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TECHNISCHES GEBIET
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Die
vorliegende Erfindung betrifft einen Verbinder für einen geringen Kontaktabstand
und außerdem
einen elektrostatischen Aktuator, einen piezoelektrischen Aktuator,
eine Mikromaschine, eine Flüssigkristallanzeige,
einen diesen elektrostatischen Aktuator und piezoelektrischen Aktuator
verwendenden Tintenkopf, einen mit diesen Tintenköpfen versehenen
Tintenstrahldrucker und ein elektronisches Gerät, welche alle den Verbinder
für einen
geringen Kontaktabstand enthalten.
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STAND DER TECHNIK
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In
den letzten Jahren wurden elektronische Geräte zunehmend schneller immer
kompakter und leichter konfiguriert. Mit dieser kompakteren Konfiguration
der elektronischen Geräte
ging eine verstärkte Nachfrage
nach kompakter konfigurierten und zu geringeren Kosten hergestellten
für die
elektronischen Geräte
zu verwendenden Teilen einher. Eine als Mikrobearbeitung bezeichnete
Mikrobearbeitungstechnologie wurde entwickelt, um dieser Nachfrage
gewachsen zu sein, und Mikromaschinen, welche kompakt sind und fortschrittliche
Funktionen bieten, wurden hergestellt. Als ein Beispiel für die Mikromaschinen
diene ein Druckkopf (im folgenden als Druckwerk bezeichnet), welcher
ein eingebautes piezoelektrisches Element aufweist und Tinte ausstößt, indem
er das eingebaute piezoelektrische Element in Schwingungen versetzt.
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Eine
LCD-Zelle einer Flüssigkristallanzeige ist
ein anderes Beispiel für
ein Teil, für
welches eine kompakte Konfiguration erforderlich ist.
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Um
ein solches kompaktes Teil mit einem äußeren Substrat zu verbinden,
wurde zum Beispiel ein Verfahren, welches einen aus einem flexiblen
Substrat bestehenden Verbinder dazwischenlegt, ein Verfahren, welches
Drahtkontaktierung anwendet, oder ein Verfahren, welches Drähte verlötet, verwendet.
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28 ist
eine vergrößerte Ansicht,
welche Hauptteile eines Verbindungsstücks und einen aus einem flexiblen
Substrat bestehenden Verbinder zeigt. Auf einer Oberfläche eines
Verbindungsstücks 1 wie
eines Druckwerks oder einer LCD-Zelle einer Flüssigkristallanzeige ist eine
Vielzahl von mit einem Element verbundenen Drähten 2 angeordnet
und sind an einem Ende Klemmenelektroden 3 gebildet wie
in 28 gezeigt.
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Als
ein Verbinder 4, welcher das Verbindungsstück 1 mit
einem äußeren Substrat
verbindet, dient ein flexibles Substrat, welches aus einem Polyimidmaterial
besteht. Klemmenelektroden 5, welche mit den am Ende eines
Verbindungsstücks 1 gebildeten
Klemmenelektroden 3 überlappt
werden können, sind
an einem Ende des Substrats gebildet, und Klemmenelektroden 6,
welche eine größere Breite als
die Klemmenelektroden 5 haben, sind in einem größeren Abstand
an einem Ende auf einer der Seite, auf welcher die Klemmenelektroden 5 gebildet
sind, entgegengesetzten Seite gebildet. Drähte 6A sind so angeordnet,
dass sie die Klemmenelektroden 5 mit den Klemmenelektroden 6 verbinden,
und im Verlauf der Drähte 6A ändern sich
Breite und Abstand.
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29 ist
eine Zeichnung, welche Verfahren zum Verbinden des Verbindungsstück 1 mit
dem Verbinder 4 veranschaulicht, und 30 ist
eine Schnittansicht längs
einer Linie C-C in 29.
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In
einem Fall, in welchem das oben beschriebene Verbindungsstück 1 mit
dem Verbinder 4 verbunden werden soll wie in 29 und 30 gezeigt,
wird das Verbindungsstück 1 zuerst
so auf einen Kontaktierungstisch 7 gelegt, dass die Klemmenelektroden 3 oben
liegen. Dann werden die auf dem Verbinder 4 angeordneten
Klemmenelektroden 5 auf die Klemmenelektroden 3 ausgerichtet
und werden diese Klemmen miteinander überlappt. Ein elektrisch leitende
Partikel enthaltender Klebstoff wird so zwischen die Klemmenelektroden 3 und
die Klemmenelektroden 5 eingebracht, dass die Elektroden über die elektrisch
leitenden Partikel elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
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Ein
Kontaktierungswerkzeug 8, welches angehoben und abgesenkt
werden kann, ist über
den überlappten
Elektroden, das heißt, über den
Klemmenelektroden 5 des Verbinders 4, angeordnet.
Eine Heizung 9 ist so in das Kontaktierungswerkzeug 8 eingebaut,
dass eine Spitze des Kontaktierungswerkzeugs 8 durch Betreiben
der Heizung 9 erwärmt
werden kann.
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In
einem Kontaktierungsschritt werden die Elektroden durch Absenken
des Kontaktierungswerkzeugs 8 und Andrücken des Verbinders 4 mit dem
Kontaktierungswerkzeug 8 verbunden, um die elektrisch leitenden
Partikel in engen Kontakt mit den Elektroden zu bringen und eine
Trocknungszeit des Klebstoffs durch Erwärmen zu verkürzen.
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Jedoch
ist es herkömmlicherweise
erforderlich, Anschlussklemmen an einer Mikromaschine oder dergleichen
in einem Abstand anzuordnen, welcher das Verbinden mit einem flexiblen
Substrat oder dergleichen gestattet, da das flexible Substrat zum Verbinden
der Mikromaschine oder dergleichen mit einem äußeren Substrat verwendet wird.
Der Abstand, welcher das Verbinden mit dem flexiblen Substrat gestattet,
liegt gewöhnlich
in der Größenordnung
von 100 μm.
Der Erfinder hat verschiedene Untersuchungen unternommen und bestätigt, dass
eine Grenze eines Verdrahtungsabstands für herkömmliche Verbinder aus Polyimid
bei 60 μm
liegt.
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Demgemäß darf ein
Klemmenteil nur groß konfiguriert
werden, um das Verbinden mit dem flexiblen Substrat zu gestatten,
obwohl Aktuator durch die Mikrobearbeitungstechnologie kompakt konfiguriert
werden können.
Folglich besteht ein Problem darin, dass der große Klemmenteil eine Anzahl von
Mikromaschinen, welche aus einem einzigen Silizium-Wafer geschnitten
werden können,
verringert.
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Da
die Herstellung der Mikromaschinen nicht nur genaues Arbeiten, gewöhnlich bestehend
aus anisotropischem Ätzen
eines Silizium-Wafers, sondern auch kostspielige Materialien und
insbesondere kostspielige Maschinen erfordert, war es erwünscht, Anschlussklemmen
so zu konfigurieren, dass sie eine Fläche einnehmen, die so klein
wie möglich
ist, und dadurch hochwirtschaftlich eine große Anzahl von Mikromaschinen
aus einem einzigen Silizium-Wafer herzustellen.
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Überdies
besteht ein anderes Problem darin, dass es aufgrund eines Unterschieds
zwischen einem Wärmeausdehnungskoeffizienten
eines Materials (hauptsächlich
Silizium) des Verbindungsstücks 1 und
demjenigen eines Materials (hauptsächlich Polyimid) des Verbinders 4 zu
einer Störung
wie einer Zunahme eines Widerstands zwischen Klemmen, einer untauglichen
Kontaktierung oder einem Kurzschluss zu einer benachbarten Klemme
kommen kann.
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Dieser
Punkt ist unten ausführlich
beschrieben.
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Wenn
das Kontaktierungswerkzeug 8 in die Nähe gebracht wird, um das Verbindungsstück 1 mit dem
Verbinder 4 zu verbinden, beginnen das Verbindungsstück 1 und
der Verbinder 4 unter der Einwirkung der in das Kontaktierungswerkzeug 8 eingebauten
Heizung 9, sich auszudehnen.
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Da
Polyimid einen Wärmeausdehnungskoeffizienten
hat, welcher größer als
derjenige von Silizium ist, dehnt sich der Verbinder 4 zu
diesem Zeitpunkt weiter aus als das Verbindungsstück 1,
wodurch die Klemmenelektroden 5 von den Klemmenelektroden 3 abweichen
wie in 31 gezeigt. Da Jahr für Jahr das
Verbindungsstück 1 wie
das Druckwerk oder die LCD-Zelle einer Flüssigkristallanzeige kleiner
konfiguriert wird und ein Abstand 10 zwischen den Klemmenelektroden 3 verkleinert
wird, um ihn dem kleineren Verbindungsstück anzupassen (siehe 30),
kann eine Störung
wie eine Zunahme eines Widerstands zwischen Klemmen, eine untaugliche Kontaktierung
oder ein Kurzschluss zu einer benachbarten Klemme auftreten, selbst
wenn Positionen der Klemmenelektroden geringfügig abweichen.
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Wenn
die Klemmenelektroden in einem kleineren Abstand angeordnet sind
und dünner
sind, ist ein zwischen benachbarten Klemmenelektroden freigelassener
Raum kleiner, wodurch es zu der Befürchtung kommt, dass es zwischen
benachbarten Klemmenelektroden zu einem Kurzschluss kommen kann.
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OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
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Die
verschiedenen Aspekte der Erfindung sind in den unabhängigen Ansprüchen und
den abhängigen
Ansprüchen
anhand bevorzugter Ausführungsformen
definiert.
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Die
vorliegende Erfindung betrifft einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand,
welcher geringe Abstände
zwischen Elektroden bewältigen
kann, einen elektrostatischen Aktuator, einen piezoelektrischen
Aktuator, eine Mikromaschine und eine Flüssigkristallanzeige, welche
den Verbinder mit geringem Kontaktabstand enthalten, einen Tintenkopf, welcher
den elektrostatischen Aktuator oder den piezoelektrischen Aktuator
verwendet, und einen Tintenstrahldrucker und ein elektronisches
Gerät,
in welche die Tintenköpfe
eingebaut sind.
- (1) Ein Verbinder mit geringem
Kontaktabstand in einer Form der vorliegenden Erfindung ist ein
Verbinder, welcher eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden und
zweiten Klemmenelektroden, welche auf einem Substrat gebildet sind,
und Drähte,
welche die ersten Klemmenelektroden mit den zweiten Klemmenelektroden
elektrisch verbinden, enthält:
dabei haben die oben beschriebenen Drähte eine Funktion des Durchführend einer Umwandlung
von einem Abstand der ersten Klemmenelektroden zu einem Abstand
der zweiten Klemmenelektroden, wobei jeweils Nuten zwischen den
ersten Klemmenelektroden gebildet sind.
Durch Bilden der Nuten
zwischen den ersten Klemmenelektroden ermöglicht die vorliegende Erfindung,
zu verhindern, dass die Klemmenelektroden durch Wärme und
Druck verformt werden oder in einem Schritt einer Legierungskontaktierung
oder einer Metallkontaktierung durch Ausfließen einer Legierung oder eines
Metalls kurzgeschlossen werden, selbst wenn die Elektroden einen
geringen Abstand haben. Überdies
ermöglicht
die vorliegende Erfindung, einen Kriechabstand zwischen benachbarten
Klemmenelektroden zu vergrößern, wodurch
ein Einfluss von Rauschen unterdrückt wird.
- (2) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in (1) beschriebene
Verbinder, in welchem ein Isolierfilm in den Nuten gebildet ist.
Durch
Bilden des Isolierfilms in den Nuten ermöglicht die vorliegende Erfindung,
zwingend zu verhindern, dass die ersten Klemmenelektroden elektrisch
leitend mit dem Substrat verbunden werden.
