DE3643149A1

DE3643149A1 - Treiberschaltung fuer eine duennfilm-elektrolumineszenz(el)-anzeige

Info

Publication number: DE3643149A1
Application number: DE19863643149
Authority: DE
Inventors: Yosihide Fujioka; Yoshiharu Kanatani; Toshihiro Ohba; Hisashi Uede
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1985-12-17
Filing date: 1986-12-17
Publication date: 1987-06-19
Also published as: JPH0634152B2; US4962374A; GB2186730A; DE3643149C2; JPS62143096A; GB2186730B; GB8630125D0

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Treiberschaltung für eine Dünnfilm-Elektroluminezenz-(EL)-Anzeige gemäß der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 beschriebenen Art. Die Dünnfilm-Elektrolumineszenz(EL)-Anzeige ist als kapazitive Flachmatrixanzeige ausgebildet und wird mit Hilfe von Wechselströmen bzw. Wechselspannungen angesteuert (AC-Ansteuerung).

Im folgenden wird anhand der Fig. 1 eine Dünnfilm-El-Anzeigeeinrichtung näher beschrieben, die einen Doppelisolationsaufbau (oder Dreischichtenaufbau) aufweist.

Streifen transparenter Elektroden 2 aus In₂O₃ liegen parallel zueinander auf einem Glassubstrat 1. Auf diesem Glassubstrat 1 bzw. auf den transpartenten Elektroden 2 befinden sich eine dielektrische Schicht 3 aus Y₂O₃, Si₃N₄, TiO₂ oder Al₂O₃, eine Elektrolumineszenzschicht 4 (EL-Schicht) aus ZnS, die mit einem aktivierenden Zusatz dotiert ist, beispielsweise mit Mn, sowie eine weitere dielektrische Schicht 3′ aus Y₂O₃, Si₃N₄, TiO₂ oder Al₂O₃. Diese drei Schichten 3, 4 und 3′ liegen der Reihe nach übereinander und weisen jeweils eine Dicke auf, die zwischen 50 nm (500 Å und 1000 nm (10 000 Å) liegt. Die genannten drei Schichten 3, 4 und 3′ werden mit Hilfe einer Dünnfilmtechnologie aufeinanderliegend hergestellt, beispielsweise durch Aufdampfen oder Sputtern entsprechenden Materials auf die transparenten Elektroden 2, um den genannten Dreischichtaufbau zu erhalten. Zuletzt werden streifenförmige Gegenelektroden 5 aus Al₂O₃ auf die oberen Seite der Dreischichtenstruktur erzeugt, die ebenfalls parallel zueinander liegen und unter einem rechten Winkel zu den transparenten Elektroden 2 verlaufen. Die Gegenelektroden 5 liegen dabei auf der freien oberen Seite der Schicht 3′. Das auf diese Weise hergestellte Dünnfilm-EL-Element kann aufgrund seiner Ersatzschaltung als kapazitives Element bezeichnet werden, da die zwischen den beiden dielektrischen Schichten 3 und 3′ eingebettete EL-Schicht 4 auch zwischen Elektroden angeordnet ist.

Wie anhand der in Fig. 2 dargestellten Helligkeits-Spannungscharakteristik zu erkennen ist, wird das Dünnfilm-EL- Element bei einer relativ hohen Spannung angetrieben, die etwa bei 200 V liegt.

Das oben beschriebene Dünnfilm-EL-Element weist aufgrund der Wechselstrom- bzw. AC-Ansteuerung eine hohe Luminanz auf und besitzt darüber hinaus eine lange Lebensdauer. Beim normalen Betrieb einer konventionellen Dünnfilm-EL-Anzeige ist jede Datenelektrode mit einer Diode verbunden, die die Hälfte einer modulierten Spannung VM liefert, sowie mit einer Schalteinrichtung zur Entladung, bis 0 V erreicht sind. Zusätzlich weist die oben beschriebene Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung einen N-Kanal MOS-Treiber und einen P-Kanal MOS-Treiber zur Feldumkehr und zur Umkehr der Polarität von Schreibwellenformen bzw. Schreibspannungen auf, die an Bildelemente in jeder Abtastzeile angelegt werden.

Bei der beschriebenen Treiberschaltung gehören zu einer Abtastperiode einer Abtastzeile drei verschiedene Treiberperioden. Darüber hinaus sind wenigstens 50 µs erforderlich, um eine hinreichend hohe Luminanz für eine Abtastzeile zu erzielen. Wird daher die Anzahl der Abtastelektroden erhöht, so ist es erforderlich, die Bildfrequenz zu verringern, was zu einer verschlechterten Bildqualität mit Flickererscheinungen und geringer Luminanz führt.

Um die oben beschriebenen Nachteile zu vermindern, wurde bereits seitens der Erfinder in der am 19. Mai 1986 eingereichten US-Patentanmeldung 8 64 509 mit dem Titel "Treiberschaltung für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung" vorgeschlagen, jede Datenelektrode mit einer dritten Schalteinrichtung zum Aufladen der EL-Schichten zu verbinden, sowie mit einer vierten Schalteinrichtung zum Beseitigen einer bestimmten Spannung von diesen Schichten durch Entladung. Jede dieser Datenelektroden ist mit eine Diode in umgekehrter Richtung bezüglich der Lade- oder Entladerichtung verbunden, so daß es möglich ist, die Datenelektroden gleichzeitig auf eine bestimmte Spannung aufzuladen oder zu entladen, und zwar in Übereinstimmung mit den Bilddaten während der Schreibsteuerperiode. Mit manderen Worten kann eine Modulationssteuerung durchgeführt werden, und zwar gleichzeitig mit dem Schreibsteuerbetrieb, so daß sich auf diese Weise die Ansteuerperiode für jede Abtastzeile auf etwa 40 µs verkürzen läßt. Werden daher Daten bei identischer Bildfrequenz abgebildet, so können gegenüber der konventionellen Treiberschaltung bzw. Dünnfilm-El-Anzeige bei der neuen Treibernschaltung bzw. Dünnfilm-EL-Anzeige mehr Abtastelektroden vorhanden sein.

