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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Kristallisations-Verfahren und
eine Apparatur dafür
und genauer gesagt ein Kristallisations-Verfahren, das bei der Durchführung der
Kristallisation eine Verbesserung des mittleren Partikeldurchmessers
und der Verteilung der Partikeldurchmesser und eine Verhinderung
des Anhaftens von Kristallen am Kristallisationstank und der mit
dem Kristallisationstank verbundenen Apparaturen durch einfache
Verfahren ohne komplizierte Apparaturen erreichen kann.
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Hintergrund
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Im
Bereich der Düngemittel
wie Ammoniumsulfat-Düngemittel
und Harnstoff-Düngemittel,
verschiedener chemischer Produkte, pharmazeutischer Produkte und
Lebensmittelprodukte werden verschiedene Kristallisations-Apparaturen
zur Herstellung kristalliner Partikel eingesetzt. Unter dem Gesichtspunkt
der Art der Erwärmung
können
die Kristallisations-Apparaturen in Kristallisations-Apparaturen
vom inneren Heizungstyp und Kristallisations-Apparaturen vom äußeren Heizungstyp
klassifiziert werden. Unter dem Gesichtspunkt des Rührens können die
Kristallisations-Apparaturen in Kristallisations-Apparaturen vom
spontanen Rührtyp
unter Ausnutzung des Siedens einer Flüssigkeit und Kristallisations-Apparaturen
vom erzwungenen Rührtyp, welche
im inneren der Apparaturen vorgesehene Rührblätter aufweisen, klassifiziert
werden.
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Es
ist für
jeden Typ Kristallisations-Apparaturen wichtig, dass der mittlere
Partikeldurchmesser und die Verteilung der Partikeldurchmesser von
Kristallen kontrolliert werden, und dass Anhaftung von Kristallen
an den Wandoberflächen
der Kristallisations-Apparaturen verhindert wird. Es wurden verschiedene
Versuche zur Kontrolle des mittleren Partikeldurchmessers und der
Verteilung der Partikeldurchmesser und zur Verhinderung des Anhaftens von
Kristallen an den Wandoberflächen
der Apparaturen unternommen.
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In
den Kristallisations-Apparaturen wird über die Retentionszeit einer
Aufschlämmung
bei der Kristallisation (Volumen eines Kristallisationstanks) aufgrund
der Materialbalance und der Kristallisations-Zeit entschieden, die
für das
Kristallwachstum notwendig ist (Verweilzeit der Kristalle), wenn über die
Bedingungen der Kristallisation entschieden wird. Wenn der mittlere
Partikeldurchmesser oder die Verteilung der Partikeldurchmesser
als Zielwert geändert
wird, muss der neue Zielwert durch eine Änderung der Retentionszeit
der Aufschlämmung
während
der Kristallisation innerhalb des Bereichs, den die Änderung
des Flüssigkeitsspiegels
im Kristallisationstank ermöglicht,
oder durch Änderungen
der Temperatur und des Drucks der Kristallisation erreicht werden.
Natürlich
ist der Bereich der Änderungen
der obigen Bedingungen beschränkt.
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Um
die obige Beschränkung
zu überwinden, wurden
seit längerer
Zeit unterschiedliche Versuche unternommen. Beispielsweise wird
eine komplizierte Struktur im Inneren des Kristallisationstanks
gebildet. Typische Beispiele für
solche Strukturen schließen den
Kristallisationstank vom Oslo-Typ
(Crystal Oslo) und den Kristallisationstank vom Draft-Tube-Typ ein. Beispielsweise
ist in einem in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr.
Heisei 6(1994)-226003 beschriebenen Verfahren ein ringförmiges Rohr
mit zahlreichen Auslässen
zum Durchblasen einer Flüssigkeit
am unteren Ende eines äußeren Rohrs
eines Draft-Tube-Typ vorgesehen, eine äußere Zirkulationsapparatur
ist mit dem ringförmigen
Rohr verbunden, und eine Lösung
wird durch das ringförmige
Rohr dem Kristallisationstank zugeführt.
