DE602004005200T2

DE602004005200T2 - Offset abhängiger Widerstand zur Messung der Fehlausrichtung zusammengefügter Masken

Info

Publication number: DE602004005200T2
Application number: DE602004005200T
Authority: DE
Inventors: Joseph M. San Jose AMATO
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: NXP BV
Priority date: 2003-06-25
Filing date: 2004-06-25
Publication date: 2007-11-15
Anticipated expiration: 2024-06-26
Also published as: CN1809924A; US20070030335A1; DE602004005200D1; EP1642337A2; EP1642337B1; ATE356437T1; WO2005004238A3; JP2007526497A; US7538443B2; CN100477203C; WO2005004238A2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft das Messen einer Fehlausrichtung gehefteter Masken in einem Halbleiter-Herstellungsverfahren und betrifft insbesondere eine empfindlichkeitserhöhte, angepasste Offset-abhängige Widerstandsstruktur für das elektrische Messen gleichlaufender Fehlausrichtungen von gehefteten Masken für geätzte Verbindungsschichten.
Die meisten Halbleitervorrichtungen werden mit einer Reihe von Materiallagen gebaut. Jede Lage ist derart gemustert, um ausgewählte Teile hinzuzufügen oder zu entfernen, um Schaltkreismerkmale zu bilden, die schließlich einen vollständig integrierten Schaltkreis ergeben. Der als Fotolithografie bekannte Musterungsprozess bestimmt die Dimensionen der Schaltkreismerkmale unter Anwendung von Masken, die eine Lichtquelle selektiv blockieren.
Während sich die Kompliziertheit von integrierten Schaltkreisen erhöht, wird auch die Anzahl und Größe der Schaltkreise immer größer, wodurch oft eine ganze Halbleiterscheibe in Anspruch genommen wird. Bei der Wafer Scale Integration (WSI) (Haltleiterscheiben-Skalenintegration) ist das Fadenkreuz einer Standardmaske oft zu klein, um die gesamte Halbleiterscheibe freizulegen. In diesen Fällen müssen mehrere Masken für eine einzelne Schicht in der Fertigung verwendet werden. Speziell werden Schaltkreise, die zunächst durch eine erste Maske hergestellt wurden, mit den durch eine zweite Maske hergestellten Schaltkreisen in einem überlappenden Bereich „zusammengeheftet".
Fehlausrichtungen in der Heftung können nachteilige Auswirkungen haben, und es ist daher wünschenswert zu wissen, wann diese auftreten.
Derzeitige Verfahren zum Identifizieren von Fehlausrichtungen schließen das Verwenden eines Rastermikroskops zum Überprüfen der Vorrichtung ein. Diese Methodik ist zeitaufwändig und teuer, da die Vorrichtung geätzt werden muss, um den gehefteten Bereich freizulegen, der dann sorgfältig geprüft wird, um Fehlausrichtungen zu identifizieren. Dementsprechend besteht der Bedarf nach einem vereinfachten Verfahren zum Identifizieren von Fehlausrichtungen in gehefteten Schaltkreisen.
Die vorliegende Erfindung adressiert die vorstehenden Probleme sowohl als auch andere, indem ein Satz an Offset-abhängigen Widerstandsstrukturen bereitgestellt wird, die zum Teil durch jede Referenzmaske und Sekundärmaske gebildet werden. Die Widerstandswerte variieren von einem Idealwert, wenn ein Offset auftritt und können dem Idealwert gleichwertig sein, wenn kein Offset besteht. Das Abtasten ist auf eine einzige Achse für jede Widerstandsstruktur isoliert und die Struktur kann in einer kompakten Konstruktion wiederholt werden, um einen leichteren Gebrauch und eine erhöhte Empfindlichkeit auf Fehlausrichtungen zu bieten.
