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DE4340593A1 - LCD using electro-optic bistable effect of nematic liquid crystal - has insulating film between substrate and alignment film and switching device to charge optical axis of liquid crystal - Google Patents

LCD using electro-optic bistable effect of nematic liquid crystal - has insulating film between substrate and alignment film and switching device to charge optical axis of liquid crystal

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DE4340593A1
DE4340593A1 DE19934340593 DE4340593A DE4340593A1 DE 4340593 A1 DE4340593 A1 DE 4340593A1 DE 19934340593 DE19934340593 DE 19934340593 DE 4340593 A DE4340593 A DE 4340593A DE 4340593 A1 DE4340593 A1 DE 4340593A1
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DE
Germany
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liquid crystal
insulating film
film
alignment
thickness
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DE19934340593
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German (de)
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DE4340593C2 (en
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Miho Tsutsumi
Kazuhiko Tsuda
Shuichi Kozaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of DE4340593C2 publication Critical patent/DE4340593C2/en
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Abstract

In the liquid crystal display a pair of substrates, (1a,1b) on which transparent electrodes (2a,2b) are formed, are aligned to be approximately parallel to each other. A pair of alignment films (4a,4b), on which the transparent electrodes are respectively formed, and a nematic liquid crystal (6) between the pair of substrates form a liquid crystal cell. A switching device is attached to switch the optical axis of the liquid crystal by selectively applying a voltage to the electrodes. There is an insulating film (3a,3b) between the substrate and the alignment film. USE/ADVANTAGE - Displays for watches, scientific calculators, wordprocessors, PCs, and TVs. Can be reliably switched from one bistable state to other over large display surface.

Description

Die Erfindung betrifft ein Flüssigkristalldisplay, das den elektrooptisch bistabilen Effekt eines nematischen Flüssig­ kristalls verwendet.The invention relates to a liquid crystal display, the electro-optically bistable effect of a nematic liquid crystals used.

Zu bisherigen Anzeigeverfahren unter Verwendung eines Flüs­ sigkristalls gehören das Verfahren mit dynamischer Streuung (DS) zum Umsetzen eines an einen Flüssigkristall gelegten elektrischen Signals in optische Daten, das Verfahren mit elektrisch gesteuerter Doppelbrechung (ECB = Electrically Controlled Birefrigence), das Phasenänderungs(PC = Phase Change)-Verfahren, das Speichermusterverfahren, das Gast- Wirt(GH = Guest-Host)-Verfahren und das Verfahren mit einem oberflächenstabilisierten Ferroelektrikum (SSF = Surface Stabilized Ferroelectric). To previous display methods using a river sigcrystals belong to the method with dynamic scattering (DS) for converting one placed on a liquid crystal electrical signal into optical data, the process with electrically controlled birefringence (ECB = Electrically Controlled Birefrigence), the phase change (PC = phase Change) process, the storage pattern process, the guest Host (GH = guest-host) method and the method with one surface stabilized ferroelectric (SSF = Surface Stabilized Ferroelectric).  

Unter den Verfahren, die für Anzeigevorrichtungen in Erzeug­ nissen wie Uhren, wissenschaftlichen Taschenrechnern, Wort­ prozessoren, PCs und Fernsehgeräten verwendet werden, sind vor allem das Verfahren mit verdrillt nematischem Flüssig­ kristall (TN = Twisted Nematic) und das Verfahren mit super­ verdrilltem nematischem Flüssigkristall (STN = Supertwisted Nematic), das eine Verbesserung des TN-Verfahrens ist, von Bedeutung.Among the methods used for displays in products nissen like clocks, scientific calculators, word processors, PCs and televisions are used especially the twisted nematic liquid process crystal (TN = Twisted Nematic) and the process with super twisted nematic liquid crystal (STN = Supertwisted Nematic), which is an improvement on the TN process, by Importance.

Diese Verfahren nutzen alle einfachstabile Flüssigkristalle, wobei dieselben einer solchen Orientierungsbehandlung unter­ zogen werden, daß die Flüssigkristallmoleküle parallel zum Substrat in einer Richtung ausgerichtet sind. Es existiert bereits eine Patentanmeldung für Flüssigkristalldisplays mit einer Isolierschicht zwischen dem Glassubstrat und der Aus­ richtungsbehandlungsschicht (s. Veröffentlichung Nr. 51 (1976)-124941 zu einer japanischen Patentanmeldung). Ferner existiert eine Patentanmeldung in bezug auf ein Verfahren, bei dem als Teil einer Ausrichtungsbehandlung Schrägabschei­ dung aus der Dampfphase erfolgt oder ein isolierender, anor­ ganischer Dünnfilm auf ein Substrat mit einer Elektrode auf­ getragen wird (s. Veröffentlichung Nr. 57 (1982)-112714 zu einer japanischen Patentanmeldung).These processes all use single-stable liquid crystals, the same under such an orientation treatment be pulled that the liquid crystal molecules parallel to Substrate are aligned in one direction. It exists already have a patent application for liquid crystal displays an insulating layer between the glass substrate and the Aus directional treatment layer (see publication no. 51 (1976) -124941 to a Japanese patent application). Further there is a patent application related to a method in which, as part of an alignment treatment, oblique separation vapor phase or an insulating, anor ganic thin film on a substrate with an electrode is worn (see publication no. 57 (1982) -112714 a Japanese patent application).

Als bistabile Flüssigkristalldisplays, die einen nematischen Flüssigkristall benutzen, wie dies bei der Erfindung ge­ schieht, hat G. Durand zwei verschiedene Arten vorgeschla­ gen.As bistable liquid crystal displays that have a nematic Use liquid crystal as ge in the invention G. Durand has proposed two different types gene.

Die eine dieser Arten verwendet ein chirales Ion zum Erzeu­ gen einer Verdrehungskraft (Veröffentlichung WO-91/11747 zu einer internationalen Patentanmeldung). Bei einer solchen Vorrichtung werden sowohl rechts- als auch linksdrehende chirale Ionen mit einem Flüssigkristall vermischt, um eine Abweichung der Ionenverteilung durch eine Spannung zu bewir­ ken, um dadurch eine Verdrehkraft hervorzurufen. Bei einem solchen Verfahren ermöglicht es das Anlegen eines impulsför­ migen elektrischen Feldes, wie dies aus einem Flüssigkri­ stalldisplay mit oberflächenstabilisiertem Ferroelektrikum (SSFLCD) erkennbar ist, die Flüssigkristallmoleküle in eine Lage parallel zur Substratfläche umzuschalten. Jedoch hat dieses Verfahren einen wesentlichen Nachteil hinsichtlich seiner Zuverlässigkeit, da es nicht reine Ionen zum Betrei­ ben der Vorrichtung verwendet.One of these types uses a chiral ion to generate against a twisting force (publication WO-91/11747 an international patent application). With one Device will be both clockwise and counterclockwise chiral ions mixed with a liquid crystal to form a Deviation of the ion distribution caused by a voltage  to cause a twisting force. At a Such procedures allow the creation of an impulsive moderate electric field, like this from a liquid crystal stall display with surface stabilized ferroelectric (SSFLCD) recognizes the liquid crystal molecules in one Switch position parallel to the substrate surface. However this process has a major disadvantage its reliability since it does not contain pure ions ben used the device.