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Um
Anhaften von Kristallen zu verhindern, werden lokale Maßnahmen
in Bereichen ergriffen, in denen Kristalle anhaften und wachsen,
wie im folgenden beschrieben.
- 1) Zur Unterdrückung des
Anhaftens von Kristallen im Flüssigkeits-Oberflächenbereich
einer Apparatur werden die Oberflächenbereiche durch verschiedene
Polituren (Polieren (buffing) oder elektrolytisches Polieren) oder
Beschichten mit einem die Anhaftung unterdrückenden Material (wie Beschichtung
mit Teflon) behandelt.
- 2) Um der Flüssigkeit
in der Nachbarschaft von Flüssigkeits-Oberflächenbereichen
einer Apparatur mit einer Fähigkeit
zur Verhinderung der Kristallbildung zu versehen, wird die Lösung in
der Nachbarschaft von Flüssigkeits-Oberflächenbereichen
der Apparatur ersetzt oder mit einer Lösung gewaschen, die eine niedrigere
Konzentration als die Sättigung
aufweist, erwärmt
oder gekühlt.
- 3) Um das Wachstum von Kristallen zu verhindern, sogar wenn
die Kristalle anhaften, werden die Kristalle mechanisch entfernt
(durch Schabe-Blätter
entfernt).
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Beispielsweise
wird in einem in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr.
Heisei 10(1998)-156103 beschriebenen Verfahren ein Lösungsmittel
aus einer übersättigten
Lösung
unter reduziertem Druck abgedampft, die ein Rohmaterial zur Kristallisation
enthält,
während
die Lösung
von einem Rührer
mit einem Rührschaft
gerührt
wird, das abgedampfte Lösungsmittel
wird außerhalb
des Kristallisationstanks kondensiert, und das kondensierte Lösungsmittel
wird in den Gasphasenbereich des Kristallisationstanks eingesprüht, so dass
Anhaftung von Kristallen im Gasphasenbereich des Kristallisationstanks
verhindert wird.
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Wie
oben beschrieben, wurden verschiedene Versuche bei Kristallisationstanks
unternommen, um die Verteilung der Partikeldurchmesser zu verbessern
und das Anhaften von Kristallen an den Wänden zu verhindern. Im allgemeinen
sind jedoch komplizierte Apparaturen erforderlich, und in den meisten
Fällen
werden keine praktischen Effekte erzielt. Beispielsweise muss in
dem in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. Heisei 10(1998)-156103
beschriebenen Verfahren das durch das Verdampfen erhaltene Lösungsmittel
in das Innere des Kristallisationstanks gesprüht werden. Die Konzentration
des Materials im Kristallisationstank, das bereits konzentriert
ist, wird erneut mit dem versprühten
Lösungsmittel
verdünnt,
und die Effizienz des Konzentrierens nimmt ab. In dem in der japanischen
offengelegten Patentanmeldung Nr. Heisei 6(1996)-226003 beschriebenen
Verfahren ist ein kompliziertes Rohr mit Auslässen zum Einblasen einer Flüssigkeit
erforderlich.
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Das
Dokument EP-A-0 299 597 offenbart ein Verfahren und eine Apparatur
zur Entfernung von Tartraten oder ähnlichen Verunreinigungen.
Ein Multi-Zyklon oder ein ähnlicher
Typ Separator wird mit einem Kristallisationsgerät vom Typ „fast fall-slow rise"-Zirkulation auf
eine Weise kombiniert, die eine kontinuierliche Reinigung ermöglicht,
wobei eine kristallisierbare Substanz durch Animpfen der Flüssigkeit und
Zirkulieren des Gemisches im Kristallisator extrahiert wird, und
alle Kristalle, die mit dem Kristallisator-Abwasser überfließen, durch
die Zyklon-Anordnung entfernt werden.
