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Neuerdings
finden als dünne
Schicht ausgebildete fotovoltaische Umwandlungsvorrichtungen, welche
Dünnschicht-Halbleiter
aus Materialien auf Siliciumbasis, wie amorphes Silicium und amorphe Siliciumlegierungen
als Dünnschicht-Fotovoltaische Umwandlungseinrichtung
verwenden, erhebliche Beachtung. Eine große Aufgabe ist die Kostensenkung durch
Massenproduktion von Solarzellen, welche für Dünnschicht-Fotovoltaische Umwandlungsvorrichtungen
repräsentativ
sind, und daher muß die
Herstellungsmenge pro Zeiteinheit gesteigert werden.
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Starre
Glasplatten und Bleche aus rostfreiem Stahl, die gegenwärtig allgemein
als Träger
von dünnschichtigen
fotovoltaischen Umwandlungsvorrichtungen benutzt werden, lassen
sich nur in einem komplizierten Verfahren in eine Vakuum-Apparatur ein- und ausbringen,
wobei auch ihr Einsetzen in Trägerhalter
und ihre Herausnahme davon kompliziert ist. Die dafür erforderliche
Zeit soll also verkürzt
werden. Man erwartet auch viel von Vorrichtungen, welche Kunstharze
und dergleichen als Träger
verwenden, da sie möglicherweise
die Trägerkosten
verringern und es erleichtern, Solarzellen zu verwenden. Aus diesen
Gründen.
wurde ein "Rolle-zu-Rolle"-System entwickelt,
worin ein flexibler Träger
in Form einer Rolle in eine Ladekammer gebracht wird und eine dünnschichtige
fotovoltaische Umwandlungsvorrichtung mit einem Mehrschicht-Aufbau
kontinuierlich als ein Band gebildet wird, indem der Träger durch
verschiedene Reaktionskammern läuft,
wie beispielsweise von K. Suzuki et al. in "Technical Digest of the International
PVSEC-1" (1984),
S. 191 oder von S.R. Ovshinsky et al. in "Technical Digest of the International
PUSEC-1" (1984),
5.577 beschrieben und im folgenden mit Bezug auf 2 näher ausgeführt.
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Vom
Stand der Technik wird noch verwiesen auf
EP 00 41 773 A1 , die ein
System zur kontinuierlichen Herstellung von Solarzellen betrifft,
bei dem ein Träger
durch aufeinanderfolgende Beschichtungskammern transportiert wird,
die voneinander isoliert sind, um unerwünschte Vermischungen ihrer
Reaktionsgase zu vermeiden. Zur Isolation sind Isolatorventile oder
Isolatoren vorgesehen, die den Träger mit einem engen Schlitz
umschließen
und evakuiert oder mit einem Inertgasstrom gespült werden können. Auch
US 4,874,631 beschreibt ein System
zur gleichzeitigen Abscheidung verschiedener Beschichtungen auf
einem dünnen
flexiblen bandförmigen Träger, der
kontinuierlich durch mehrere Beschichtungskammern geführt wird,
die in einer umgebenden großen
Vakuumkammer angeordnet sind, wobei der Träger in die Beschichtungskammer
durch sehr enge Schlitze mit schwacher Krümmung in der Durchlaufrichtung
ein- und austritt und in der Kammer eine den Träger führende Wand kontaktiert, wobei
der Träger
in der Richtung senkrecht zu dieser Wand unbeweglich bleibt.
2 zeigt als Beispiel eine
bekannte Schichtbildungsvorrichtung, wie oben angegeben, welche eine
fotovoltaische Umwandlungsschicht mit einem pin-Aufbau bilden kann.
Ein bandförmiger
flexibler Träger
1 wird
von einer Einladerolle (
2) in einer Einladekammer
20 abgewickelt und
läuft über Transportwalzen
4 in
eine Ausladekammer
30, wo er kontinuierlich auf eine Ausladerolle
3 aufgewickelt
wird. Eine p-Schicht wird auf der Oberfläche des flexiblen Trägers
1 in
einer p-Schicht-Bildungskammer
31 abgeschieden, während der
Träger diese
durchläuft,
wo ein Reaktionsgas durch zwischen einer Hochspannungselektrode
51 und
einer mit einer Trägerheizung
6 versehenen
geerdeten Elektrode
52 zersetzt wird. Ähnlich wird eine i-Schicht gebildet,
wenn der Träger
eine i-Schicht-Bildungskammer
32 durchläuft, und eine n-Schicht gebildet, wenn
er eine n-Schicht-Bildungskammer
33 durchläuft. Absaugsysteme
7 sind
mit der Einladekammer
20, jeder Reaktionskammer
31,
32 und
33 und
der Ausladekammer
30 verbunden.
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Elektrodenschichten
sind auf beiden Seiten einer fotovoltaischen Umwandlungsschicht
mit einem pin-Aufbau angeordnet, wobei die Elektrodenschicht auf
der einen Seite eine durchsichtige Elektrodenschicht ist. Um leitende
Schichten zu erzeugen, die solche Elektrodenschichten bilden, wird
eine Schichtbildungsvorrichtung verwendet, wie in 3 gezeigt. Der bandförmige flexible Träger 1 wird
von der Einladerolle 2 in einer Schichtbildungskammer 39 abgewickelt,
die mit einem Absaugrohr 7l und einem Gas-Einleitungsrohr 70 verbunden
ist, läuft über die Transportwalzen 4 und über eine
Heizwalze 60 und wird auf der Ausladerolle 3 kontinuierlich
aufgewickelt. Da die Oberfläche
eines Targets 53 aus leitendem Material durch Plasma verdampft
wird, das zwischen der an der Heizwalze 60 angeordneten
Erdelektrode 52 und dem gegenüberliegenden Target 53 erzeugt
wird, wird auf der Trägeroberfläche eine
leitende Schicht gebildet, wenn der Träger 1 über die Heizwalze 60 läuft.
