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DE4117367A1 - Verfahren zur erzeugung eines homogenen abtragprofils auf einem rotierenden target einer sputtervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur erzeugung eines homogenen abtragprofils auf einem rotierenden target einer sputtervorrichtung

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DE4117367A1
DE4117367A1 DE19914117367 DE4117367A DE4117367A1 DE 4117367 A1 DE4117367 A1 DE 4117367A1 DE 19914117367 DE19914117367 DE 19914117367 DE 4117367 A DE4117367 A DE 4117367A DE 4117367 A1 DE4117367 A1 DE 4117367A1
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung eines homogenen Abtragprofils auf einem rotierenden Target, das insbesondere die Form eines Rohrs hat, einer Sputter­ vorrichtung, die vorzugsweise mit einer Magnetronkatode ausgerüstet ist, wobei das Plasma und der durch das Plasma erzeugte Erosionsgraben die Form einer Rennbahn mit zwei langen Geraden und mit zwei Bögen bzw. Querschenkeln, die die beiden langen Graben miteinander verbinden, haben.
Bei Zerstäubungsprozessen (Sputterprozessen) werden in der Praxis u. a. solche Hochleistungszerstäubungsvorrich­ tungen (Sputtervorrichtung) eingesetzt, bei denen durch ein Magnetfeld vor der Katode die Kollisions- und damit Ionisationswahrscheinlichkeit der Teilchen erhöht wird. Kernstück dieser Hochleistungszerstäubungsvorrichtungen ist die sogenannte Magnetronkatode.
Eine derartige Magnetronkatode wird beispielsweise in der deutschen Patentschrift 24 17 288 beschrieben.
Dort wird eine Katodenzerstäubungsvorrichtung mit hoher Zerstäubungsrate mit einer Katode, die auf einer ihrer Oberflächen das zu zerstäubende und auf einem Substrat abzulagernde Material aufweist, mit einer derart angeord­ neten Magneteinrichtung, daß von der Zerstäubungsfläche ausgehende und zu ihr zurückkehrende Magnetfeldlinien einen Entladungsbereich bilden, der die Form einer in sich geschlossenen Schleife hat, und mit einer außerhalb der Bahnen des zerstäubten und sich von der Zerstäubungsfläche zum Substrat bewegen­ den Materials angeordneten Anode gezeigt.
In der genannten Patentschrift wird vorgeschlagen, daß die zu zerstäubende und dem zu besprühenden Substrat zugewandte Katodenoberfläche eben ist, daß sich das Substrat nahe dem Entladungsbereich parallel zu der ebenen Zerstäubungsfläche über diese hinwegbewegen läßt, und daß die das Magnetfeld erzeugende Magneteinrichtung auf der der ebenen Zerstäubungsfläche abgewandten Seite der Katode angeordnet ist.
Zum Stand der Technik gehören weiterhin Sputteranlagen mit einer rotierenden Magnetronkatode. Der Prospekt der Firma Airco Coating Technology, A Division of the BOG Group, Inc. mit der Kennzeichnung ACT10110K988, weiterhin "Airco-Prospekt" genannt, beschreibt den Aufbau und die Arbeitsweise einer solchen an sich bekannten Sputteranlage mit einer rotierenden Magnetronkatode. Wie aus den Abbil­ dungen und den Text des Airco-Prospekts ersichtlich, rotiert genau genommen nur das zylindrisch oder rohrförmig geformte Target. Im Innern des Targets befindet sich das stationäre Magnetaggregat der Magnetronkatode.
Wesentliche Bestandteile einer solchen an sich bekannten Magnetronkatode sind unter anderem, siehe hierzu den Airco-Prospekt, neben dem rotierenden zylindrischen Target und dem stationären Magnetaggregat das Targetantriebssystem, ein Wasserkühlsystem, eine Vakuumkammer, in der sich unter anderem das rotierende Target und das Substrat befinden, und eine Energiever­ sorgungseinheit für die Katode. In der Praxis wird das Target als eine Schicht auf einem zum Beispiel aus Kupfer bestehendem Rohr aufgebracht. Das System, bestehend aus einer Targetschicht und Kupferrohr, rotieren vor dem brennenden Plasma.
