DE602004006904T2

DE602004006904T2 - Neue Wismut-Verbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Films

Info

Publication number: DE602004006904T2
Application number: DE602004006904T
Authority: DE
Inventors: Taishi Furukawa; Noriaki Oshima; Kenichi Sekimoto
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 2003-04-08
Filing date: 2004-04-05
Publication date: 2008-02-14
Anticipated expiration: 2024-04-06
Also published as: DE602004006904D1; KR100721365B1; TWI272275B; CN1539841A; KR20040087881A; TW200504086A; US6916944B2; EP1466918A1; CN100417656C; EP1466918B1; US20040204483A1

Description

BEREICH DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Wismutverbindung, die zum Bilden eines Wismut enthaltenden Films durch das Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD-Verfahren) oder dergleichen verwendbar ist und stabil zugeführt werden kann, ein Verfahren zur Herstellung der Wismutverbindung und ein Verfahren zum Herstellen eines Films.
BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
Derzeit wird DRAM hauptsächlich als Halbleiterspeicher verwendet. DRAM speichert elektrisch Daten und folglich, wenn eine Energiequelle abgetrennt wird, gehen die gespeicherten Daten verloren. Dann wurde die Verwendung von FeRAM untersucht, welches dazu fähig ist, gespeicherte Daten zu halten, selbst nachdem eine Energiequelle abgetrennt wurde. Ebenso wird erwartet, FeRAM für IC-Karten und dergleichen anzuwenden.
In einer FeRAM-Vorrichtung wird ein ferroelektrisches Material als Kondensator verwendet. Da mit Wismutschichten strukturierte Ferroelektrika (BLSF) (zum Beispiel SBT (SrBi₂Ta₂O₉), BIT (Bi₄Ti₃O₁₂), BLT (Bi_4–xLa_xTi₃O₁₂) und BNT (Bi_4–xNd_xTi₃O₁₂)) und PZT (PbZr_xTi_1–xO₃) exzellente ferroelektrische Eigenschaften zeigen, werden diese eifrig als Materialkandidaten untersucht. Da unter diesen PZT Blei enthält, ist es vom Umweltstandpunkt aus nicht gewünscht. Demzufolge sind die BLSF die Wahrscheinlichsten.
Als Verfahren zum Bilden solcher ferroelektrischer dünner Filme in einem hochgradig integrierten Speicher ist das CVD-Verfahren von den Standpunkten der exzellenten Stufenbedeckungseigenschaft und Kontrollierbarkeit der Zusammensetzung optimal.
Bislang wurde Triphenyl-Wismut hauptsächlich als Wismutverbindung in dem CVD-Verfahren untersucht. Nicht nur ist Triphenyl-Wismut stabil in Luft, so dass es leicht zu handhaben ist, sondern zeigt es ebenso eine ausreichende Verdampfungscharakteristik. Demzufolge wurde Triphenyl-Wismut vom Beginn der Untersuchungen der Filmbildung von Wismut enthaltenen Filmen an durch das CVD-Verfahren verwendet. Ebenso wurden Tri(2-tolyl)-Wismut und Tri(3-tolyl)-Wismut als Triaryl-Wismutverbindung, Tri(tert-butoxy)-Wismut und Tri(tert-amyloxy)-Wismut als Trialkoxy-Wismutverbindung und Tri(dipivaloylmethanato)-Wismut [Bi(DPM)₃] als Tri(β-diketonato)-Wismutverbindung untersucht (siehe zum Beispiel JP-A-5-271940 , JP-A-3-330304 und JP-A-8-339716 ). Diese Verbindungen verursachen jedoch Probleme bezüglich der Reaktivität mit Wasser und/oder der Verdampfungscharakteristik. Ebenso ist Trimethyl-Wismut eine Wismutverbindung mit guter Verdampfungscharakteristiken und mit Eigenschaften, die für das CVD-Verfahren geeignet sind. Da diese Verbindung jedoch beim Aufheizen oder bei Stoß explosionsgefährlich ist, ist ihre Handhabung sehr schwierig.
Ein Diaryl(2-(N,N-dimethylaminoalkyl)phenyl)-Wismut wird in der Lösung als Reaktionszwischenstufe von chiralen Wismutverbindungen hergestellt, wurde aber bislang nicht isoliert, und seine physikalischen Eigenschaften wurden bislang noch nicht geklärt (siehe zum Beispiel J. Chem. Soc. Perkin Trans., 1, 2969(1993)).
Da es in dem CVD-Verfahren notwendig ist, den Präkursor der dünnen Filme als Gas zuzuführen, wird ein Verfahren, in welchem der Präkursor durch Aufheizen eines mit dem Präkursor befüllen Gefäßes vergast wird, weitgehend untersucht. Da Triphenyl-Wismut jedoch keine ausreichende thermische Stabilität aufweist und Wärmezersetzung in dem Gefäß hervorruft, wird auf ein Problem gestoßen, dass sich die Konzentration des Präkursorgases ändert, so dass eine konstante Menge des Präkursors nicht zugeführt werden kann. In Bezug auf dieses Problem, sind Wismutverbindungen erwünscht, die leichter als Triphenyl-Wismut vergast werden und ohne das Hervorrufen von Wärmezersetzung zugeführt werden können, oder Wismutverbindungen, die bezüglich der thermischen Stabilität dem Triphenyl-Wismut überlegen sind und eine ausreichende Verdampfungscharakteristik aufweisen.
Als Wismutverbindungen mit exzellenter Verdampfungscharakteristik ist Trimethyl-Wismut bekannt. Wie jedoch vorher beschrieben wurde, ist Trimethyl-Wismut bei Hitze explosionsgefährlich, und es kann folglich nicht gesagt werden, dass diese Verbindung ein bevorzugtes Material ist. Andererseits ist als Wismutverbindungen, die versuchen, die thermische Stabilität zu verbessern, Tri(2-tolyl)-Wismut bekannt (siehe zum Beispiel JP-A-5-271940 und Bulletin of the Chemical Society of Japan, Nr. 1, 45 (1999)). Bei Tri(2-tolyl)-Wismut gibt es jedoch keinen bemerkenswerten Unterschied zwischen der Verdampfungstemperatur und der thermischen Zersetzungstemperatur, so dass auf ein Problem gestoßen wird, dass die Temperatursteuerung bei der Filmbildung schwierig ist.
