-
HINTERGRUND
DER ERFINDUNG 1. Bereich der Erfindung
-
Die
vorliegende Erfindung betrifft einen spannungsgesteuerten Oszillator,
welcher dazu ausgelegt ist, in zwei Frequenzbändern zu oszillieren.
-
2. Beschreibung des Standes
der Technik
-
Ein
herkömmlicher,
spannungsgesteuerter Oszillator wird gemäß 5 beschrieben. Benötigte Vorspannungen sind jeweils
an die Basis und den Emitter eines Oszillationstransistors 31 angelegt,
und der Kollektor, an den eine Spannungsversorgung (Vb) angelegt
ist, ist durch einen Gleichstrom-Sperrkondensator 32 HF-geerdet.
Zwischen die Basis und den Emitter und zwischen den Emitter und
die Erdung sind jeweils Rückkopplungskondensatoren 33 und 34 geschaltet.
-
Eine
Resonanzschaltung 35 ist zwischen der Basis und der Erdung
vorgesehen.
-
Die
Resonanzschaltung 35 hat einen Clapp-Kondensator 36,
ein Induktanzelement 37, einen Gleichstrom-Sperrkondensator 38,
eine Schaltdiode 39, einen Gleichstrom-Sperrkondensator 40, eine
Varaktordiode 41 und dergleichen. Das aus einer Mikrostreifenleitung
aufgebaute Induktanzelement 37 ist an einem Ende über den
Clapp-Kondensator 36 mit der Basis des Oszillationstransistors 31 daran
verbunden und ist an dem anderen Ende geerdet. Die Kathode der Varaktordiode 41 ist
mit dem Induktanzelement 37 über den Gleichstrom-Sperrkondensator 40 verbunden,
und die Anode ist geerdet. Das Induktanzelement 37 weist
einen entlang seiner Länge
angeordneten Mittelabgriff 37a auf, wobei die Anode der
Schaltdiode 39 mit dem Mittelabgriff 37a über den
Gleichstrom-Sperrkondensator 38 verbunden ist, und die
Kathode geerdet ist.
-
Eine
Schaltspannung (Vs) hohen oder niedrigen Pegels ist an die Anode
der Schaltdiode 39 über
einen Versorgungswiderstand 42 angelegt, und eine Abstimmspannung
(Vt) ist an die Kathode der Varaktordiode 41 über eine
Drosselspule 43 angelegt.
-
Auf
das Anlegen einer Schaltspannung niedrigen Pegels hin trägt, da die
Schaltdiode 39 in einen nicht-leitfähigen Zustand gebracht ist
und der Mittelabgriff 37a des Induktanzelements 37 nicht
HF-geerdet ist, das gesamte Induktanzelement 37 zum Einstellen
einer Oszillationsfrequenz bei, so dass der spannungsgesteuerte
Oszillator in einem ersten Frequenzband (etwa 0,9-GHz-Band) oszilliert.
-
Andererseits
wird auf das Anlegen einer Schaltspannung hohen Pegels hin die Schaltdiode 39 in
einen leitfähigen
Zustand gebracht, und der Mittelabgriff 37a ist HF-geerdet.
Als Ergebnis wird die Länge
des Induktanzelements 37, welche zum Bestimmen einer Oszillationsfrequenz
beiträgt,
kurz, so dass der spannungsgesteuerte Oszillator in einem zweiten
Frequenzband (etwa 1,8-GHz-Band)
oszilliert, welches höher
ist als das erste Oszillationsfrequenzband.
-
Auf
jeden Fall ändert
sich eine Oszillationsfrequenz durch Ändern der Abstimmspannung.
Ein Oszillationssignal wird aus dem Emitter des Oszillationstransistors 31 ausgegeben
und in einen Pufferverstärker
(nicht gezeigt) oder dergleichen über einen Verbindungskondensator 44 eingegeben.
-
In
der obigen Konfiguration muss der Mittelabgriff 37 der
Induktanz 37 nahe zu einem Ende der Induktanz 37 gebracht
werden, um das hohe Frequenzverhältnis
zwischen dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband zu
erhalten. Je näher
der Mittelabgriff 37a jedoch zu einem Ende hin gebracht
ist, umso größer wird
der Pegel (Amplitude) eines Oszillationssignals in dem Mittelabgriff 37a,
so dass ein Oszillationssignal einer großen Amplitude von 0,7 Volt
oder mehr an die Anode der Schaltdiode 39 angelegt ist.