Die Erfindung stellt ein Verfahren zum Identifizieren von Fehlausrichtungen in einem überlappenden Bereich eines gehefteten Schaltkreises nach Anspruch 1 und eine Offset-abhängige Widerstandsstruktur zum Identifizieren von Fehlausrichtungen in einem überlappenden Bereich eines gehefteten Schaltkreises nach Anspruch 14 bereit.
US 6,323,097 offenbart ein Verfahren und eine Struktur zum Messen von Abständen und Fehlausrichtungen von Merkmalen in Halbleiter integrierten Schaltkreisen. Von den gemessenen Widerstandswerten wird abgeleitet, welche Leitersprossen Kontakt zu den Schrittkontaktbohrungen der leitfähigen Leitungen der äußeren ersten Ebene bilden. Dies leitet die Grenzen für die Entfernungen von den leitfähigen Leitungen der rechten und linken äußeren ersten Ebene zu den leitfähigen Leitungen der zweiten Ebene ab. Die Beabstandung und Fehlausrichtung wird aus diesen Entfernungen errechnet.
US 2001/0049881 offenbart ein Verfahren und eine Struktur, das sowohl die Richtung als auch das Ausmaß der Fehlausrichtung zwischen den Schichten eines integrierten Schaltkreises misst, wie beispielsweise die Fehlausrichtung zwischen zwei leitfähigen Lagen, zwischen Diffusionsbereichen und Leiterbahnen oder zwi schen Diffusionsbereichen und Fenstern, durch welche andere Diffusionsbereiche gebildet werden sollen.
Diese und andere Merkmale dieser Erfindung werden aus der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung der verschiedenen Aspekte der Erfindung in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich, die folgendes zeigen:
1 stellt einen überlappenden Bereich eines integrierten Schaltkreisplättchens gemäß der vorliegenden Erfindung dar.
2A stellt einen ersten Teil einer durch eine erste Maske gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellten Offset-abhängigen Widerstandsstruktur dar.
2B stellt einen zweiten Teil einer durch eine zweite Maske gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellten Offset-abhängigen Widerstandsstruktur dar.
3 stellt erste und zweite Teile der 2A und 2B überlagernd ohne Offset dar.
4 stellt erste und zweite Teile der 2A und 2B überlagernd mit einem positiven Offset dar.
5 stellt erste und zweite Teile der 2A und 2B überlagernd mit einem negativen Offset dar.
6A stellt einen ersten Teil einer zweiten Offset-abhängigen Widerstandsstruktur dar, die durch eine erste Maske gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde.
6B stellt einen zweiten Teil einer zweiten Offset-abhängigen Widerstandsstruktur dar, die durch eine zweite Maske gemäß der vorliegenden Erfindung her gestellt wurde.
7 stellt erste und zweite Teile der 6A und 6B überlagernd ohne Offset dar.
8 stellt erste und zweite Teile der 6A und 6B überlagernd mit einem positiven Offset dar.
9 stellt erste und zweite Teile der 6A und 6B überlagernd mit einem negativen Offset dar.
Unter Bezugnahme der Zeichnungen stellt 1 einen Teil eines überlappenden Bereichs 10 eines integrierten Schaltkreischips dar. In dem überlappenden Bereich 10 kann ein erster Satz an Schaltkreismerkmalen unter Anwendung einer Referenzmaske hergestellt werden, und ein zweiter Satz an Schaltkreismerkmalen kann unter Anwendung einer Sekundärmaske (nicht dargestellt) hergestellt werden. Dementsprechend müssen einige der Schaltkreismerkmale der beiden „zusammengeheftet" werden, um die durch die Referenzmaske und Sekundärmaske ausgelegten Schaltkreise zu integrieren. Bei dieser beispielhaften Ausführungsform werden vier Offset-abhängige Widerstandsstrukturen 12a, 12b, 14a und 14b eingesetzt, um Fehlausrichtungen zwischen den Schaltkreisen festzustellen.