Die andere Art Flüssigkristalldisplay verwendet eine Verbie­ gungspolarisation als antreibende Drehkraft. Als Ausrich­ tungsfilm wird ein durch Schrägaufdampfung aus der Dampf­ phase hergestellter SiO-Film verwendet. Diese Vorrichtung nutzt die Tatsache, daß es eine geeignete Auswahl der Film­ herstellbedingungen erlaubt, daß der nematische Flüssigkri­ stall eine stabile Ausrichtung in zwei Richtungen zeigt (Veröffentlichung WO-92/00546 zu einer internationalen Pa­ tentanmeldung). Es wird angenommen, daß dort hohe Zuverläs­ sigkeit ohne die Schwierigkeit von Verunreinigungen erwartet werden kann, da die aus einer Ausrichtungsverzerrung herrüh­ rende Verbiegungspolarisation als antreibende Verdrehkraft verwendet wird. Bei diesem Verfahren erlaubt es das Anlegen eines impulsförmigen elektrischen Feldes, wie dies auch beim SSFLCD erkennbar ist, das Umschalten der Flüssigkristall­ moleküle in eine Richtung parallel zur Oberfläche des Sub­ strats. Die Ansprechzeit beträgt ungefähr 100 µsec. Da der Flüssigkristall in eine Richtung parallel zur Substratfläche umgeschaltet wird, kann keine Abhängigkeit des Betrachtungs­ winkels erkannt werden. Daneben besteht bei dieser Vorrich­ tung kein Ausrichtungsproblem wie bei einem SSFLCD, da diese Art von Flüssigkristalldisplay einen nematischen Flüssigkri­ stall verwendet, und es ist ein ausreichend großer Bereich der Betriebstemperatur möglich. Das erfindungsgemäße Flüs­ sigkristalldisplay gehört zum letzteren Typ. The other type of liquid crystal display uses a Verbie polarization as driving torque. As an alignment The film becomes an oblique vapor deposition phase produced SiO film used. This device takes advantage of the fact that there is an appropriate selection of film Manufacturing conditions allowed that the nematic liquid crystal stall shows a stable orientation in two directions (Publication WO-92/00546 on an international Pa registration). It is believed that there is high reliability expected without the difficulty of contamination can be because it results from an alignment distortion bending polarization as driving torsional force is used. With this method, it allows creation of a pulsed electrical field, as is the case with SSFLCD can be seen switching the liquid crystal molecules in a direction parallel to the surface of the sub strats. The response time is approximately 100 µsec. Since the Liquid crystal in a direction parallel to the substrate surface is switched, there can be no dependency on the consideration angle can be recognized. There is also this device no alignment problem as with an SSFLCD, since this Kind of liquid crystal display a nematic liquid crystal stall used, and it is a sufficiently large area the operating temperature possible. The river according to the invention Sig crystal display belongs to the latter type.  

Fig. 3 zeigt den Aufbau eines nematischen, bistabilen Dis­ plays auf Grundlage der Verbiegungspolarisation, wie sie von G. Durand berichtet wurde (s. SID-Dokumente, S. 606-607, Appl. Phys. Lett. 60 (9), 2. März 1992, S. 1085-1086). In Fig. 3 sind Glassubstrate 1a, eine Flüssigkristallschicht 6, transparente Elektroden 2a, 2b, SiO-Ausrichtungsfilme 4a, 4b sowie Abstandshalter 5a, 5b dargestellt. Der Dampfabschei­ dungswinkel für den SiO-Ausrichtungsfilm ist auf ungefähr 74° gegen die Normale auf dem Substrat ausgerichtet, wobei die Dicke des Films ungefähr 3 nm beträgt und der Durchmes­ ser der Abstandshalter ungefähr 1 bis 3 µm ist. Unter diesen Umständen sind die Flüssigkristallmoleküle, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist, um den Winkel R° gegen die Substratfläche geneigt. Darüber hinaus ist die auf die Substratfläche pro­ jizierte Richtung um α° bis -α° verdrillt, um Richtungen A und B zu erzeugen, in denen die Flüssigkristallmoleküle einen bistabilen Zustand zeigen. Darüber hinaus zeigen die Flüssigkristallmoleküle dann, wenn die Dicke der Zelle aus­ reichend auf 1 bis 3 µm verringert wird, einen stabilen Zu­ stand in der Richtung rechtwinklig zur Dampfabscheidungs­ richtung des SiO und in der Richtung C parallel zur Sub­ stratfläche auf. Fig. 3 shows the structure of a nematic, bistable Dis plays based on the Verbiegungspolarisation, as reported by Durand G. (s. SID documents, pp 606-607, Appl. Phys. Lett. 60 (9), 2 March 1992, pp. 1085-1086). In Fig. 3 glass substrates 1 a, a liquid crystal layer 6 , transparent electrodes 2 a, 2 b, SiO alignment films 4 a, 4 b and spacers 5 a, 5 b are shown. The vapor deposition angle for the SiO alignment film is oriented at approximately 74 ° to normal on the substrate, the thickness of the film is approximately 3 nm and the diameter of the spacers is approximately 1 to 3 µm. Under these circumstances, as shown in Fig. 4, the liquid crystal molecules are inclined by the angle R ° against the substrate surface. In addition, the direction projected onto the substrate surface is twisted by α ° to -α ° to produce directions A and B in which the liquid crystal molecules show a bistable state. In addition, when the thickness of the cell is sufficiently reduced to 1 to 3 μm, the liquid crystal molecules show a stable state in the direction perpendicular to the vapor deposition direction of the SiO and in the direction C parallel to the substrate surface.

Fig. 4 zeigt die SiO-Dampfabscheidungsrichtung und die Rich­ tung, in der die Flüssigkristallmolekül-Ausrichtung stabil sein kann. Die Ausrichtungsbehandlungsrichtungen für das obere und untere Substrat werden so bestimmt, daß die Dampf­ abscheidungsrichtung für das SiO um 45° gegen die antiparal­ lele Richtung verdreht wird. Es wird ein Flüssigkristall­ material verwendet, das so mit einem chiralen Material do­ tiert ist, daß es zwischen dem oberen und unteren Substrat eine Verdrillung von 22,5° hervorruft. Übrigens ist die Ver­ drillrichtung der Flüssigkristallmoleküle so eingestellt, daß sie der Verdrillrichtung gemäß der SiO-Dampfabscheidung zwischen dem oberen und unteren Substrat entgegengesetzt ist. Fig. 4 shows the SiO vapor deposition direction and the direction in which the liquid crystal molecule orientation can be stable. The alignment treatment directions for the upper and lower substrates are determined so that the vapor deposition direction for the SiO is rotated by 45 ° against the antiparallel direction. A liquid crystal material is used which is doped with a chiral material so that it causes a twist of 22.5 ° between the upper and lower substrates. Incidentally, the drilling direction of the liquid crystal molecules is set so that it is opposite to the twisting direction according to the SiO vapor deposition between the upper and lower substrates.

In den Zeichnungen bezeichnet der gestrichelte Pfeil die SiO-Dampfabscheidungsrichtung. Bezugsziffern (1) bis (3) sowie (1)′ bis (3)′ bezeichnen Richtungen stabiler Ausrich­ tung, die die Flüssigkristallmoleküle an jeder Substratflä­ che einnehmen können. Auf diese Weise ist die Struktur des Flüssigkristalldisplays dadurch bedingt, daß die SiO-Dampf­ abscheidung um 45° gegen die antiparallele Ausrichtung ver­ dreht wird. Daher ist dann, wenn ein Flüssigkristallmaterial mit den obigen Bedingungen in eine Zelle eingebracht wird, die Orientierung, die im stabilen Zustand möglich ist, durch die Wirkung des chiralen Materials begrenzt. Die Flüssigkri­ stallmoleküle können in Kombinationen stabil sein, wie sie mit (2) bis (3)′ sowie (3) bis (1)′ dargestellt sind.In the drawings, the dashed arrow indicates the SiO vapor deposition direction. Reference numerals ( 1 ) to ( 3 ) and ( 1 ) 'to ( 3 )' denote directions of stable alignment that the liquid crystal molecules can occupy on any substrate surface. In this way, the structure of the liquid crystal display is due to the fact that the SiO vapor deposition is rotated by 45 ° against the antiparallel orientation. Therefore, when a liquid crystal material having the above conditions is introduced into a cell, the orientation which is possible in the stable state is limited by the action of the chiral material. The liquid crystal molecules can be stable in combinations, as shown with ( 2 ) to ( 3 ) 'and ( 3 ) to ( 1 )'.