Als Verfahren zur Vergasung des Präkursors in dem CVD-Verfahren wird ein Verfahren des Blasenbildens eines Inertgases in einem flüssigen Präkursor oder in einer Lösung eines Präkursors zum Vergasen des Präkursors (Blasenbildungsverfahren), oder ein Verfahren des Einspritzens einer Lösung eines Präkursors, der in einem Lösungsmittel gelöst wurde, in einen Inertgasstrom zum Vergasen des Präkursors (Einspritzverfahren) weitgehend angewendet. Gemäß des Blasenbildungsverfahrens muss, da der Präkursor in dem flüssigen Zustand verwendet wird, ein fester Präkursor einmal geschmolzen werden, so dass dieser schwierig zu handhaben ist. Präkursoren, die bei Raumtemperatur flüssig sind, sind bevorzugt. Andererseits muss, in dem Fall, in dem das Einspritzverfahren angewendet wird, der Präkursor gleichmäßig in dem Lösungsmittel aufgelöst werden, und folglich sind flüssige Präkursoren bevorzugt.
ZUSAMMENFASSUNG DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine neue Wismutverbindung mit exzellenter Verdampfungscharakteristik zur Verfügung zu stellen. Zudem ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren der Herstellung der Wismutverbindung und ein Verfahren der Herstellung eines Films bei der Filmbildung durch das CVD-Verfahren zur Verfügung zu stellen. Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine neue Wismutverbindung mit ausreichender Verdampfungscharakteristik und exzellenter thermischer Stabilität sowie ein Verfahren der Herstellung derselben zur Verfügung zu stellen.
Unter diesen Umständen haben die gegenwärtigen Erfinder ausgedehnte und intensive Untersuchungen vorgenommen. Als Ergebnis wurde gefunden, dass gemäß der vorliegenden Erfindung dieser Anmeldung die vorhergehenden Ziele durch eine Wismutverbindung erreicht werden können, die eine nieder molekulargewichtige Alkylgruppe und eine Arylgrupe mit einem Substituenten mit einer koordinierenden Fähigkeit enthält, was zum Abschluss der vorliegenden Erfindung führt.
Speziell befasst sich die vorliegende Erfindung dieser Anmeldung mit einer Wismutverbindung, welche durch die folgende Formel 1 dargestellt wird:
wobei R¹ eine niedere Alkylgruppe darstellt; R² eine niedere Alkylgruppe, eine niedere Alkoxygruppe, eine niedere Acylgruppe, eine niedere Alkoxycarbonylgruppe, eine niedere halogenierte Alkylgruppe oder ein Halogen darstellt; n¹ die Anzahl der Substituenten R² in dem Bereich von 0 bis 4 darstellt; und R³ bis R⁶ jeweils Wasserstoff, eine niedere Alkylgruppe oder eine niedere halogenierte Alkylgruppe darstellen.
Ebenso befasst sich die vorliegende Erfindung mit einem Verfahren der Herstellung der Wismutverbindung, welche durch die Formel 1 dargestellt wird, welches das Reagieren eines monoaryl-dihalogenierten Wismut umfasst, welches durch die folgende Formel 2 dargestellt wird:
wobei R², n¹ und R³ bis R⁶ die gleichen wie vorstehend definiert sind; und Z¹ ein Halogen darstellt, mit einem R¹ konvertierenden Reagenz, wobei R¹ das gleiche wie vorstehend definiert ist.
Ferner befasst sich die vorliegende Erfindung mit einem Verfahren der Herstellung der Wismutverbindung, welche durch die Formel 1 dargestellt wird, welches das Reagieren eines dialkyl-monohalogenierten Wismut umfasst, das durch die folgende Formel 3 dargestellt wird:
wobei R¹ und Z¹ die gleichen wie vorstehend definiert sind,
mit einem Arylierungsreagenz, das durch die folgende Formel 4 dargestellt wird:
wobei R², n¹ und R³ bis R⁶ die gleichen wie vorstehend definiert sind; und Q¹ eines von Lithium, Natrium, Kalium, MgCl, MgBr oder MgI darstellt.
Ebenso befasst sicht die vorliegende Erfindung mit einem Verfahren der Herstellung eines Wismut enthaltenden Films, welches das Unterziehen der Wismutverbindung, welche durch die Formel 1 dargestellt wird, als Präkursor unter eine chemische Gasphasenabscheidung auf ein Trägermaterial umfasst, um einen Wismut enthaltenden Film zu bilden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine graphische Darstellung, die eine TG-Kurve von Beispiel 2 zeigt.
2 ist eine graphische Darstellung, die eine DSC-Kurve von Beispiel 3 zeigt.
3 ist eine graphische Darstellung, die eine TG-Kurve von Vergleichsbeispiel 1 zeigt.
4 ist eine graphische Darstellung, die eine DSC-Kurve von Vergleichsbeispiel 2 zeigt.
5 ist eine Ansicht, welche ein CVD-Gerät zeigt, das in Beispiel 4 verwendet wird.
6 ist eine Ansicht, welche ein CVD-Gerät zeigt, das in Beispiel 5 angewendet wird.
