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DE60114851T2 - Hoch zuverlässige nicht leitfähige klebstoffe für lötlose flip-chip-bondings und flip-chip-bondverfahren damit - Google Patents

Hoch zuverlässige nicht leitfähige klebstoffe für lötlose flip-chip-bondings und flip-chip-bondverfahren damit Download PDF

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DE60114851T2
DE60114851T2 DE60114851T DE60114851T DE60114851T2 DE 60114851 T2 DE60114851 T2 DE 60114851T2 DE 60114851 T DE60114851 T DE 60114851T DE 60114851 T DE60114851 T DE 60114851T DE 60114851 T2 DE60114851 T2 DE 60114851T2
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Germany
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flip
bump
chip
chip bonding
epoxy resin
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Kyung-Wook Yusong-gu PAIK
Myung-Jin Yusong-g YIM
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Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Telephus Inc
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Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Telephus Inc
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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein nicht leitendes Klebemittel (hiernach als NCA bezeichnet) und ein Verfahren zum Flip-Chip-Bonden unter Verwendung desselben. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein nicht leitendes Klebemittel mit einem kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten und einer kleineren dielektrischen Konstante und überlegenen mechanischen und elektrischen Eigenschaften, verglichen mit herkömmlichem NCA, und ein Verfahren zum Flip-Chip-Bonden unter Verwendung desselben.
  • Hintergrund
  • Die Methode zum Kapseln von Elektronik ist eine umfassende und facettenreiche Anordnungsherstellungsmethode, die alle Schritte von einer Halbleitervorrichtung bis zum endgültigen, fertigen Produkt einschließt. Kürzlich entwickelten sich die Halbleitertechnologien hin zur Integration von mehr als einer Million Zellen, und einer Vielzahl von I/O-Pins, Rohchips großer Größe, Ableitung großer Mengen von Wärme und hoher elektrischer Leistung im Falle einer Nichtspeichervorrichtung. Die Methode zum Kapseln von Elektronik für solche Vorrichtungen ist der schnellen Entwicklung der Halbleiterindustrie jedoch nicht gefolgt.
  • Die Methode zum Kapseln von Elektronik ist eine wichtige Methode, die die Leistung, die Größe, den Preis und die Zuverlässigkeit der endgültigen, elektronischen Produkte beeinflußt. Die Wichtigkeit dieser Methode wird gemäß der Entwicklung von elektronischen Produkten, die hohe elektrische Performance, ultrakleine Größe/hohe Dichte, geringe Leistung, Multifunktion, Hochgeschwindigkeitssignalverarbeitung und permanente Zuverlässigkeit anstreben, betont.
  • Mit dieser Entwicklung übereinstimmend hat die Methode des Flip-Chip-Bonding, eine Methode, die einen Chip mit einem Substrat elektrisch verbindet, sehr viel Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Die Methode des Flip-Chip-Bonding schließt jedoch komplexe Bondingverfahren ein, die ein bestehendes Lot verwenden, das die Beschichtung eines Substrates mit Lötflußmittels, Ausrichten eines Chips, auf dem ein Löthöcker bebildet ist, und ein Substrat, auf dem eine Oberflächenelektrode gebildet ist, Rückfließen eines Löthöckers, Entfernen verbleibenden Flußmittels, Auffüllen von Unterfüllung und Aushärter, umfaßt, wodurch der Preis des endgültigen Produkts erhöht wird.
  • Um daher den oben genannten komplexen Prozeß zu vereinfachen, zieht eine Packagingmethode in einem Waferzustand, die Polymermaterial mit Fluß- und Unterfüllfunktionen in einem Waferzustand beschichtet und verarbeitet, Aufmerksamkeit auf sich. Zusätzlich ist eine Studie über eine Flip-Chip-Bonding-Methode unter Verwendung eines leitenden Klebemittels in Arbeit. Das leitende Klebemittel hat Vorteile eines geringen Preises verglichen mit einem allgemeinen gelöteten Flip-Chip, die Möglichkeit eines ultrafeinen Elektrodenabstands, Umweltfreundlichkeit aufgrund dessen, daß keine Fluß- oder Bleibestandteile verwendet werden, und die Verarbeitbarkeit bei geringer Temperatur.
