DE3618136C2 - - Google Patents
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- DE3618136C2 DE3618136C2 DE3618136A DE3618136A DE3618136C2 DE 3618136 C2 DE3618136 C2 DE 3618136C2 DE 3618136 A DE3618136 A DE 3618136A DE 3618136 A DE3618136 A DE 3618136A DE 3618136 C2 DE3618136 C2 DE 3618136C2
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- G11C—STATIC STORES
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Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterspeichervorrichtung
mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1.
Eine Halbleiterspeichervorrichtung dieser Gattung ist
bekannt aus IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd. 27,
Nr. 12 (Mai 1985), Seiten 7227 und 7228.
Ferner ist aus DE 29 42 741 A1 eine Anordnung für einen
Speicher mit wahlfreiem Zugriff zum Auslesen oder
Einschreiben von Daten bekannt, die wahlweise als Wörter
mit fest vorgegebener Stellenzahl oder als Einzelbits
verarbeitet werden, wobei die Adresse einen ersten
Abschnitt für die Adressierung der Wörter und einen
zweiten Abschnitt für die Adressierung einzelner Stellen
innerhalb der durch den ersten Abschnitt adressierten
Wörter aufweist und wobei mit den Stellen des zweiten
Abschnitts ein Multiplexer, der an die parallelen
Datenausgänge des Speichers angeschlossen ist und mit
seinem Ausgang eine wahlweise über einen Befehl auf
Invertierung umschaltbare Torstufe speist, und ein
Demultiplexer einstellbar sind, der mit seinem Eingang an
die Torschaltung und mit seinen Ausgängen an die
parallelen Dateneingänge des Speichers gelegt ist.
Nachfolgend wird anhand von Fig. 1 und 2 eine bekannte
Halbleiterspeichervorrichtung beschrieben, die in Form
eines Speichers mit wahlfreiem Zugriff (RAM) ausgebildet
ist. Er weist eine gemeinsame Leitung auf, die als
Dateneingang
dient sowie eine Datenausgangsleitung zwischen einem
Dateneingang/Ausgangsanschluß 2 und einem
Halbleiterspeicher. Die Halbleiterspeichervorrichtung
1 speichert Daten und benutzt den Dateneingang/
Ausgangsanschluß 2 für die externe Datenübertragung.
Sie umfaßt außerdem eine Lese/Schreibeinrichtung (R/W)
3 zum Empfangen eines Befehlssignals, um einen
Operationsmodus der Speichervorrichtung auszuwählen,
und zwar ob eine Leseoperation oder eine
Schreiboperation gewählt werden soll. Ein Chipauswahl-
(CS)-Anschluß 4 empfängt ein Chipauswahlsignal, um einen
der Chips auszuwählen, die die Speichereinrichtung 1
bilden. Adresseneingangsanschlüsse 5-1 bis 5-n empfangen
Signale, welche die Adressen der Speicherzellen, auf die
Zugriff genommen werden soll, bestimmen.
Der Adressenanschluß 5-1 ist für einen 0-ten
Adresseneingangsbit und der Adressenanschluß 5-n ist für
einen n-1-ten Adresseneingangsbit. Die Gesamtanzahl n
der Adresseneingangsanschlüsse ist gewöhnlich so
bestimmt, daß eine Gesamtanzahl von internen
Speicherzellen der Speichervorrichtung 2 n wird. Das
bedeutet, daß die Anzahl n der Adresseneingangsanschlüsse
dargestellt werden kann durch n = log2N, wobei N die
gesamte Anzahl der inneren Speicherzellen ist.
Fig. 2 ist ein Blockdiagramm eines Beispiels einer
Halbleiterspeichervorrichtung gemäß Fig. 1. In Fig. 2
umfaßt die Halbleiterspeichervorrichtung 1 eine
Datenlese/Schreibsteuerschaltung (R/W) 7, eine
Datenpufferschaltung 8 und eine Adressenkodierschaltung
10. Eine Speicherzellengruppe 11 umfaßt gewöhnlich 2n
Speicherzellen und bildet eine Speicherschaltung der
Halbleiterspeichervorrichtung 1. Schließlich gibt es
eine Speicherlese/Schreibsteuerschaltung 12.
Die Daten-R/W-Steuerschaltung 7 empfängt Signale vom
R/W-Auswahlanschluß 3 und dem Chipauswahlanschluß 4 und
liefert ein R/W-Steuersignal 14 sowohl an die Speicher-
R/W-Steuerschaltung 12 als auch an die
Adressendekodierschaltung 10. Die Daten R/W-
Steuerschaltung 7 liefert außerdem ein
Datenpuffersteuersignal 9 an die Datenpufferschaltung 8
um hierdurch den Daten-R/W-Betrieb der
Halbleitervorrichtung 1 zu steuern.
Die Datenpufferschaltung 8 ist verantwortlich für das
Datenpuffersteuersignal 9, um eine Datenübertragung
zwischen dem Dateneingang/Ausgangsanschluß 2 und der
Speicher-R/W-Steuerschaltung 12 zu steuern.
Die Adressendekodierschaltung 10 ist ansprechbar auf das
R/W-Steuersignal 14, um n Adressensignale von den n
Adresseneingangsanschlüssen 5-1 bis 5-n zu dekodieren
und um Speicherzellen entsprechend diesen Adressensignalen
auszuwählen.
Die Speicher-R/W-Steuerschaltung 12 ist ansprechbar auf
das R/W-Signal 14, um eine Datenübertragung von oder zu
den Speicherzellen zu steuern, die entsprechend den
Adressensignalen ausgewählt wurden.
Die Datenpufferschaltung 8 und die Speicher-R/W-
Steuerschaltung 12 sind gegenseitig über eine interne
Datenleitung 13 verbunden. Die Speicher-R/W-
Steuerschaltung 12 wird außerdem durch ein Signal von
der Adressendekodierschaltung 10 durch eine nicht
dargestellte Verbindung versorgt.
Die Speicher-R/W-Steuerschaltung 12 ist gewöhnlich
zusammengesetzt aus einem Abtastverstärker und einem
internen Datenleitungspuffer und ähnlichem. Das Signal
zur Auswahl einer der Speicherzellen der
Speicherzellengruppe 11 wird durch die
Adressendekodierschaltung 10 geliefert.
