DE3939020A1 - Hochfrequenz-leistungsendstufe - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Leistungsendstufe, die zwei im Gegentakt angesteuerte Transistoren aufweist.

Bei herkömmlichen Schaltungsanordnungen dieser Art bestimmen die Emitter- bzw. Sourceelektroden-Widerstände der beiden im Gegentakt angesteuerten Transistoren die Leistungsanpassung, also die Ausgangsimpedanz und damit die Rückflußdämpfung der Endstufe, aber auch den durch die Widerstände auftretenden Leistungsverlust. Werden die Emitterwiderstände relativ groß gewählt, ist zwar die Ausgangsimpedanz und damit die Rückfluß­ dämpfung in der gewünschten Weise relativ hoch, aber es muß auch in Kauf genommen werden, daß an den relativ hohen Emitter- bzw. Sourceelektroden-Widerständen eine hohe Leistung abfällt, so daß die dem, am Ausgang der Leistungsendstufe angeschlossenen Verbraucher bereitgestellte Leistung relativ gering ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hochfrequenz- Leistungsendstufe der eingangs genannten Art zu schaffen, die trotz einer geringen Verlustleistung dennoch eine hohe Aus­ gangsimpedanz und damit eine hohe Rückflußdämpfung, die in vielen Fällen erforderlich ist, ermöglicht.

Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein die Ausgangsimpedanz der HF-Leistungsendstufe vergrößern­ der Anpaßübertrager vorgesehen ist.

Mit dem erfindungsgemäßen Merkmal, einen die Ausgangsimpedanz der Hochfrequenz-Leistungsendstufe vergrößernden Anpaßübertra­ ger vorzusehen, ist es möglich, die im Emitter- bzw. Source­ elektrodenzweig der im Gegentakt angesteuerten Komplementär­ transistoren vorgesehenen Widerstände mit der Folge klein zu halten, daß in diesen Widerständen und damit in der Leistungs­ endstufe selbst ein geringer Leistungsverlust auftritt, so daß eine größere Leistung dem Verbraucher am Ausgang der Endstufe bereitgestellt werden kann. Der erfindungsgemäße Anpaßüber­ trager stellt sicher, daß trotz kleinerer Widerstandswerte der Emitter- bzw. Sourceelektroden-Widerstände die Ausgangs­ impedanz der gesamten Schaltung vergrößert wird, so daß insbesondere auch eine geforderte Rückflußdämpfung eingehalten werden kann. Insbesondere ist es durch Verwendung eines zu­ sätzlichen Anpaßübertragers und einer entsprechenden Dimens­ ionierung desselben möglich, die Ausgangsimpedanz und damit die Rückflußdämpfung so zu wählen, daß sie nicht unnötig hoch, sondern gerade oberhalb eines geforderten Rückflußdämpfungs­ werts liegt. Allgemein gesprochen, ergeben sich durch die erfindungsgemäße Verwendung eines zusätzlichen Anpaßüber­ tragers erhebliche Freiheiten in der Wahl der Bemessungen der Bauelemente der Hochfrequenz-Leistungsendstufe selbst.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Anpaßübertrager ein Anpaßtransformator. Im Falle, daß die Hochfrequenz-Leistungsendstufe mit wenigstens zwei Ausgängen versehen ist, ist der Anpaßtransformator gleichzeitig ein Leistungsteiler. Vorzugsweise ist der Anpaßtransformator bzw. der Leistungsteiler in diesem Falle ein Differenzübertrager.

Bei einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist den Emitter- bzw. Sourceelektroden-Widerständen der im Gegentakt angesteuerten Komplementärtransistoren jeweils ein aus einem Widerstand und einer Kapazität bestehende Reihen­ schaltung parallelgeschaltet. Da gleichstrommäßig im wesent­ lichen nur der Emitterzweig ohne Kapazität wirkt, ist es da­ durch möglich, den Arbeitspunkt der Leistungsendstufe auf der Verstärkerkennlinie optimal zu wählen und zu stabilisieren, ohne daß der hochfrequenzmäßige Widerstand durch die Wahl des Arbeitspunkts festgelegt ist oder keinen optimalen Wert aufweist.

