DE4444070C1 - Mikromechanisches Element - Google Patents
Mikromechanisches ElementInfo
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H57/00—Electrostrictive relays; Piezoelectric relays
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- B23Q1/00—Members which are comprised in the general build-up of a form of machine, particularly relatively large fixed members
- B23Q1/25—Movable or adjustable work or tool supports
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- H01H2057/006—Micromechanical piezoelectric relay
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- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Mikromechanik und der
Mikroelektronik und betrifft ein mikromechanisches Element, wie es z. B. als
Biegeelement für eine Justierung zur Anwendung kommen kann.
Die Vereinigung von Mikromechanik und Mikroelektronik schreitet immer weiter
voran. Zum Aufbau komplizierter Systeme in miniaturisierter Ausführung werden
auch verstärkt Hybride eingesetzt. Besonders wichtig sind Aktorprinzipien zur
Ausführung von Bewegungen. Die Gesamtproblematik ist bisher nur ungenügend
gelöst worden und ist mit großen Mängeln behaftet. Nach dem Stand der Technik
sind bis jetzt folgende Miniaturaktorprinzipien bekannt geworden:
- 1. Elektrostatische Anziehung/Abstoßung mit kapazitiven Mikrospalten (Sensors und
Actuators A, 43 (1994) S. 340 ff).
Die in das Silicium eingeätzten Spalte und Zungen führen Bewegungen aus, wenn verschiedene Feldstärken angelegt werden. Statisch wird eine Auslenkung von etwa 1 µm bei 20 V erreicht. Kräfte können nicht oder nur in sehr geringem Maße auf die Zungen ausgeübt werden. - 2. Aufgedrückte PZT-Multilayer, die den Piezoeffekt ausnutzen, wie z. B. Dickschicht- PZT (Moilanen u. a., Sensors und Actuators A, 43 (1994) S. 357-364; Chen, H.D. u. a., ISAF 94, 7.-10. Aug. 94, Penn State Scanticon Conference Center).
Wegen der schwierigen Verdruckbarkeit des PZT und Schwierigkeiten beim Sintern
werden nur Auslenkungen an den entsprechenden Bauteilen von maximal 70 nm bei
40 V erreicht.
- 3. Silicium-Zungen mit Dünnschicht-PZT (Broocks u. a., ISAF 94, 7.-10. Aug. 94,
Penn State Scanticon Conference Center).
Die Dünnschicht-PZT können nur unter 1 µm Dicke hergestellt werden. Deshalb müssen die Zungen sehr klein und dünn sein, die eine Bewegung im System ausführen sollen. Eine Krafteinwirkung ist nicht möglich. - 4. Mikromechanisches Stellelement (DE 38 09 597.1).
Hier wird ein Widerstand auf einer Si-Zunge erwärmt. Durch unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten von Metallwiderstand und Silicium biegt sich die Zunge durch und führt eine Bewegung aus. Durch die Funktionsweise über Wärme-Zu- und Abführung ist das Biegeelement träge und "kriecht" nach, so daß eine genaue Einstellung lange Zeit benötigt. - 5. Moonie-Stellelement (US 4,999,819).
Dieses Element ist eine Kombination von Piezokontraktor mit Metallbögen und benötigt eine genaue Führung. Es ist auf Silicium noch nicht integriert, da es viel zu groß ist (5 mm). Außerdem gibt es Toleranzprobleme als Hybrid. - 6. Multilayer-Element aus PZT (Multilayeraktoren Prospekt Fa. Philips, Juli 1992).
Die Elemente können nicht kleiner als 3 × 3 mm angeboten werden und besitzen sehr hohe Spannungen (ab 50 V) für 1 µm Auslenkung. Die größten Probleme bringen jedoch die großen Abmessungstoleranzen von über 100 µm, die es nicht gestallen, beim Aufbringen der Elemente als Hybride den Justierbereich anzusteuern. Es wären Zwischenstücke, Tiefätzungen u. a. erforderlich, was einen großen technologischen Aufwand erfordern würde.
Aus der US 4 093 885 ist weiterhin bekannt, daß mehrere Funktionselemente
auf einem zungenförmigen Biegeelement angebracht sind.
Aus dem geschilderten Stand der Technik gehen folgende Mängel hervor:
- - Die Kraftwirkung der Aktoren ist zu gering zum Justieren von Elementen (1. und 3.).