Der Betrieb der Halbleiterspeichervorrichtung 1 wird nun
mit Bezug auf Fig. 2 für einen Daten-Schreibmodus
beschrieben. Zuerst wird die Adresse der Speicherzelle,
in die Daten einzuschreiben sind, an die
Eingangsanschlüsse 5-1 bis 5-n geliefert und der
Chipauswahlanschluß 4 wird aktiviert, um eine oder
mehrere Speicherzellen auszuwählen. Gleichzeitig werden
die in die Speicherzellen einzuschreibenden Daten an den
Dateneingangs/Ausgangsanschluß 2 geliefert und ein
Schreibfreigabesignal wird dem R/W-Anschluß 3 zugeführt.
Die Daten-R/W-Auswahlsteuerschaltung 7 spricht auf die
Signale vom Chipauswahlanschluß 4 und vom R/W-
Auswahlanschluß 3 an, um das Datenpuffersteuersignal 9
zu erzeugen, welches an die Datenpufferschaltung 8
geliefert wird. Die Datenpufferschaltung 8 spricht auf
das Datenpuffersteuersignal 9 an, um die Daten, welche
dem Eingangs/Ausgangsanschluß 2 zugeführt wurden, der
internen Datenleitung 13 zuzuführen. Die
Adressendekodierschaltung 10 dekodiert die
Adressensignale, welche von den
Adresseneingangsanschlüssen 5-1 bis 5-n geliefert wurden
und wählt eine der Speicherzellen der Speicherzellengruppe
11 aus, welche der Adresse entspricht, die durch die
Adressensignale bestimmt ist. Die Speicher-R/W-
Steuerschaltung 12 spricht auf das R/W-Steuersignal 14
an, welches von der Daten-R/W-Steuerschaltung 7 geliefert
wurde, um die Daten auf der internen Datenleitung 13 in
die Speicherzelle einzuschreiben, welche durch das
Signal (nicht dargestellt) ausgewählt wurde, das von der
Adressendekodierschaltung 10 geliefert wurde.
Wenn ein Datenteil aus der Halbleiterspeichervorrichtung
1 ausgelesen werden soll, wird eine Adresse einer
Speicherzelle, aus der die Daten ausgelesen werden sollen,
an die Adresseneingangsanschlüsse 5-1 bis 5-n angelegt.
Der Chipauswahlanschluß 4 wird aktiviert und der R/W-
Auswahlanschluß 3 wird gesetzt, um einen Auslese- oder
Lesemodus anzuzeigen. Die Adressendekodierschaltung 10
dekodiert das Adressensignal, welches den
Adresseneingangsanschlüssen 5-1 bis 5-n zugeführt wurde,
und zwar in der gleichen Weise wie im Falle der
Schreiboperation, um eine der Speicherzellen der
Speicherzellengruppe 11 auszuwählen, welche der
gelieferten Adresse entspricht. Die Speicher-R/W-
Steuerschaltung 12 spricht auf das Signal aus der
Adressendekodierschaltung 10 und das R/W-Steuersignal
14 aus der Daten-R/W-Steuerschaltung 7 an, um ein Bit
der Information auszulesen, welches in der
ausgewählten Speicherzelle enthalten ist, und um es
auf der internen Datenleitung 13 zu senden. Die
Information, welche auf der internen Datenleitung 13
gesendet wurde, wird zum Dateneingangs/Ausgangsanschluß
2 über die Datenpufferschaltung 8 übertragen, welche in
Abhängigkeit vom Datenpuffersteuersignal 9 aus der R/W-
Steuerschaltung 7 arbeitet.
Bei dieser bekannten Halbleiterspeichervorrichtung
wird die Bestimmung und Ermittlung
einer besonderen Speicherzelle der Speicherzellengruppe
11 durchgeführt mit Hilfe der n Adressensignalbits,
welche extern an die n Adressenanschlüsse 5-1 bis 5-n
geliefert wurden. Außerdem ist in der konventionellen
Speichervorrichtung eine Redundanzschaltung vorgesehen,
um defekte Bereiche der Speicherzellen und ähnliches zu
vermeiden und um eine Speicherzelle zu benutzen, die
physikalisch unterschiedlich ist von der durch das
Adressensignal zugewiesenen, das an die
Adresseneingangsanschlüsse angelegt ist. Sogar in einem
solchen Fall ist jedoch eine Speicherzelle, welche
entsprechend einem Adressierbit ausgewählt wurde, das
durch die Adresseneingangsanschlüsse auf die
Adressenleitung gegeben wurde, definiert bestimmt. Somit
ist es unmöglich, Zugriff auf die gleiche Speicherzelle
durch Senden einer unterschiedlichen Adresse zu haben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
Halbleiterspeichervorrichtung der eingangs genannten Gattung zu
schaffen, in der die Speicherzellen jeweils durch zwei
unterschiedliche Adressen ausgewählt werden können, die in
Abhängigkeit von der Art der Datenverarbeitung eingegeben
werden.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit den Merkmalen des
kennzeichenden Teils des Patentanspruchs 1 gelöst.
Mit dieser Lösung können wahlweise auch mehrere
Speicherzellen einer Speicherzellengruppe gleichzeitig
ausgewählt werden.
Die Einrichtung zur Erzeugung des Adressenauswahlsignals
kann in die erfindungsgemäße Speicheranordnung baulich
einbezogen sein oder außerhalb von ihr vorgesehen werden.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand
der beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Darin zeigt
Fig. 1 eine bekannte Halbleiterspeichervorrichtung in
schematischer Darstellung,
Fig. 2 den Gegenstand von Fig. 1 in detaillierter
Darstellung,
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in
schematischer Darstellung,
Fig. 4 den Gegenstand von Fig. 3 in detaillierter
Darstellung,
Fig. 5 ein Beispiel einer Steuerschaltung zur
Adressenumwandlung von Fig. 3,
Fig. 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 7 eine Adressierstruktur für ein Video RAM zur
Erläuterung einer alternativen Adressendekodierung
beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 6,
Fig. 8 eine Kombination einer Adressenumwandlung, wenn
die Adresse gemäß Fig. 7 durch 8 Parallelbits in
vertikaler Anordnung Zugriff hat, und
Fig. 9 den Adressendekodierer des Ausführungsbeispiels
gemäß Fig. 6 in schematischer Darstellung.
