DE3874028T2

DE3874028T2 - Verfahren zur justierung von photomasken.

Info

Publication number: DE3874028T2
Application number: DE8888305879T
Authority: DE
Inventors: George T Harvey; Laurence S Watkins
Original assignee: American Telephone and Telegraph Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1987-07-06
Filing date: 1988-06-28
Publication date: 1993-01-07
Anticipated expiration: 2008-06-29
Also published as: DK373188D0; CA1296180C; EP0298642B1; DK373188A; ES2034237T3; EP0298642A3; KR890002971A; KR970004887B1; US4835078A; JPS6424420A; SG61093G; JPH0766904B2; EP0298642A2; DE3874028D1

Description

Technisches Feld

Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Justierung von Fotomasken und insbesondere auf Verfahren zur Justierung von fotolithographischen Masken (Fotomasken) auf entgegengesetzten Seiten eines flachen Werkstücks.

Hintergrund der Erfindung

Fotolithographische Maskierung und Ätzung ist vielfach bekannt, weil in der Herstellung von integrierten Schaltungen weitgehend benutzt. In derartigen Verfahren wird eine Halbleiterscheibe (Wafer) mit einem dünnen Material aus Fotowiderstandsmaterial beschichtet und dann durch eine mit Muster versehene Fotomaske mit aktinischem Licht belichtet. Nach der Entwicklung wirkt die Fotowiderstandsschicht selbst als eine Maske, um selektive Verfahren auszuführen, beispielsweise selektives Ätzen des Wafers.
Es hat sich herausgestellt, daß das gleiche Verfahren zur Herstellung von optischen Faserverbindern aus Siliciumwafern brauchbar ist. Jeder Verbinder weist ein Siliciumplättchen (Chip) mit Nuten an entgegengesetzten Seiten auf, die dazu verwendet werden, optische Fasern aufzunehmen und den Verbinder auszurichten. Da die Ausrichtung von optischen Fasern für die Lichtwellenübertragung extrem kritisch ist, ist es wichtig, daß die Stütznuten genau innerhalb von Toleranzen angeordnet sind, die typischerweise kleiner als ein Mikron sind. Aus diesem Grund ist es bei der Herstellung solcher Verbinder kritisch, die Fotomasken auf entgegengesetzten Seiten einer Halbleiterplatte genau zu justieren, die mit Fotowiderstandsmaterial beschichtet worden ist.
Das US-Patent 3 963 489 von K. H. Chou vom 15. Juni 1976 stellt ein Beispiel bekannter Techniken der Ausrichtung von Fotomasken auf entgegengesetzten Seiten einer Halbleiterplatte dar. Die Chou-Technik verwendet Indexzeichen auf entsprechenden Teilen von zwei Fotomasken, die den dazwischengefügten Wafer überlappen. Durch geeignetes Ausrichten dieser Zeichen richtet man die Maskenmuster der beiden Masken mit Bezug auf die zwischengefügte Halbleiterplatte aus.