Da sowohl eingangs- als auch ausgangsseitig optimale Anpas­ sungsverhältnisse wünschenswert sind, sind die Widerstands­ werte der in den Emitter- bzw. Sourceelektrodenzweigen der im Gegentakt angesteuerten Transistoren liegenden Widerstände und die Dimensionierung des Anpaßübertragers aufeinander abge­ stimmt. Auf diese Weise lassen sich optimale Anpaßverhältnisse erreichen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn bei einer Last­ impedanz Zl und einer Ausgangsimpedanz der Hochfrequenz-Lei­ stungsendstufe von 1/3 Zl der Anpaßübertrager so dimensioniert ist, daß dessen Ausgangsimpedanz in einem Bereich zwischen 1/2 Zl und 4/9 Zl liegt. Da festgestellt wurde, daß der Wert der Lastimpedanz direkt am Ausgang der Leistungsendstufe einen entscheidenden Einfluß auf den Intermodulationsabstand hat, ergibt sich mit der genannten Dimensionierung ein Minimum an Verzerrungen, wobei gleichzeitig auch ausreichend hohe Rück­ flußdämpfungen, beispielsweise Rückflußdämpfungen von größer 16 dB erreicht werden, wie dies in bestimmten, nachfolgend noch im einzelnen zu erläuternden Fällen gefordert wird.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen bei­ spielsweise näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein schematisches Ersatzschaltbild einer herkömmlichen Hochfrequenz-Leistungsendstufe am Beispiel eines Antennen-Hausanschlußverstärkers,

Fig. 2 ein schematisches Ersatzschaltbild für eine erfindungs­ gemäße Hochfrequenz-Leistungsendstufe ebenfalls für die Verwendung in einem Antennen-Hausanschlußverstärkers;

Fig. 3 ein schematisches Schaltbild von einem Ausführungs­ beispiel einer erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Lei­ stungsendstufe bei Verwendung in einem Antennen- Hausanschlußverstärker mit einem Ausgang und

Fig. 4 ein schematisches Schaltbild von einem Ausführungsbei­ spiel einer erfindungsgemäßen Hochfrequenz-Leistungs­ endstufe bei Verwendung in einem Antennen-Hausanschluß­ verstärker mit zwei Ausgängen.

Fig. 1 zeigt das Wechselstrom-Ersatzschaltbild einer herkömml­ ichen Hochfrequenz-Leistungsendstufe, wie sie bei den bekann­ ten Antennen-Hausanschlußverstärkern Verwendung findet. Über Eingangsklemmen 1 und 2 - letztere ist mit Masse verbunden - wird eine Eingangsspannung Ue bereitgestellt. Die Eingangs­ klemme 1 ist über eine Induktivität 3 und einen mit ihr in Reihe geschalteten Widerstand 4 mit einem Verbindungspunkt 5 der Kollektoren bzw. Drainelektroden zweier im Gegentakt betriebenen Komplementärtransistoren 6 und 7 verbunden. Die Eingangsklemme 1 steht weiterhin mit den Basis- bzw. Gate- Elektroden der Transistoren 6 und 7 in Verbindung. Die Emitter der Transistoren 6 und 7 sind jeweils über einen Emitter­ widerstand 8 bzw. 9 mit Masse verbunden. Am Verbindungspunkt 5 der Kollektoren bzw. Drainelektroden der Transistoren 6 und 7 wird die Ausgangsspannung über eine Ausgangsklemme 10 abge­ griffen. Eine Lastimpedanz 11, an der die Ausgangsspannung abfällt, liegt zwischen der Anschlußklemme 10 und Masse.

Eine Hochfrequenz-Leistungsendstufe gemäß dem in Fig. 1 darge­ stellten Wechselstrom-Ersatzschaltbild wird beispielsweise in Antennen-Hausanschlußverstärkern verwendet, die der Postvor­ schrift 1R8-15 (Meßmethode nach DIN 45 004 A1) entsprechen, wobei diese Leistungsendstufe mit den nachfolgend angegebenen Dimensionierungen der Bauelemente einen Ausgangspegel von typischerweise 100,5 dBuV an einer Ausgangsimpedanz von 75 Ohm erreicht. Die Bemessungen der Bauelemente sind hierbei:
Induktivität 3 = 100 nH, Widerstand 4 = 235 Ohm, Transistor 6 = Typ BFQ 149, Transistor 7 = Typ BFQ 19, Widerstände 8 und 9 je 39 Ohm und Lastimpedanz 11 = 75 Ohm.

Antennen-Hausanschlußverstärker dieser Art werden von der Anmelderin unter der Bezeichnung SHV 140 angeboten.