  • Das leitende Klebemittel kann in ein anisotrop leitendes Klebemittel (hiernach als ACA bezeichnet) und ein isotrop leitendes Klebemittel unterteilt werden, und umfaßt leitende Partikel wie zum Beispiel Ni, Au/Polymer oder Ag; und duroplastische, thermoplastische oder gemischte Isolierharze, die ihre Vorteile einbringen. Die Forschung über Flip-Chip-Methoden, die die teureren, jedoch umweltfreundlichen ACA als ein Verbindungsmaterial verwenden, war sehr aktiv. Um die Untersuchungen zu unterstützen, war die Entwicklung von ACA-Material und die Anwendung von ACA-Flip-Chip-Methoden auch sehr populär.
  • Zusätzlich zu dem Flip-Chip-Bonding-Verfahren unter Verwendung des leitenden Klebemittels, wurde die Methode unter Verwendung von NCA, das keine leitenden Partikel enthält, eingeführt. Es gab jedoch ein Problem der geringen Zuverlässigkeit für herkömmliches NCA-Material, da es einen großen Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine große dielektrische Konstante zeigt, und auch unterlegene mechanische und elektrische Eigenschaften besitzt.
  • Wie oben erwähnt, ist die bestehende Flip-Chip-Packaging-Methode nicht nur kompliziert in seinem Zusammenbauverfahren, da es Löthöcker verwendet, sondern auch noch nicht umweltfreundlich. Die Verpackungskosten sind hoch aufgrund der Kosten des ACA-Materials, wenn ACA verwendet wird. Wenn NCA verwendet wird, wird die Zuverlässigkeit des Produktes geringer aufgrund des hohen Wärmeausdehnungskoeffizienten und der hohen dielektrischen Konstante und seiner unterlegenen mechanischen und elektrischen Eigenschaften. Unter Berücksichtigung der Realität, daß die elektronische Packungsmethode im Aufstieg zu einem wichtigen Gebiet in der Erzeugung zusätzlichen Wertes der Produkte ist, ist es eine sehr wichtige Aufgabe, umweltfreundliche Flip-Chip-Methoden zu entwickeln, die die bestehenden Probleme lösen und bestehende Lötverbindungen ersetzen kann.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Daher ist es das Ziel dieser Erfindung, ein NCA zum Flip-Chip-Bonding bereitzustellen, das weniger teuer als ACA ist, jedoch mit einem kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten und einer kleineren dielektrischen Konstante und mit überlegenen mechanischen und elektrischen Eigenschaften und hoher Zuverlässigkeit verglichen mit herkömmlichem NCA.
  • Es ist ein anderes Ziel dieser Erfindung, ein Verfahren zum Flip-Chip-Bonding bereitzustellen, das umweltfreundlich ist und die Zuverlässigkeit des Produktes unter Verwendung des NCA, das durch diese Erfindung bereitgestellt wird, zu erhöhen, unter Verwendung von Gold- oder Kupferzapfenhöckern anstelle von Löthöckern und unter Verwendung von Nichtlöthöckern, wie zum Beispiel stromlose Nickel/Kupfer/Goldhöcker.
  • Ein Beispiel für nicht leitendes Klebemittel, das in dieser Erfindung für Flip-Chip-Bonding verwendet wird, ist in der Form eines Films, der Festphasen-Bisphenol-A-artiges Epoxidharz, Flüssigphasen-Bisphenol-F-artiges Epoxidharz, Festphasen-Phenoxyharz, Methylethylketon/Toluollösungsmittel, einen Flüssigphasen-Härter und nicht leitende Partikel umfaßt. Es ist wünschenswert, daß die Dicke des Films 10–50 μm beträgt und eine Extraschicht aus Epoxyharz auf beiden Seiten des Films mit einer Dicke vom 2–5 μm aufgebracht wird, um die Anhaftung zu verstärken.
  • Ein anderes Beispiel eines nicht leitenden Klebemittels, das in dieser Erfindung für Flip-Chip-Bonding verwendet wird, ist in der Form einer Paste, die ein Flüssigphasen-Bisphenol-A- oder -F-artiges Epoxyharz, Flüssigphasen-Härter und nicht leitende Partikel umfaßt.