Fig. 5 ist ein Querschnitt durch eine Zelle. Das Symbol a entspricht der Ausrichtung (2) bis (3)′, während das Symbol b der Ausrichtung (3) bis (1)′ entspricht. Wenn ein Flüssig­ kristallmolekül Keilform aufweist, erzeugt die Ausrichtungs­ verzerrung auf dem aufgesprühten Material eine Verbiegungs­ polarisation. Der Pfeil in Fig. 6 bezeichnet die Richtung der Verbiegungspolarisation. Hierbei sind die vertikalen Komponenten der mit a und b bezeichneten Verbiegungspolari­ sationen in zueinander entgegengesetzten Richtungen ausge­ richtet. Dadurch ist es möglich, den bistabilen Zustand da­ durch zu ändern, daß die vertikale Komponente der Verbie­ gungspolarisation durch Anlegen eines impulsförmigen elek­ trischen Feldes umgekehrt wird. Figure 5 is a cross section through a cell. The symbol a corresponds to the orientation ( 2 ) to ( 3 ) ', while the symbol b corresponds to the orientation ( 3 ) to ( 1 )'. If a liquid crystal molecule is wedge-shaped, the alignment distortion on the sprayed material creates a bending polarization. The arrow in Fig. 6 indicates the direction of bending polarization. Here, the vertical components of the bending polarities designated with a and b are aligned in mutually opposite directions. This makes it possible to change the bistable state by the fact that the vertical component of the supply polarization is reversed by applying a pulse-shaped electrical field.

Wenn jedoch der SiO-Ausrichtungsfilm direkt auf dem Substrat ausgebildet wird, wie dies beim obigen Verfahren der Fall ist, unterscheiden sich die Orientierungsrichtungen für den bistabilen Zustand auf der Glasoberfläche und der durchsich­ tigen Elektrode aufgrund der Stufe zwischen der Glasober­ fläche des Substrats und der darauf ausgebildeten durchsich­ tigen Elektrode voneinander. Darüber hinaus wird die bista­ bile Ausrichtung von der Glasoberfläche oder der durchsich­ tigen Elektrode beeinflußt, da die Dicke des SiO-Ausrich­ tungsfilms gering ist. Außerdem ist der Zustand stabiler Ausrichtung in einen der folgenden stabilen Zustände abgeän­ dert: einen Ausrichtungszustand I vor dem Anlegen eines elektrischen Feldes oder einen Ausrichtungszustand II nach dem Anlegen des elektrischen Feldes, bei dem das elektrische Feld verstärkt wird. So kann kein bistabiles Umschalten er­ zielt werden. Der Bericht von G. Durand beschreibt, daß Um­ schalten in einer Flüssigkristalldomäne mit einer Größe von 1 mm realisiert wurde. Kein bistabiles Umschalten wird über die gesamte Fläche des Anzeigeschirms erzielt. Demgemäß ist es sehr schwierig, einen gleichmäßigen Ausrichtungszustand über einen großen Teil einer Fläche zu erzielen. Außerdem führt das Anlegen eines elektrischen Feldes zu Kurzschlüssen zwischen dem oberen und unteren Substrat, da die Dicke der Flüssigkristalle mit 1,5 µm bis 3,0 µm sehr gering ist.However, if the SiO alignment film is directly on the substrate is formed, as is the case with the above method the directions of orientation for the bistable condition on the glass surface and the transparent  term electrode due to the step between the glass top surface of the substrate and the formed through it term electrode from each other. In addition, the bista bile alignment from the glass surface or the see through term electrode, because the thickness of the SiO alignment tion film is low. The condition is also more stable Alignment changed to one of the following stable states changed: an alignment state I before creating one electric field or an alignment state II after the application of the electrical field in which the electrical Field is strengthened. So no bistable switching he can aims to be. G. Durand's report describes that Um switch in a liquid crystal domain with a size of 1 mm was realized. No bistable switching is over the entire area of the display screen is achieved. Accordingly it is very difficult to get a steady alignment state to achieve over a large part of an area. Furthermore the application of an electric field leads to short circuits between the top and bottom substrates because the thickness of the Liquid crystals with 1.5 µm to 3.0 µm is very small.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein bistabiles Flüssigkristalldisplay anzugeben, das über große Anzeigeflä­ chen zuverlässig vom einen bistabilen Zustand in den anderen umgeschaltet werden kann.The invention has for its object a bistable To specify liquid crystal display that over large display area Chen reliably from one bistable state to another can be switched.

Das erfindungsgemäße Flüssigkristalldisplay ist durch die Lehre des beigefügten Anspruchs 1 gegeben. Dieses Display weist u. a. einen Isolierfilm zwischen dem Substrat und dem Ausrichtungsfilm auf.The liquid crystal display according to the invention is characterized by the Teaching of appended claim 1 given. This display points u. a. an insulating film between the substrate and the Alignment film on.

Vorzugsweise wird der Isolierfilm bei einem solchen Flüssig­ kristalldisplay einer Ausrichtungsbehandlung unterzogen.The insulating film is preferably used in such a liquid undergo alignment treatment.

Außerdem liegt die Dicke des Isolierfilms vorzugsweise im Bereich von 0,01 bis 1 µm oder beim 0,5- bis 3,0fachen der Dicke der Elektrode.In addition, the thickness of the insulating film is preferably in  Range from 0.01 to 1 µm or 0.5 to 3.0 times the Electrode thickness.

Auch ist es bevorzugt, den Isolierfilm entweder aus einem anorganischen Dünnfilm, der materialmäßig aus der aus SiO2, SiNx, Al2O3 bestehenden Gruppe ausgewählt ist, oder aus einem organischen Dünnfilm herzustellen, der materialmäßig aus der ein Polyimid, einen Photoresistharz oder einen poly­ meren Flüssigkristall enthaltenden Gruppe ausgewählt ist.It is also preferred to produce the insulating film either from an inorganic thin film, which is selected from the group consisting of SiO 2 , SiN x , Al 2 O 3 , or from an organic thin film, which is made from a polyimide, a photoresist resin or a group containing polymeric liquid crystal is selected.

Die Erfindung wird im folgenden in Verbindung mit den beige­ fügten Zeichnungen beschrieben, in denen:The invention is hereinafter in connection with the beige added drawings in which:

Fig. 1 ein schematischer Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Flüssigkristalldisplay ist; Fig. 1 is a schematic section through a liquid crystal display according to the invention;

Fig. 2 eine schematische Darstellung für den Zusammenhang zwischen der Dampfabscheidungsrichtung und der Ausrichtung von Flüssigkristallmolekülen ist; Fig. 2 is a schematic illustration of the relationship between the vapor deposition direction and the alignment of liquid crystal molecules;

Fig. 3 ein schematischer Querschnitt durch ein herkömmliches Flüssigkristalldisplay ist; Fig. 3 is a schematic cross section through a conventional liquid crystal display;

Fig. 4 eine allgemeine Darstellung zum Veranschaulichen des bistabilen Zustands eines Flüssigkristalls ist; Fig. 4 is a general diagram for illustrating the bistable state of a liquid crystal;

Fig. 5 eine Darstellung zum Veranschaulichen der Beziehung zwischen der Dampfabscheidungsrichtung und der Ausrichtung von Flüssigkristallmolekülen ist; und Fig. 5 is a diagram illustrating the relationship between the vapor deposition direction and the alignment of liquid crystal molecules; and

Fig. 6 eine Darstellung zum Veranschaulichen der Ausrichtung von Flüssigkristallen über den Querschnitt einer Flüssig­ kristallzelle ist. Fig. 6 is a diagram illustrating the alignment of liquid crystals across the cross section of a liquid crystal cell.

Die Erfindung schafft ein Flüssigkristalldisplay unter Ver­ wendung eines nematischen Flüssigkristalls mit gleichmäßigem bistabilem Zustand über die gesamte Anzeigefläche sowohl in einem ersten Ausrichtungszustand vor dem Anlegen eines elek­ trischen Feldes als auch in einem zweiten Ausrichtungszu­ stand nach dem Anlegen des elektrischen Feldes, wobei das­ selbe abgetrennt wird.The invention provides a liquid crystal display under Ver  application of a nematic liquid crystal with uniform bistable condition over the entire display area both in a first alignment state before creating an elec tric field as well as in a second alignment stood after applying the electric field, which is same is separated.