Die entsprechende britische Patentanmeldung wurde am 10. Juni 1986 eingereicht und weist die Nr. 86 14 090 auf. Die entsprechende deutsche Anmeldung vom 09. Juni 1986 besitzt die Nummer P 36 19 366.6.

Wird allerdings bei der neuen Dünnfilm-EL-Anzeige die Anzahl der Abtastzeilen erhöht, um die Anzeigekapazität zu vergrößern, so erhöht sich allerdings auch die synthetische Kapazität (elektrische Kapazität) aller Bildelemente selbst. Darüber hinaus erhöht sich auch bei einer vergrößerten Anzahl von Abtastzeilen die Anzahl der Lade-Entladezyklen innerhalb einer bestimmten Zeitperiode, beispielsweise innerhalb eines Halbbildes, so daß dadurch der Leistungsverbrauch erheblich gesteigert wird, wenn die Modulationssteuerung durchgeführt wird. Auch wird bei dieser Ansteuerart eine größere Leistung verbraucht, da eine Aufladung bzw. Spannungsveränderung augenblicklich durchgeführt wird, und zwar entweder von der modulierten Spannung VM zur Spannung 0 V oder von der Spannung 0 V zur Spannung VM.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Treiberschaltung für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung zu schaffen, deren Leistungsverbrauch im Modulationsbetrieb erheblich vermindert ist.

Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegeben. Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung ist dem Unteranspruch zu entnehmen.

Eine Treiberschaltung für eine Dünnfilm-Elektrolumineszenz- (EL)-Anzeige mit einer Elektrolumineszenzschicht, die zwischen Abtastelektroden und rechtwinklig zu diesen verlaufenden Datenelektroden angeordnet ist, zeichnet sich aus durch
- eine erste und eine zweite Schalteinrichtung, die mit jeder der Abtastelektroden verbunden sind, um an diese jeweils eine Spannung mit positiver oder negativer Polarität gegenüber der Spannung der Datenelektroden anzulegen,
- eine dritte und eine vierte Schalteinrichtung, die mit jeder der Datenelektroden verbunden sind, um die Elektrolumineszenzschicht in Übereinstimmung mit den Abtasteleketroden jeweils aufzuladen bzw. zu entladen,
- eine fünfte Schalteinrichtung, die mit einer gemeinsamen Leitung der ersten Schalteinrichtung verbunden ist, um eine Spannung in eine negative Schreibspannung umzuwandeln oder auf 0 Volt zu schalten,
- eine sechste Schalteinrichtung, die mit einer gemeinsamen Leitung der zweiten Schalteinrichtung verbunden ist, um eine Spannung in eine positive Schreibspannung umzuwandeln oder auf 0 Volt zu schalten, und
- eine siebte Schalteinrichtung, die mit einer gemeinsamen Leitung der dritten Schalteinrichtung verbunden ist, um die gemeinsame Leitung durch eine schwimmende bzw. erdfreie, eine modulierte Spannung VM oder eine Spannung 1/2 VM aufzuladen.

Vorteilhaft besitzt die Treiberschaltung nach der Erfindung weiterhin eine Einrichtung zum Anlegen einer modulierten Spannung nur dann, wenn zuvor angelegte modulierte Spannungen zur Aufladung der Elektrolumineszenzschicht in jeder Horizontalperiode wieder durch Entladung beseitigt worden sind.

Die Zeichnung stellt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dar. Es zeigen:

Fig. 1 eine Perspektivansicht eines Teils einer Dünnfilm- EL-Anzeige,

Fig. 2 die Beziehung zwischen Helligkeit und angelegter Spannung bei der Dünnfilm-EL-Anzeige nach Fig. 1,

Fig. 3 ein Schaltbild einer Treiberschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 4 ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung der Betriebsweise der in Fig. 3 gezeigten Treiberschaltung,

Fig. 5, 6 und 7 weitere Diagramme zur Erläuterung des Logikbetriebs der in Fig. 3 dargestellten Treiberschaltung und

Fig. 8 ein Ersatzschaltbild der Treiberschaltung nach Fig. 3.

Im folgenden wird anhand der Fig. 3 der Aufbau der Treiberschaltung nach der Erfindung näher beschrieben. Eine Dünnfilm- EL-Anzeige 10 mit einer Emissionsschwellenspannung VW (= 190 V) weist Datenelektroden auf, die in X-Richtung nebeneinanderliegend angeordnet sind, sowie Abtastelektroden, die in Y-Richtung nebeneinanderliegend angeordnet sind. Die Abtastelektroden verlaufen in Fig. 3 horizontal, während die Datenelektroden vertikal verlaufen. Ein abtastseitiger N-Kanal Hochspannungs MOS IC 20 ist mit den Abtastelektroden der ungeradzahligen Zeilen verbunden, während ein abtastseitiger N-Kanal Hochspannungs MOS IC 30 mit den Abtastelektorden der geradzahligen Zeilen verbunden ist. Diese ICs 20 und 30 bilden die erste Schalteinrichtung. Mit den Bezugszeichen 21 und 31 sind logische Schaltungen bezeichnet, beispielsweise Schieberegister, die innerhalb der MOS ICs 20 und 30 liegen. Ein abtastseitiger P-Kanal Hochspannungs MOS IC 40 ist weiterhin mit den Abtastelektroden der ungeradzahligen Zeilen verbunden, während ein abtastseitiger P-Kanal Hochspannungs MOS IC 50 mit den Abtastelektroden der geradzahligen Zeilen verbunden ist. Diese ICs 40 und 50 bilden die zweite Schalteinrichtung. Mit den Bezugszeichen 41 und 51 sind logische Schaltungen bezeichnet, beispielsweise Schieberegister, die jeweils in den MOS ICs 40 und 50 liegen.