  • In den Beispielen nicht leitenden Klebemittels, das in dieser Erfindung für Flip-Chip-Bonding verwendet wird, besitzt das nicht leitende Partikel die Größe von 0,1–1 μm und besteht aus SiO2 oder SiC. Und der Härter ist ein imidazolartiger Härter. Der Härter beträgt 15–30 Gew.-% des Epoxyharzes und das nicht leitende Partikel beträgt 10–30 Gew.-% des gesamten nicht leitenden Klebemittels.
  • Ein Verfahren zum Flip-Chip-Bonding gemäß einem Beispiel dieser Erfindung umfaßt die Schritte: Bereitstellen eines IC-Chips, auf dem eine Vielzahl von Nichtlöthöckern auf der I/O-Plattform gebildet sind, und eines Boards, auf dem eine Metallelektrode auf der Oberfläche gebildet ist; Aufkleben des nicht leitenden Klebemittels gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung auf das Substrat; Ausrichten des Höckers auf die Metallelektrode; und Thermokomprimieren des IC-Chips auf dem Board, so daß der Höcker plastisch deformiert wird und der Höcker und die Metallelektrode mechanisch und elektrisch verbunden werden.
  • Ein Verfahren zum Flip-Chip-Bonden gemäß einem anderen Beispiel dieser Erfindung umfasst die Schritte: Bereitstellen eines IC-Chips, auf dem eine Vielzahl von Nichtlöthöckern auf der I/O-Plattform ausgebildet sind, und eines Boards, bei dem eine Metallelektrode auf der Oberfläche ausgebildet ist; Beschichten des nicht leitenden Klebemittels gemäß eines anderen Beispiels der vorliegenden Erfindung auf das Substrat; Ausrichten des Höckers mit der Metallelektrode; und Thermokomprimieren des IC-Chips auf das Board, so daß der Höcker plastisch deformiert wird und der Höcker und die Metallelektrode mechanisch und elektrisch verbunden werden.
  • Bei einem anderen Verfahren zum Flip Chip Bonden in dieser Erfindung umfaßt der Schritt, der den Nichtlöthöcker bildet: Ausbilden eines Metallpads auf der I/O-Plattform des IC-Chips; und Ausbilden eines Gold- oder Kupferzapfenhöckers auf dem Metallpad.
  • Nach dem Zapfenhöckerausbildungsschritt ist es hier wünschenswert, daß ein Prägeverfahren, das Druck auf das Ende des Zapfenhöckers ausübt, eingefügt wird, so daß das Ende des Zapfenhöckers gerade wird. Ob ein Prägeverfahren eingefügt werden muß oder nicht, wird aufgrund der Stärke des Zapfenhöckermaterials und seiner plastischen Verformungseigenschaften entschieden. Normalerweise ist ein Prägeverfahren nicht notwendig für Goldzapfenhöcker, es ist jedoch für Kupferzapfenhöcker besser, eines einzufügen.
  • Bei einem anderen Verfahren zum Flip-Chip-Bonden bei dieser Erfindung umfaßt der Schritt, der den Nichtlöthöcker bildet: Ausbilden eines Metallpads auf der I/O-Plattform des IC- Chips; und Ausbilden eines Nickel-/Kupfer-/Goldhöckers durch Aufbringen einer Nickel-, Kupfer- und Goldschicht nacheinanderfolgend auf das Metallpad in einem stromlosen Verfahren. Kupfer ist weniger hart als Nickel und wird leicht plastisch deformiert, daher ist der Nickel-/Kupferhöcker elektrisch mit der Metallelektrode des Boards stabil verbunden. Auf diese Weise wird die Kupferschicht ausgebildet.