Bei der Erfindung wird ein lichtdurchlässiges, isolierendes Substrat, z. B. Glas, verwendet. Auf diesem isolierenden Substrat wird eine durchsichtige Elektrode mit einem vorge­ gebenen Muster aus einem elektrisch leitenden Dünnfilm wie einem solchen aus InO3, SnO2 oder Indium-Zinn-Oxid (ITO = Indium Tin Oxide) ausgebildet.In the invention, a translucent, insulating substrate, e.g. B. glass used. On this insulating substrate, a transparent electrode with a predetermined pattern of an electrically conductive thin film such as that of InO 3 , SnO 2 or indium tin oxide (ITO = indium tin oxide) is formed.

Auf dieser durchsichtigen Elektrode wird ein Isolierfilm ausgebildet. Als Isolierfilmmaterial kann ein anorganisches Material wie SiO2, SiNx oder Al2O3 verwendet werden oder ein organisches Material wie Polyimid, ein Photoresistharz oder ein polymerer Flüssigkristall. Wenn der Isolierfilm aus einem anorganischen Material hergestellt wird, kann er durch Dampfabscheidung, Sputtern, chemische Abscheidung aus der Dampfphase (CVD) oder Lösungsbeschichtung ausgebildet wer­ den. Insbesondere wird der Isolierfilm am besten durch Elek­ tronenstrahl(EB = Electron Beam)-Dampfabscheidung ausgebil­ det. Wenn für den Isolierfilm ein organisches Material ver­ wendet wird, wird z. B. eine Lösung verwendet, in der ein organisches Material oder ein Vorläufer desselben gelöst ist, um den vorstehend genannten Dünnfilm durch ein Verfah­ ren wie das Schleuderbeschichtungsverfahren, das Tauchbe­ schichtungsverfahren, das Siebdruckverfahren, das Walzbe­ schichtungsverfahren oder ein Verfahren aufzubringen, bei dem das Material unter vorgegebenen Aushärtbedingungen (wie der Anwendung von Wärme- oder Lichtstrahlung) gehärtet wird, um den Isolierfilm auszubilden. Ferner ist es möglich, Ver­ fahren wie Abscheidung aus der Dampfphase, Sputtern, CVD oder das Langmuir-Blodgett (LB)-Verfahren anzuwenden.An insulating film is formed on this transparent electrode. An inorganic material such as SiO 2 , SiN x or Al 2 O 3 or an organic material such as polyimide, a photoresist resin or a polymeric liquid crystal can be used as the insulating film material. If the insulating film is made of an inorganic material, it can be formed by vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition (CVD) or solution coating. In particular, the insulating film is best formed by electron beam (EB = electron beam) vapor deposition. If an organic material is used for the insulating film, z. B. uses a solution in which an organic material or a precursor thereof is dissolved in order to apply the aforementioned thin film by a method such as the spin coating method, the dip coating method, the screen printing method, the roll coating method or a method in which the material is cured under predetermined curing conditions (such as the application of heat or light radiation) to form the insulating film. It is also possible to use methods such as vapor deposition, sputtering, CVD or the Langmuir-Blodgett (LB) method.

Zu Ausrichtungsbehandlungsverfahren für den Isolierfilm ge­ hören das Reibeverfahren und das Verfahren mit Schrägab­ scheidung aus der Dampfphase. Das Reibeverfahren ist in dem Fall bevorzugt, daß Flüssigkristalldisplays mit großer Flä­ che hergestellt werden. Beim Reibeverfahren wird der Iso­ lierfilm nach seiner Herstellung einer Reibebehandlung un­ terzogen. Dabei wird z. B. parallel gerieben (wobei beide Seiten eines Substratpaars der Reibebehandlung unterzogen werden und sie so aufeinandergeschichtet werden, daß die Reiberichtungen in derselben Richtung ausgerichtet sind), das Antiparallel-Reibeverfahren (bei dem beide Seiten der Substrate der Reibebehandlung unterzogen werden und so auf­ einandergeschichtet werden, daß die Reiberichtungen in ent­ gegengesetzten Richtungen zeigen), und das einseitige Reibe­ verfahren, bei dem eine Seite der Substrate der Reibbehand­ lung unterzogen wird).Alignment treatment procedures for the insulating film hear the rubbing process and the oblique bob process separation from the vapor phase. The rubbing process is in that Case preferred that large area liquid crystal displays che be manufactured. In the rubbing process, the iso lier film after its production of a rubbing treatment educated. Here, for. B. rubbed in parallel (both Sides of a pair of substrates subjected to the rubbing treatment and they are stacked so that the Rubbing directions are aligned in the same direction), the anti-parallel rubbing process (in which both sides of the Substrates are subjected to rubbing treatment and so on be layered together that the rubbing directions in ent opposite directions), and the one-sided grater procedure in which one side of the substrates of the rubbing treatment is subjected).

Vorzugsweise verfügt der Isolierfilm über eine Dicke von 0,01 bis 1 µm, vorzugsweise 0,02 bis 0,5 µm. Wenn die Dicke des Isolierfilms geringer als 0,01 µm ist, unterliegt er einem ungünstigen Einfluß von der Oberfläche des Glases oder der Oberfläche der durchsichtigen Elektrode. Wenn die Dicke größer als 1 µm ist, kann dies der Grund für die Erzeugung einer Stufe zwischen dem Substrat und dem Isolierfilm sein, was sehr unerwünscht ist. Darüber hinaus hat der Isolierfilm das 0,5- bis 3fache der Dicke der durchsichtigen Elektrode. Wenn der Isolierfilm weniger als das 0,5fache der Dicke der durchsichtigen Elektrode hat, neigt er dazu, von Aussparun­ gen und Vorsprüngen der durchsichtigen Elektrode beeinflußt zu werden. Dann wird die Ausrichtungseinstellung schwierig. Wenn der Isolierfilm mehr als das 3fache der Dicke der durchsichtigen Elektrode hat, muß die Ansteuerspannung er­ höht werden. Darüber hinaus sammelt sich elektrische Ladung im Isolierfilm an, wodurch ein elektrisches Feld in Umkehr­ richtung erzeugt wird.The insulating film preferably has a thickness of 0.01 to 1 µm, preferably 0.02 to 0.5 µm. If the fat of the insulating film is less than 0.01 µm, it is subject to an adverse influence from the surface of the glass or the surface of the transparent electrode. If the fat is larger than 1 µm, this may be the reason for the generation a step between the substrate and the insulating film, which is very undesirable. In addition, the insulating film 0.5 to 3 times the thickness of the transparent electrode. If the insulating film is less than 0.5 times the thickness of the has transparent electrode, it tends to cut out conditions and protrusions of the transparent electrode to become. Then the alignment adjustment becomes difficult. If the insulating film is more than 3 times the thickness of the has transparent electrode, the drive voltage he be raised. In addition, electrical charge collects  in the insulating film, causing an electric field to reverse direction is generated.

Auf dem Isolierfilm wird ein Ausrichtungsfilm ausgebildet. Für den Ausrichtungsfilm kann entweder ein anorganisches oder ein organisches Material verwendet werden. Wenn ein an­ organisches Material verwendet wird, ist Schrägabscheidung von Siliciumoxid aus der Dampfphase bevorzugt. Darüber hin­ aus kann ein Verfahren wie Dampfabscheidung unter Rotation verwendet werden. Wenn ein organisches Material verwendet wird, können Materialien wie Nylon, Polyvinyle, Polyimide oder dergleichen verwendet werden. Normalerweise erfolgt eine Ausrichtungsbehandlung des Ausrichtungsfilms durch Rei­ ben desselben. Darüber hinaus kann Ausrichtungsbehandlung dadurch ausgeführt werden, daß ein Material wie ein polyme­ rer Flüssigkristall, ein LB-Film oder ein magnetischer Film verwendet wird oder ein Verfahren wie das Abstandshalter- Kanten-Verfahren (Spacer Edge Method) oder dergleichen ver­ wendet wird. Darüber hinaus können SiO2 und SiNx aus dem Dampf abgeschieden werden, gefolgt von einem Reiben des Films zum Erzielen einer Ausrichtung.An alignment film is formed on the insulating film. Either an inorganic or an organic material can be used for the alignment film. If an organic material is used, oblique deposition of silicon oxide from the vapor phase is preferred. In addition, a method such as rotary vapor deposition can be used. If an organic material is used, materials such as nylon, polyvinyl, polyimide or the like can be used. Usually, the alignment film is subjected to alignment treatment by rubbing the same. In addition, alignment treatment can be carried out by using a material such as a polymer liquid crystal, an LB film or a magnetic film, or by using a method such as the spacer edge method or the like. In addition, SiO 2 and SiN x can be deposited from the vapor, followed by rubbing the film to achieve alignment.