In den Zeichnungen werden folgende Bezugszeichen verwendet:

1: Gefäß
2: Thermostat
3: Reaktionskammer
4: Trägermaterial
5: Reaktionsgas
6: Verdünnungsgas
7: Trägergas
8: Massenflusssteuerung
9: Massenflusssteuerung
10: Massenflusssteuerung
11: Vakuumpumpe
12: Abgas
13: Gefäß für den Wismutpräkursor
14: Gefäß für den Titanpräkursor
15: Thermostat
16: Thermostat
17: Reaktionskammer
18: Trägermaterial
19: Reaktionsgas
20: Verdünnungsgas
21: Trägergas
22: Trägergas
23: Massenflusssteuerung
24: Massenflusssteuerung
25: Massenflusssteuerung
26: Massenflusssteuerung
27: Vakuumpumpe
28: Abgas

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend im größeren Detail beschrieben.
Der Ausdruck „nieder", wie der in der vorliegenden Erfindung und den Ansprüchen verwendet wird, bedeutet einen, welcher eine lineare, verzweigte oder zyklische Kohlenwasserstoffgruppe mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen in der in diesem Ausdruck angegebenen Gruppe enthält, wenn nicht anderes angezeigt ist.
Zunächst wird die vorliegende Erfindung dieser Anmeldung beschrieben.
In der vorliegenden Erfindung stellt R¹ eine niedere Alkylgruppe dar; R² stellt eine niedere Alkylgruppe, eine niedere Alkoxygruppe, eine niedere Acylgruppe, eine niedere Alkoxycarbonylgruppe, eine niedere halogenierte Alkylgruppe oder ein Halogen dar; n¹ stellt die Anzahl der Substituenten R² in dem Bereich von 0 bis 4 dar; und R³ bis R⁶ stellen jeweils Wasserstoff, eine niedere Alkylgruppe oder eine niedere halogenierte Alkylgruppe dar.
Der Fall, in dem n¹ 3 oder weniger ist, bedeutet, dass die Wasserstoffe der Anzahl von (4–n¹) an den aromatischen Ring gebunden sind. Wenn die Verbindungen der Formel 1 hieraus gemacht sind unter Bezug, bedeutet der Fall, in dem n¹ 0 ist, R³ und R⁴ jeweils Wasserstoff darstellen, und R⁵ und R⁶ jeweils eine Methylgruppe darstellen, dass eine 2-(N,N-Dimethylaminomethyl)phenyl-Gruppe an das Wismut gebunden ist; und bedeutet der Fall, in dem n¹ 1 ist, R² eine Methylgruppe darstellt und R³ bis R⁹ die gleichen wie vorstehend definiert sind, dass eine der Gruppen
2-(N,N-Dimethylaminomethyl)-3-tolyl,
2-(N,N-Dimethylaminomethyl)-4-tolyl,
2-(N,N-Dimethylaminomethyl)-5-tolyl und
2-(N,N-Dimethylaminomethyl)-6-tolyl jeweils an Wismut gebunden ist.
Beispiele der niederen Alkylgruppe, welche durch R¹ dargestellt wird, schließen eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine n-Propylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine n-Butylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine sec-Butylgruppe, eine tert-Butylgruppe, eine Pentylgruppe, eine Isopentylgruppe, eine Neopentylgruppe, eine tert-Pentylgruppe, eine 1--Methylbutylgruppe, eine 2-Methylbutylgruppe, eine 1,2-Dimethylpropylgruppe, eine Hexylgruppe, eine Isohexylgruppe, eine 1-Methylpentylgruppe, eine 1-Methylpentylgruppe, eine 3-Methylpentylgruppe, eine 1,1-Dimethylbutylgruppe, eine 2,2-Dimethylbutylgruppe, eine 1,3-Dimethylbutylgruppe, eine 2,3-Dimethylbutylgruppe, eine 3,3-Dimethylbutylgruppe, eine 1-Ethylbutylgruppe, eine 2-Ethylbutylgruppe, eine 1,1,2-Trimethylpropylgruppe, eine 1,2,2-Trimethylpropylgruppe, eine 1-Ethyl-1-methylpropylgruppe, eine 1-Ethyl-2-methylpropylgruppe, eine Cyclopropylgruppe, eine Cyclobutylgruppe, eine Cyclopentylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine Cyclopropylmethylgruppe, eine Cyclopropylethylgruppe und eine Cyclobutylmethylgruppe ein.
Beispiele der niederen Alkylgruppe, welche durch R² dargestellt wird, schließen eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine n-Propylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine n-Butylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine sec-Butylgruppe, eine tert-Butylgruppe, eine Pentylgruppe, eine Isopentylgruppe, eine Neopentylgruppe, eine tert-Pentylgruppe, eine 1-Methylbutylgruppe, eine 2-Methylbutylgruppe, eine 1,2-Dimethylpropylgruppe, eine Hexylgruppe, eine Isohexylgruppe, eine 1-Methylpentylgruppe, eine 2-Methylpentylgruppe, eine 3-Methylpentylgruppe, eine 1,1-Dimethylbutylgruppe, eine 2,2-Dimethylbutylgruppe, eine 1,3-Dimethylbutylgruppe, eine 2,3-Dimethylbutylgruppe, eine 3,3-Dimethylbutylgruppe, eine 1-Ethylbutylgruppe, eine 2-Ethylbutylgruppe, eine 1,1,2-Trimethylpropylgruppe, eine 1,2,2-Trimethylpropylgruppe, eine 1-Ethyl-1-methylpropylgruppe, eine 1-Ethyl-2-methylpropylgruppe, eine Cyclopropylgruppe, eine Cyclobutylgruppe, eine Cyclopentylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine Cyclopropylmethylgruppe, eine Cyclopropylethylgruppe und eine Cyclobutylmethylgruppe ein.
