DE4010823A1

DE4010823A1 - Modensynchronisierter halbleiterlaser

Info

Publication number: DE4010823A1
Application number: DE19904010823
Authority: DE
Inventors: Heinz Dipl Phys Dr Schweizer; Michael Dipl Phys Schilling; Kaspar Dipl Phys Duetting
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1990-04-04
Filing date: 1990-04-04
Publication date: 1991-10-10

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen monolitisch integrierten, modensynchronisierten Halbleiterlaser, der einen Laseraktiven Bereich zur Erzeugung von Lichtpulsen und einen Wellenleiterbereich zur Ausbreitung der Lichtpulse aufweist.

Die Erfindung bezieht sich ebenfalls auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterlasers.

Unter aktiver Modensynchronisation wird ein resonanzähnliches Phänomen verstanden; dabei wird ein Halbleiterlaser mit einer Frequenz moduliert, die dem Kehrwert der Umlaufzeit eines Lichtpulses in dem Halbleiterlaser entspricht. Die aktive Modensynchronisation von Halbleiterlasern ist eine Technik, die für die Erzeugung von Lichtpulsen sehr kurzer Dauer geeignet ist. Solche Lichtpulse sind von Bedeutung für Nachrichtenübertragungssysteme, die im Gigahertz-Bereich arbeiten. Modensynchronisierte Halbleiterlaser bieten die Möglichkeit, Nachrichten mit Geschwindigkeiten zu überragen, die merklich über den höchsten Frequenzen liegen, bei denen Halbleiterlaser mit bekannten Techniken direkt moduliert werden können.

Für die Nachrichtenübertragung werden Lichtpulse oder Folgen von Lichtpulsen zeitlich unterschiedlich über Verzögerungsstrecken verzögert, anschließend in Modulatoren moduliert und zu einem Multiplexrahmen zusammengefügt. Die Lichtpulse derartiger Halbleiterlaser lassen sich ebenfalls für die Meßtechnik verwenden, insbesondere, wenn Frequenzen oberhalb von 20 GHz gemessen werden sollen. Ebenso dienen solche Halbleiterlaser zur Ansteuerung optischer Korrelatoren für die Adressencodierung von Einzelbits oder zur Codierung von Bitgruppen (Headercodierung).

Aus dem Programm der "47th Annual Device Research Conference", Juni 1989, Cambridge (Massachusetts), Seite IIIA-4, ist ein Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bekannt. Er enthält Schichten aus Gallium-Indium-Arsenid-Phosphid. Er weist einen laseraktiven Bereich auf, in dem die optischen Impulse entstehen. Diese werden anschließend in einem sogenannten aktiven, d. h. durch eine Stromquelle gesteuerten Wellenleiterbereich bis zur seitlichen Begrenzung des Halbleiterlasers transportiert, wo sie teilweise reflektiert, teilweise emittiert werden. Der reflektierte Anteil der Lichtpulse wird phasenrichtig durch den laseraktiven Bereich wieder verstärkt. Dieser Halbleiterlaser weist außerdem einen sogenannten aktiven Absorberbereich auf, der zur passiven Modensynchronisation dient. Unerwünschte Lichtpulse der doppelten Wiederholungsfrequenz lassen sich durch Abstimmung zwischen der Verstärkung in der laseraktiven Zone und der Lichtabsorption in dem Absorberbereich unterdrücken.

Derartige Halbleiterlaser weisen jedoch das Problem auf, daß ihre Länge durch die Herstellung technologischen Schwankungen unterworfen ist. Aufgrund dessen stellt sich in ihnen eine Wiederholungsfrequenz der Lichtpulse ein, die von der gewünschten Wiederholungsfrequenz abweicht.

Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen Halbleiterlaser der eingangs genannten Art zu schaffen, in dem bei vorgegebener Wiederholungsfrequenz der Lichtpulse die von der optischen Länge des Halbleiterlasers abhängige Umlaufdauer des Laserlichtes in dem Halbleiterlaser abstimmbar ist. Außerdem soll ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlasers geschaffen werden.

Die Aufgabe wird bei einem Halbleiterlaser der genannten Art gelöst, wie in Patentanspruch 1 angegeben. Aus den Unteransprüchen ergeben sich weitere Ausbildungen der Erfindung.