Selbst wenn die Schaltdiode 39 nicht leitend ist (wenn
der spannungsgesteuerte Oszillator in dem ersten Frequenzband oszilliert),
bewirkt die Schaltdiode 39 eine Gleichrichtung des Oszillationssignals.
Dies bewirkt das Problem, dass keine stabilen Oszillationsfrequenzen
in dem ersten Frequenzband erhalten werden können. Mit anderen Worten gibt
es das Problem dahingehend, dass ein Frequenzverhältnis zwischen
dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband nicht gesteigert
werden kann, um eine stabile Oszillation in den zwei Frequenzbändern zu
erhalten.
-
Alternative
Resonanzschaltungen zu der oben beschriebenen sind in EP-A-0 911
960 und in
JP 08316731
A offenbart.
-
ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
-
Die
vorliegende Erfindung beabsichtigt, das obige Problem zu lösen und
selbst dann für
eine stabile Oszillation zu sorgen, wenn ein Frequenzverhältnis zwischen
dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband gesteigert
ist.
-
Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein spannungsgesteuerter Oszillator
vorgesehen, aufweisend: einen Oszillationstransistor und eine Resonanzschaltung,
welche HF-mäßig zwischen
den Kollektor und die Basis des Oszillationstransistors geschaltet
ist, wobei die Resonanzschaltung ein erstes Induktanzelement, welches
an einem Ende geerdet ist, eine Varaktordiode, welche parallel zu
dem ersten Induktanzelement geschaltet ist, ein zweites Induktanzelement,
welches parallel zu dem ersten Induktanzelement geschaltet ist,
und einen Schalttransistor, welcher zwischen einem "EIN"- oder "AUS"-Zustand schaltbar ist, aufweist, dadurch
gekennzeichnet, dass das zweite Induktanzelement über den
Pfad des Kollektors und des Emitters des Schalttransistors zu dem
ersten Induktanzelement parallel geschaltet ist und dass das zweite
Induktanzelement aus einer ersten Mikrostreifenleitung und einer
zweiten Mikrostreifenleitung aufgebaut ist, wobei sowohl die Länge der
ersten Mikrostreifenleitung als auch die Länge der zweiten Mikrostreifenleitung ein
Achtel oder weniger der Wellenlänge
einer Oszillationsfrequenz sind, wobei der Schalttransistor zwischen
der ersten Mikrostreifenleitung und der zweiten Mikrostreifenleitung
vorgesehen ist und wobei die erste Mikrostreifenleitung mit dem
ersten Induktanzelement als eine Kapazitätskomponente verbunden ist,
wenn der Schalttransistor in einem "AUS"-Zustand
ist.
-
KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
-
Eine
bevorzugte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird im Detail, basierend auf den nachfolgenden
Zeichnungen, beschrieben, wobei:
-
1 ein schematisches Diagramm
ist, welches einen ersten spannungsgesteuerten Oszillator zeigt;
-
2 ein schematisches Diagramm
ist, welches einen zweiten spannungsgesteuerten Oszillator zeigt;
-
3 ein schematisches Diagramm
ist, welches die Konfiguration einer Variante eines spannungsgesteuerten
Oszillators aus 2 zeigt;
-
4 ein schematisches Diagramm
ist, welches die Konfiguration des spannungsgesteuerten Oszillators
der vorliegenden Erfindung zeigt, und
-
5 ein schematisches Diagramm
ist, welches die Konfiguration eines herkömmlichen, spannungsgesteuerten
Oszillators zeigt.
-
Die
in den 1, 2, 3 und 5 gezeigten
Oszillatoren bilden keinen Teil der vorliegenden Erfindung.
-
BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
-
Der
Oszillator der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf 4 beschrieben. 1 zeigt einen spannungsgesteuerten
Oszillator. Benötigte Vorspannungen
werden jeweils an die Basis und den Emitter eines Oszillationstransistors 1 durch
Vorspannwiderstände 2, 3 und 4 angelegt.
Der Kollektor, an den eine Versorgungsspannung (Vb) angelegt ist,
ist HF-geerdet durch einen Gleichstrom-Sperrkondensator 5.
Zwischen die Basis und den Emitter und zwischen den Emitter und
die Erdung sind jeweils Rückkopplungskondensatoren 6 und 7 geschaltet.
Eine Resonanzschaltung 8 ist zwischen der Basis und der
Erdung vorgesehen.
