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DE60140481D1 - Verfahren zur herstellung einer zwischen elektroden eingefügten inselstruktur und deren anwendung auf transistoren - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer zwischen elektroden eingefügten inselstruktur und deren anwendung auf transistoren

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Publication number
DE60140481D1
DE60140481D1 DE60140481T DE60140481T DE60140481D1 DE 60140481 D1 DE60140481 D1 DE 60140481D1 DE 60140481 T DE60140481 T DE 60140481T DE 60140481 T DE60140481 T DE 60140481T DE 60140481 D1 DE60140481 D1 DE 60140481D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
electrodes
producing
application
island structure
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
DE60140481T
Other languages
English (en)
Inventor
David Fraboulet
Denis Mariolle
Yves Morand
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
STMicroelectronics SA
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Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA, STMicroelectronics SA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Application granted granted Critical
Publication of DE60140481D1 publication Critical patent/DE60140481D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/40—FETs having zero-dimensional [0D], one-dimensional [1D] or two-dimensional [2D] charge carrier gas channels
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DE60140481T 2000-12-18 2001-12-17 Verfahren zur herstellung einer zwischen elektroden eingefügten inselstruktur und deren anwendung auf transistoren Expired - Lifetime DE60140481D1 (de)

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FR0016488A FR2818439B1 (fr) 2000-12-18 2000-12-18 Procede de fabrication d'un ilot de matiere confine entre des electrodes, et applications aux transistors
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EP (1) EP1346405B1 (de)
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