- - Die Dehnung ist zu klein bei noch zu großen Abmessungen (2.).
- - Das Stellelement ist zu träge und kriecht (4.).
- - Das Element ist zu groß und besitzt als Hybrid zu große Abmessungstoleranzen, so daß der Justierbereich nur mit aufwendigen Sondermaßnahmen erreicht werden kann (5. und 6.)
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein mikromechanisches Element
anzugeben, das als Hybrid einsetzbar ist und den Justierbereich unabhängig von
seinen Abmessungstoleranzen ohne aufwendige Sondermaßnahmen genau
einstellen kann.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebenen Erfindung gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen mikromechanischen Element für die Mikroelektronik ist
auf der Unterseite einer Silicium-Zunge ein piezoelektrischer und/oder ein
ferroelektrischer Körper angebracht und durch ein elektrisches Feld ansteuerbar,
wobei die Unterseite der Silicium-Zunge die Gegenseite der das Funktionselement
tragenden Seite der Silicium-Zunge ist.
Vorteilhafterweise ist ein gepolter piezoelektrischer Körper auf der Unterseite einer
Silicium-Zunge angebracht und durch ein elektrisches Feld ansteuerbar.
Weiterhin vorteilhafterweise ist der piezoelektrische Körper ein piezokeramischer
Stab.
Es ist ebenfalls vorteilhaft, wenn der piezokeramische Stab annähernd gleiche
Abmessungen wie die Silicium-Zunge und eine Dicke von < 50 µm hat.
Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn als ferroelektrischer Körper ein Keramikkörper mit
hoher Elektrostriktion auf der Unterseite der Silicium-Zunge angebracht und durch
ein elektrisches Feld ansteuerbar ist.
Und ebenfalls vorteilhaft ist es, wenn als ferroelektrischer Körper ein Körper mit
felderzwungener Phasenumwandlung auf der Unterseite der Silicium-Zunge
angebracht und durch ein elektrisches Feld ansteuerbar ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen
Elementes für die Mikroelektronik wird auf die Unterseite einer Silicium-Zunge ein
piezoelektrischer und/oder ein ferroelektrischer Körper angebracht und durch ein
elektrisches Feld angesteuert, wobei die Unterseite der Silicium-Zunge die
Gegenseite der das Funktionselement tragenden Seite der Silicium-Zunge ist.
Durch das Anbringen des piezoelektrischen und/oder ferroelektrischen Körpers auf
der Unterseite einer Silicium-Zunge bleibt die Gegenseite mit dem Funktionselement
in der Ebene der Oberfläche des Silicium-Substrates liegen, wodurch die 0-Ebene
genau definiert bleibt.
Je nach der Richtung der angelegten Spannung wird durch den piezoelektrischen
Körper die Silicium-Zunge nach oben oder unten ausgelenkt.
Die Größe der Auslenkung kann über die Länge der Silicium-Zunge eingestellt
werden. Wenn vorteilhafterweise eine Dicke des piezoelektrischen Körpers von < 50
µm bis ca. 200 µm eingesetzt wird und gleichzeitig die Dicke der Silicium-Zunge 50
bis 700 µm beträgt, kann bei einer angelegten Spannung von 50 V bereits eine
große Auslenkung erreicht werden. Auch sind die dabei vorhandenen Stellkräfte so
groß, daß Gewichte im Grammbereich angehoben werden können.
Die Einstellung einer Justierung erfolgt schnell und ist unter einer Sekunde stabil.
Ein geringfügiges Nachkriechen ist in diesem Zeitbereich inbegriffen.
Statt der Ausnutzung des piezoelektrischen Effektes kann mit gleich guten
Ergebnissen der elektrostriktive Effekt oder der Effekt der mit der durch
felderzwungene Phasenumwandlung antiferroelektrisch - ferroelektrisch
einhergehenden Dimensionsänderung eingesetzt werden.
Durch die erfindungsgemäße Lösung wird eine genaue und schnelle Justierung ohne 0-Ebene
aufwendige Sondermaßnahmen mit Hybridelementen möglich, die wesentliche
größere Abmessungstoleranzen aufweisen, als der Justierbereich umfaßt. Bei
bekannten Hybridelementen treten üblicherweise Abmessungstoleranzen von über
100 µm auf. Der Justierbereich, den ein solches Hybridelement überstreichen soll,
beträgt dabei in der Regel 10-20 µm.