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Da
jedoch in der in 2 gezeigten
Schichtbildungsapparatur der flexible Träger 1 kontinuierlich durch
die verschiedenen Reaktionskammern 31, 32 und 33 läuft, kann
ein luftdichter Abschluß an
dem die Reaktionskammern trennenden Durchlaß 36 nicht genügend aufrechterhalten
werden, so daß Gas
in die benachbarten Reaktionskammern gelangt. Außerdem können der Träger 1 und darauf gebildete Schichten
durch Reibung am Durchlaß 36 und
an der Erdelektrode 52 beschädigt werden. Da außerdem die
Reaktionskammern beim gleichen Druck gehalten werden müssen, kann
keine Kammer unabhängig
auf den für
die Schichtqualität
optimalen Druck eingestellt werden. Obgleich die Einrichtung einer Vorkammer 35,
die durch das unabhängige
Absaugsystem 7 bei einem niedrigen Druck gehalten wird, zwischen
den Reaktionskammern 31 und 32 und zwischen 32 und 33,
wie in 4 gezeigt, das
Problem der Gaswanderung und der Druckunabhängigkeit in jeder Reaktionskammer
etwas verbessert, bleibt das Problem der Trägerbeschädigung ungelöst.
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Außerdem wird
ein Mehrschichtaufbau, wie in 5 gezeigt,
zur Verbesserung des Umwandlungs-Wirkungsgrades in Dünnschicht-Solarzellen verwendet.
Bei diesem Aufbau befindet sich auf einer p-Schicht 21 mit
einer Dicke von 10 bis 20 nm, die aus amorpher Silicium-Kohlenstofflegierung
(a-SiC) oder amorpher Silicium-Sauerstofflegierung
(a-SiO) besteht, die sich auf dem mit einer Elektrodenschicht 29 beschichteten
Träger 1 befindet,
eine Pufferschicht 22 mit einer Dicke von 10 bis 20 nm
bestehend aus amorphem Silicium, (a-Si), a-SiC oder a-SiO, eine
i-Schicht 23, von 70 nm Dicke aus a-Si, eine n-Schicht 24 mit
einer Dicke von 30 nm aus a-Si, eine p-Schicht 25 mit einer
Dicke von 10 bis 20 nm aus a-SiC oder a-SiO, eine Pufferschicht 26 mit
einer Dicke von 10 bis 20 nm aus a-Si oder a-SiC oder a-SiO, eine
i-Schicht 27 mit einer Dicke von 300 nm aus a-Si und eine
n-Schicht 28 mit einer Dicke von 30 nm aus a-Si. fotovoltaische
Umwandlungsvorrichtungen mit einem solchen Mehrschichtaufbau können unter
Verwendung der in 6 schematisch
gezeigten Schichtbildungsvorrichtung hergestellt werden. Die Vorrichtung
hat zwei Gruppen von p-Schicht-Bildungskammern 31, eine
Pufferschicht-Bildungskammer 34, eine i-Schichtbildungskammer 32 und
eine n-Schichtbildungskammer 33, die zwischen der Einladekammer 20 und
der Ausladekammer 30 angeordnet sind. Mit steigender Zahl
von durchlaufenen Kammern steigt die Gefahr der Beschädigung des Trägers.
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Ferner,
da der Träger
die Schichtbildungskammern mit konstanter Geschwindigkeit durchläuft, müssen die
Längen
der Kammern der Schichtbildungsgeschwindigkeit jeder Schicht entsprechend bemessen
sein oder die Schichtbildungsgeschwindigkeit muß eingestellt werden, um eine
Mehrschicht-Struktur mit verschiedenen Schichten aufzubauen, welche
verschiedene Schichtdicken und Schichtbildungsgeschwindigkeiten
erfordert. Wenn die erste Maßnahme
gewählt
wird, hat man keinen Freiheitsgrad mehr hinsichtlich der Größe der Vorrichtung,
und nach deren Konstruktion können
keine Veränderungen
vorgenommen werden. Wenn der letztere Weg gewählt wird, kann man keine optimale Schichtbildungsgeschwindigkeit
entsprechend der Art der Schicht einstellen. Wenn beispielsweise
die n-Schicht 24 oder 28 mit einer Dicke von 30
nm in der Schichtbildungskammer 33 in der vorangehenden Stufe
gebildet wird, während
die i-Schicht 27 mit einer Dicke von 300 nm in der Schichtbildungskammer 32 der
Folgestufe gebildet wird, müssen
die Längen der
Schichtbildungskammern ein Verhältnis
von 10/1 haben oder die Schichtbildungsgeschwindigkeit muß auf 1/10
gesetzt werden, was außerordentlich schwierig
zu realisieren ist.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, die oben dargelegten Probleme zu lösen und
ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung einer als dünne Schicht
ausgebildeten fotovoltaischen Umwandlungsvorrichtung anzugeben,
womit jede Schicht unter optimalem Druck gebildet wird, der flexible
Träger nicht
beschädigt
wird und eine große
Freiheit in der Festlegung der Größe der Apparatur und der Schichtbildungsgeschwindigkeit
jeder Schicht gegeben ist.
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Die
gestellte Aufgabe wird gelöst
durch das in den Patentansprüchen
angegebene Verfahren und die in weiteren Patentansprüchen angegebene
Vorrichtung.
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Die
Durchführung
einer Beschichtung des flexiblen Trägers während dieser unbeweglich gehalten
wird, erleichtert es, die Beschichtungskammern während der Beschichtung luftdicht
abzuschließen. Indem
außerdem
jede Beschichtungskammer in einer kollektiven Vakuumkammer angeordnet
ist oder neben jeder Beschichtungskammer Vorkammern oder Beladungs-
und Entladungskammern angeordnet sind, wird eine Verunreinigung
durch Gase von außen
oder solchen, die in anderen Beschichtungskammern vorhanden sind,
verhindert, was es ermöglicht,
die Drücke
in jeder Beschichtungskammer unabhängig voneinander zu regeln
und Beschichtungen unter optimalen Druckbedingungen zu bilden. Außerdem,
da das Abdichtungsmaterial an den Wänden der Beschichtungskammer,
welches die Beschichtungskammern während des Beschichtungsvorgangs
luftdicht abschließt,
oder die den Träger
berührende
Elektrode sich zurückziehen,
wenn der flexible Träger
bewegt wird, werden der Träger
und darauf befindliche Schichten nicht beschädigt.