Ein Datenelektrodentreiber (IC) ist mit dem Bezugszeichen 200 bezeichnet. Der Datenelektrodentreiber 200 enthält Transistoren UT 1 bis UTi mit einer Hochziehfunktion, die die dritte Schalteinrichtung bilden. Jeweils ein Ende eines solchen Transistors ist mit einer Spannungsquelle verbunden, die eine Spannung VM (= 60 V) liefert. Transistoren DT 1 bis DTi mit einer Herabziehfunktion bilden die vierte Schalteinrichtung, wobei jeweils ein Ende eines solchen Transistors geerdet ist. Zum Datenelektrodentreiber 200 gehören ferner Dioden UD 1 bis UDi und DD 1 bis DDi zum Anlegen eines Stroms in umgekehrter Ricthung gegenüber den Strömen der Transistoren UT 1 bis UTi und DT 1 bis DTi. Die Dioden UD 1 bis UDi liegen dabei parallel zu den Transistoren UT 1 bis UTi, während die Dioden DD 1 bis DDi parallel zu den Transistoren DT 1 bis DTi liegen. Die genannten Komponenten innerhalb des Datenelektrodentreibers werden durch eine logische Schaltung 201 angesteuert, die sich innerhalb des Datenelektrodentreibers befindet und beispielsweise als Schieberegister ausgebildet sein kann.

Eine Wählschaltung zur Auswahl eines Source-Potentials für die abtastseitigen P-Kanal Hochspannungs MOS ICs ist mit dem Bezugszeichen 300 bezeichnet. Mit ihrer Hilfe lassen sich ein Potential von 220 V (= VK + 1/2 VM) oder ein Potential von 0 V auswählen, indem ein Schalter SW 1 durch ein Signal PSC entsprechend angesteuert wird.

Eine Wählschaltung zur Auswahl eines Source-Potentials für die abtastseitigen N-Kanal Hochspannungs MOS ICs ist mit dem Bezugszeichen 400 bezeichnet. Diese Wählschaltung bildet die fünfte Schalteinrichtung. Ein Potential von -160 V (= -VM + 1/2 VM) oder von 0 V wird mit Hilfe eines Schalters SW 2 eingestellt, der durch ein Signal NSC ansteuerbar ist.

Eine Datenumkehrsteuerschaltung ist mit dem Bezugszeichen 500 bezeichnet. Dagegen ist mit dem Bezugszeichen 600 eine Vcc 2 Steuerschaltung zur Bildung der siebten Schalteinrichtung bezeichnet, die die gemeinsame Leitung Vcc 2 der Transistoren UT 1 bis UTi und der Dioden UD 1 bis UDi kontrolliert, die sich innerhalb des Datenelektrodentreibers 200 befinden. Mit Hilfe zweier Schalter T 1 und T 2 lassen sich entweder ein Potential von 30 V (1/2 VM) oder 60 V (VM) auswählen. Sind der Schalter T 1 ausgeschaltet und der Schalter T 2 eingeschaltet, so wird ein Potential von 30 V ausgewählt. Sind dagegen der Schalter T 1 eingeschaltet und der Schalter T 2 ausgeschaltet, so wird ein Potential von 60 V geliefert. Mit Hilfe eines Schalters T 3 kann die gemeinsame Leitung Vcc 2 entweder auf einen schwimmenden Zustand gebracht oder auf eines der bestimmten Potentiale gelegt werden, das durch die Schalter T 1 und T 2 ausgewählt worden ist.

Nachfolgend wird die Betriebsweise der in Fig. 3 dargestellten Treiberschaltung unter Bezugnahme auf das in Fig. 4 gezeigte Zeitablaufdiagramm näher erläutert.

Dabei sei angenommen, daß die Abtastelektroden Y 1 und Y 2 mit den Bildelementen A und B durch zeilensequentielle Ansteuerung ausgewählt worden sind. Gemäß der Treiberschaltung nach Fig. 3 kehrt sich die Polarität der an die Bildelemente angelegten Spannung von Zeile zu Zeile um. Die Zeitspanne, in der ein negativer Schreibpuls an die Bildelemente einer ausgewählten Elektrodenzeile durch Einschaltung des Transistors im N-Kanal Hochspannungs MOS IC 20 oder 30 angelegt wird, der mit der ausgewählten abtastseitigen Elektrodenzeile verbunden ist, wird als N-Kanal-Steuerzeit bezeichnet. Dagegen wird die Zeitspanne, in der ein positiver Schreibpuls an die Bildelemente in einer ausgewählten Elektrodenzeile durch Einschaltung des Transistors innerhalb des P-Kanal Hochspannungs MOS IC 40 oder 50 angelegt wird, der mit der ausgewählten abtastseitigen Elektrodenzeile verbunden ist, als P-Kanal-Steuerzeit bezeichnet.

Ein Feld bzw. Halbbild, in dem eine N-Kanal-Steuerung für die abtastseitigen Elektroden von ungeraden Zeilen und eine P-Kanal-Steuerung für die abtastseitigen Elektroden von geradzahligen Zeilen durchgeführt wird, wird als NP-Feld bzw. NP-Halbbild bezeichnet. Dagegen wird ein Feld bzw. Halbbild, in dem eine P-Kanal-Steuerung für die abtastseitigen Elektroden von ungeradzahligen Zeilen und eine N-Kanal- Steuerung für die abtastseitigen Elektroden von geradzahligen Zeilen durchgeführt wird, als PN-Feld bzw. PN-Halbbild bezeichnet.