Hochfrequenz-Leistungsendstufen der beschriebenen Art sowie deren Dimensionierung führen sowohl am Ein- als auch am Ausgang zu guten Anpassungsverhältnissen hinsichtlich der Leistungsanpassung. Der Nachteil dieser herkömmlichen Schal­ tungsanordnungen besteht jedoch darin, daß auf Grund der re­ lativ hohen Emitter- bzw. Sourceelektroden-Widerstandswerte von jeweils 39 Ohm ein relativ hoher Leistungsverlust an diesen Widerständen auftritt, so daß die Pegel der Ausgangs­ spannungen relativ klein sind.

Ein schematisches Wechselstrom-Ersatzschaltbild einer erfin­ dungsgemäßen Ausführungsform ist in Fig. 2 dargestellt. Schal­ tungselemente, die denen von Fig. 1 entsprechen, sind mit den­ selben Bezugszeichen versehen und werden der Übersichtlichkeit halber nicht nochmals erläutert.

Das Ersatzschaltbild gemäß Fig. 2 unterscheidet sich vom Er­ satzschaltbild gemäß Fig. 1 abgesehen von der Dimensionierung der Emitterwiderstände 8 und 9 lediglich dadurch, daß zwischen dem Verbindungspunkt 5 der Kollektoren bzw. Drainelektroden der Komplementärtransistoren 6 und 7 einerseits und der Aus­ gangsklemme 10 andererseits ein Anpaßübertrager 21 zusätzlich vorgesehen ist.

Der Anpaßübertrager 21, der - wie nachfolgend noch erläutert werden wird - beispielsweise ein Anpaßtransformator sein kann, transformiert die Ausgangsspannung auf einen höheren Wert. Dies bedeutet, daß die Emitter- bzw. Sourceelektroden-Wider­ stände 8 und 9 jeweils kleiner dimensioniert werden können, so daß an ihnen auch eine entsprechend geringere Verlustleistung auftritt. Der auf diese Weise erreichte Leistungsgewinn kann vollständig zusätzlich an den oder die Verbraucher abgegeben werden.

Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel mit den an Hand von Fig. 1 angegebenen Dimensionierungen der Bauelemente können die Widerstandswerte der Emitter- bzw. Sourceelektroden- Widerstände 8 bzw. 9 von 39 Ohm auf 12 Ohm, d. h. etwa auf ein Drittel des herkömmlichen Werts verringert werden. Dies bedeutet, daß dadurch der Pegel der Ausgangsspannung um 3 dB erhöht werden kann, was einer Leistungsverdopplung entspricht.

Durch die Reduzierung der Widerstandswerte der Emitter- bzw. Sourceelektroden-Widerstände 8 und 9 um ein Drittel würde die Ausgangsimpedanz für den Fall, daß kein Anpaßübertrager vorge­ sehen wäre, etwa auch nur ein Drittel des Wertes betragen, der bei Widerstandswerten der Emitter- bzw. Sourceelektroden- Widerstände von 39 Ohm vorliegt. Dementsprechend wäre die Rückflußdämpfung ebenfalls niedrig und würde bei einem Wert von a = 6 dB liegen. Nach der bereits genannten Postvorschrift 1R8-15 wird jedoch eine Rückflußdämpfung von mindestens a = 14 dB gefordert, damit Reflexionen auf die Leitungen und damit verbundene Empfangsstörungen vermieden werden. Durch die erfindungsgemäße Maßnahme, einen Anpaßübertrager 21 vorzu­ sehen, der die Ausgangsimpedanz der Hochfrequenz-Leistungs­ endstufe wieder im wesentlichen auf den Wert hochtrans­ formiert, der bei den herkömmlichen Schaltungsanordnungen unter Verwendung relativ großer Widerstandswerte für die Emitter- bzw. Sourceelektroden-Widerstände herrscht, ist es erfindungsgemäß möglich, die Rückflußdämpfung über dem gemäß den Postvorschriften geforderten Wert von 14 dB zu halten. Besonders vorteilhaft ist es dabei, daß der Anpaßübertrager derart dimensioniert werden kann, daß die Rückflußdämpfung nicht wesentlich, sondern nur in der geforderten Weise über 14 dB liegt.