-
Die
Resonanzschaltung 8 umfasst einen Clapp-Kondensator 9,
ein aus einer Mikrostreifenleitung aufgebautes Induktanzelement 10,
eine Varaktordiode 11 und dergleichen.
-
Ein
Ende des Induktanzelements 10 ist mit der Basis des Oszillationstransistors 1 über den Clapp-Kondensator 9 verbunden,
und das andere ist geerdet. Die Kathode der Varaktordiode 11 ist
mit einem Ende des Induktanzelements 10 über einen Gleichstrom-Sperrkondensator 12 verbunden,
und die Anode ist geerdet. Das Induktanzelement 10 ist mit
einem Mittelabgriff 10a an einem dazwischenliegenden Punkt
längs daran
vorgesehen; der Kollektor des Schalttransistors 13 ist
mit dem Mittelabgriff 10a über den Gleichstrom-Sperrkondensator 14 verbunden,
und der Emitter ist geerdet. Eine Versorgungsspannung ist an den
Kollektor über
einen Versorgungswiderstand 15 angelegt.
-
Als
Ergebnis sind das andere Ende des Induktanzelements 10,
die Anode der Varaktordiode 11 und der Emitter des Schalttransistors 13 HF-mäßig mit
dem Kollektor des Oszillationstransistors 1 verbunden,
wodurch die Resonanzschaltung 8 bei hohen Frequenzen zwischen
der Basis und dem Kollektor des Oszillationstransistors 1 vorgesehen
ist.
-
An
die Basis des Schalttransistors 13 ist eine Schaltspannung
(Vs) hohen oder niedrigen Pegels über den Versorgungswiderstand 16 von
einer nicht gezeigten Schaltung angelegt. Eine Abstimmspannung (Vt)
ist an die Kathode der Varaktordiode 11 über eine
Drosselspule 17 angelegt.
-
Wenn
eine Schaltspannung niedrigen Pegels an die Basis des Schalttransistors 13 angelegt ist,
ist er in einen nicht-leitenden Zustand zwischen dem Kollektor und
dem Emitter gebracht (ausgeschaltet), und der Mittelabgriff 10a des
Induktanzelements 10 ist nicht HF-geerdet. Dementsprechend trägt das gesamte
Induktanzelement 10 zum Bestimmen einer Oszillationsfrequenz
bei, so dass der spannungsgesteuerte Oszillator in einem ersten
Frequenzband (etwa 0,9-GHz-Band)
oszilliert.
-
Da
eine Kollektorspannung des Schalttransistors 13 weitgehend
gleich der Versorgungsspannung ist, wird in diesem Fall der Schalttransistor
nicht einfach durch ein Oszillationssignal, welches sich in dem
Mittelabgriff 10a entwickelt, angeschaltet.
-
Da
ferner der Schalttransistor 13 durch einen geringen Basisstrombetrag
in einen leitenden Zustand gebracht wird, kommt die Schaltung mit
einem geringen Strom aus.
-
Wenn
andererseits eine Schaltspannung hohen Pegels an die Basis des Schalttransistors 13 angelegt
wird, ist dieser in einen leitfähigen
Zustand gebracht (angeschaltet), und der Mittelabgriff 10a ist HF-geerdet.
Als Ergebnis wird die Länge
des Induktanzelements 10, welche zu einer Resonanzschaltung 35 beiträgt, kurz,
so dass der spannungsgesteuerte Oszillator in einem zweiten Frequenzband
(etwa 1,8-GHz-Band) oszilliert, welches höher als das erste Oszillationsfrequenzband
ist.
-
In
beiden Fällen ändert sich
eine Oszillationsfrequenz durch Ändern
einer Abstimmspannung. Ein Oszillationssignal wird von dem Emitter
des Oszillationstransistors 31 ausgegeben und einem Pufferverstärker (nicht
gezeigt) oder dergleichen über
einen Verbindungskondensator 18 eingegeben.
-
Obwohl
der Pegel (Amplitude) des Oszillationssignals ansteigt, wenn die
Position des Mittelabgriffs 10a des Induktanzelements 10 nahe
zu einem Ende des Induktanzelements 10 gebracht wird, ist der
Schalttransistor 13 in der obigen Konfiguration nicht in
einen leitenden Zustand gebracht, weil eine Versor gungsspannung
an den Kollektor angelegt ist, wenn dieser nicht in einem leitenden
Zustand ist (wenn der spannungsgesteuerte Oszillator in dem ersten
Frequenzband oszilliert). Dementsprechend kann das zweite Frequenzband
erhöht
werden, so dass ein Verhältnis
zwischen dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband gesteigert werden
kann.