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Das
Dokument US-A-3 900 292 offenbart ein Verfahren zur kontinuierlichen
Herstellung von Kristallen mit einer Größenverteilung innerhalb eines
vorherbestimmten Bereichs.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines
Verfahrens zur Verbesserung der Verteilung der Partikeldurchmesser
und zur Verhinderung des Anhaftens von Kristallen an den Wänden in
einfachen Verfahren ohne komplizierte Apparaturen.
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Als
Ergebnis umfangreicher Studien der Erfinder hinsichtlich des Kristallisations-Verfahrens
und der Kristallisations-Apparaturen zur Lösung der obigen Aufgabe wurde
gefunden, dass bei Durchführung
der Kristallisation, während
ein Teil oder die Gesamtmenge der gebildeten Aufschlämmung aus
dem Kristallisationstank entnommen wird und in eine Kristallrückführungs-Apparatur
eingeführt
wird, die Kristalle in der Kristallrückführungs-Apparatur in der Aufschlämmung abgetrennt
werden oder die Aufschlämmung
konzentriert wird, und die abgetrennten Kristalle oder die konzentrierte
Aufschlämmung
in den Kristallisationstank zurückgeführt wird,
die Verweilzeit von Kristallen im Kristallisationstank und die Konzentration
der Aufschlämmung
erhöht
werden konnten, die Verteilung der Partikeldurchmesser verbessert wurde
und Kristalle mit einem gewünschten
mittleren Partikeldurchmesser erhalten werden konnten durch Kontrolle
der Flussrate der zurückgeführten Kristalle, und
dass Anhaften von Kristallen an den Flüssigkeits-Oberflächenbereichen
im Kristallisationstank und den mit dem Kristallisationstank verbundenen Apparaturen
verhindert werden konnte. Die vorliegende Erfindung wurde basierend
auf diesem Wissen vervollständigt.
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Die
vorliegende Erfindung stellt ein Kristallisations-Verfahren bereit,
welches die in Anspruch 1 beschriebenen Verfahrensschritte, und
eine Kristallisations-Apparaturen für ein Kristallisations-Verfahren,
umfassend die in Anspruch 2 beschriebenen Komponenten.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 zeigt
ein Diagramm, das das Prinzip der vorliegenden Erfindung darstellt. 2 zeigt
ein Flussdiagramm einer konventionellen Apparatur, bei der die Kristallisation
durch sehr rasches Verdampfen (flashing) einer Aufschlämmung bei
hoher Temperatur durchgeführt
wird. 3 zeigt ein Flussdiagramm, das den grundlegenden
Fluss in der erfindungsgemäßen Kristallisations-Apparatur
zeigt, welche die in 2 dargestellte Apparatur und
eine Kristallrückführungs-Apparatur
umfasst. 4 zeigt ein Flussdiagramm, welches
eine Ausführungsform
der Kristallisations-Apparaturen gemäß der vorliegenden Erfindung
zeigt, welche zwei Kristallrückführungs-Apparaturen
umfasst. 5 zeigt ein Flussdiagramm, welches
eine weitere Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Kristallisations-Apparaturen darstellt,
bei der eine Portion einer aus dem Kristallisationstank entnommenen
Aufschlämmung
nicht in den Kristallisationstank zurückgeführt, sondern nach außen abgeführt wird.
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Erläuterung
der Markierungen
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In
den obigen Zeichnungen bedeutet V einen Kristallisationstank, R,
R1 und R2 bedeutet jeweils eine Kristallrückführungs-Apparatur, PP bedeutet eine
Pumpe, A bedeutet einen Rührer
und C1 und C2 bedeuten jeweils ein Instrument zur Kontrolle der Flussrate
wie ein Kontrollventil.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
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Der
Typ des erfindungsgemäß verwendeten Kristallisationstanks
ist nicht besonders beschränkt. Ein
kontinuierlicher Kristallisationstank ist bevorzugt. Im allgemeinen
wird die Gesamtmenge der im Kristallisationstank gebildeten Aufschlämmung durch eine
Pumpe zur Entnahme der Kristalle in eine Kristallrückführungs-Apparatur
eingeführt.