Der Vorabneigungswinkel ist als Neigungswinkel der Flüssig­ kristallmoleküle gegen die Richtung rechtwinklig zum Sub­ strat definiert. Der Vorabneigungswinkel kann dadurch geän­ dert werden, daß ein Ausrichtungsfilm vom Polyimidtyp mit einem Mittel zum Ändern der vertikalen Ausrichtung behandelt wird wie N, N-Octadecyl-3-Amino-Propyltrimethoxysilylchlorid (DMOAP), nachdem dieser Film gerieben wurde oder Silicium­ oxid durch Schrägabscheidung aus der Dampfphase aufgebracht wurde. Bei der Reibebehandlung kann der Vorabneigungswinkel durch Ändern des zum Reiben verwendeten Tuchs, der Länge eines Felds und die Anzahl von Umdrehungen einer Walze geändert werden. Darüber hinaus können die Dampfabschei­ dungsbedingungen abhängig vom Abscheidungswinkel für das Siliciumoxid und der gewünschten Filmdicke geändert werden.The pre-tilt angle is the liquid tilt angle crystal molecules against the direction perpendicular to the sub defined strat. This can change the pre-tilt angle that a polyimide type alignment film with a means of changing the vertical orientation is like N, N-octadecyl-3-amino-propyltrimethoxysilyl chloride (DMOAP) after rubbing this film or silicon oxide applied by oblique deposition from the vapor phase has been. In the case of rubbing treatment, the pre-inclination angle by changing the length of the cloth used for rubbing of a field and the number of revolutions of a roller be changed. In addition, the steam trap conditions depending on the separation angle for the  Silicon oxide and the desired film thickness can be changed.

Erfindungsgemäß sind der Ausrichtungsfilm auf dem einen Sub­ strat und der auf dem anderen vorzugsweise so ausgebildet, daß sich ihre Ausrichtungsrichtungen voneinander unterschei­ den, insbesondere um 0 bis 90°. Bevorzugter wird der Winkel auf 15 bis 60° eingestellt.According to the invention, the alignment film on one sub strat and the one on the other preferably trained so that their directions of orientation differ from each other the, in particular by 0 to 90 °. The angle is more preferred set to 15 to 60 °.

Genauer gesagt, wird ein durch Schrägabscheidung aus der Dampfphase hergestellter SiO-Film als Ausrichtungsfilm so verwendet, daß die Abscheidungsrichtung auf den beiden Sub­ straten auf ein kleineres Maß gegen die parallele Stellung eingestellt wird, d. h. auf weniger als die Verdrillrichtung von 90°, oder vorzugsweise auf ungefähr 45° (s. Fig. 2).More specifically, a vapor phase SiO film is used as the alignment film so that the deposition direction on the two substrates is set to a smaller degree against the parallel position, that is, less than the twist direction of 90 °, or preferably to approximately 45 ° (see Fig. 2).

Zum erfindungsgemäßen Flüssigkristall gehören nematische Flüssigkristalle vom Schiff-Chlor-Typ, vom Azotyp, vom Azoxytyp, vom Benzoattyp, vom Biphenyltyp, vom Pyrimidintyp und vom Dioxantyp sowie Mischungen derselben, insbesondere Mehrkomponenten-Flüssigkristalle. Zu konkreten Flüssigkris­ tallmischungen, wie sie käuflich erhältlich sind, gehören die folgenden: von Merck hergestellte Reihe Z wie Z-1625, Z-1565, Z-1780, Z-1800, Z-1840, Z-1825 und SCB, von BDH hergestellte Reihe E wie E-7, E-37, E-31LV, E-80, E-44, die von Roche hergestellte Reihe R wie R-200, R-623, R-701, R-619, R-627C, die von Chisso hergestellte Reihe L wie L-GR45, L-9106, L-EN24, L-P23NN23 und die von Dai Nippon Ink hergestellte Reihe D wie D-601T, D-X01A und D-800. Außerdem können diese Flüssigkristalle geeignet gemischt werden.The liquid crystal according to the invention includes nematic ones Schiff chlorine type liquid crystals, azo type, Azoxy type, benzoate type, biphenyl type, pyrimidine type and of the dioxane type and mixtures thereof, in particular Multi-component liquid crystals. To concrete liquid crystals tall blends, as are commercially available, belong the following: Z series manufactured by Merck, such as Z-1625, Z-1565, Z-1780, Z-1800, Z-1840, Z-1825 and SCB, from BDH manufactured series E such as E-7, E-37, E-31LV, E-80, E-44, the R series manufactured by Roche such as R-200, R-623, R-701, R-619, R-627C, the L series manufactured by Chisso as L-GR45, L-9106, L-EN24, L-P23NN23 and those from Dai Nippon Ink manufactured series D such as D-601T, D-X01A and D-800. Furthermore these liquid crystals can be mixed appropriately.

Dann wird dem vorstehend genannten Flüssigkristall ein chi­ rales Hilfsmaterial (optisch aktive Verbindung) zugegeben. Durch diese Vorgehensweise wird die Schraubenganghöhe der Flüssigkristallphase eingestellt. Konkret verwendbare chira­ le Hilfsstoffe sind die folgenden: Cholesterylbromid, Chole­ steryl-n-Hexylether, Cholesterylbenzoat, Cholesteryl-n-Hepta­ noat, Cholesterylnunanoat, 4,4-(2-methylbutyl)-phenylbenzoe­ säure-4′-cyanophenylester, 4-n-Hexyloxybenzoesäure-4′-(2- butoxycarbonyl)-phenylester, t-4-(2-Methylbutyl)cyclohexyl­ carboxylsäure-cyanobiphenyl, 4-(4-Methylbutyl)-4′-cyano-p- terphenyl, N-(4-Ethoxybenzyliden)-4-(2-methylbutyl)anilin, 4-(2-Methylbutyl)benzoesäure-4′-n-hexyloxyphenylester, 4-n- Heptoxy-4′-(methylbutyloxycarbonyl)biphenyl, 4-(2-Methyl­ butyl)-4′-carbonylphenyl und 4-4-(2-Methylbutyl)phenylben­ zoesäure-4′-butylphenylester.Then, the above-mentioned liquid crystal is chi rales auxiliary material (optically active compound) added. By doing this, the screw pitch of the Liquid crystal phase set. Chira that can be used specifically le auxiliaries are the following: cholesteryl bromide, chole  steryl-n-hexyl ether, cholesteryl benzoate, cholesteryl-n-hepta noat, cholesterylunanoate, 4,4- (2-methylbutyl) phenylbenzoe 4′-cyanophenyl acid, 4-n-hexyloxybenzoic acid 4 ′ - (2- butoxycarbonyl) phenyl ester, t-4- (2-methylbutyl) cyclohexyl carboxylic acid-cyanobiphenyl, 4- (4-methylbutyl) -4′-cyano-p- terphenyl, N- (4-ethoxybenzylidene) -4- (2-methylbutyl) aniline, 4- (2-methylbutyl) 4'-n-hexyloxyphenyl benzoate, 4-n- Heptoxy-4 ′ - (methylbutyloxycarbonyl) biphenyl, 4- (2-methyl butyl) -4'-carbonylphenyl and 4-4- (2-methylbutyl) phenylbene 4'-butylphenyl zoate.

Zu käuflich erwerbbaren Erzeugnissen gehört S-8100 (von Merck hergestellt).Products available for purchase include S-8100 (from Manufactured by Merck).