Beispiele der niederen Alkoxygruppe, welche durch R² dargestellt wird, schließen eine Methoxygruppe, eine Ethoxygruppe, eine Propoxygruppe, eine Isopropoxygruppe, eine Butoxygruppe, eine Isobutoxygruppe, eine sec-Butoxygruppe, eine tert-Butoxygruppe, eine Pentyloxygruppe, eine 1-Methylbutyloxygruppe, eine 2-Methylbutyloxygruppe, eine 3-Methylbutyloxygruppe, eine 1,2-Dimethylpropyloxygruppe, eine Hexyloxygruppe, eine 1--Methylpentyloxygruppe, eine 1-Ethylpropyloxygruppe, eine 2-Methylpentyloxygruppe, eine 3-Methylpentyloxygruppe, eine 4-Methylpentyloxygruppe, eine 1,2--Dimethylbutyloxygruppe, eine 1,3-Dimethylbutyloxygruppe, eine 2,3-Dimethylbutyloxygruppe, eine 1,1-Dimethylbutyloxygruppe, eine 2,2-Dimethylbutyloxygruppe und eine 3,3-Dimethylbutyloxygruppe ein.
Beispiele der niederen Acylgruppe, welche durch R² dargestellt wird, schließen eine Formylgruppe, eine Acetylgruppe, eine Propionylgruppe, eine Butyrylgruppe, eine Isobutyrylgruppe, eine Valerylgruppe, eine 1-Methylpropylcarbonylgruppe, eine Isovalerylgruppe, eine Pentylcarbonylgruppe, eine 1-Methylbutylcarbonylgruppe, eine 2-Methylbutylcarbonylgruppe, eine 3-Methylbutylcarbonylgruppe, eine 1-Ethylpropylcarbonylgruppe und eine 2-Ethylpropylcarbonylgruppe ein. Beispiele der niederen Alkoxycarbonylgruppe, welche durch R² dargestellt wird schließen ein Methoxycarbonylgruppe, eine Ethoxycarbonylgruppe, eine Propoxycarbonylgruppe, eine Isopropoxycarbonylgruppe, eine Cyclopropoxycarbonylgruppe, eine Butoxycarbonylgruppe, eine Isobutoxycarbonylgruppe, eine sec-Butoxycarbonylgruppe und eine tert-Butoxycarbonylgruppe ein Beispiele der niederen halogenierten Alkylgruppe, welche durch R² dargestellt wird, schließen eine Fluormethylgruppe, eine Difluormethylgruppe und eine Trifluormethylgruppe ein. Beispiele des Halogens, welches durch R² dargestellt wird, schließen Fluor ein.
Als R³ bis R⁶ werden Wasserstoff; eine niedere Alkylgruppe (zum Beispiel eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine n-Propylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine n-Butylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine sec-Butylgruppe, eine tert-Butylgruppe, eine Pentylgruppe, eine Isopentylgruppe, eine Neopentylgruppe, eine tert-Pentylgruppe, eine 1-Methylbutylgruppe, eine 2-Methylbutylgruppe, eine 1,2-Dimethylpropylgruppe, eine Hexylgruppe, eine Isohexylgruppe, eine 1-Methylpentylgruppe, eine 2-Methylpentylgruppe, eine 3-Methylpentylgruppe, eine 1,1-Dimethylbutylgruppe, eine 2,2-Dimethylbutylgruppe, eine 1,3-Dimethylbutylgruppe, eine 2,3-Dimethylbutylgruppe, eine 3,3-Dimethylbutylgruppe, eine 1-Ethylbutylgruppe, eine 2-Ethylbutylgruppe, eine 1,1,2-Trimethylpropylgruppe, eine 1,2,2-Trimethylpropylgruppe, eine 1-Ethyl-1-methylpropylgruppe, eine 1-Ethyl-2-methylpropylgruppe, eine Cyclopropylgruppe, eine Cyclobutylgruppe, eine Cyclopentylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine Cyclopropylmethylgruppe, eine Cyclopropylethylgruppe und eine Cyclobutylmethylgruppe) und eine niedere halogenierte Alkylgruppe (zum Beispiel eine Fluormethylgruppe, eine Difluormethylgruppe und eine Trifluormethylgruppe) aufgezählt.
Obwohl die Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung, die eine Kombination von R¹ bis R⁶ umfasst, nicht besonders begrenzt ist, schließen spezifische Beispiele davon
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)-4-propylphenyl)-Wismut,
Diisopropyl(2-(N,N-diethylaminomethyl)-4-propylphenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)-4-methoxyphenyl)-Wismut und Diisopropyl(2-(N,N-diethylaminomethyl)-4-methoxyphenyl)-Wismut ein.
Es ist vom Standpunkt der Verringerung der Verdampfungstemperatur der Wismutverbindung bevorzugt, dass R¹ eine Methylgruppe darstellt, R² eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellt, R³ und R⁴ jeweils ein Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen und R⁵ und R⁶ jeweils eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellent. Es ist ferner bevorzugt, dass R¹ eine Methylgruppe darstellt, R² eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellt, R³ und R⁴ jeweils ein Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen, R⁵ und R⁶ jeweils eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen und n¹ 0 bis 2 ist.
Obwohl solche Wismutverbindungen nicht speziell begrenzt sind, schließen Beispiele davon
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(N-ethyl-N-methylaminomethyl)phenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(N,N-diethylaminomethyl)phenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(1-(N,N-dimethylamino)ethyl)phenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(1-(N,N-diethylamino)ethyl)phenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(1-(N,N-dimethylamino)-1-methylethyl)phenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(1-(N,N-diethylamino)-1-methylethyl)phenyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)-3-tolyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)-4-tolyl)-Wismut,
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)-5-tolyl)-Wismut, und
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)-6-tolyl)-Wismut ein.
Von diesen ist Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut am meisten bevorzugt.
Die Wismutverbindung, welche durch die Formel 1 dargestellt wird, gemäß der vorliegenden Erfindung kann durch Mischen und Reagieren eines monoaryl-dihalogenierten Wismut, welches durch die Formel 2 dargestellt wird, mit einem R¹ konvertierenden Reagenz in einem Lösungsmittel oder durch Mischen und Reagieren eines dialkyl-monohalogenierten Wismut, welches durch die Formel 3 dargestellt wird, mit einem Arylierungsreagenz, das durch die Formel 4 dargestellt wird, in einem Lösungsmittel hergestellt werden.