Im Zusammenhang mit Untersuchungen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung wurde festgestellt, daß der Wert der Last­ impedanz 11 direkt am Ausgang der Leistungsendstufe einen ent­ scheidenden Einfluß auf den Intermodulationsabstand hat. Ist der Ausgangswiderstand der Leistungsendstufe ein Drittel der Lastimpedanz, so sollte der Anpaßübertrager so dimensioniert sein, daß die Lastimpedanz einen Wert zwischen der Hälfte und 4/9 der Lastimpedanz annimmt. Mit dieser Dimensionierung las­ sen sich die Verzerrungen bei der erfindungsgemäßen Ausfüh­ rungsform einer Leistungsendstufe mit den genannten Dimensio­ nierungen auf ein Minimum reduzieren. Mit den genannten Dimen­ sionierungen werden dann auch Rückflußdämpfungen von a größer 16 dB erreicht.

Wie bereits erläutert, ergibt sich bei dem beschriebenen Aus­ führungsbeispiel eine Erhöhung der Ausgangsleistung um 3 dB, d. h. eine Leistungsverdopplung. Die Änderung der Dimensio­ nierung des Anpaßübertragers 21 zur Verbesserung der Rückfluß­ dämpfung verbessert die Leistungsausbeute nicht, im Gegenteil es kann sogar zu einer Verschlechterung der Leistungsausbeute führen. Da jedoch eine Verbesserung der Rückflußdämpfung über 14 dB auch nicht erforderlich ist, ergibt sich mit der erfin­ dungsgemäßen Ausführungsform eine Optimierung. Durch die Wahl des Widerstandswerts der Emitter- bzw. Sourceelektroden-Wider­ stände 8, 9 und der Dimensionierung des Anpaßübertragers bzw. des dem Anpaßübertrager entsprechenden Netzwerks wird somit sowohl das Anpassungsverhältnis als auch der Ausgangspegel festgelegt.

Fig. 3 zeigt eine konkrete Ausführungsform der Erfindung im Zusammenhang mit einer Hochfrequenz-Leistungsendstufe für einen Antennen-Hausanschlußverstärker mit einem Ausgang. Auch hier sind Schaltungsteile und Bauelemente, die denen der Fig. 1 und 3 entsprechen, mit denselben Bezugszeichen versehen.

Während die Eingangsklemme 2 mit Masse verbunden ist, ist die Eingangsklemme 1 über eine Kapazität 31 mit der Basiselektrode des pnp-Transistors 6 und über eine Kapazität 32 mit der Basiselektrode des npn-Transistors 7 verbunden. Eine Steuer­ spannung VCC wird über eine Steuerspannungs-Eingangsklemme 33 über eine Drossel 34 geführt. Der der Steuerspannungs-Ein­ gangsklemme 33 abgewandte Anschluß der Drossel 34 ist über eine Reihenschaltung aus einem einstellbaren Widerstand 35, einem Widerstand 36, einer Drossel 37, zwei Widerständen 38 und 39, einer Drossel 40 und einem weiteren Widerstand 41 mit Masse verbunden. Die Basiselektrode des Transistors 6 ist mit dem Verbindungspunkt der Drossel 37 und des Widerstands 38 und die Basis des Transistors 7 ist mit dem Verbindungspunkt des Widerstands 39 und der Drossel 40 verbunden. Weiterhin liegt zwischen dem Verbindungspunkt der Widerstände 38 und 39 einerseits und dem Verbindungspunkt der Kollektoren bzw. Drainelektroden der Transistoren 6 bzw. 7 eine Induktivität 42, die der Induktivität 3 in Fig. 1 und 2 entspricht. Der Emitter des Transistors 6 ist über eine aus einem Widerstand 43 und einer Kapazität 44 bestehenden Reihenschaltung mit Masse verbunden, wobei der genannten Reihenschaltung eine weitere Reihenschaltung aus einem Widerstand 45 und einer Kapazität 46 parallelliegt. Der der Steuerspannungs-Eingangs­ klemme 33 abgewandte Anschluß der Drossel 34 ist weiterhin mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand 43 und der Kapa­ zität 44 verbunden.

Der Emitter des Transistors 7 liegt über einen Widerstand 47 an Masse, wobei dem Widerstand 47 eine aus einem Widerstand 48 und einer Kapazität 49 bestehende Reihenschaltung parallel liegt. Der Verbindungspunkt der Kollektoren der Transistoren 6 und 7 ist über eine Kapazität 50 mit dem Eingang des Anpaß­ übertragers 21 verbunden, der einerseits an Masse und anderer­ seits mit der Ausgangsklemme 10 verbunden ist, an die sich die Lastimpedanz 11 anschließt. Der Eingang des Anpaßübertragers 21 ist weiterhin über eine Kapazität 51, und sein Ausgang ist über eine Kapazität 52 jeweils mit Masse verbunden.