Ein Problem bei der Verwendung eines Schemas, wie das vorliegende zur Ausrichtung von Masken mit Submikrontoleranzen, besteht darin, daß ein genügend hochauflösendes Mikroskop zur Herstellung der Ausrichtung normalerweise eine kleinere Tiefenschärfe als der Abstand der beiden Masken voneinander aufweist. Deshalb kann die Bedienungsperson nicht beide Justiermarken gleichzeitig während der Ausrichtoperation sehen. Eine Art, diesem Problem zu begegnen, würde darin bestehen, die beiden Masken auszurichten, während sie in engem Kontakt sind, und sie dann zu trennen, um den Wafer einzufügen. In der Praxis hat es sich herausgestellt, daß es extrem schwierig, wenn nicht unmöglich ist, die erforderliche mechanische Trennung durchzuführen, während gleichzeitig die erforderlichen engen Toleranzen eingehalten werden.
Patent Abstract of Japan, Band 7, Nr. 206 (S.222) (1351) vom 10. September 1983 offenbart ein Verfahren der Ausrichtung mittels zweier Schlitze.
Gemäß vorliegender Erfindung ist ein Verfahren wie in Anspruch 1 definiert vorgesehen.
Gemäß der Erfindung werden diese Probleme dadurch gelöst, daß eine Mehrzahl von Zonenplatten auf dem Rand der einen Maske und eine Mehrzahl von transparenten Schlitzen auf dem Rand der anderen Maske hergestellt werden, wobei jeder Schlitz zu einer korrespondierenden Zonenplatte ausgerichtet ist. Die Masken werden dann konventionell auf entgegengesetzten Seiten eines Wafers ausgerichtet, indem kollimatiertes Licht durch eine der Zonenplatte gerichtet und daraufhin die Masken relativ zueinander bewegt werden, bis das von der Zonenplatte fokussierte Licht durch einen entsprechenden transparenten Schlitz übertragen wird. Es können drei Zonenplatten mit entsprechenden transparenten Schlitzen verwendet werden, um die Maske in X-, Y- und Winkel- (oder θ-) -Richtung zu justieren.
Die Übertragung eines Lichtstrahlenbündels durch einen transparenten Schlitz wird automatisch durch einen Lichtdetektor festgestellt. Wie nachfolgend im einzelnen erläutert werden wird, kann ein hohes Ausmaß an Ausrichtgenauigkeit erzielt werden, indem der Lichtstrahlenbündel quer zum transparenten Schlitz abgetastet wird, wobei drei Lichtintensitätsmessungen während der Abtastung durchgeführt werden und ein Computer verwendet wird, um diese drei Intensitätspunkte zu einer parabolischen Kurve zusammenzusetzen. Der Computer kann dann das Maximum der parabolischen Kurve bestimmen, die dem Mittelpunkt des transparenten Schlitzes entspricht, wonach die Maske relativ zu dem Lichtstrahlenbündel verschoben wird, um die genaue Zentrierung des Lichtstrahlenbündels auf den Schlitz zu erhalten.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