Fig. 3 zeigt eine schematische Konstruktion einer
Halbleiterspeichervorrichtung nach einem
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, welche
einen Speicher mit wahlfreiem Zugriff, auch Schreib-
und Lesespeicher (RAM) genannt, ist. In Fig. 3 weist
das RAM 1 eine Vielzahl l von Daten-Eingangs/
Ausgangsanschlüssen 15-1 bis 15-l auf sowie eine
Vielzahl von n Adresseneingangsanschlüssen 5-1 bis 5-n
sowie einen Adressenumwandlungsanschluß 17 zum Empfang
eines Adressenumwandlungs-Befehlssignales. Es weist
außerdem einen Chipauswahlanschluß 4 für die
Chipauswahl und einen R/W-Auswahlanschluß 3 für den
Empfang eines Signales auf, welches einen
Operationsmodus, Auslesen oder Einschreiben, zuweist
oder zuteilt, wie bei einem konventionellen Speicher.
Fig. 4 zeigt eine schematische Blockschaltung des RAMs
1 von Fig. 3, in dem ein interner Datenbus 19 mit einer
Vielzahl (l) von Signalleitungen aufgebaut ist. Wie in
Fig. 4 gezeigt, umfaßt das RAM 1 eine R/W-
Steuerschaltung 7, eine Datenpufferschaltung 18, eine
Adressendekodierschaltung 24, eine Speicherzellengruppe
25 und eine Speicher-R/W-Steuerschaltung 26, welche
ähnlich sind als Konzept den entsprechenden Elementen
in der konventionellen Speichervorrichtung von Fig. 2.
Zusätzlich umfaßt das RAM 1 eine Adressenumwandlungs-
Steuerschaltung 22, um ein Signal zu erzeugen, welches
feststellt, ob eine Adressenumwandlung aus- oder
durchzuführen ist oder nicht.
Die Datenpufferschaltung 18 arbeitet unter Steuerung
eines Datenpuffersteuersignals 9 der R/W-
Steuerschaltung 7, um eine Datenübertragung zwischen
den Dateneingangs/Ausgangsanschlüssen 5-1 bis 5-n und
der Speicher-R/W-Steuerschaltung 26 zu steuern. Die
R/W-Steuerschaltung 7 spricht auf die Signale an, die
von dem Chipauswahlanschluß 4 und dem R/W-
Auswahlanschluß geliefert werden, um ein R/W-
Steuersignal 14 zu erzeugen, welches der Speicher-R/W-
Steuerschaltung 26 und der Adressendekodierschaltung
24 zugeführt wird. Die R/W-Steuerschaltung 7 erzeugt
außerdem das Datenpuffersteuersignal 9, welches der
Datenpufferschaltung 18 zugeführt wird.
Eine Adressenpufferschaltung 20 empfängt Adressensignale
von den Adresseneingangsanschlüssen 5-1 bis 5-n und
liefert sie über den internen Adressenbus 21 an die
Adressendekodierschaltung 24. Der interne Adressenbus
21 ist zusammengesetzt aus einer Vielzahl (n) von
Signalleitungen. Die Adressenumwandlungs-Steuerschaltung
22 spricht auf ein Adressenumwandlungs-Steuersignal 23
an, welches dem Adressenumwandlungs-Befehlsanschluß 17
zugeführt wird und anzeigt, ob die Adressenumwandlung
auszuführen ist oder nicht und sendet das letztere
Signal an die Adressendekodierschaltung 24. Die
Adressendekodierschaltung 24 spricht auf das R/W-
Steuersignal von der R/W-Steuerschaltung 7 an, um die
Adresseninformation umzuwandeln (zu dekodieren), welche
an sie aus der Adressenpufferschaltung 20 über den
internen Adressenbus 21 geliefert wird. Die Umwandlung
oder Dekodierung wird entsprechend dem
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 durchgeführt, um
hierdurch eine Speicherzelle der Speicherzellengruppe
25 auszuwählen. Die Speicherzellengruppe 25 umfaßt
l × 2n Speicherzellen und ist unterteilt in
Speicherzellenuntergruppen, deren Anzahl gewöhnlich
gleich der Zahl l der Dateneingangs/Ausgangsanschlüsse
ist.
Die Speicher-R/W-Steuerschaltung 26 spricht auf das
R/W-Steuersignal 14 an, um den Auslese/
Einschreiboperationsmodus der Speicherzellengruppe 25
zu steuern. Die Speicher R/W-Steuerschaltung 26 ist
gewöhnlich zusammengesetzt aus einem Abtastverstärker,
einem internen Datenleitungspuffer und ähnlichem und
empfängt ein Signal (nicht dargestellt) von der
Adressendekodierschaltung 24.
Das Ansprechen der Adressendekodierschaltung 24 hängt
ab von dem Adressenumwandlungs-Steuersignal 23, welches
auf der Information basiert, die über den
Adressenumwandlungs-Befehlsanschluß 17 an die
Adressenumwandlungs-Steuerschaltung 22 geliefert wird.
Abhängig von dem Adressenumwandlungs-Steuersignal 23
erzeugt die Adressendekodierschaltung 24 eine von zwei
unterschiedlichen Adressendekodiersignalen in bezug
auf die Adresseninformation von den
n Adresseneingangssignalanschlüssen 5-1 bis 5-n. Das
bedeutet, daß die Adressendekodierschaltung 24 entweder
erste Adressendekodiersignale in der gleichen Ordnung
0, 1, ..., 2n-1 als die n Adresseneingangsbits oder
zweite Adressendekodiersignale in einer unterschiedlichen
Ordnung erzeugt, z.B. m, m+1, ..., 2n-1, 0, 1, ..., m-1
aus der Ordnung der n Adresseneingangsbits. In der
letzteren Umwandlung ist m eine ganze Zahl.
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Durchführung
der oben erwähnten Adressenumwandlung, welches die
Adressenumwandlungs-Steuerschaltung und den
Adressendekodierer umfaßt. In Fig. 5 ist die
Adressenumwandlungs-Steuerschaltung 22 mit einem Puffer
50 versehen. Die Adressendekodierschaltung 24 umfaßt
einen Addierer 34 und einen ROM Adressendekoder 36,
welcher in einem Nur-lese- oder Festwertspeicher
implementiert ist, der ein Ausgangssignal vom Addierer
34 erhält. Der Addierer 34 spricht auf Adressensignale
21 von den n internen Adressenbussen an und arbeitet in
zwei unterschiedlichen Moden, entweder m zu addieren
oder nicht entsprechend dem logischen Pegel "1" oder
"0" des Adressenumwandlungs-Steuersignales 23. Der Wert
m ist ein vorbestimmter Wert in bezug auf die n
Adresseneingangssignale. Das bedeutet, ein
Adressensignal auf einer Vielzahl (n) von
Ausgangsleitungen 35 des Addierers 34 wird umgewandelt
oder nicht entsprechend dem Adressenumwandlungs-
Steuersignal 23. Der ROM Adressendekoder 36 spricht auf
die Adresseninformation vom Addierer 34 an, um sie zu
dekodieren und um hierdurch eine Speicherzelle der
Speicherzellengruppe 35 auszuwählen. Es gibt 2n
Ausgangsleitungen, die zwischen der Speicherzellengruppe
35 und dem ROM Adressendekoder 36 vorgesehen sind, Im
Betrieb werden das Datenauslesen aus der
Speicherzellengruppe 35 und das Dateneinschreiben in
die Speicherzellengruppe in der gleichen Weise wie bei
einer konventionellen Vorrichtung ausgeführt. Jedoch
ist das Adressendekodieren unterschiedlich gegenüber
dem der konventionellen Vorrichtung. Die
Adressenumwandlungs-Steuerschaltung 22 liefert als
Adressenumwandlungs-Steuersignal einen Wert "1" oder
"0" entsprechend dem "1"- oder "0"-Signal, welches vom
Adressenumwandlungs-Befehlsanschluß 17 geliefert wird.
