wie sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40.
Die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 werden so gebildet, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 30 eine Dicke von 20 nm bis 50 nm hat, dass das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,48 bis 0,93 ist, dass das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht 50 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,39 bis 0,70 ist, und die Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und die Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht 50 die Bedingung D2>D3>D4 erfüllen.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung führten eine Untersuchung im Hinblick auf den Fall durch, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als Additiv enthält, die Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und die Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht 50 D2>D3>D4 erfüllen. Als ein Ergebnis fanden sie heraus, dass in einem solchen Fall sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 eine ausreichend hohe Lichttransmittanz im Hinblick auf den Laserstrahl L haben. Da es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls L auf das Minimum zu unterdrücken, wenn der Laserstrahl L durch die vierte Aufzeichnungsschicht 50, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die zweite Aufzeichnungsschicht 30 hindurchgeht, können deshalb gemäß dieser Ausführungsform Daten in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 auf die gewünschte Weise aufgezeichnet werden. Da es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls L auf das Minimum zu unterdrücken, wenn der Laserstrahl L durch die dritte Aufzeichnungsschicht 40, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 hindurchgeht und es möglich ist, die Verringerung in der Leistung des Laserstrahls L, der von der ersten Aufzeichnungsschicht 20 reflektiert wird, auf das Minimum zu unterdrücken, wenn der Laserstrahl L durch die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 hindurchgeht, können andererseits in dem Fall, wo in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnete Daten ausgelesen werden sollen, in der ersten Aufzeichnungsschicht 20 aufgezeichnete Daten auf eine gewünschte weise ausgelesen werden.
Außerdem führten die Erfinder der vorliegenden Erfindung eine Untersuchung hinsichtlich des Falles durch, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als Additiv enthalten und die Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und die Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht 50 D2>D3>D4 erfüllen. Als ein Ergebnis fanden sie heraus, dass in einem solchen Fall der Reflexionskoeffizient der Aufzeichnungsschicht, die weiter von der Lichteinfallsebene 15a entfernt ist, hinsichtlich des Laserstrahls L erhöht werden kann. Deshalb ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, auf gewünschte Weise nicht nur Daten aus der ersten Aufzeichnungsschicht 20 auszulesen, sondern auch aus der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und der vierten Aufzeichnungsschicht 50.
Darüber hinaus führten die Erfinder der vorliegenden Erfindung eine Untersuchung im Hinblick auf den Fall durch, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthalten, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 eine Dicke von 20 nm bis 50 nm hat, das Verhältnis von D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,48 bis 0,93 ist, und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht 50 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,39 bis 0,70 ist. Als ein Ergebnis fanden sie heraus, dass in einem solchen Fall die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 so gebildet werden können, dass der Anteil des Laserstrahls L, der von der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 absorbiert wird, derjenige der von der dritten Aufzeichnungsschicht 40 absorbiert wird, und derjenige der von der vierten Aufzeichnungsschicht 50 absorbiert wird, im Wesentlichen einander gleich gemacht werden können und dass jeder der Absorptionskoeffizienten der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und der vierten Aufzeichnungsschicht 50 im Hinblick auf den Laserstrahl L mit einer Leistung und darauf über die Lichttransmissionsschicht 15 projiziert, ausreichend hoch ist, nämlich 10 % bis 20 %. Deshalb ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, Daten auf gewünschte Weise in der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht aufzuzeichnen.
Ferner führten die Erfinder der vorliegenden Erfindung eine Untersuchung im Hinblick auf den Fall durch, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 Zn, Si, S und O als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthalten, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 eine Dicke von 20 nm bis 50 nm hat, das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht 40 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,48 bis 0,93 ist, und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht 50 zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 0,39 bis 0,70 ist. Als ein Ergebnis fanden heraus, dass in einem solchen Fall die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 so gebildet werden können, dass die Reflexionskoeffizienten der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und der vierten Aufzeichnungsschicht 50 im Wesentlichen einander gleich sind und dass jede davon einen ausreichend hohen Reflexionskoeffizient besitzt. Deshalb ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, Daten auf gewünschte Weise aus der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und der vierten Aufzeichnungsschicht 50 auszulesen.
Arbeitsbeispiele
Im Folgenden werden Arbeitsbeispiele dargelegt, um die Vorteile der vorliegenden Erfindung weiter zu verdeutlichen.
Arbeitsbeispiel 1
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 wurde auf die folgende Weise hergestellt.
Ein Polycarbonatsubstrat mit einer Dicke von 1,1 mm und einem Durchmesser von 120 mm und ausgebildet mit Rillen und Graten auf seiner Oberfläche wurde zuerst durch einen Spritzgießprozess hergestellt, so dass der regelmäßige Rillenabstand gleich 0,32 μm war.
Dann wurde das Polycarbonatsubstrat in eine Sputterapparatur eingesetzt, und ein reflektierender Film, bestehend aus einer Legierung von Ag, Pd und Cu und mit einer Dicke von 100 nm, ein zweiter dielektrischer Film, enthaltend eine Mischung aus ZnS und SiO₂ und mit einer Dicke von 39 nm, ein erster Aufzeichnungsfilm, enthaltend Cu als eine primäre Komponente, zusammengegeben mit 23 Atom-% Al und 13 Atom-% Au und mit einer von Dicke von 5 nm, ein zweiter Aufzeichnungsfilm, enthaltend Si als eine primäre Komponente und mit einer Dicke von 5 nm und ein erster dielektrischer Film, enthaltend die Mischung aus ZnS und SiO₂ und mit einer Dicke von 20 nm, wurden nacheinander unter Verwendung des Sputterprozesses auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats ausgebildet, auf der die Rillen und Grate gebildet wurden, wodurch eine erste Aufzeichnungsschicht auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats gebildet wurde.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung von ZnS und SiO₂, enthalten in der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht, war 80:20.
Ferner wurde das Polycarbonatsubstrat, das mit der ersten Aufzeichnungsschicht auf seiner Oberfläche ausgebildet war, in eine Spinnbeschichtungsapparatur eingesetzt, und der dritte dielektrische Film wurde mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines durch Ultraviolett härtbaren Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, während das Polycarbonatsubstrat rotiert wurde. Dann wurde ein mit Rillen und Graten ausgestatteter Stempel auf der Oberfläche der Beschichtungsschicht platziert, und die Oberfläche der Beschichtungsschicht wurde mit einer ultravioletten Strahlung über den Stempel bestrahlt, wodurch das ultraviolett-härtbare Acrylharz ausgehärtet wird. Eine transparente Zwischenschicht mit einer Dicke von 10 μm und ausgebildet mit Rillen und Graten auf seiner Oberfläche, so dass der Rillenabstand gleich 0,32 μm war, wurde beim Entfernen des Stempels gebildet.
Dann wurde das Polycarbonat, das mit der ersten Zwischenschicht auf seiner Oberfläche ausgebildet war, in den Sputterapparat eingesetzt, und eine zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 32 nm wurde durch den Sputterprozess ausgebildet, indem ein Mischtarget, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂ und ein Target, bestehend aus Mg, verwendet wurde.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung aus ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der zweiten Aufzeichnungsschicht wurde durch die FP-Methode unter Verwendung einer Röntgenstrahlen-Fluoreszenz-Apparatur "RIX2000" (Produktname), hergestellt von Rigaku Corporation, durch Erzeugen eines Röntgenstrahles unter den Bedingungen einer Röntgenstrahlenröhrenspannung der Rh-Röhre von 50 kV und einem Röntgenstrahlenröhrenstrom von 50 mA gemessen. Als ein Ergebnis wurde herausgefunden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 21,5 Atom-% Zn, 10,1 Atom-% Si, 20,8 Atom-% Mg, 20,1 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielt. Da O in dem Polycarbonatsubstrat enthalten war, wurde der Gehalt an O als der doppelte Gehalt von Si bestimmt, unter der Annahme, dass O sich mit Si verband, um SiO₂ zu bilden.
Dann wurde ähnlich zu der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht, eine zweite Zwischenschicht mit einer Dicke von 10 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 24 nm durch den Sputterprozess auf der zweiten Zwischenschicht gebildet.
Ähnlich zu der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht wurde ferner eine dritte Zwischenschicht mit einer Dicke von 10 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet, und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine vierte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 18 nm durch den Sputterprozess auf der dritten Zwischenschicht gebildet.
Schließlich wurde die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung der Spinnbeschichtungsmethode mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines ultraviolett-härtenden Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, und die Beschichtungsschicht wurde mit ultravioletten Strahlen bestrahlt, wodurch das ultraviolett-härtende Acrylharz aushärtete, um eine Schutzschicht mit einer Dicke von 85 μm zu bilden.
Auf diese Weise wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 hergestellt.
Dann wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 in einen Apparat zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien "DDUl000" (Produktname), hergestellt von Pulstec Industrial Co., Ltd., eingestetzt und Daten wurden folgendermaßen aufgezeichnet.
Ein blauer Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde als ein Laserstrahl zum Aufzeichnen von Daten verwendet, und der Laserstrahl wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht über die Lichttransmissionsschicht gebündelt, indem man eine Objektivlinse mit einer numerischen Apertur von 0,85 verwendete, wodurch Aufzeichnungsmarken, von denen jede eine Länge von 2T in dem (1,7)RLL-Modulationscode hatte, und Aufzeichnungsmarken, von denen jede eine Länge von 8T hatte in der ersten Aufzeichnungsschicht unter den folgenden Signalaufzeichnungsbedingungen gebildet wurden.
Ferner wurde der Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht über die Lichttransmissionsschicht gebündelt und Daten wurden darin durch statistisches Kombinieren von Aufzeichnungsmarken mit einer Länge von 2T bis 8T aufgezeichnet.
Als ein Laserleistungssteuerungssignal zum Steuern der Leistung des Laserstrahls wurde das in 9 gezeigte Pulsfolgemuster verwendet, so dass die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls auf 5 mW eingestellt wurde, die mittlere Leistung Pm wurde auf 4 mW eingestellt und die Grundleistung wurde auf 3 mW eingestellt.
Ferner wurden Daten sequenziell in der ersten Aufzeichnungsschicht aufgezeichnet, indem man die Aufzeichnungsleistung des Laserstrahls Schritt für Schritt in dem Bereich von 5 mW bis 12 mW erhöhte.