Fig. 1 ist eine schematische Darstellung der Vorrichtung zur Justierung von Fotomasken gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung der Vorrichtung zur Maskenjustierung und zur Belichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Fig. 3 ist eine auseinandergezogene Darstellung von Teilen der Vorrichtung nach Fig. 2.
Fig. 4 ist ein Diagramm der Lichtintensität über den Abstand, hergestellt mit dem in Fig. 3 dargestellten Strahlenbündel; und
Fig. 5 ist ein Diagramm der Lichtleistung über den Abstand, wie durch die Vorrichtungen nach Fig. 2 und 3 hergestellt.

Detaillierte Beschreibung

Fig. 1 zeigt schematisch erste und zweite Fotomasken 11 und 12 zur Darstellung der allgemeinen Grundsätze der Erfindung. Aus Zweckmäßigkeitsüberlegungen sind weder das Muster der Fotomasken noch der zwischen diesen angeordnete, zu belichtende Wafer gezeigt. Die einzig gezeigten Einrichtungen beziehen sich auf die Hilfe bei der Maskenjustierung.
Entlang eines Randes der unteren Fotomaske 11 sind drei Zonenplatten 13A, 13B und 13C angeordnet. Zu diesen Zonenplatten sind auf der oberen Fotomaske 12 drei transparente Schlitze 14A, 14B und 14C ausgerichtet. Bekanntlich stellen Zonenplatten Beugungselemente dar, die in der Anordnung als konzentrische Kreise als Kreislinsen wirken. Sowohl die Zonenplatten 3A bis C als auch die transparenten Schlitze 14A bis C können zweckdienlich zur gleichen Zeit hergestellt werden, wenn die fotolithographischen Maskenmuster in den Fotomasken hergestellt werden.
Licht der Lichtquellen 16A bis C, die aus optischen Fasern bestehen können, wird durch Kollimationslinsen 17A bis C kollimatiert und durch die Zonenplatten 13A bis C gerichtet. Die Zonenplatten fokussieren das Licht in Lichtstrahlenbündel, die, wenn die Masken richtig ausgerichtet sind, durch die entsprechenden transparenten Schlitze 14A bis C übertragen werden.
Gemäß der Erfindung werden die Masken dadurch justiert, daß die obere Fotomaske 12 hinsichtlich X, Y und θ relativ zur unteren Maske 11 bewegt wird, bis die drei fokussierten Lichtstrahlenbündel durch die drei Schlitze 14A bis C hindurchgelangen. Vorzugsweise wird die obere Fotomaske 12 in Y-Richtung verschoben, bis das fokussierte Licht der Zonenplatte 13A durch den transparenten Schlitz 14A hindurchgelangt und von dem Fotodetektor 18A nachgewiesen wird. Nach diesem ersten Nachweis kann die Fotomaske 12 langsam in Y-Richtung absuchend bewegt werden, um die Lage zu bestimmen, bei welcher das durch die Öffnung 14A durchfallende Licht ein Maximum einnimmt. Die Stellung der maximalen Lichtleistungsübertragung zeigt natürlich eine genaue Zentrierung des transparenten Schlitzes mit Bezug auf den Lichtstrahlenbündel an. Die Schlitze 14A bis C weisen eine große Längendimension quer zur Abtastrichtung während der Justierung auf. Beispielsweise hat der Schlitz 14A, der für die Ausrichtung in Y-Richtung dient, eine große Abmessung in der X-Richtung. Die Schlitze 14C und 14B sind entlang einer parallelen Linie zur Y-Achse angeordnet.
Nach der Justierung in Y-Richtung wird die obere Fotomaske in Y-Richtung suchend bewegt, bis zunächst von den Detektoren 18B und 18C Licht festgestellt wird. Der Winkel wird eingestellt, bis Licht gleichzeitig von beiden Detektoren 18B und 18C während des Suchvorgangs festgestellt wird. Diese Justierungen können nach wiederholten, langsamen Suchbewegungen in X-Richtung gemacht werden, um eine gleichzeitige Feststellung maximaler Lichtleistung durch die Detektoren 18B und 18C zu erhalten, was die Ausrichtung sowohl in X-Richtung als auch bezüglich des Winkels θ anzeigt. Nach Justierung aller drei Freiheitsgrade, wie dies durch die maximale Ausgangsleistung aller drei Detektoren 18A bis C festgestellt wird, werden die Masken 11 und 12 zur Belichtung des Wafers fixiert.