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Die
Bildung von Schichten, während
sich der Träger
nicht bewegt, macht es möglich,
in jeder Beschichtungskammer Schichten über verschiedene Zeitperioden
zu bilden und gibt die Länge
der Beschichtungskammern für
jede Schicht vor. In diesen Fällen
wird das Zeitintervall zwischen Bewegungen des Trägers durch
die längste
Zeit bestimmt, die zur Bildung von Schichten in jeder Beschichtungskammer
erforderlich ist. Um dieses Zeitintervall abzukürzen, können dickere Schichten gebildet
werden, indem man das Beschichtungsverfahren in verschiedenen Stellungen
in der längeren
Filmbildungskammer wiederholt, während
die anderen Schichten verschiedenen Beschichtungsmaßnahmen
in anderen Kammern unterworfen sind. Weiterhin kann man verschiedene
Arten von Schichten aufeinander abscheiden, indem man die Reaktionsgase
in anderen Beschichtungskammern verändert, während die dickeren Schichten
in einer Beschichtungskammer gebildet werden. Andererseits, wenn
man zwei Beschichtungskammern vorsieht, wo ein Teil der Kammern
in einer Richtung senkrecht zum Träger bewegt werden kann, kann
eine der Kammern zurückgezogen
werden, während
in der anderen Kammer der Beschichtungsvorgang abläuft, und
bei Beendigung des Beschichtungsvorgangs in einer Kammer kann die
andere Kammer beginnen, Schichten eines anderen Typs zu bilden.
Diese Anordnung erlaubt eine bessere Ausnutzung jeder Beschichtungskammer
und ermöglicht
es, die Produktion pro Zeiteinheit zu erhöhen und die Anzahl der erforderlichen
Beschichtungskammern zu verringern. Außerdem kann die Herstellung
von Schichten auf einem in einer vertikalen Richtung gehaltenen
Träger
eine Kontaminierung dieser Trägerfläche oder
der Beschichtungsfläche verringern,
die von Staub an den Wänden
und Decken der Beschichtungskammern herrühren kann.
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Zusätzlich,
wenn der Träger
nicht erst nach der Bildung einer fotovoltaischen Unwandlungsschicht
auf eine Rolle aufgewickelt wird, sondern nachdem eine Elektrodenschicht
in der folgenden Beschichtungskammer auf der fotovoltaischen Umwandlungsschicht
abgeschieden wurde, kann die Elektrodenschicht die fotovoltaische
Umwandlungsschicht stärken
und schützen,
wodurch z.B. eine schwache Si-Si-Bindung in der a-Si-fotovoltaischen Umwandlungsschicht
gegen Zerbrechen als Folge der während
des Aufwickelns der Schicht auf die Rolle erzeugten mechanischen
Spannung geschützt wird.
Dieses Verfahren kann auch eine Verschlechterung der fotovoltaischen
Umwandlungsschicht verhindern, die durch in der Atmosphäre enthaltene Feuchtigkeit
verursacht wird, und die Entstehung von pin-holes (Löchern) in
der fotovoltaischen Umwandlungsschicht, die sich durch Wärmeschrumpfung
auf dem Träger
ergeben kann, wenn er auf die Rolle aufgewickelt wird.
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Die
Erfindung wird weiter erläutert
durch die folgende Beschreibung von Ausführungsformen, die sich auf
die beigefügte
Zeichnung bezieht, worin gleiche Bezugszahlen gleiche Teile wie
die in den 2 bis 6 vorhandenen
bezeichnen.
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1 zeigt
einen stufenweise arbeitenden Beschichtungsapparat vom Rollentyp
als eine der Ausführungsformen
der Erfindung. Ein bandförmiger flexibler
Träger 1,
der auf einer Einladerolle 2 aufgewickelt ist, befindet
sich in einer langen und großen Vakuumkammer 10,
die mit einem Absaugsystem 7 ausgerüstet ist, und bewegt sich über Transportwalzen 4 zu
einer Ausladerolle 3 durch Reaktionskammern, wie die p-Schicht-Beschichtungskammer 31, die
i-Schicht-Beschichtungskammer 32 und die n-Schicht-Beschichtungskammer 33.
Die Reaktionskammern 31, 32, 33 bestehen
aus zwei Systemen, jedes mit zwei Rollen, also insgesamt vier Rollen, über welche
der biegsame Träger
läuft.
In jeder der Reaktionskammern 31, 32 und 33 ist
eine Hochspannungselektrode 51 gegenüber einer mit einer Trägerheizung 6 versehenen
geerdeten Elektrode 52 angeordnet, auf der eine dünne Schicht
auf a-SiBasis durch ein Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird, während der
flexible Träger 1 sich
nicht bewegt. Die geerdete Elektrode 52 und die mit Dichtungsmaterial 81 versehenen Reaktionskammerwände 8 haften
am Träger 1,
während
dieser unbeweglich ist, und verschließen die Reaktionskammern 31, 32 und 33 luftdicht,
so daß durch
das nicht gezeigte Absaugsystem, das mit jeder Reaktionskammer verbunden
ist, der Druck und die Schichtbildungsbedingungen in jeder Kammer
unabhängig
gesteuert werden können. Außerdem wird,
indem man den Druck in einer Vakuumkammer 10 unabhängig von
einem Absaugsystem 7 niedriger als in den Reaktionskammern
hält, der
Eintritt von Reaktionsgasen oder Luft von anderen Kammern in die
Reaktionskammern 31, 32, 33 verhindert.
Nach Beendigung der Schichtbildung, wenn die Elektroden in jeder
Reaktionskammer abgeschaltet sind, wird in jeder Reaktionskammer
ein Vakuum erzeugt und der Träger
wird in eine Stellung transportiert, in welcher die nächste Schicht
gebildet werden kann, wobei während
des Transports die geerdete Elektrode 52 und die Dichtungsmaterialien 81 an
den Reaktionskammerwänden 8 vom
Träger
entfernt gehalten werden, wie weiter unten im einzelnen beschrieben.