  • Indessen kann eine Zinkatbehandlung, in Abhängigkeit des Falles, des Metallpads nach der Ausbildung des Metallpads hinzugefügt werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • 1A bis 1C sind schematische Zeichnungen, um das Verfahren der Ausbildung des Goldzapfenhöcker 140 vor dem Prägen zu beschreiben;
  • 1D ist eine Skizze, um das Verfahren der Ausbildung des Goldzapfenhöckers 140a zu beschreiben, dessen Ende durch das Prägeverfahren eben wird;
  • 1E ist ein Bild, das den Goldzapfenhöcker 140 aus 1C vor dem Prägen zeigt;
  • 1F ist ein Bild, das den Goldzapfenhöcker 140a aus 1D nach dem Prägen zeigt;
  • 2A bis 2D sind Querschnittsansichten, um das Verfahren der Herstellung stromloser Nickel-/Kupfer-/Goldhöcker zu beschreiben.
  • 2E ist ein Bild, um den stromlosen Nickel-/Kupfer-/Goldhöcker aus 2D darzustellen;
  • 3 ist eine Skizze, um das Verfahren zum Flip-Chip-Bonden in dieser Erfindung zu erklären; und
  • 4A und 4B sind Querschnittsansichten, um die Ergebnisse des Flip-Chip-Bondens für den Fall, daß Goldzapfenhöcker und stromlose Nickel-/Kupfer-/Goldhöcker angewendet werden, darzustellen.
  • BESTE AUSFÜHRUNGSFORM ZUM DURCHFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Eine Erklärung anhand eines Beispiels der vorliegenden Erfindung mit Verweis auf die beiliegenden Zeichnungen ist wie folgt.
  • [Höckerausbildung eines IC-Chips für einen Versuch]
  • 1A bis 1C sind Skizzen, um das Verfahren der Ausbildung des Goldzapfenhöckers 140 vor dem Prägen zu beschreiben, und 1D ist eine Skizze, um das Verfahren der Ausbildung des Goldzapfenhöckers 140a zu beschreiben, dessen Ende durch das Prägeverfahren eben wird.
  • Mit Verweis auf 1A bis 1D wird ein Aluminiumpad 120 auf dem IC-Chip 110 mit der Dicke von 1 μm als erstes abgeschieden. Dann, nachdem ein Schutzfilm 130, der SiN oder Polyamid umfaßt, auf einem Aluminiumpad 120 in 0,5–1 μm Dicke ausgebildet wurde, wird ein I/O-Pad ausgebildet, nachfolgend der Ausbildung eines Pitchs mit 100 μm Durchmesser, das das Aluminiumpad 120 durch Ätzen des Schutzfilms 130 freilegt.
  • Dann wird der Goldzapfenhöcker 140 unter Verwendung eines Drahtbinders oberhalb des I/O-Pads ausgebildet. Und da das Ende des Goldzapfenhöckers 140 eine leicht scharfe Form besitzt, wird ein Goldzapfenhöcker 140a hergestellt, dessen Ende durch Durchführung des Prägeverfahrens, das den konstanten Druck auf das Ende des Goldzapfenhöckers 140 ausübt, eben ist.
  • Das Prägeverfahren wird durchgeführt, um die Ausrichtung und Kontakt des IC-Chips 110 mit dem Board zu erleichtern, wie auch um den Kontaktwiderstand durch Verbreitern der Kontaktfläche zu vermindern. Ein anderer Grund, das Prägeverfahren durchzuführen, ist, um Schaden des IC-Chips aus einem Überkontaktdruck auf ein spezifisches I/O-Pad in Kontakt mit dem Board zu verhindern, wenn die Höhe des Höckers uneben ist.
  • Dasselbe Verfahren wird im Falle durchgeführt, daß ein Kupferzapfenhöcker anstelle eines Goldhöckers verwendet wird. 1E ist ein Bild, das den Goldzapfenhöcker 140 aus 1C vor dem Prägen zeigt, und 1F ist ein Bild, das den Goldzapfenhöcker 140a aus 1D nach dem Prägen zeigt.