Das Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 wird dann dem
Addierer 34 zugeführt. Wenn das Adressenumwandlungs-
Steuersignal "1" ist, wird eine Adressenumwandlung
ausgeführt. Der Addierer 34 spricht auf das "1"-
Ausgangssignal der Adressenumwandlungs-
Steuerschaltung an, um die vorbestimmte Anzahl m zu
addieren. Da der ROM Adressendekoder 36 auf die
Ausgangssignale der Leitungen 35 anspricht, um diese
Leitungen zu dekodieren, wird die Adresseninformation,
welche auf die Adresseneingangsanschlüsse 5-1 bis 5-n
gegeben wurde, durch den Addierer 34 umgewandelt. Der
ROM Adressendekoder 36 wählt eine geeignete
Speicherzelle jeder Speicherzellengruppe 25 entsprechend
der umgewandelten Adresseninformation aus.
Wenn das Signal "0" vom Adressenumwandlungs-
Befehlsanschluß 17 geliefert wird, erscheint die gleiche
Adresseninformation auf dem internen Adressenbus 21 auf
den Ausgangsleitungen 35 des Addierers 34.
Betrachtet man irgendeine der Speicherzellen der
Speicherzellengruppe 25, so ist die Speicherzelle in der
Lage, zwei unterschiedliche Adressen zu haben, von denen
jede ausgewählt wird entsprechend der Information für
den Adressenumwandlungs-Befehlsanschluß 17. Somit kann
in diesem Ausführungsbeispiel die Adressendekodier-
Schaltung 24 zwei unterschiedliche Adressen für jede
Speicherzelle liefern bzw. schaffen. Es ist willkürlich
und freigestellt, wie solche unterschiedlichen Adressen
für eine Zelle geschaffen werden. Außerdem sind die
Anzahl der Adressenumwandlungs-Befehlsanschlüsse sowie
die Anzahl der Adressenumwandlungs-Steuerschaltungen
willkürlich.
Im Ausführungsbeispiel von Fig. 4 wird das
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 von der
Adressenumwandlungs-Steuerschaltung 22 nur zur
Adressendekodierschaltung 24 geliefert. Jedoch ist es
außerdem möglich, das Adressenumwandlungs-Steuersignal
23 dazu zu benutzen, um die Anzahl der effektiven
Leitungen eines Datenbusses mit variabler Breite zu
ändern, welcher extern mit den Dateneingangs/
Ausgangsanschlüssen verbunden ist.
Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Halbleiterspeichervorrichtung, in der ihre
Schaltungskonfiguration beispielsweise entweder die
Form und Gestalt eines Speichers mit wahlfreiem Zugriff
bzw. Schreib- und Lesespeichers von 1 × 2n Bits mit
einem einzigen Dateneingangs/Ausgangsanschluß oder
eines Speichers mit wahlfreiem Zugriff oder Schreib-
und Lesespeichers von l × 2n/l Bits annimmt, welcher
l Dateneingangs/Ausgangsanschlüsse aufweist. Die
Konfiguration ist bestimmt durch die Information vom
Adressenumwandlungs-Befehlsanschluß 17, wobei ein
Adressendekodiersignal der Adressendekodierschaltung
entsprechend der gewünschten Konfiguration geändert
wird.
Wenn z.B. ein Video RAM mit Videobildelementen
zusammengesetzt aus 1024 × 512 Punkten geschaffen
werden soll, sind acht getrennte 1 × 64K Bit DRAMs
notwendig. In einem solchen Fall wird gewöhnlich eine
Rasterabtastung horizontal für eine Zeile von 1024 Bits
ausgeführt und anschließend eine nächste Zeile usw.
abgetastet.
Die 1 × 64K Bit DRAMs sind längs der Abtastrichtung
angeordnet. Ein Datenbus weist eine Breite von 8 Bits
auf, d.h. ein Byte. Mit einer solchen
Speicherkonstellation kann es einfach sein, Zugriff zu
den Daten zu haben, welche aufeinanderfolgend und
horizontal im Video RAM abgelegt sind. Wenn jedoch auf
Daten Zugriff genommen werden soll, die
aufeinanderfolgend vertikal abgelegt sind, kann nur
1 Bit für jeden Zugriff verarbeitet werden. In einem
Fall, wo der vertikale Zugriff als Verbesserung der
Verarbeitungsgeschwindigkeit gewünscht wird, werden
8 × 8K Bit DRAMs anstelle der horizontal orientierten
1 × 64K Bit DRAMs verwendet, wobei die erstgenannten
vertikal orientiert bzw. angeordnet sind. Da im
letzteren Fall auf jede Speicherzelle der
Speicherzellengruppe mit unterschiedlichen Adressen
Zugriff genommen werden muß, müssen die
Adressendekodierschaltung und der Rest der Schaltung
durch das Adressenumwandlungs-Steuersignal geändert
werden.
In Fig. 6 liefert die Halbleiterspeichervorrichtung 1
einen 1 × 2n Bit Schreib- und Lesespeicher oder einen
l × (2n/l) Bit Schreib- und Lesespeicher entsprechend
der Information vom Adressenumwandlungs-Befehlsanschluß
17 über die Adressenumwandlungs-Steuerschaltung 22. Die
Adressenpufferschaltung 27 spricht auf die
Adressierinformation von den Adresseneingangsanschlüssen
5-1 bis 5-n und das Adressenumwandlungs-Steuersignal 23
an, um 2n unterschiedliche Adressen auf dem internen
Adressenbus 21 zu liefern, der aus n Signalleitungen
zusammengesetzt ist, wenn er die 1 × 2n Bitkonstruktion
aufweist. Wenn alternativ hierzu die Gruppe 32, die
l × 2n/l Konfiguration aufweist, liefert die
Adressenpufferschaltung 27 eine Anzahl n - log2l
Adressensignale aus den n Signalen auf den
Adresseneingangsanschlüssen 5-1 bis 5-n des internen
Adressenbusses 21. Im letztgenannten Fall werden die
verbleibenden log2l Adresseneingangsanschlüsse als
Chipauswahlanschlüsse verwendet.