Jede Achse in der Einladerolle 2, der Ausladerolle 3 und
den Transportwalzen 4 und jede Ebene der Hochspannungselektrode 51 und
der geerdeten Elektrode 52 stehen vertikal, wodurch verhindert
wird, daß von
den Decken und Wänden
in den Reaktionskammern 31, 32 und 33 herabfallender Staub
sich auf dem Träger
oder dem Film abscheidet. Die Ebene des Trägers 1 kann jedoch
auch horizontal gelegt werden. Die Verwendung dieses Apparats, der Schichten
gleichzeitig auf den flexiblen Trägern der vier Rollen bilden
kann, erlaubt eine hohe Produktivität. Außerdem kann, da Schichten auf
den Trägern auf
den zwei Rollen in einer Reaktionskammer gebildet werden, das Reaktionsgas
wirksamer ausgenutzt und der Apparat kompakter gebaut werden.
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Die 7(a) und (b) zeigen eine Ausführungsform der Mechanismen,
welche flexible Träger stützen und
transportieren. Wenn Schichten gebildet werden, wie in 7(a) gezeigt, haften die geerdeten Elektroden 52 an
der Außenseite
des Trägers 1,
der zwischen Transportwalzen 4 läuft, wobei Dichtungsmaterialien 81 an
den Reaktionskammerwänden 8 an
dessen Innenseite haften. Die Reaktionskammern 32, 33 werden
luftdicht abgeschlossen, und Plasma 5 wird durch die Spannung
erzeugt, die zwischen den Elektroden 51 und 52 angelegt
wird. Wenn die flexiblen Träger 1 bewegt
werden, werden die Transport Walzen 4 und die geerdeten
Elektroden 52 etwa 1 cm nach oben, bzw. nach unten bewegt,
wie durch die Pfeile 41 in 7(a) angegeben.
Außerdem
werden die Träger 1 ebenfalls
etwa 1 cm nach oben und unten bewegt. 7(b) zeigt
den Zustand nach diesen Bewegungen, wenn die Träger 1 in der durch
die Pfeile 42 angegebenen Richtung transportiert werden
können,
ohne die Reaktionskammerwände 8 und
die geerdeten Elektroden 52 zu berühren.
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Die 8(a) und (b) zeigen eine andere Ausführungsform
der Mechanismen, welche die flexiblen Träger stützen und transportieren. In
diesem Fall sind anders als in den Fällen der 1 und 6 zwei
Hochpannungselektroden 51 und eine geerdete Elektrode 52 für zwei aufgewickelte
flexible Träger
angeordnet. Die Reaktionskammerwände 8, die
einen U-förmigen
Querschnitt haben, und die Transportwalzen 4 werden in
der durch die Pfeile 41 angegebenen Richtung bewegt, um
das Abheben der Träger 1 zu
bewirken, die dann in der durch die Pfeile 42 in 8(b) gezeigten Richtung transportiert werden.
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9 zeigt
eine Ausführungsform
der Erfindung, welche keine kollektive Vakuumkammer 10 verwendet.
In diesem Fall sind die Reaktionskammern 31, 32 und 33 nicht
nebeneinander angeordnet, sondern Vorkammern 35 sind zwischen
ihnen angeordnet. Außerdem
ist eine Einladekammer 20 außerhalb der p-Schicht-Beschichtungskammer 31 und eine
Ausladekammer 30 außerhalb
der n-Schicht-Beschichtungskammer 33 angeordnet. Die Kammern
haben eine gemeinsame Außenwand 40. Nicht
gezeigte unabhängige
Absaugsysteme sind mit den Reaktionskammern 31, 32 und 33,
den Vorkammern 35, der Einladekammer 20 und der
Ausladekammer 30 verbunden, so daß jede Kammer einzeln evakuiert
werden kann. Im Ergebnis können
diese Absaugsysteme kompakter gebaut und die Vakuumqualität kann verbessert
werden. Außerdem
kann durch Verringerung des Drucks in den Vorkammern 35,
der Einladekammer 20 und der Ausladekammer 30 auf
eine geringere Höhe
als der Druck in den Reaktionskammern 31, 32 und 33 der
Eintritt von Reaktionsgasen von anderen Reaktionskammern oder von
Luft in jede Reaktionskammer verhindert werden.
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In
der in 10 gezeigten Ausführungsform sind
vier Beschichtungskammern 31, 32 33 und 39 jede
mit einer Abdichtungs funktion in der kollektiven Vakuumkammer 10 angeördnet, so
daß elektrisch
leitende Schichten in üblicher
Weise in einer getrennten Beschichtungsvorrichtung zusätzlich zu
den fotovoltaischen Umwandlungsschichten kontinuierlich ohne Berührung mit
der Luft gebildet werden können.
In dieser Vorrichtung sind keine Vorkammern 35 vorgesehen,
und der bandförmige
flexible Träger 1 gelangt zwischen
jeder Beschichtungskammer in die kollektive Vakuumkammer 10.