Das in Fig. 3 schematisch dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht mit zwei Ausnahmen herkömmlichen Hochfrequenz-Lei­ stungsendstufen, so daß der Übersichtlichkeit halber lediglich die Schaltungsteile nachfolgend in ihrer Funktion erläutert werden sollen, die einen Unterschied zu den herkömmlichen Hochfrequenz-Leistungsendstufen darstellen.

Der eine Unterschied zu herkömmlichen Endstufen dieser Art besteht in der bereits anhand von Fig. 2 erläuterten Maßnahme, einen Anpaßübertrager 21 zusätzlich vorzusehen. Bei dem dar­ gestellten Ausführungsbeispiel ist der Anpaßübertrager ein Transformator, der die am Verbindungspunkt 5 der Kollektoren der Transistoren 6 und 7 auftretende Spannung um das 1,5fache hochtransformiert.

Zum anderen bestehen die Emitterwiderstände im Gegensatz zur herkömmlichen Schaltungsanordnungen hochfrequenzmäßig gesehen aus Widerständen mit kleineren Widerstandswerten, wie sich aus der dargestellten Beschaltung ergibt. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel weisen die Bauteile und Schaltungselemente folgende Dimensionierung auf: Kapazitäten 31 und 32 jeweils 2, 2 nF, Drossel 34, 37 und 40 = 6,8 µH, verstellbarer Widerstand 35 = 100 Ohm, Widerstand 36 = 62 Ohm, Widerstände 38 und 39 = 470 Ohm, Widerstand 41 = 240 Ohm, Induktivität 42 = 100 nH, Widerstände 43 und 47 = 39 Ohm, Widerstände 45 und 48 = 18 Ohm, Kapazitäten 44, 46, 49 und 50 = 2,2 nF, Kapazität 51 = 6,8 pF, Kapazität 52 = 1,2 pF und der Lastwiderstand 11 wiederum 75 Ohm.

Der in der genannten Weise aus den Widerständen 47 und 48 sowie der Kapazität 49 zusammengesetzte Emitterkreis des Transistors 7 sowie der aus den Widerständen 43 und 45 sowie den Kapazitäten 44 und 46 in der beschriebenen Weise zusammengesetzte Emitterkreis des Transistors 6 ist dafür vorgesehen, daß insbesondere mittels des Widerstands 35 ein optimaler Arbeitspunkt gleichstrommäßig auf der Verstärker­ kennlinie eingestellt werden und darauf stabilisiert bleiben kann. Gleichstrommäßig trägt die den Widerstand 47 parallel gelegte Reihenschaltung aus dem Widerstand 48 und der Kapa­ zität 49 nichts bei, sie bestimmt jedoch den hochfrequenz­ mäßigen Widerstand des Emitterzweigs wesentlich und führt zu einem wechselstrommäßigen Widerstand von ca. 12 Ohm, wie dies in Fig. 2 bereits angegeben wurde. Dies gilt auch für das Emitternetzwerk des Transistors 6, bestehend aus den Widerständen 43 und 45 und den Kapazitäten 44 und 46. Der wechselstrommäßige Ersatzwiderstand beträgt auch hier 12 Ohm, d. h. wechselstrommäßig sind beide Emitternetzwerke identisch. Dadurch ist die Ausgangsimpedanz der Hochfrequenz-Leistungs­ endstufe, wie sie am Eingang des Anpaßübertragers 21 vorliegt, relativ gering. Der Anpaßübertrager 21 führt nun - wie bereits erläutert wurde - die Hochtransformierung der Spannung aus, so daß an der Ausgangsklemme 10 wieder eine höhere Ausgangs­ impedanz vorliegt. Dadurch wird auch die Rückflußdämpfung über den geforderten Minimalwert angehoben.