Einige der Signale der Adresseneingangsanschlüsse
5-1 bis 5-n, welche als Chipauswahlanschlüsse verwendet
werden, liefern log2l Chipauswahlausgangssignale 28,
welche von der Adressenpufferschaltung 27 abgeleitet
und der R/W-Steuerschaltung 29 zugeführt werden. Im
Falle der 1 × 2n Bitkonstruktion spricht die R/W-
Steuerschaltung 29 auf Steuerdaten des R/W-
Auswahlanschlusses 3 und vom Chipauswahlanschluß 4 an,
um das R/W-Steuersignal 14 zu erzeugen, welches der
Speicher-R/W-Steuerschaltung 33 sowie zur
Adressendekoderschaltung 31 entsprechend dem
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 von der
Adressenumwandlungs-Steuerschaltung 22 zugeführt wird.
In dem Falle der l × (2n/l) Bitkonstruktion spricht die
R/W-Steuerschaltung 29 auf die Chipauswahlsignale 28 an,
welche von den Adressen und der Steuerinformation vom
Chipauswahlsignal 4 abgeleitet werden, um das R/W-
Steuersignal 14 zu erzeugen, welches der Speicher-R/W-
Steuerschaltung 33 und der Adressendekodierschaltung 31
zugeführt wird. In diesem Zeitpunkt wird auch das
Datenpuffersteuersignal 9 durch die R/W-Steuerschaltung
29 in Abhängigkeit vom Adressenumwandlungs-
Steuersignal 23 erzeugt und der Datenpufferschaltung 30
zugeführt. Die Datenpufferschaltung 30 empfängt das
Datenpuffersteuersignal 9 und das Adressenumwandlungs-
Steuersignal 23, um ausschließlich einen der
Dateneingangs/Ausgangsanschlüsse 15-1 bis 15-n wirksam
zu machen, und zwar in dem Fall der 1 × 2n
Bitkonfiguration. Die Datenpufferschaltung 30 führt eine
Datenübertragung in bezug auf die Speicher-R/W-
Steuerschaltung 33 und einem der Dateneingangs/
Ausgangsanschlüsse 15-1 bis 15-n aus, wobei nur eine
Leitung des internen Datenbusses 19 verwendet wird. Wenn
die Speicherzellengruppe 25 als l × (2n/l)
Bitkonfiguration ausgebildet ist, macht die
Datenpufferschaltung 30 alle Dateneingangs/
Ausgangsanschlüsse 15-1 bis 15-l wirksam und führt eine
Datenübertragung in bezug auf die Speicher-R/W-
Steuerschaltung 33 aus mittels aller l Signalleitungen
des internen Datenbusses 19.
Die Adressendekoderschaltung 31 spricht im Falle der
1 × 2n Bitkonstruktion auf das R/W-Steuersignal 14 und
das Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 an, um eine der
2n Speicherzellen entsprechend der Information auf den
n Adressenbussen auszuwählen. Alternativ hierzu wählt
in der l × (2n/l) Konfiguration die Adressendekodier-
Schaltung 31 gleichzeitig l Speicherzellen aus. Zum
Beispiel werden im letztgenannten Falle die l Daten
gleichzeitig durch Zugriff erfaßt entsprechend der
Darstellung, die für die 1 × 2n Bitkonfiguration geeignet
ist, bei Adressen 0, 0+m, 0+2m, ..., 0+(l-1) × m und zur
gleichen Zeit adressiert. Im Falle der 1 × 2n
Bitkonstruktion wird 1 Bit der Speicherzellengruppe 32
entsprechend dem Ausgangssignal der
Adressendekodierschaltung 31 ausgewählt. Im Falle der
l × (3n/l) Bitkonstruktion werden Speicherzellen von
l Bits gleichzeitig ausgewählt.
Die Speicher-R/W-Steuerschaltung 33 führt die
Datenübertragung über den internen Datenbus 19 aus. Die
Speicher-R/W-Steuerschaltung 33 empfängt das
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23, das R/W-
Steuersignal 14 und ein Signal (nicht dargestellt) von
der Adressendekodierschaltung 31, um entweder ein Lesen
oder ein Schreiben der Daten in die ausgewählte
Speicherzelle der Speicherzellengruppe 32 zu steuern
und um die Daten zwischen der Zelle und einer der
Datenleitungen des internen Datenbusses 19 im Falle der
1 × 2n Bitkonstruktion zu übertragen oder alternativ in
dem Falle der l × (2n/l) Bitkonstruktion das Lesen oder
Schreiben der Daten in die ausgewählten l Speicherzellen
der Speicherzellengruppe 32 zu steuern und um die Daten
zwischen den Zellen und den l Datenleitungen des
internen Datenbusses 19 zu übertragen.
Die Bereiche der Adressenumwandlungs-Steuerschaltung 22
und der Adressendekodierschaltung 31, die in Fig. 6
gezeigt sind, welche sich auf die Adressenumwandlung
beziehen, werden mit Bezug auf ein spezielles Beispiel
beschrieben, in dem ein Video RAM aus 8 RAMs aufgebaut
ist, von denen jedes 64K Bits aufweist und in welchem es
1024 Punkte in horizontaler Richtung und 512 Punkte in
vertikaler Richtung gibt.