  • 2A bis 2F sind Querschnittsansichten, um das Verfahren der Ausbildung von stromlosen Nickel-/Kupfer-/Goldhöckern zu beschreiben. Mit Verweis auf 2A bis 2D wird ein I/O-Pad wie in 1A ausgebildet, mit der Ausnahme, daß eine Zinkschicht 125 durch Zinkatbehandlung gebildet wird, nachdem das Aluminiumpad 120 ausgebildet ist, um das Aluminium für die Metallbeschichtung zu aktivieren. Das heißt, nachdem das Aluminiumpad in 2 μm Dicke durch ein Sputteringverfahren ausgebildet ist, wird entweder ein SiN Schutzfilm in 0,5 μm Dicke durch thermisches Verdampfen abgeschieden, oder ein organischer Polyimidschutzfilm wird in 1 μm Dicke durch ein Spincoatverfahren aufgebracht, und das I/O-Pad wird durch Anwenden eines lithographischen Verfahrens ausgebildet.
  • Als nächstes wird eine Nickelschicht 142 mit 10–15 μm Dicke nach Eintauchen des resultierenden Materials in eine stromlose Nickelbeschichtungslösung mit 90°C über 20–30 Minuten ausgebildet. Nachdem die stromlose Kupferbeschichtungslösung 144, die weniger schwer als die Nickelbeschichtung ist, in einer Dicke von 10 μm gebildet wird, wird eine Goldschicht 146 von 0,1 μm Dicke durch Goldbeschichten über 30 Minuten unter Verwendung von stromloser Goldbeschichtungslösung mit ungefähr 60°C gebildet. Daher ist der stromlose Nickel-/Kupfer-/Goldhöcker 145 ungefähr 45 μm dick im Gesamten.
  • Die Verwendung einer Goldschicht 146 ist es, die Nickelschicht 142 und die Kupferschicht 144 vor Oxidation zu bewahren, und um die elektrische Leitfähigkeit ebenfalls zu erhöhen. Die Kupferschicht 144 mit einer guten Duktilität, die zwischen der Nickelschicht 142 und der Goldschicht liegt, macht die plastische Deformation leichter, wenn der IC-Chip 110 auf das Board thermokomprimiert wird und vergrößert den elektrischen Kontaktbereich als ein Ergebnis. 2E ist ein Bild, um den stromlosen Nickel-/Kupfer-/Goldhöcker aus 2D zu zeigen.
  • [Herstellen eines Boards für einen Versuch]
  • Ein FR-4 Organicboard mit 1 mm Dicke wird als ein Testboard hergestellt. Die Oberfläche des Boards wird mit einer Metallelektrode ausgebildet, die mehrere Schichten aus Nickel/Kupfer/Gold umfaßt, und der Teil außerhalb der Elektrode wird durch eine Lötmaske geschützt.
  • [Herstellung von NCA]
  • NCA in Form eines Films oder einer Paste wird durch Vermischen eines Epoxyharzes, eines Härtungsmittels und nicht leitender Partikel hergestellt.
  • Ein NCA Film wird wie folgt hergestellt. 10 g Festphasen-Bisphenol-A-Typ Epoxidharz, 25 g Flüssigphasen-Bisphenol-F-Typ Epoxidharz, 20 g Festphasen-Phenoxyharz, 46,6 g einer Lösungsmittelmischung von Methylethylketon und Toluol mit dem Verhältnis von 1:3 in Vol.-% (entsprechend 10,8 g Methylethylketon und 35,8 g Toluol), 15 g Flüssigphasen-Imidazoltyp-Härtungsmittel und nicht leitende Partikel, die SiO2 und SiC mit der Größe von 0,1–1 μm und mit kleinerem Wärmeausdehnungskoeffizienten und kleinerer dielektrischer Konstante umfassen, werden zusammengemischt. Ein mechanischer Mischer wird zum Vermischen verwendet, und Festphasen-Bisphenol-A-Typ Epoxidharz, Flüssigphasen-Bisphenol-F-Typ Epoxidharz, Festphasen-Phenoxyharz, die Lösungsmittelmischung von Methylethylketon und Toluol werden für 3 Stunden bei einer konstanten Temperatur von 80°C vermischt, um eine homogene Mischung zu erhalten. Dann werden unter Verwendung desselben mechanischen Mischgeräts nicht leitende Partikel und Härtungsmittel vermischt. Dann wird ein Film mit einer konstanten Dicke von 10–50 μm auf einem Release-Papier unter Verwendung des Streichmesserverfahrens hergestellt.