Zum Stand der Technik gehört weiterhin die europäische Patentschrift 00 70 899. In dieser Schrift wird eine Vorrichtung zur Aufstäubung von dünnen Filmen eines ausgewählten Überzugsmaterials auf wesentlich planare Substrate, bestehend aus einer evakuierbaren Beschich­ tungskammer, einer in dieser Beschichtungskammer horizon­ tal angebrachten Katode mit einem länglichen, zylindri­ schen Rohrelement, auf dessen äußerer Fläche eine Schicht des zu zerstäubenden Überzugsmaterials aufgetragen worden ist, und Magnetmitteln, die in diesem Rohrelement angeord­ net werden, um eine sich in Längsrichtung davon erstreckende Zerstäubungszone vorzusehen, beschrieben.
Der Gegenstand der europäischen Patentschrift ist gekenn­ zeichnet durch Mittel zum Drehen dieses Rohrelements um seine Längsachse, um verschiedene Teile des Überzugs­ materials in eine Zerstäubungsstellung gegenüber den vorerwähnten Magnetmitteln und innerhalb der vorerwähnten Zerstäubungszone zu bringen, und durch in der Beschich­ tungskammer befindliche Mittel zum horizontalen Abstützen der Substrate und zum Transportieren dieser an den Magnet­ mitteln vorbei, damit diese Substrate das zerstäubte Material empfangen.
Rotierende Targets des Standes der Technik sind normaler­ weise als dünne rohrförmige Schichten auf einem Trägerrohr aufgebracht. Es besteht die Gefahr, daß derartige dünne Targetschichten in relativ kurzer Zeit durchgesputtert werden und zwar, weil die erodierende Wirkung des Plasmas lokal in bestimmten Bereichen stärker ist als in anderen Bereichen.
Das Durchsputtern kann unter Umständen dazu führen, daß selbst das Trägerrohr beschädigt wird, daß es zu einer Perforation des Trägerrohrs und damit zu Wassereinbrüchen kommt. Die Sputteranlage kann dadurch beschädigt oder zerstört werden. Weiterhin wird eine so auf dem Substrat gesputterte Schicht inhomogen.
Zum Stand der Technik gehört, daß die Konfiguration des Sputterplasmas und damit der Sputtergraben rennbahnähnlich ausgestaltet ist. Zwei lange Geraden sind über zwei Bögen oder zwei kurze Geraden miteinander verbunden. Diese kurzen Geraden werden auch als Querschenkel bezeichnet.
Wenn ein rotierendes Rohrtarget von einem derart ausge­ stalteten Plasma erodiert wird, dann sind während der Rotation diejenigen Zonen des rotierenden Targets zeitlich länger der Erosionswirkung ausgesetzt, die den Bögen oder kurzen Geraden des Plasmas gegenüberliegen. Dies erklärt sich aus der Geometrie der Rennbahn. Die Zonen des rotierenden Targets, die den Bögen oder kurzen Geraden des Plasmas gegenüberliegen, haben eine größere Verweils­ zeit in bezug auf das Plasma als die Zonen des rotierenden Targets, die den langen Geraden des Plasmas ausgesetzt sind.
In der Praxis führt dies zu Abtragprofilen mit unerwünsch­ ten, ringnutförmigen Vertiefungen im rotierenden Target, die bis oder in das Trägerrohr reichen. Ein vorzeitiger Targetaustausch ist notwendig. Die Targetausnutzung ist mangelhaft.
Der Erfindung liegen folgende Aufgaben zugrunde:
Die oben geschilderten Nachteile des Standes der Technik sollen vermieden werden. Es soll ein Arcing-armer Betrieb des rotierenden Targets bei hoher Targetausnutzung erzielt werden. Insbesondere soll an den Enden des rotierenden Targets kein Arcing auftreten. Auch bei reaktivem Betrieb soll das Verfahren stabil durchgeführt werden können. Trotz hoher Targetausnutzung soll ein Durchsputtern des Rohrtargets verhindert werden.