Modulationscode: (1,7)RLL
lineare Aufzeichnungsgeschwindigkeit: 5,3 m/s
Kanalbitlänge: 0,12 μm
Kanaltakt: 66 MHz
Aufzeichnungsspur: Rillenaufzeichnung
Dann wurde der Laserstrahl, dessen Leistung auf die Ausleseleistung eingestellt wurde, auf die erste Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 projiziert, indem der oben genannte Apparat zum Bewerten optischer Aufzeichnungsmedien verwendet wurde, wodurch Daten ausgelesen wurden, die in einer Spur zwischen zwei Spuren, in denen Daten aufgezeichnet wurden und der Reflexionskoeffizient eines Bereichs, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet wurde, ein C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhalten hat, die durch Bilden von Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 2T erhalten wurden, ein C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhalten hat, die durch Bilden von Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 8T gebildet wurden und Taktflackern eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhalten hat, die durch statistisches Bilden von Aufzeichnungsmarken mit Längen von 2T bis 8T aufgezeichnet wurden, wurden gemessen.
Da die optische Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 vier Aufzeichnungsschichten hatte und der Laserstrahl, der auf die erste Aufzeichnungsschicht projiziert wurde und von der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 reflektiert wurde, den Laserstrahl, der von der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht reflektiert wurde, zusätzlich zu dem Laserstrahl einschloss, der durch die erste Aufzeichnungsschicht reflektiert wurde, wurde der Einfluss des Laserstrahls, der von der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht auf die folgende Weise entfernt, und der Reflexionskoeffizient der ersten Aufzeichnungsschicht wurde gemessen.
Insbesondere wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe, die nur eine einzige Aufzeichnungsschicht enthielt, und optische Aufzeichnungsscheibenproben, die zwei Aufzeichnungsschichten, laminiert über eine Zwischenschicht unterschiedlicher Dicke, enthielten, hergestellt und der Reflexionskoeffizient der einzigen Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe, die die einzelne Aufzeichnungsschicht einschloss, wurde gemessen. Dann wurde der Reflexionskoeffizient der von der Lichteinfallsebene weiter entfernten Schicht jeder optischen Aufzeichnungsscheibenprobe, die zwei Aufzeichnungsschichten hatten, gemessen und mit dem der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe verglichen.
Als ein Ergebnis wurde gefunden, das in dem Fall, wo die Zwischenschicht eine Dicke von 10 mm hatte, 8 % des Reflexionskoeffizienten der von der Lichteinfallsebene weiter entfernten Aufzeichnungsschicht verursacht waren durch den Laserstrahl, der von der zur Lichteinfallsebene näher gelegenen Aufzeichnungsschicht reflektiert wurde und dass in dem Fall, wo die Zwischenschicht eine Dicke von 15 mm hatte, 2 % des Reflexionskoeffizienten der von der Lichteinfallsebene weiter entfernten Aufzeichnungsschicht verursacht waren durch den Laserstrahl, der von der näher zur Lichteinfallsebene liegenden Aufzeichnungsschicht reflektiert wurde. Auf der Grundlage dieser Ergebnisse wurden die Einflüsse der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 auf den Reflexionskoeffizienten der ersten Aufzeichnungsschicht berechnet, und der Reflexionskoeffizient der ersten Aufzeichnungsschicht wurde berechnet durch Subtrahieren des Einflusses dieser Aufzeichnungsschichten vom Anteil des Laserstrahls, der von der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 reflektiert wurde, wenn der Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht projiziert wurde.
Die C/N-Verhältnisse der ausgelesenen Signale wurden gemessen unter Verwendung eines Spektrumanalysators "spectrum analyzer XK180" (Produktname), hergestellt durch Advantest Corporation.
Die Schwankung σ eines ausgelesenen Signals wurde unter Verwendung eines Zeitintervallanalysators gemessen, und das Taktflackern wurde als σ/Tw berechnet, wobei Tw eine Taktperiode war. Wenn das Taktflackern gemessen wurde, wurde ein Grenzwertanalysator verwendet, und das Flackern wurde für 4 ms gemessen.
Wenn Daten ausgelesen wurden, wurden der Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm und eine Objektivlinse mit einer numerischen Apertur von 0,85 verwendet, und die Ausleseleistung des Laserstrahls wurde auf 0,7 mW eingestellt.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW zu 12 mW und Auslesen von in der ersten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 aufgezeichneten Daten erhalten hat, minimal war, und es wurde das C/N-Verhältnis und Flackern eines Signals bei der Aufzeichnungsleistung Pw gemessen, das man durch Auslesen von in der ersten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 aufgezeichneten Daten erhielt. Die Ergebnisse der Messung sind in Tabelle 1 gezeigt.
Dann wurde der Laserstrahl sequenziell auf die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 unter Verwendung des oben genannten Apparats zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien projiziert, wodurch Aufzeichnungsmarken gebildet wurden, von denen jede eine Länge von 2T in dem (1,7)RLL-Modulationscode hatte und Aufzeichnungsmarken, von denen jede eine Länge von 8T hatte.
Ferner wurde der Laserstrahl sequenziell auf die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe # 1 projiziert, indem die oben genannte Apparatur zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet wurde, wodurch statistisch Aufzeichnungsmarken mit Längen von 2T bis 8T gebildet wurden, um Daten darin aufzuzeichnen.
Als ein Laserleistungssteuerungssignal zum Steuern der Leistung des Laserstrahls wurde das in 9 gezeigte Pulszugmuster verwendet, wobei die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls auf 5 mW eingestellt wurde, die mittlere Leistung Pm auf 4 mW eingestellt wurde und die Grundleistung Pb auf 3 mW eingestellt wurde.
Ferner wurden Daten sequenziell in der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 aufgezeichnet, indem man die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls Schritt für Schritt im Bereich von 5 mW auf 12 mW erhöhte, ähnlich zu dem Fall der Datenaufzeichnung in der ersten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1.
Dann wurde der Laserstrahl, dessen Leistung auf die Ausleseleistung eingestellt wurde, sequenziell auf die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 projiziert, indem man die oben genannte Apparatur zur Bewertung optischer Aufzeichnungmedien verwendete, wodurch der Reflexionskoeffizient eines Bereichs, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet wurde, ein C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die durch Bilden von Aufzeichnungsmarken aufgezeichnet wurden, von denen jede eine Länge von 2T hat, ein C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die durch Bilden von Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 8T aufgezeichnet wurden, und Taktflackern eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die durch statistisches Bilden von Aufzeichnungsmarken mit Längen von 2T bis 8T aufgezeichnet wurden, gemessen wurden.
Wenn Daten ausgelesen wurden, ähnlich zu dem Fall des Auslesens von in der ersten Aufzeichnungsschicht aufgezeichneten Daten, wurden Daten ausgelesen, die in einer Spur zwischen zwei Spuren, in denen Daten aufgezeichnet wurden, aufgezeichnet waren.
Die Reflexionskoeffizienten der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 wurden ähnlich zu dem Fall der Berechnung des Reflexionskoeffizienten der ersten Aufzeichnungsschicht berechnet.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW bis 12 mW und Auslesen von Daten erhielt, die sowohl in der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 aufgezeichnet waren, minimal war, und das C/N-Verhältnis und Flackern eines Signals wurden gemessen, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die in sowohl der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht als auch der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 mit der Aufzeichnungsleistung Pw aufgezeichnet wurden.
Die Ergebnisse der Messung sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
Wie in Tabelle 1 gezeigt, waren die Reflexionskoeffizienten in Bereichen der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet wurde, 4,6 %, 3,7 %, 5,4 % bzw. 4,7 %, und es wurde gefunden, dass die Reflexionskoeffizienten von Bereichen der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 gleich oder größer als 3,0 % und ausreichend hoch waren.
Ferner wurde, wie in Tabelle 1 gezeigt, gefunden, dass das C/N-Verhältnis des Signals, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die durch Bilden von Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 2T sowohl in der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht als auch der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 aufgezeichnet wurden, gleich oder größer als 39 dB war, dass das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die durch Bilden von Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 8T sowohl in der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht als auch der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 aufgezeichnet wurden, gleich oder größer als 49 dB war und dass ausgelesene Signale mit hohen C/N-Verhältnissen erhalten werden konnten.
Darüber hinaus war, wie in Tabelle 1 gezeigt, das Flackern des Signals, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die man durch statistisches Bilden von Aufzeichnungsmarken mit Längen mit 2T bis 8T sowohl in der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht, als auch der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 aufzeichnete, gleich oder kleiner als 11 % war und ausgelesene Signale mit niedrigem Flackern erhalten werden konnten.
Dann wurde der Zustand der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 folgendermaßen untersucht.
Zuerst wurden optische Aufzeichnungsscheibenproben #1-1, #1-2 und #1-3 auf die gleiche Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1 hergestellt, und Daten wurden in einem Teil der vierten Aufzeichnungsschicht von jeder der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #1-1, #1-2 und #1-3, ähnlich zu dem Fall der Datenaufzeichnung in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1, aufgezeichnet.
Die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #1-1 wurde unter Verwendung einer Schneidemaschine eingeschnitten, um die Lichttransmissionsschicht abzuziehen, wodurch die vierte Aufzeichnungsschicht nach außen freigelegt wurde. Dann wurde ein dielektrischer Film mit einer Dicke von 20 nm und enthaltend Al₂O₃ als eine primäre Komponente und ein Metallfilm mit einer Dicke von 100 nm und enthaltend Al als eine primäre Komponente sequenziell auf der freigelegten vierten Aufzeichnungsschicht durch den Sputterprozess ausgebildet.
Dann wurde ein Loch mit einem Durchmesser von etwa 2 mm in dem dielektrischen Film und dem Metallfilm der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1-1 gebildet, indem die Oberfläche des Metallfilms lokal gesputtert wurde, wodurch die vierte Aufzeichnungsschicht nach außen freigelegt wurde.
Ferner wurden Energiespektren in einem Bereich der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1-1, wo eine Aufzeichnungsmarke gebildet war, und in einem Bereich davon, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, gemessen, indem ein Auger-Spektralanalysator "SAM680" (Produktname), hergestellt durch ALVAC-PHI, Inc., unter den folgenden Messbedingungen gemessen.
Beschleunigungsspannung: 5 kV
Neigung: 30 Grad
Probenstrom: 10 nA
Ar-Ionenstrahl-Sputterätz-Beschleunigungsspannung: 2 kV
Das Energiespektrum, in dem ein Metallenergiespektrum und ein Verbindungsenergiespektrum als Gemisch erschienen, wurde in dem Bereich gemessen, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, und andererseits wurde nur das Verbindungsenergiespektrum in dem Bereich gemessen, wo die Aufzeichnungsmarke gebildet war.
Dann wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #1-2 unter Verwendung einer Schneidemaschine angeschnitten, um die Lichttransmissionsschicht, die vierte Aufzeichnungsschicht und die dritte Zwischenschicht zu entfernen, und auf diese Weise wurden die entfernte Lichttransmissionsschicht, vierte Aufzeichnungsschicht und dritte Zwischenschicht auf ein Glasplättchen unter Verwendung eines durch Ultraviolettstrahlung härtbaren Harzes auf eine solche Weise gebunden, dass die Lichttransmissionsschicht in Kontakt mit den Glasplättchen gebracht wurde.