Wenn es gewünscht wird, auf die Gruppe Zugriff zu haben,
liefern die 8 RAMs, von denen jedes 64K Bits aufweist,
zusammen ein Byte. Der Zugriff wird unter Verwendung
eines Bytes als eine Einheit in einem Zugriff
ausgeführt. Da in diesem Falle die Anzahl der Punkte
in einer Zeile 1024 Bits beträgt, ist eine Serie von
1024/8 = 128 Adressen für die Speicherung einer
horizontalen Zeile in jedem RAM erforderlich. Da außerdem
64K Bits dividiert durch 128 = 512 beträgt, liefern die
8 RAMs 512 horizontale Zeilen in der vertikalen Richtung
Fig. 7 zeigt einen Adressenplan oder Karte für 8 RAMs
in der zuvor erwähnten Verwendung. In Fig. 7 zeigen
unterschiedliche Nummern Adressen, von denen jede in
den 8 RAMs gemeinsam ist. Wenn auf das Video RAM gemäß
Fig. 7 ein vertikaler Zugriff durchgeführt wird, wird
es als 8 × 8K Bit RAM verwendet. Speicherzellen, die
bei oder für die Adressen von z.B. 0, 129, 256, 384,
512, 640, 768 und 896 des 64K Bit RAM bestehen, werden
parallel als Speichereinheit mit der Adresse 0
ausgelesen. In ähnlicher Weise werden solche, die bei
den Adressen 64512, 64640, 64769, 64896, 65024, 65152,
65280 und 65408 bestehen, parallel als Speichereinheit
mit der Adresse 63 ausgelesen. Da die Speicherzelle,
die der Adresse 64512 in der 64K Bitkonstruktion
entspricht die Adresse 64 für das 8 × 8K Bit RAM
aufweist, werden zwei unterschiedliche Adressen einer
einzigen Speicherzelle zugeordnet.
Fig. 8 zeigt ein Beispiel des Adressiereingabeverfahrens
für den ROM Adressendekoder, durch welches Verfahren die
oben erwähnte Adressenumwandlung verwirklicht wird, in
dem 16 Adressenzeilen durch A0, ..., A15 im Falle der
64K Bit RAM Konfiguration bezeichnet sind.
13 Addierzeilen sind durch B0, ..., B12 für das 8 × 8K
Bit RAM bezeichnet. Im Falle des 64K Bit RAMs wird eine
der Speicherzellen der Speicherzellengruppe durch einen
ROM Adressendekoder ausgewählt, welcher eine Adresse von
16 Bits aus den Adressenzeilen A0-A15 dekodiert. Auf
der anderen Seite werden für den Fall des 8 × 8K Bit
RAMs die Bits, die den Adressenzeilen A7, A8 und A9 im
Falle der 64K Bitkonstruktion entsprechen, wirksam
gemacht. Die Zeile, die dem A10 entspricht, wird so
gewählt, daß sie B0 entspricht. In ähnlicher Weise
werden die Zeilen B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, B8, B9,
B10, B11 und B12 ausgebildet, um den Adressenleitungen
A11, A12, A13, A14, A15, A0, A1, A2, A3, A4, A5 und A6
jeweils zu entsprechen. Daher werden die
Adresseneingangssignale des ROM Adressendekoders auf die
Zeilen B0-B12 übertragen. Das bedeutet, daß die
Adresseneingangszeilen B0-B12 die Adresseneingänge
A0-A15 sind, welche in geeigneter Ordnung neu geordnet
werden. Diese Neuordnung kann durch bloßes Neuordnen der
Verbindung der Adressenbusse der Adressenpufferschaltung
realisiert werden.
Fig. 9 zeigt eine schematische Schaltung der
Adressendekodierschaltung 24, welche die in den Fig. 7
und 8 gezeigte Adressenumwandlung ausführt. In Fig. 9
umfaßt die Adressendekodierschaltung 24 einen Inverter
46, der das Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 umwandelt,
um ein invertiertes Adressenumwandlungs-Steuersignal 47
zu erzeugen. Adressenmultiplexer 38 sind sämtlich
ansprechbar auf das Adressenumwandlungs-Steuersignal 23
und das invertierte Adressensteuersignal 47, um entweder
das Adresseneingangssignal (Ai(i = 0-15, ausgenommen 7-9)
oder Bk(k = 0-12) zu liefern. Adressenumwandlungs-
Multiplexer 39 sind jeweils ansprechbar auf das
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 und das invertierte
Adressenumwandlungs-Steuersignal 47, um festzustellen,
ob die drei Adresseneingangssignale A7, A8 und A9 wirksam
sind und um ein Ausgangssignal zu liefern, welches die
Bestimmung anzeigt. Adressendekoder ROMs 44 sind jeweils
ansprechbar auf Ausgangssignale der Adressenmultiplexer
38 und der Adressenumwandlungs-Multiplexer 39, um die
Adressen zu dekodieren und eine Dekodierausgangszeile
45 zu aktivieren. Jeder der Adressenmultiplexer 38
schaltet zwischen den Adresseneingängen jedes der
13 Sätze der Adresseneingänge A15, B5; A14, B4; ...;
A10, B0; A6, B12; A0, B6
(Fig. 8) und liefert ein
Adressenmultiplexerausgangssignal 40, welches dann das
invertierte Signal 41 ist. Das bedeutet, daß jeder
der Adressenmultiplexer 38 aus einem UND-Gatter 38-1
aufgebaut ist, der mit dem Adresseneingangssignal Ai
und dem invertierten Adressenumwandlungs-Steuersignal
47 beliefert wird sowie aus einem UND-Gatter 38-2,
welches durch das Adresseneingangssignal Bk und das
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 versorgt wird, aus
einen NOR-Gatter 38-3, welches durch Ausgangssignale
der UND-Gatter 38-1 und 38-2 versorgt wird und aus
einem Inverter (NICHT-Gatter) 38-4, welches durch ein
Ausgangssignal des NOR-Gatters 38-3 versorgt wird. Das
Adressenmultiplexerausgangssignal 40 wird vom Inverter
38-4 abgeleitet, während das invertierte
Adressenmultiplexerausgangssignal 41 vom NOR-Gatter
38-3 abgeleitet wird.
Wie in Fig. 9 zu sehen ist, wird dann, wenn das
Adressensteuersignal 23 "1" ist, das
Adresseneingangssignal der B Seite am
Adressenmultiplexerausgang 40 und am invertierten
Adressenmultiplexer 41 vorgesehen bzw. vorhanden sein
und wenn das Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 "0"
ist, ist das Adresseneingangssignal der A Seite an den
gleichen Ausgängen vorhanden.
Der Adressenumwandlungs-Multiplexer 39 ist zusammengesetzt
aus einem NOR-Gatter 39-1, welches mit einem
Adresseneingangssignal Ax (x = 7, 8, 9) und dem
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 versorgt wird und
aus einem NOR-Gatter 39-2 zusammengesetzt, welches auch
mit den letztgenannten Signal und einem Ausgangssignal
des NOR-Gatters 39-1 versorgt wird. Der Multiplexer 39
liefert ein erstes Adressenumwandlungs-
Multiplexerausgangssignal 42 vom NOR-Gatter 39-1 und ein
zweites Adressenumwandlungs-Multiplexerausgangssignal
43 über das NOR-Gatter 39-2. Daher werden wie klar aus
Fig. 9 ersichtlich ist, dann, wenn das
Adressenumwandlungs-Steuersignal "1" ist, die ersten
und zweiten Adressenumwandlungs-Multiplexerausgangssignale
42 und 43 "0" und veranlassen, daß die
Adresseneingangssignale A7, A8 und A9 unwirksam werden.