Im folgenden wird die Wirkungsweise der Treiberschaltung nach der Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 4 näher beschrieben. Mit H ist ein Horizontalsynchronisationssignal bezeichnet, durch das Daten während der hochliegenden Perioden geliefert werden. V ist ein Vertikalsynchronisationssignal. Die Ansteuerung für ein Halbbild beginnt mit der ansteigenden Flanke des Vertikalsynchronisationssignals V. DLS ist ein Datenhaltesignal, das jedesmal dann ausgegeben wird, wenn Daten für eine Zeile übertragen worden sind. DCK ist ein Datenübertragungstakt auf der Datenseite. Mit RVC ist ein Datenumkehrsignal bezeichnet, das einen hohen Pegel während der Datenübertragungsperiode der Elektrodenzeile annimmt, für die eine P-Kanal-Steuerung durchgeführt wird. Es kehrt alle Daten während der hochliegenden Periode um. DATA ist ein Anzeigedatensignal. Mit D 1 bis Di sind Dateneingaben für die Transistoren des datenseitigen Elektrodentreiber ICs 200 bezeichnet. Die weiteren Signale sind aus der nachfolgenden Tabelle 1 zu entnehmen.

Tabelle I

NSC Steuersignal für die Sourcepotential-Wählschaltung (400) der N-Kanal Hochspannungs MOS ICs
NCLungerade Löschsignal für den N-Kanal Hochspannungs MOS IC der ungeradzahligen Zeilen
NST ungerade STROBE-Signal für den N-Kanal Hochspannungs MOS IC der ungeradzahligen Zeilen
NCLgerade Löschsignal für den N-Kanal Hochspannungs MOS IC der geradzahligen Zeilen
NSTgerade STROBE-Signal für den N-Kanal Hochspannungs MOS IC der geradzahligen Zeilen
NDATA Übertragungsdaten für die N-Kanal Hochspannungs MOS ICs
PSC Steuersignal für die Sourcepotential-Wählschaltung (300) der P-Kanal Hochspannungs MOS ICs
PCLungerade Löschsignal für den P-Kanal Hochspannungs MOS IC der ungeradzahligen Zeilen
PSTungerade STROBE-Signal für den P-Kanal Hochspannungs MOS IC der ungeradzahligen Zeilen
PCLgerade Löschsignal für den P-Kanal Hochspannungs MOS IC der geradzahligen Zeilen
PSTgerade STROBE-Signal für den P-Kanal Hochspannungs MOS IC der geradzahligen Zeilen
PDATA Übertragungsdaten für die P-Kanal Hochspannungs MOS ICs
CLOCK Abtastseitiger Datenübertragungstakt

Grundsätzlich werden die Datenelektroden dadurch angesteuert, daß die Spannung, die an die datenseitigen Elektrodenleitungen angelegt wird, zwischen VM (= 60 V) und 0 V umgeschaltet wird, und zwar mit Zyklen von einer Horizontalperiode in Übereinstimmung mit den Bilddaten (H: Luminanz bzw. Helligkeit, L: keine Luminanz bzw. Dunkelheit).

Die Spannungsumschaltsteuerung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 5 näher beschrieben. Diese Fig. 5 zeigt den detaillierten Aufbau der logischen Schaltung 201. Bei Ansteuerung einer bestimmten datenseitigen Elektrodenzeile werden Ausgänge eines EXCLUSIV-OR zwischen den Bilddaten (H: Luminanz bzw. Helligkeit, L: keine Luminanz bzw. Dunkelheit) für die nachfolgenden Zeilen und dem Signal RVC der Reihe nach in ein Schieberegister 2011 eingegeben, das eine Speicherkapazität für eine Zeile aufweist. Nach Beendigung der Datenübertragung für eine Zeile werden die vom EXCLUSIV-OR erhaltenen Eingänge, also (DATA) + (RVC), die im Schieberegister 2011 gespeichert sind, nunmehr mit Hilfe des eingegebenen Signals DLS vom Schieberegister 2011 in eine Halteschaltung 2012 übertragen und dort so lange gespeichert, bis die momentane Treibersteuerung beendet ist. Die Transistoren UT 1 bis UTi sowie DT 1 bis DTi werden über die Ausgänge der Halteschaltung 2012 angesteuert. Demzufolge wird die an die datenseitigen Elektroden angelegte Spannung umgeschaltet, und zwar mit Zyklen von einer Hoirzontalperiode für jeden Signaleingang DLS.

Bei der Treiberschaltung nach der Erfindung wird die Spannung VM (= 60 V) nicht momentan angelegt, wenn der Transistor UTn eingeschaltet wird. Die Steuerschaltung 600 für die gemeinsame Leitung führt vielmehr einen schrittweisen Steuerbetrieb durch, der die Spannung von 1/2 VM (= 30 V) zum Wert VM (= 60 V) anhebt. Hierdurch ergibt sich eine Leistungseinsparung während der Modulation um 3/4 gegenüber dem Leistungsverbrauch bei der herkömmlichen Ansteuerung.

Das Signal RVC liegt auf hohem Pegel während der Datenübertragungsperiode für eine Zeile, für die eine P-Kanal-Steuerung durchgeführt wird. Während dieser Periode kehrt das Signal Daten um, wie nachfolgend beschrieben wird.