Strukturen 12a und 12b werden unter Anwendung einer ersten Ausführungsform (die nachfolgend in Bezug auf 2–5 im Einzelnen beschrieben wird) implementiert, welche ein erstes Teil 24 enthält, das durch die Hauptmaske hergestellt worden ist und ein zweites Teil 26, das durch eine Sekundärmaske hergestellt worden ist. Die Strukturen 12a und 12b stellen einen erhöhten Widerstand bereit, wenn das zweite Teil 26 in Richtung des ersten Teils 24 fehlausgerichtet ist (das heißt, eine positive Fehlausrichtung, wie durch die Richtungspfeile angedeutet).
Strukturen 14a und 14b werden unter Anwendung einer zweiten Ausführungsform (die nachfolgend in Bezug auf 6–9 im Einzelnen beschrieben wird) implementiert, welche ein erstes Teil 20 enthält, das durch die Hauptmaske hergestellt worden ist und ein zweites Teil 22, das durch eine Sekundärmaske hergestellt werden ist. Strukturen 14a und 14b stellen einen erhöhten Widerstand bereit, wenn der zweite Teil 22 in entgegen gesetzter Richtung des ersten Teils 20 fehlausgerichtet ist (das heißt, eine negative Fehlausrichtung, wie durch die Richtungspfeile angedeutet).
Dementsprechend messen Strukturen 12a und 14a Fehlausrichtungen in den Auf- und Abrichtungen, während Strukturen 12b und 14b Fehlausrichtungen in den Links- und Rechtsrichtungen messen. Es versteht sich von selbst, dass, obwohl die beispielhafte Ausführungsform der 1 die Verwendung von vier Offset-abhängigen Widerstandsstrukturen abbildet, die Erfindung ebenso unter Anwendung von nur einer Struktur oder so vielen Strukturen wie gewünscht implementiert werden könnte. Jede der Strukturen 12a, 12b, 14a und 14b enthält Testanschlussfelder 28, 30 (oder jede andere beliebige Anschlussstruktur) zum Messen des Widerstands. Bei einer beispielhaften Ausführungsform kann ein Testsystem 11 mit Sonden 13 eingesetzt werden, um den Widerstand zu messen, diesen mit einem Idealwert zu vergleichen, der eine Null-Fehlausrichtung darstellt und eine Fehlausrichtung berechnen. Bei einer alternativen Ausführungsform könnten die Strukturen 12a, 12b, 14a und 14b an eine Bordschaltung angeschlossen sein, die den Widerstandswert und/oder den Fehlausrichtungsbetrag beispielsweise unter Anwendung eines Betriebsverstärkers erfassen und melden könnte.
Unter Bezugnahme auf 2A, 2B und 3–5 wird eine weitere Beschreibung der ersten Art einer Offset-abhängigen Widerstandsstruktur 12 (das heißt 12a und 12b der 1) dargestellt. 2A stellt den ersten Teil 24 der Struktur 12 dar, die durch eine Referenzmaske hergestellt worden ist und 2B stellt den zweiten Teil 26 der Struktur 12 dar, die durch eine Sekundärmaske hergestellt worden ist. Der erste Teil 24 enthält ein Paar offener, rechteckiger Substrukturen 32, wobei jede zwei Kopplungspunkte 34 aufweist. Der erste Teil enthält ebenfalls ein Paar der Testanschlussfelder 28 und 30. Der zweite Teil 26 enthält drei Substrukturen 36, 38 und 40, die vier Kopplungsnoppen 42 aufweisen.
3–5 stellen drei Fälle von Offset-abhängigen Widerstandsstrukturen 12 dar, die einen zweiten Teil 26 aufweisen, der den ersten Teil 24 überlagert. Wie ersichtlich, wird ein einziger elektrischer Pfad zwischen den Testanschlussfeldern hergestellt, wenn die Substrukturen beider Teile ausgelegt sind. Die Struktur enthält vier Noppen 42, welche die beiden Teile koppeln. Aufgrund der Konstruktion der Substrukturen erfordern eine Fehlausrichtung nach oben oder unten oder Offset, dass mehr oder weniger jede der Noppen 42 eingesetzt wird, was entweder zu einem längeren oder kürzeren elektrischen Pfad führt. Wie allgemein bekannt, je länger der Pfad ist, desto größer ist der Widerstand. Dementsprechend kann ein relativer Betrag an vertikaler Fehlausrichtung durch das Messen des Widerstands durch den Pfad festgestellt werden.