Falls notwendig kann eine Portion der im Kristallisationstank gebildeten
Aufschlämmung
nach außen
entnommen werden, ohne dass sie die Kristallrückführungs-Apparatur passiert.
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Die
Kristallrückführungs-Apparatur
besteht entweder aus einer Apparatur zur Abtrennung von Kristallen,
in der die Kristalle von der aus dem Kristallisationstank entnommenen
Aufschlämmung
abgetrennt werden, oder eine Apparatur zur Konzentration einer Aufschlämmung, in
der die die Kristalle enthaltende und aus dem Kristallisationstank
entnommene Aufschlämmung
konzentriert wird, und eine Transfer-Apparatur, durch die die abgetrennten
Kristalle oder die konzentrierte Aufschlämmung zum Zurückführen in
den Kristallisationstank transferiert wird. Als Apparatur zur Abtrennung
von Kristallen kann jede Apparatur verwendet werden, solange die
Apparatur Kristalle von der Aufschlämmung abtrennen kann. Als Apparatur
zur Konzentration einer Aufschlämmung
kann jede Apparatur verwendet werden, solange die Apparatur die
Aufschlämmung
konzentrieren kann. Beispielsweise kann eine preiswerte übliche Apparatur
wie ein Flüssigkeits-Zyklon,
eine Gravitätsausfällungs-Apparatur
und eine Zentrifugenausfällungs-Apparatur
als Apparatur zur Konzentration einer Aufschlämmung verwendet werden.
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Die
Flussrate der im Kristallisationstank gebildeten und in die Kristallrückführungs-Apparatur eingeführten Aufschlämmung wird
in geeigneter Weise in Übereinstimmung
mit den physikalischen Eigenschaften des gelösten Stoffes wie der Löslichkeit und
den physikalischen Eigenschaften der Aufschlämmung ausgewählt. Durch
Anordnung der Kristallrückführungs-Apparatur
und zur Rückführung der Kristalle
in Übereinstimmung
mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
kann die Menge der Kristalle im Kristallisationstank erhöht werden,
verglichen mit der Menge ohne Verwendung der Kristallrückführungs-Apparatur.
Die Konzentration der Aufschlämmung
ist einige bis einige 10 %, und es ist gelegentlich möglich, dass
die Konzentration der Aufschlämmung
größer ist
als einige 10 %
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Da
die Konzentration der Aufschlämmung
im Kristallisationstank auf einen gewünschten Wert erhöht werden
kann, werden Vorteile wie Verhinderung des Anhaftens der Kristalle
an der Wandoberfläche des
Kristallisationstanks gezeigt. Darüber hinaus können Substanzen,
die nach üblichen
Verfahren aufgrund einer nur geringen Änderung der Löslichkeit in
Abhängigkeit
von der Temperatur nicht leicht die durch Kristallisation abgetrennt
werden, gelegentlich abgetrennt werden, oder Kühlwasser kann gelegentlich
in einem Kristallisations-Verfahren verwendet werden, welches die
Verwendung von Kühlwasser bisher
nicht ermöglicht
hatte.
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Erfindungsgemäß ist im
allgemeinen ein Kontrollventil oder ein Schraubenförderer vorgesehen,
bei dem die Rotationsgeschwindigkeit kontrolliert werden kann, und
die Verteilung der Partikeldurchmesser kann geändert und Kristalle mit einem gewünschten
Partikeldurchmesser können
erhalten werden, indem die Rotationsgeschwindigkeit des Kontrollventils
oder des Schraubenförderers
verändert
wird, wenn die abgetrennten Kristalle oder die konzentrierte Aufschlämmung aus
der Kristallrückführungs-Apparatur
in den Kristallisationstank zurückgeführt wird.