Bei der P-Kanal-Steuerung, die später noch erläutert wird, sind die Transistoren der P-Kanal Hochspannungs MOS ICs 40 oder 50 eingeschaltet, um die Spannung für die ausgewählte Abtastelektrodenzeile auf den Wert (VW + 1/2 VM) (=220 V) anzuheben und die Spannung für die ausgewählte datenseitige Elektrodenzeile auf 0 V zu reduzieren, so daß eine Spannung von (VW + 1/2 VM) am Bildelement anliegt und dieses leuchtet. An den nicht ausgewählten Elektrodenleitungen liegt in der Zwischenzeit eine Spannung von VM (= 60 V) an, so daß an den entsprechenden Bildelementen eine Spannung von (VW + 1/2 VM) - VM = 160 V anliegt. Da diese Spannung unterhalb des Pegels für eine Lichtemission liegt, bleiben die entsprechenden Bildelemente dunkel. Um die P-Kanal-Steuerung durchzuführen, wird der mit der ausgewählten datenseitigen Elektrodenleitung N verbundene Transistor UTn ausgeschaltet, während der Transistor DTn eingeschaltet wird. Für eine nicht ausgewählte Elektrodenleitung M wird der Transistor UTm eingeschaltet, während der Transistor DTm ausgeschaltet wird. Mit anderen Worten muß der Dateneingang für die ausgewählte Leitung (Dn) niedrig sein bzw. auf niedrigem Pegel liegen, während derjenige für die nicht ausgewählte Leitung (Dm) hoch sein muß bzw. auf hohem Pegel liegen muß. Es liegen also genau umgekehrte Verhältnisse wie beim Bilddateneingang vor (H: Helligkeit, L: Dunkelheit), so daß das Signal RVC zur Dateninvertierung erforderlich ist. Die Wellenform der Spannung, die an die auf diese Weise gesteuerten Datenelektroden angelegt wird, ist in Fig. 4 mit X 2 markiert. Die durchgezogene Linie zeigt die Wellenform, wenn alle Bildelemente leuchten. Dagegen gibt die gestrichelte Linie die Wellenform an, wenn kein Bildelement Licht emittiert.

Im folgenden wird die Ansteuerung der Abtastelektroden näher beschrieben. Der innere Aufbau der logischen Schaltungen 21 und 31 innerhalb der N-Kanal Hochspannungs MOS ICs 20 und 30 ist in Fig. 6 dargestellt. Dagegen zeigt die Fig. 7 den inneren Aufbau der logischen Schaltungen 41 und 51 in den P-Kanal Hochspannungs MOS ICs 40 und 50. Die Wahrheitstafeln für die jeweiligen logischen Schaltungen sind in Form der Tabellen 2 und 3 zusammengefaßt. Die Konstruktionen der N-Kanal Hochspannungs MOS ICs und der P-Kanal Hochspannungs MOS ICs sind komplementär zueinander. Obwohl sie eine umgekehrte Logik aufweisen, haben sie doch einen identischen Aufbau. Daher werden nur die N-Kanal Hochspannungs MOS ICs 20 und 30 näher beschrieben.

Tabelle 2

N-Kanal MOS IC / Wahrheitstafel

Tabelle 3

P-Kanal MOS IC / Wahrheitstafel

Ein Schieberegister 3000 speichert eine ausgewählte Abtastelektrodenzeile. Es empfängt das Signal NDATA während der hochliegenden Periode und überträgt es während der niedrigliegenden Periode des CLOCK-Signals. In dieser Steuerschaltung werden die Signale NSTungerade und NSTgerade jeweils zum N-Kanal Hochspannungs MOS IC 20 für die ungeradzahligen Zeilen und zum N-Kanal Hochspannungs MOS IC 30 für die geradzahligen Zeilen als Taktsignale übertragen, wie die Fig. 4 zeigt. Der NDATA Signaleingang zum Schieberegister 3000 hat nur einen niedrigliegenden Bereich im Halbbild. Dieser niedrigliegende Bereich fällt mit der ersten hochliegenden Periode des CLOCk-Signals (NSTungerade) oder (NSTgerade) zusammen, wobei der niedrigliegende Bereich bzw. die genannte erste hochliegende Periode hinter der ansteigenden Flanke des Signals V liegen, wie der Fig. 4 zu entnehmen ist. Daher wird jeweils nur ein CLOCK-Signal (NSTungerade) oder (NSTgerade) für jeweils zwei horizontale Perioden eingegeben, da die N-Kanal- oder P-Kanalsteuerung abwechselnd für jede Zeile durchgeführt werden. Die CLOCK-Signaleingänge in die N-Kanal Hochspannungs MOS ICs und in die P-Kanal Hochspannungs MOS ICs sind daher in der Phase gegeneinander um eine Horizontalperiode versetzt. Innerhalb des NP-Halbbildes werden Pulssignale nur für das Signal (NSTungerade) (= CLOCKungerade) geliefert, um die N-Kanalsteuerung für die ungeradzahligen Zeilen durchzuführen. Dagegen werden im PN-Halbbild solche nur für das Signal (NSTgrade) (= CLOCK- gerade) geliefert, um die N-Kanalsteuerung für die geradzahligen Zeilen durchzuführen.

Eine logische Schaltung 3001 empfängt zwei Signale NST und NCL, um in einen von drei Zuständen geschaltet zu werden. In einem Zustand sind die Hochspannungs MOS IC Transistoren eingeschaltet, während sie im anderen Zustand ausgeschaltet sind. In einem dritten Zustand werden die Transistoren in Übereinstimmung mit den Daten vom Schieberegister 3000 angesteuert, dessen Logik der in Tabelle 2 dargestellten Wahrheitstafel zu entnehmen ist. Der oben beschriebene Betrieb ist in Tabelle 4 zusammengefaßt.

Tabelle 4

Treibersteuertafel

Wie der obigen Beschreibung zu entnehmen ist, ist der Betrieb der Treiberschaltung nach der Erfindung grob in zwei zeitliche Blöcke unterteilt, und zwar in den zeitlichen Block zur Erzeugung des NP-Halbbildes und in den zeitlichen Block zur Erzeugung des PN-Halbbildes. Ist der Betrieb bezüglich beider Halbbilder abgeschlossen, so wird ein AC- Puls, der zur Lichtemission erforderlich ist, für jedes Bildelement der Dünnfilm-EL-Anzeige beendet. Jedes Halbbild ist darüber hinaus in zwei weitere zeitliche Blöcke unterteilt. Diese beiden zeitlichen Blöcke werden durch die N- Kanalsteuerung und durch die P-Kanalsteuerung gebildet. Im NP-Halbbild wird die N-Kanalsteuerung durchgeführt, und zwar für die Abtastelektroden ausgewählter ungeradzahliger Zeilen, und die P-Kanalsteuerung für die Elektroden ausgewählter geradzahliger Zeilen, während umgekehrte Verhältnisse im PN-Halbbild vorliegen. Jede Steuerung (N-Kanalsteuerung und P-Kanalsteuerung) umfaßt ferner eine Entladeperiode und eine Schreibperiode. Die Entladeperiode hat eine Länge von etwa 10 µs, während die Schreibperiode eine Länge von etwa 30 µs aufweist. Eine Horizontalperiode hat daher eine Länge von etwa 40 µs.