Eine relative Erhöhung des Widerstands tritt, genauer gesagt, auf, wenn der zweite Teil 26 in Richtung des ersten Teils 24 fehlausgerichtet ist (positive Fehlausrichtung), und es tritt eine relative Minderung des Widerstands auf, wenn der zweite Teil 26 in entgegengesetzter Richtung des ersten Teils 24 fehlausgerichtet ist (negative Fehlausrichtung). Der in 3 abgebildete Fall stellt den idealen Fall dar, bei dem keine Fehlausrichtung auftritt. Das heißt, die freigelegte Länge der Kopplungsnoppen 42 zwischen den Substrukturen 34 des ersten Teils und den Substrukturen 36, 38 und 42 des zweiten Teils stimmt mit einer „idealen" Länge überein.
4 stellt den Fall dar, bei dem der zweite Teil 26 in Richtung nach oben und nach rechts des ersten Teils 26 fehlausgerichtet ist. Wie ersichtlich hat sich die freigelegte Länge der Noppen 24 relativ zur idealen Länge von 3 erhöht. In diesem Fall ist der elektrische Pfad länger und die Struktur 12 in 4 weist deshalb einen größeren Widerstand auf, als Struktur 12 in 3.
5 stellt den Fall dar, bei dem der zweite Teil 26 in Richtung nach unten und nach links des ersten Teils 26 fehlausgerichtet ist. Wie ersichtlich, hat sich die freigelegte Länge der Noppen 24 relativ zur idealen Länge in 3 gemindert. In diesem Fall ist der elektrische Pfad kürzer und die Struktur 12 in 4 weist deshalb weniger Widerstand auf, als die Struktur in 3.
Eine erhöhte Empfindlichkeit wird durch das Bereitstellen einer Offset-Widerstandsstruktur erreicht, die eine Vielzahl von Kopplungsnoppen 42 entlang des Pfads enthält. Bei dieser Ausführungsform werden vier Noppen 42 eingesetzt, wobei jede der Noppen 42 die Gesamtlänge des Pfads verlängert oder verkürzt, wenn eine vertikale Fehlausrichtung auftritt. Dadurch wird die Empfindlichkeit der Struktur um das Vierfache erhöht. Es versteht sich von selbst, dass die Struktur 12 Fehlausrichtungen in einer einzigen Richtung (zum Beispiel vertikal) misst. Um eine Fehlausrichtung in einer zweiten Richtung (zum Beispiel horizontal) zu erkennen, kann eine zweite Struktur 12 verwendet werden, diese muss jedoch in die gewünschte Richtung gerichtet werden, zum Beispiel senkrecht zur ersten, wie in 1 dargestellt (siehe 12a gegenüber 12b).
6–9 stellen eine zweite Implementierung einer Offset-abhängigen Widerstandsstruktur 14 dar (das heißt Strukturen 14a und 14b der 1). Bei dieser Ausführungsform wird ein durch eine Referenzmaske hergestellter erster Teil 20 in 6A dargestellt und enthält ein Paar Testanschlussfelder sowie drei Substrukturen 44, 46 und 48. Ein durch eine Sekundärmaske hergestellter zweiter Teil 22 enthält ein Paar E-förmige Substrukturen 50. Jede E-förmige Substruktur 50 enthält ein Paar Noppen 52. 7–9 stellen drei Fälle dar, in denen der zweite Teil 22 den ersten Teil 20 überlagert. 7 stellt den Null-Offset-Fall dar, bei dem der freigelegte Teil jeder Noppe 52 eine ideale Länge hat. 8 stellt den Fall dar, bei dem der zweite Teil 22 nach oben und nach rechts relativ zum ersten Teil 20 fehlausgerichtet ist. In diesem Fall ist der freigelegte Teil jeder Noppe 52 relativ zum Idealfall kleiner, wodurch ein relativ niedrigerer Widerstand erzeugt wird. 9 stellt den Fall dar, bei dem der zweite Teil 22 nach unten und nach links relativ zum ersten Teil 20 fehlausgerichtet ist. In diesem Fall ist der freigelegte Teil jeder Noppe 52 relativ zum Idealfall größer, wodurch ein relativ höherer Widerstand erzeugt wird.