Das monoaryl-dihalogenierte Wismut, welches durch die Formel 2 dargestellt wird, kann zum Beispiel durch Mischen eines Triaryl-Wismut und eines trihalogenierten Wismut in einem Verhältnis von 1/2 (in Mol) in einem Lösungsmittel synthetisiert werden (Inorg. Chem., 107, 2770 (1997)). In dem monoaryl-dihalogenierten Wismut, das durch die Formel 2 dargestellt wird, stellt Z¹ ein Halogen dar, von welchem Beispiele Chlor, Brom und Jod einschließen.
In dem Arylierungsreagenz, das durch die Formel 4 dargestellt wird, stellt Q¹ ein Alkalymetall wie Lithium, Natrium und Kalium oder MgBr, MgCl oder MgI dar.
R² bis R⁶ und n¹ sind die gleichen wie vorstehend definiert. Es ist insbesondere bevorzugt, dass R² eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellt, R³ und R⁴ jeweils Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen und R⁵ und R⁶ jeweils eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen. Darüber hinaus ist es ferner bevorzugt, dass R³ und R⁴ jeweils ein Wasserstoffatom darstellen, R⁵ und R⁶ jeweils eine Methylgruppe darstellen, Z¹ Chlor darstellt und n¹ 0 ist.
In Bezug auf das zu verwendende R¹ konvertierende Reagenz (wobei R¹ eine niedere Alkylgruppe darstellt), solange eine Verbindung das monoaryl-dihalogenierte Wismut, welches durch die Formel 2 dargestellt wird, einer R¹ Konvertierung unterziehen kann, das heißt, einer niederen Alkylierung, ist es nicht besonders begrenzt. Beispiele hiervon schließen ein niederes Alkyl-Lithium, ein niederes Alkyl-Natrium, ein niederes Alkyl-Kalium, ein niederes Alkyl-Magnesiumchlorid, ein niederes Alkyl-Magnesiumbromid und ein niederes Alkyl-Magnesiumiodid ein. Im Besonderen ist R¹ bevorzugt eine Methylgruppe, und das R¹ konvertierende Reagenz ist insbesondere bevorzugt Methyl-Magnesiumbromid.
Bei der Synthese, welche das monoaryl-dihalogenierte Wismut, das durch die Formel 2 dargestellt wird, und das R¹ konvertierende Reagenz verwendet, wenn die Menge des R¹ konvertierenden Reagenz im Überfluss vorliegt, wird Trialkyl-Wismut wahrscheinlich gebildet, wodurch sich die Ausbeute verringert. Folglich ist es bevorzugt, das R¹ konvertierende Reagenz in einer Menge von 1,8 bis 2,2 mal in Mol in Bezug auf das monoaryl-dihalogenierte Wismut zu verwenden. Beim Mischen dieser Verbindungen kann das R¹ konvertierende Reagenz in eine Lösung oder Suspension des monoaryl-dihalogenierten Wismut getropft werden, oder eine Lösung oder Suspension des monoaryl-dihalogenierten Wismut kann in das R¹ konvertierende Reagenz getropft werden.
Als Lösungsmittel sind jene bevorzugt, welche bei –80°C flüssig sind, sind aber nicht besonders begrenzt. Bevorzugte Beispiele davon schließen Diethylether, THF, Toluen und Hexan ein. Das Lösungsmittel kann alleine oder als Mischungen verwendet werden. Von dem in der Lösung oder Suspension des monoaryl-dihalogenierten Wismut zu verwendenden Lösungsmittel und dem Lösungsmittel, das für das R¹ konvertierende Reagenz verwendet wird, wird nicht notwendiger Weise gefordert, identisch miteinander zu sein, sondern können voneinander unterschiedlich sein. In Bezug auf die Reaktionstemperatur ist die Reaktionsrate bei niedrigen Temperaturen langsam, und Trialkyl-Wismut kann möglicherweise bei hohen Temperaturen gebildet werden. Demzufolge ist es bevorzugt, dass das Tropfen und Mischen von –80°C bis 30°C ausgeführt werden, und dass die Temperatur graduell auf 0°C auf die Rückflusstemperatur des Lösungsmittels in einer solchen Art und Weise angehoben wird, dass die Reaktionstemperatur die Tropftemperatur oder höher wird.
Nach der Reaktion wird die Reaktionsmischung mit Wasser oder dergleichen abgeschreckt, und die gewünschte Wismutverbindung der vorliegenden Verbindung kann aus einer öligen Schicht wiedergewonnen werden. Da die ölige Schicht Nebenprodukte, welche durch die Reaktion oder das Abschrecken gebildet wurden, zusätzlich zu der gewünschten Wismutverbindung enthält, wird die ölige Schicht durch Chromatographie, Destillation oder dergleichen gereinigt, wodurch die gewünschte Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung erhalten wird.
Es ist möglich, einen Wismut enthaltenen Film unter Verwendung der Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung als Präkursor herzustellen. In dem Fall, in dem ein Wismut enthaltender Film auf einem Trägermaterial durch das CVD-Verfahren unter Verwendung der Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung als Präkursor hergestellt wird, wird die Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung vergast und dann auf das Trägermaterial zugeführt. Beispiele des Verfahrens des Vergasens der Wismutverbindung schließen ein Verfahren, in welchem ein inertes Trägergas in die erhitzte Wismutverbindung zugeführt und die Wismutverbindung, die in dem Trägergas mitgerissen wird, in die Reaktionskammer eingeführt wird, in welcher das Trägermaterial platziert ist; und ein Verfahren, in welchem die Wismutverbindung direkt in einen Verdampfer geschickt oder als ihre Lösung in einem organischen Lösungsmittel gelöst, mit dem Verdampfer vergast und dann in eine Reaktionskammer eingeführt wird, in welcher das Trägermaterial platziert ist, ein.