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers der genannten Art wird sie gelöst, wie in Patentanspruch 6 angegeben.

Vorteilhaft an der Erfindung ist, daß sich durch Abstimmung der optischen Länge auf die vorgesehene Wiederholungsfrequenz der Lichtpulse technologische Schwankungen bei der Herstellung der Halbleiterlaser innerhalb einer gewissen Bandbreite von z. B. einigen Promille ausgleichen lassen. Umgekehrt läßt sich bei einem ausgewählten, einzigen Halbleiterlaser die Wiederholungsfrequenz innerhalb derselben Bandbreite frei wählen, wenn die Umlaufdauer durch Abstimmung der optischen Länge entsprechend eingestellt wird.

Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispielsweise erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterlasers und des Eingangsteils eines Mach-Zehnder-Interferometers und

Fig. 2 eine Draufsicht des Halbleiterlasers und des Mach-Zehnder-Interferometers.

Zur Erläuterung der Herstellungsschritte des Halbleiterlasers nach Fig. 1 zeigen:

Fig. 3 und 4 perspektivische Ansichten,

Fig. 5 eine Draufsicht,

Fig. 6 bis 9 perspektivische Ansichten und

Fig. 10 eine Querschnittsansicht des Halbleiterlasers aus Fig. 1.

Ein Halbleiterlaser 1 (Fig. 1) ist zusammen mit einem Mach-Zehnder-Interferometer 2, von dem in Fig. 1 nur der Eingangsteil 3 dargestellt ist, auf einem n-leitenden Indiumphosphid-Substrat 4 monolitisch integriert. Das Mach-Zehnder-Interferometer 2 dient sowohl zur Messung der Wiederholungsfrequenz als auch zur Amplitudenmodulation des von dem Halbleiterlaser 1 in Längsrichtung ausgesandten Laserlichts. Allgemein sind auch andere Modulatoren, insbesondere andere Interferometer, z. B. Sagnac-Interferometer, zur Modulation des Laserlichtes denkbar. Halbleiterlaser und Modulator können auch in hybrider Bauweise aufgebaut sein. Für die monolitische Integration können außer n-leitendem Indiumphosphid auch andere Substrate in Frage kommen.

Im Bereich des Halbleiterlasers 1 ist das Indiumphosphid-Substrat 4 von einer Pufferschicht 5 aus n-leitendem Indiumphosphid bedeckt. Sie bildet gleichzeitig die Sockelschicht einer Mesa 6, die sich im Inneren des Halbleiterlasers 1 in Lichtausbreitungsrichtung erstreckt. Oberhalb der Puffer-Schicht 5 liegt eine Schicht 7, die den optischen Wellenleiter bildet und sich in Lichtausbreitungsrichtung über die gesamte Länge des Halbleiterlasers 1 erstreckt; sie besteht aus einer quarternären Halbleiterverbindung, z. B. aus Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid oder Indium-Gallium-Aluminium-Arsenid. Die Schicht 7 kann, statt aus einem einzigen Material zu bestehen, aus als eine Folge übereinanderliegender Schichten nach Art einer Multi-Quantum-Well-Struktur ausgebildet sein. Dabei können im Wechsel Schichten aus Indium-Gallium-Arsenid und Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid oder aus Indium-Gallium-Aluminium-Arsenid und Indium-Aluminium-Arsenid übereinanderliegen. Zu der dem Mach-Zehnder-Interferometer 2 zugewandten Seite des Halbleiterlasers 1 hin bildet die Schicht 7 über eine bestimmte Strecke die oberste Schicht der Mesa 6.

Zu der von dem Mach-Zehnder-Interferometer 2 abgewandten Seite des Halbleiterlasers 1 hin weist die Mesa 6 oberhalb der Schicht eine dünne Schicht 8 auf, die aus Indiumphosphid besteht. Sie hat keine Bedeutung für den Betrieb des Halbleiterlasers 1, wird jedoch bei der Herstellung als Ätzstopschicht verwandt, weil sie verhindert, daß eine von oben einwirkende Ätzlösung die unter ihr liegende Schicht 7 zerstört. Über der Schicht 8 befindet sich ein laseraktiver Bereich 9. Er besteht ebenfalls aus einer quarternären Halbleiterverbindung, z. B. aus Indium-Gallium-Arsenid-Phosphid. Dabei weisen die III-Elemente zueinander und die V-Elemente zueinander ein anderes Mischungsverhältnis auf, derart, daß die Bandabstandsenergie in dem Bereich 9 kleiner ist als in der Schicht 7. Der Bereich 9 kann sich ebenfalls aus Multi-Quantum-Well-Schichten zusammensetzen. Eine Schicht 10 aus p-dotiertem Indiumphosphid bildet die Deckschicht der Mesa 6 in diesem Bereich.