Kristalle mit einer hohen Qualität können durch
dieses Verfahren erhalten werden. Darüber hinaus werden die Verfahren
der Abtrennung von Kristallen und des Transfers der abgetrennten
Kristalle im nächsten
Schritt erleichtert, und die Effizienz der Verfahren kann verbessert
werden.
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Erfindungsgemäß ist es
zur Erzielung eines ausreichenden Effekts der Verhinderung von Anhaften
an der Wandoberfläche
und der Verbesserung der Verteilung der Partikeldurchmesser wichtig,
dass die Aufschlämmung
im Kristallisationstank flüssig
ist und ausreichend gemischt wird. Im allgemeinen wird ein Kristallisationstank
verwendet, der im Inneren eine Röhre
aufweist. Alternativ kann der Inhalt des Kristallisationstanks nicht
durch Rühren
fluidisiert, gerührt
und gemischt werden, sondern durch andere Verfahren wie Zuführen der
konzentrierten Aufschlämmung
aus der Kristallrückführungs-Apparatur in
den Kristallisationstank als Wirbelstrom oder sehr schnelles Verdampfen
(flashen) einer Lösung
des Rohmaterials in den Kristallisationstank bei hoher Temperatur.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
wird unter Bezug auf die Figuren im folgenden beschrieben. 1 zeigt
ein Diagramm, das das Prinzip der vorliegenden Erfindung darstellt.
In 1 wird ein Rohmaterial in den Kristallisationstank
V durch eine Flussleitung T1 eingeführt. Kristalle werden im Kristallisationstank
V gebildet. Die im Kristallisationstank gebildeten Kristalle werden
als Aufschlämmung
in eine Kristallrückführungs-Apparatur
R durch Flussleitung T2 transferiert. Die in der Kristallrückführungs-Apparatur R abgetrennten
Kristalle oder die in der Kristallrückführungs-Apparatur R konzentrierte Aufschlämmung wird
durch die Flussleitung T4 in die Kristallisations-Apparatur V zurückgeführt. Portionen
der als Rohmaterial eingeführten
Kristalle und der in der Kristallisations-Apparatur gebildeten Kristalle
fließen aus
der Kristallrückführungs-Apparatur über Leitung T3
in solchen Mengen hinaus, dass der Gehalt der Kristalle in der Kristallrückführungs-Apparatur
im Gleichgewicht gehalten wird. Die Konzentration der Aufschlämmung im
Inneren der Kristallisations-Apparaturen
V wird durch die zurückgeführten Kristalle erhöht.
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Als
Materialbalance der Kristalle ist die Summe der Flussrate S1 der
Kristalle im durch Flussleitung T1 zugeführten Rohmaterial und die Menge
pro Einheitszeit P der im Kristallisationstank V gebildeten und
gewachsenen Kristalle gleich der Flussrate S3 der Kristalle, die über Flussleitung
T3 entnommen werden. Wenn die Flussleitung der aus der Kristallrückführungs-Apparatur
R in die Kristallisations-Apparaturen V zurückgeführten Kristalle durch S4 dargestellt
wird, wird die Flussrate S2 der durch die Flussleitung T2 transferierten
Kristalle (die Leitung von Kristallisationstank V zum Kristallrückführungstank
R) durch (S3 + S4) ausgedrückt.
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Wenn
die Menge der im Inneren des Kristallisationstanks V in Abwesenheit
des Flusses der Kristalle durch Flussleitung T4 gehaltenen Kristalle
durch HO dargestellt wird, wird die Menge H1 der im Kristallisationstank
V gehaltenen Aufschlämmung
in Gegenwart des Flusses der Kristalle durch die Flussleitung T4
in einer Flussrate S4 erhalten als: H1 = H0 × (S4 + S3)/S3 = H0 × (S4 +
P + S1)/(P + S1).
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Wie
oben gezeigt, wird die Verweilzeit der Kristalle im Kristallisationstank
V in Gegenwart des Flusses in der Flussrate S4 durch den Faktor
(H1/H0) von der Verweilzeit in Abwesenheit des Flusses in der Flussrate
von S4 erhöht.