Beispiele des organischen Lösungsmittels, welches zum Lösen der Wismutverbindung darin fähig ist, schließen Alkohole (zum Beispiel Methanol, Ethanol und Isopropanol), Ester (zum Beispiel Ethylacetat, Butylacetat und Isoamylacetat), Glycolether (zum Beispiel Ethylenglycolmonomethylether, Ethylglycolmonoethylether und Ethylenglycolmonobutylether), Ether (zum Beispiel Glyme (Glycolether), Diglyme (Diglycolether), Triglyme (Trilycolether) und Tetrahydrofuran), Ketone (zum Beispiel Methylbutylketon, Methylisobutylketon, Ethylbutylketon, Dipropylketon, Diisobutylketon, Methylamylketon und Cyclohexanon) und Kohlenwasserstoffe (zum Beispiel Hexan, Cyclohexan, Methylcyclohexan, Ethylcyclohexan, Heptan, Octan, Toluen und Xylen) ein. Diese Aufzählung sollte jedoch nicht dazu herangezogen werden, dass die vorliegende Erfindung darauf begrenzt ist.
In Bezug auf den Wismut enthaltenden Film wird zum Beispiel in dem Fall, in dem die Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung einzeln verwendet wird, metallische Wismutfilme oder Wismutoxidfilme erhalten; und in dem Fall, in dem die Wismutverbindungen in Kombination mit anderen Metallverbindungen verwendet wird, werden Wismut enthaltende Verbundfilme erhalten. Wenn zum Beispiel die Wismutverbindung in Kombination mit einer Ti-Verbindung verwendet wird, wird ein BIT-Film erhalten; wenn die Wismutverbindung in Kombination mit einer Ti-Verbindung und einer La-Verbindung verwendet wird, wird ein BLT-Film erhalten, wenn die Wismutverbindung in Kombination mit einer Ti-Verbindung in einer Nd-Verbindung verwendet wird, wird ein BNT-Film erhalten; und wenn die Wismutverbindung in Verwendung mit einer Sr-Verbindung und einer Ta-Verbindung verwendet wird, wird ein SBT-Film erhalten. Es sollte jedoch nicht so ausgelegt werden, dass die vorliegende Erfindung darauf begrenzt ist. Beispiele der Ti-Verbindung, der La-Verbindung, der Nd-Verbindung, der Sr-Verbindung und der Ta-Verbindung schließen Ti(O-iso-C₃H₇)₄, Ti(O-iso-C₃H₇)₂(DPM)_2, La(DPM)₃, Nd(DPM)₃, Sr[Ta(OEt)₆]_2' Sr[Ta(OEt)₅(OC₂H₄OCH₃)]₂, Sr(DPM)₂, Ta(O-Et)₅ und Ta(O-iso-C₃H₇)₅ ein. Es sollte jedoch nicht so ausgelegt werden, dass die vorliegende Erfindung darauf begrenzt ist. Übrigens bedeutet der Ausdruck „DPM" Dipivaloylmethanato. Ebenso können beim Kombinieren der Wismutverbindungen mit anderen Metallverbindungen die entsprechenden Verbindungen separat zugeführt oder gemischt und dann zugeführt werden. Ebenso können in Bezug auf das bei der Herstellung des Wismut enthaltenden Films der vorliegenden Erfindung anzuwendenden CVD-Verfahren allgemein angewendete CVD-Verfahren wie thermische CVD, Plasma-CVD und Photo-CVD ohne besondere Begrenzungen angewendet werden.
Da die Wismutverbindung gemäß der vorliegenden Erfindung dieser Anmeldung zu einem Grad von 100 verdampft werden kann, und die Zersetzungstemperatur ausreichend höher als die Verdampfungstemperatur ist, ist sie als Wismutpräkursor in dem CVD-Verfahren geeignet. Insbesondere hat, bei der Filmbildung durch das CVD-Verfahren, die Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung die folgenden Vorteile verglichen mit dem bekannten Triphenyl-Wismut zur Folge.

(1) Die Verdampfungscharakteristik ist exzellent.
(2) Da ein Unterschied zwischen der Verdampfungstemperatur und der Zersetzungstemperatur groß ist, ist es möglich, einen Präkursor in dem Fall, in dem die Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung in dem CVD-Verfahren verwendet wird, stabil zuzuführen.
(2) Die Wismutverbindung der vorliegenden Erfindung ist flüssig bei Raumtemperatur, so dass es möglich ist, diese leicht zuzuführen.

Die vorliegende Erfindung wird im größeren Detail unter Bezug auf die folgenden Beispiele beschrieben, aber es sollte verstanden werden, dass die vorliegende Erfindung nicht so ausgelegt wird, als dass sie darauf begrenzt ist.
Beispiel 1
Ein 50 ml Dreihalskolben wurde mit 3,30 g (8,0 mMol) Dichlor(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut befüllt, welcher mit einem Tropftrichter und einem Thermometer ausgerüstet war, und dann mir Argon gespült. 40 ml Diethylether wurden zugegeben und gerührt, um das Dichlor(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut zu dispergieren. 25 ml (15,0 mMol) einer Lösung von 0,6 Mol/Liter Methyl-Magnesiumbromid in Diethylether wurden über 30 Minuten aus dem Tropftrichter zugetropft, während die Temperatur bei –80°C oder niedriger gehalten wurde. Nach dem Abschluss des Zutropfens wurde die Mischung bei –80°C für 2 Stunden gerührt und dann bei Raumtemperatur für 22 Stunden gerührt. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung mit einer gesättigten wässrigen Ammoniumchloridlösung abgeschreckt und dann in eine wässrige Schicht und eine organische Schicht getrennt. Die wässrige Schicht wurde dreimal mit 10 ml Diethylether extrahiert. Die organische Schicht und die Extrakte wurden gesammelt und die Mischung dreimal mit 20 ml einer gesättigten wässrigen Salzlösung gewaschen. Die sich ergebende Mischung wurde über wasserfreiem Magnesiumsulfat getrocknet und dann filtriert. Das Lösungsmittel wurde von dem Filtrat entfernt, um 2,53 g eine trüben Öls zu erhalten. 0,96 g des trüben Öls wurden unter verringertem Druck destilliert, um 0,54 g (Ausbeute: 48 %)
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut als farblose transparente Flüssigkeit zu erhalten.