Die gestellten Aufgaben werden erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das für die Stärke und Formgebung des Plasmas maßgebende Magnetfeld, insbesondere die Geometrie des Magnetfelds, so variiert wird, daß eine Konfiguration des Erosionsgrabens entsteht, die auf dem rotierenden Target ein rechteckiges oder nahezu rechteckiges Abtrag­ profil mit steilen Erosionsflanken erzeugt.
Dabei kann vorgesehen werden, daß die Erosionswirkung des Plasmas im Bereich der Geraden und der Bögen bzw. Querschenkel der Rennbahn durch Veränderung des Magnet­ felds so variiert werden, daß ein rechteckiges oder nahezu rechteckiges Abtragprofil mit steilen Erosionsflanken auf dem rotierenden Target erzeugt wird.
Insbesondere wird vorgeschlagen, daß die Längen der Bögen bzw. Querschenkel der Rennbahn so variiert werden, daß ein rechteckiges oder nahezu rechteckiges Abtragprofil mit steilen Erosionsflanken auf dem rotierenden Target erzeugt wird.
Im Rahmen der Erfindung wird nachfolgend eine Reihe von Maßnahmen zur Variation des Magnetfelds vorgeschlagen:
Die Position mindestens eines Magneten wird geändert. Die Stärke mindestens eines Magneten wird geändert. Weiterhin kann die Anzahl der Magnete geändert werden. Außerdem wird vorgeschlagen, daß mindestens ein Perma­ nentmagnet durch einen Elektromagnet (stromdurchflossene Spule mit einem Eisenkern) in seiner Wirkung beeinflußt, gedrosselt oder unterstützt wird. Außerdem kann vorgesehen werden, daß mindestens ein Abstand zwischen Magnetpolen, daß der Abstand mindestens zweier Magnete zueinander oder daß der Abstand zwischen mindestens einem Magne­ ten und der Oberfläche des rotierenden Targets geändert wird.
Außerdem wird vorgeschlagen, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß die Winkelstellung mindestens eines Magneten zum rotierenden Target geändert wird, daß die Form mindestens eines Magnetpols geändert wird, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß an mindestens einem Magnetpol ein Shunt (magnetische Überbrückung zwischen Magnetpol und Magnetjoch) angeordnet wird oder daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß mindestens ein spezieller Polschuh am Magnet befestigt wird.
Durch die Erfindung werden folgende Vorteile erzielt:
Mit der Beseitigung der oben geschilderten Nachteile des Standes der Technik wird ein Arcing-armer Betrieb des rotierenden Targets bei hoher Targetausnutzung erzielt. Auch bei reaktivem Betrieb kann das Verfahren stabil durchgeführt werden. Trotz hoher Targetausnutzung wird ein Durchsputtern des Rohrtargets verhindert.
Weitere Einzelheiten der Erfindung, der Aufgabenstellung und der erzielten Vorteile sind der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung zu entnehmen.
Diese Ausführungsbeispiele werden anhand von acht Figuren erläutert.
Fig. 1 zeigt schematisch in einer Schnittdarstellung und in Seitenansicht einen Teil einer Sputteranlage mit rotierendem Target nach dem Stand der Technik.
Fig. 2 zeigt eine Schnittdarstellung entsprechend der Schnittlinie II-II der Fig. 1.
Fig. 3 und 4 zeigen die rennbahnähnliche Form des Plasmas bzw. des Erosionsgrabens.
Fig. 5 bis 7 zeigen verschiedene Abtragprofile.
Fig. 8 zeigt in schematischer Darstellung ein rotierendes Target und ein Magnetaggregat, bestehend aus zwei Magneten.
Bei der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbei­ spiele der Erfindung wird von einem Stand der Technik ausgegangen, wie er sich in Form der oben zitierten Schriften darstellt.
Die Beschreibungen und die Figuren dieser Schriften können zur Erläuterung der Ausgangsbasis für die nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung herange­ zogen werden.
In Fig. 1 ist ein Teil einer Sputteranlage, wie sie zum Stand der Technik gehört, dargestellt. Es handelt sich um einen Typ, wie er mit seinen Einzelheiten in der Airco-Prospekt-Zeichnung gezeigt wird.