Ferner wurden die Lichtabsorptionskoeffizienten im Hinblick auf einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm eines Bereiches der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1-2, wo die Aufzeichnungsmarke gebildet war, und in einem Bereich davon, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, unter Verwendung eines optischen Filmdickenmessgeräts "ETA-RT" (Produktname), hergestellt von steag ETA-OPTIK Co., Ltd., gemessen.
Der Lichtabsorptionskoeffizient des Bereichs, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, betrug 17 % und derjenige des Bereiches, wo die Aufzeichnungsmarke gebildet war, betrug 13 %.
Es war vernünftig zu schließen, dass der Lichtabsorptionskoeffizient des Bereichs, wo die Aufzeichnungsmarke gebildet war, kleiner war als derjenige des Bereichs, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, weil freie Elektronen von Zn, die viel mehr Licht absorbieren, sich mit S verbinden, um eine Verbindung zu bilden, wodurch die Zahl der freien Elektronen von Zn in dem Bereich, wo die Aufzeichnungsmarke gebildet war, abnahm.
Dann wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #1-3 unter Verwendung eines Mikrotoms geschnitten, um eine Probe für ein Transmissionselektronenmikroskop zu bilden, und das Elektronenbeugungsmuster der vierten Aufzeichnungsschicht wurde gemessen unter Verwendung eines Transmissionselektronenmikroskops "JEM-3010" (Produktname), hergestellt von JEOL LTD. Die Beschleunigungsspannung war auf 300 kV eingestellt.
Als ein Ergebnis wurde ein breiter Beugungsring von ZnS an dem Bereich der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1-3 beobachtet, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, und, andererseits wurde in dem Bereich davon, wo die Aufzeichnungsmarke gebildet war, ein Fleck von ZnS beobachtet.
Aus den obigen Experimenten war es vernünftig zu schließen, dass Zn in dem Bereich der vierten Aufzeichnungsschicht, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, nämlich die vierte Aufzeichnungsschicht, bevor Daten aufgezeichnet wurden, Zn in der Form einer einfachen Substanz und einer Verbindung mit S vorlag, und dass Kristalle aus ZnS, die durch die Verbindung von Zn und S gebildet wurden, in dem Bereich der vierten Aufzeichnungsschicht vorlagen, wo die Aufzeichnungsmarke gebildet wurde, nämlich die vierte Aufzeichnungsschicht, nachdem Daten aufgezeichnet wurden.
Arbeitsbeispiel 2
Ein Polycarbonatsubstrat mit einer Dicke von 1,1 mm und einem Durchmesser von 120 mm wurde in einen Sputterapparat eingesetzt und eine Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 18 nm wurde auf dem Polycarbonatsubstrat durch den Sputterprozess gebildet, indem man ein Mischtarget, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂ und ein Target, bestehend aus Mg, verwendete, wodurch eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #2 hergestellt wurde.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung aus ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #2 wurde ähnlich gemessen wie in dem Arbeitsbeispiel 1. Es wurde gefunden, dass die Aufzeichnungsschicht 21,5 Atom-% Zn, 10,1 Atom-% Si, 20,8 Atom-% Mg, 20,1 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielt.
Dann wurde ein Polycarbonatsubstrat mit einer Dicke von 1,1 mm und einem Durchmesser von 120 mm in eine Sputterapparatur eingesetzt, und eine Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 24 nm wurde auf dem Polycarbonatsubstrat durch den Sputterprozess gebildet, indem man ein Mischtarget, bestehend aus der Mischung als ZnS und SiO₂, und ein Target, bestehend aus Mg, verwendete, wodurch eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #3 hergestellt wurde.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung aus ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #3 wurde ähnlich wie im Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass die Aufzeichnungsschicht 21,5 Atom-% Zn, 10,1 Atom-% Si, 20,8 Atom-% Mg, 20,1 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielt.
Außerdem wurde ein Polycarbonatsubstrat mit einer Dicke von 1,1 mm und einem Durchmesser von 120 mm in eine Sputterapparatur eingesetzt, und eine Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 32 nm wurde auf dem Polycarbonatsubstrat durch den Sputterprozess gebildet, indem ein Mischtarget, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und ein Target, bestehend aus Mg, verwendete, wodurch eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #4 hergestellt wurde.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung aus ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #4 wurde ähnlich wie im Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass die Aufzeichnungsschicht 21,5 Atom-% Zn, 10,1 Atom-% Si, 20,8 Atom-% Mg, 20,1 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielt.
Ein Laserstrahl wurde nacheinander auf die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #2 bis #4 projiziert, indem das oben genannte optische Filmdickenmessgerät verwendet wurde und die Lichttransmittanz T1 der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #2, die Lichttransmittanz T2 der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #3 und die Lichttransmittanz T3 der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #4 wurden gemessen.
Die Ergebnisse der Messungen sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2
Wie in Tabelle 2 gezeigt, waren die Lichttransmittanz T1 der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #2, die Lichttransmittanz T2 der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #3 und die Lichttransmittanz T3 der Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #4 80 %, 69 % bzw. 63 %, und sie überschritten 60 % und waren sehr hoch.
Arbeitsbeispiel 3
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #5 wurde hergestellt in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #1, mit der Ausnahme, dass, wenn die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung eines Targets, bestehend aus einer Mischung von La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ gebildet wurden, dessen Molverhältnis 20:30:50 war, anstelle des Targets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂ mit 80:20, die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 28 nm hatte, die dritte Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 18 nm hatte und die vierte Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 15 nm hatte.
Die Zusammensetzungen der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 6,2 Atom-% La, 24,1 Atom-% Si, 23,1 Atom-% Mg, 24,6 Atom-% O und 22,0 Atom-% N enthielten.
Da O in dem Polycarbonatsubstrat enthalten ist, wurde der Gehalt an O folgendermaßen bestimmt. Der Gehalt an Si, verbunden mit N in Si₃N₄, wurde zuerst auf der Basis des Gehaltes von N berechnet, der in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 enthalten war und der somit berechnete Gehalt an Si wurde von dem Gehalt an Si abgezogen, der in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 enthalten war, wodurch der Gehalt von Si in SiO₂ berechnet wurde. Der Gehalt an O in SiO₂ wurde berechnet durch Verdoppeln des Gehaltes an Si in SiO₂. Dann wurde der Gehalt an O, verbunden mit La in La₂O₃, auf der Basis des Gehalts von La berechnet, der in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 enthalten ist, und der Gehalt O in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 wurde berechnet durch Addieren des mit Si in SiO₂ verbundenen O zu dem Gehalt an O, der mit La in La₂O₃ verbunden war.
Dann wurde das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um nacheinander einen Laserstrahl, dessen Leistung auf die Ausleseleistung eingestellt war, auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 zu projizieren, und die Reflexionskoeffizienten davon, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, wurden gemessen. Die Ausleseleistung des Laserstrahls war auf 0,7 mW eingestellt.
Die Reflexionskoeffizienten der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 wurden in der Weise des Arbeitsbeispiels 1 gemessen.
Die Ergebnisse der Messung sind in Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3
Wie in Tabelle 3 gezeigt, waren die Reflexionskoeffizienten der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5, wo keine Aufzeichnungsmarke gebildet war, 3,3 %, 4,3 %, 4,8 % bzw. 3,3 %, und es wurde gefunden, dass jeder der Reflexionskoeffizienten der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 gleich oder größer als 3,0 % und ausreichend groß war.
Dann wurde die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #5 ähnlich zu dem Arbeitsbeispiel 1 untersucht. Verbindungen aus La und O wurden in dem Bereich der vierten Aufzeichnungsschicht beobachtet, auf den der Laserstrahl zum Aufzeichnen von Daten projiziert und in dem eine Aufzeichnungsmarke gebildet wurde.
Arbeitsbeispiel 4
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #6 wurde auf die folgende Weise hergestellt.
Ähnlich zum Arbeitsbeispiel 1 wurde ein Polycarbonatsubstrat hergestellt und eine erste Aufzeichnungsschicht und eine erste Zwischenschicht wurden nacheinander auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats gebildet.
Dann wurde das Polycarbonatsubstrat, das mit der ersten Aufzeichnungsschicht und der ersten Zwischenschicht auf seiner Oberfläche ausgebildet war, in ein Sputtergerät eingesetzt und eine zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 35 nm wurde auf der Oberfläche der ersten Zwischenschicht durch den Sputterprozess unter Verwendung eines Targets, bestehend aus ZnS, und eines Targets, bestehend aus Mg, gebildet.
Die Zusammensetzung der zweiten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 untersucht. Es wurde gefunden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 39,1 Atom-% Zn, 47,0 Atom-% S und 13,9 Atom-% Mg enthielt.
Dann wurde ähnlich der Weise zum Bilden der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht, eine zweite Zwischenschicht mit einer Dicke von 10 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht, wurde eine dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 21 nm durch den Sputterprozess auf der zweiten Zwischenschicht gebildet.
Die Zusammensetzung der dritten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 untersucht. Es wurde gefunden, dass die dritte Aufzeichnungsschicht 39,1 Atom-% Zn, 47,0 Atom-% S und 13,9 Atom-% Mg enthielt.
Ferner wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine dritte Zwischenschicht mit einer Dicke von 10 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine vierte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 17 nm durch den Sputterprozess auf der dritten Zwischenschicht gebildet.
Die Zusammensetzung der vierten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 untersucht. Es wurde herausgefunden, dass die vierte Aufzeichnungsschicht 39,1 Atom-% Zn, 47,0 Atom-% S und 13,9 Atom-% Mg enthielt.
Schließlich wurde die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung des Spinnbeschichtungsverfahrens mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines ultravioletthärtenden Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, und die Beschichtungsschicht wurde mit ultravioletten Strahlen bestrahlt, wodurch das ultraviolett-härtende Acrylharz aushärtete, um eine Schutzschicht mit einer Dicke von 70 μm zu bilden.
Auf diese Weise wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #7 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 34,8 Atom-% Zn, 44,2 Atom-% S und 20,0 Atom-% Mg enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #8 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 32,9 Atom-% Zn, 42,8 Atom-% S und 24,3 Atom-% Mg enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #9 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 28,9 Atom-% Zn, 37,6 Atom-% S und 33,5 Atom-% Mg enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #10 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 29,9 Atom-% Zn, 30,2 Atom-% S und 39,9 Atom-% Mg enthielt.