Jede der Beschichtungskammern 31, 32, und 33 weist
eine Hochspannungselektrode 51 auf, die mit einem Gaszuleitungsrohr 70 verbunden
ist, eine gegenüber
der Hochspannungselektrode angeordnete geerdete Elektrode 52 mit
einer Trägerheizung 6 und
Beschichtungskammerwände 8,
die gegenüber
der Hochspannungselektrode 51 durch einen Isolator 9 isoliert
sind, und jede Kammer bildet einen abgedichteten Raum, der mit dem
nicht gezeigten Absaugsystem durch ein Absaugrohr 71 verbunden
ist, wobei die Beschichtungskammerwände 8 an der geerdeten
Elektrode 52 zusammen mit dem Träger 1 entweder direkt
oder über
das Dichtungsmaterial haften. Die Beschichtungskammer 39 weist
eine geerdete Elektrode 52 mit einer Trägerheizung 6 und Beschichtungskammerwände 8 auf, durch
welche sich das Gaszuleitungsrohr 70 und das Absaugrohr 71 öffnen, und
ein Target 53 wird von einer Stützplatte 54 gestützt, und
die Beschichtungskammerwände
sind durch den Isolator 9 isoliert. In dieser Beschichtungskammer 39 wird
durch das Absaugrohr 71 ein Vakuum erzeugt, und Beschichtungsgas
wird durch das Gaszuleitungsrohr 70 zugeführt, während ein
vorbestimmter Beschichtungsdruck aufrechterhalten und Spannung an
das Target 53 angelegt wird, um von der Frontseite des
Targets 53 her Elektrodenschichten auf den fotovoltaischen Umwandlungsschichten
abzuscheiden, die in den Reaktionskammern 31, 32 und 33 gebildet
wurden. Die geerdeten Elektroden 52 werden so bewegt, daß die Träger 1 abheben,
wenn sie in ähnlicher
Weise wie in der oben beschriebenen Ausführungsform bewegt werden.
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In
der in 11 gezeigten Ausführungsform bildet
ein Teil der Wand der kollektiven Vakuumkammer 10 eine
Außenwand 40,
welche den Beschichtungskammern 31, 32, 33 und 34 gemeinsam
ist und von Absaugrohren 71 durchsetzt ist. Die Stützplatte 54,
welche das Target 53 hält,
und die Hochspannungselektroden 51 haben mit ihren Außenseiten
direkte Luftberührung.
Eine Entladung in der Luft tritt jedoch durch die an die Hochspannungselektrode 51 und
die Stützplatte 54 in
diesem Apparat angelegte Spannung nicht ein. Dennoch wird die Hochspannungselektrode 51 mit
einer Abschirmplatte 47 abgedeckt, um die Abstrahlung elektromagnetischer
Wellen zu verhindern. Dieser Apparat erleichtert die Wartung, wie
Reinigung des Innenraums jeder Beschichtungskammer und Ersetzen
der geerdeten Elektrode 52 oder des Targets 53,
indem die Hochspannungselektrode 51 und die Stützplatte 54 so
angeordnet sind, daß sie
leicht abgenommen werden können.
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Die 12(a), (b) und 13(a),
(b) zeigen Beispiele von Mechanismen, welche flexible Träger in einem
Apparat wie oben beschrieben stützen
und transportieren. Die 13(a) (b)
zeigen Querschnitte längs
der Linien A-A in 12. Diese Mechanismen ziehen
die Abdichtungsmaterialien an den Reaktionskammerwänden 8 zurück, wenn
die Träger
transportiert werden. Mit anderen Worten, wenn die Träger transportiert
werden, werden die Transportwalzen in den durch die Pfeile 41 angegebenen
Richtungen bewegt, während
die mit den Abdichtungsmaterialien 81 beschichteten Abdichtungswalzen 82 ebenfalls und
zwar in den in 12(a) durch die Pfeile 43 angegebenen
Richtungen bewegt werden. Wie in den 12(b) und 13(b) gezeigt, ist es so möglich, die von
der geerdeten Elektrode 52 durch Transportöffnungen 83 an
den Ecken der Reaktionskammerwände 8 abgehobene
Träger 1 zu
transportieren. Die Ecken der Reaktionskammerwände 8 sind gebogen, damit
die Dichtungswalzen 82 daran haften können. Während diese Ausführungsform
säulenförmige Dichtungswalzen
verwendet, können
auch Abdichtungselemente verwendet werden, die im Querschnitt ein
rechtwinkliges Dreieck, ein Rechteck oder ein Bogen sind, wenn eine
genügende
Dichtwirkung mit dem flexiblen Träger 1 und der Reaktionskammerwand 8 gewährleistet
ist. Zusätzlich
können
die oben beschriebenen Stütz-
und Transportmechanismen für
den flexiblen Träger
auch bei der in l gezeigten Beschichtungsapparatur
angewandt werden.
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Die
in 5 gezeigte Mehrschicht-Solarzelle wird unter Verwendung
eines Beschichtungsapparates hergestellt, der nicht nur die drei
Reaktionskammern 31, 32 und 33, sondern
auch zwei p-Schicht Beschichtungskammern 31, zwei Pufferschicht-Beschich tungskammern 34,
zwei i-Schicht-Beschichtungskammern 32 und zwei n-Schicht-Beschichtungskammern 33 in
der in 6 gezeigten Anordnung aufweist. In einer Ausführungsform,
welche einen solchen Apparat verwendet, wird eine Gasmischung von
10 % SiH4 und H2 mit
einer Durchflußgeschwindigkeit
von 1000 Scm3/min (Sccm = Standard cm3 Gas, d.h. bei 25°C, 960 mbar), C2H2 mit 5 Scm3/min
und B2H6 mit 1 Scm3/min in eine erste p-Schicht-Beschichtungskammer
eingeleitet, worin sich der flexible Träger 1 befindet, der
auf seiner Oberfläche
eine durchsichtige Elektrodenschicht 29 aufweist, und der
von einer Rolle in der Einladekammer 20 abgewickelt wurde
und jetzt still steht. Es wird nun eine p-Schicht 21 mit
einer Schichtdicke von 10 nm in einer Minute unter einem Druck von
1,33 mbar bei einer Energiedichte von 100 mW/cm2 gebildet. Die
Beschichtungsgeschwindigkeit beträgt also 10 nm/min. Darauf wird
eine Pufferschicht 22 bis zu einer Dicke von 10 nm in 1,3
Minuten unter einem Druck von 1,33 mbar und bei einer Energiedichte
von 100 mW/cm2 abgeschieden, indem man einen
Trägerabschnitt,
der mit der p-Schicht 21 versehen wurden, in eine zweite
Pufferschicht-Beschichtungskammer 34 bewegt, wo eine Gasmischung
von 10 % SiH4 + H2 mit
einer Durchflußgeschwindigkeit
von 1000 Scm3/min und C2H2 mit einer Geschwindigkeit von 5 Scm3/min eingeleitet wird. Die Beschichtungsgeschwindigkeit
beträgt
8 nm/min. Eine i-Schicht 23 wird mit einer Dicke von 60
nm in drei Minuten unter einem Druck von 0,66 mbar bei einer Energiedichte von
100 mW/cm2 gebildet, indem man einen Trägerabschnitt,
auf dem die p-Schicht 21 und die Pufferschicht 22 abgeschieden
wurden, in die erste i-Schicht-Beschichtungskammer 32 bewegt, wo
100 % SiH4-Gas mit einer Geschwindigkeit
von 1000 Scm3/min eingeleitet wird. Die
Schichtbildungsgeschwindigkeit beträgt also 15 nm/min. Danach wird eine
n-Schicht 24 mit einer Dicke von 30 nm in 2,5 Minuten unter
einem Druck von 1,33 mbar und mit einer Energiedichte von 100 mW/cm2 gebildet, indem man den mit der p-Schicht 21,
der Pufferschicht 22 und der i-Schicht 23 versehenen
Trägerabschnitt
in die erste i-Schicht-Beschichtungskammer 32 bewegt, wo ein
Gas von 10 % SiH4 + H2 mit
einer Geschwindigkeit von 1000 Scm3/min
und PH3 mit einer Geschwindigkeit von 4
Scm3/min eingeleitet wird. Die Beschichtungsgeschwindigkeit
beträgt
also 12 nm/min.