- (3) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in (2) beschriebene
Verbinder, in welchem auf dem in den Nuten gebildeten Isolierfilm Metalldrähte gebildet
sind.
Durch Anordnen der Metalldrähte auf dem Grund der Nuten
ermöglicht
die vorliegende Erfindung, eine Haftfestigkeit zwischen einem Verbindungsstück und dem
Verbinder, welche mit einem Klebstoff "gebondet" sind, zu steigern. Durch Steigern der
Haftfestigkeit lässt
sich eine Verbindung mit hoher Nassbeständigkeit realisieren.
- (4) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in (3) beschriebene
Verbinder, in welchem die Metalldrähte mit dem Substrat und einem
Masse-Verdrahtungsteil oder einem Stromversorgungs-Verdrahtungsteil
verbunden sind.
Entsprechend kann ein kristallines Substrat
auf ein Potential gleich demjenigen des Masse-Verdrahtungsteils oder des Stromversorgungs-Verdrahtungsteils
gelegt werden, wodurch das Potential des kristallinen Substrats
stabilisiert wird.
Dank der Funktion einer elektrostatischen
Abschirmung ist der Verbinder mit geringem Kontaktabstand überdies
in der Lage, eine durch Leitungsrauschen in einem feinen Verdrahtungsteil verursachte
Funktionsstörung
eines Elements zu verhindern und eingestrahlte Störungen zu
verringern.
- (5) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in einem der Punkte
(1) bis (4) beschriebene Verbinder, in welchem die ersten Klemmenelektroden
mit auf einem Verbindungsstück
gebildeten äußeren Klemmenelektroden elektrisch
zu verbindende Elektroden sind und die Nuten zur Aufnahme eines
Klebstoffs zum Verbinden der ersten Klemmenelektroden mit den äußeren Klemmenelektroden
gebildet sind.
Entsprechend findet eine überschüssige Klebstoffmenge Aufnahme
in den Nuten, wenn Klebestellen in engen Kontakt mit den Klemmenelektroden
gebracht werden und die im Klebstoff enthaltenen elektrisch leitenden
Partikel sich nicht an einer anderen Stelle als den Klemmenelektroden verfangen,
so dass ein Kurzschluss zwischen benachbarten Klemmenelektroden
verhindert werden kann.
- (6) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in (5) beschriebene
Verbinder, in welchem eine Tiefe der Nuten nicht flacher als das Dreifache
eines Partikeldurchmessers im Klebstoff enthaltener elektrisch leitender
Partikel eingerichtet ist.
Entsprechend ist der Verbinder mit
geringem Kontaktabstand in der Lage, die elektrisch leitenden Partikel
mit einem Spielraum aufzunehmen und einen Sicherheitsfaktor zur
Vermeidung von Kurzschlüssen
zu erhöhen. Überdies
kann der Verbinder eine Kontaktfläche vergrößern und die Haftfestigkeit
steigern, da er zulässt,
dass der die elektrisch leitenden Partikel enthaltende Klebstoff in
den Nuten Aufnahme findet.
- (7) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in einem der Punkte
(1) bis (6) beschriebene Verbinder, in welchem die Nuten länger als
ein überlappter
Teil der Klemmenelektroden eingerichtet sind.
Wenn die Nuten
eine solche Länge
haben, bildet ein durch das Verbindungsstück und den Verbinder mit geringem
Kontaktabstand umschlossener Teil in einem Kontaktierungsschritt
keinen abgeschlossenen Raum, wodurch kaum Luft eingeschlossen wird,
so dass es nicht zu einer durch Luftblasen verursachten nachteiligen
Wirkung kommt.
Überdies
wird, da überschüssiger Klebstoff
zwingend hinausgedrückt
werden kann, dadurch ein Innendruck aus den Klebestellen entfernt,
so dass es nicht zu einer durch den Innendruck verursachten nachteiligen
Wirkung kommt.
- (8) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in (5) beschriebene
Verbinder, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass ein Wärmeausdehnungskoeffizient
des Substrats annähernd
gleich demjenigen oder kleiner als derjenige des Verbindungsstücks ist.
Da
der Wärmeausdehnungskoeffizient
des Substrats annähernd
gleich demjenigen des Verbindungsstücks ist wie oben beschrieben,
wird in einem Schritt des Kontaktierens durch Andrücken und
Erwärmen
eine relative Lageabweichung zwischen den miteinander zu verbindenden
Klemmenelektroden minimiert.
Wenn der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substrats
kleiner als derjenige des Verbindungsstücks ist, kann durch Einstellen
eines Grundkörpers
des Verbinders auf eine höheren
Temperatur als diejenige des Verbindungsstücks und Kontaktieren der beiden
Teile ein ähnlicher
Effekt erzielt werden.
- (9) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in einem der Punkte
(1) bis (8) beschriebene Verbinder, in welchem das Substrat aus
Einkristall-Silizium besteht.
Wenn das oben beschriebene Substrat
aus Einkristall-Silizium besteht, ist das Substrat in der Lage,
eine Wärmeabstrahlung
zu steigern und zu verhindern, dass ein Widerstand aufgrund eines Temperaturanstiegs
zunimmt.
- (10) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in einer anderen
Form der vorliegenden Erfindung ist der oben in (9) beschriebene
Verbinder, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Kristallfläche des
Einkristall-Siliziums eine (100)-Fläche ist.
Wenn die Kristallfläche des
Einkristall-Siliziums die (100)-Fläche ist, kann durch anisotropisches Ätzen der
Oberfläche
eine V-förmige
Nut mit einem Winkel von 54,74 Grad bezüglich der Oberfläche gebildet
werden. Außerdem
kann eine Tiefe der V-förmigen
Nut in Abhängigkeit
von einer Breite eines auf der (100)-Fläche eingerichteten Fensters
(welches zum Beispiel aus einem SiO2-Film besteht) genau
kontrolliert werden.
- (11) Ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand in noch einer
anderen Form der vorliegenden Erfindung ist der Verbinder beschriebene
in (9) oben, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass die Kristallfläche des
Einkristall-Siliziums eine (110)-Fläche ist.
Wenn die Kristallfläche des
Einkristall-Siliziums die (110)-Fläche ist, kann durch anisotropisches Ätzen der
Oberfläche
eine Nut mit rechteckiger Querschnittsform gebildet werden. In diesem
Fall kann die Nut unabhängig
von einer Breite der Nut mit einer vorbestimmten Tiefe gebildet
werden.
- (12) Eine Mikromaschine in einer anderen Form der vorliegenden
Erfindung enthält
einen Bewegungsmechanismus-Teil und ein erstes Substrat, auf welchem
eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden gebildet ist, und ist
dadurch gekennzeichnet, dass die Mikromaschine ferner ein zweites
Substrat enthält,
auf welchem mit der Vielzahl von ersten Klemmenelektroden elektrisch
zu verbindende zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl
von dritten Klemmenelektroden und Drähte zum elektrischen Verbinden
der zweiten Klemmenelektroden mit den dritten Klemmenelektroden
auf dem zweiten Substrat gebildet sind, die Drähte eine Funktion des Umwandelns von
einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden zu einem Abstand der
dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils zwischen den zweiten
Klemmenelektroden gebildet sind.
- (13) Ein piezoelektrischer Aktuator in einer anderen Form der
vorliegenden Erfindung enthält
ein piezoelektrisches Element und ein erstes Substrat, auf welchem
eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden gebildet ist, und ist
dadurch gekennzeichnet, dass der Aktuator ferner ein zweites Substrat
enthält,
auf welchem mit den ersten Klemmenelektroden elektrisch zu verbindende zweite
Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl von dritten Klemmenelektroden
und Drähte
zum elektrischen Verbinden der zweiten Klemmenelektroden mit den
dritten Klemmenelektroden auf dem zweiten Substrat gebildet sind, die
Drähte
eine Funktion des Umwandelns von einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden
zu einem Abstand der dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils
zwischen den zweiten Klemmenelektroden gebildet sind.
- (14) Ein elektrostatischer Aktuator in einer anderen Form der
vorliegenden Erfindung enthält
einen elektrostatischen Oszillator und ein erstes Substrat, auf
welchem eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden gebildet ist,
und ist dadurch gekennzeichnet, dass der Aktuator ferner ein zweites
Substrat enthält,
auf welchem mit der Vielzahl von ersten Klemmenelektroden elektrisch zu
verbindende zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl
von dritten Klemmenelektroden und Drähte zum elektrischen Verbinden
der zweiten Klemmenelektroden mit den dritten Klemmenelektroden
auf dem zweiten Substrat gebildet sind, die Drähte eine Funktion des Umwandelns von
einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden zu einem Abstand der
dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils zwischen den zweiten
Klemmenelektroden gebildet sind.
- (15) Ein Tintenkopf in einer anderen Form der vorliegenden Erfindung
enthält
ein piezoelektrisches Element und ein erstes Substrat, auf welchem eine
Vielzahl von ersten Klemmenelektroden gebildet ist, um mit dem piezoelektrischen
Element einen Tintentropfen auszustoßen, und ist dadurch gekennzeichnet,
dass der Tintenkopf ferner ein zweites Substrat enthält, auf
welchem mit der Vielzahl von ersten Klemmenelektroden elektrisch zu
verbindende zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl
von dritten Klemmenelektroden und Drähte zum elektrischen Verbinden
der zweiten Klemmenelektroden mit den dritten Klemmenelektroden
auf dem zweiten Substrat gebildet sind, die Drähte eine Funktion des Umwandelns von
einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden zu einem Abstand der
dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils zwischen den oben
beschriebenen zweiten Klemmenelektroden gebildet sind.
- (16) Ein Tintenkopf in einer anderen Form der vorliegenden Erfindung
enthält
einen elektrostatischen Oszillator und ein erstes Substrat, auf
welchem eine Vielzahl Von ersten Klemmenelektroden gebildet ist,
um mit dem elektrostatischen Oszillator einen Tintentropfen auszustoßen, und
ist dadurch gekennzeichnet, dass der Tintenkopf ferner ein zweites
Substrat enthält,
auf welchem mit der Vielzahl von ersten Klemmenelektroden elektrisch
zu verbindende zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl
von dritten Klemmenelektroden und Drähte zum elektrischen Verbinden
der zweiten Klemmenelektroden mit den dritten Klemmenelektroden
auf dem zweiten Substrat gebildet sind, die Drähte eine Funktion des Umwandelns
von einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden zu einem Abstand
der dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils zwischen den
zweiten Klemmenelektroden gebildet sind.
- (17) Ein Tintenstrahldrucker in einer anderen Form der vorliegenden
Erfindung enthält
einen Tintenkopf mit einem ersten Substrat, auf welchem ein piezoelektrisches
Element und eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden gebildet sind,
und ist dadurch gekennzeichnet, dass der Tintenkopf ferner ein zweites
Substrat enthält,
auf welchem mit der Vielzahl von ersten Klemmenelektroden elektrisch
zu verbindende zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl
von dritten Klemmenelektroden und Drähte zum elektrischen Verbinden
der zweiten Klemmenelektroden mit den dritten Klemmenelektroden
auf dem zweiten Substrat gebildet sind, die Drähte eine Funktion des Umwandelns
von einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden zu einem Abstand
der dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils zwischen den
oben beschriebenen zweiten Klemmenelektroden gebildet sind.
- (18) Ein Tintenstrahldrucker in einer anderen Form der vorliegenden
Erfindung enthält
einen Tintenkopf mit einem elektrostatischen Oszillator und ein
erstes Substrat, auf welchem eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden
gebildet ist, und ist dadurch gekennzeichnet, dass der Tintenkopf
ferner ein zweites Substrat enthält,
auf welchem mit der Vielzahl von ersten Klemmenelektroden elektrisch
zu verbindende zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl
von dritten Klemmenelektroden und Drähte zum elektrischen Verbinden
der zweiten Klemmenelektroden mit den dritten Klemmenelektroden
auf dem zweiten Substrat gebildet sind, die Drähte eine Funktion des Umwandelns
von einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden zu einem Abstand
der dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils zwischen den
zweiten Klemmenelektroden gebildet sind.