Oberhalb der Schicht 7 liegt, in Längsrichtung betrachtet, in einem mittleren Bereich ein Bereich 11 aus semiisolierendem Indiumphosphid, dessen Oberfläche mit der Oberfläche der Schicht 10 eine gemeinsame Ebene bildet. Mit Ausnahme eines Teils der Oberfläche des Bereichs 11 werden die Längsseiten und die Oberfläche der Mesa 6 von einem Bereich 12 bedeckt, der aus p-leitendem Indiumphosphid aufgebaut ist. Daß der Bereich 12 den Bereich 11 im wesentlichen nicht bedeckt, dient dazu, Bereiche 13, 14 zu beiden Längsenden der Mesa 6 zu erzeugen, die elektrisch voneinander isoliert sind. Die Bereiche 13 und 14 werden jeweils von einer Kontaktschicht 15 aus p-leitendem Indium-Gallium-Arsenid bedeckt. Die Schicht 15 ihrerseits wird von einer Schutzschicht 16 aus Siliziumdioxid bedeckt. Sowohl innerhalb des Bereiches 13 als auch innerhalb des Bereiches 14 wird die Schutzschicht 16 durch metallische Schichten 17, 18 durchbrochen, die als elektrische Kontakte dienen. Unterhalb des Indiumphosphid-Substrats 4 befindet sich eine Metallschicht 19, die ebenfalls als elektrischer Kontakt dient. Vorteilhaft wird die Metallschicht 19 als Massekontakt verwandt.

Wenn der Halbleiterlaser 1 in Betrieb ist, wird über den von der Schicht 17 gebildeten Kontakt ein Laserstrom I_L zugeführt. Der Laserstrom I_L weist einen Gleich- und einen Wechselstromanteil auf; dabei wird die Stärke des Gleichstromanteils vorteilhaft so gewählt, daß sie sich unmittelbar unterhalb der Laserschwelle befindet. Wenn dann ein zusätzlicher Wechselstrom angelegt wird, entstehen in den laseraktiven Bereich 9 Lichtpulse, die sich in der Schicht 7 fortpflanzen. Sie werden in den Querseiten reflektiert. Dabei kann die Querseite, die den Bereich 13 abschließt, vollständig verspiegelt sein, während die dem Mach-Zehnder-Interferometer 2 zugewandte Querseite, die den Bereich 14 abschließt, teilweise verspiegelt ist. Wenn nun die durch die Länge des Halbleiterlasers 1 und die optischen Eigenschaften der Schicht 7 vorgegebene Umlauffrequenz des jeweils reflektierten Anteils der Lichtpulse mit der Frequenz des Wechselstroms übereinstimmt, lassen sich die Lichtpulse stets phasengetreu verstärken.

Die Form der Lichtpulse bestimmt sich durch die Form des Wechselstromanteils, der sich aus mehreren Fourier-Komponenten zusammensetzen kann. Der Bereich 11 bildet zusammen mit dem Indiumphosphid-Substrat 4, der Pufferschicht 5 und der Schicht 7 einen Absorberbereich.

Die Nutzung als passiver Absorberbereich geschieht dann, wenn sich die Bandabstandsenergie der Schicht 7 nur wenig von der Bandabstandsenergie des Bereiches 9 unterscheidet. Als aktiver Absorberbereich dient er, wenn durch ihn ein Strom senkrecht zur Ausbreitungsrichtung der Lichtpulse fließt. In diesem Fall müßte der Bereich 11 auf seiner Oberseite mit einem elektrischen Kontakt versehen sein. Wenn die Energie der Photonen in der Schicht 7 größer ist als das chemische Potential des Elektron-Loch-Plasmas in dem Bereich 9, erscheint der Absorberbereich transparent, andernfalls absorbiert er die Lichtpulse.