Daher können
Kristalle wachsen, und der mittlere Partikeldurchmesser kann erhöht werden.
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2 zeigt
ein Flussdiagramm einer konventionellen Apparatur, mit der die Kristallisation durch
rasches Verdampfen (Flashen) einer Aufschlämmung bei hoher Temperatur
durchgeführt wird. 3 zeigt
ein Flussdiagramm, das den Basisfluss in der erfindungsgemäßen Kristallisations-Apparatur
zeigt, welche die in 2 dargestellte Apparatur und
eine Kristallrückführungs-Apparatur
umfasst.
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Im
in 3 gezeigten Flussdiagramm wird eine Rohmaterial-Aufschlämmung bei
hoher Temperatur in einen Kristallisationstank V durch Flussleitung
T1 eingeführt.
Ein Rührer
A ist im Kristallisationstank V vorgesehen. Eine Aufschlämmung im
Kristallisationstank V wird durch eine Pumpe PP über Flussleitung T2 entnommen.
Die Gesamtmenge der Aufschlämmung
wird in eine Kristallrückführungs-Apparatur
R (ein Flüssigkeits-Zyklon
oder eine ähnliche Apparatur) über Flussleitung
T2 eingeführt
und in eine verdünnte
Aufschlämmung,
die durch Leitung T3 transferiert wird, und eine konzentrierte Aufschlämmung, die
durch Flussleitung T4 transferiert wird, aufgetrennt. Die Kristalle
des Produktes werden als Aufschlämmung
durch Flussleitung T3 entnommen. Die Flussleitung der in die Kristallisations-Apparatur
zurückgeführten Kristalle
wird durch ein Ventil zur Kontrolle der Flussrate kontrolliert,
das in Flussleitung T4 vorgesehen ist.
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Erfindungsgemäß können verschiedene
Verfahren zur Erhöhung
des Konzentrationsgrads der Aufschlämmung und zur Verbesserung
der Verteilung der Partikeldurchmesser verwendet werden. Beispielsweise
können
die Kristallrückführungs-Apparaturen
in zwei Schritten eingesetzt werden, wie in 4 gezeigt,
oder eine Portion der aus dem Kristallisationstank entnommenen Aufschlämmung kann aus
dem System ohne Zurückführen in
die Kristallrückführungs-Apparatur
entnommen werden, wie in 5 gezeigt.
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In üblichen
Kristallisations-Apparaturen wird eine übersättigte Lösung in eine Kristallisations-Apparatur
eingeführt,
Kristalle werden unter Kühlen
und Rühren
gebildet, und eine die Kristalle enthaltende Aufschlämmung wird
erhalten. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
wird die Konzentration der Aufschlämmung in der Kristallisations-Apparatur
durch Kombination der Kristallisations-Apparatur und der Kristallrückführungs-Apparatur erhöht. Als
Ergebnis kann die Kristallisationsrate pro Einheitsmenge der Kristalle
klein gehalten werden, und dichte und harte Kristalle mit einer
hervorragenden Reinheit können erhalten
werden.
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Nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren kann
die Rate der Kristallisation pro Einheitsmenge der Kristalle klein
gehalten werden, sogar wenn der Grad der Übersättigung der übersättigten
Lösung, die
in den Kristallisationstank zugeführt wird, groß gehalten
wird, da die Konzentration der Aufschlämmung im Kristallisationstank
erhöht
werden kann, und der Grad der Übersättigung
der Lösung
im Kristallisationstank kann klein gehalten werden. Daher kann Anhaften
der Kristalle im Inneren des Kristallisationstanks unterdrückt oder
verhindert werden.