Dann wurde das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 über die Lichttransmissionsschicht zu bündeln, und Aufzeichnungsmarken, von denen jede eine Länge von 8T hatte, wurden gebildet, wodurch Daten darin aufgezeichnet wurden. Die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls war auf 5 mW eingestellt.
Ferner wurden Daten sequenziell in der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 aufgezeichnet, indem die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls in kleinen Schritten im Bereich von 5 mW auf 12 mW erhöht wurde.
Dann wurde ein Laserstrahl, dessen Leistung auf die Ausleseleistung eingestellt wurde, unter Verwendung der oben genannten Apparatur zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien auf die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 projiziert, wodurch Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht aufgezeichnet wurden, ausgelesen wurden und das C/N-Verhältnis der ausgelesenen Signale gemessen wurde. Die Ausleseleistung des Laserstrahls war auf 1,0 mW eingestellt.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW auf 12 mW, und Auslesen von Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 aufgezeichnet waren, erhielt, minimal war, und das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 aufgezeichnet waren, bei der Aufzeichnungsleistung erhalten hat, wurde gemessen.
Die Ergebnisse der Messung sind in Tabelle 4 gezeigt.
Dann wurde das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl sequenziell auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsschreibenprobe #6 zu fokussieren, und es wurde beurteilt, ob der Laserstrahl auf sowohl die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht als auch die dritte Aufzeichnungsschicht in einer gewünschten Weise fokussiert werden konnte oder nicht.
Die Ergebnisse der Bewertung sind in Tabelle 4 gezeigt.
In Tabelle 4 zeigt die Bewertung "GUT" an, dass der Laserstrahl auf sowohl die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 fokussiert werden konnte, und die Bewertung "SCHLECHT" zeigt an, dass der Laserstrahl nicht auf wenigstens der ersten Aufzeichnungsschicht, der zweiten Aufzeichnungsschicht oder der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 fokussiert werden konnte.
Dann wurde das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien dazu verwendet, einen Laserstrahl, dessen Aufzeichnungsleistung Pw auf 5 mW eingestellt wurde, nacheinander auf die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #7 bis #10 zu projizieren und Marken mit jeweils einer Länge von 8T aufzuzeichnen, wodurch Daten darin aufgezeichnet wurden.
Ferner wurden Daten sequenziell in der vierten Aufzeichnungsschicht von jeder optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #7 bis #10 aufgezeichnet, indem die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls in kleinen Schritten im Bereich von 5 mW bis 12 mW erhöht worden ist.
Dann wurden Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #7 bis #10 aufgezeichnet wurden, ausgelesen, indem man das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendete, und das C/N-Verhältnis des ausgelesenen Signals wurde gemessen. Ferner wurde das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um den Laserstrahl sequenziell auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #7 bis #10 zu fokussieren, und es wurde beurteilt, ob der Laserstrahl auf sowohl die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht als auch die dritte Aufzeichnungsschicht in einer gewünschten Weise fokussiert werden konnte oder nicht.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW bis 12 mW, und Auslesen von Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #7 bis #10 aufgezeichnet waren, erhielt, minimal war, und das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten erhielt, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheiben #7 bis #10 bei der Aufzeichnungsleistung Pw aufgezeichnet waren, wurde gemessen.
Die Ergebnisse der Messung und der Beurteilung sind in Tabelle 4 gezeigt. Tabelle 4
Wie in Tabelle 4 gezeigt, ist herausgefunden worden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #7 bis #9, die 20 Atom-% bis 35 Atom-% Mg enthielten, das C/N des Signals, das man beim Auslesen von Daten erhielt, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden davon aufgezeichnet waren, gleich oder größer als 40 dB war, und dass der Laserstrahl in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden davon fokussiert werden konnte.
Im Gegensatz dazu ist gefunden worden, dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6, die weniger als 20 Atom-% Mg enthielt, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht davon aufgezeichneten Daten erhielt, kleiner als 40 dB war und dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #10, die mehr als 35 Atom-% Mg enthielt, der Laser nicht in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht davon fokussiert werden konnte.
Arbeitsbeispiel 5
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #11 wurde in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung eines Targets, bestehend aus Al, anstelle des Targets, bestehend aus Mg, gebildet wurden.
Die Zusammensetzungen der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #11 wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 39,7 Atom-% Zn, 50,3 Atom-% S und 10,0 Atom-% Al enthielten.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #12 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #11 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 35,7 Atom-% Zn, 45,4 Atom-% S und 18,9 Atom-% Al enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #13 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #11 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 32,8 Atom-% Zn, 41,6 Atom-% S und 25,6 Atom-% Al enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #14 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #11 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 29,7 Atom-% Zn, 39,0 Atom-% S und 31,3 Atom-% Al enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #15 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #11 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 25,3 Atom-% Zn, 33,5 Atom-% S und 41,2 Atom-% Al enthielt.
Ferner wurde ähnlich zum Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die vierte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #11 bis #15 über die Lichttransmissionsschicht zu bündeln, und es wurden Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 8T gebildet, wodurch Daten darin aufgezeichnet wurden. Die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls war auf 5 mW eingestellt.
Ferner wurden Daten sequenziell in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #11 bis #15 aufgezeichnet, indem man die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls in kleinen Schritten im Bereich von 5 mW bis 12 mW erhöhte.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #11 bis #15 aufgezeichnet waren, unter Verwendung des oben genannten Geräts zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien ausgelesen und das C/N-Verhältnis des von jedem davon ausgelesenen Signals wurde gemessen.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW bis 12 mw und Auslesen von Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #11 bis #15 aufgezeichnet waren, erhielt, minimal war, und es wurde das C/N-Verhältnis eines Signals gemessen, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden davon mit der Aufzeichnungsleistung Pw aufgezeichneten Daten erhielt.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 ein Laserstrahl unter Verwendung des oben genannten Geräts zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #11 bis #15 fokussiert, und es wurde beurteilt, ob der Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen in einer gewünschten Weise fokussiert werden konnte oder nicht.
Die Ergebnisse der Messung und der Beurteilung sind in Tabelle 5 gezeigt. Tabelle 5
Wie in Tabelle 5 gezeigt, ist gefunden worden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #12 bis #14, die 18 Atom-% bis 32 Atom-% Al enthielten, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen aufgezeichneten Daten erhielt, gleich oder größer als 40 dB war und dass der Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen in einer gewünschten Weise fokussiert werden konnte.
Im Gegensatz dazu ist gefunden worden, dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #11, die weniger als 18 Atom-% Al enthielt, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht davon aufgezeichneten Daten erhielt, kleiner war als 40 dB und dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #15, die mehr als 32 Atom-% Al enthielt, der Laserstrahl nicht in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht davon fokussiert werden konnte.
Arbeitsbeispiel 6
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #16 wurde in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 30 nm, die dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 18 nm und die vierte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 14 nm unter Verwendung eines Targets, bestehend aus Ti, anstelle des Targets, bestehend aus Mg, gebildet wurden.
Die Zusammensetzungen der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #16 wurden ähnlich zum Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 43,6 Atom-% Zn, 48,8 Atom-% S und 7,6 Atom-% Ti enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #17 in der gleichen Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #16 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 41,8 Atom-% Zn, 47,9 Atom-% S und 10,3 Atom-% Ti enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #18 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #16 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 38,3 Atom-% Zn, 46,6 Atom-% S und 14,8 Atom-% Ti enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #19 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #16 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 35,7 Atom-% Zn, 42,2 Atom-% S und 22,1 Atom-% Ti enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #20 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #16 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 33,9 Atom-% Zn, 40,1 Atom-% S und 26,0 Atom-% Ti enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #21 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #16 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 30,8 Atom-% Zn, 33,8 Atom-% S und 35,4 Atom-% Ti enthielt.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die vierte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #16 bis #21 über die Lichttransmissionsschicht zu bündeln und Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 8T wurden gebildet, wodurch Daten darin aufgezeichnet wurden. Die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls war auf 5 mW eingestellt.
Ferner wurden Daten sequenziell in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #16 bis #21 aufgezeichnet, indem man die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls in kleinen Schritten im Bereich von 5 mW bis 12 mW erhöhte.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 Daten ausgelesen, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #16 bis #21 aufgezeichnet waren, indem man das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendete, und es wurde das C/N-Verhältnis des von jeder davon ausgelesenen Signals gemessen.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW auf 12 mW und Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #16 bis #21 aufgezeichneten Daten erhielt, minimal war, und es wurde das C/N-Verhältnis eines Signals gemessen, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen mit der Aufzeichnungsleistung Pw aufgezeichneten Daten erhielt.
Dann wurde ähnlich zum Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #16 bis #21 zu fokussieren, und es wurde bewertet, ob der Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen in einer gewünschten Weise fokussiert werden konnte oder nicht.
Die Ergebnisse der Messung der Beurteilung sind in Tabelle 6 gezeigt. Tabelle 6
Wie in Tabelle 6 gezeigt, ist gefunden worden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #17 bis #20, die 10 Atom-% bis 26 Atom-% Ti enthielten, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen aufgezeichneten Daten erhielt, gleich oder größer als 40 dB war und dass der Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen in einer gewünschten Weise fokussiert werden konnte.
Im Gegensatz dazu, wurde gefunden, dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #16, die weniger als 10 Atom-% Ti enthielt, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht davon aufgezeichneten Daten erhielt, niedriger als 40 dB war und dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #21, die mehr als 26 Atom-% Ti enthielt, der Laserstrahl nicht in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht davon fokussiert werden konnte.
Arbeitsbeispiel 7
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #22 wurde in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass, wenn die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung eines Targets, bestehend aus einer Mischung aus ZnS und SiO₂ gebildet wurden, dessen Molverhältnis 80:20 war, anstelle des Targets, bestehend aus ZnS, so dass die dritte Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 24 nm hatte.
Die Zusammensetzungen der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #22 wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 21,8 Atom-% Zn, 10,8 Atom-% Si, 18,3 Atom-% Mg, 21,6 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielten.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #23 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #22 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, das jede von ihnen 21,5 Atom-% Zn, 10,1 Atom-% Si, 20,8 Atom-% Mg, 20,1 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #24 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #22 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 20,0 Atom-% Zn, 9,7 Atom-% Si, 23,6 Atom-% Mg, 19,4 Atom-% O und 27,3 Atom-% S enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #25 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #22 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 20,3 Atom-% Zn, 9,1 Atom-% Si, 25,6 Atom-% Mg, 18,2 Atom-% O und 27,0 Atom-% S enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #26 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #22 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 19,6 Atom-% Zn, 8,3 Atom-% Si, 30,8 Atom-% Mg, 16,6 Atom-% O und 24,7 Atom-% S enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #27 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #22 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde, und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von Ihnen 19,1 Atom-% Zn, 8,0 Atom-% Si, 33,9 Atom-% Mg, 16,0 Atom-% O und 23,0 Atom-% S enthielt.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die vierte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #22 bis #27 über die Lichttransmissionsschicht zu bündeln, und Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 8T wurden gebildet, wodurch Daten darin aufgezeichnet wurden. Die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls war auf 5 mW eingestellt.