Ähnlich der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur 12 enthält die Offset-abhängige Widerstandsstruktur 14 vier Noppen, um eine erhöhte Empfindlichkeit bereitzustellen. Die in 6–9 dargestellte Struktur 14 unterscheidet sich jedoch von der in 2–5 dargestellten Offset-abhängigen Widerstandsstruktur 12 indem Struktur 14 einen relativ niedrigeren Widerstand erzeugt, wenn der zweite Teil 22 in Richtung des ersten Teils 20 fehlausgerichtet ist (positive Fehlausrichtung) und erzeugt einen relativ höheren Widerstand, wenn der zweite Teil 22 in entgegen gesetzter Richtung des ersten Teils 20 fehlausgerichtet ist (negative Fehlausrichtung).
Es ist jedoch zu beachten, dass in den in 3 und 7 dargestellten Idealfällen die Strukturen 12 und 14 elektrisch gleichwertig sind, das heißt, sie haben die gleichen Widerstandswerte. Insbesondere haben beide idealen Strukturen die gleiche Anzahl von Windungen und die gleiche Gesamtpfadlänge. Wenn daher ein positiver Offset auftritt, erhöht sich der Widerstandswert von Struktur 12 um den gleichen Betrag, um den sich der Widerstandswert von Struktur 14 vermindert. Offensichtlich kann die allgemeine Anordnung der Substrukturen geändert werden, um ähnliche Ergebnisse zu erzielen, und diese Änderungen fallen in den Bereich dieser Erfindung.
Die vorstehende Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung wurde zu Illustrations- und Beschreibungszwecken dargelegt. Sie gilt nicht als vollständig und ist nicht vorgesehen, die Erfindung auf die präzise offenbarte Form zu beschränken, und es sind offensichtlich viele Modifikationen und Variationen im Sinne der vorstehenden Lehre möglich.

Claims

Verfahren zum Identifizieren von Fehlausrichtungen in einem überlappenden Bereich eines gehefteten Schaltkreises in einem integrierten Schaltkreis-Fertigungsverfahren, umfassend: – das Herstellen eines ersten Schaltkreises unter Anwendung einer Referenzmaske, wobei der erste Schaltkreis einen ersten Teil einer Offset-abhängigen Widerstandsstruktur in dem überlappenden Bereich enthält, die Offset-abhängige Widerstandsstruktur bestehend aus einer Einzellage; – das Herstellen eines zweiten Schaltkreises unter Anwendung einer Sekundärmaske, wobei der zweite Schaltkreis einen zweiten Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur in dem überlappenden Bereich enthält, wobei die Offset-abhängige Widerstandsstruktur eine Vielzahl von Noppen enthält, die den ersten Teil und den zweiten Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur zusammenschalten und wobei jede Noppe in eine einheitliche Richtung gerichtet ist; – das Messen eines Widerstands über die Offset-abhängige Widerstandsstruktur und – das Feststellen der Fehlausrichtung basierend auf dem gemessenen Widerstand, wobei eine Null-Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, das jede Noppe eine erste Länge, und eine Nicht-Null-Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, das jede Noppe eine von der ersten Länge unterschiedliche Länge aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei: – eines der Teile der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur ein Paar offener, rechtwinkliger Substrukturen umfasst, wobei jede davon zwei offene Anschlüsse aufweist und – das andere Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur drei Substrukturen umfasst, die sich – mit den offenen Anschlüssen der rechtwinkligen Substrukturen zusammen schalten, um einen einzelnen elektrischen Pfad zu bilden, wenn die ersten und zweiten Teile überlagert werden.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei eines der Teile der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur ein Paar Testanschlussfelder umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das erste Teil und das zweite Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur sich über vier Noppen zusammenschalten lassen.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei: – eine positive Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, dass jede Noppe eine zweite Länge aufweist, die länger ist, als die erste Länge und – eine negative Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, dass jede Noppe eine dritte Länge aufweist, die geringer ist, als die erste Länge.