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Im
erfindungsgemäßen Verfahren
können, wenn
die Aufschlämmung
im Kristallisationstank durch Rühren
mit einem im Kristallisationstank vorgesehenen Rührer fluidisiert wird, an den
Wandoberflächen
im Inneren des Kristallisationstanks haftende Kristalle durch den
Fluss der Aufschlämmung,
welche eine hohe Konzentration aufweist, abgeschabt werden. So kann
Anhaften der Kristalle im Inneren des Kristallisationstanks verhindert
werden, oder das Wachstum der Kristalle kann unterdrückt werden.
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Erfindungsgemäß kann die
Verweilzeit der Kristalle und die Verweilzeit der Mutterlauge im
Kristallisationstank unabhängig
durch die kombinierte Verwendung des Kristallisationstanks und der
Kristallrückführungs-Apparatur kontrolliert
werden. Daher kann der Partikeldurchmesser in der Aufschlämmung frei
kontrolliert werden, und es können
Kristalle mit einem gewünschten
Partikeldurchmesser erhalten werden. Zur Kontrolle des Partikeldurchmessers wird
ein Kontrollventil zur Kontrolle der Flussrate der Rückführung der
konzentrierten Aufschlämmung
verwendet, wenn eine Apparatur zum Konzentrieren einer Aufschlämmung als
Kristallrückführungs-Apparatur
eingesetzt wird, und es wird ein Schraubenförderer zur Kontrolle der Flussrate
der Rückführung der Kristalle
verwendet, wenn eine Apparatur zur Abtrennung von Kristallen als
Kristallrückführungs-Apparatur
eingesetzt wird.
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Das
Verfahren und die Apparatur gemäß der vorliegenden
Erfindung kann im Prinzip für
alle Materialien verwendet werden, solange die Kristallisation durchgeführt werden
kann. Daher werden das Verfahren und die Apparatur gemäß der vorliegenden Erfindung
in vorteilhafter Weise in breiten gewerblichen Gebieten eingesetzt.
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Bei
der Anwendung des Verfahrens und der Apparatur gemäß der vorliegenden
Erfindung kann die Konzentration der Aufschlämmung im Kristallisationstank
durch kombinierte Verwendung der Kristallisations-Apparatur und der
Kristallrückführungs-Apparatur
erhöht
werden, und die folgenden vorteilhaften Wirkungen werden gezeigt.
- (1) Die Kristallisationsrate pro Einheitsmenge Kristalle
kann auf einen kleinen Wert unterdrückt werden, und dichte und
harte Kristalle mit hoher Reinheit können erhalten werden.
- (2) Die Kristallisationsrate pro Einheitsmenge der Kristalle
kann auf einen kleinen Wert unterdrückt werden, sogar wenn der Übersättigungsgrad
der übersättigten
Lösung,
die dem Kristallisationstank zugeführt wird, bei einem großen Wert
gehalten wird, und der Übersättigungsgrad
der Lösung
im Kristallisationstank kann auf einem kleinen Wert gehalten werden.
Daher kann Anhaften von Kristallen im Inneren des Kristallisationstanks
verhindert werden, und das Wachstum der Kristalle kann unterdrückt werden.
- (3) Wenn die Aufschlämmung
durch Rühren
mit einem im Kristallisationstank vorgesehenen Rührer fluidisiert wird, können an
der Wandoberfläche im
inneren des Kristallisationstanks haftende Kristalle abgeschabt
werden. Daher kann Anhaften von Kristallen im Inneren des Kristallisationstanks verhindert
werden, und das Wachstum der Kristalle kann unterdrückt werden.
- (4) Durch Verwendung der Kombination von Kristallisationstank
und Kristallrückführungs-Apparatur
und darüber
hinaus durch Verwendung der Funktion der Kontrolle der Flussrate
der zurückgeführten Kristalle
kann die Konzentration der Aufschlämmung im Kristallisationstank
auf einen gewünschten
Wert eingestellt werden, und die Verweilzeit der Kristalle und die
Verweilzeit der Mutterlauge im Kristallisationstank kann unabhängig verändert werden.