Ferner wurden Daten sequenziell in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #22 bis #27 aufgezeichnet, indem die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls in kleinen Schritten im Bereich von 5 mW bis 12 mW erhöht wurde.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 Daten ausgelesen, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #22 bis #27 aufgezeichnet waren, indem das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet wurde und das C/N-Verhältnis des Signals, das von ihnen ausgelesen wurde, wurde gemessen.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Lasers gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW bis 12 mW und Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #22 bis #27 aufgezeichneten Daten erhielt, minimal war und das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen bei der Aufzeichnungsleistung Pw aufgezeichneten Daten erhielt, wurde gemessen.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #22 bis #27 zu fokussieren, und es wurde beurteilt, ob der Laserstrahl in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht fokussiert werden konnte oder nicht.
Die Ergebnisse der Messung und der Beurteilung sind in Tabelle 7 gezeigt. Tabelle 7
Wie in Tabelle 7 gezeigt, wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #23 bis #26, die 20 Atom-% bis 31 Atom-% Mg enthielten, das C/N des Signals, das man durch Auslesen in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen aufgezeichneten Daten erhielt, gleich oder größer als 40 dB war und dass der Laserstrahl in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen fokussiert werden konnte.
Im Gegensatz dazu, wurde gefunden, dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #22, die weniger als 20 Atom-% Mg enthielt, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht davon aufgezeichneten Daten erhielt, niedriger als 40 dB war und dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #27, die mehr als 31 Atom-% Mg enthielt, der Laserstrahl nicht in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht davon fokussiert werden konnte.
Arbeitsbeispiel 8
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #28 wurde in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass, wenn die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung eines Targets, bestehend aus einer Mischung von ZnS und SiO₂, deren Molverhältnis 50:50 war, anstelle des Targets, bestehend aus ZnS, hergestellt wurden, so dass die dritte Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 24 nm hatte.
Die Zusammensetzungen der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #28 wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 14,5 Atom-% Zn, 16,6 Atom-% Si, 17,8 Atom-% Mg, 33,2 Atom-% O und 17,9 Atom-% S enthielten.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #29 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #28 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 13,1 Atom-% Zn, 15,9 Atom-% Si, 23,3 Atom-% Mg, 31,8 Atom-% O und 16,9 Atom-% S enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #30 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #28 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 12,9 Atom-% Zn, 15,0 Atom-% Si, 26,1 Atom-% Mg, 30,0 Atom-% O und 16,0 Atom-% S enthielt.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #31 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #28 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 11,8 Atom-% Zn, 13,2 Atom-% Si, 32,8 Atom-% Mg, 26,4 Atom-% O und 15,8 Atom-% S enthielt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #32 in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #28 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die elektrische Leistung, die in dem Sputterprozess verwendet wurde, geändert wurde und die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass jede von ihnen 9,7 Atom-% Zn, 10,7 Atom-% Si, 46,2 Atom-% Mg, 21,4 Atom-% O und 12,2 Atom-% S enthielt.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die vierte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #28 bis #32 über die Lichttransmissionsschicht zu bündeln und Aufzeichnungsmarken mit jeweils einer Länge von 8T wurden gebildet, wodurch Daten darin aufgezeichnet wurden. Die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls war auf 5 mW eingestellt.
Ferner wurden Daten sequenziell in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #28 bis #32 aufgezeichnet, indem die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls in kleinen Schritten im Bereich von 5 mW bis 12 mW erhöht wurde.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 Daten ausgelesen, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeder der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #28 bis #32 aufgezeichnet waren, indem das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet wurde und das C/N-Verhältnis des Signals, das von jeder von ihnen ausgelesen wurde, wurde gemessen.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW zu 12 mW und Auslesen von Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #28 bis #32 aufgezeichnet waren, erhielt, minimal war, und das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen mit der Aufzeichnungsleistung Pw aufgezeichnet waren, wurde gemessen.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #28 bis #32 zu fokussieren, und es wurde beurteilt, ob der Laserstrahl in gewünschter weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen fokussiert werden konnte oder nicht.
Die Ergebnisse der Messung und der Beurteilung sind in Tabelle 8 dargestellt. Tabelle 8
Wie in Tabelle 8 gezeigt, wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #29 bis #31, die 20 Atom-% bis 33 Atom-% Mg enthielten, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen aufgezeichneten Daten erhielt, gleich oder größer als 40 dB war und dass der Laserstrahl in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden von ihnen fokussiert werden konnte.
Im Gegensatz dazu ist gefunden worden, dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #28, die weniger als 20 Atom-% Mg enthielt, das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht davon aufgezeichneten Daten erhielt, niedriger als 40 dB war und dass in der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #32, die mehr als 33 Atom-% Mg enthielt, der Laserstrahl nicht in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht davon fokussiert werden konnte.
Arbeitsbeispiel 9
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #33 wurde in der Weise der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #6 hergestellt, mit der Ausnahme, dass, wenn die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung eines Targets, bestehend aus einer Mischung von La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄, deren Molverhältnis 20:30:50 war, anstelle des Targets, bestehend aus der Mischung aus ZnS gebildet wurden, so dass die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 40 nm hatte, die dritte Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 24 nm hatte und die vierte Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 19 nm hatte.
Die Zusammensetzungen der zweiten Aufzeichnungsschicht, der dritten Aufzeichnungsschicht und der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #33 wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 6,2 Atom-% La, 24,1 Atom-% Si, 23,1 Atom-% Mg, 24,6 Atom-% O und 22,0 Atom-% N enthielt.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die vierte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #33 über die Lichttransmissionsschicht zu bündeln und Aufzeichnungsmarken mit. jeweils einer Länge von 8T wurden gebildet, wodurch Daten darin aufgezeichnet wurden. Die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls war auf 5 mW eingestellt.
Ferner wurden Daten sequenziell in der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #33 aufgezeichnet, indem die Aufzeichnungsleistung des Laserstrahls in kleinen Schritten im Bereich von 5 mW auf 12 mW erhöht wurde.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 Daten ausgelesen, die in der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #33 aufgezeichnet waren, indem das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet wurde und ein C/N-Verhältnis des daraus ausgelesenen Signals wurde gemessen.
Ferner wurde die Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls gemessen, bei der das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Variieren der Aufzeichnungsleistung Pw des Laserstrahls von 5 mW auf 12 mW und Auslesen von Daten, die in der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #33 aufgezeichnet waren, erhielt, minimal war und das C/N-Verhältnis eines Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht davon mit der Aufzeichnungsleistung Pw aufgezeichneten Daten erhielt, wurde gemessen.
Dann wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 4 das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien verwendet, um einen Laserstrahl auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #33 zu fokussieren, und es wurde beurteilt, ob der Laserstrahl in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht davon fokussiert werden konnte oder nicht.
Die Ergebnisse der Messung und der Beurteilung sind in Tabelle 9 dargestellt. Tabelle 9
Wie in Tabelle 9 gezeigt, ist gefunden worden, dass das C/N des Signals, das man durch Auslesen von in der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #33 aufgezeichneten Daten erhielt, gleich oder größer als 40 dB war und dass der Laserstrahl in einer gewünschten Weise auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht davon fokussiert werden konnte.
Arbeitsbeispiel 10
Ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 wurde ein Polycarbonatsubstrat hergestellt und eine erste Aufzeichnungsschicht auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats gebildet.
Dann wurde das Polycarbonatsubstrat mit der ersten Aufzeichnungsschicht auf seiner Oberfläche in ein Spinn-Beschichtungsgerät eingesetzt, und der dritte dielektrische Film wurde mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines Ultraviolett-härtbaren Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, während das Polycarbonatsubstrat rotierte. Dann wurde ein mit Rillen und Graten ausgebildeter Stempel auf der Oberfläche der Beschichtungsschicht aufgesetzt und die Oberfläche der Beschichtungsschicht wurde mit einem ultravioletten Strahl über den Stempel bestrahlt, wodurch das Ultraviolett-härtbare Acrylharz aushärtete. Eine transparente Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm und ausgebildet mit Rillen und Graten auf seiner Oberfläche, so dass der regelmäßige Rillenabstand 0,32 μm war, wurde beim Entfernen des Stempels gebildet.
Dann wurde das mit der ersten Zwischenschicht auf seiner Oberfläche ausgebildete Polycarbonatsubstrat in den Sputterapparat eingesetzt und eine zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 35 nm wurde durch den Sputterprozess unter Verwendung eines Mischtargets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und einem Target, bestehend aus Mg, gebildet.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung von ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der zweiten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel gemessen. Es wurde gefunden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 21,5 Atom-% Zn, 10,1 Atom-% Si, 20,8 Atom-% Mg, 20,1 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielt.
Dann wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine zweite Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet, und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 16 nm durch den Sputterprozess auf der zweiten Zwischenschicht gebildet.
Das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht war 0,46.
Schließlich wurde die dritte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung der Spinnbeschichtungsmethode mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines Ultraviolett-härtbaren Acrylharzes in einem Lösungsmittel gebildet wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, und die Beschichtungsschicht wurde mit ultravioletten Strahlen bestrahlt, wodurch das Ultraviolett-härtbare Acrylharz aushärtete, um eine Schutzschicht mit einer Dicke von 70 μm zu bilden.
Auf diese Weise wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #34 hergestellt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #35 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet wird, dass sie eine Dicke D3 von 19 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,54 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #36 in der weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 22 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,63 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #37 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 24 nm hatte, und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,69 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichprobe #1 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 10 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,29 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #2 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 13 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,37 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #3 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 27 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,77 war.
Dann wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #34 in das oben genannte Gerät zum Bewerten optischer Aufzeichnungsmedien eingestellt, und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht gemessen wurde.
Die Leistung des Laserstrahls war auf 1,0 mW eingestellt, und der Laserstrahl wurde unter Verwendung einer Objektivlinse mit einer numerischen Apertur von 0,85 auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht projiziert.
Der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 berechnet.
Ferner wurde die Differenz in den Reflexionskoeffizienten berechnet, indem man den minimalen Reflexionskoeffizienten unter den Reflexionskoeffizienten R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, dem Reflexionskoeffizienten R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und dem Reflexionskoeffizienten R2 der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #34 von dem maximalen Reflexionskoeffizienten unter diesen abzog.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 10 gezeigt.