Durch Bilden der Nuten
zwischen den zweiten Klemmenelektroden auf dem zweiten Substrat ermöglicht jede
der oben in (14) bis (18) beschriebenen Erfindungen, zu verhindern,
dass die Klemmenelektroden durch Wärme und Druck verformt werden
oder in einem Schritt einer Legierungskontaktierung oder einer Metallkontaktierung durch
Ausfließen
einer Legierung oder eines Metalls kurzgeschlossen werden, selbst
wenn die Elektroden einen geringen Abstand haben. Überdies
ermöglicht
die Erfindung, einen Kriechabstand zwischen benachbarten Klemmenelektroden
zu vergrößern, wodurch
ein Einfluss von Rauschen unterdrückt wird.
Folglich gestattet
die Erfindung, die Klemmenelektroden kompakt auf dem ersten Substrat
zu konfigurieren, wodurch es möglich
wird, eine große
Anzahl erster Substrate aus einem einzigen Halbleiter-Wafer herzustellen
und die Produktivität
zu steigern, zum Beispiel wenn das erste Substrat aus einem einzigen
Halbleiter-Wafer hergestellt wird.
- (19) Eine Flüssigkristallvorrichtung
in einer anderen Form der vorliegenden Erfindung enthält einen
zwischen ein erstes Substrat und ein zweites Substrat gelegten Flüssigkristall,
eine Vielzahl von auf dem ersten Substrat oder auf dem zweiten Substrat
gebildeten ersten Klemmenelektroden, und ist dadurch gekennzeichnet,
dass die Flüssigkristallvorrichtung
ferner ein drittes Substrat enthält,
auf welchem mit den ersten Klemmenelektroden elektrisch zu verbindende
zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl von dritten
Klemmenelektroden und Drähte
zum elektrischen Verbinden der zweiten Klemmenelektroden mit den
dritten Klemmenelektroden auf dem dritten Substrat gebildet sind,
die Drähte
eine Funktion des Umwandelns von einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden
zu einem Abstand der oben beschriebenen dritten Klemmenelektroden
haben und Nuten jeweils zwischen den oben beschriebenen zweiten
Klemmenelektroden gebildet sind.
- (20) Ein elektronisches Gerät
in einer anderen Form der vorliegenden Erfindung enthält eine Flüssigkristallvorrichtung
und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkristallvorrichtung ein erstes
Substrat, ein zweites Substrat, einen zwischen das erste Substrat
und das zweite Substrat gelegten Flüssigkristall und eine Vielzahl
von auf dem ersten Substrat oder auf dem zweiten Substrat gebildeten
ersten Klemmenelektroden enthält, die
Flüssigkristallvorrichtung
ferner ein drittes Substrat enthält,
auf welchem mit der Vielzahl von ersten Klemmenelektroden elektrisch
zu verbindende zweite Klemmenelektroden gebildet sind, eine Vielzahl
von dritten Klemmenelektroden und Drähte zum elektrischen Verbinden
der zweiten Klemmenelektroden mit den dritten Klemmenelektroden
auf dem dritten Substrat gebildet sind, die Drähte eine Funktion des Umwandelns
von einem Abstand der zweiten Klemmenelektroden zu einem Abstand
der dritten Klemmenelektroden haben und Nuten jeweils zwischen den
zweiten Klemmenelektroden gebildet sind.
Durch Bilden der Nuten
zwischen den zweiten Klemmenelektroden auf dem dritten Substrat
ermöglicht
eine oben in (19) oder (20) beschriebene Erfindung, zu verhindern,
dass die Klemmenelektroden durch Wärme und Druck verformt werden oder
in einem Schritt einer Legierungskontaktierung oder einer Metallkontaktierung
durch Ausfließen
einer Legierung oder eines Metalls kurzgeschlossen werden, selbst
wenn die Elektroden einen geringen Abstand haben. Überdies
ermöglicht
die Erfindung, einen Kriechabstand zwischen benachbarten Klemmenelektroden
zu vergrößern, wodurch
ein Einfluss von Rauschen unterdrückt wird.
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Folglich
kann eine durch einen Klemmenelektroden-Abschnitt des ersten Substrats
oder des zweiten Substrats eingenommene Fläche minimiert werden. Deshalb
kann ein großer
Anzeigeabschnitt reserviert werden, selbst wenn das Substrat eine gleich
große
Fläche
wie ein herkömmliches
Substrat hat. Überdies
können
die Klemmenelektroden mit einem geringen Abstand verbunden werden,
so dass die Anzahl von Klemmen in einem Verbindungsabschnitt erhöht werden
kann. Demgemäß können Abstände von
Drähten
und Pixeln klein und hochgenau sein.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Vorderansicht, welche einen als eine erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinder für einen
geringen Kontaktabstand und einen Klemmenteil eines Verbindungsstücks, mit
welchem der Verbinder verbunden werden soll, zeigt;
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2(A) und 2(B) sind
vergrößerte Seitenansichten
eines Rands des als die erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung bevorzugten Verbinders für einen geringen Kontaktabstand;
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3 ist
eine Zeichnung, welche ein den als die erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinder für einen
geringen Kontaktabstand verwendendes Verbindungsverfahren veranschaulicht;
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4 ist
eine vergrößerte Ansicht
eines Teils d aus 3;
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5(A) und 5(B) sind
Zeichnungen, welche ein den als die erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung bevorzugten Verbinder für einen geringen Kontaktabstand
verwendendes Verbindungsverfahren veranschaulichen;
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6 ist
eine vergrößerte Ansicht,
welche einen Zustand eines in einer Nut des als die erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen
geringen Kontaktabstand angesammelten Klebstoffs zeigt;
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7(a) bis 7(e) sind
Zeichnungen, welche Herstellungsschritte (1) des als die erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulichen;
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8(f) bis 8(i) sind
Zeichnungen, welche Herstellungsschritte (2) des als die erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulichen;
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9(a) und 9(b) sind
Zeichnungen, welche Herstellungsschritte eines als eine zweite Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulichen;
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10(a) bis 10(d) sind
Zeichnungen, welche Herstellungsschritte eines als eine dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulichen;
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11(a) bis 11(c) sind
Zeichnungen, welche Herstellungsschritte (1) eines als eine vierte
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulichen;
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12(d) bis 12(f) sind
Zeichnungen, welche Herstellungsschritte (2) des als die vierte
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulichen;
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13 ist
eine perspektivische Ansicht, welche einen Teil eines als eine fünfte Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung bevorzugten Verbinders für einen geringen Kontaktabstand
zeigt;
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14 ist
eine Zeichnung, welche einen Verbindungsbereich des als die fünfte Ausführungsform bevorzugten
Verbinders für
einen geringen Kontaktabstand veranschaulicht;
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15 ist
eine Zeichnung, welche ein durch den als die fünfte Ausführungsform bevorzugten Verbinder
für einen
geringen Kontaktabstand zu lösendes
Problem veranschaulicht;
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16(A) und 16(B) sind
Zeichnungen, welche ein durch den als die fünfte Ausführungsform bevorzugten Verbinder
für einen
geringen Kontaktabstand zu lösendes
Problem veranschaulichen;
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17(A) und 17(B) sind
Zeichnungen, welche eine Funktion der fünften Ausführungsform veranschaulichen;
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18(A) und 18(B) sind
Zeichnungen, welche die Funktion der fünften Ausführungsform veranschaulichen;
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19(A) und 19(B) sind
Zeichnungen, welche eine Konfiguration eines als eine sechste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten elektrostatischen Aktuators
veranschaulichen;
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20 ist
eine Zeichnung, welche einen als eine siebte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten piezoelektrischen Aktuator
veranschaulicht;
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21 ist
eine Zeichnung, welche einen als eine achte Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung bevorzugten Tintenkopf veranschaulicht;
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22 ist
eine Zeichnung, welche das Innere eines als eine neunte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Tintenstrahldruckers veranschaulicht;
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23 ist
eine Ansicht eines äußeren Erscheinungsbilds
des als die neunte Ausführungsform bevorzugten
Tintenstrahldruckers;
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24(A) und 24(B) sind
Zeichnungen, welche ein Beispiel einer als eine zehnte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Mikromaschine veranschaulichen;
-
25 ist
eine Zeichnung, welche einen als ein Beispiel einer elften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Lichtmodulator veranschaulicht;
-
26 ist
eine Zeichnung, welche eine als eine zwölfte Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung bevorzugte Flüssigkristallanzeige
veranschaulicht;
-
27 ist
eine Zeichnung, welche ein als eine dreizehnte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugtes elektronisches Gerät veranschaulicht;
-
28 ist
eine vergrößerte Ansicht,
welche Hauptteile eines Verbindungsstücks und einen aus einem flexiblen
Substrat bestehenden herkömmlichen
Verbinder zeigt;
-
29 ist
eine Zeichnung, welche Verfahren zum Verbinden des Verbindungsstücks mit
dem herkömmlichen
Verbinder veranschaulicht;
-
30 ist
eine Schnittansicht längs
einer Linie C-C in 29; und
-
31 ist
eine Zeichnung, welche ein Problem veranschaulicht, das sich beim
Stand der Technik stellt.
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BESTE AUSFÜHRUNGSWEISEN DER ERFINDUNG
-
Ausführungsform
1
-
1 ist
eine Vorderansicht, welche einen als eine erste Ausführungsform
bevorzugten Verbinder 20 für einen geringen Kontaktabstand
und einen Klemmenteil eines Verbindungsstücks 26, mit welchem
der Verbinder zu verbinden ist, zeigt, und 2(A) und 2(B) sind Seitenansichten, welche aus einer
durch einen Pfeil A in 1 angegebenen Richtung gesehen
sind.
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Der
als die erste Ausführungsform
bevorzugte Verbinder 20 für einen geringen Kontaktabstand hat
eine Konfiguration, in welcher Metalldrähte 24 auf einem Substrat 22 angeordnet
sind wie in 1 gezeigt.
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Das
Substrat 22 besteht aus einem rechteckigen Einkristall-Silizium
und wird durch Zerschneiden eines Halbleiter-Wafers in ein Gittermuster
hergestellt. Auf einer Oberfläche
des Substrats ist eine Vielzahl von Metalldrähten 24 so angeordnet,
dass sie das Substrat 22 queren. Überdies sind Klemmenelektroden 30,
welche mit auf dem Verbindungsstück 26 gebildeten
Klemmenelektroden 28 überlappt
werden können,
an Enden der Metalldrähte 24 auf
einer Seite, das heißt,
an einem Rand 22A des Substrats 22, gebildet (die
Klemmenelektroden 30 und die Klemmenelektroden 28 sind
mit einem gleichen Abstand gebildet).
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An
Enden der Metalldrähte 24 auf
einer dem Ende, an welchem die Klemmenelektroden 30 gebildet
sind, entgegengesetzten Seite, das heißt, an einem Rand 22B des
Substrats 22, sind andererseits Klemmenelektroden 32,
welche die gleiche Anzahl von Elektroden wie die Klemmenelektroden 30 haben,
mit einer vergrößerten Breite
und einem vergrößerten Abstand
(in 1 doppelt vergrößert) gebildet. Konkret gesagt,
sind die auf der Oberfläche
des Substrats 22 angeordneten Metalldrähte 24 dafür konfiguriert,
eine Verdrahtungsbreite und einen Abstand zwischen den Drähten in
einem Abschnitt vom Rand 22A zum Rand 22B zu ändern und
elektrische Leitung von den Klemmenelektroden 30 zu den Klemmenelektroden 32 herzustellen.