Die optische Länge des Halbleiterlasers 1 hingegen läßt sich in dem Bereich 14 durch Anlegen eines Stromes I_A zwischen der Schicht 18 und der Metallschicht 19 verändern. Der Bereich 14 wird deshalb auch als Abstimmbereich bezeichnet. Diese Abstimmöglichkeit hat zwei Vorteile: Durch sie lassen sich technologisch bedingte Schwankungen bei der Herstellung des Halbleiterlasers 1 auffangen. So kann man z. B. von einer relativen Längenstreuung von ± 8‰ ausgehen. Umgekehrt läßt sich bei einer fest vorgegebenen Gesamtlänge des Halbleiterlasers 1 die Umlauffrequenz innerhalb der gleichen Schwankungsbreite verändern. Aufgrund der Ladungsträgerinjektion in den Bereich 14 durch den Strom I_A läßt sich ebenfalls die Pulsform der Lichtpulse beeinflussen. Auf diese Weise läßt sich u. U. auf eine Pulsformung in einem sättigbaren Absorberbereich verzichten.

Der Strom I_A fließt in dem Halbleiterlaser 1 senkrecht zur Ausbreitungsrichtung der Lichtpulse, da sich die Schicht 18 und die Metallschicht 19, die die Elektroden bilden, übereinander befinden.

Die Elektroden können auch an anderen Stellen auf der Oberfläche des Halbleiterlasers 1 angebracht sein, außer an der Stelle, an der die Lichtpulse aus dem Wellenleiter nach außen emittiert werden. Es muß nur gewährleistet sein, daß der Strom in irgendeiner Richtung, außer der Ausbreitungsrichtung der Lichtpulse, durch den Wellenleiter hindurchgeht.

Ein den emittierten Anteil der Lichtpulse aufnehmender Modulator, wie das hier dargestellte Mach-Zehnder-Interferometer 2, kann entweder in monolithischer Bauweise auf dem gleichen Substrat integriert sein oder hybrid hergestellt werden. Es lassen sich neben dem Halbleiterlaser 1 auch mehrere Modulatoren und andere optische Bauelemente, z. B. Verzögerungselemente, auf dem gleichen Substrat integrieren. Das Mach-Zehnder-Interferometer 2 weist eine Schicht 20, eine Schicht 200, eine Schicht 21 sowie eine Schicht 22 auf, die jeweils der Pufferschicht 5, der Schicht 7, dem Bereich 12 und der Kontaktschicht 15 des Halbleiterlasers 1 entsprechen und so aufgebaut sind wie diese. Daher lassen sich diese Schichten des Halbleiterlasers 1 und des Mach-Zehnder-Interferometers 2 gleichzeitig in den entsprechenden Dotier- und Epitaxieschritten herstellen.

Zwischen dem Halbleiterlaser 1 und dem Mach-Zehnder-Interferometer 2 ist oberhalb des Indiumphosphid-Substrats 4 ein Übergangsbereich 23. Das Mach-Zehnder-Interferometer 2 (Fig. 2) weist neben seinem Eingangsteil 3 zwei Arme 24, 25 sowie ein Ausgangsteil 26 auf. Zur Modulation der Lichtpulse kann z. B. einer der beiden Arme 24, 25 eine Laufzeitverzögerung der Lichtpulse gegenüber dem anderen Arm 25, 24 verursachen. Die Laufzeitverzögerung wird entweder, lithographisch bedingt, durch unterschiedliche optische Dichte in den beiden Armen 24, 25 oder durch Anlegen eines elektrischen Feldes an einen der beiden Arme 24, 25 bewirkt. Dadurch entsteht im Ausgangsteil 26 ein amplitudenmoduliertes optisches Signal.

Wenn die den Halbleiterlaser 1 verlassenden Lichtpulse entweder einem ersten Mach-Zehnder-Interferometer unverzögert und (n-1) weiteren Mach-Zehnder-Interferometern um eine Verzögerungszeit von jeweils 1, 2, 3, ... (n-1) zugeführt werden, anschließend amplitudenmoduliert wieder zusammengeführt werden, so entsteht aus ihnen ein Zeitmultiplexrahmen.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Halbleiterlaser eine Steuerschaltung zur Steuerung des Stromes I_A aufweist. Das Mach-Zehnder-Interferometer 2 läßt sich zur Messung der Umlauffrequenz der Lichtpulse in dem Halbleiterlaser 1 nutzen, indem z. B. die Laufzeit der Lichtpulse in dem Arm 24 des Mach-Zehnder-Interferometers 2 gegenüber der in dem Arm 25 so verstimmt wird, daß die Transmissionsamplitude zweier sich in dem Ausgangsteil 26 überlagernder Lichtpulse maximal wird.