Das N-Kanal Sourcepotential und das P-Kanal Sourcepotential sind Sourcepotentiale für die N-Kanal und P-Kanal Hochspannungs MOS IC Transistoren, die erforderlich sind, um eine perfekt symmetrische AC-Wellenform hinreichend großer Amplitude zur Lichtemission an die EL-Bildelemente innerhalb des NP- und des PN-Halbbildes zu legen.

NSC ist ein Steuersignal für die Sourcepotential-Wählschaltung 400 zur Steuerung der N-Kanal Hochspannungs MOS ICs. Nimmt das NSC-Signal den Einschaltpegel bzw. hohen Signalpegel ein, so ist das Sourcepotential -(VW - 1/2 VM) = -160 V. Nimmt dagegen das NSC-Signal den Ausschaltzustand bzw. niedrigen Signalpegel ein, so ist das Sourcepotential 0 V. PSC ist ein Steuersignal für die Sourcepotential-Wählschaltung 300 zur Steuerung der P-Kanal Hochspannungs MOS ICs. Nimmt es den Einschaltzustand bzw. den hohen Signalpegel ein, so ist das Sourcepotential VW + 1/2 VM = 220 V. Nimmt es dagegen den Ausschaltzustand bzw. den niedrigen Signalpegel ein, so ist das Sourcepotential 0 V. NTungerade ist der N-Kanal Hochspannungs MOS Transistor in der integrierten Schaltung 20, NTgerade der N-Kanal Hochspannungs MOS Transistor in der integrierten Schaltung 30, PTungerade der P-Kanal Hochspannungs MOS Transistor in der integrierten Schaltung 40 und PTgerade der P-Kanal Hochspannungs MOS Transistor in der integrierten Schaltung 50. Der EIN/AUS- Betrieb dieser Transistoren bei jeder Ansteuerart wird nachfolgend genauer beschrieben. In Tabelle 4 bedeutet EIN, daß nur die ausgewählte Zeile eingeschaltet ist. Diese Transistoren nehmen den Zustand EIN, AUS oder (EIN) ein, und zwar in Abhängigkeit von den Signalen NCLungerade, NSTungerade, NCLgerade, NSTgerade, PCLungerade, PSTungerade, PCLgerade und PSTgerade. Die Logik für jeden zeitlichen Ablauf ist ebenfalls der Tabelle 4 zu entnehmen.

Zur Erläuterung der Wirkungsweise der in Fig. 3 gezeigten Treiberschaltung nach der Erfindung wird nachfolgend auf das entsprechende und in Fig. 8 dargestellte Ersatzschaltbild Bezug genommen, um die Ansteuerung der jeweiligen Elemente genauer zu beschreiben. Die in Fig. 8 erscheinenden Codes sind in der Tabelle 5 erläutert.
CodeBeschreibung

CStatische Kapazität pro Bildelement der EL-AnzeigeBAnzahl der leuchtenden Bildelemente auf einer ausgewählten AbtastzeileDAnzahl der DatenelektrodenSAnzahl der AbtastelektrodenCBSSynthetische Kapazität der datenseitigen ausgewählten Bildelemente auf einer ausgewählten Abtastzeile: B C CBSynthetische Kapazität der datenseitigen ausgewählten Bildelemente auf einer nichtausgewählten AbtastzeileCDSSynthetische Kapazität der datenseitigen nicht ausgewählten Bildelemente auf einer ausgewählten Abtastzeile: (D-B) · C CDSynthetische Kapazität der datenseitigen nicht ausgewählten Bildelemente auf einer nicht ausgewählten AbtastzeileVcc 2Gemeinsame Leitung der datenseitigen Schalteinrichtung zur Aufladung 1/2 VMSpannungsversorgungsquelle (zur Lieferung des halben Werts der modulierten Spannung) T 1Schalter zur Verdoppelung der Spannung T 2Schalter zum Aufladen CM T 3Schalter zur Erzeugung des schwimmenden Zustands der Leitung Vcc 2 CMKondensator zur Spannungsverdoppelung UTBHiermit sind alle Ladetransistoren bezeichnet, die mit den ausgewählten Datenleitungen verbunden sind UTDHiermit sind alle Ladetransistoren bezeichnet, die mit den nicht ausgewählten Datenleitungen verbunden sind DTBHiermit sind alle Entladetransistoren bezeichnet, die mit den ausgewählten Datenleitungen verbunden sind DTDHiermit sind alle Endladetransistoren bezeichnet, die mit den nicht ausgewählten Datenleitungen verbunden sind UDB UTB-Schutzdiode UDD UTD-Schutzdiode DDB DTB-Schutzdiode DDD DTD-Schutzdiode NTSHochspannungs N-Kanal MOS Transistor, verbunden mit der ausgewählten Abtastzeile PTSHochspannungs P-Kanal MOS Transistor, verbunden mit der ausgewählten Abtastzeile NTHochspannungs N-Kanal MOS Transistor, verbunden mit der nicht ausgewählten Abtastzeile PTHochspannungs P-Kanal MOS Transistor, verbunden mit der nicht ausgewählten Abtastzeile NSCSchalter zum Umschalten des Source-Anschlusses des N-Kanal MOS Transistors zwischen -VW und 0 V PSCSchalter zum Umschalten des Source-Anschlusses des P-Kanal MOS Transistors zwischen VW + VW und 0 V NDDiode, die normalerweise den Source-Anschluß des N- Kanal MOS Transistors auf 0 V hält PDDiode, die normalerweise den Source-Anschluß des P- Kanal MOS Transistors auf 0 V hält