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei: – eine Null-Fehlausrichtung zu einem ersten Widerstandswert entlang des einzelnen elektrischen Pfads führt; – eine positive Fehlausrichtung zu einem zweiten Widerstandswert entlang des einzelnen elektrischen Pfads führt, der höher ist, als der erste Widerstandswert und – eine negative Fehlausrichtung zu einem dritten Widerstandswert entlang des einzelnen elektrischen Pfads führt, der geringer ist, als der erste Widerstandswert.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Schritt zum Feststellen der Menge an Fehlausrichtung basierend auf dem gemessenen Widerstand den Schritt des Vergleichens des gemessenen Widerstands mit einem bekannten Widerstandswert beinhaltet, der stellvertretend für den Fall einer Null-Fehlausrichtung steht.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei: – eines der Teile der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur ein Paar offener E-förmiger Substrukturen umfasst, wobei jede davon zwei offene Anschlüsse aufweist und – das andere Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur drei Substrukturen umfasst, die sich mit den offenen Anschlüssen der E-förmigen Substrukturen zusammenschalten, um einen einzelnen elektrischen Pfad zu bilden, wenn die ersten und zweiten Teile überlagert werden.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei eines der Teile der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur ein Paar Testanschlussfelder umfasst.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das erste Teil und das zweite Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur sich über vier Noppen zusammenschalten lassen.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei: – eine positive Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, dass jede Noppe eine zweite Länge aufweist, die länger ist, als die erste Länge und – eine negative Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, dass jede Noppe eine dritte Länge aufweist, die geringer ist, als die erste Länge.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei: – eine Null-Fehlausrichtung zu einem ersten Widerstandswert entlang des einzelnen elektrischen Pfads führt; – eine positive Fehlausrichtung zu einem zweiten Widerstandswert entlang des einzelnen elektrischen Pfads führt, der geringer ist, als der erste Widerstandswert und – eine negative Fehlausrichtung zu einem dritten Widerstandswert entlang des einzelnen elektrischen Pfads führt, der höher ist, als der erste Widerstandswert.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Schritt zum Feststellen der Menge an Fehlausrichtung basierend auf dem gemessenen Widerstand den Schritt des Vergleichens des gemessenen Widerstands mit einem bekannten Widerstandswert beinhaltet, der stellvertretend für den Fall einer Null-Fehlausrichtung steht.
Offset-abhängige Widerstandsstruktur zum Identifizieren einer Fehlausrichtung in einem überlappenden Bereich eines gehefteten Schaltkreises in einem integrierten Schaltkreis-Fertigungsverfahren, umfassend: – ein erstes Teil einer in dem überlappenden Bereich erzeugten Offset-abhängigen Widerstandsstruktur unter Verwendung einer Referenzmaske, die Offset-abhängige Widerstandsstruktur bestehend aus einer einzelnen Schicht; – ein zweites Teil der auf dem ersten Teil in dem überlappenden Bereich überlagerten Offset-abhängigen Widerstandsstruktur unter Anwendung einer Sekundärmaske und – eine Vielzahl an Noppen, welche das erste Teil und das zweite Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur zusammenschalten, um einen einzelnen elektrischen Pfad zu bilden, wobei jede Noppe in eine erste einheitliche Richtung gerichtet ist und wobei jede Noppe eine erste Länge an einer Null-Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung sowie eine Länge aufweist, die verschieden von der ersten Länge an einer Nicht-Null-Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung ist.