-
Nuten 33A sind
zwischen den zahlreichen Klemmenelektroden 30, welche am
Rand 22A des Substrats 22 angeordnet sind, gebildet.
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2(A) ist eine vergrößerte Seitenansicht des Rands 22A des
Verbinders 20 für
einen geringen Kontaktabstand. Ein Isolierfilm 50 ist auf
einer die Nut 33A enthaltenden Oberfläche eines Einkristall-Siliziums 46 wie
in 2(A) gezeigt gebildet. Der Metalldraht 24 ist
auf dem Isolierfilm 50 angeordnet.
-
Die
Klemmenelektroden 30 des Verbindungsstücks sind mit einem anisotropischen,
elektrisch leitenden Klebstoff, welcher elektrisch leitende Partikel
enthält,
mit den Klemmenelektroden 28 des Verbinders 20 für einen
geringen Kontaktabstand zu kontaktieren. In einem Kontaktierungsschritt
dienen die Nuten 33A als Klebstoffspeicher, welche eine überschüssige Klebstoffmenge
aufnehmen.
-
Zum
Bilden der Nuten 33A, welche eine rechteckige Querschnittsform
haben wie in 2(A) gezeigt, muss ein
Einkristall-Silizium, welches eine als eine (110)-Fläche an einer
Oberfläche
freizulegende Kristallfläche
aufweist, verwendet werden, um das Substrat 22 zu bilden.
Die Verwendung des Einkristall-Siliziums, welches die als die (110)-Fläche freizulegende
Kristallfläche
aufweist, ermöglicht,
die Nut unabhängig
von einem Abstand zwischen den nebeneinander liegenden Klemmenelektroden 30 mit extrem
wenig Hinterschneidung zu bilden, da das Einkristall- Silizium in einer
Richtung senkrecht zu einer Ätzlösung wie
einer wässrigen
Lösung
von KOH oder Ethylendiamin (Tiefenrichtung der Klemmenelektroden)
eine hohe Kristallorientierung aufweist.
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In
der ersten Ausführungsform
ist eine Tiefe der Nuten 33A in der Größenordnung von 100.000 Angström eingerichtet,
was ungefähr
dem dreifachen Partikeldurchmesser der elektrisch leitenden Partikel (ungefähr 30.000
Angström)
entspricht, um sicher zu verhindern, dass die elektrisch leitenden
Partikel zwischen die benachbarten Klemmenelektroden 30 eingelegt
werden.
-
Obwohl
die Nuten 33A in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform
die rechteckige Querschnittsform haben, können die Nuten 33A eine V-Querschnittsform
wie in 2(B) gezeigt haben. In diesem
Fall ist ein Einkristall-Silizium mit einer Kristallfläche, welche
auf einer Oberfläche
als eine (100)-Fläche
freizulegen ist, als das Substrat 22 zu verwenden. Die
Verwendung des Einkristall-Siliziums mit der Kristallfläche, welche
auf der Oberfläche
als die (100)-Fläche
freizulegen ist, ermöglicht,
die Nuten 33A in der V-Form mit einem Winkel von 54,74 Grad
bezüglich
der (100)-Fläche
durch anisotropisches Ätzen
einer Oberfläche
des Einkristall-Siliziums mit einer Ätzlösung wie einer wässrigen
Lösung von
KOH oder Ethylendiamin zu bilden. Außerdem kann eine Tiefe der
V-förmigen
Nuten 33A in Abhängigkeit
von einer Breite eines auf der (100)-Fläche eingerichteten, Fensters
(welches zum Beispiel aus einem SiO2-Film
besteht) genau kontrolliert werden.
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Das
Verbindungsstück 26,
auf welchem die Klemmenelektroden 28 zu bilden sind, ist
zum Beispiel eine Mikromaschine, welche einen auf einem Substrat
gebildeten dünnen
Bewegungsmechanismus und herausgeführte dünne Drähte zum Anlegen einer Spannung
an den Bewegungsmechanismus verwendet. Ein ein piezoelektrisches
Element verwendender piezoelektrischer Aktuator, ein einen elektrostatischen
Oszillator verwendender elektrostatischen Aktuator und dergleichen
sind Beispiele der Mikromaschine.
-
Konkrete
Beispiele des Verbindungsstücks 26 sind
in später
erläuterten
ausführlichen
Ausführungsformen
beschrieben.
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Nun
werden Verfahren zum Verbinden des Verbinders 20 für einen
geringen Kontaktabstand mit der oben beschriebenen Konfiguration
mit dem Verbindungsstück 26 beschrieben.
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3 ist
eine Zeichnung, welche die Verfahren zum Verbinden des Verbindungsstücks 26 mit dem
Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand veranschaulicht. 4 ist
eine vergrößerte Ansicht eines
Teils d in 3, und 5(A) und 5(B) sind Schnittansichten längs einer
Linie B-B in 3.
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Wenn
der Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand mit dem Verbindungsstück 26 verbunden
werden soll, wird das Verbindungsstück 26 auf eine Oberseite
eines Kontaktierungstischs 34 gelegt wie in 3, 4, 5(A) und 5(B) gezeigt.
Im Kontaktierungstisch 34 ist eine untere Heizung 36 so angeordnet,
dass das Verbindungsstück 26 durch Betreiben
der unteren Heizung 36 erwärmt werden kann.
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Über dem
Verbindungsstück 26,
welches auf die Oberseite des Kontaktierungstischs 34 gelegt
ist, wird der Verbinder 20 so angeordnet, dass die Klemmenelektroden 30 und
die Klemmenelektroden 28 sich überlappen. Ein anisotropischer,
elektrisch leitender Klebstoff 40, welcher elektrisch leitende
Partikel 38 enthält,
wird zwischen die Klemmenelektroden 28 und die Klemmenelektroden 30 eingebracht
wie in 4 gezeigt, und der Verbinder 20 wird
von einer Rückseite
her angedrückt,
um die elektrisch leitenden Partikel 38 in Kontakt mit
den Klemmenelektroden 28 und den Klemmenelektroden 30 zu
bringen, wodurch die Klemmenelektroden über die elektrisch leitenden
Partikel 38 leitfähig
miteinander verbunden werden. Das Aushärten des die elektrisch leitenden Partikel 38 enthaltenden
anisotropischen, elektrisch leitenden Klebstoffs 40 wird
durch Betreiben der unteren Heizung 36 und einer in ein
später
beschriebenes Kontaktierungswerkzeug eingebauten Heizung beschleunigt.
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Ein
Kontaktierungswerkzeug 42 ist über den Klemmenelektroden 30,
das heißt über dem
Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand angeordnet. Das Kontaktierungswerkzeug 42 ist
an einer linearen Führung
(nicht gezeigt) befestigt, so dass das Kontaktierungswerkzeug 42 selbst
entlang der linearen Führung
angehoben und abgesenkt werden kann. Durch Absenken des Kontaktierungswerkzeugs 42 kann
der Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand von der Rückseite her angedrückt werden
und können
die überlappten
Klemmenelektroden 28 und Klemmenelektroden 30 in
engen Kontakt miteinander gebracht werden. Eine obere Heizung 44 ist
in das Kontaktierungswerkzeug 42 so eingebaut, dass eine
Spitze des Kontaktierungswerkzeugs 42 und der Verbinder 20 für einen
geringen Kontaktabstand durch Betreiben der oberen Heizung 44 erwärmt werden
können.
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Die
obere Heizung 44 und die untere Heizung 36 werden
so eingestellt, dass eine Temperatur im Bereich der Grenze zwischen
den Klemmenelektroden 28 und den Klemmenelektroden 30 gleichmäßig wird,
so dass kein Temperaturunterschied zwischen dem Substrat 22 und
dem Verbindungsstück 26 vorliegt,
wenn das Kontaktierungswerkzeug 42 abgesenkt wird und die
Spitze des Kontaktierungswerkzeugs 42 auf eine Rückseite
des Substrats 22 drückt.
Selbstredend werden die obere Heizung 44 und die untere
Heizung 36 auf eine Temperatur eingestellt, welche mindestens
ausreicht, um die Verfestigung des anisotropischen, elektrisch leitenden Klebstoffs 40 zu
beschleunigen.
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Nachdem
die obere Heizung 44 und die untere Heizung 36 auf
die Temperatur eingestellt sind wie oben beschrieben, werden die
Klemmenelektroden 28 durch Absenken des Kontaktierungswerkzeugs 42,
wodurch das Kontaktierungswerkzeug 42 aus einem in 5(A) gezeigten Zustand in den in 5(B) gezeigten Zustand versetzt wird,
mit den Klemmenelektroden 30 verbunden. Da das Substrat 22 und
das Verbindungsstück 26 auf
eine gleiche Temperatur ohne einen Temperaturunterschied auf dieser
Verbindungsstufe erwärmt
werden, dehnen sich das Substrat 22 und das Verbindungsstück 26, welche
aus einem identischen Material bestehen, durch Erwärmen in
einem gleichen Verhältnis
aus und verändern
sich relative Lagen der Klemmenelektroden 28 und der Klemmenelektroden 30 nicht.
Entsprechend ist der Verbinder für
einen geringen Kontaktabstand in der Lage, die Klemmenelektroden
sicher zu kontaktieren oder zum Zeitpunkt des Verbindens der Elektroden
das Auftreten eines Fehlers wie einer Zunahme eines Widerstands
zwischen Klemmen, einer untauglichen Kontaktierung oder eines Kurzschlusses
zu einer benachbarten Klemme zu verhindern.
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Silizium
wird in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform als ein Material
des Substrats 22 und des Verbindungsstücks 26 verwendet,
und der Erfinder hat durch verschiedene Untersuchungen bestätigt, dass
die Klemmenelektroden selbst bei einem Verdrahtungsabstand von 25 μm oder weniger fest
verbunden werden können,
wenn Silizium als Material verwendet wird (die Klemmenelektroden können selbst
bei einem Verdrahtungsabstand in der Größenordnung von 15 μm fest verbunden
werden, und die Klemmenelektroden lassen sich, je nach Verbindungsauflösung, selbst
bei einem Verdrahtungsabstand von 15 μm oder weniger verbinden).
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Da
in der ersten Ausführungsform
die Nuten 33A zwischen den zahlreichen Klemmenelektroden 30 gebildet
sind, wird eine auf Oberflächen
der Klemmenelektroden 30 aufgebrachte überschüssige Menge des anisotropischen,
elektrisch leitenden Klebstoffs 40 zu den Nuten 33A hin
bewegt und findet der die elektrisch leitenden Partikel 38 enthaltende
Klebstoff 40 in den Nuten 33A Aufnahme wie in 6 gezeigt,
wenn die Klemmenelektroden 28 mit den Klemmenelektroden 30 überlappt
sind. Da die Nuten 33A, welche als Speicher für den anisotropischen,
elektrisch leitenden Klebstoff 40 dienen, wie oben beschrieben
gebildet sind, werden die elektrisch leitenden Partikel 38 nicht
zwischen andere Elemente als die Klemmenelektroden 28 und
die Klemmenelektroden 30 gelegt. Demgemäß ist der Verbinder 20 für einen
geringen Kontaktabstand in der Lage zu verhindern, dass benachbarte
Klemmenelektroden durch Einlegen der elektrisch leitenden Partikel 38 zwischen
die benachbarten Klemmenelektroden kurzgeschlossen werden.
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Obwohl
das Substrat 22 und das Verbindungsstück 26 in der oben
beschriebenen ersten Ausführungsform
aus einem identischen Material bestehen, wird die vorliegende Erfindung
durch die Ausführungsform
nicht beschränkt.
Selbst wenn diese Elemente aus verschiedenen Materialien bestehen und
verschiedene Wärmeausdehnungskoeffizienten haben,
ist es möglich,
das Substrat 22 sicher mit dem Verbindungsstück 26 zu
verbinden. In diesem Fall wird durch Verändern der Leistungen der oberen
Heizung 44 und der unteren Heizung 36 ein Temperaturunterschied
zwischen dem Substrat 22 und dem Verbindungsstück 26 erzwungen.