1. Entladeperiode der N-Kanalsteuerung im NP-Halbbild

Zuerst werden Signale PSC und NSC eingeschaltet, um die Sourcepotentiale der N-Kanal und P-Kanal Hochspannungs MOS Transistoren auf 0 V zu halten. Zur selben Zeit werden alle Transistoren NTungerade, NTgerade, PTungerade und PTgerade eingeschaltet, um das Sourcepotential der abtastseitigen Elektroden bzw. Abtastelektroden auf 0 V zu halten. Während dieser Betrieb durchgeführt wird, bleibt der Schalter T 3 der Datenseite ausgeschaltet, so daß die gemeinsame Leitung Vcc 2 weiterhin den schwimmenden Zustand (floating state) einnimmt. Als nächstes wird der jenige Transistor UTB eingeschaltet, der mit den die ausgewählten Bildelemente enthaltenden Elektroden verbunden ist, und zwar in Übereinstimmung mit den Bilddaten. Der Transistor DTB ist ausgeschaltet. Der Transistor UTD wird ausgeschaltet, wobei dieser Transistor mit Elektroden verbunden ist, die nicht ausgewählte Bildelemente enthalten. Ferner wird der Transistor DTD eingeschaltet. Da die gemeinsame Leitung Vcc 2 weiterhin den schwimmenden Zustand einnimmt, wenn jeder Transistor so betrieben wird, daß eine Aufladung in einer Richtung entgegengesetzt zum letzten Treiberbetrieb durchgeführt werden kann, läßt sich nur eine Entladung vornehmen. Würden Aufladevorgänge in der identischen Richtung durchgeführt werden, so würde die Ladung konstantgehalten werden. Mit anderen Worten kann eine Entladung nur dann durchgeführt werden, wenn eine Ladung mit bestimmter Polarität entgegengesetzt zu der Richtung angelegt wird, unter der der Ladevorgang während der letzten Ansteuerung durchgeführt worden ist. Eine Entladung läßt sich nicht vornehmen, wenn Ladungen mit identischer Polarität angelegt werden.

2. Schreibperiode der N-Kanalsteuerung im NP-Halbbild

Zunächst wird das Signal NSC eingeschaltet, um eine Spannung -(VW - 1/2 VM) = -160 V für das Sourcepotential des N-Kanal Hochspannungs MOS Transistors bereitzustellen. Das Signal PSC wird ausgeschaltet, um das Sourcepotential des P-Kanal Hochspannungs MOS Transistors auf 0 V zu halten. In Übereinstimmung mit den im Schieberegister 21 gespeicherten Daten wird dann eine Zeile vom N-Kanal Hochspannungs MOS Transistor NTungerade auf der Seite der ungeradzahligen Zeilen ausgewählt, um den Transistor NTS einzuschalten. Alle anderen N-Kanal und P-Kanal Hochspannungs MOS Transistoren sind ausgeschaltet. Dioden UTB, UTD, DTB und DTD auf der Datenseite setzen ihren Treiberbetrieb während der Entladeperiode fort. Die gemeinsame Leitung Vcc 2 schaltet zuerst den Schalter T 3 ein, um vom fließenden Zustand in den Zustand 1/2 MV zu wechseln. Dann wird der Schalter T 2 ausgeschaltet, während der Schalter T 1 eingeschaltet wird, damit die Spannung sich auf den Wert VM hochziehen kann. Auf diese Weise wird erreicht, daß das Sourcepotential der datenseitigen Elektroden, die die ausgewählten Bildelemente enthalten, den Wert VM = 60 V annimmt, und daß die nichtausgewählten Elektroden mit einer Spannung von 0 V beaufschlagt werden. Da das Sourcepotential der ausgewählten abtastseitigen Elektroden bzw. Abtastelektroden auf -(VW - 1/2 VM) = -160 V verbleibt, können die Bildelemente CBS zwischen den ausgewählten Abtastelektroden und den ausgewählten Datenelektroden aufleuchten, da an ihnen eine Spannung von 60 V - (-160 V) = 220 V liegt. Die Bildelemente CDS zwischen den nichtausgewählten datenseitigen Elektroden bzw. Datenelektroden empfangen nur eine Spannung von 0 V- (-160 V) = 160 V, so daß sie nicht selbst leuchten können, da die genannte Spannung unterhalb des hierfür erforderlichen Schwellenwerts liegt. Die abtastseitigen Elektroden bzw. Abtastelektroden verbleiben im schwimmenden Zustand, so daß die Spannung für Bildelemente CB und CD nichtausgewählter Abtastzeilen zwischen 0 V und einem Maximalwert von 60 V schwankt, und zwar abhängig vom Verhältnis der ausgewählten zu den nichtausgewählten datenseitigen Elektroden.

3. Entladeperiode der P-Kanalsteuerung im NP-Halbbild

Mit Ausnahme der Ein- und Ausschaltung der datenseitigen Transistoren in Übereinstimmung mit invertierten Bilddaten führt das Steuersystem einen Steuerbetrieb durch, der identisch ist zu demjenigen während der Entladeperiode bei der N-Kanalsteuerung im NP-Halbbild.