¹H-NMR CDCl₃) δ7.95 (d, 1H, J = 7.0 Hz), 7.22 (M, 2H), 7.15 (d, 1H, J = 7.0 Hz), 3.45 (s, 2H), 2.17 (s, 6H), 1.06 (s, 6H)
¹³C-NMR (CDCl₃) δ177.53 (C), 144.53 (C), 137.07 (CH), 128.60(CH), 128.57 (CH), 126.90 (CH), 67.66 (CH₂), 44.80 (CH₃), 3.08 (CH₃)
MS: m/z = 374 (M⁺ +H), 358 (M-CH₃), 343 (M-2CH₃), 239 (M-C₉H₁₂N), 224 (M-C₉H₁₂N-CH₃)
Elementaranalyse: C (35,6 %), H (5,0 %), N (3,7 %), Bi (53,5 %); Berechnet: C (35,4 %), H(4,9 %), N(3,8 %), Bi (56,0 %).
Beispiel 2
22,1 mg (0,059 mMol) Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut, das in Beispiel 1 erhalten wurde, wurden in einen Aluminiumtiegel gefüllt. Die Probe wurde auf eine Veränderung des Gewichts beim Aufheizen durch ein Gerät für Thermogravimetrie (TG) bei einer Programmierrate von 10°C pro Minute unter Verwendung von 6,7 mg Aluminiumoxid als Referenz analysiert. Die Ergebnisse werden in 1 gezeigt. Wie aus dieser Abbildung deutlich wird, wurde bei Dimethyl(2-(N,N-dimethylaqminomethyl)phenyl)-Wismut der vorliegenden Erfindung eine Gewichtsverringerung von etwa 130 °C an beobachtet, und es wurde bestätigt, dass diese Verbindung zu einem Grad von im Wesentlichen 100 % verdampft wurde.
Beispiel 3
3,5 mg Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut, das in Beispiel 1 erhalten wurde, wurden in einen rostfreie Stahltiegel gegeben, welche dann durch einen rostfreien Stahldeckel verschlossen wurde. Diese Probe wurde auf eine Veränderung der Quantität der Wärme beim Aufheizen durch ein Differenzialrasterkalorimeter (DSC) bei einer Programmierrate von 10°C pro Minute unter Verwendung von 2,0 mg Aluminiumoxid als Referenz analysiert. Die Ergebnisse werden in 2 gezeigt. Wie aus dieser Abbildung deutlich wird, wurde eine exotherme Reaktion von etwa 230°C anbeobachtet, und die Zersetzung von Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut wurde bestätigt. Es ist zu bemerken, dass die exotherme Reaktion sanft ablief, und dass eine sanfte Zersetzung vorging.
Beispiel 4
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut, das in Beispiel 1 erhalten wurde, wurde als Präkursor verwendet und einer Filmbildung auf einem SiO₂/Si-Trägermaterial für eine Stunde durch das CVD-Verfahren unter Verwendung eines Gerätes, das in 5 gezeigt wird, unter den folgenden Bedingungen unterzogen. Präkursortemperatur: 55°C, Flussrate des Trägergases (Ar): 50 sccm, Gefäßdruck: 100 Torr, Flussrate des Verdünnungsgases (Ar): 100 sccm, Flussrate des Reaktionsgases (O₂): 300 sccm, Trägermaterialtemperatur: 500°C, Zersetzungsdruck: 10 Torr. Die Röntgenbeugungsanalyse machte deutlich, dass der Film Bi₂O₃ war, und die SEM-Analyse machte deutlich, dass die Filmdicke 200 nm betrug.
Beispiel 5
Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut, das in Beispiel 1 erhalten wurde, und Ti(O-iso-C₃H₇)₄ wurden als Präkursoren verwendet und einer Filmbildung auf einem Pt/TiO_x/SiO₂/Si-Trägermaterial für eine Stunde durch das CVD-Verfahren unter Verwendung eines Gerätes, das in 6 gezeigt wird, unter den folgenden Bedingungen unterzogen. Wismutpräkursor-Temperatur: 67°C, Flussrate des Trägergases (Ar) für den Wismutpräkursor: 20 sccm, Gefäßdruck für den Wismutpräkursor: 300 Torr, Titanpräkursor-Temperatur: 31°C, Flussrate für das Trägergas (Ar) für den Titanpräkursor: 30 sccm, Gefäßdruck für den Titanpräkursor: 300 Torr, Flussrate des Verdünnungsgases (Ar): 150 sccm, Flussrate des Reaktionsgases (O₂): 200 sccm, Trägermaterialtemperatur: 500°C, Zersetzungsdruck: 4 Torr. Die Röntgenbeugungsanalyse machte deutlich, dass der Film BIT war, und die SEM-Analyse machte deutlich, dass die Filmdicke 300 nm betrug.
Vergleichsbeispiel 1
25,7 mg (0,058 mMol) Triphenyl-Wismut wurden auf eine Veränderung des Gewichts beim Aufheizen unter Verwendung von 17,7 mg Aluminiumoxid als Referenz in der gleichen Art und Weise wie in Beispiel 2 analysiert. Die Ergebnisse werden in 3 gezeigt. Wie aus dieser Abbildung deutlich wird, wurde eine Gewichtsverringerung von etwa 230°C an beobachtet, und es ist zu beachten, dass die Verdampfungstemperatur von Triphenyl-Wismut etwa 100°C höher als die von Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut ist.
Vergleichsbeispiel 2
2,6 mg Triphenyl-Wismut wurden auf eine Veränderung der Menge an Wärme beim Aufheizen unter Verwendung von 7,2 mg Aluminiumoxid als Referenz in der gleichen Art und Weise wie in Beispiel 3 analysiert. Die Ergebnisse werden in 4 gezeigt. Wie aus dieser Abbildung deutlich wird, wurde eine exotherme Reaktion von etwa 270°C an beobachtet, und die thermische Zersetzungstemperatur von Triphenyl-Wismut war etwa 40°C höher als die von Dimehtyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut.