Ähnlich wie oben wurden die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #35 bis #37 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #1 bis #3 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt, und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon berechnet wurde.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 10 gezeigt. Tabelle 10
Wie in Tabelle 10 gezeigt, ist gefunden worden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #34 bis #37 bei jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,40 bis 0,70 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 überstieg und ausreichend groß war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #34 bis #37 2,6 %, 0,5 %, 1,3 % bzw. 2,5 % waren, und niedriger als 3,0 %, und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #1 bis #3 in jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,40 bis 0,70 war, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #1 kleiner als 3 % war und die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #1 bis #3 6,5 %, 4,5 % bzw. 4,1 % waren und 3 % überstiegen. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Arbeitsbeispiel 11
Ein Polycarbonatsubstrat wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 hergestellt.
Dann wurde das Polycarbonatsubstrat in einen Sputterapparat eingesetzt und ein reflektierender Film, bestehend aus einer Legierung aus Ag, Pd und Cu und mit einer Dicke von 100 nm, ein zweiter dielektrischer Film, bestehend aus einer Mischung aus ZnS und SiO₂ und mit einer Dicke von 37 nm, ein erster Aufzeichnungsfilm, enthaltend Cu als eine primäre Komponente und mit einer Dicke von 5 nm, ein zweiter Aufzeichnungsfilm, enthaltend Si als eine primäre Komponente und mit einer Dicke von 5 nm und ein erster dielektrischer Film, enthaltend die Mischung aus ZnS und SiO₂, und mit einer Dicke von 20 nm wurden nacheinander auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats ausgebildet, auf der die Rillen und Grate gebildet wurden, indem der Sputterprozess verwendet wurde, wodurch eine erste Aufzeichnungsschicht auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats gebildet wurde.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung von ZnS und SiO₂, enthalten in der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht war 80:20.
Ferner wurde das Polycarbonatsubstrat, das mit der ersten Aufzeichnungsschicht auf seiner Oberfläche ausgebildet war, in ein Spinn-Beschichtungsgerät eingesetzt, und der dritte dielektrische Film wurde mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines Ultraviolett-härtbaren Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, während das Polycarbonatsubstrat rotierte. Dann wurde ein mit Rillen und Graten ausgebildeter Stempel auf der Oberfläche der Beschichtungsschicht angeordnet und die Oberfläche der Beschichtungsschicht wurde mit einem ultravioletten Strahl über den Stempel bestrahlt, wodurch das Ultraviolett-härtbare Acrylharz ausgehärtet wurde. Eine transparente Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm und ausgebildet mit Rillen und Graten auf seiner Oberfläche, so dass der regelmäßige Rillenabstand gleich 0,32 μm war, wurde beim Entfernen des Stempels gebildet.
Dann wurde das Polycarbonatsubstrat, das mit der ersten Aufzeichnungsschicht und der ersten Zwischenschicht auf seiner Oberfläche ausgebildet war, in den Sputterapparat eingesetzt und eine zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 35 nm wurde durch den Sputterprozess unter Verwendung eines Mischungstargets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und einem Target, bestehend aus Mg, gebildet.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung von ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der zweiten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 21,5 Atom-% Zn, 10,1 Atom-% Si, 20,8 Atom-% Mg, 20,1 Atom-% O und 27,5 Atom-% S enthielt.
Dann wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine zweite Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 17 nm durch den Sputterprozess auf der zweiten Zwischenschicht gebildet.
Das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht war 0,49.
Ferner wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine dritte Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine vierte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 15 nm durch den Sputterprozess auf der dritten Zwischenschicht gebildet.
Schließlich wurde die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung der Spinnbeschichtungsmethode mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines Ultraviolett-härtbaren Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, und die Beschichtungsschicht wurde mit ultravioletten Strahlen bestrahlt, wodurch das Ultraviolett-härtbare Acrylharz aushärtete, um eine Schutzschicht mit einer Dicke von 70 μm zu bilden.
Auf diese Weise wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #39 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 20 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,57 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #40 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 24 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,69 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #41 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 28 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,80 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #4 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 10 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,29 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #5 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 13 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,37 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #6 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 33 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,94 war.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 10 die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #38 bis #41 und die optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsbeispiele #4 bis #6 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon wurden berechnet.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 11 gezeigt. Tabelle 11
Wie in Tabelle 11 gezeigt, wurde in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und dem Target, bestehend aus Mg, gebildet wurden, herausgefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #38 bis #41 bei jeder, in der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,49 bis 0,70 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstieg und ausreichend groß war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in dem Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #38 bis #41 1,2 %, 0,1 %, 1,6 % bzw. 2,9 %, und niedriger als 3,0 %, waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #4 bis #6 bei jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,49 bis 0,70 war, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht einer jeden der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #4 und #5 niedriger als 3 % war, und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #4 und #6 4,2 % und 3,7 % waren und 3 % überschritten. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Arbeitsbeispiel 12
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #42 wurde in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #38 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so ausgebildet waren, dass die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht gleich 20 nm war und dass die Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht gleich 14 nm war.
Das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht war 0,40.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #43 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #42 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 15 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,43 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #44 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #42 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 19 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,54 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #7 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #42 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 10 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,29 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #8 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #42 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 25 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,71 war.
Dann wurden die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #42 bis #44 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #7 und #8 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung der optischen Aufzeichnungsmedien eingestellt, und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden, und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon wurde berechnet.
Die Ergebnisse der Messung der Berechnung sind in Tabelle 12 gezeigt. Tabelle 12
Wie in Tabelle 12 gezeigt, wurde in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung von ZnS und SiO₂, und dem Target, bestehend aus Mg, gebildet wurden, gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #42 bis #44 bei jeder davon, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,40 bis 0,54 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstieg und ausreichend hoch war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #42 bis #44 0,5 %, 0,3 % bzw. 2,5 %, und niedriger als 3,0 %, waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #7 und #8 bei jeder, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,40 bis 0,54 war, der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #7 niedriger war als 3 %, und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #8 5,6 war und 3 % überstieg. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander unterschiedlich waren.
Arbeitsbeispiel 13
Ähnlich dem Arbeitsbeispiel 11 wurde ein Polycarbonatsubstrat hergestellt und eine erste Aufzeichnungsschicht und eine erste Zwischenschicht wurden nacheinander auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats gebildet.
Dann wurde das mit der ersten Aufzeichnungsschicht und der ersten Zwischenschicht auf der seiner Oberfläche ausgebildete Polycarbonatsubstrat in die Sputterapparatur eingesetzt und eine zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 28 nm wurde durch den Sputterprozess unter Verwendung eines Mischtargets, bestehend aus der Mischung von ZnS und SiO₂, und einem Target, bestehend aus Al, gebildet.
Das Molverhältnis von ZnS zu SiO₂ in der Mischung von ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der zweiten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 22,2 Atom-% Zn, 9,8 Atom-% Si, 19,3 Atom-% Al, 19,6 Atom-% O und 29,1 Atom-% S enthielt.
Dann wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine zweite Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich zu der Weise der Bildung der Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 15 nm durch den Sputterprozess auf der zweiten Zwischenschicht gebildet.
Das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht war 0,54.
Ferner wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine dritte Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine vierte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 12 nm durch den Sputterprozess auf der dritten Zwischenschicht gebildet.
Schließlich wurde die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung der Spinnbeschichtungsmethode mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines Ultraviolett-härtbaren Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden, und die Beschichtungsschicht wurde mit ultravioletten Strahlen bestrahlt, wodurch das Ultraviolett-härtbare Acrylharz ausgehärtet wurde, um eine Schutzschicht mit einer Dicke von 70 μm zu bilden.
Auf diese Weise wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #45 hergestellt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #46 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #45 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so ausgebildet wurde, dass sie eine Dicke D3 von 18 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,64 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #47 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #45 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 22 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,79 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #9 auf die Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #45 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 10 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,36 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #10 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #45 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 27 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,96 war.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 10 die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #45 bis #47 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #9 und #10 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt, und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon wurde berechnet.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 13 gezeigt. Tabelle 13
Wie in Tabelle 13 gezeigt, wurde gefunden, dass in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht gebildet wurden unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und dem Target, bestehend aus Al, in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #45 bis #47 bei jeder, in der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,54 bis 0,79 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstieg und ausreichend hoch war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #45 bis #47 0,7 %, 0,8 % bzw. 2,4 %, und niedriger als 3,0 % waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #9 und #10 in jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,54 bis 0,79 war, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #9 niedriger als 3 % war und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #10 4,2 % war und 3 % überstieg. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Arbeitsbeispiel 14
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #48 wurde in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #45 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet waren, dass die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht gleich 16,4 nm war und die Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht gleich 11 nm war.
Das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht war 0,39.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #49 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #48 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 13 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,46 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #50 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #48 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 16 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon und der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,57 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #11 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #48 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, das sie eine Dicke D4 von 10 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,36 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #12 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #48 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 21 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,75 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibe-Vergleichsprobe #13 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #48 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 25 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,89 war.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 10 die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #48 bis #50 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #11 bis #13 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt, und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeder der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden, und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon wurde berechnet.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 14 gezeigt. Tabelle 14
Wie in Tabelle 14 gezeigt, wurde in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und dem Target, bestehend aus Al, gebildet wurden, gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #48 bis #50 in jeder, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,39 bis 0,57 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstiegen und ausreichend hoch waren. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #48 bis #50 0,7 %, 0,6 % bzw. 2,6 %, und niedriger als 3,0 %, waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #11 bis #13 in jeder, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,39 bis 0,57 war, der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #11, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #12 und der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #13 niedriger waren als 3 % und die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #12 und #13 5,6 % und 7,7 % waren und 3 % überstiegen. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Arbeitsbeispiel 15
Ähnlich dem Arbeitsbeispiel 11 wurde ein Polycarbonatsubstrat hergestellt und eine erste Aufzeichnungsschicht und eine erste Zwischenschicht wurden nacheinander auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrats ausgebildet.
Dann wurde das mit der ersten Aufzeichnungsschicht und der ersten Zwischenschicht auf seiner Oberfläche ausgebildete Polycarbonatsubstrat in die Sputterapparatur eingesetzt und eine zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 21,2 nm wurde durch den Sputterprozess unter Verwendung eines Mischtargets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und eines Targets, bestehend aus Zn, gebildet.
Das Molverhältnis von ZnS und SiO₂ in der Mischung von ZnS und SiO₂, enthalten in dem Target, war 80:20.
Die Zusammensetzung der zweiten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen und als ein Resultat enthielt die zweite Aufzeichnungsschicht 42, 1 Atom-% Zn, 9,7 Atom-% Si, 18,4 Atom-% O und 29,8 Atom-% S.