Wenn das Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 "0" wird,
werden gegenseitig invertierte A Seiten
Adresseneingangssignale geschaffen, und zwar so wie sie
sind an den Adressenumwandlungs-Multiplexerausgängen
42 und 43. Die Adressendekodier ROMs 44 bilden einen
ROM Adressendekodierer und 2n ROM Adressendekodierer
werden geschaffen.
Das Adressendekodier ROM 44 ist zusammengesetzt aus
16 parallel verbundenen Anreicherungs FETs, deren
Senken gemeinsam miteinander verbunden sind und deren
Quellen geerdet sind. Die gemeinsame Verbindung der
Quellen (oder Senken) wird als Ausgang 45 des
Adressendekodier ROMs 44 verwendet, bei dem "0" oder
"1" entsprechend dem Adresseneingang geliefert wird.
Gewöhnlich wird der Ausgang 45 auf "1" durch eine
geeignete Schaltung vorgeladen (nicht dargestellt),
wenn das Adressendekodieren nicht ausgeführt wird.
Von den 16 FETs, die einen Adressendekodierer 44 bilden,
sind 13 FETs vorhanden, an deren Gates zum Adressen-
Dekodieren entweder die Adressenmultiplexerausgangssignale
40 oder die invertierten Adressenmultiplexerausgangssignale
41 angelegt werden. Die verbleibenden 3 FETs weisen Gates
auf, an die zum Adressen-Dekodieren das erste oder zweite
Adressenumwandlungs-Multiplexerausgangssignal 42 oder 43
angelegt wird. In diesem Falle müssen die 16 FETs
ausgebildet sein, um sämtlich die 16
Adresseneingangssignale zu dekodieren. Wenn daher das
Adressenumwandlungs-Steuersignal 23 "0" ist, welches den
16 Adresseneingängen A15-A0 entspricht, liefert nur
eines der Adressendekodier ROMs 44 einen aktiven Ausgang,
d.h. ein Adressendekodier ROM Ausgang 45, welches "1"
ist. Daher wird nur eine der Speicherzellen der
Speicherzellengruppe ausgewählt.
Wenn auf der anderen Seite das Adressenumwandlungs-
Steuersignal 23 "1" ist, werden der erste und zweite
Adressenmultiplexerausgang 42 und 43 "0", welches den
13 Adresseneingängen entspricht. Somit liefern 8 der
Adressendekodier ROM Ausgänge 45 ein Ausgangssignal 45,
welches "1" ist. In diesem Falle wird es bei Benutzung
der Kombination der Adresseneingangssignale, welche
dem Adressenmultiplexverfahren unterzogen werden, wie
in Fig. 8 gezeigt, möglich, auf ein Byte vertikal Zugriff
zu haben, wie in Fig. 7 gezeigt.
Wie oben beschrieben, wenn nämlich jeder der
Halbleiterspeichervorrichtungen die in den Fig. 6 und 9
gezeigt sind, in einem Video RAM benutzt werden und
außerdem die Datenverarbeitungsgeschwindigkeit durch
vertikalen Zugriff des Video RAMs erhöht werden soll,
wird die Änderung in einfacher Weise durch Änderung der
Zahl oder Nummer der Dateneingangs/Ausgangsanschlüsse
und das Dekodiersystem der Speicherzellen vollendet.
Es ist festzustellen, daß, obwohl Ausführungsbeispiele mit
Bezug auf ein Video RAM beschrieben wurden, sie
weder auf ein Video RAM noch auf einen Speicher mit
wahlfreiem Zugriff bzw. Schreib- und Lesespeicher (RAM)
beschränkt sind. Es ist möglich, die vorliegende
Erfindung auf Halbleiterspeichervorrichtungen anzuwenden,
welche irgendeinen Adressendekoder mit einem
Festwertspeicher (ROM) aufweisen oder einen nicht
flüchtigen Speicher oder andere Speichertypen.
Obwohl außerdem in den beschriebenen Ausführungsbeispielen
das Adressenumwandlungs-Steuersignal durch ein externes
Signal gesetzt wird, welches an den Adressenumwandlungs-
Befehlsanschluß 17 angelegt wird, kann es möglich sein,
solch ein Signal an einer speziellen Stelle in der
Halbleiterspeichervorrichtung zu speichern und um das
Adressenumwandlungs-Steuersignal intern auf der Basis des
gespeicherten Signals zu erzeugen.
Außerdem kann die Zahl solcher Adressenumwandlungs-
Steuersignalerzeugungsschaltungen willkürlich sein.
Die Adressenumwandlungskombination kann abhängig sein von
speziellen Anwendungen der Halbleiterspeichervorrichtung.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Adresse, durch
die eine spezielle Speicherzelle ausgewählt wird,
umgewandelt werden in Abhängigkeit vom Adressenumwandlungs-
Steuersignal, um mindestens zwei unterschiedliche Adressen
für jede Speicherzelle zu haben. Es ist möglich, auf den
Speicher mit hoher Geschwindigkeit durch Änderung der
Datenbitzusammensetzung Zugriff zu haben und der
Konstruktion der Speicherzellengruppe.