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Ähnlich werden
eine auf dem Trager 1, der die vier Schichten 21, 22, 23 und 24 als
eine Bodenstruktur aufweist, eine p-Schicht 25, eine Pufferschicht 26,
eine i-Schicht 27 und eine n-Schicht 28 jeweils
in der zweiten p-Schicht-Beschichtungskammer 31, Pufferschicht-Beschichtungskammer 34, i-Schicht-Beschichtungskammer 32 und n-Schicht-Beschichtungskammer 33 gebildet.
Die Beschichtungsbedingungen sind identisch zu denen der ersten
Beschichtungskammer. Jedoch wird nur die Dicke der i-Schicht 27 auf
300 nm gesteigert, und der Beschichtungsvorgang dauert 20 Minuten.
Daher wird der flexible Träger
20 Minuten angehalten und dann weiterbewegt, so daß neue Beschichtungen
gebildet werden können.
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14 zeigt
die Anordnung der Reaktionskammern in der Beschichtungsapparatur,
welche die für
die Trägerbewegung
erforderlichen Zeitintervalle abkürzt. In diesem Fall kann die
Apparatur kompakter gebaut werden, indem man eine Beschichtungskammer 37 vorsieht,
die sowohl als p-Schicht-Beschichtungskammer als auch als Pufferschicht-Beschichtungskammer
dient, und eine Beschichtungskammer 38 vorsieht, die als
p-Schicht-Beschichtungskammer, Pufferschichtbeschichtungskammer
und n-Schicht-Beschichtungskammer
dient. Da die Beschichtungszeit in der i-Schicht-Beschichtungskammer
länger
ist als die in den anderen Reaktionskammern, können andere Mehrfachschichten
gebildet werden, während
die i-Schicht gebildet wird, was bedeutet, daß die Gesamtzeit zur Bildung
des Mehrschicht-Aufbaus verringert werden kann. Bei der Herstellung
von ähnlichen
Solarzellen wie in der obigen Ausführungsform beträgt die Zeit
zur Bildung von Schichten in der Beschichtungskammer 37 2,3
Minuten ohne Berücksichtigung
der zum Gaswechsel erforderlichen Zeit, und die Zeit in der Beschichtungskammer 38 4,8
Minuten ohne Berücksichtigung
der Gaswechselzeit. Das bedeutet, daß der Beschichtungsvorgang
in 20 Minuten genügend
durchgeführt werden
kann, also während
der Zeit, wo die i-Schicht 27 gebildet werden kann. Es
ist auch zweckmäßig, die
erforderliche Gesamtzeit zu verringern, in dem die Länge der
i-Schicht-Beschichtungskammer gegenüber der der anderen Kammern
um einen Faktor vergrößert wird,
wobei die flexiblen Träger
intermittierend transportiert werden und die i-Schicht-Beschichtung
zwei oder mehrere Male wiederholt wird.
-
Die 15(a) bis (d) zeigt senkrechte Querschnitte
von horizontalen Ansichten einer Beschichtungsapparatur und deren
Arbeitsweise, welche die Anzahl der Beschichtungskammern von fünf in 11 auf
vier und die Zahl der Trägerbewegungen von
fünf auf
drei herabsetzen kann. Diese Apparatur hat bewegliche Beschichtungskammern 61 und 62, eine
i-Schicht-Beschichtungskammer 32 und eine n-Schicht-Beschichtungskammer 33,
die zwischen der Einladekammer 20 und der Ausladekammer 30 angeordnet
sind. Die beweglichen Beschichtungskammern 61 und 62 sind
jedoch vertikal beweglich, und ein flexibler Träger kann nur wechselweise durch die
eine oder andere der Kammern laufen. Um Dünnschicht-Solarzellen wie in 5 gezeigt
unter Verwendung dieser Apparatur herzustellen, wird ein flexibler
Träger 1 von
einer Einladerolle 2 in der Einladekammer 20 abgewickelt
und läuft
durch die bewegliche Beschichtungskammer 61, wo eine p-Schicht 21
und eine Pufferschicht 22 unter den oben beschriebenen
Bedingungen (siehe 15(a)) gebildet werden.
Dann werden die beweglichen Beschichtungskammern 61 und 62 in
der durch Pfeil 44 angegebenen Richtung nach unten bewegt,
so daß die Beschichtungskammern 62 die
Stellung des Trägers 1 erreicht,
und an diesem Punkt wird eine i-Schicht 23 unter den oben
beschriebenen Bedingungen gebildet (siehe 15(b)).