Dann wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine zweite Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 12 nm durch den Sputterprozess auf der zweiten Zwischenschicht gebildet.
Das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht war 0,57.
Ferner wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine dritte Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine vierte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 10,8 nm durch den Sputterprozess auf der dritten Zwischenschicht gebildet.
Schließlich wurde die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung der Spinnbeschichtmethode mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines Ultraviolett-härtenden Acrylharzes in einem Lösungsmittel gebildet wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden und die Beschichtungsschicht wurde mit ultravioletten Strahlen beschichtet, wodurch das Ultraviolett härtende Acrylharz aushärtete, um eine Schutzschicht mit einer Dicke von 70 μm zu bilden.
Auf diese Weise wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #51 hergestellt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #52 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #51 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D3 von 14 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,66 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #53 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #51 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D3 von 16 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,75 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #54 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #51 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D3 von 19 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,90 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #14 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #51 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D3 von 10 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,47 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungs-Vergleichsprobe #15 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #51 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 21 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,99 war.
Ferner wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 10 die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #51 bis #54 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #14 und #15 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon berechnet wurde.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 15 gezeigt. Tabelle 15
Wie in Tabelle 15 gezeigt, wurde in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht gebildet wurden unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und des Targets, bestehend aus Zn, gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #51 bis #54 in jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,57 bis 0,90 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstieg und ausreichend hoch war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #51 bis #54 1,2 %, 0,0 %, 1,1 % bzw. 2,8 %, und niedriger als 3,0 %, waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsbeispielen #14 und #15 in jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereichs von 0,57 bis 0,90 war, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #14 niedriger war als 3 % und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #15 3,8 % war und 3 % überstieg. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Arbeitsbeispiel 16
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #55 wurde in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #51 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht gleich 14 nm und dass die Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht gleich 9 nm war.
Das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #55 war 0,42.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #56 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #55 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 11 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,52 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #57 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #55 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D4 von 14,5 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,68 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #16 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #55 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D4 von 8 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,38 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #17 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #55 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 16 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,75 war.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 10 die optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #55 bis #57 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #16 und #17 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon berechnet wurde.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 16 gezeigt. Tabelle 16
Wie in Tabelle 16 gezeigt, wurde in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht gebildet wurden unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung von ZnS und SiO₂, und des Targets, bestehend aus Zn, gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #55 bis #57 in jeder, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,42 bis 0,68 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstieg und ausreichend groß war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #55 bis #57 1,3 %, 0,3 % bzw. 2,9 %, und niedriger als 3,0 %, waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #16 und #17 in jeder, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,42 bis 0,68 war, der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #16 niedriger war als 3 % und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #17 4,3 % war und 3 % überstieg. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Arbeitsbeispiel 17
Ähnlich dem Arbeitsbeispiel 11 wurde ein Polycarbonatsubstrat hergestellt und eine erste Aufzeichnungsschicht und eine erste Zwischenschicht wurden nacheinander auf der Oberfläche des Polycarbonatsubstrates ausgebildet.
Dann wurde das mit der ersten Aufzeichnungsschicht und der ersten Zwischenschicht auf seiner Oberfläche ausgebildete Polycarbonatsubstrat in den Sputterapparat eingesetzt und eine zweite Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 21,2 nm wurde durch Sputterprozess unter Verwendung eines Mischtargets, bestehend aus der Mischung aus SiO₂, Si₃N₄ und La₂O₃, und eines Targets, bestehend aus Mg, gebildet.
Das Molverhältnis von SiO₂, Si₃N₄ und La₂O₃, enthalten in dem Target, war 30:50:20.
Die Zusammensetzung der zweiten Aufzeichnungsschicht wurde ähnlich dem Arbeitsbeispiel 1 gemessen. Es wurde gefunden, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 6,2 Atom-% La, 24,1 Atom-% Si, 23,1 Atom-% Mg, 24,6 Atom-% O und 22,0 Atom-% N enthielt.
Dann wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine zweite Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich zu der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine dritte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 20 nm durch den Sputterprozess auf der zweiten Zwischenschicht gebildet.
Das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht war 0,50.
Ferner wurde ähnlich der Weise der Bildung der ersten Zwischenschicht auf der ersten Aufzeichnungsschicht eine dritte Zwischenschicht mit einer Dicke von 15 μm durch den Sputterprozess auf der zweiten Aufzeichnungsschicht gebildet und ähnlich der Weise der Bildung der zweiten Aufzeichnungsschicht auf der ersten Zwischenschicht wurde eine vierte Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von 19 nm durch den Sputterprozess auf der dritten Zwischenschicht gebildet.
Schließlich wurde die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung der Spinnbeschichtungsmethode mit einer Harzlösung beschichtet, die durch Lösen eines Ultraviolett-härtbaren Acrylharzes in einem Lösungsmittel hergestellt wurde, um eine Beschichtungsschicht zu bilden und die Beschichtungsschicht wurde mit ultravioletten Strahlen bestrahlt, wodurch das Ultraviolett-härtbare Acrylharz aushärtete, um eine Schutzschicht mit einer Dicke von 70 μm zu bilden.
Auf diese Weise wurde die optische Aufzeichnungsscheibenprobe #58 hergestellt.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #59 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #58 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 25 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon und der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,63 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsprobe #60 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #58 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 30 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,75 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #61 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #58 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 37 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,93 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #18 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #58 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 13 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,33 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #19 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #58 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D3 von 42 nm hatte und das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 davon zu der Dicke 2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 1,05 war.
Ferner wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 10 die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #58 bis #61 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #18 und #19 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden der Proben projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon wurde berechnet.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 17 gezeigt. Tabelle 17
Wie in Tabelle 17 gezeigt, wurde in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht gebildet wurden unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung aus SiO₂, Si₃N₄ und La₂O₃, und des Targets, bestehend aus Mg, gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #58 bis #61 in jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke der D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,50 bis 0,95 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstieg und ausreichend hoch war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #58 bis #61 1,2 %, 0,3 %, 1,6 % bzw. 2,9 % und niedriger als 3,0 %, waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #18 und #19 in jeder, bei der das Verhältnis D3/D2 der Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,50 bis 0,95 war, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #18 niedriger war als 3 % und die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #18 und #19 3,5 % waren und 3,4 % überstiegen. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Arbeitsbeispiel 18
Eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #62 wurde in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #58 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurden, dass die Dicke D3 der dritten Aufzeichnungsschicht gleich 24 nm war und die Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht gleich 16 nm war.
Das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #62 war 0,40.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #63 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #62 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 19 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,48 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #64 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #62 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet war, dass sie eine Dicke D4 von 22 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,55 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheibenprobe #65 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #62 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D4 von 26 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,65 war.
Ferner wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #20 in der Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #62 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D4 von 13 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,33 war.
Dann wurde eine optische Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #21 auf die Weise der Herstellung der optischen Aufzeichnungsscheibenprobe #62 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet wurde, dass sie eine Dicke D4 von 30 nm hatte und das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 davon zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,75 war.
Dann wurden ähnlich dem Arbeitsbeispiel 10 die optischen Aufzeichnungsscheibenproben #62 bis #65 und die optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #20 und #21 nacheinander in das oben genannte Gerät zur Bewertung optischer Aufzeichnungsmedien eingesetzt, und ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 405 nm wurde auf die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht einer jeden Probe projiziert, wodurch der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht davon gemessen wurden und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten davon berechnet wurde.
Die Ergebnisse der Messung und der Berechnung sind in Tabelle 18 gezeigt. Tabelle 18
Wie in Tabelle 18 gezeigt, wurde, in dem Fall, wo die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht unter Verwendung des Targets, bestehend aus der Mischung aus SiO₂, Si₃N₄ und La₂O₃, und des Targets, bestehend aus Mg, gebildet wurden, gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheibenproben #62 bis #65 in jeder, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,40 bis 0,65 war, der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe 3 % überstieg und ausreichend hoch war. Ferner wurde gefunden, dass die Differenzen in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheibenproben #62 bis #65 1,2 %, 0,1 %, 1,3 % bzw. 2,9 % und niedriger als 3,0 % waren und dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht einer jeden optischen Aufzeichnungsscheibenprobe im Wesentlichen einander gleich waren.
Im Gegensatz dazu wurde gefunden, dass in den optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsproben #20 und #21 in jeder, bei der das Verhältnis D4/D2 der Dicke D4 der vierten Aufzeichnungsschicht zu der Dicke D2 der zweiten Aufzeichnungsschicht außerhalb des Bereiches von 0,40 bis 0,65 war, der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #20 niedriger als 3 % war und die Differenz in den Reflexionskoeffizienten der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe #21 4,2 % war und 3 % überstieg. Deshalb wurde gefunden, dass der Reflexionskoeffizient R0 der ersten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R1 der zweiten Aufzeichnungsschicht, der Reflexionskoeffizient R2 der dritten Aufzeichnungsschicht und der Reflexionskoeffizient R3 der vierten Aufzeichnungsschicht der optischen Aufzeichnungsscheiben-Vergleichsprobe voneinander verschieden waren.
Die vorliegende Erfindung ist somit in Verbindung mit spezifischen Ausführungsformen und Arbeitsbeispielen gezeigt und beschrieben worden. Es sollte jedoch bemerkt werden, dass die vorliegende Erfindung in keiner Weise auf die Einzelheiten der beschriebenen Anordnungen beschränkt ist, jedoch Änderungen und Modifizierungen durchgeführt werden können, ohne vom Umfang der beigefügten Ansprüche abzuweichen.
Zum Beispiel wird in den oben beschrieben Ausführungsformen sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa dem Sputterprozess, gebildet, indem man ein Target, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂ und ein Target, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, verwendet. Es ist jedoch nicht absolut notwendig, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa dem Sputterprozess, unter Verwendung eines Targets, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und eines Targets, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, gebildet wird, und sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 können gebildet werden durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa dem Sputterprozess, unter Verwendung eines Targets, enthaltend eine Mischung von ZnS und SiO₂, als eine primäre Komponente, und eines Targets, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als eine primäre Komponente.
Ferner wird in den oben beschriebenen Ausführungsformen sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa einem Sputterprozess, gebildet, indem man ein Target, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und ein Target, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, verwendet, und als ein Ergebnis enthält sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 Zn, Si, O und S als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti als ein Additiv. Es ist jedoch absolut nicht notwendig, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa dem Sputterprozess, gebildet werden, indem man ein Target, bestehend aus der Mischung aus ZnS und SiO₂, und ein Target, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, verwendet und sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 können durch einen Gasphasenwachstumsprozess, wie etwa dem Sputterprozess, gebildet werden, indem man ein Target, bestehend aus einer Mischung aus La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ als eine primäre Komponente, und ein Target, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als eine primäre Komponente, verwendet. In dem Fall, wo sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 auf diese Weise gebildet werden, enthält sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 La, Si, O und S als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als Additiv.
Obwohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 die gleiche Zusammensetzung haben, ist es weiterhin ausreichend, dass die Differenzen in den Anteilen eines Metalls, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Zn, Si, O und S, gleich oder kleiner als 5 Atom-% sind, und es ist absolut nicht notwendig, dass die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 die gleiche Zusammensetzung haben.
Obwohl sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 des optischen Aufzeichnungsmediums 10 Zn, Si, O und Z als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv in der Ausführungsform, die in den 1 und 2 gezeigt ist, enthält, ist es ferner absolut nicht notwendig, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30 als auch die dritte Aufzeichnungsschicht 40 des optischen Aufzeichnungsmediums Zn, Si, O und S als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthält. Es ist ausreichend, dass wenigstens eine der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und der dritten Aufzeichnungsschicht 40 des optischen Aufzeichnungsmediums 10 wenigstens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und ein Element X enthält, das mit dem Metall M beim Bestrahlen mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombiniert, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird und wenigstens eine der zweiten Aufzeichnungsschicht 30 und der dritten Aufzeichnungsschicht 40 des optischen Aufzeichnungsmediums 10 kann wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und wenigstens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus S, O, C und N, als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv, enthalten.
Obwohl sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 100 Zn, Si, O und S als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv in dem in den 12 und 13 gezeigten Ausführungsbeispiel enthält, ist es absolut nicht nötig, dass sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 100 Zn, Si, O und S als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthält. Es reicht aus, dass wenigstens eine der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und der vierten Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 100 wenigstens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und einem Element X besteht, das mit dem Metall M beim Bestrahlen mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird, und wenigstens eine der zweiten Aufzeichnungsschicht 30, der dritten Aufzeichnungsschicht 40 und der vierten Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 100 kann wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und wenigstens ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus S, O, C und N, als primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als ein Additiv enthält.
Obwohl sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 gebildet wird unter Verwendung eines Targets, bestehend aus wenigstens einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, kann sowohl die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 als auch die vierte Aufzeichnungsschicht 50 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 in den oben beschriebenen Ausführungsformen außerdem gebildet werden, indem ein Target, enthaltend Zn oder La, als eine primäre Komponente verwendet wird.
Obwohl die erste Aufzeichnungsschicht 20 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 den ersten Aufzeichnungsfilm 23a, enthaltend Cu als eine primäre Komponente, und den zweiten Aufzeichnungsfilm 23b, enthaltend Si als eine primäre Komponente, einschließt, ist es in den oben beschriebenen Ausführungsformen ferner nicht absolut notwendig, dass die erste Aufzeichnungsschicht 20 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 den ersten Aufzeichnungsfilm 23a, enthaltend Cu als eine primäre Komponente, und den zweiten Aufzeichnungsfilm 23b, enthaltend Si als eine primäre Komponente, einschließt. Die erste Aufzeichnungsschicht 20 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 kann so gebildet werden, dass sie wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und aus wenigstens einem Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus S, O, C und N, als eine primäre Komponente und wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Mg, Al und Ti, als Additiv enthält, und ferner kann die erste Aufzeichnungsschicht 20 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 so gebildet werden, dass sie wenigstens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La, und ein Element X enthält, das mit dem Metall M bei der Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird.
Obwohl die erste Aufzeichnungsschicht 20 des optischen Aufzeichnungsmediums 10, 100 den ersten Aufzeichnungsfilm 23a, enthaltend Cu als eine primäre Komponente, und den zweiten Aufzeichnungsfilm 23b, enthaltend Si als eine primäre Komponente, einschließt, kann anstelle der ersten Aufzeichnungsschicht 20 das Trägersubstrat 11 oder die erste Zwischenschicht 12 als eine Aufzeichnungsschicht genutzt werden, die dazu ausgelegt ist, nur das Auslesen von Daten durch die Bildung von Löchern auf der Oberfläche des Trägersubstrats 11 oder der ersten Zwischenschicht 12 und das Aufzeichnen von Daten darin zu ermöglichen.
Obwohl das optische Aufzeichnungsmedium 10, 100 die Lichttransmissionsschicht 15 einschließt, kann darüber hinaus in den oben beschriebenen Ausführungsformen anstelle der Lichttransmissionsschicht 15 eine Hartbeschichtungsschicht, enthaltend eine harte Beschichtungszusammensetzung, als eine primäre Komponente gebildet werden oder eine Hartbeschichtungsschicht, enthaltend eine Hartbeschichtungszusammensetzung, als eine primäre Komponente, kann auf der Lichttransmissionsschicht ausgebildet werden. Ferner ist es möglich, ein Gleitmittel der Hartbeschichtungsschicht zuzugeben oder eine Schmiermittelschicht auf der Hartbeschichtungsschicht auszubilden, wodurch verursacht wird, dass die Oberfläche des optischen Aufzeichnungsmediums eine Schmierungseigenschaft und eine Beständigkeit gegenüber Verunreinigung besitzt.
Obwohl der Laserstrahl L über die Lichttransmissionsschicht 15 auf die erste Aufzeichnungsschicht 20, die zweite Aufzeichnungsschicht 30 und die dritte Aufzeichnungsschicht 40 in der in den 1 und 2 gezeigten Ausführungsform projiziert wird und der Laserstrahl L über die Lichttransmissionsschicht 15 auf die erste Aufzeichnungsschicht 20, die zweite Aufzeichnungsschicht 30, die dritte Aufzeichnungsschicht 40 und die vierte Aufzeichnungsschicht 50 projiziert wird, ist ferner die vorliegende Erfindung nicht auf ein optisches Aufzeichnungsmedium beschränkt, das eine solche Konfiguration hat, und das optische Aufzeichnungsmedium kann zwei oder mehr Aufzeichnungsschichten zwischen einem aus einem lichtdurchlässigen Material gebildeten Substrat und einer Schutzschicht einschließen und kann so aufgebaut sein, dass ein Laserstrahl L auf die Aufzeichnungsschichten über das Substrat projiziert wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein optisches Aufzeichnungsmedium bereitzustellen, das eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten einschließt und wobei Daten in einer von der Lichteinfallsebene am entferntesten liegenden Aufzeichnungsschicht auf eine gewünschte Weise aufgezeichnet und daraus ausgelesen werden können und Daten in einer Aufzeichnungsschicht bzw. in Aufzeichnungsschichten auf eine gewünschte Weise aufgezeichnet und daraus ausgelesen werden können, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist.

Claims

Optisches Aufzeichnungsmedium, das ein Substrat und eine Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten umfaßt, die zumindest über Zwischenschichten laminiert sind, wobei mindestens eine der Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden ist, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element x enthält, das mit dem Metall M nach Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 1, worin alle Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element X enthalten, das mit dem Metall M nach Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 1, worin alle Aufzeichnungsschichten, die von derjenigen Aufzeichnungsschicht verschieden sind, die von der Lichteinfallsebene am weitesten entfernt ist, aus der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten mindestens ein Metall M, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und ein Element X enthalten, das mit dem Metall M nach Bestrahlung mit einem Laserstrahl zur Datenaufzeichnung kombinieren kann, wodurch ein Kristall einer Verbindung des Elements X mit dem Metall M gebildet wird, und auf solche Weise gebildet sind, daß die Aufzeichnungsschichten näher zur Lichteinfallsebene dünner sind.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 3, das eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht und eine dritte Aufzeichnungsschicht auf dem Substrat in dieser Reihenfolge umfaßt, worin die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht und die dritte Aufzeichnungsschicht so gebildet sind, daß die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 15 nm bis 50 nm hat und das Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zur Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,40 bis 0,70 ist.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 3, das eine erste Aufzeichnungsschicht, eine zweite Aufzeichnungsschicht, eine dritte Aufzeichnungsschicht und eine vierte Aufzeichnungsschicht auf dem Substrat in dieser Reihenfolge umfaßt, worin die erste Aufzeichnungsschicht, die zweite Aufzeichnungsschicht, die dritte Aufzeichnungsschicht und die vierte Aufzeichnungsschicht so gebildet sind, daß die zweite Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 20 nm bis 50 nm hat, das Verhältnis der Dicke der dritten Aufzeichnungsschicht zur Dicke der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,48 bis 0,93 ist und das Verhältnis der Dicke der vierten Aufzeichnungsschicht zu derjenigen der zweiten Aufzeichnungsschicht 0,39 bis 0,70 ist.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, worin das Element X aus mindestens einem Element besteht, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus S, O, C und N besteht.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, worin mindestens eine Aufzeichnungsschicht, die das Metall M und das Element X enthält, darüber hinaus mindestens ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Mg, Al und Ti besteht.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 7, worin die Aufzeichnungsschicht, die mindestens ein Metall, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und mindestens ein Element als primäre Komponente enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus S, O, C und N besteht, und der mindestens ein Metall zugegeben ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Mg, Al und Ti besteht, durch einen Gasphasenwachstumsprozeß gebildet wird, der ein Target, das mindestens ein Metall, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und mindestens ein Element als primäre Komponente enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus S, O, C und N besteht, und ein Target verwendet, das mindestens ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Mg, Al und Ti als primäre Komponente besteht.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 8, worin die Aufzeichnungsschicht, die mindestens ein Metall, das aus der Gruppe ausgewählt, die aus Ni, Cu, Si, Ti, Ge, Zr, Nb, Mo, In, Sn, W, Pb, Bi, Zn und La besteht, und mindestens einem Element als primäre Komponente enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus S, O, C und N besteht, und der mindestens ein Metall zugegeben ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Mg, Al und Ti besteht, durch einen Gasphasenwachstumsprozeß gebildet wird, der ein Target, das eine Mischung aus ZnS und SiO₂ oder eine Mischung aus La₂O₃, SiO₂ und Si₃N₄ als primäre Komponente enthält, und ein Target verwendet, das mindestens ein Metall als primäre Komponente enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Mg, Al und Ti als primäre Komponente besteht.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 1, worin die Aufzeichnungsschicht, die von der Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten am weitesten von der Lichteinfallsebene entfernt ist, einen ersten Aufzeichnungsfilm, der Cu als primäre Komponente enthält, und einen zweiten Aufzeichnungsfilm einschließt, der Si als primäre Komponente enthält.
Optisches Aufzeichnungsmedium gemäß Anspruch 1, worin die Mehrzahl von Aufzeichnungsschichten so aufgebaut sind, daß unter Verwendung eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge von 380 nm bis 450 nm Daten darin aufgezeichnet werden können und Daten daraus wiedergegeben werden können.