Zu einer derartigen an sich bekannten Sputteranlage gehört ein rotierendes Target, ein Targetantriebssystem, das Magnetaggregat eines Magnetrons, eine Kühlwasserversorgung für das rotierende Target, eine Energieversorgung für die Katode und eine Vakuumkammer. Innerhalb der Vakuumkammer befinden sich unter anderem das rotieren­ de Target und ein Substrat, auf dem während des Sputter­ prozesses eine Schicht aus Sputtermaterial aufwächst.
Im rohrförmigen rotierenden Target herrscht atmosphäri­ scher Druck. Außerhalb des rotierenden Targets herrscht Vakuum.
Weitere Einzelheiten zu den bekannten Sputteranlagen mit rotierendem Target sind dem Airco-Prospekt, und der oben genannten europäischen Patentschrift 00 70 899 zu entnehmen.
Die Sputteranlage nach dem Stand der Technik, wie sie in Fig. 1 im Bereich des rotierenden Targets gezeigt wird, weist neben einem rotierenden Target 1 ein rotieren­ des Targetträgerrohr 2 für das rotierende Target auf. Mit 3 und 4 sind Teile der Wände der Vakuumkammer bezeich­ net. Mit Hilfe der Rohrstücke 5 und 6, die gegenüber den Wänden der Vakuumkammer durch die Dichtungen 13, 14 abgedichtet sind, wird das rotierende Target gelagert.
Außerdem dienen diese Rohrstücke zur Leitung des Kühlme­ diums. Das anströmende Kühlmedium, beispielsweise Wasser, wird durch den Pfeil 7 und das abströmende Kühlmedium durch den Pfeil 8 dargestellt. Im Innenraum des rohrförmi­ gen, rotierenden Targetträgerrohrs, der in seiner Gesamt­ heit mit 9 bezeichnet ist, befindet sich das Magnetaggre­ gat 10 des Magnetrons. Zur Kühlung wird das Magnetaggregat mit Wasser 11 umspült.
Die Position des Plasmas ist in Fig. 1 mit 12 bezeichnet.
Fig. 2 zeigt das Schnittbild des Gegenstands der Fig. 1 gemäß der Schnittlinie II-II. Aus Fig. 2 sind das rotierende Target und das Targetträgerrohr zu erkennen. Vom Magnetaggregat sind die Magnete 15, 16, 17, 18 zu erkennen, sowie die dazugehörenden Magnetjoche 19 und 20. 21 ist ein Halteelement.
Wie in den Schriften zum Stande der Technik beschrieben, rotieren das Target 1 und das Targetträgerrohr 2, während das Magnetaggregat mit seinen Magneten 15, 16, 17, 18 und seinem Halteelement 21 stationär angeordnet ist.
In Fig. 3 ist die rennbahnähnliche Form des Erosions­ grabens auf dem rotierenden Target 47 bzw. des Plasmas dargestellt. Die beiden langen Geraden tragen die Bezugs­ ziffern 22 und 23. Die, die beiden langen Geraden verbin­ denden Geraden, auch Bögen oder Querschenkel genannt, tragen die Bezugsziffern 24, 25.
Ein Punkt 26 auf dem rotierenden Target 47, der in Richtung des Pfeils 27 durch die Einwirkungszone des Plasmas bewegt wird, hat eine längere Verweilszeit im Sputterprozess als ein Punkt 28, der in Richtung des Pfeils 29 durch die Einwirkungszonen 23 und 22 des Plasmas geführt wird. Demzufolge entsteht ein Abtragprofil 35 (schraffierte Fläche), wie es in Fig. 5 gezeigt wird.
Die oben erwähnten Punkte 26 und 28 auf der Targetober­ fläche 47 sind symbolisch in Fig. 5 ebenfalls mit 26 und 28 bezeichnet. Fig. 5 zeigt eine Hälfte eines rotierenden Targets 44.
Die ringnutförmigen Vertiefungen 30, 31 in der erodierten Oberfläche des rotierenden Targets 44 sind unerwünscht. Sie können, wie oben dargestellt, das Trägerrohr errei­ chen. Unter ungünstigen Umständen wird selbst das Träger­ rohr durchgesputtert und es kommt zu einem Wassereinbruch, denn das Trägerrohr ist, wie im Zusammenhang mit den Fig. 1 und 2 beschrieben, gleichzeitig Aufnahmebehälter für das Kühlwasser.