Anschließend
werden die Beschichtungskammern 61 und 62 nach
oben in der durch Pfeil 45 angegebenen Richtung bewegt,
so daß die
Beschichtungskammer 61 zur Stellung des Trägers 1 zurückkehrt,
und in dieser Stellung werden eine n-Schicht 24, eine p-Schicht 25 und
eine Pufferschicht 26 unter den oben beschriebenen Bedingungen
abgeschieden (siehe 15(c)). Nach diesen Arbeitsgängen wird
der Träger 1 weiterbewegt
in Richtung des Pfeils 46, um in der i-Schicht-Beschichtungskammer 32 eine
i-Schicht 27 zu bilden, und der Träger 1 wird dann weiterbewegt,
um in der n-Schicht-Beschichtungskammer 33 eine n-Schicht 28 zu
bilden (siehe 15(d)). Die Abschluß-i-Schicht 27 hat
eine Dicke von 300 nm, und benötigt
20 Minuten zu ihrer Bildung, während
welcher Zeit die Schichten 21, 22, 24, 25 und 26 in
der Beschichtungskammer 61 und die i-Schicht 23 in
der Beschichtungskammer 62 in einer Gesamtzeit von 10,1
Minuten gebildet werden können.
In der beweglichen Beschichtungskammer 62 besteht keine
Gefahr, daß Verunreinigungen
in die i-Schicht geraten, da in dieser besonderen Kammer nur die
i-Schicht gebildet wird. Außerdem,
da Schichten, die in der beweglichen Beschichtungskammer 61 gebildet
werden, zum Schluß immer
eine Pufferschicht bilden, welche eine Intrinsic-Schicht ist, wird
die Wirkung von n-Verunreinigungen von den Wänden und Elektroden in der
Kammer verringert, wenn im nächsten
Beschichtungszyklus eine p-Schicht gebildet wird. Da der luftdichte
Abschluß in
den Beschichtungskammern 61 und 62 sich verschlechtern
könnte,
wenn sich die Kammern bewegen, was den Zutritt von Luft zur Folge
hätte,
werden die Einladekammer 20, die Beschichtungskammern 61, 62, 32, 33 und
die Ausladekammer 30 in einer nicht gezeigten kollektiven Vakuumkammer 10 untergebracht.
-
16 zeigt
Beispiele der in dem obigen Herstellungsverfahren und in der Apparatur
benutzten flexiblen Träger,
und zwar 16(a) einen Träger, der
mit einer durchsichtigen leitenden Schicht 12 auf einem
Kunstharzfilm 11 versehen ist. Als Materialien können für den durchsichtigen
Kunstharzfilm 11 unter anderem Polyethylen-naphthalat,
Polyethylen-terephthalat, Polyethylen-sulfid und Polyvinyl-fluorat
verwendet werden. Als Materialien für die leitende Schicht 12 können unter
anderem ITO, Zinnoxid und Zinkoxid dienen. Licht kann bei diesem
Aufbau von der Trägerseite
eintreten. 16(b) zeigt ein Beispiel
des Trägers
mit einer auf einem Kunstharzfilm 13 angeordneten leitenden
Schicht 14. Die Verwendung dieses Trägers erfordert eine Anordnung, wo
Licht von der a-Si-System-Schichtseite eintritt, gestattet jedoch
auch eine größere Freiheit
bei der Auswahl an Materialien, ohne die Durchlässigkeit des Kunstharzfilms 13 und
der leitenden Schicht 14 zu berücksichtigen. Beispielsweise
kann die Verwendung eines Materials auf Polyimid-Basis für den Kunstharzfilm 13 die
Wärmebeständigkeit
verbessern und die Beschichtungsqualität in der auf a-Si beruhenden
Beschichtung verbessern, da die Temperaturen während des Beschichtungsvorgangs
erhöht werden
können.
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16(c) zeigt ein Beispiel einer als Träger verwendeten
Metallfolie 15. Dieser Träger 15 kann in Folienform
gebrachter rostfreier Stahl, Aluminium oder Kupfer sein und kann
benutzt werden, um Elektroden mit hoher Leitfähigkeit herzustellen.
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Außerdem können die
Wärmebeständigkeit und
Beständigkeit
gegen Umgebungseinflüsse
verbessert werden. 16(d) zeigt
ein Beispiel des Trägers
mit einer Isolatorschicht 16, sowie der Leiterschicht 14 auf
der Metallfolie 15. Obgleich kein Reihenaufbau auf einem
Träger
möglich
ist, wenn der in 16(c) verwendete
Träger
verwendet wird, kann das mit dem in 16(d) gezeigten
Träger
erfolgen, wenn eine Isolatorschicht auf dem Träger angebracht ist. Zur Herstellung
der Isolatorschicht können
Siliciumoxid und andere Materialien dienen. Man kann selbstverständlich auch
einen Reihenaufbau mit Trägern
der in 16(a) und (b) gezeigten
Art herstellen, wenn ein hochisolierendes Kunstharz verwendet wird.
Außerdem,
da die Ausbildung der durchsichtigen leitenden Schicht 12,
der leitenden Schicht 14 und der Isolationsschicht 16 weniger
Zeit erfordert als die Bildung dünner
Schichten aus Materialien auf a-Si-Basis, ist es vorteilhafter,
eine von der oben beschriebenen Beschichtungsapparatur getrennte
Apparatur zu verwenden.
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Das
Herstellungsverfahren oder die Herstellungsapparatur nach der Erfindung
können
nicht nur zur Herstellung einer Dünnschicht-Solarzelle verwendet
werden, wobei Licht von der Seite des flexiblen Trägers 1 zugelassen
wird, wie in 5 gezeigt, sondern auch zur
Herstellung einer mehrschichtigen dünnschichtigen Solarzelle, in
welcher jede Schicht in umgekehrter Reihenfolge wie in 5 gezeigt
auf den flexiblen Träger 1 aufgebracht
ist, dessen Oberfläche
mit einer Metallelektroden-Schicht 29 bedeckt ist, wie
in 17 gezeigt.