Konkret gesagt, wird eine Heizung, welche auf einer Seite mit einem niedrigen
Wärmeausdehnungskoeffizienten
angeordnet ist, auf eine hohe Temperatur eingestellt, wohingegen
eine Heizung, welche auf einer Seite mit einem hohen Wärmeausdehnungskoeffizient
angeordnet ist, auf eine niedrige Temperatur eingestellt wird. Durch
Erzwingen eines Temperaturunterschieds wie oben beschrieben ist
es möglich,
eine durch einen Unterschied zwischen Wärmeausdehnungskoeffizienten
verursachte Dehnung zu kompensieren und relative Lageabweichungen
zwischen den Klemmenelektroden zu verhindern, so dass die Klemmenelektroden
sicher zusammengefügt
und verbunden werden, während
Störungen
wie eine Zunahme eines Widerstands zwischen Klemmen, eine untaugliche Kontaktierung
oder ein Kurzschluss zu einer benachbarten Klemme verhindert werden.
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Obwohl
die erste Ausführungsform
oben als ein Beispiel, in welchem die Klemmenelektroden 30 des
Substrats 22 mit den Klemmenelektroden 28 des Verbindungsstücks 26 unter
Verwendung des anisotropischen, elektrisch leitenden Klebstoffs
verbunden werden, beschrieben wurde, wird die vorliegende Erfindung
durch die Ausführungsform
nicht beschränkt. In
einer anderen Form können
die Klemmenelektroden mittels eines anisotropischen, elektrisch
leitenden Films, welcher aus einem anisotropischen, elektrisch leitenden
Klebstoff besteht, verbunden werden.
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Überdies
können
die Klemmenelektroden durch eine Legierungsverbindung, welche eine
Legierung wie etwa ein Lot verwendet, oder eine Metallverbindung,
welche die Metalle der Klemmenelektroden 22 und 30 unter
Druck zusammendrückt,
verbunden werden. Auch im Fall der Legierungsverbindung oder der
Metallverbindung ermöglicht
die Bildung der Nuten 33A, zu verhindern, dass die Klemmenelektroden
zu einem Zeitpunkt des Verbindens durch Wärme oder Druck verformt werden
oder durch Ausfließen
einer Legierung oder eines Metalls kurzgeschlossen werden. Überdies
schafft die Bildung der Nuten 33A einen Effekt, einen Kriechabstand
eines Zwischenraums zwischen benachbarten Klemmenelektroden zu vergrößern, wodurch
ein Einfluss von Rauschen unterdrückt wird.
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Überdies
ist die erste Ausführungsform
ein Beispiel, in welchem die Tiefe der Nuten 33A bezüglich des
Durchmessers der elektrisch leitenden Partikel unter einer Voraussetzung,
dass die Klemmenelektroden 22 und 30 mit dem anisotropischen,
elektrisch leitenden Klebstoff oder dem anisotropischen, elektrisch
leitenden Film kontaktiert werden, spezifiziert wird. Jedoch ist
dieses spezielle Verfahren bedeutungslos, wenn die Klemmenelektroden 22 und 30 ohne
Verwendung des anisotropischen, elektrisch leitenden Klebstoffs
oder des anisotropischen, elektrisch leitenden Films zu verbinden
sind. Die Tiefe der Nuten 33A kann daher bezüglich einer
Breite der Nut angegeben werden. Wenn die Nut zum Beispiel eine große Breite
aufweist, können
die Nuten eine flache Tiefe haben, da die Nut ein großes Volumen
besitzt, selbst wenn sie die flache Tiefe hat. Wenn die Nuten hingegen
eine geringe Breite haben, müssen
die Nuten eine große
Tiefe haben, damit sie ein großes
Volumen haben. Eine Tiefe in der Größenordnung von 5% bis 150%
einer Nutenbreite kann als Anhaltspunkt für die Tiefe der Nuten 33A angesehen
werden. Eine zu große
Tiefe der Nuten macht den Klemmenteil anfällig für Abbrechen, wodurch sich ein
Festigkeitsproblem stellt. Unter den Gesichtspunkten der Festigkeit
und der Fertigungserleichterung betrachtet, ist eine Tiefe in der
Größenordnung
von 25% einer Nutenbreite am günstigsten.
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Nun
wird ein Herstellungsverfahren für
den als die erste Ausführungsform
bevorzugten Verbinder 20 für einen geringen Kontaktabstand
beschrieben.
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7(a), 7(b), 7(c), 7(d), 7(e), 8(f), 8(g), 8(h) und 8(i) sind Zeichnungen, welche Herstellungsverfahren
für den
als die erste Ausführungsform
bevorzugten Verbinder 20 für einen geringen Kontaktabstand
veranschaulichen. Diese Zeichnungen zeigen Zustände der auf dem Substrat 22 gebildeten
Metalldrähte 24,
gesehen aus einer durch einen Pfeil A in 1 angegebenen
Richtung.
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7(a) zeigt einen Halbleiter-Wafer 46 aus Einkristall-Silizium,
auf welchem die Metalldrähte 24 zu
bilden sind. Gestrichelte Linien in 7(a) sind Schnittlinien 48 zum
Trennen von Verbindern 20 für einen geringen Kontaktabstand,
welche an nebeneinanderliegenden Stellen zu bilden sind.
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Ein
Isolierfilm 50 mit einer Dicke von 5.000 bis 20.000 Angström ist auf
einer Oberfläche
des Halbleiter-Wafers 46 gebildet wie in 7(b) gezeigt. Dieser
Isolierfilm 50 kann zum Beispiel aus mittels eines CVD-Verfahrens
niedergeschlagenem BPSG (Bor-Phosphor-Silikatglas) oder aus einem
durch trockene Thermooxidation oder nasse Thermooxidation erzeugten
Oxid bestehen.
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Nachdem
der Isolierfilm 50 auf dem Halbleiter-Wafer 46 gebildet
ist wie oben beschrieben, wird dieser Oxidfilm mit einem Fotolackfilm 54 überzogen wie
in 7(c) gezeigt. Dann werden der Isolierfilm 50 und
der Fotolackfilm 54 durch Ausführen von Belichtung und Entwicklung
mit einem Muster versehen. Dann wird der Oxidfilm entfernt, um eine
Oberfläche des
Siliziums wie in 7(d) gezeigt freizulegen,
um Nuten zu bilden. Überdies
wird der Fotolack abgewaschen und werden durch anisotropisches Ätzen der Oberfläche des
Halbleiter-Wafers mit einer Ätzlösung wie
einer wässrigen
Lösung
von KOH, einer wässrigen
Lösung
von Ethylendiamin oder dergleichen Nuten gebildet wie in 7(e) gezeigt. Danach wird durch Niederschlagen
des BPSG mittels des CVD-Verfahrens
oder durch Erzeugen des Thermooxidfilms mittels der trockenen Thermooxidation
oder der nassen Thermooxidation ein Isolierfilm auf der Oberfläche des
Halbleiter-Wafers gebildet wie in 8(f) gezeigt.
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Der
Halbleiter-Wafer, auf welchem der Isolierfilm gebildet wurde, wird
in eine Argonatmosphäre mit
einem Druck von 2 bis 5 mTorr und einer Temperatur von 150 bis 300°C gelegt.
Unter Verwendung von Al-Cu, Al-Si-Cu, Al-Si, Ni, Cr, Au oder dergleichen
als Target wird durch Sputtern mit einer Gleichstromleistung von
9 bis 12 kW ein Metallfilm 52 bis zu einer Dicke von 200
bis 20.000 Angström
niedergeschlagen, um Metalldrähte
zu bilden, welche die gleiche Zusammensetzung wie das Target haben (8(g)). Andernfalls kann der Metallfilm 52 durch Niederschlagen
von Au bis zu einer Dicke in der Größenordnung von 1.000 Angström auf einer
Grundschicht aus Cr gebildet werden.
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Nach
dem Bilden des Metallfilms 52 wird ein Fotolackfilm 54 aufgebracht
wie in 8(h) gezeigt. Überdies
werden durch Ätzen
des Metallfilms 52 unter Verwendung des belichteten und
entwickelten Fotolackfilms als Maske Metalldrähte gebildet wie in 8(i) gezeigt.
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Nachdem
die Metalldrähte
auf dem Halbleiter-Wafer gebildet sind, wird der Verbinder für einen geringen
Kontaktabstand durch Ausführen
eines Zerschneidens längs
der Schnittlinien aus dem Halbleiter-Wafer geschnitten.
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Ausführungsform
2
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Obwohl
die Metalldrähte
in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform überhaupt nicht in den Nuten
belassen werden, können
die Metalldrähte
in den Nuten belassen werden.
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Um
die Metalldrähte
in den Nuten zu belassen, wird der Isolierfilm 50 unter
Anpassung der Belichtung mit einem Muster versehen, um den Schutzlackfilm 54 nach
Aufbringen des Schutzlackfilms 54 wie in 8(h) gezeigt
auf dem Grund der Nuten zu belassen wie in 9(a) gezeigt.
Die Metalldrähte können auf
dem Grund der Nuten belassen werden wie in 9(b) gezeigt,
indem das Ätzen
in einem Zustand durchgeführt
wird, in welchem der Schutzlackfilm 54 auf dem Grund der
Nuten belassen ist.
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Wenn
die Nuten tief sind, muss der Schutzlack durch Sprühen aufgebracht
werden und ein Schutzlack oder ein Schutzlack für galvanische Metallabscheidung,
um den Schutzlackfilm 54 vor Aufbringen des in 8(h) gezeigten Schutzlackfilms 54 zu
bilden und durch Belichten des Fotolacks mit projizierten Strahlen
mit einem Muster versehen werden. Durch Versehen des Fotolacks mit
einem Muster wie oben beschrieben ist es möglich, ein Substrat guter Qualität zu erzielen,
welches nur selten aufgrund eines Kurzschlusses oder Drahtbruchs
gestört
oder defekt ist.
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Die
auf dem Grund der Nuten belassenen Metalldrähte steigern die Haftfestigkeit
in einem Schritt des Kontaktierens des Verbindungsstücks mit dem
Verbinder für
einen geringen Kontaktabstand. Eine gesteigerte Haftfestigkeit sorgt
für eine
Verbindung mit hoher Nassbeständigkeit.
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Ausführungsform
3
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Obwohl
sowohl die erste Ausführungsform als
auch die zweite Ausführungsform
dafür konfiguriert
sind, die Nut mit dem Isolierfilm vollständig vom Einkristall-Silizium
zu isolieren, ist die dritte Ausführungsform nicht nur dafür konfiguriert,
einen Metalldraht am Grund der Nuten zu belassen, sondern auch den
Metalldraht leitfähig
mit einer Einkristall-Siliziumplatte zu verbinden und den Metalldraht
in der Nut mit einem Masse-Verdrahtungsteil (einer negativen Elektrode)
oder einem Stromversorgungs-Verdrahtungsteil (einer positiven Elektrode)
zu verbinden.
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Durch
Anordnen des Metalldrahts wie oben beschrieben ist es möglich, die
Einkristall-Siliziumplatte auf ein mit dem Potential des Masse-Verdrahtungsteils
(der negativen Elektrode) oder ein mit dem Potential des Stromversorgungs-Verdrahtungsteils (der
positiven Elektrode) identisches Potential zu legen und dadurch
das Potential der Einkristall-Siliziumplatte zu stabilisieren.