Fig. 2 zeigt schematisch ein Justiersystem für Fotomasken gemäß Erfindung, welches bei der Fabrikation von optischen Faserverbindern erfolgreich verwendet worden ist. Elemente mit den gleichen Funktionen tragen die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 und werden aus praktischen Gesichtspunkten nicht weiter erläutert; es ist jedoch die untere Fotomaske, die tatsächlich zur Justierung bewegt wird, und nicht die obere Fotomaske wie in Fig. 1.
Ein Fotomaskenhalter 20 trägt die Fotomaske 11 und wird durch einen Schrittschaltmotor 21 in X und θ angetrieben, wie dargestellt. Die Linsen 17B und 17C und die optischen Faserlichtquellen 16b und 16C sind durch Einkapselung mit der Fotomaske 11 verbunden und werden mit diesen angetrieben. Die Fotomasken 11 und 12 sind auf entgegengesetzten Seiten eines nicht gezeigten und zu verarbeitenden Silikonwafers angeordnet. Der Wafer ist auf der oberen Unterseite mit Fotowiderstandsmaterial beschichtet, und beide Fotomasken enthalten auf den Siliciumwafer zu übertragende Muster. Nach der Justierung bestrahlen ultraviolette Quellen 24 und 25 den Fotowiderstand durch die Fotmasken, um Muster zu definieren, die nachfolgend zur Steuerung der Ätzung des Siliciumwafers benutzt werden. Nach Maskierung und Ätzung wird der Wafer in Chips zerschnitten, die nachher als optische Faserverbindung Verwendung finden.
Die Ausbildung des Halters 20 und die speziellen Ätzerfordernisse für den Wafer sind derart, daß die hochkritischen Ausrichtfähigkeiten der Erfindung nicht für die Justierung in Y-Richtung benötigt werden. Speziell ist das Gerät zur Herstellung von optischen Faserverbindern gedacht, welche Nuten auf entgegengesetzten Seiten eines Chips erforderlich machen, die extrem genau in X- und θ-Richtungen justiert sind, um mit anderen Elementen genau ineinandergreifen zu können. Zu beachten ist, daß für die θ-Justierung der Halter 20 um eine Achse gedreht wird, die von dem Fotomasken 11 und 12 entfernt liegt.
Fotomasken, deren Teile in größerem Maßstab in Fig. 3 dargestellt sind, bestehen im wesentlichen aus Glasplatten. Das Maskenmuster und die transparenten Schlitze sind auf der unteren Seite der Fotomaske 12 angebracht, während die Zonenplatten und die unteren Fotomaskenmuster auf der Oberseite der Fotomaske 11 geformt sind. Schlitz 14B und Zonenplatte 13B sind in Fig. 13 dargestellt. Die transparenten Schlitze und die Zonenplatten können zweckmäßig durch fotolithographische Maskierung und Ätzung gleichzeitig mit der Bildung der Maskenmuster auf den Fotomasken 11 und 12 und durch das gleiche Verfahren hergestellt werden.
Die Lichtquellen 16B und 16C sind optische Fasern für die Lichtübermittlung von einer entfernten Quelle, und die Linsen 17B und 17C bestehen aus Glas und dienen zur Kollimatierung des von den optischen Fasern kommenden Lichts. Die Ausgangssignale der Lichtdetektoren 18B und 18C werden an einen Computer 27 gerichtet, der den Schrittmotor 21 steuert. Der Computer ist gemäß bekannten Techniken programmiert, um die Masken automatisch gemäß der Erfindung auszurichten und zu justieren.
Während der Computer zur Feststellung der maximalen Lichtintensität durch den Schlitz programmiert sein kann, wie zuvor beschrieben, wurde ein ausgeklügelteres Verfahren zur noch genaueren Zentrierung des Schlitzes auf den fokussierten Strahl herausgefunden. Das vor Justierung auf den Schlitz oder die obere Fotomaske 12 fokussierte Lichtstrahlenbündel hat eine Lichtintensität, wie sie durch die Kurve 29 in Fig. 4 dargestellt ist. Die Lichtverteilung, wie sie durch Fokussierung durch die Zonenplatte erhalten wird, nämlich die Kurve 29, ist fachmännisch als Airy-Funktion oder Beugungsscheibchen-Funktion bekannt. Die Fleckgröße wird als Abstand d zwischen den Kurvenflanken bei dem halben maximalen Intensitätswert gemessen. Wenn der in Fig. 4 dargestellte Fleck quer zum rechteckigen Schlitz wandert, ändert sich die erhaltene Lichtleistung oder die integrierte Lichtintensität, wie sie vom Fotodetektor festgestellt wird, mit der zurückgelegten Strecke, wie durch die Kurve 30 in Fig. 5 gezeigt. Die Kurve 30 stellt mathematisch eine Umhüllende der Kurve 29 der Fig. 4 und des rechteckigen Schlitzes dar. Der Punkt 31 stellt den Weg entlang der Abtastung dar, bei der das Licht in den Schlitz einzutreten beginnt, und der Punkt 32 ist die Stelle, an der der Lichtstrahl den Schlitz verläßt. Da der Fleck eine endliche Breite hat, ist der Abstand zwischen 31 und 32 etwas größer als die tatsächliche Breite des Schlitzes.