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Erfindungsgemäß wird jede
Schicht in einer Beschichtungskammer auf dem unbeweglich gehaltenen
flexiblen Träger
gebildet, an dem eine Wand vermittels des Dichtungsmaterial haftet,
und der Träger
wird dann in die folgenden Beschichtungspositionen bewegt, um die
Schichten zu bilden, die für
einen Mehrschichtaufbau erforderlich sind.
-
Dieses
Verfahren hat die folgenden Wirkungen und Vorteile: Die Luftdichtheit
in jeder Beschichtungskammer wird verbessert, und ein Eindringen von
Reaktionsgas in die Kammer von anderen Beschichtungskammern kann
verhindert werden; jede Beschichtungskammer kann mit gewünschten
Größen konstruiert
werden und Bedingungen wie Druck und Beschichtungszeit können unabhängig entsprechend
jeder Beschichtungskammer gewählt
werden. Indem man den Träger
von einem Berührungsteil
anhebt, wird eine Beschädigung
von Träger
und Beschichtungen verhindert; indem man eine Beschichtungskammer
vorsieht, in der mehrere Schichten abgeschieden werden können, oder
indem man eine Beschichtungskammer anordnet, welche in eine Träger-Transportlinie
beweglich ist, können
die Größe der Apparatur
und die Beschichtungszeit verringert werden, welche zur Herstellung
eines Mehrschichtaufbaus erforderlich sind. Weiterhin kann, indem
man den Träger
vertikal anordnet, die Einwirkung von Staub von den Wandflächen der
Beschichtungskammern verringert werden. Als Ergebnis kann eine als
dünne Schicht
ausgebildete fotovoltaische Umwandlungsvorrichtung mit einem Mehrschichtaufbau
und hohem Umwandlungswirkungsgrad auf einem flexiblen Träger mit
hoher Produktivität
hergestellt werden.
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- 1
- flexibler
Träger
- 2
- Einladerolle
- 3
- Ausladerolle
- 4
- Transportwalze
- 5
- Plasma
- 51
- Hochspannungs-Elektrode
- 52
- geerdete
Elektrode
- 53
- Target
- 54
- Stützplatte
- 6
- Trägerheizung
- 60
- Heizwalze
- 7
- Absaugsystem
- 70
- Gaszuleitungsrohr
- 71
- Absaugrohr
- 8
- Reaktionskammerwand
- 81
- Abdichtungsmaterial
- 82
- Abdichtungswalze
- 83
- Transportöffnung
- 10
- Kollektive
Vakuumkammer
- 11
- durchsichtiger
Kunstharzfilm
- 12
- durchsichtiger
leitender Film
- 13
- Kunstharzfilm
- 14
- leitende
Schicht
- 15
- Metallfolie
- 16
- Isolatorschicht
- 20
- Einladekammer
- 21
- p-Schicht
- 22
- Pufferschicht
- 23
- i-Schicht
- 24
- n-Schicht
- 25
- p-Schicht
- 26
- Pufferschicht
- 27
- i-Schicht
- 28
- n-Schicht
- 29
- Elektrodenschicht
- 30
- Ausladekammer
- 31
- p-Schicht-Bildungskammer
- 32
- i-Schicht-Bildungskammer
- 33
- n-Schicht-Bildungskammer
- 34
- Pufferschicht-Bildungskammer
- 35
- Vorkammer
- 36
- Durchlaß
- 39
- Elektroden-Schicht-Bildungskammer
- 61,
62
- Bewegliche
Schicht-Bildungskammer
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1:
Ein horizontaler Querschnitt einer Beschichtungsvorrichtung gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung.
-
2:
Ein Querschnitt einer üblichen
Beschichtungsvorrichtung.
-
3:
Ein Querschnitt einer Bedampfungsvorrichtung zur Erzeugung üblicher
Elektrodenschichten.
-
4:
Ein Querschnitt einer anderen bekannten Beschichtungsvorrichtung.
-
5:
Ein Querschnitt des Aufbaus einer erfindungsgemäß hergestellten Mehrschicht-Solarzelle.
-
6:
Eine Konfiguration einer üblichen
Beschichtungsvorrichtung, die zur Herstellung der Solarzelle in 5 verwendet
wird.
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7:
Ein Träger-Stütz- und
-Transportmechanismus in einer Ausführungsform der Erfindung: (a)
horizontaler Querschnitt während
des Beschichtungsvorgangs und (b) ein horizontaler Querschnitt während des
Transportes des Trägers.
-
8:
Ein Träger-Stütz- und
-Transportmechanismus einer anderen Ausführungsform der Erfindung: (a)
ein horizontaler Querschnitt während
der Beschichtung und (b) ein horizontaler Querschnitt während des
Trägertransportes.
-
9:
Ein horizontaler Querschnitt einer Beschichtungsvorrichtung gemäß einer
anderen Auführungsform
der Erfindung.
-
10:
Ein horizontaler Querschnitt einer Beschichtungsvorrichtung nach
einer anderen Ausführungsform
der Erfindung.
-
11:
Ein horizontaler Querschnitt einer Beschichtungsvorrichtung nach
einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung.
-
12:
Ein Halte- und Transportmechanismus für den Träger in einer Beschichtungsvorrichtung
in 9: (a) ist ein horizontaler Querschnitt während der
Beschichtung und (b) ist ein horizontaler Querschnitt während des
Transportes des Trägers.
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13:
Ein Schnitt längs
der Linie A-A in den 12(a) und (b)
als 13(a) und (b).
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14:
Ein Konfigurationsdiagramm einer Beschichtungsvorrichtung in einer
Ausführungsform der
Erfindung zur Herstellung der in 5 gezeigten Solarzellen.
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15:
Ein vertikaler Querschnitt einer Beschichtungsvorrich tung, wobei
deren Arbeitsweise in einer folge von (a) bis (d) gezeigt ist, gemäß einer weiteren
Ausführungsform
der Erfindung.
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16:
Querschnitte flexibler Träger
verschiedener Art, die für
Ausführungsformen
der Erfindung verwendet werden, als 16(a),
(b), (c) und (d).
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17:
Ein Querschnitt einer Mehrschicht-Solarzelle, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellt wurde.