In diesem Fall ist die Amplitude ein Maß für die Wiederholungsfrequenz der Lichtpulse, aus der in einem Subtrahierer die Differenz zu einer vorgegebenen Soll-Wiederholungs-Frequenz erzeugt wird. Die Differenz wird dann der Steuerschaltung zugeführt, die aufgrund dessen den Strom I_A ändert oder ihn beläßt. Sofern dieser Vorgang kontinuierlich abläuft, bilden der Halbleiterlaser 1, das Mach-Zehnder-Interferometer 2, der Subtrahierer und die Steuerschaltung eine Regelschleife.

Die Transmissionsamplitude läßt sich ebenfalls nutzen, um mittels einer Änderung des Wechselstromanteils des Laserstromes I_L die Wiederholungsfrequenz der Lichtpulse zu ändern.

Es lassen sich auch mehrere Halbleiterlaser 1 nebeneinander anordnen, insbesondere auf einem einzigen Substrat. Wenn diese Halbleiterlaser 1 geringfügig voneinander abweichende optische Längen haben, dann lassen sich die Wiederholungsfrequenzen der jeweils von ihnen ausgesandten Lichtpulse durch Anlegen entsprechender Ströme I_A ausgleichen. Auch diese Ströme I_A lassen sich durch Bestimmung-der Transmissionsamplituden in einem Interferometer oder in mehreren Interferometern steuern, wenn eine Referenzlichtquelle vorhanden ist, die Lichtpulse einer vorgegebenen Wiederholungsfrequenz liefert und diese Lichtpulse ebenfalls das Interferometer bzw. die Interferometer durchlaufen.

Anstelle des Halbleiterlasers 1, in dem der laseraktive Bereich 7 oberhalb des optischen Wellenleiters liegt, können ein laseraktiver Bereich und ein Wellenleiter auch hintereinander angeordnet sein, so daß dann die Lichtpulse in einem Bereich hin- und herreflektiert werden, der sowohl aus dem laseraktiven Bereich als auch aus dem Wellenleiter besteht.

In einem anderen Aufbau können laseraktiver Bereich und Wellenleiter auch über die ganze Länge des Halbleiterlasers nebeneinander angeordnet sein.

Der Halbleiterlaser 1 (Fig. 3) wird hergestellt, indem in einem ersten Epitaxieschritt auf dem Substrat 4 nacheinander die Pufferschicht 5, die Schicht 7, die Schicht 8 als Ätzstopschicht sowie eine Schicht, aus der später der laseraktive Bereich 9 hergestellt wird, und eine Schicht 10 abgeschieden werden.

Nach Aufbringen einer Schicht 27 (Fig. 4) aus Siliziumdioxid wird lithographisch aus der Schicht 27 ein Streifen in Längsrichtung, z. B. der 011-Richtung des n-leitenden Indiumphosphid-Substrats 4, hergestellt und anschließend die Mesa 6 geätzt.

Der Bereich 13 und mit ihm der laseraktive Bereich 9 entstehen, indem die Schichten 8, 9, 10 und 27 in einem nicht durch einen Photolack abgedeckten Bereich 28 (Fig. 5) nacheinander weggeätzt werden. Die Schicht 8 (Fig. 6) wird in einem gesonderten Ätzschritt durch ein Ätzmittel entfernt, das spezifisch nur diese Schicht 8 angreift.

In einem zweiten Epitaxieschritt (Fig. 7) wird innerhalb des Bereiches 13 seitlich der Mesa 6 und außerhalb des Bereiches 13 auch oberhalb der Mesa 6 semiisolierendes Indiumphosphid 29 abgeschieden. Die Schicht 27 bleibt dabei unbedeckt. Die Bereiche 11 und 14 (Fig. 8) werden dadurch definiert, daß oberhalb der Bereiche 11 und 13 ein Lack aufgebracht wird und indem anschließend das semiisolierende Indiumphosphid 29 durch Ätzen entfernt wird. Dadurch wird nun in dem Bereich 14 die Schicht 7 wieder freigelegt. Anschließend werden der Lack und die Schicht 27 entfernt.

