DE3880051D1 - Verfahren zur ausbildung einer vielzahl leitender zapfen in einer isolierschicht. - Google Patents
Verfahren zur ausbildung einer vielzahl leitender zapfen in einer isolierschicht.Info
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8583687A | 1987-08-17 | 1987-08-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3880051D1 true DE3880051D1 (de) | 1993-05-13 |
| DE3880051T2 DE3880051T2 (de) | 1993-10-28 |
Family
ID=22194264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE88111164T Expired - Fee Related DE3880051T2 (de) | 1987-08-17 | 1988-07-12 | Verfahren zur Ausbildung einer Vielzahl leitender Zapfen in einer Isolierschicht. |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0305691B1 (de) |
| JP (1) | JPH0682660B2 (de) |
| DE (1) | DE3880051T2 (de) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4992135A (en) * | 1990-07-24 | 1991-02-12 | Micron Technology, Inc. | Method of etching back of tungsten layers on semiconductor wafers, and solution therefore |
| US5262354A (en) * | 1992-02-26 | 1993-11-16 | International Business Machines Corporation | Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias |
| US5209816A (en) * | 1992-06-04 | 1993-05-11 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing |
| US5356513A (en) * | 1993-04-22 | 1994-10-18 | International Business Machines Corporation | Polishstop planarization method and structure |
| US5693239A (en) * | 1995-10-10 | 1997-12-02 | Rodel, Inc. | Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use |
| JP3111928B2 (ja) | 1997-05-14 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 金属膜の研磨方法 |
| KR100266749B1 (ko) * | 1997-06-11 | 2000-09-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 콘택 플러그 형성 방법 |
| KR100447552B1 (ko) | 1999-03-18 | 2004-09-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조에 사용하는 화학 기계연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조 방법 및 매립배선의 형성 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708767A (en) * | 1984-10-05 | 1987-11-24 | Signetics Corporation | Method for providing a semiconductor device with planarized contacts |
| US4944836A (en) * | 1985-10-28 | 1990-07-31 | International Business Machines Corporation | Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate |
| US4789648A (en) * | 1985-10-28 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate and for forming patterned conductive lines simultaneously with stud vias |
| DE3788485T2 (de) * | 1986-09-30 | 1994-06-09 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung einer Planarleiterbahn durch isotropes Abscheiden von leitendem Werkstoff. |
| JPS63133551A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP63137587A patent/JPH0682660B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-12 DE DE88111164T patent/DE3880051T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-12 EP EP88111164A patent/EP0305691B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0305691A1 (de) | 1989-03-08 |
| EP0305691B1 (de) | 1993-04-07 |
| JPH0682660B2 (ja) | 1994-10-19 |
| DE3880051T2 (de) | 1993-10-28 |
| JPS6455845A (en) | 1989-03-02 |
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