  • Hier wird der Film für eine Stunde bei 80°C belassen, um das Lösungsmittel zu entfernen, und wird in einer Art und Weise vermischt, daß das Härtungsmittel 15–30 Gew.-% des Epoxidharzes und die nicht leitenden Partikel 10–30 Gew.-% des gesamten NCA-Films ausmachen. Die nicht leitenden Partikel werden zugegeben, um den Wärmeausdehnungskoeffizienten des NCA-Films zu verringern.
  • Die Dicke des NCA-Films wird anhand der Dicke des gebildeten Höckers entschieden, sie wird jedoch auf 10–50 μm hergestellt, so daß Höcker mit unterschiedlichen Größen angewandt werden können. Es ist wünschenswert, eine haftverbessernde Schicht aus Epoxidharz mit der Dicke von 2–5 μm auf beide Seiten des NCA-Films aufzubringen, so daß die Haftungskraft des Films verbessert wird. In dem Fall, daß große Mengen anorganischen Pulvers in dem NCA-Film enthalten sind, um den Wärmeausdehnungskoeffizienten zu verringern, kann eine Haftungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und dem Board nicht gut funktionieren, da die Fläche des Harzes, die Haftstärke innerhalb der Haftfläche des NCA-Films besitzt, kleiner wird. Daher wird eine haftverstärkende Schicht durch Laminierung auf beiden Seiten des NCA-Films gebildet, der einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt. Diese haftverstärkende Schicht erfährt auch ein Härten durch die Wärme während des Thermoverdichtungsverfahrens, verbessert die Adhäsion durch Kontaktieren des gesamten Halbleiterchips und des organischen Boards, wodurch die Anhaftungskraft verglichen mit der des NCA-Films, der nicht leitende Partikel einer Einzelschicht(einer Seite)-Struktur enthält, wesentlich verbessert, und hat keine Auswirkung auf die Leitfähigkeit zwischen dem Höcker des Chips und der Elektrode auf dem Board. Hier umfaßt die adhäsionsverbessernde Schicht dieselben Elemente wie die des Harzes mit Ausnahme der nicht leitenden Partikel des NCA Films, und die Dicke wird auf 2–5 μm verringert.
  • Währenddessen ist die NCA-Paste viel einfacher in ihrer Zusammensetzung als diejenige von NCA-Filmen. Das heißt, 30–50 μm Flüssigphasen-Imidazol-Typ Härtungsmittel wird mit 100 g Flüssigphasen-Bisphenol-A- oder -F-Typ Epoxidharz vermischt und nicht leitende Partikel SiO2 oder SiC mit der Größe von 0,1–1 μm werden zu 10–30 Gew.-% zu diesem NCA-Pastenharz vermischt, das oben zusammengestellt wurde. Das Vermischungsverfahren wird durchgeführt, um sie zu vermischen, bis sie homogen wird unter Verwendung eines mechanischen Mischgeräts bei Raumtemperatur.
  • [Verfahren zum Flip-Chip-Bonden]
  • Die Erklärung über ein Verfahren zum Flip-Chip-Bonden mit Verweis auf 3 ist wie folgt. Als erstes wird im Falle der NCA-Paste ein IC-Chip 110, auf dem ein Höcker 147 ausgebildet ist, mit einer Metallelektrode 220 ausgerichtet, nachdem eine feste Menge der NCA-Past 230 auf das Board 210 unter Verwendung von Einspritzgerätschaft oder von Siebdruckgeräten beschichtet wurde. Hier kann der Höcker 147 ein Goldzapfenhöcker (140 aus 1C) sein, der ein scharfes Ende besitzt, oder ein Goldzapfenhöcker (140a aus 1D), der ein flaches Ende besitzt, oder ein nichtelektrolyt Nickel-/Kupfer-/Goldhöcker (145 aus 2D).
  • Da die NCA-Paste 230 innerhalb von 5 Minuten hart wird, wenn der IC Chip 110 und das Board 210 thermokomprimiert unter dem Druck von 3–5 kgf/cm2 bei 150°C werden, wird der Höcker 147 plastisch deformiert und mit der Metallelektrode 220 kontaktiert, weshalb der Höcker 147 und die Metallelektrode 220 stabil mechanisch und elektrisch als ein Ergebnis verbunden werden.