Darüber hinaus können andere Verbindungen als die vorstehend genannten nematischen Flüssigkristallverbindungen geeignet gemischt werden. Solche Verbindungen müssen keine Flüssig­ kristallphase aufweisen. Hierzu gehören:In addition, compounds other than those above can be used mentioned nematic liquid crystal compounds suitable be mixed. Such connections do not have to be liquid have crystal phase. These include:

  • a) Verbindungen zum Einstellen des Temperaturbereichs der Flüssigkristallphase;a) Connections to adjust the temperature range of the Liquid crystal phase;
  • b) optisch aktive Verbindungen, die eine große Spontanpola­ risation in der ferroelektrischen Flüssigkristallphase zei­ gen oder hervorrufen.b) optically active compounds that have a large spontaneous pole rization in the ferroelectric liquid crystal phase gene or evoke.

Nachdem der Flüssigkristall in die Zelle eingebracht ist, wird eine Einfüllöffnung mit einem UV-härtbaren Acrylharz gefüllt.After the liquid crystal is introduced into the cell, becomes a filler opening with a UV-curable acrylic resin filled.

Darüber hinaus kann ein Flüssigkristalldisplay dadurch her­ gestellt werden, daß ein Polarisator so angeordnet wird, daß seine Polarisationsachse ungefähr rechtwinklig zur vertika­ len Richtung der Flüssigkristallzelle verläuft und ein Pola­ risator ungefähr einer der optischen Achsen der Flüssigkri­ stalle in der Zelle entspricht. In addition, a liquid crystal display can be produced be placed that a polarizer is arranged so that its polarization axis is approximately perpendicular to the vertical len direction of the liquid crystal cell and a pola risator roughly one of the optical axes of the liquid crystal stable in the cell.  

Beispiel 1example 1

Fig. 1 ist ein Hauptschnitt durch ein erfindungsgemäßes Flüssigkristalldisplay. Fig. 1 is a main section through a liquid crystal display according to the invention.

Auf Glassubstraten 1a und 1b werden durchsichtige Elektroden 2a, 2b mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Auf dem Glas­ substrat wird als Isolierfilm ein SiO2-Film 3a, 3b durch Ab­ scheidung aus der Dampfphase mit einer Dicke von 100 nm auf­ gebracht. Danach werden darauf SiO-Ausrichtungsfilme durch Schrägabscheidung aus der Dampfphase abgeschieden. Die Be­ dingungen hierfür werden wie folgt vorgegeben: Dampfabschei­ dungswinkel von 70° gegen die Normale auf dem Substrat, bei einer Filmdicke von 7 nm. Das obere und untere Substrat wer­ den so aufeinandergeschichtet, daß sie um 45° gegen die Antiparallelrichtungen hinsichtlich der Dampfabscheidungs­ richtung verdrillt werden. Die Zellendicke beträgt 1,5 µm.On glass substrates 1 a and 1 b are transparent electrodes 2 a, 2 b with a thickness of 100 nm formed. An SiO 2 film 3 a, 3 b is deposited on the glass substrate as an insulating film by separation from the vapor phase with a thickness of 100 nm. Then SiO alignment films are deposited on the vapor phase by oblique deposition. The conditions for this are specified as follows: vapor deposition angle of 70 ° against the normal on the substrate, with a film thickness of 7 nm. The upper and lower substrates are stacked so that they are 45 ° against the anti-parallel directions with regard to the vapor deposition direction be twisted. The cell thickness is 1.5 µm.

In die so hergestellte Zelle wird ein nematischer Flüssig­ kristall eingefüllt (bei dem 0,36 Gew.-% des chiralen Mate­ rials S-811 zum Wirtsflüssigkristall SCB zugemischt sind).A nematic liquid is placed in the cell thus produced filled in crystal (at which 0.36% by weight of the chiral mate rials S-811 are added to the host liquid crystal SCB).

Es ergibt sich eine gleichmäßige und stabile Ausrichtung frei von Abweichungen im bistabilen Zustand. Der Kontrast beträgt 20 zu 1.The result is an even and stable alignment free of deviations in the bistable state. The contrast is 20 to 1.

Beispiel 2Example 2

Das Beispiel 2 eines erfindungsgemäßen Flüssigkristalldis­ plays weist denselben Grundaufbau wie dasjenige des Bei­ spiels 1 auf. Auf Glassubstraten werden durchsichtige Elek­ troden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Nach Dampf­ abscheidung von SiO2 mit einer Dicke von 100 nm als Isolier­ film auf den Substraten folgt ein Reiben in derselben Rich­ tung. Dann wird SiO durch Schrägaufdampfung aus der Dampf­ phase abgeschieden, um einen Ausrichtungsfilm herzustellen. Die Aufdampfbedingungen sind dieselben wie oben genannt. Das obere und untere Substrat werden so aufeinandergeschichtet, daß sie gegenüber der antiparallelen Richtung in bezug auf die Dampfabscheidungsrichtung verdrillt werden. Die Dicke der Flüssigkristallzelle beträgt wieder 1,5 µm. Es wird der­ selbe Flüssigkristall wie beim Beispiel 1 angegeben einge­ füllt. Es ergibt sich wieder ein gleichmäßiger und stabiler Ausrichtungszustand ohne Abweichung vom bistabilen Zustand.Example 2 of a liquid crystal display according to the invention has the same basic structure as that of example 1. Transparent electrodes with a thickness of 100 nm are formed on glass substrates. After vapor deposition of SiO 2 with a thickness of 100 nm as an insulating film on the substrates, rubbing takes place in the same direction. Then, SiO is deposited from the vapor phase by oblique evaporation to produce an alignment film. The evaporation conditions are the same as mentioned above. The upper and lower substrates are stacked so that they are twisted with respect to the anti-parallel direction with respect to the vapor deposition direction. The thickness of the liquid crystal cell is again 1.5 µm. The same liquid crystal as specified in Example 1 is filled. This again results in a uniform and stable alignment state without deviation from the bistable state.

Beispiel 3Example 3

Das Beispiel 3 eines erfindungsgemäßen Flüssigkristalldis­ plays weist denselben Grundaufbau wie dasjenige des Bei­ spiels 1 auf. Auf Glassubstraten werden durchsichtige Elek­ troden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Nach dem Auf­ tragen und Ausrichten eines Photoresistharzes (OCD P-59310; hergestellt von Tokyo Applied Chemistry) durch eine Schleu­ dereinrichtung als Isolierfilm folgt ein Sintern bei 350°C. Auf dem Isolierfilm wird SiO durch Schrägabscheidung aus der Dampfphase aufgebracht, um einen Ausrichtungsfilm herzustel­ len. Die so hergestellten beiden Substrate werden so aufein­ andergeschichtet, daß sie um 45° gegenüber der zur Dampfab­ scheidungsrichtung antiparallelen Richtung verdrillt werden. Die Zellendicke und das Flüssigkristallmaterial sind diesel­ ben wie bei den vorigen Ausführungsbeispielen. Es ergibt sich eine gleichmäßige und stabile Ausrichtung frei von Ab­ weichungen aus dem bistabilen Zustand.Example 3 of a liquid crystal dis plays has the same basic structure as that of the Be play 1. Transparent elec trodes with a thickness of 100 nm. After opening wearing and aligning a photoresist resin (OCD P-59310; manufactured by Tokyo Applied Chemistry) by a sluice The device as an insulating film is followed by sintering at 350 ° C. SiO is formed on the insulating film by oblique deposition Vapor phase applied to make an alignment film len. The two substrates produced in this way are thus matched layered so that it is 45 ° opposite to that for steam direction of separation are twisted antiparallel direction. The cell thickness and the liquid crystal material are diesel ben as in the previous embodiments. It results an even and stable alignment free of ab departures from the bistable state.