In einem dritten Epitaxieschritt (Fig. 9) werden die Bereiche 11, 13 und 14 durch p-leitendes Indiumphosphid bedeckt, welches den Bereich 12 bildet. Die Kontaktschicht 15 aus p-leitendem Indium-Gallium-Arsenid wird darauf aufgetragen.

Der Bereich 12 (Fig. 10) erhält in seiner Mitte eine Einkerbung, indem er nach vorher erfolgtem teilweisen Bedecken durch eine Lackschicht oberhalb des Bereiches 11 abgeätzt wird. Darauf werden die Schicht 15 die der Einkerbung zugewändten Seitenkanten des Bereiches 12 und der Bereich 11 durch die Schutzschicht 16 aus Siliziumdioxid bedeckt. Die Schutzschicht 16 wird oberhalb der Bereiche 13 und 14 selektiv abgeätzt, um das Aufbringen der metallischen Schichten 17, 18 zu gestatten, die als elektrische Kontakte dienen. Die Unterseite des Indiumphosphid-Substrats 4 wird mit der Metallschicht 19 versehen. Damit ist der Halbleiterlaser 1 entstanden.

Es versteht sich, daß bei gemeinsamer Fertigung des Halbleiterlasers 1 und des Mach-Zehnder-Interferometers 2 oder mehrerer Mach-Zehnder-Interferometer auf demselben Indiumphosphid-Substrat 4 Ätz- und Epitaxieschritte gemeinsam durchgeführt werden, so etwa das Abscheiden der Pufferschicht 5 und der Schicht 20.

Claims

1. Monolithisch integrierter, modensynchronisierter Halbleiterlaser (1), der einen laseraktiven Bereich zur Erzeugung von Lichtpulsen und einen optischen Wellenleiter zur Ausbreitung der Lichtpulse aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterlaser (1) an seinen Außenseiten Elektroden aufweist, an die ein Strom (I_A) anlegbar ist, durch den die optische Länge des Wellenleiters veränderbar ist.

2. Halbleiterlaser (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Elektroden an denjenigen Außenseiten befinden, die längs zur Ausbreitungsrichtung der Lichtpulse in dem Wellenleiter liegen, und daß der Strom (I_A) senkrecht zur Ausbreitungsrichtung der Lichtpulse durch den Wellenleiter fließt.

3. Halbleiterlaser (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden an den Außenseiten so angebracht sind, daß der Strom (I_A) in einer anderen als der Ausbreitungsrichtung der Lichtpulse durch den Wellenleiter fließt.

4. Halbleiterlaser (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er, angrenzend an den Wellenleiter, einen Absorberbereich aufweist.

5. Einrichtung mit einem Halbleiterlaser (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

- daß eine Steuerschaltung zur Steuerung des Stromes (I_a) vorhanden ist,
- daß ein Mittel zur Messung der Wiederholungsfrequenz der Lichtpulse vorhanden ist,
- daß ein Subtrahierer zur Bildung der Differenz aus der gemessenen Wiederholungsfrequenz und einer Soll-Wiederholungsfrequenz vorhanden ist und
- daß die Differenz in der Steuerschaltung zur Steuerung des Stromes (I_A) dient.

6. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

- daß auf einem n-leitenden Indiumphosphid-Substrat durch Epitaxie, selektives Bedecken durch Lackschichten und selektives Wegätzen einzelner Schichten und Bereiche eine Mesa gebildet wird, die einen passiven Wellenleiterbereich, einen laseraktiven Bereich, einen Bereich aus semiisolierenden Indiumphosphid sowie einen Abstimmbereich zur Abstimmung der optischen Länge umfaßt,
- daß die Seitenbereiche der Mesa von semiisolierendem Indiumphosphid umgeben werden und
- daß auf die Oberseite des Halbleiterlasers und auf die Unterseite des Indiumphosphid-Substrats metallische Schichten aufgebracht werden, die als elektrische Kontakte dienen.