  • Im Falle eines NCA-Films, nachdem die Seite des NCA-Films thermokomprimiert auf das Board 210 unter dem Druck von 1–2 kgf/cm2 bei 80°C wurde, wird der Release-Papierfilm entfernt, und die Elektrode 220 des Boards 210 und der Nichtlöt-Höcker 147 des Chips 110 werden verbunden unter Verwendung des NCA-Films durch das Ausrichtverfahren.
  • 4A und 4B sind Querschnittsansichten, um den Fall des Flip-Chip-Bondens durch einen Goldzapfenhöckers bzw. einen stromlosen Nickel-/Kupfer-/Goldhöcker darzustellen.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Das NCA in der vorliegenden Erfindung besitzt einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine kleinere dielektrische Konstante und zeigt überlegene mechanische und elektrische Eigenschaften wie auch hohe Zuverlässigkeit im Vergleich zu herkömmlichem NCA. Es ist auch weniger teuer als ACA, da es, anders als ACA, nicht hochpreisige, leitende Partikel enthält. Es kann auch in Form eines Films oder einer Paste hergestellt werden, weshalb es entsprechend wie benötigt verwendet werden kann.
  • Da das Flip-Chip-Bonding-Verfahren dieser Erfindung Nichtlöt-Höcker verwendet, ist es umweltfreundlich. Dieses Verfahren ist auch bei den Kosten und der Produktivität hoch konkurrenzfähig, da bestehende Flip-Chip-Verfahren und -Ausrüstung angewandt werden können, die leitendes Polymerklebemittel verwenden. Der Kontaktwiderstand zwischen IC-Chip und Board ist auch gering, da der Kontaktbereich groß ist aufgrund des Höckers, der ausgestaltet ist, um hohe plastische Deformierung gegenüber der Elektrode, die auf dem Board gebildet ist, möglich zu machen.
  • Es ist auch klar, daß der Geltungsbereich des Anspruchs nicht nur auf die Zusammensetzung, die in den Beispielen in der vorliegenden Erfindung angegeben ist, beschränkt ist, sondern auch die Kombination ähnlicher Zusammensetzungen enthält.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind nicht nur auf das obige beschränkt, und es ist offensichtlich, daß sie vielfältig durch einen Fachmann des entsprechenden Gebietes modifiziert werden kann innerhalb des technischen Gedankens des vorliegenden.

Claims (12)

  1. Nicht-leitendes Klebmittel für Flip-Chip-Bonding, das getrocknet ist und die Form eines Films besitzt, das 6–10 Gew.-% eines Epoxidharzes vom Festphasen-Bisphenol-A-Typ, 15–25 Gew.-% Epoxidharz vom Flüssigphasen-Bisphenol-F-Typ, 12–18 Gew.-% Festphasen-Phenoxyharz, 32–40 Gew.-% einer Lösungsmittelmischung mit Methylethlyketon und Toluol im Verhältnis von 1:3 in Volumen-%, 8–14 Gew.-% eines Flüssigphasen-Imidazolhärtungsmittels und 6–20 Gew.-% nicht leitender SiO2 oder SiC Partikel enthält.
  2. Nicht-leitendes Klebemittel für Flip-Chip-Bonding gemäß Anspruch 1, wobei die Dicke des Films 10–50 μm beträgt.
  3. Nicht-leitendes Klebemittel für Flip-Chip-Bonding gemäß Anspruch 1, wobei die epoxidklebemittelverstärkte Schicht mit der Dicke von 2–5 μm auf beide Seiten des Films aufgetragen wird, das 6–10 Gew.-% Expoxidharz vom Festphasen-Bisphenol-A-Typ, 15–25 Gew.-% Epoxidharz vom Flüssigphasen-Bisphenol-F-Typ, 12–18 Gew.-% Festphasen-Phenoxyharz, 32–40 Gew.-% einer Lösungsmittelmischung mit Methylethylketon und Toluol im Verhältnis von 1:3 in Volumen-% und 8–14 Gew.-% Flüssigphasen-Imidazolhärtungsmittel enthält und getrocknet ist.