-
Überdies
ist es möglich,
den Metalldraht, nachdem er gebildet ist, angemessen zu erwärmen oder einen
spezifischen Widerstand einer zu verwendenden Einkristall-Siliziumplatte
auf 0,3 Ωcm
oder darunter zu steuern, um ein Haftvermögen des in der Nut gebildeten
Metalldrahts auf der Einkristall-Siliziumplatte und einen Stromübergang
zu verbessern. Eine solche Erwärmung
oder Steuerung ermöglicht, zu
verhindern, dass bei einem Element aufgrund von Leitungsrauschen
in einem feinen Verdrahtungsteil eine Funktionsstörung auftritt. Überdies
ermöglicht die
Erwärmung
oder Steuerung, eingestrahlte Störungen
durch die Funktion einer elektrostatischen Abschirmung zu verringern.
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Nun
wird ein Herstellungsverfahren für
einen Verbinder für
einen geringen Kontaktabstand beschrieben, welches gestattet, den
Metalldraht auf dem Grund der Nut zu belassen, und den Metalldraht leitfähig mit
der Einkristall-Siliziumplatte verbindet.
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Eine
Nut wird in der Einkristall-Siliziumplatte gebildet wie in 8(f), welche die erste Ausführungsform
veranschaulicht, gezeigt, und nach dem Bilden eines Isolierfilms
wird der Isolierfilm durch Ätzen
mit Fluor teilweise vom Grund der Nut entfernt, wie in 10(a) gezeigt. In diesem Zustand wird
ein Metallfilm niedergeschlagen wie in 10(b) gezeigt,
um einen Metalldraht zu bilden. Dann wird ein Fotolackfilm aufgebracht
und mit einem Muster versehen wie in 10(c) gezeigt.
Durch Ätzen
des Fotolackfilms in diesem Zustand kann der Metalldraht auf dem
Grund der Nut belassen und leitfähig
mit der Einkristall-Siliziumplatte verbunden werden wie in 10(d) gezeigt.
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Ausführungsform
4
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Obwohl
alle oben beschriebenen Herstellungsverfahren von einem Typ sind,
welcher den Isolierfilm 50 in der Nut 33A bildet,
muss der Isolierfilm 50 nicht in der Nut 33A gebildet
werden.
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Daher
wird ein Herstellungsverfahren beschrieben, welches den Isolierfilm 50 nicht
in der Nut 33A bildet.
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11(a), 11(b), 11(c), 12(d), 12(e) und 12(f) sind
Zeichnungen, welche Verfahren zum Herstellen eines Verbinders 20 für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulichen, bei welchen der Isolierfilm 50 nicht
in Nuten 33A gebildet wird.
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11(a) zeigt einen Halbleiter-Wafer 46 aus
Einkristall-Silizium, auf welchem die Metalldrähte 24 zu bilden sind.
Gestrichelte Linien in 11(a) sind
Schnittlinien 48 zum Trennen des Verbinders 20 für einen
geringen Kontaktabstand von den an danebenliegenden Stellen gebildeten.
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Ein
Isolierfilm 50, welcher eine Dicke von 5.000 bis 20.000
Angström
hat, wird auf einer Oberfläche
des Halbleiter-Wafers 46 gebildet wie in 11(b) gezeigt.
Dieser Isolierfilm 50 wird durch ein dem anhand von 7(b) beschriebenen Verfahren ähnliches
Verfahren gebildet.
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Nach
Bilden des Isolierfilms 50 auf der Oberfläche des
Halbleiter-Wafers 46 wird der Halbleiter-Wafer 46,
auf welchem der Isolierfilm 50 angeordnet ist, in eine
Argonatmosphäre
mit einem Druck von 2 bis 5 mTorr und einer Temperatur von 150 bis 300°C gelegt
und wird unter Verwendung von Al-Cu, Al-Si-Cu, Al-Si, Ni, Cr, Au
oder dergleichen als Target durch Sputtern mit einer Gleichstromleistung
von 9 bis 12 kW ein Metallfilm 52 bis zu einer Dicke von
200 bis 20.000 Angström
niedergeschlagen, wodurch Metalldrähte 24 gebildet werden,
welche eine gleiche Zusammensetzung wie das Target haben. Alternativ kann
der Metallfilm 52 durch Niederschlagen von Au bis zu einer
Dicke in der Größenordnung
von 1.000 Angström
auf einer Grundschicht aus Cr gebildet werden. Dieser Zustand ist
in 11(c) gezeigt.
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Nachdem
der Metallfilm 52 auf einer Oberseite des Isolierfilms 50 gebildet
ist, wird der Metallfilm 52 mit einem Fotolackfilm 54 überzogen
wie in 12(d) gezeigt. Dann wird der
Fotolackfilm 54 durch fotolithografische Musterbildung
von anderen Stellen als denjenigen, an welchen die Metalldrähte 24 zu
bilden sind, entfernt und werden der Metallfilm 52 und
der Isolierfilm 50 unter Verwendung des Fotolackfilms 54 als
Maske geätzt
wie in 12(e) gezeigt.
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Nachdem
durch Ätzen
des Metallfilms 52 und des Isolierfilms 50 Metalldrähte 24 gebildet
sind und die Oberfläche
des Halbleiter-Wafers 46 freigelegt ist, werden auf beiden
Seiten der Metalldrähte 24 (Klemmenelektroden 30)
durch anisotropisches Ätzen
der Oberfläche
des Halbleiter-Wafers 46 mit einer Ätzlösung wie einer wässrigen
Lösung
von KOH oder einer wässrigen
Lösung
von Ethylendiamin Nuten 33A gebildet wie in 12(f) gezeigt. Nachdem die Nuten 33A gebildet
sind, wird der Fotolackfilm 54 von Oberseiten der Metalldrähte 24 entfernt,
und dann wird der Verbinder 20 für einen geringen Kontaktabstand
durch Ausführen
eines Zerschneidens längs
der Schnittlinien 48 aus dem Halbleiter-Wafer 46 geschnitten.
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Ausführungsform
5
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13 ist
eine Zeichnung, welche einen als eine fünfte Ausführungsform bevorzugten Verbinder für einen
geringen Kontaktabstand veranschaulicht. In 13 sind
Elemente, welche mit denjenigen in der ersten Ausführungsform
identisch sind oder ihnen entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
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Ein
als die fünfte
Ausführungsform
bevorzugter Verbinder 55 für einen geringen Kontaktabstand
ist so konfiguriert, dass an einem Ende gebildete Nuten 56 sich
nicht bis zu einem Ende des Verbinders erstrecken, wie in 13 gezeigt.
Die Nuten 56 sind mit einer Länge eingerichtet, welche größer als ein
Verbindungsbereich L wie in 14 gezeigt
ist.
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Nun
wird ein Effekt beschrieben, welcher durch Einrichten der Nuten 56 mit
einer Länge,
welche größer als
der Verbindungsbereich L ist, erzielt wird.
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Wenn
die Länge
der Nuten 56 kürzer
als der Verbindungsbereich L eingerichtet ist, bildet ein durch
ein Verbindungsstück
und den Verbinder für
einen geringen Kontaktabstand umschlossener Raum einen abgeschlossenen
Raum. Demgemäß kann Luft
eingeschlossen werden und können
Luftblasen 57 in dem umschlossenen Raum verbleiben, wenn ein
Klebstoff 40 aufgebracht wird und das Verbindungsstück 26 mit
einem Verbinder 55A für
einen geringen Kontaktabstand kontaktiert wird wie in 15 gezeigt.
Die verbleibenden Luftblasen 57 können sich durch Umgebungsveränderungen
(Temperaturänderungen)
ausdehnen und zusammenziehen, was sich ungünstig auf einen Verbindungszustand auswirkt.
Selbst wenn keine Luftblasen verbleiben, kann eine unvollständige Aufbringung
des Klebstoffs 40 ermöglichen,
dass ein Innendruck in einer Nut 56A verbleibt, wie in 16(A) gezeigt, und bewirkt, dass die Kontaktierung
sich löst,
nachdem der Klebstoff sich verfestigt hat. Entsprechend kann der
Innendruck die Kontaktierung eines elektrisch leitenden Partikels 38 mit
zwei Klemmenelektroden 24 und 28 verschlechtern
wie in 16(B) gezeigt. Die Länge der
Nut 56A, welche wie oben beschrieben kürzer als der Verbindungsbereich
L ist, verursacht ein Problem dadurch, dass die Verbindung aufgrund
der Auswirkungen der Luftblasen 57 oder des Innendrucks
lückenhaft
wird.
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Hingegen
wenn die Länge
der Nut 56 länger als
der Verbindungsbereich L eingerichtet ist, bildet ein durch ein
Verbindungsstück 26 und
den Verbinder 55 für
einen geringen Kontaktabstand umschlossener Raum wie in 17(a) und 17(b) gezeigt
keinen abgeschlossenen Raum, so dass Luftblasen kaum eingeschlossen
werden können
und eine überschüssige Klebstoffmenge 40 zwingend
hinausgedrückt wird.
Demgemäß kommt
es durch verbleibende Luft kaum zu einer nachteiligen Wirkung. Da
die überschüssige Klebstoffmenge 40 hinausgedrückt wird und
kein Innendruck zurückbleibt,
wird eine Kontaktierung zwischen Klemmen aufgrund einer Aushärtungsschrumpfung,
welche wie in 18(A) gezeigt stattfindet,
wenn der Klebstoff 40 sich verfestigt, verstärkt. Wenn
ein elektrisch leitender Partikel 38 in einem zusammengefügten Teil
vorhanden ist, bewirkt der Partikel 38 eine Verbesserung
der Kontaktierung mit den Klemmenelektroden 24 und 28 und
stellt er dadurch eine elektrische Verbindung sicher wie in 18(B) gezeigt.
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Ausführungsform
6
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19(A) und 19(B) sind
Zeichnungen, welche eine Konfiguration eines als eine sechste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten elektrostatischen Aktuators 59 veranschaulichen.
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Der
in 19(A) und 19(B) gezeigte
elektrostatische Aktuator 59 ist ein Aktuator, welcher
zur Verwendung in einem Tintenkopf eines Tintenstrahldruckers konfiguriert
ist und eine durch Mikrobearbeitung gemäß der Mikrobearbeitungstechnologie
gebildete Mikrostruktur aufweist.
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In
der sechsten Ausführungsform
besteht ein Tintenkopf aus einer Tintenkopf-Haupteinheit 60 und einer
Verbinder-Einheit 88 zu äußeren Verdrahtung, welche separat
hergestellt und miteinander verbunden werden.
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Die
Tintenkopf-Haupteinheit 60 hat einen dreischichtigen Aufbau,
welcher durch Schichten eines Siliziumsubstrats 70, einer
ebenfalls aus Silizium bestehenden oberseitigen Düsenplatte 72 und
eines aus Borsilikatglas bestehenden unterseitigen Glassubstrats 74 gebildet
ist wie in 19(A) gezeigt.
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Im
mittleren Siliziumsubstrat 70 sind fünf unabhängige Tintenkammern 76,
eine gemeinsame Tintenkammer 78, welche die fünf Tintenkammern 76 verbindet,
und eine Nut, welche als ein mit der gemeinsamen Tintenkammer 78 und
den Tintenkammern 76 kommunizierender Tintenzufuhrkanal 80 dient,
angeordnet.
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Die
Nut ist durch eine Düsenplatte 72 verschlossen,
wodurch die Tintenkammern 76 und die Tintenzufuhrkanäle 80 abgeteilt
und gebildet werden.
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Überdies
sind auf einer Rückseite
des Siliziumsubstrats 70 an den Tintenkammern 76 entsprechenden
Stellen fünf
unabhängige
Vertiefungen gebildet und durch das Glassubstrat 74 verschlossen, wodurch
eine Schwingungskammer 71 mit einer durch ein Maß q in 19(A) angegebenen Höhe gebildet wird. Trennwände der
Tintenkammern 76 und der Schwingungskammer 71 des
Siliziumsubstrats 70 sind als Schwingplatten 66,
welche als elastisch verformbare Oszillatoren dienen, konfiguriert.