Offset-abhängige Widerstandsstruktur nach Anspruch 14, ferner umfassend ein Paar Testanschlussfelder an den Enden des einzelnen elektrischen Pfads.
Offset-abhängige Widerstandsstruktur nach Anspruch 14, wobei: – das erste Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur ein Paar offener rechtwinkliger Substrukturen umfasst, wobei jede davon zwei offene Anschlüsse aufweist und – das zweite Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur drei Substruktu ren umfasst, die sich mit den offenen Anschlüssen der offenen rechtwinkligen Substrukturen zusammenschalten lassen, um einen einzelnen elektrischen Pfad zu bilden.
Offset-abhängige Widerstandsstruktur nach Anspruch 14, wobei: – das erste Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur ein Paar offener E-förmiger Substrukturen umfasst, wobei jede davon zwei offene Anschlüsse aufweist und – das zweite Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur drei Substrukturen umfasst, die sich mit den offenen Anschlüssen der E-förmigen Substrukturen zusammenschalten lassen, um einen einzelnen elektrischen Pfad zu bilden.
Offset-abhängige Widerstandsstruktur nach Anspruch 14, wobei das erste Teil und das zweite Teil der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur sich über vier Noppen zusammenschalten lassen.
System zum Messen von Fehlausrichtungen in einem überlappenden Bereich eines gehefteten Abschnitts eines integrierten Schaltkreises, umfassend: – eine Offset-abhängige Widerstandsstruktur wie in Anspruch 14 beansprucht und – ein System zum Messen des Widerstands über den einzelnen elektrischen Pfad.
System nach Anspruch 19, wobei das System zum Messen des Widerstands ein Paar Testanschlussfelder an den Enden des einzelnen elektrischen Pfads und ein Paar Sonden aufweist.
System nach Anspruch 19, ferner umfassend eine zweite Offset-abhängige Widerstandsstruktur, einschließlich: – einem ersten Teil, das in dem überlappenden Bereich unter Anwendung einer Referenzmaske erzeugt ist, – einem zweiten Teil, das in dem überlappenden Bereich unter Anwendung einer Sekundärmaske erzeugt ist und – einer Vielzahl an zweiten Noppen, die in einer zweiten einheitlichen Richtung gerichtet sind, welche das erste Teil und das zweite Teil zusammenschalten, um einen einzelnen elektrischen Pfad zu bilden, wobei die zweite einheitliche Richtung senkrecht zu der ersten einheitlichen Richtung verläuft.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei: – der erste Schaltkreis ferner ein erstes Teil einer zusätzlichen Offset-abhängigen Widerstandsstruktur umfasst; – der zweite Schaltkreis ferner ein zweites Teil der zusätzlichen Offset-abhängigen Widerstandsstruktur umfasst, wobei die zusätzliche Offset-abhängige Widerstandsstruktur eine Vielzahl an zusätzlichen Noppen umfasst, die das erste Teil und das zweite Teil der zusätzlichen Offset-abhängigen Widerstandsstruktur zusammenschalten und wobei jede Noppe in eine einheitliche Richtung gerichtet ist und – eine Nicht-Null-Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, dass die Noppen der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur eine Länge aufweisen, die geringer ist, als die erste Länge und dass die zusätzlichen Noppen der zusätzlichen Offset-abhängigen Widerstandsstruktur eine Länge aufweisen, die länger ist, als die erste Länge.
Verfahren nach Anspruch 22, wobei eine Null-Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, dass jede der Offset-abhängigen Widerstandsstrukturen die gleichen Widerstandswerte aufweist.
Verfahren nach Anspruch 22, wobei eine Nicht-Null-Fehlausrichtung in der einheitlichen Richtung dazu führt, dass die zusätzliche Offset-abhängige Widerstandsstruktur einen Widerstandswert aufweist, der im Wesentlichen den negativen Wert des Widerstandswerts der Offset-abhängigen Widerstandsstruktur darstellt.