Ein weiteres unerwünschtes Abtragprofil eines rotierenden Targets 45 wird in Fig. 6 dargestellt.
Die Flanken des Abtragprofils 32 (schraffierte Fläche), die mit 33 und 34 bezeichnet sind, sind flach ausgestal­ tet. Die Targetausnutzung ist daher mangelhaft.
Fig. 7 zeigt ein Abtragprofil eines rotierenden Targets 46, wie es durch die Erfindung angestrebt wird. Dieses Abtragprofil 36 (schraffierte Fläche) ist im wesentlichen rechteckig. Es werden steile Abtragflanken 37, 38 angestrebt.
Zur Erreichung dieses rechteckigen oder nahezu rechtecki­ gen Abtragprofils 36 werden durch die Erfindung mehrere Maßnahmen vorgeschlagen, die im wesentlichen in einer Optimierung des für das Plasma maßgebenden Magnetfelds bestehen. Diese Optimierung erfolgt experimentell.
In Fig. 4 wird dargestellt, daß durch die Veränderung der Länge der Querschenkel 39, 40 des rennbahnahnlichen Plasmas die erodierende Wirkung der Querschenkel des Plasmas auf das rotierende Target so variiert wird, daß sie gleich der erodierenden Wirkung der beiden Geraden 41, 42 des rennbahnähnlichen Plasmas ist. Die Länge der Querschenkel 39, 40 ist mit dem Maß 43 bezeichnet. Durch Experimente wird herausgefunden, bei welchem Maß 43 ein Abtragprofil erzeugt wird, das dem Abtragprofil 36 der Fig. 7 entspricht.
Weiter oben wurde beschrieben, welche Maßnahmen in weiteren Ausführungsbeispielen der Erfindung getroffen werden können, um ein Abtragprofil zu erzeilen, wie es in Fig. 7 gezeigt und mit Bezugsziffer 36 bezeichnet ist.
In Fig. 8 wird gezeigt, wie durch Veränderung des Abstands 49 zwischen zwei Magneten 50, 51 das Abtragprofil optimiert werden kann.
Eine alternative oder zusätzliche Maßnahme kann darin bestehen, daß die Abstände 54, 60 zwischen dem Magnetpol 52 und dem Magnetpol 53 bzw. zwischen dem Magnetpol 61 und dem Magnetpol 62 verändert werden.
Weiterhin wird im Rahmen der Erfindung vorgeschlagen, daß der Abstand 55 zwischen den Magnetpolen und der Targetoberfläche 56 variiert wird. Das Target selbst ist in Fig. 8 mit 57 bezeichnet, das Targetträgerrohr trägt die Bezugsziffer 58.
Eine weitere Maßnahme zur Variation des Magnetfelds besteht in der Anordnung eines Shunts zwischen einem Magnetpol und dem zugeordneten Magnetjoch. So ist beispielsweise in Fig. 8 ein Shunt 59 dargestellt, der den Magnetpol 52 und das Magnetjoch 50 überbrückt.