-
2 zeigt einen zweiten, spannungsgesteuerten
Oszillator; die Resonanzschaltung 8 umfasst den Clapp-Kondensator 9,
ein erstes Induktanzelement 21, ein zweites Induktanzelement 22,
die Varaktordiode 11, und dergleichen.
-
Das
erste Induktanzelement 21 und das zweite Induktanzelement 22 sind
jeweils aus einer Mikrostreifenleitung aufgebaut, deren Leitungslänge ein
Viertel oder weniger der Wellenlänge
einer Oszillationsfrequenz ist.
-
Ein
Ende des ersten Induktanzelements 21 ist mit dem Clapp-Kondensator 9 über einen
Gleichstrom-Sperrkondensator 23 verbunden, und das andere
Ende ist geerdet. Die Kathode der Varaktordiode 11 ist
mit dem Clapp-Kondensator 9 über den Gleichstrom-Sperrkondensator 12 verbunden,
und die Anode ist geerdet. Ein Ende des zweiten Induktanzelements 22 ist
mit dem Clapp-Kondensator 9 verbunden, und das andere Ende
ist mit dem Kollektor eines Schalttransistors 24 verbunden.
An den Kollektor des Schalttransistors 24 ist eine Versorgungsspannung über einen
Versorgungswiderstand 25 und das zweite Induktanzelement 22,
welche in Serie verbunden sind, angelegt.
-
Als
Ergebnis ist das zweite Induktanzelement 22 parallel zu
dem ersten Induktanzelement 21 über den Pfad des Kollektors
und des Emitters des Schalttransistors 24 verbunden.
-
Das
andere Ende des ersten Elements 21, die Anode der Varaktordiode 11 und
der Emitter des Schalttransistors 24 sind HF-verbunden
mit dem Kollektor des Oszillationstransistors 1, wodurch
die Resonanzschaltung 8 bei hohen Frequenzen zwischen der
Basis und dem Kollektor des Oszillationstransistors 1 vorgesehen
ist.
-
An
die Basis des Schalttransistors 24 ist eine Schaltspannung
(Vs) hohen oder niedrigen Pegels über den Versorgungswiderstand 16 angelegt,
und an die Kathode der Varaktordiode 11 ist eine Abstimmspannung
(Vt) über
die Drosselspule 17 angelegt.
-
Wenn
eine Schaltspannung niedrigen Pegels an die Basis des Schalttransistors 24 angelegt ist,
ist dieser in einen nicht-leitenden Zustand zwischen dem Kollektor
und dem Emitter gebracht (ausgeschaltet); das andere Ende des zweiten
Induktanzelements 22 ist freigegeben, so dass das erste
Induktanzelement 21 und das zweite Induktanzelement 22 nicht
parallel geschaltet sind und hauptsächlich die erste Mikrostreifenleitung 21 zum
Bestimmen einer Oszillationsfrequenz beiträgt und der spannungsgesteuerte
Oszillator in dem ersten Frequenzband (etwa 0,9-GHz-Band) oszilliert.
In diesem Fall ist, obwohl ein Oszillationssignal hohen Pegels an
den Kollektor des Oszillationstransistors 24 angelegt ist,
weil das andere Ende des zweiten Induktanzelements 22 in
einem freigegebenen Zustand ist, der Schalttransistor 24 nicht
eingeschaltet, weil die Schaltspannung niedrigen Pegels, welche
an dessen Basis angelegt ist, bewirkt, dass die Versorgungsspannung an
dessen Kollektor angelegt ist.
-
Andererseits
ist der Schalttransistor 24, wenn eine Schaltspannung hohen
Niveaus an dessen Basis angelegt ist, in einen leitenden Zustand
gebracht, und das andere Ende des zweiten Induktanzelements 22 ist
HF-geerdet. Als Ergebnis sind das erste Induktanzelement 21 und
das zweite Induktanzelement 22 parallel zueinander geschaltet,
und der spannungsgesteuerte Oszillator oszilliert in einem zweiten
Frequenzband (etwa 1,8-GHz-Band), welches höher als das erste Oszillationsfrequenzband ist.