Beispiel 4Example 4

Das Beispiel 4 eines erfindungsgemäßen Flüssigkristalldis­ plays entspricht im wesentlichen dem Beispiel 1. Auf Glas­ substraten wird ein SiO2-Film durch Schrägaufdampfung aus der Dampfphase abgeschieden und ausgerichtet, um einen Aus­ richtungsfilm zu bilden. Der Dampfabscheidungswinkel beträgt 74° gegenüber der Normalen auf dem Substrat; die Filmdicke ist 7 nm. Die Substrate werden wie beim Beispiel 1 aufeinan­ dergeschichtet (s. Fig. 2). Die Zelldicke beträgt wieder 1,5 µm. In die fertiggestellte Zelle wird ein nematischer Flüssigkristall eingefüllt (in dem 0,36 Gew.-% des chiralen Materials 9s zum Wirtsflüssigkristall SCB zugemischt sind). Es kann ein gleichmäßiger und stabiler Ausrichtungszustand erhalten werden. Wenn ein impulsförmiges elektrisches Feld von 20 V an das Flüssigkristallpaneel angelegt wird, zeigt sich ein stabiler Zustand. Der Kontrast beträgt 20 zu 1.Example 4 of a liquid crystal display according to the invention corresponds essentially to Example 1. An SiO 2 film is deposited on glass substrates by oblique evaporation from the vapor phase and aligned to form an alignment film. The vapor deposition angle is 74 ° from the normal on the substrate; the film thickness is 7 nm. The substrates are layered on one another as in Example 1 (see FIG. 2). The cell thickness is again 1.5 µm. A nematic liquid crystal is filled into the finished cell (in which 0.36% by weight of the chiral material is mixed for 9 s to form the host liquid crystal SCB). A uniform and stable alignment state can be obtained. When a pulsed electric field of 20 V is applied to the liquid crystal panel, a stable state is shown. The contrast is 20 to 1.

Beispiel 5Example 5

Der Grundaufbau beim Beispiel 5 eines erfindungsgemäßen Flüssigkristalldisplays ist derselbe wie beim Beispiel 1. Auf Glassubstraten werden durchsichtige Elektroden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Auf dem Substrat wird SiO2 aus der Dampfphase mit einer Dicke von 50 nm als Grundfilm abge­ schieden. Dann wird auf diesem SiO aus der Dampfphase abge­ schieden, um einen Ausrichtungsfilm zu bilden. Dabei wird ein Dampfabscheidungswinkel von 74° verwendet; die Filmdicke beträgt 7 nm. Die beiden Substrate werden wie beim Beispiel 1 aufeinandergeschichtet. Die Zellendicke beträgt wieder 1,5 µm. In die so fertiggestellte Zelle wird ein nematischer Flüssigkristall eingefüllt (in dem 0,36 Gew.-% eines chira­ len Materials zum Wirtsflüssigkristall 5CB zugemischt sind. Es wird ein gleichmäßiger und stabiler Ausrichtungszustand erhalten. Wenn ein impulsförmiges elektrisches Feld durch Anlegen von 20 V an das wie vorstehend beschrieben herge­ stellte Paneel hergestellt wird, ergibt sich ein stabiler bistabiler Zustand; der Kontrast beträgt 20 zu 1.The basic structure in Example 5 of a liquid crystal display according to the invention is the same as in Example 1. Transparent electrodes with a thickness of 100 nm are formed on glass substrates. SiO 2 is deposited on the substrate from the vapor phase with a thickness of 50 nm as the base film. The vapor phase is then deposited on this SiO to form an alignment film. A vapor separation angle of 74 ° is used; the film thickness is 7 nm. The two substrates are layered on top of one another as in Example 1. The cell thickness is again 1.5 µm. A nematic liquid crystal (in which 0.36% by weight of a chiral material has been mixed into the host liquid crystal 5 CB) is filled into the cell thus finished. A uniform and stable alignment state is obtained. If a pulsed electric field is applied by applying 20 V. A stable bistable state is produced on the panel produced as described above; the contrast is 20 to 1.

Beispiel 6Example 6

Beispiel 6 hat denselben Grundaufbau wie die Flüssigkri­ stallzelle beim Beispiel 1. Auf Glassubstraten werden durch­ sichtige Elektroden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Auf den Substraten wird SiO2 als Grundfilm mit einer Dicke von 300 nm aus der Dampfphase abgeschieden. Dann wird darauf SiO durch Schrägabscheidung aus der Dampfphase ausgebildet, um einen Ausrichtungsfilm zu erzeugen. Der Dampfabschei­ dungswinkel beträgt 74° gegen die Normale auf dem Substrat; die Filmdicke ist 70°. Die Substrate werden wie beim Bei­ spiel 1 aufeinandergeschichtet, wobei die Zelldicke wieder 1,5 µm beträgt. In die so fertiggestellte Zelle wird ein ne­ matischer Flüssigkristall eingefüllt (bei dem 0,36 Gew.-% eines chiralen Materials zum Wirtsflüssigkristall SCB zuge­ mischt sind). Es wird eine gleichmäßige und stabile Ausrich­ tung ohne Abweichung im bistabilen Zustand erhalten.Example 6 has the same basic structure as the liquid crystal cell in example 1. On glass substrates are formed by visible electrodes with a thickness of 100 nm. SiO 2 is deposited on the substrates as a base film with a thickness of 300 nm from the vapor phase. Then, SiO is vapor-deposited thereon to form an alignment film. The vapor deposition angle is 74 ° against the normal on the substrate; the film thickness is 70 °. The substrates are layered on top of each other as in example 1, the cell thickness again being 1.5 μm. A ne matic liquid crystal is filled into the cell thus finished (in which 0.36% by weight of a chiral material is added to the host liquid crystal SCB). A uniform and stable alignment without deviation in the bistable state is obtained.

Vergleichsbeispiel 1Comparative Example 1

Der Grundaufbau des Flüssigkristalldisplays gemäß dem Ver­ gleichsbeispiel 1 stimmt mit dem beim Beispiel 1 überein. Auf dem Substrat wird SiO2 als Grundfilm mit einer Dicke von 30 nm aus der Dampfphase abgeschieden, um einen Ausrich­ tungsfilm zu erzeugen. Der Dampfabscheidungswinkel beträgt wieder 74°, die Dicke des Films 7 nm. Die Substrate werden wie beim Beispiel 1 mit einer Zelldicke von 1,5 µm zusammen­ gesetzt. In die so hergestellte Zelle wird ein nematischer Flüssigkristall eingefüllt (bei dem 0,36 Gew.-% eines chira­ len Materials in den Wirtsflüssigkristall SCB gemischt sind). Eine Auswertung des Ausrichtungszustandes zeigt, daß dieser auf der durchsichtigen Elektrode instabil ist. Das Anlegen einer Spannung führt nicht zu einem bistabilen Zu­ stand. Nach einiger Zeit entsteht ein Kurzschluß zwischen dem oberen und unteren Substrat.The basic structure of the liquid crystal display according to Comparative Example 1 is the same as that of Example 1. SiO 2 is deposited on the substrate as a base film with a thickness of 30 nm from the vapor phase in order to produce an alignment film. The vapor deposition angle is again 74 °, the thickness of the film 7 nm. As in Example 1, the substrates are put together with a cell thickness of 1.5 μm. A nematic liquid crystal is filled into the cell thus produced (in which 0.36% by weight of a chiral material is mixed in the host liquid crystal SCB). An evaluation of the alignment state shows that it is unstable on the transparent electrode. Applying a voltage does not lead to a bistable state. After a while, there is a short circuit between the upper and lower substrates.