Im weiteren wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
Aus einem Silicium-Substrat mit einer Dicke von 300 µm wird eine nach unten hin
freie Zunge der Abmessungen 3 × 1 mm herausgeätzt. Der piezoelektrische Körper
besteht aus einem piezokeramischen Stäbchen der Abmessung 2,8 × 0,9 mm und
einer Dicke von 200 µm. Es ist mit aufgesputterten Ag-Kontakten versehen und mit
500 V bei 60°C 5 s gepolt worden. Dieses piezokeramische gepolte Stäbchen wird
mit einem Leitkleber auf die Unterseite der Silicium-Zunge angeklebt. Als Zuführung
für die Grundelektrode dient der Leitkleber. Als Zuführung für die Deckelektrode wird
ein Bonddraht angebracht. Dadurch ist der piezoelektrische Körper durch ein
elektrisches Feld ansteuerbar. Mittels eines Laserferometers kann nun die
Auslenkung der Silicium-Zunge in Abhängigkeit von der angelegten Spannung
gemessen werden.
Es sind folgende Werte gemessen worden:
| Spannung: 25 V | |
| Auslenkung: 1,7 µm | |
| Spannung: 50 V | Auslenkung: 3,6 µm |
Über die Veränderung von Länge und Dicke der Silicium-Zunge und des
piezoelektrischen Körpers können weitere Varianten eingestellt werden, wobei mit
absinkender Dicke die Stellkraft naturgemäß abnimmt.
Claims (6)
1. Mikromechanisches Element für die Mikroelektronik mit einer ein
Funktionselement tragenden Zunge, bei dem auf die Unterseite
oder Silicium-Zunge ein piezoelektrischer und/oder ein ferroelektrischer Körper
angebracht und durch ein elektrisches Feld ansteuerbar ist, wobei die Unterseite der
Silicium-Zunge die Gegenseite der das zu justierende Funktionselement tragenden Seite der
Silicium-Zunge ist.
2. Mikromechanisches Element nach Anspruch 1, bei dem ein gepolter
piezoelektrischer Körper auf der Unterseite einer Silicium-Zunge angebracht und
durch ein elektrisches Feld ansteuerbar ist.
3. Mikromechanisches Element nach Anspruch 1, bei dem der piezoelektrische
Körper ein piezokeramischer Stab ist.
4. Mikromechanisches Element nach Anspruch 3, bei dem der
piezokeramische Stab annähernd gleich Abmessungen wie die Silicium-Zunge und
eine Dicke von < 50 µm hat.
5. Mikromechanisches Element nach Anspruch 1, bei dem als ferroelektrischer
Körper ein Keramikkörper mit hoher Elektrostriktion auf die Unterseite der Silicium-
Zunge angebracht und durch ein elektrisches Feld ansteuerbar ist.
6. Mikromechanisches Element nach Anspruch 1, bei dem als ferroelektrischer
Körper ein Körper mit felderzwungener Phasenumwandlung auf die Unterseite der
Silicium-Zunge angebracht und durch ein elektrisches Feld ansteuerbar ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4444070A DE4444070C1 (de) | 1994-12-10 | 1994-12-10 | Mikromechanisches Element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4444070A DE4444070C1 (de) | 1994-12-10 | 1994-12-10 | Mikromechanisches Element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4444070C1 true DE4444070C1 (de) | 1996-08-08 |
Family
ID=6535498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4444070A Expired - Fee Related DE4444070C1 (de) | 1994-12-10 | 1994-12-10 | Mikromechanisches Element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4444070C1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998011586A1 (fr) * | 1996-09-13 | 1998-03-19 | Thomson-Csf | Dispositif de commutation electrique et dispositif d'affichage utilisant ce dispositif de commutation |
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| US4912822A (en) * | 1988-01-27 | 1990-04-03 | Stanford University | Method of making an integrated scanning tunneling microscope |
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| DE4234237A1 (de) * | 1992-10-10 | 1994-04-14 | Bosch Gmbh Robert | Mikroaktor |
-
1994
- 1994-12-10 DE DE4444070A patent/DE4444070C1/de not_active Expired - Fee Related
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