Die Feststellung des genauen Maximums, wie zuvor erwähnt, kann etwas schwierig sein, weil die Änderung der Neigung der Kurve bei ihrem Maximum relativ klein ist. Nachdem der Schlitz zunächst nachgewiesen worden ist, wird statt dessen eine langsame, schrittweise Abtastung durchgeführt, so daß drei in gleichem Abstand liegende Proben des Lichtausgangssignals genommen werden, wenn das Lichtstrahlenbündel den Schlitz durchquert. Der Computer setzt diese Probenwerte zu einer parabolischen Funktion zusammen, um die Stelle des zentralen Extremwertes zu bestimmen. Der Beginn einer nachfolgenden Abtastung wird so eingestellt, daß die Funktion weiter zentriert ist, und die Operation wird iterierend fortgeführt, bis die Zentrierung vervollständigt ist.
Bei drei Probenahmen findet die Zentrierung statt, wenn die beiden äußeren Probenahmen gleich sind. Beispielsweise sei angenommen, daß der Satz der Probenahmen während der ersten langsamen Abtastung die Punkte 34, 35 und 36 gewesen wären. Da der Wert des Punktes 34 niedriger als der Punkt 36 ist, muß die nächstfolgende Abtastung an einer Stelle initiiert werden, die leicht nach rechts verschoben ist. Dadurch bewegen sich der Punkt 34 nach oben in der Kurve und der Punkt 36 nach unten in der Kurve. Wenn die Lichtleistung an den Punkten 34 und 36 gleich ist, kann der Punkt 35 als im Zentrum des Schlitzes angenommen werden, und eine präzise Ausrichtung ist erhalten. Diese Justierung erfolgt automatisch und mit Toleranzen unterhalb einem Mikron.
Während der ersten raschen Abtastung für die ursprüngliche Lichtfeststellung wurden Abtastschritte von jeweils 2,5 um benutzt. Die Schlitzbreite war 0,5 um. Während der langsamen Abtastung wurde jeder Schritt zu 1,5 um gewählt, was zum Erhalt von drei Ablesungen innerhalb der Schrittbreite geeignet war. Die Fleckgröße (definiert bei Abfall auf halbe maximale Intensität) war 2,5 um, jedoch war die feststellbare Breite der Fleckgröße bedeutend größer.
Die winkelmäßige oder θ-Justierung wird in Verbindung mit der Justierung in X-Richtung vorgenommen. Das Ausmaß, bis zu welchem das Licht nicht gleichzeitig von beiden Detektoren festgestellt wird, und die Größenordnung, in welcher das Licht festgestellt wird, gibt die Größe und Richtung der winkelmäßigen Fehlausrichtung an. Der Computer ist zur Durchführung einer Winkelausrichtung sowohl während der schnellen Abtastung als auch während der langsamen Abtastung programmiert. Nach jeder langsamen Abtastung werden sowohl die ursprüngliche Stelle der nachfolgenden Abtastung und die Winkelposition der Maske einjustiert, und die Abtastung wird wiederholt, bis die genaue Zentrierung beider Strahlenbündel auf beide Schlitze gleichzeitig erhalten wird. Nach der Justierung werden die Masken auf entgegengesetzten Seiten des Wafers fixiert, und die Belichtung auf beiden Seiten des Wafers wird mit Quellen 24 und 25 durchgeführt.
Die speziellen beschriebenen Ausführungsbeispiele sind lediglich zur Illustration der Erfindung gedacht. Andere Formen der Strahlenerzeugung können funktionelle Äquivalente von Lichtstrahlen sein. Die relative Verschiebung des Strahls mit Bezug auf den transparenten Schlitz umfaßt, daß entweder der Strahl oder der Schlitz stationär sein können.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung von Vorrichtungen aus einem flachen Teil, mit folgenden Schritten:

Beschichten des Teils mit Fotowiderstandsmaterial,

Ausrichten von ebenen ersten und zweiten Masken auf entgegengesetzten Seiten des Teils,

Belichten des maskierten fotoempfindlichen Materials mit aktinischem Licht,

Entwickeln des fotoempfindlichen Materials und

Benutzen der entwickelten fotoempfindlichen Beschichtung als Maske zur wahlweisen Verarbeitung des flachen Teils, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

mindestens eine erste Zonenplatte wird in der ersten Maske gebildet;

mindestens ein erster transparenter Schlitz wird in der zweiten Maske an vorbestimmter Stelle gebildet, und zwar mit Bezug auf die Stelle in der ersten Maske der ersten Zonenplatte, und

worin der Ausrichteschritt folgenden Schritt umfaßt:

ein Lichtstrahlenbündel wird durch die erste Zonenplatte zur zweiten Maske gerichtet und die zweite Maske wird relativ zur ersten Maske bewegt, bis der Lichtstrahlenbündel durch den ersten transparenten Schlitz hindurchfällt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende weitere Schritte:

in der ersten Maske wird eine zweite Zone gebildet;

in der zweiten Maske wird ein zweiter transparenter Schlitz gebildet; und

worin der Ausrichtschritt folgenden weiteren Schritt umfaßt:

ein Lichtstrahlenbündel wird durch die zweite Zonenplatte zur zweiten Maske gerichtet, und die zweite Maske wird relativ zur ersten Maske bewegt, bis das zweite Strahlenbündel durch den zweiten transparenten Schlitz hindurchtritt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß, nachdem der Lichtstrahlenbündel zunächst durch den ersten transparenten Schlitz hindurchgetreten ist, die zweite Maske relativ zur ersten Maske so bewegt wird, daß der Lichtstrahl dazu gebracht wird, die Breite des ersten transparenten Schlitzes abzutasten;

daß während dieser Abtastung eine Mehrzahl von Messungen der Lichtintensität durch den Schlitz durchgeführt wird;

daß die Meßwerte zu einer Parabel zusammengesetzt werden, und

daß die Parabel danach zur Justierung der zweiten Maske benutzt wird, derart, daß die Mitte des ersten transparenten Schlitzes im wesentlichen mit der Mitte des Lichtstrahls zusammenfällt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,

daß das Lichtstrahlenbündel dazu gebracht wird, die Breite des ersten transparenten Schlitzes wiederholt abzutasten,

daß während jeder Abtastung drei Messungen der Lichtintensität durch den Schlitz gemacht werden,

daß nach jeder Abtastung die Stelle des Beginns der nachfolgenden Abtastung gewechselt wird, bis zwei der drei Meßwerte im wesentlichen gleich sind,

daß die drei Meßwerte der Lichtintensität über der zurückgelegten Wegstrecke im wesentlichen eine Parabel beschreiben, und

daß eine solche Parabel zur Zentrierung des ersten transparenten Schlitzes auf das Lichtstrahlenbündel benutzt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,

daß der Schritt der Verschiebung der zweiten Maske relativ zur ersten Maske folgenden Schritt umfaßt:

die zweite Maske wird mit Bezug auf eine Referenzstruktur fixiert, und die erste Maske wird relativ zur Referenzstruktur verschoben, und

daß das Lichtstrahlenbündel mit Bezug auf die erste Maske fixiert ist.

6. Verfahren der Ausrichtung erster und zweiter ebener Teile, mit folgenden Schritten:

erste und zweite Zonenplatten werden in dem ersten ebenen Teil gebildet,

in dem zweiten Teil werden erste und zweite transparente Öffnungen so gebildet, daß diese jeweils zu den ersten und zweiten Zonenplatten ausgerichtet sind,

erste und zweite Fotodetektoren werden jeweils benachbart den ersten und zweiten Öffnungen und gegenüber dem ersten ebenen Teil angeordnet,

ein erstes Lichtstrahlenbündel wird durch die erste Zonenplatte zu dem zweiten ebenen Teil hin gerichtet,

ein zweites Lichtstrahlenbündel wird durch die zweite Zonenplatte zum zweiten Teil hin gerichtet, und

daß zweite Teil wird relativ zum ersten Teil so lange verschoben, bis der erste Lichtstrahlenbündel durch die erste Öffnung übertragen und von dem ersten Lichtdetektor festgestellt wird, und der zweite Lichtstrahlenbündel wird gleichzeitig durch die zweite Öffnung übertragen und von dem zweiten Detektor festgestellt.