Liste der Einzelteile
 1 rotierendes Target
 2 Trägerrohr
 3 Wand
 4 Wand
 5 Rohrstück
 6 Rohrstück
 7 Pfeil
 8 Pfeil
 9 Innenraum
10 Magnetaggregat
11 Wasser
12 Plasmaposition, Plasma
13 Dichtung
14 Dichtung
15 Magnet
16 Magnet
17 Magnet
18 Magnet
19 Magnetjoch
20 Magnetjoch
21 Halteelement
22 lange Gerade
23 lange Gerade
24 Bogen, kurze Gerade, Querschenkel
25 Bogen, kurze Gerade, Querschenkel
26 Punkt
27 Pfeil
28 Punkt
29 Pfeil
30 Vertiefung
31 Vertiefung
32 Abtragprofil
33 Flanke
34 Flanke
35 Abtragprofil
36 Abtragprofil
37 Flanke
38 Flanke
39 Querschenkel
40 Querschenkel
41 Gerade
42 Gerade
43 Maß
44 rotierendes Target
45 rotierendes Target
46 rotierendes Target
47 rotierendes Target
48 rotierendes Target
49 Abstand
50 Magnetjoch bzw. Magnet
51 Magnetjoch bzw. Magnet
52 Magnetpol
53 Magnetpol
54 Abstand
55 Abstand
56 Targetoberfläche
57 Target
58 Targetträgerrohr
59 Shunt
60 Abstand
61 Magnetpol
62 Magnetpol

Claims (14)

1. Verfahren zur Erzeugung eines homogenen Abtragprofils auf einem rotierenden Target, das insbesondere die Form eines Rohrs hat, einer Sputtervorrichtung, die vorzugs­ weise mit einer Magnetronkatode ausgerüstet ist, wobei das Plasma und der durch das Plasma erzeugte Erosions­ graben die Form einer Rennbahn mit zwei langen Geraden und mit zwei Bögen bzw. Querschenkeln, die die beiden langen Graben miteinander verbinden, haben, dadurch gekennzeichnet, daß das für die Stärke und Formgebung des Plasmas maßgebende Magnetfeld, insbesondere die Geometrie des Magnetfelds, so variiert wird, daß eine Konfiguration des Erosionsgrabens entsteht, die auf dem rotierenden Target ein rechteckiges oder nahezu recht­ eckiges Abtragprofil (36) mit steilen Erosionsflanken (37, 38) erzeugt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erosionswirkung des Plasmas im Bereich der Geraden (22, 23) und der Bögen bzw. Querschenkel (24, 25) der Rennbahn durch Veränderung des Magnetfelds so variiert werden, daß ein rechteckiges oder nahezu rechteckiges Abtragprofil (36) mit steilen Erosionsflanken (37, 38) auf dem rotierenden Target (47) erzeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Längen (43) der Bögen bzw. Querschenkel (39, 40) der Rennbahn durch Veränderung des Magnetfelds so variiert werden, daß ein rechteckiges oder nahezu recht­ eckiges Abtragprofil (36) mit steilen Erosionsflanken (37, 38) auf dem rotierenden Target (48) erzeugt wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß die Position mindestens eines Magnets geändert wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß die Stärke mindestens eines Magnets geändert wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß die Anzahl der Magnete geändert wird.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß mindestens ein Permanentmagnet durch einen Elektromagnet (stromdurch­ flossene Spule mit einem Eisenkern) in seiner Wirkung beeinflußt, unterstützt oder gedrosselt wird.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß mindestens ein Abstand (54) zwischen Magnetpolen (52, 53) geändert wird.
9. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß der Abstand (49) mindestens zweier Magnete (50, 51) zueinander geändert wird.
10. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß der Abstand (55) zwischen mindestens einem Magneten (50) und der Oberfläche (56) des rotierenden Targets geändert wird.
11. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß die Winkelstellung mindestens eines Magneten zum rotierenden Target geändert wird.
12. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß die Form mindestens eines Magnetpols geändert wird.
13. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß an mindestens einem Magnetpol (52) ein Shunt (59) (magnetische Überbrückung zwischen Magnetpol und Magnetjoch) angeordnet wird.
14. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Variation des Magnetfelds dadurch erfolgt, daß mindestens ein spezieller Polschuh am Magnet befestigt wird.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996021750A1 (en) * 1995-01-12 1996-07-18 The Boc Group, Inc. Rotatable magnetron with curved or segmented end magnets
WO1999054911A1 (en) * 1998-04-16 1999-10-28 Sinvaco N.V. Means for controlling target erosion and sputtering in a magnetron
WO2012066079A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-24 Bekaert Advanced Coatings Soft sputtering magnetron system
DE102012203152A1 (de) * 2012-02-29 2013-08-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum reaktiven Magnetronsputtern einer transparenten Metalloxidschicht
DE102012106403A1 (de) * 2012-07-17 2014-01-23 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Reaktives Magnetronsputtern zur Beschichtung von Substraten und Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens
DE102012111186A1 (de) 2012-11-20 2014-05-22 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer Magnetron-Entladung
DE102013114118A1 (de) 2013-12-16 2015-07-02 Von Ardenne Gmbh Plasmabehandlungsvorrichtung
CN114250439A (zh) * 2021-12-13 2022-03-29 华虹半导体(无锡)有限公司 磁控溅射方法
CN115287613A (zh) * 2018-04-26 2022-11-04 京浜乐梦金属科技株式会社 溅射阴极、溅射阴极组件、以及溅射装置
CN117344279A (zh) * 2023-10-31 2024-01-05 华中科技大学 一种用于大面积薄膜制备的磁控系统
CN118854241A (zh) * 2024-09-26 2024-10-29 江苏皓兮数智能源技术开发有限公司 一种旋转靶磁控溅射装置及控制方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19953470A1 (de) * 1999-11-05 2001-05-23 Heraeus Gmbh W C Rohrtarget
DE10234858A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Einrichtung zur Erzeugung einer Magnetron-Entladung
US7842355B2 (en) 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
DE102009005512B4 (de) 2009-01-20 2017-01-26 Von Ardenne Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Rohrmagnetronanordnung zum Sputtern
DE102014110412A1 (de) * 2014-07-23 2016-01-28 Von Ardenne Gmbh Magnetron-Anordnung und Beschichtungsanordnung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD217964A3 (de) * 1981-10-02 1985-01-23 Ardenne Manfred Einrichtung zum hochratezerstaeuben nach dem plasmatronprinzip

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD217964A3 (de) * 1981-10-02 1985-01-23 Ardenne Manfred Einrichtung zum hochratezerstaeuben nach dem plasmatronprinzip

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996021750A1 (en) * 1995-01-12 1996-07-18 The Boc Group, Inc. Rotatable magnetron with curved or segmented end magnets
WO1999054911A1 (en) * 1998-04-16 1999-10-28 Sinvaco N.V. Means for controlling target erosion and sputtering in a magnetron
US6375814B1 (en) * 1998-04-16 2002-04-23 Sinvaco N.V. Magnetron with parallel race track and modified end portions thereof
US9394603B2 (en) 2010-11-17 2016-07-19 Soleras Advanced Coatings Bvba Soft sputtering magnetron system
WO2012066079A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-24 Bekaert Advanced Coatings Soft sputtering magnetron system
DE102012203152A1 (de) * 2012-02-29 2013-08-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum reaktiven Magnetronsputtern einer transparenten Metalloxidschicht
DE102012106403A1 (de) * 2012-07-17 2014-01-23 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Reaktives Magnetronsputtern zur Beschichtung von Substraten und Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens
DE102012106403B4 (de) 2012-07-17 2019-03-28 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren zum reaktiven Magnetronsputtern zur Beschichtung von Substraten
DE102012111186A1 (de) 2012-11-20 2014-05-22 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer Magnetron-Entladung
DE102012111186B4 (de) * 2012-11-20 2017-01-26 Von Ardenne Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer Magnetron-Entladung
DE102013114118A1 (de) 2013-12-16 2015-07-02 Von Ardenne Gmbh Plasmabehandlungsvorrichtung
DE102013114118B4 (de) 2013-12-16 2018-09-06 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Plasmabehandlungsvorrichtung
CN115287613A (zh) * 2018-04-26 2022-11-04 京浜乐梦金属科技株式会社 溅射阴极、溅射阴极组件、以及溅射装置
CN114250439A (zh) * 2021-12-13 2022-03-29 华虹半导体(无锡)有限公司 磁控溅射方法
CN117344279A (zh) * 2023-10-31 2024-01-05 华中科技大学 一种用于大面积薄膜制备的磁控系统
CN118854241A (zh) * 2024-09-26 2024-10-29 江苏皓兮数智能源技术开发有限公司 一种旋转靶磁控溅射装置及控制方法
CN118854241B (zh) * 2024-09-26 2025-08-12 江苏皓兮数智能源技术开发有限公司 一种旋转靶磁控溅射装置及控制方法

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DE4117367C2 (de) 1999-11-04

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