  4. Nicht-leitendes Klebemittel für Flip Chip Bonding, das die Form einer Paste besitzt, das 40–75% Epoxyharz vom Flüssigphasen-Bisphenol-A- oder -F-Typs, 15–30 Gew.-% Flüssigphasen-Imidazolhärtemittel, und 15–30 Gew.-% nicht leitende SiO2 oder SiC enthält.
  5. Nicht-leitendes Klebemittel für Flip-Chip-Bonding gemäß Anspruch 1 oder 4, wobei das nicht-leitende Partikel die Größe von 0,1–1 μm besitzt und SiO2 oder SiC umfaßt.
  6. Nicht-leitendes Klebemittel für Flip-Chip-Bonding gemäß Anspruch 1 oder 4, wobei das Härtungsmittel 15 bis 30 Gew.-% Epoxyharz und das nicht-leitende Partikel 10–30 Gew.-% des gesamten, nicht-leitenden Klebemittels ausmacht.
  7. Verfahren zum Flip-Chip-Bonding mit den Schritten: Herstellen eines IC-Chips, so daß eine Vielzahl von nicht-lotartigen Höckern an der I/O-Stufe gebildet werden, und eines Bords, auf dem eine Metallelektrode an der Oberfläche ausgebildet ist; Kleben eines nicht leitenden Klebstoffs, der Epoxyharz vom Festphasen-Bisphenol-A-Typ, Epoxyharz vom Flüssigphasen-Bisphenol-F-Typ, Festphasen-Phenoxyharz, Methylethylketon/Toluol-Lösungsmittel, ein Flüssigphasenhärtungsmittel und nicht-leitende Partikel umfaßt, der getrocknet wird und in Form eines Films auf das Substrat aufgebracht wird; Ausrichten des Höckers auf die Metallelektrode; und Thermo-Verdichten des IC-Chips auf das Bord, so daß der Höcker plastisch deformiert wird und der Höcker und die Metallelektrode mechanisch und elektrisch verbunden werden.
  8. Flip-Chip-Bonding-Verfahren mit den Schritten: Herstellen eines IC-Chips, so daß eine Vielzahl von nicht-lotartigen Höckern auf der I/O-Stufe gebildet werden, und eines Bords, auf dem eine Metallelektrode auf der Oberfläche ausgebildet ist; Beschichten eines nicht-leitenden Klebemittels, das die Form einer Paste besitzt und Epoxyharz vom Flüssigphasen-Bisphenol-A- oder -F-Typ, ein Flüssigphasen-Härtungsmittel und nicht-leitende Partikel umfaßt; Ausrichten des Höckers auf die Metallelektrode; und Thermo-Verdichten des IC-Chips auf das Bord, so daß der Höcker plastisch deformiert wird und der Höcker und die Metallelektrode mechanisch und elektrisch verbunden sind.
  9. Flip-Chip-Bonding-Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei der Schritt, der den nicht-lotartigen Höcker bildet, umfaßt: Ausbilden einer Metallfläche auf der I/O-Stufe des IC-Chips; und Ausbilden eines Gold- oder Kupferkontakthöckers auf der Metallfläche.
  10. Flip-Chip-Bonding-Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei nach dem Kontakthöckerausbildungsschritt ein Prägeverfahren, das Druck auf das Ende des Kontakthöckers ausübt, so durchgeführt wird, daß das Ende des Kontakthöckers eben wird.
  11. Flip-Chip-Bonding-Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei der Schritt, der den nicht-lotartigen Höcker bildet, umfaßt: Ausbilden einer Metallfläche an der I/O-Stufe des IC-Chips; und Ausbilden eines Nickel-/Kupfer-/Goldhöckers durch nacheinanderfolgendes Aufbringen einer Nickel-, Kupfer- und Goldschicht auf die Metallfläche in einem stromlosen Verfahren.
  12. Flip-Chip-Bonding-Verfahren gemäß Anspruch 11, worin nach dem Schritt des Ausbildens der Metallfläche ein Schritt der Zinkatbehandlung auf der Metallfläche eingeschlossen wird.
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