Während in Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel für eine Hoch­ frequenz-Leistungsendstufe mit einem Ausgang im Zusammenhang mit einem Antennen-Hausanschlußverstärker beschrieben wurde, zeigt Bild 4 eine schematische Schaltungsanordnung einer Hochfrequenz-Leistungsendstufe mit zwei Ausgängen, ebenfalls vorgesehen im Zusammenhang mit einem Antennen-Hausanschlußver­ stärker. Schaltungsteile und Bauelemente, die denen vorausge­ gangener Figuren entsprechen, sind in Fig. 4 mit denselben Bezugszeichen wie in den vorausgegangenen Figuren versehen. Sofern über die Dimensionierung der Bauteile und Elemente nachfolgend keine Angaben gemacht sind, entsprechen die Dimensionierungen den entsprechenden, anhand der Fig. 1 bis 4 genannten Dimensionierungen.

Anstelle des in Fig. 3 dargestellten Anpaßübertragers 21 in Form eines Spannungstransformators wird bei der Ausführungs­ form gemäß Fig. 4 ein Differentialübertrager verwendet, der das am Eingang des Differentialübertragers 21 auftretende Signal auf zwei Ausgänge 61, 62 aufteilt, mit denen Lastwider­ stände 63, 64 jeweils verbunden sind, an denen die Ausgangs­ spannungen U_a1 bzw. U_a2 abfallen.

Die in Fig. 4 dargestellte Schaltungsanordnung unterscheidet sich von der Ausführungsform gemäß Fig. 3 darüber hinaus lediglich noch dadurch, daß die Kapazitäten 50, 51 und 52 nicht vorgesehen sind. Stattdessen liegt der Verbindungspunkt 5 der Kollektoren der Transistoren 6 und 7 über einer Kapazität 65 und der Eingang des als Differentialübertrager ausgebildeten Anpaßübertragers 21 über eine Kapazität 66 an Masse, wobei der gemeinsame Anschluß 5 der Kollektoren der Transistoren 6 und 7 über eine Kapazität 67, die der Kapazität 50 gemäß Fig. 3 entspricht, mit dem Eingang des Anpaßüber­ tragers 21 verbunden ist.

Die Dimensionierungen der Lastimpedanzen 63 und 64 betragen jeweils 75 Ohm, und die Dimensionierungen der Kapazitäten 66, und 67 betragen 6,8 pF bzw. 2,2 nF.

Die Erfindung wurde anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben. Dem Fachmann sind jedoch zahlreiche Abwandlungen und Ausgestaltungen der Erfindung möglich. Beispielsweise können die pnp- bzw. npn-Transistoren 6, 7, auch in ent­ sprechender Weise durch Feldeffekttransistoren ersetzt werden. Auch sind die Dimensionierungsangaben lediglich beispiel­ hafter Natur und entsprechend den gegebenen Umständen und Wünschen änderbar.

Claims (7)

1. Hochfrequenz-Leistungsendstufe, die zwei im Gegentakt angesteuerte Transistoren aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein die Ausgangsimpedanz der Hochfrequenz-Leistungsendstufe vergrößernder Anpaßübertrager (21) vorgesehen ist.

2. Hochfrequenz-Leistungsendstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anpaßübertrager (21) ein Anpaßtransformator ist (Fig. 3).

3. Hochfrequenz-Leistungsendstufe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anpaßtransformator ein Leistungsteiler für Leistungsendstufen mit wenigstens zwei Ausgängen ist (Fig. 4) .

4. Hochfrequenz-Leistungsendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß den in den Emitter- bzw. Sourceelektrodenzweigen der im Gegentakt angesteuerten Transistoren (6, 7) liegenden Widerständen (43, 47) jeweils eine aus einem Widerstand (48) und einer Kapazität (49) bestehende Reihenschaltung parallel geschaltet ist.

5. Hochfrequenz-Leistungsendstufe nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider­ standswerte der in den Emitter- bzw. Sourceelektroden­ zweigen der gesteuerten Transistoren liegenden Widerstände (43, 47) und die Dimensionierung des Anpaßübertragers (21) aufeinander abgestimmt sind.

6. Hochfrequenz-Leistungsendstufe nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Lastimpedanz Zl und einer Ausgangsimpedanz der Hoch­ frequenz-Leistungsendstufe von 1/3 Zl der Anpaßübertrager (21) so dimensioniert ist, daß dessen Ausgangsimpedanz in einem Bereich zwischen 1/2 Zl und 4/9 Zl liegt.

7. Hochfrequenz-Leistungsendstufe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung im Zusammenhang mit einem Antennen-Hausanschlußverstärker.