-
Wenn
das zweite Induktanzelement 22 aus einer Mikrostreifenleitung
aufgebaut ist, sinkt, wenn der Schalttransistor 24 nicht
in einem leitenden Zustand ist, da das zweite Induktanzelement 22 parallel zu
dem ersten Induktanzelement 21 als eine Kapazitätskomponente
angeschlossen ist, das erste Frequenzband, und ein Frequenzverhältnis zwischen dem
ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband kann erhöht werden.
-
3 ist eine Variante des
in 2 gezeigten, spannungsgesteuerten
Oszillators, wobei die zweite Induktanz 22 und der Schalttransistor 24 in umgekehrter
Position sind.
-
Das
heißt,
ein Ende der zweiten Induktanz 22 ist geerdet, und das
andere Ende ist mit dem Emitter des Schalttransistors 24 verbunden.
Der Kollektor des Schalttransistors 24 ist mit dem Clapp-Kondensator 9 verbunden.
Eine Versorgungsspannung ist an den Kollektor über den Versorgungswiderstand 25 angelegt.
Die Konfiguration anderer Komponenten ist die gleiche wie diejenige
in 1.
-
Auch
in diesem Fall oszilliert der spannungsgesteuerte Oszillator, wenn
der Schalttransistor 24 nicht in einem leitfähigen Zustand
ist, in dem ersten Frequenzband, und wenn er in einen leitfähigen Zustand
gebracht ist, oszilliert er in dem zweiten Frequenzband. Wenn er
jedoch nicht in den leitfähigen Zustand
gebracht ist, wird kein Einfluss auf die ersten Oszillationsfrequenzen
ausgeübt,
da ein Ende des zweiten Induktanzelements 22 von dem ersten
Induktanzelement 21 getrennt ist. Dementsprechend ist es
möglich,
Oszillationsfrequenzen des ersten Frequenzbands nur durch die erste
Induktanz 21 zu bestimmen.
-
Da
das andere Ende des zweiten Induktanzelements 22 geerdet
ist und ein Ende davon mit dem Clapp-Kondensator 9 über den
Schalttransistor 24 verbunden ist, wird, wenn die zweite
Mikrostreifenleitung 42 aus einer Mikrostreifenleitung
aufgebaut ist, selbst dann, wenn ein äquivalenter Widerstand (gesättigter
Widerstand) bei Leiten des Schalttransistors 24 existiert,
Q groß,
wenn das zweite Induktanzelement 22 von dem Kollektor des
Schaltransistors 24 betrachtet wird.
-
4, welche den spannungsgesteuerten Oszillator
der vorliegenden Erfindung zeigt, ist eine Variante des in 2 gezeigten, spannungsgesteuerten
Oszillators, wobei das zweite Induktanzelement 22 in zwei
Mikrostreifenleitungen geteilt ist, nämlich eine erste Mikrostreifenleitung 22a und
eine zweite Mikrostreifenleitung 22b und der Schalttransistor 24 zwischen
der ersten Mikrostreifenleitung 22a und der zweiten Mikrostreifenleitung 22b vorgesehen
ist. Die Länge
der ersten Mikrostreifenleitung 22a und die Länge der
zweiten Mikrostreifenleitung 22b sind einander gleich und
sind ein Achtel oder weniger der Wellenlänge einer Oszillationsfrequenz.
-
Das
heißt,
ein Ende der ersten Mikrostreifenleitung 22a ist mit dem
Clapp-Kondensator 9 verbunden;
dessen anderes Ende ist mit dem Kollektor des Schalttransistors 24 verbunden;
ein Ende der zweiten Mikrostreifenleitung 22b ist mit dem
Emitter des Schalttransistors 24 verbunden, und dessen
anderes Ende ist geerdet.
-
Wenn
der Schalttransistor 24 nicht in einem leitenden Zustand
ist, oszilliert in dieser Konfiguration der spannungsgesteuerte
Oszillator in dem ersten Frequenzband, da das andere Ende der ersten
Mikrostreifenleitung 22a freigegeben ist; wenn der Schalttransistor 24 in
den leitenden Zustand gebracht ist, sind die erste Mikrostreifenleitung 22a und die
zweite Mikrostreifenleitung 22b in Serie miteinander verbunden
und parallel zu der ersten Induktanz 21 geschaltet, so
dass der spannungsgesteuerte Oszillator in dem zweiten Frequenzband
oszilliert. Wenn der spannungsgesteuerte Oszillator in dem ersten Frequenzband
oszilliert, ist er, da nur die erste Mikrostreifenleitung 22a bei
freigegebenem, anderem Ende mit dem ersten Induktanzelement 21 verbunden
ist, parallel zu der ersten Induktanz 21 als einer Kapazitätskomponente
geschaltet, so dass das erste Frequenzband sinkt und ein Frequenzverhältnis zwischen
dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband erhöht wird.