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Düsen 62 sind
in der Düsenplatte 72 an
Spitzen der Tintenkammern 76 entsprechenden und mit den
Tintenkammern 76 kommunizierenden Stellen gebildet.
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Die
im Siliziumsubstrat 70 angeordneten Nuten und die in der
Düsenplatte
angeordneten 72 Düsen 62 sind
mittels des Mikrobearbeitungsverfahrens gemäß der Mikrobearbeitungstechnologie
gebildet.
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Einander
gegenüberliegende
Elektroden 90 sind auf den Schwingplatten 66 und
dem Glassubstrat 74 angeordnet.
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Zwischen
dem Siliziumsubstrat 70 und den einander gegenüberliegenden
Elektroden 90 gebildete feine Fugen sind mit Abdichtungselementen 84 abgedichtet.
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Überdies
sind die einander gegenüberliegenden
Elektroden 90 auf dem Glassubstrat 74 auf einer
linken Seite in 19(A) und 19(B) herausgeführt, um Klemmenelektroden 86 zu
bilden. Ein separat hergestellter Verbinder 88 für einen
geringen Kontaktabstand ist mit den Klemmenelektroden 86 verbunden,
wodurch der Tintenkopf mit einem Verbinderabschnitt gebildet wird.
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Die
Vielzahl von Tintenkopf-Haupteinheiten 60, welche die oben
beschriebene Konfiguration haben, wird in einer Wafer-Form hergestellt,
und der Wafer wird längs
Schnittlinien zerschnitten.
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Nach
dem Schneiden wird die Tintenkopf-Haupteinheit 60 mit dem
separat hergestellten Verbinder 88 für einen geringen Kontaktabstand
verbunden.
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Nun
werden Funktionen der Tintenkopf-Haupteinheit 60, welche
wie oben beschrieben konfiguriert ist, beschrieben.
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Tinte
wird aus einem (nicht gezeigten) Tintenbehälter durch einen Tintenzufuhranschluss 82 in die
gemeinsame Tintenkammer 78 gefördert. Die Tinte, welche in
die gemeinsame Tintenkammer 78 gefördert wird, wird durch den
Tintenzufuhrkanal 80 in die Tintenkammern 76 gefördert. Wenn
in diesem Zustand eine Spannung zwischen den einander gegenüberliegenden
Elektroden angelegt wird, wird die Schwingplatte 66 zum
Glassubstrat 74 hin elektrostatisch angezogen und durch
eine zwischen den einander gegenüberliegenden
Elektroden erzeugte elektrostatische Kraft in eine Schwingung versetzt.
Ein Tintentropfen 61 wird aufgrund einer durch die Schwingung
der Schwingplatte 66 bewirkten Innendruckänderung
in der Tintenkammer 76 aus der Düse 62 ausgestoßen.
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Da
die sechste Ausführungsform
so konfiguriert ist, dass die Tintenkopf-Haupteinheit 60 und
der Verbinder 88 für
einen geringen Kontaktabstand separat hergestellt werden und diese
Elemente zusammengefügt
werden, schafft die sechste Ausführungsform
einen Effekt, welcher nun beschrieben wird.
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Die
Tintenkopf-Haupteinheit 60 wird durch Schichten des Glassubstrats 74,
des Siliziumsubstrats 70 und der Düsenplatte 72 in einem
Wafer-Zustand wie oben beschrieben hergestellt. Die Klemmenelektroden 86 sind
auf dem Glassubstrat 74 zur elektrischen Verbindung nach
außen
gebildet und erstrecken sich vom Siliziumsubstrat 70 und
der Düsenplatte 72 auswärts. Demgemäß wird der
Wafer, auf welchem das Siliziumsubstrat 70 oder die Düsenplatte 72 an
einer den Klemmenelektroden 86 entgegengesetzten Stelle
angeordnet ist, in einem Schichtungsschritt nicht verwendet.
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Geht
man davon aus, dass die Tintenkopf-Haupteinheit 60 selbst
mit einem äußeren Substrat
elektrisch verbunden werden kann, müssen Klemmenelektroden in einem
großem
Abstand auf dem Glassubstrat 74 angeordnet sein, um eine äußere Verdrahtung
zuzulassen, wodurch die Klemmenelektroden 86 ziemlich groß werden.
Wenn die großen Klemmenelektroden 86 auf
dem Glassubstrat 74 gebildet werden, wird der Wafer, auf
welchem das Siliziumsubstrat 70 oder die Düsenplatte 72 an
der den Klemmenelektroden 86 entgegengesetzten Stelle gebildet
ist, nicht verwendet, wodurch der Wafer mit einer großen Fläche vergeudet
wird. Zudem müssen hochreine
und teure Siliziumkristallplatten verwendet werden, um die Schwingplatten 66,
welche bemerkenswert dünn
sind (ungefähr
1 μm), auf
dem Siliziumsubstrat 70 zu bilden. Das Vergeuden der kostspieligen
Siliziumkristallplatten wirkt sich stark auf die Herstellungskosten
eines Produkts aus.
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Hingegen
gestattet die sechste Ausführungsform,
einen Klemmenteil der Tintenkopf-Haupteinheit 60 kompakt
zu konfigurieren, wodurch eine Vergeudung kostspieliger Siliziumkristallplatten
vermieden wird. Zudem ermöglicht
die sechste Ausführungsform,
Herstellungskosten einer Vorrichtung als Ganzes zu senken, da eine
zum Bilden des Verbinders 88 für einen geringen Kontaktabstand
verwendete Siliziumkristallplatte keine so hohe Reinheit zu haben
braucht wie zum Bilden der Schwingplatten 66 verwendete
Siliziumkristallplatten.
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Ausführungsform
7
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20 ist
eine Zeichnung, welche einen als eine siebte Ausführungsform
bevorzugten piezoelektrischen Aktuator veranschaulicht. Ein piezoelektrischer
Aktuator 91 enthält
einen piezoelektrischen Oszillator 93, welcher auf beiden
Seiten gebildete äußere Elektroden 93a und 93b aufweist,
und ein Halteelement 95, welches den piezoelektrischen
Oszillator 93 hält.
Ein vorstehender Teil 97 ist auf dem Halteelement 95 gebildet,
und der piezoelektrische Oszillator 93 ist in einem Verbindungsbereich
A des vorstehenden Teils 97 mit dem Halteelement 95 verbunden.
Die äußeren Elektroden 93a und 93b (die
in der Zeichnung durch dicke Linien dargestellten Teile) des piezoelektrischen
Oszillators 93 erstrecken sich von beiden Seitenflächen jeweils
zu den Mitten erster Oberflächen 93c.
Elektroden 95a und 95b, welche auf dem Halteelement 95 gebildet
und durch dicke Linien dargestellt sind, erstrecken sich auch von
beiden Außenrändern zu
einer Mitte des vorstehenden Teils 97. Der piezoelektrische
Oszillator 93 ist im auf dem vorstehenden Teil 97 eingerichteten
Verbindungsbereich A fest mit dem Halteelement 95 verbunden,
und die äußeren Elektroden 93a und 93b des
piezoelektrischen Oszillator 93 sind mit den Elektroden 95a und 95b des
Halteelements leitfähig
verbunden. Überdies
ist ein Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand so mit den Elektroden 95a und 95b des
Halteelements 95 verbunden, dass ein äußeres Signal von außen über den
Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand zum piezoelektrischen Aktuator 91 geleitet
wird.
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Durch
separates Anordnen des Verbinders 20 für einen geringen Kontaktabstand
wie oben beschrieben ist es möglich,
einen Klemmenelektroden-Abschnitt so zu konfigurieren, dass er eine
minimale Fläche
im piezoelektrischen Aktuator 91 einnimmt, den piezoelektrischen
Aktuator 91 selbst kompakt zu konfigurieren und die große Anzahl
von piezoelektrischen Aktuatoren 91 aus einem einzigen Wafer
herzustellen, wodurch Herstellungskosten gesenkt werden.
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Ausführungsform
8
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21 ist
eine konzeptionelle Zeichnung, welche einen Tintenkopf 98 zeigt,
welcher den in 20 gezeigten piezoelektrischen
Aktuator 91 verwendet. Eine Düsenplatte 108 mit
einer Düse 101 ist mit
einer Spitze eines Tintenkanals 99, welche aus einem kanalbildenden
Element 103 und einer Schwingplatte 105 besteht,
verbunden und ein Tintenzufuhrkanal 108 ist an einem Ende
auf einer entgegengesetzten Seite angeordnet. Der piezoelektrische
Aktuator 91 ist so angeordnet, dass eine mechanische Einwirkungsoberfläche 93d in
Kontakt mit einer Schwingplatte 95 gehalten wird und dem
Tintenkanal 99 gegenüberliegt.
Die äußeren Elektroden 93a und 93b auf
den beiden Seiten des piezoelektrischen Oszillators 93 sind
mit den Elektroden 95a und 95b des Halteelements
verbunden, und äußere Signale
werden über
die Elektroden 95a und 95b des Halteelements 95 sowie
den Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand zum piezoelektrischen Aktuator 91 geleitet.
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Wenn
in dieser Konfiguration Tinte (bis zu einer Spitze der Düse 101)
in den Tintenkanal 99 geladen wird und der oben beschriebene
piezoelektrische Aktuator 91 angesteuert wird, erzeugt
die mechanische Einwirkungsoberfläche 93d gleichzeitig mit
hohem Wirkungsgrad eine Dehnungsverformung und eine Krümmungsverformung
und bewirkt dadurch eine sehr große wirksame Verschiebung in
einer senkrechten Richtung in 21. Aufgrund
dieser Verformung wird die Schwingplatte 95 entsprechend der
mechanischen Einwirkungsoberfläche 93d verformt
wie durch gestrichelte Linien in 21 angedeutet,
wodurch im Tintenkanal 99 eine große Druckänderung (Volumenänderung)
erzeugt wird. Diese Druckänderung
bewirkt den Ausstoß von
Tinte aus der Düse 101 in
einer in 21 durch einen Pfeil angegebenen
Richtung, und der Tintenausstoß ist bemerkenswert
wirksam, da die Druckänderung
bemerkenswert wirksam ist.
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Wenn
der Verbinder 20 für
einen geringen Kontaktabstand wie oben beschrieben separat angeordnet
wird, ist es möglich,
Verdrahtungsklemmen so zu konfigurieren, dass sie im piezoelektrischen
Aktuator 91 eine minimale Fläche einnehmen, so dass der Tintenkopf 98 selbst
kompakt konfiguriert werden kann.
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Ausführungsform
9
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Der
als die oben beschriebene achte Ausführungsform bevorzugte Tintenkopf 98 wird
in einem Zustand, in welchem er auf einem Wagen 111 befestigt
ist, verwendet wie in 22 gezeigt. Der Wagen 111 ist
beweglich an einer Führungsschiene 113 befestigt,
und eine Position des Wagens 111 wird in der Richtung der
Breite eines Papiers 117, welches durch eine Walze 115 vorgeschoben
wird, gesteuert. Ein in 22 gezeigter
Mechanismus ist in einem in 23 gezeigten
Tintenstrahldrucker 119 angeordnet. Der Tintenkopf 98 kann
als ein Zeilenkopf eines Zeilendruckers verwendet werden. In einem
solchen Fall ist der Wagen 111 überflüssig.
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Obwohl
hier ein Beispiel beschrieben wurde, in welchem der Tintenkopf 98 von
einem Typ ist, welcher mittels des piezoelektrischen Aktuators 91 einen Tintentropfen
in eine Richtung zu einem Rand hin ausstößt, und der Tintenstrahldrucker
diesen Tintenkopf verwendet, kann ein Tintenstrahldrucker eine ähnliche
Konfiguration haben, wenn der Tintenstrahldrucker einen Tintenkopf 60 von
einem Typ, welcher mittels des in der oben beschriebenen siebten
Ausführungsform
erwähnten
elektrostatischen Aktuators einen Tintentropfen von einer Vorderseite
ausstößt, verwendet.