Das folgende kann aus den vorstehenden Beispielen und Vergleichsbeispiel verstanden werden.

1. In Bezug auf die Verdampfungstemperatur wird aus dem Vergleich zwischen Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 1 bemerkt, dass Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut gemäß der vorliegenden Erfindung eine Verdampfungstemperatur von etwa 100°C niedriger als die von bekanntem Triphenyl-Wismut zeigt und exzellent in der Verdampfungscharakteristik ist.
2. In Bezug auf einen Unterschied zwischen der Verdampfungstemperatur und der Zersetzungstemperatur, wie vorstehend in (1) beschrieben wurde, weist Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut gemäß der vorliegenden Erfindung eine Verdampfungstemperatur von etwa 100°C niedriger als die des bekannten Triphenyl-Wismut auf. Andererseits ist aus dem Vergleich zwischen Beispiel 3 und Vergleichsbeispiel 2 zu bemerken, dass Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut gemäß der vorliegenden Erfindung eine Zersetzungstemperatur von etwa 40°C niedriger als die des bekannten Triphenyl-Wismut aufweist. Wenn ein Unterschied zwischen der Verdampfungstemperatur und der Zersetzungstemperatur in Bezug auf die beiden Verbindungen aus den vorhergehenden Ergebnissen berechnet wird, ist zu bemerken, dass für das Dimethyl(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut gemäß der vorliegenden Erfindung der Unterschied zwischen der Verdampfungstemperatur und der Zersetzungstemperatur sehr groß ist und um etwa 60°C verglichen mit dem bekannten Triphenyl-Wismut erhöht wird.

Claims

Wismutverbindung, die durch die folgende Formel 1 dargestellt wird:
wobei R¹ eine niedere Alkylgruppe darstellt; R² eine niedere Alkylgruppe, eine niedere Alkoxygruppe, eine niedere Acylgruppe, eine niedere Alkoxycarbonylgruppe, eine niedere halogenierte Alkylgruppe oder ein Halogen darstellt; n¹ die Anzahl der Substituenten R² in dem Bereich von 0 bis 4 darstellt; und R³ bis R⁶ jeweils Wasserstoff, eine niedere Alkylgruppe oder eine niedere halogenierte Alkylgruppe darstellen.
Die Wismutverbindung nach Anspruch 1, wobei R¹ eine Methylgruppe darstellt; R² eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellt; R³ und R⁴ jeweils Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen; und R⁵ und R⁶ jeweils eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen.
Die Wismutverbindung nach Anspruch 2, wobei R¹ eine Methylgruppe darstellt; R³ und R⁴ jeweils ein Wasserstoff darstellen; R⁵ und R⁶ jeweils eine Methylgruppe darstellen; und n¹ 0 ist.
Verfahren zur Herstellung einer Wismutverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, welche das Reagieren eines monoaryl-dihalogenierten Wismut umfasst, welches durch die folgende Formel 2 dargestellt wird:
wobei R² eine niedere Alkylgruppe, eine niedere Alkoxygruppe, eine niedere Acylgruppe, eine niedere Alkoxycarbonylgruppe, eine niedere halogenierte Alkylgruppe oder ein Halogen darstellt; n¹ die Anzahl der Substituenten R² in dem Bereich von 0 bis 4 darstellt; R³ bis R⁶ jeweils Wasserstoff, eine niedere Alkylgruppe oder eine niedere halogenierte Alkylgruppe darstellen; und Z¹ ein Halogen darstellt, mit einem R¹ umwandelnden Reagenz, wobei R¹ eine niedere Alkylgruppe darstellt.
Verfahren zur Herstellung einer Wismutverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, welches das Reagieren eines dialkyl-monohalogenierten Wismut umfasst, welches durch die folgende Formel 3 dargestellt wird:
wobei R¹ eine niedere Alkylgruppe darstellt; und Z¹ ein Halogen darstellt, mit einem Arylierungsreagenz, das durch die folgende Formel 4 dargestellt wird:
wobei R² eine niedere Alkylgruppe, eine niedere Alkoxygruppe, eine niedere Acylgruppe, eine niedere Alkoxycarbonylgruppe, eine niedere halogenierte Alkylgruppe oder ein Halogen darstellt; n¹ die Anzahl der Substituenten R² in dem Bereich von 0 bis 4 darstellt; R³ bis R⁶ jeweils Wasserstoff, eine niedere Alkylgruppe oder eine niedere halogenierte Alkylgruppe darstellen; und Q¹ eine der Komponenten Lithium, Natrium, Kalium, MgCl, MgBr oder MgI darstellt.
Das Verfahren zur Herstellung einer Wismutverbindung nach Anspruch 4 oder 5, wobei R¹ eine Methylgruppe darstellt; R² eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellt; R³ und R⁴ jeweils Wasserstoff oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen; und R⁵ und R⁶ jeweils eine Alkylgruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen darstellen.
Das Verfahren zur Herstellung einer Wismutverbindung nach Anspruch 4 oder 6, wobei das monoaryl-dihalogenierte Wismut, das durch die Formel 2 dargestellt wird, Dichlor-(2-(N,N-dimethylaminomethyl)phenyl)-Wismut ist.
Das Verfahren zur Herstellung einer Wismutverbindung nach einem der Ansprüche 4, 6 und 7, wobei das R¹ umwandelnde Reagenz Methylmagnesiumbromid ist.
Verfahren zur Herstellung eines Wismut enthaltenden Films, welches das Unterziehen der Wismutverbindung nach Anspruch 1, 2 oder 3 als Vorläuferverbindung unter eine chemische Gasphasenabscheidung auf einem Trägermaterial umfasst, um einen Wismut enthaltenden Film zu bilden.