Als Ergebnis kann der Partikeldurchmesser der Kristalle je nach
Wunsch eingestellt werden, und es können Kristalle mit einem gewünschten
Partikeldurchmesser erhalten werden.
- (5) Da, wie oben beschrieben, die physikalischen Eigenschaften
(Dichte, Härte
und Reinheit) der Kristalle, der Übersättigungsgrad der dem Kristallisationstank
zugeführten übersättigten
Lösung, die
Anhaftung der Kristalle am Inneren des Kristallisationstanks und
das Wachstum der anhaftenden Kristalle nach Wunsch kontrolliert
werden können,
können Kristalle
mit hoher Qualität
erhalten werden, und die Verfahren der Abtrennung und des Transfers
der Kristalle nach der Kristallisation werden erleichtert.
- (6) Da die Konzentration der Aufschlämmung im Kristallisationstank
erhöht
werden kann, kann die Kristallisation unter Verwendung von Kühlwasser bei
erhöhter
Kristallisations-Temperatur durchgeführt werden, sogar wenn die
Differenz der Löslichkeit
in Abhängigkeit
von der Temperatur so klein ist, dass durch Kristallisation erhaltene
Kristalle kleine Durchmesser haben und mit üblichen Verfahren nicht abgetrennt
werden können,
oder sogar wenn Kühlen
mit Wasser unmöglich
ist, da der Kristallisationseffekt verschwindet, außer wenn
die Kristallisations-Temperatur
gesenkt wird.
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Wie
oben beschrieben kann durch kombinierte Verwendung des Kristallisationstanks
und der Kristallrückführungs-Apparatur
eine Verbesserung der Verteilung der Partikeldurchmesser und eine
Verhinderung des Anhaftens von Kristallen an den Wandoberflächen mit
einfachen Verfahren, ohne Verwendung komplizierter Apparaturen,
erzielt werden. Daher sind das Verfahren und die Apparatur gemäß der vorliegenden
Erfindung gewerblich vorteilhaft.
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Die
vorliegende Erfindung wird genauer unter Bezug auf die folgenden
Beispiele beschrieben. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese
Beispiele beschränkt.
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Beispiel 1
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Unter
Verwendung der in 3 gezeigten Kristallisations-Apparaturen
wurde die Kristallisation von Pyromellithsäure aus einer Lösung von
roher Pyromellithsäure
durchgeführt.
Ein Flüssigkeits-Zyklon wurde
als Kristallrückführungs-Apparatur
verwendet, und ein Kontrollventil wurde zur Kontrolle der Flussrate
der Rückführung der
konzentrierten Aufschlämmung
eingesetzt. Eine Rohmateriallösung
(eine Lösung
von roher Pyromellithsäure),
enthaltend die Kristall-Komponente (Pyromellithsäure) bei hoher Temperatur,
wurde durch sehr schnelles Verdampfen in eine in 3 gezeigte
Apparatur bei hoher Temperatur verdampft, und eine konzentrierte
Aufschlämmung
wurde aus der Kristallrückführungs-Apparatur in
den Kristallisationstank bei einer Flussrate zurückgeführt, die das 0,3fache der Flussrate
der aus dem Kristallisationstank entnommenen Aufschlämmung betrug.
Als Ergebnis war der mittlere Partikeldurchmesser der Kristalle
80 μm, und
die Fähigkeit
der Apparatur zur Abtrennung von Kristallen wurde verbessert.
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Vergleichsbeispiel 1
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Dasselbe
Verfahren wie das in Beispiel 1 durchgeführte wurde durchgeführt mit
der Ausnahme, dass die aus dem Kristallisationstank entnommenen
Kristalle nicht der Kristallrückführungs-Apparatur
(dem Flüssigkeits-Zyklon)
zugeführt
wurden, und die Aufschlämmung
in der Kristallisations-Apparaturen wurde ohne Rückführung aus dem System entnommen.
Als Ergebnis war der mittlere Partikeldurchmesser der Kristalle
etwa 50 μm.