7. Verfahren nach Anspruch 6, worin der Schritt der Verschiebung des zweiten Teils relativ zu dem ersten Teil den Schritt der Verschiebung des zweiten Teils relativ zu dem ersten Teil in einer linearen Richtung X umfaßt.

8. Verfahren nach Anspruch 7, worin der Schritt der Verschiebung des zweiten ebenen Teils relativ zu dem ersten ebenen Teil den Schritt umfaßt, daß das zweite Teil mit Bezug auf eine Referenzstruktur stationär gehalten wird und das erste Teil relativ zu der Referenzstruktur verschoben wird und worin die ersten und zweiten Lichtstrahlenbündel mit einem Eingang zum ersten Teil fixiert werden.

9. Verfahren nach Anspruch 7, worin der Schritt der Verschiebung des zweiten Teils relativ zu dem ersten Teil den Schritt der Verschiebung des zweiten Teils relativ zu dem ersten Teil in einer Winkelrichtung umfaßt.

10. Verfahren nach Anspruch 6, mit folgenden weiteren Schritten:

in dem ersten ebenen Teil wird eine dritte Zonenplatte gebildet;

in dem zweiten Teil wird eine dritte transparente Öffnung so gebildet, daß diese zu der dritten Zonenplatte fluchtet;

ein dritter Fotodetektor wird benachbart der dritten Öffnung und gegenüber dem ersten ebenen Teil angeordnet;

ein drittes Lichtstrahlenbündel wird durch die dritte Zonenplatte zu dem zweiten Teil hin gerichtet, und das zweite Teil wird relativ zu dem ersten Teil so lange verschoben, bis das dritte Strahlenbündel durch die dritte Öffnung hindurchtritt und von dem dritten Lichtdetektor nachgewiesen wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, worin der Schritt der Verschiebung des zweiten ebenen Teils, bis die ersten und zweiten Lichtstrahlen jeweils von den ersten und zweiten Lichtdetektoren nachgewiesen werden, folgenden Schritt umfaßt:

das zweite ebene Teil wird relativ zu dem ersten ebenen Teil in einer linearen Richtung X verschoben, danach wird das zweite ebene Teil relativ zu dem ersten Teil winkelmäßig bewegt, und

der Schritt der Verschiebung des zweiten Teils, bis der dritte Lichtstrahlenbündel nachgewiesen wird, umfaßt den Schritt der Verschiebung des zweiten ebenen Teils relativ zu dem ersten Teil in einer linearen Richtung Y, die quer zur X-Richtung ist..

12. Verfahren nach Anspruch 6, worin das zweite Teil mit Bezug auf das erste Teil einjustiert wird, derart, daß eine maximale Lichtintensität des ersten Lichtstrahlenbündels durch den ersten Lichtdetektor festgestellt wird und eine maximale Lichtintensität des zweiten Lichtstrahls von dem zweiten Lichtdetektor nachgewiesen wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, worin die ersten und zweiten Lichtstrahlenbündel jeweils dazu gebracht werden, die Breiten der ersten bzw. der zweiten Öffnung abzutasten, daß drei Intensitätsmessungen im gleichen Abstand durch jede Öffnung gemacht werden und daß nach jeder Abtastung die Stelle des Beginns der nachfolgenden Abtastung und die winkelmäßige Ausrichtung der zweiten Maske geändert werden, bis zwei der drei Meßwerte im wesentlichen gleich sind und die drei Meßwerte der Lichtintensität, auf der zugeordneten Strecke aufgetragen, jeweils im wesentlichen eine Parabel beschreiben, und daß die Parabel zur jeweiligen Zentrierung der ersten Öffnung zum ersten Strahlenbündel und der zweiten Öffnung zum zweiten Strahlenbündel benutzt werden.