-
Wenn
die Schaltdiode 24 in einen leitenden Zustand gebracht
ist, existiert ein äquivalenter
Widerstand (gesättigter
Widerstand) durch den Schalttransistor 24 zwischen der
ersten Mikrostreifenleitung 22a und der zweiten Mikrostreifenleitung 22b,
und das Q des zweiten Induktanzelements 22 wird, wenn der äquivalente
Widerstand enthalten ist, ein Mittelwert zwischen dem Q in 2 und dem Q in dieser Zeichnung.
-
Obwohl
ein NPN-Transistor, wie in der Zeichnung gezeigt, als der Schalttransistor 24 verwendet wird,
kann ein PNP-Transistor eingesetzt werden. Wenn ein PNP-Transistor
eingesetzt wird, können die
Kollektoren in den 1 bis 4 durch Emitter ersetzt werden
und die Emitter durch Kollektoren.
-
Obwohl
der Kollektor des Oszillationstransistors 1 HF-geerdet
ist, kann die Basis HF-geerdet sein.
-
Wie
oben beschrieben, weist der Oszillator der vorliegenden Erfindung
eine Resonanzschaltung auf, welche zwischen die Basis und den Kollektor
eines Oszillationstransistors geschaltet ist, wobei die Resonanzschaltung
einen Mittelabgriff hat, ein Induktanzelement, dessen eines Ende
geerdet ist, eine Varaktordiode, welche parallel zu dem Induktanzelement
geschaltet ist, und einen ein- oder ausgeschalteten Schalttransistor,
wobei entweder der Kollektor oder der Emitter des Schalttransistors
mit dem Mittelabgriff verbunden und der andere geerdet ist. Wenn der
Schalttransistor in einen nicht-leitenden Zustand gebracht ist und
der Oszillator in dem ersten Frequenzband oszilliert, wird der Schalttransistor,
da die Kollektorspannung des Schalttransistors beinahe gleich der
Versorgungsspannung ist, nicht leicht durch ein Oszillationssignal,
welches sich in dem Mittelabgriff 10a entwickelt, eingeschaltet.
Demgemäß kann ein
Frequenzverhältnis
zwischen dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband erhöht werden.
-
Da
der Schalttransistor mit einer geringen Menge an Basisstrom in einen
leitenden Zustand gebracht wird, kommt die Schaltung ferner mit
einem geringen Strom aus.
-
Der
Oszillator der vorliegenden Erfindung weist die Resonanzschaltung
auf, die ein erstes Induktanzelement mit einem geerdeten Ende, die
parallel zu dem ersten Induktanzelement geschaltete Varaktordiode,
ein parallel zu dem ersten Induktanzelement geschaltetes, zweites
Induktanzelement und den ein- oder ausgeschalteten Schalttransistor
aufweist, wobei das zweite Induktanzelement parallel zu dem ersten
Induktanzelement über
den Kollektor und den Emitter des Schalttransistors geschaltet ist.
Daher wird der Schalttransistor, wenn er eingeschaltet ist, nicht
durch ein Oszillationssignal eingeschaltet.
-
Bei
dem Oszillator der vorliegenden Erfindung ist das zweite Induktanzelement
aus einer ersten Mikrostreifenleitung und einer zweiten Mikrostreifenleitung
aufgebaut, wobei sowohl die Länge
der ersten Mikrostreifenleitung als auch die Länge der zweiten Mikrostreifenleitung
ein Achtel oder weniger einer Oszillationsfrequenz sind und der
Schalttransistor zwischen der ersten Mikrostreifenleitung und der
zweiten Mikrostreifenleitung vorgesehen ist. Daher ist, wenn der
Schalttransistor in einem nicht-leitenden Zustand ist, da das andere
Ende der ersten Mikrostreifenleitung freigesetzt ist, nur die erste
Mikrostreifenleitung in einem freigesetzten Zustand mit dem ersten
Induktanzelement verbunden, und das zweite Induktanzelement ist
parallel zu dem ersten Induktanzelement als eine Kapazitätskomponente geschaltet,
so dass das erste Frequenzband sinkt und ein Frequenzverhältnis zwischen
dem ersten Frequenzband und dem zweiten Frequenzband gesteigert
werden kann.