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Ausführungsform
10
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24(A) und 24(B) zeigen
eine Mikropumpe als ein Beispiel einer als eine zehnte Ausführungs form
bevorzugten Mikromaschine, wobei 24(A) eine
Draufsicht der Mikromaschine und 24(B) eine
Schnittansicht der Mikromaschine ist.
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Die
Mikropumpe hat eine Konfiguration, in welchem ein mittels eines
Mikrobearbeitungsverfahrens bearbeitetes Siliziumsubstrat 121 zwischen zwei
Glasplatten 122 und 123 gelegt ist, und funktioniert
so, dass sie eine Flüssigkeit
aus einem saugseitigen Rohr 124 ansaugt und die Flüssigkeit
in ein druckseitiges Rohr 125 ausstößt.
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Die
Mikropumpe arbeitet nach einem Prinzip, dass sie durch Anlegen einer
Spannung an ein auf eine an einem zentralen Ort des Siliziumsubstrats 121 gebildete
Membran 126 geklebtes piezoelektrisches Element 127 und
Wölben
der Membran einen Druck in einer Druckkammer 128 ändert und
durch Verschieben einer saugseitigen Membran 129 und einer
druckseitigen Membran 131, welche räumliche Fortsetzungen der Druckkammer 128 darstellen,
ein Einlassventil 132 und ein Auslassventil 133 öffnet und
schließt,
wodurch die Flüssigkeit
unter Druck aus dem saugseitigen Rohr 124 in das druckseitige
Rohr 125 befördert
wird. In 24(B) setzt sich die Druckkammer 128 in
einen Raum über
der saugseitigen Membran 129 und einen Raum unter der druckseitigen
Membran 131 räumlich
fort.
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Auch
in der zehnten Ausführungsform
wird wie in den oben beschriebenen Ausführungsformen sechs bis acht
eine Verdrahtung nach außen über den
Verbinder für
einen geringen Kontaktabstand gemäß der vorliegenden Erfindung
hergestellt. Durch separates Anordnen der Verbinder für einen
geringen Kontaktabstand wie oben beschrieben ist es möglich, die
Mikropumpe selbst kompakt zu konfigurieren.
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Ausführungsform
11
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25 ist
eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, welche Hauptteile
eines als eine andere Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Lichtmodulators zeigt.
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Der
Lichtmodulator ist hauptsächlich
durch ein Siliziumsubstrat 140, ein Glassubstrat 150 und ein
Abdeckungssubstrat 170 konfiguriert.
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Das
Siliziumsubstrat 140 weist eine Vielzahl von Feinspiegeln 141 auf,
welche auf einer Matrix angeordnet sind. Von der Vielzahl von Feinspiegeln 141 sind
Feinspiegel 141, welche in einer Richtung, zum Beispiel
einer X-Richtung in 25, angeordnet sind, mit Torsionsfedern 143 verbunden. Überdies
ist ein rahmenartiges Element 145 so angeordnet, dass es
einen Bereich, in welchem die Vielzahl von Feinspiegeln 141 angeordnet
ist, umgibt. Mit diesem rahmenartigen Element 145 sind
Enden der zahlreichen Torsionsfedern 143 verbunden. Überdies
sind in den Feinspiegeln 141 im Bereich mit den Torsionsfedern 143 verbundener
Teile Schlitze gebildet, um das Ansteuern der Torsionsfedern 143,
um sie in einer Richtung um axiale Linien zu neigen, zu ermöglichen. Überdies
sind Reflexionsschichten 141a auf Oberflächen der
Feinspiegel 141 gebildet. Wenn die Feinspiegel angesteuert
werden, um sie zu neigen, ändert
sich eine Reflexionsrichtung von auf die Feinspiegel 141 einfallenden
Strahlen. Licht lässt
sich durch Steuern der Zeitdauer, für welche die Strahlen in einer
vorbestimmten Richtung reflektiert werden, modulieren. Eine Schaltung,
welche die Feinspiegeln 141 ansteuert, um sie zu neigen,
ist auf dem Glassubstrat 150 angeordnet.
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Das
Glassubstrat 150 hat Vertiefungen 151 in einem
zentralen Bereich und ein um die Vertiefungen herum gebildetes erhöhtes Element 153.
Ein Teil des erhöhten
Elements 153 ist so ausgespart, dass er einen Elektrodenauslassanschluss 155 bildet,
und ein die Vertiefungen 151 fortsetzender Elektrodenauslassplatten-Teil 157 ist
außerhalb
des Elektrodenauslassanschlusses 155 gebildet. Das Glassubstrat 150 weist
eine große
Anzahl von Tragelementen 159 auf, welche an den Torsionsfedern 143 zwischen
jeweils zwei in der X-Richtung nebeneinanderliegenden Feinspiegeln 141 gegenüberliegenden
Stellen in den Vertiefungen 151 so gebildet sind, dass
sie aus den Vertiefungen 151 bis zu einer Höhe einer
Oberseite des erhöhten
Elements 153 vorstehen. Überdies ist auf den Vertiefungen 151 und
dem Elektrodenauslassplatten-Teil 157 des Glassubstrats 150 ein
Verdrahtungsmuster 161 gebildet. Dieses Verdrahtungsmuster 161 hat
erste und zweite Adressierungselektroden 163 und 165 an
Rückseiten
der Feinspiegel 141 auf beiden Seiten der Torsionsfedern 143 gegenüberliegenden
Stellen. Die in der Y-Richtung angeordneten ersten Adressierungselektroden 163 sind
mit einem ersten gemeinsamen Draht 167 gemeinsam verbunden.
Entsprechend sind die in der Y-Richtung angeordneten zweiten Adressierungselektroden 165 mit
einem zweiten gemeinsamen Draht 169 gemeinsam verbunden.
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Das
Siliziumsubstrat 140 wird mit dem Glassubstrat 150,
welches eine oben beschriebene Konfiguration hat, anodisch verbunden.
Zu diesem Zeitpunkt werden die beiden Enden der Torsionsfedern 143 und
das rahmenartige Element 145 des Siliziumsubstrats 140 mit
dem erhöhten
Element 153 des Glassubstrats 150 verbunden. Überdies
werden Zwischenteile der Torsionsfedern 143 des Siliziumsubstrats 140 mit
den Tragelementen 159 des Glassubstrats 150 anodisch
verbunden. Danach wird das Abdeckungssubstrat 170 auf dem
rahmenartigen Element 145 des Siliziumsubstrats 140 befestigt.
Die beiden Enden jeder Torsionsfeder 143, welche mit dem
rahmenartigen Element 145 gekoppelt sind, werden an Stellen,
wo sie vom rahmenartigen Element 145 abgeschnitten werden
sollten, zerschnitten. Überdies
wird ein den im erhöhten
Element 153 des Glassubstrats 150 ausgesparten
Elektrodenauslassanschluss 155 enthaltender Umfangsrand-Teil abgedichtet
und mit einer Dichtmasse verschlossen, womit der Lichtmodulator
fertiggestellt wird.
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Der
erste gemeinsame Draht 167 und der zweite gemeinsame Draht 169 des
fertiggestellten Lichtmodulators sind über den Verbinder für einen geringen
Kontaktabstand gemäß der vorliegenden Erfindung
wie oben in den Ausführungsformen
sechs bis acht beschrieben mit einem flexiblen Substrat wie einem
Bandträgergehäuse, in
welches ein Treiber-IC integriert ist, verbunden, so dass äußere Signale
zum Lichtmodulator geleitet werden.
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Durch
separates Anordnen des Verbinders für einen geringen Kontaktabstand
wie oben beschrieben ist es möglich,
eine Verdrahtungsklemme so zu konfigurieren, dass sie eine minimale
Fläche auf
dem Glassubstrat 150 einnimmt, wodurch der Lichtmodulator
selbst kompakt hergestellt wird.
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Ausführungsform
12
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26 ist
eine Zeichnung, welche ein Beispiel einer als eine zwölfte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bevorzugten Flüssigkristallanzeige in einem
Zustand eines Modulschritts nach Abschluss eines Array-Schritts
und eines Zellenschritts, das heißt, einem Zustand, bevor eine
elektronische Schaltung und dergleichen eines Treibersystems so angeordnet
werden, dass eine Flüssigkristallzelle elektrisch
gesteuert werden kann, veranschaulicht. Konkret gesagt, hat eine
Flüssigkristallanzeige 180 eine
Flüssigkristallzelle 181,
einen Verbinder 182 für einen
geringen Kontaktabstand und ein Bandträgergehäuse 184, in welches
ein Treiber-IC 183 integriert ist.
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Die
Flüssigkristallzelle 181 ist
zum Beispiel durch zwei Substrate 181a und 181b,
zwischen welchen ein Flüssigkristall-Material
eingespritzt und eingeschlossen ist, konfiguriert: Pixelelektroden,
ein mit den Pixelelektroden verbundener Dünnfilmtransistor, eine Source
für den
Dünnfilmtransistor,
eine mit einem Gate elektrisch verbundene Source-Leitung, eine Datenleitung
und dergleichen sind auf dem Substrat 181a (in 26 oben
liegend) gebildet, wohingegen entgegengesetzte Elektroden, Farbfilter
und dergleichen auf dem Substrat 181b (in 26 unten liegend)
angeordnet sind. Im Modulschritt werden auf der Flüssigkristallzelle 181 gebildete
Klemmenelektroden 185 mit Klemmenelektroden 186 des
Verbinders 182 für
einen geringen Kontaktabstand überlappt
oder werden die Klemmenelektroden 185 mit den Klemmenelektroden 186 mit
einem geringen Abstand mit einem dazwischengelegten elektrisch leitenden
Element überlappt
und durch Andrücken
und Erwärmen
miteinander verbunden.
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Überdies
werden an einem Ende eines Verdrahtungsmusters, welches sich von
anderen Enden der Klemmenelektroden 186 mit geringem Abstand des
Verbinders 182 für
einen geringen Kontaktabstand erstreckt, angeordnete Klemmen 187 mit Klemmen 188 des
Bandträgergehäuses 184 verbunden,
wodurch die Klemmenelektroden 185 leitfähig mit dem Treiber-IC 183 verbunden
werden.
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Wenn
der Verbinder 182 für
einen geringen Kontaktabstand wie oben beschrieben angeordnet wird,
ist es möglich,
eine durch die Klemmenelektroden 185 eingenommene Fläche der
Flüssigkristallzelle 181 zu
minimieren. Deshalb kann selbst bei einer Flüssigkristallzelle, welche eine
gegenüber
einer herkömmlichen
Fläche
unverändert
bleibende Fläche
hat, ein großer
Anzeigeabschnitt reserviert werden. Überdies ermöglicht die Erfindung, die Klemmenelektroden
mit einem geringen Abstand zu verbinden und dadurch die Anzahl von
Klemmen in einem Verbindungsabschnitt zu erhöhen. Entsprechend ist es möglich, Drähte und
Pixel in geringen Abständen
mit hoher Genauigkeit anzuordnen.
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Ausführungsform
13
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27 zeigt
ein Mobiltelefon als ein Beispiel eines elektronischen Geräts, welches
die als die zwölfte
Ausführungsform
bevorzugte Flüssigkristallanzeige
verwendet.
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Die
Flüssigkristallanzeige
wird in einem Anzeigeelement 191 eines in 27 gezeigten
Mobiltelefons 190 verwendet.
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Wenn
durch Verwendung des Verbinders für einen geringen Kontaktabstand
Pixel mit einem kleinen Abstand mit hoher Genauigkeit in der Flüssigkristallanzeige
angeordnet werden können,
ist es möglich,
das mit dem kompakten und dennoch gut ablesbaren Anzeigeelement 191 ausgestattete
Mobiltelefon 190 zu realisieren.