Claims (7)
1. Halbleiterspeichervorrichtung mit
- (a) einer ersten Adressensignal-Erzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines ersten Adressensignals zur Bestimmung einer Adresse einer Speicherzelle, für die eine Datenlese/Datenschreib-Operation ausgeführt werden soll,
- (b) mindestens einer zweiten Adressensignal-Erzeugungseinrichtung, welche auf das erste Adressensignal ansprechbar ist, um eine vorbestimmte Operation am ersten Adressensignal auszuführen, um ein zweites Adressensignal zu erzeugen,
- (c) einer Adressenauswahlsignal-Erzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines Adressenauswahlsignals, welches kennzeichnend ist dafür, ob das erste oder das zweite Adressensignal ausgewählt ist,
- (d) einer Adressenauswahleinrichtung, welche auf das Adressenauswahlsignal ansprechbar ist, um selektiv entweder das erste oder zweite Adressensignal passieren zu lassen,
- (e) einer Speicherzellenauswahl-Einrichtung, welche auf das erste und zweite Adressensignal ansprechbar ist, das die Adressenauswahl-Einrichtung passiert hat, um eine entsprechende Speicherzelle auszuwählen, und
- (f) einer Datenlese/Datenschreib-Einrichtung zum Lesen/Schreiben der Daten aus der bzw. in die Speicherzelle, welche durch die Speicherzellenauswahl-Einrichtung ausgewählt wurde,
dadurch gekennzeichnet, daß
- (g) das zweite Adressensignal die Auswahl von mehreren Speicherzellen gleichzeitig veranlaßt,
- (h) die Datenlese/Datenschreib-Einrichtung auf das Adressenauswahlsignal zum Lesen/Schreiben in paralleler Weise aus den bzw. in diese Speicherzellen anspricht, wenn das Adressenauswahlsignal das zweite Adressensignal passieren läßt, und
- (i) die Datenlese/Datenschreib-Einrichtung auf das Adressenauswahlsignal zum Lesen/Schreiben eines Datenbits aus einer bzw. in eine durch das erste Adressensignal ausgewählte Speicherzelle anspricht, wenn das Adressenauswahlsignal das erste Adressensignal passieren läßt.
2. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Adressensignal-Erzeugungseinrichtung eine
Adressen- und Pufferschaltung zum Passieren eines
Adressensignals aufweist, welches ihr von außen
zugeführt wird.
3. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Adressenauswahlsignal-Erzeugungseinrichtung auf ein
Signal ansprechbar ist, welches ihr von außen
zugeführt wird.
4. Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Adressenauswahlsignal-Erzeugungseinrichtung nur auf
ein Signal ansprechbar ist, welches innerhalb der
Halbleiterspeichervorrichtung geliefert wird.
5. Halbleiterspeichervorrichtung nach einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite
Adressensignal-Erzeugungseinrichtung und die
Adressenauswahl-Einrichtung auf eine Mehrbit-Adresse
hin arbeiten und die Adressenauswahl-Einrichtung auf
das Adressenauswahlsignal ansprechbar ist, um die Bits
der Mehrbit-Adresse um eine vorbestimmte Anzahl von
Plätzen zu verschieben.
6. Halbleiterspeichervorrichtung nach einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die
Adressenauswahl-Einrichtung Multiplex-Schaltungen
umfaßt, von denen jede aus logischen Toren besteht.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136539A JPS61294562A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3618136A1 DE3618136A1 (de) | 1987-01-02 |
| DE3618136C2 true DE3618136C2 (de) | 1992-02-13 |
Family
ID=15177554
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE19863618136 Granted DE3618136A1 (de) | 1985-06-21 | 1986-05-30 | Abwechselnd adressierte halbleiterspeichergruppe |
Country Status (3)
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|---|---|
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| DE (1) | DE3618136A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4321473A1 (de) * | 1992-06-26 | 1994-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | FIFO-Speichereinrichtung |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3884492T2 (de) * | 1987-07-15 | 1994-02-17 | Hitachi Ltd | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung. |
| US5257234A (en) * | 1987-07-15 | 1993-10-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| US4942319A (en) * | 1989-01-19 | 1990-07-17 | National Semiconductor Corp. | Multiple page programmable logic architecture |
| US5021689A (en) * | 1989-01-19 | 1991-06-04 | National Semiconductor Corp. | Multiple page programmable logic architecture |
| US5261073A (en) * | 1989-05-05 | 1993-11-09 | Wang Laboratories, Inc. | Method and apparatus for providing memory system status signals |
| US6564308B2 (en) | 1989-05-05 | 2003-05-13 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Multiple mode memory module |
| US5307469A (en) * | 1989-05-05 | 1994-04-26 | Wang Laboratories, Inc. | Multiple mode memory module |
| US5247655A (en) * | 1989-11-07 | 1993-09-21 | Chips And Technologies, Inc. | Sleep mode refresh apparatus |
| US4985871A (en) * | 1989-11-13 | 1991-01-15 | Chips And Technologies, Inc. | Memory controller for using reserved dram addresses for expanded memory space |
| US5134616A (en) * | 1990-02-13 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Dynamic ram with on-chip ecc and optimized bit and word redundancy |
| US4999815A (en) * | 1990-02-13 | 1991-03-12 | International Business Machines Corporation | Low power addressing systems |
| JP2900523B2 (ja) * | 1990-05-31 | 1999-06-02 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置の書込回路 |
| US5526503A (en) * | 1993-10-06 | 1996-06-11 | Ast Research, Inc. | Virtual addressing buffer circuit |
| US5532947A (en) * | 1995-01-25 | 1996-07-02 | International Business Machines Corporation | Combined decoder/adder circuit which provides improved access speed to a cache |
| US6016560A (en) * | 1995-06-14 | 2000-01-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory, memory device, and memory card |
| US6154825A (en) * | 1997-03-07 | 2000-11-28 | Intel Corporation | Method and apparatus for addressing a memory resource comprising memory devices having multiple configurations |
| KR100281900B1 (ko) * | 1998-09-08 | 2001-02-15 | 윤종용 | 개선된 웨이퍼 번인 테스트 스킴을 갖는 반도체 메모리장치 |
| TW516118B (en) * | 2001-09-11 | 2003-01-01 | Leadtek Research Inc | Decoding conversion device and method capable of supporting multiple memory chips and their application system |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3800289A (en) * | 1972-05-15 | 1974-03-26 | Goodyear Aerospace Corp | Multi-dimensional access solid state memory |
| CH613540A5 (de) * | 1975-02-26 | 1979-09-28 | Siemens Ag | |
| DE2942741A1 (de) * | 1979-10-23 | 1981-05-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung fuer einen speicher mit wahlfreiem zugriff |
| US4494222A (en) * | 1980-03-28 | 1985-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Processor system using on-chip refresh address generator for dynamic memory |
| JPS573289A (en) * | 1980-06-04 | 1982-01-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor storing circuit device |
| JPS60200287A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-09 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP60136539A patent/JPS61294562A/ja active Pending
-
1986
- 1986-04-22 US US06/854,639 patent/US4763302A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-30 DE DE19863618136 patent/DE3618136A1/de active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4321473A1 (de) * | 1992-06-26 | 1994-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | FIFO-Speichereinrichtung |
| DE4321473C2 (de) * | 1992-06-26 | 1998-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | FIFO-Speichereinrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61294562A (ja) | 1986-12-25 |
| DE3618136A1 (de) | 1987-01-02 |
| US4763302A (en) | 1988-08-09 |
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