Vergleichsbeispiel 2Comparative Example 2

Das Vergleichsbeispiel 2 eines Flüssigkristalldisplays weist denselben Grundaufbau auf wie das Beispiel 1 der Erfindung. Auf dem Substrat werden durchsichtige Elektroden mit einer Dicke von 100 nm ausgebildet. Dann wird ein SiO2-Grundfilm mit einer Dicke von 500 nm aus der Dampfphase abgeschieden. Darauf wird SiO als Ausrichtungsfilm aus der Dampfphase ab­ geschieden. Der Dampfabscheidungswinkel beträgt 74° gegen die Normale auf dem Substrat; die Filmdicke beträgt 7 nm. Die Substrate werden wie beim Beispiel 1 aufeinanderge­ schichtet, bei einer Zelldicke von 1,5 µm. Auch wird dersel­ be Flüssigkristall wie beim Beispiel 1 eingefüllt. Die Orientierung war relativ stabil. Beim Anlegen eines impuls­ förmigen elektrischen Feldes durch eine Spannung von 20 V wird die Vorrichtung nicht geschaltet. Dagegen wird sie teilweise geschaltet, wenn durch Anlegen von 30 V ein im­ pulsförmiges elektrisches Feld erzeugt wird.Comparative example 2 of a liquid crystal display has the same basic structure as example 1 of the invention. Transparent electrodes with a thickness of 100 nm are formed on the substrate. An SiO 2 base film with a thickness of 500 nm is then deposited from the vapor phase. Then SiO is deposited as an alignment film from the vapor phase. The vapor deposition angle is 74 ° against the normal on the substrate; the film thickness is 7 nm. The substrates are layered on top of one another as in Example 1, with a cell thickness of 1.5 μm. The same liquid crystal as in Example 1 is also filled. The orientation was relatively stable. When a pulse-shaped electrical field is applied by means of a voltage of 20 V, the device is not switched. On the other hand, it is partially switched when a pulsed electric field is generated by applying 30 V.

Mit demselben Verfahren wird die Dicke der durchsichtigen Elektrode auf 100 nm (festgelegt) eingestellt. Dann wird die Dicke des Isolierfilms gemäß Beispielen zu 75, 100, 150, 200, 250 nm geändert. Als Vergleichsbeispiel wird eine An­ zeigevorrichtung hergestellt, bei der die Dicke des Isolier­ films 40 nm beträgt, um die Flüssigkristall-Ausrichtung aus­ zuwerten. Tabelle 1 zeigt die Auswertung für den Ausrich­ tungszustand im nematischen Flüssigkristall, wenn sich die Dicke des Isolierfilms im Bereich von 30 bis 500 nm ändert.Using the same procedure, the thickness of the transparent Electrode set to 100 nm (fixed). Then the Thickness of the insulating film according to examples of 75, 100, 150, 200, 250 nm changed. An An is used as a comparative example Pointing device made in which the thickness of the insulating film is 40 nm to determine the liquid crystal orientation evaluate. Table 1 shows the evaluation for the alignment state in the nematic liquid crystal when the The thickness of the insulating film changes in the range from 30 to 500 nm.

Wie in Tabelle 1 dargestellt, zeigt der Flüssigkristall dann, wenn die Dicke des Isolierfilms zwischen 60 und 300 nm liegt, einen stabilen Ausrichtungszustand, und das Schalten erfolgt stabil.As shown in Table 1, the liquid crystal shows then when the thickness of the insulating film is between 60 and 300 nm lies, a stable alignment state, and switching is stable.

Tabelle 1 Table 1

Beziehung zwischen der Dicke des Isolierfilms und dem Ausrichtungszustand Relationship between the thickness of the insulating film and the alignment state

Bei diesem Beispiel wurde SiO2 oder ein Photoresistharz (OCD P-59310; hergestellt von Tokyo Appl. Chem.) verwendet. Bei der Erfindung muß nur das ganze Substrat gleichförmig beschichtet werden, um für bistabile Ausrichtung zu sorgen. Als Isolierfilm können Materialien wie Siliciumdioxid, Titanoxid, Aluminiumoxid, Polyimid oder dergleichen verwen­ det werden. Darüber hinaus kann zum Ausbilden des Isolier­ films jedes Verfahren verwendet werden wie Sputtern, Ab­ scheidung aus der Dampfphase, CVD oder Beschichten durch Schleudern. Die Erfindung ist nicht auf die vorigen Beispie­ le beschränkt. Die Dicke des Isolierfilms kann im Bereich von 0,02 bis 0,5 µm, bevorzugt im Bereich von 0,05 bis 0,2 µm, eingestellt werden.In this example, SiO 2 or a photoresist resin (OCD P-59310; manufactured by Tokyo Appl. Chem.) Was used. In the invention, only the entire substrate needs to be coated uniformly to provide bistable alignment. Materials such as silicon dioxide, titanium oxide, aluminum oxide, polyimide or the like can be used as the insulating film. In addition, any process can be used to form the insulating film, such as sputtering, deposition from the vapor phase, CVD or coating by spinning. The invention is not limited to the previous examples. The thickness of the insulating film can be set in the range from 0.02 to 0.5 μm, preferably in the range from 0.05 to 0.2 μm.

Die Erfindung ermöglicht das Herstellen eines Flüssigkri­ stalldisplays mit großer Fläche, das mit erhöhter Geschwin­ digkeit betrieben werden kann. Es zeigt einen gleichmäßigen Orientierungszustand über eine größere Fläche als bei her­ kömmlichen Displays. Das Display wird von Vertiefungen und Vorsprüngen an der Oberfläche der durchsichtigen Elektroden nicht beeinflußt, und es ist ein stabiler Zustand bei bista­ bilen Schaltvorgängen möglich.The invention enables the production of a liquid crystal stall displays with a large area, that with increased speed can be operated. It shows a steady Orientation state over a larger area than in ago conventional displays. The display is made of depressions and Protrusions on the surface of the transparent electrodes not affected, and it is a stable condition in bista quick switching operations possible.

Claims (6)

1. Bistabiles Flüssigkristalldisplay, bei dem ein Paar Substrate (1a, 1b), auf denen durchsichtige Elektroden (2a, 2b) ausgebildet sind, ungefähr parallel zueinander ausge­ richtet sind, wobei ein Ausrichtungsfilm (4a, 4b) auf jeder der durchsichtigen Elektroden ausgebildet ist und ein nema­ tischer Flüssigkristall (6) zwischen das Paar Substrate ein­ gefüllt ist, um eine Flüssigkristallzelle zu bilden, und eine Umschaltvorrichtung angebracht ist, um die optische Achse des Flüssigkristalls durch wahlweises Anlegen einer Spannung an die Elektroden umzuschalten, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Isolierfilm (3a, 3b) zwischen dem Substrat und dem Ausrichtungsfilm vorhanden ist.1. Bistable liquid crystal display in which a pair of substrates ( 1 a, 1 b), on which transparent electrodes ( 2 a, 2 b) are formed, are aligned approximately parallel to one another, with an alignment film ( 4 a, 4 b) each of the transparent electrodes is formed and a nematic liquid crystal ( 6 ) is filled between the pair of substrates to form a liquid crystal cell, and a switching device is attached to switch the optical axis of the liquid crystal by selectively applying a voltage to the electrodes, characterized in that an insulating film ( 3 a, 3 b) is present between the substrate and the alignment film. 2. Display nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) eine Ausrichtbehandlung erfahren hat.2. Display according to claim 1, characterized in that the insulating film ( 3 a, 3 b) has undergone an alignment treatment. 3. Display nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) eine Dicke von 0,01 bis 1 µm aufweist.3. Display according to one of claims 1 or 2, characterized in that the insulating film ( 3 a, 3 b) has a thickness of 0.01 to 1 µm. 4. Display nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) eine Dicke auf­ weist, die das 0,5- bis 3,0fache der Dicke der Elektroden (2a, 2b) ist.4. Display according to one of claims 1 to 3, characterized in that the insulating film ( 3 a, 3 b) has a thickness which is 0.5 to 3.0 times the thickness of the electrodes ( 2 a, 2 b ) is. 5. Display nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) ein Film aus einem anorganischen Material ist, das aus der SiO2, SiNx und Al2O3 umfassenden Gruppe ausgewählt ist.5. Display according to one of the preceding claims, characterized in that the insulating film ( 3 a, 3 b) is a film made of an inorganic material which is selected from the group comprising SiO 2 , SiN x and Al 2 O 3 . 6. Display nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Isolierfilm (3a, 3b) aus einem orga­ nischen Material besteht, das aus der aus Polyimid, einem Photoresistharz und einem polymeren Flüssigkristall beste­ henden Gruppe ausgewählt ist.6. Display according to one of claims 1 to 4, characterized in that the insulating film ( 3 a, 3 b) consists of an orga African material selected from the group consisting of polyimide, a photoresist resin and a polymeric liquid crystal.
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