4. Schreibperiode der P-Kanalsteuerung im NP-Halbbild

Zuerst wird das Signal PSC eingeschaltet, um eine Spannung von VW + 1/2 VM = 220 V als Sourcepotential für den P-Kanal Hochspannungs MOS Transistor bereitzustellen. Das Signal NSC wird ausgeschaltet, um das Sourcepotential des N-Kanal Hochspannungs MOS Transistors auf 0 V zu halten. In Übereinstimmung mit den Daten im Schieberegister 51 wird dann eine Zeile vom P-Kanal Hochspannungs MOS Transistor PTgerade auf der geradzahligen Elektrodenseite ausgewählt, um den Transistor PTS einzuschalten. Alle anderen N-Kanal und P-Kanal Hochspannungs MOS Transistoren PT, NTS und NT sind ausgeschaltet. Die datenseitigen Transistoren UTB, UTD, DTB und DTD führen weiterhin ihren Treiberbetrieb während der Entladeperiode durch. Die gemeinsame Leitung Vcc 2 schaltet zunächst den Schalter T 3 ein, um vom schwimmenden Zustand zum Zustand 1/2 VM zu gelangen. Dann wird der Schalter T 2 ausgeschaltet, während der Schalter T 1 eingeschaltet ist, um die Spannung auf den Wert VM anzuheben. Hierdurch wird bewirkt, daß das Sourcepotential der datenseitigen Elektroden bzw. Datenelektroden, die die ausgewählten Bildelemente enthalten, den Wert 0 V annimmt, und daß die nichtausgewählten Elektroden mit einer Spannung VM = 60 V beaufschlagt werden. Das das Sourcepotential der abtastseitigen Elektroden bzw. Abtastelektroden auf dem Wert von VW + 1/2 VM = 220 V verbleibt, können die Bildelemente zwischen den Abtastelektroden und den Datenelektroden aufleuchten, da sie eine Spannung von 220 V-0 V = 220 V mit einer Polarität empfangen, die gegenüber dem letzten Schreibpuls bei der N-Kanalsteuerung entgegengesetzt ist. Die Bildelemente zwischen nichtausgewählten datenseitigen Elektroden empfangen lediglich eine Spannung von 220 V - 60 V = 160 V, so daß sie nicht aufleuchten können, da die genannte Spannung unterhalb der hierfür erforderlichen Schwellenspannung liegt.

5. Entladeperiode der P-Kanalsteuerung im PN-Halbbild

Es werden hier die identischen Steuerschritte durchgeführt, wie sie auch während der Entladeperiode bei der P-Kanalsteuerung im NP-Halbbild ausgeführt werden.

6. Schreibperiode der P-Kanalsteuerung im PN-Halbbild

Mit Ausnahme der Auswahl der abtastseitgen Elektrodenzeilen auf der ungeraden Seite werden die gleichen Schritte ausgeführt, wie sie auch während der N-Kanalsteuerung im NP-Halbbild durchgeführt werden.

7. Entladeperiode der N-Kanalsteuerung im PN-Halbbild

Es werden die gleichen Schritte durchgeführt wie während der N-Kanalsteuerung im NP-Halbbild.

8. Schreibperiode der N-Kanalsteuerung im PN-Halbbild

Mit Ausnahme der Auswahl der abtastseitigen Elektrodenzeile von der geradzahligen Seite und der Aktivierung des N-Kanal Hochspannungs MOS Transistors der ausgewählten Zeile werden hier die gleichen Schritte durchgeführt, die auch bei der Erzeugung des NP-Halbbildes ausgeführt werden.

Um den Leistungsverbrauch des Modulationssystems drastisch zu senken, umfaßt der Steuerbetrieb der Treiberschaltung nach der Erfindung für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung eine bestimmte Entladeperiode, in der die Treiberschaltung die modulierte Spannung VM total abbaut bzw. entlädt, die zuvor an die Bildelemente gelegt worden ist, bevor eine modulierte Spannung VM mit entgegengesetzter Polarität an diese angelegt wird. Konventionelle Treiberschaltungen für EL-Anzeigen liefern eine konstante modulierte Spannung VM (V) zur gemeinsamen Leitung Vcc 2. Beispielsweise ist in einer konventionellen Treiberschaltung der Wert VM (V) konstant. Wird eine Ladeoperation in einer Horizontalperiode ausgeführt, und zwar ausgehend vom Zustand bei dem Punkt B (positiv) und D in der in Fig. 8 gezeigten Äquivalentschaltung mit einer modulierten Spannung VM (V) aufgeladen sind, und zwar in entgegengesetzter Richtung zu der der letzten Horizontalperiode, so wird die Polarität sofort invertiert, bevor die modulierte Spannung VM an diese Punkte angelegt wird. Wird beispielsweise die synthetische Kapazität zwischen den Punkten B und D mit CEL bezeichnet, so bestimmt sich der Leistungsverbrauch dieses Modulationssystems bzw. dieser Treiberschaltung zu PM = CEL (VM + VM)² = 4 CEL CM ². Dies liegt daran, daß bei der konventionellen Treiberschaltung eine Modulationsspannung VM mit invertierter Polarität angelegt wird, während eine noch zuvor erzeugte Ladespannung VM vorhanden ist.

Im Gegensatz dazu umfaßt der Betrieb der Treiberschaltung nach der Erfindung für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung eine bestimmte Entladeperiode. Das bedeutet, daß bei Anlegen einer modulierten Spannung VM mit invertierter Polarität die gemeinsame Leitung Vcc 2 offenbleibt, obwohl jeder der datenseitigen Transistoren geschaltet wird, so daß eine vorhergehende Aufladung vollständig durch Entladung beseitigt werden kann, und zwar infolge Erdung über die Transistoren DTB und DTD. Bei Anlegen der Spannung mit invertierter Polarität berechnet sich der Leistungsverbrauch der Treiberschaltung nach der Erfindung zu PM = CEL VM ². Dies ist nur ein Viertel des Leistungsverbrauchs des konventionellen Modulationssystems. Werden Spannungen mit identischer Polarität angelegt, so kann keine Ladung entladen werden, obwohl die bestimmte Entladeperiode vorgesehen ist, da keiner der datenseitigen Transistoren geschaltet wird, so daß keine Leistung verbraucht wird. Bei Verwendung einer modulierten Spannung VM wird bei der Treiberschaltung nach der Erfindung nicht die gesamte modulierte Spannung VM auf einmal angelegt. Vielmehr wird zunächst die Spannung 1/2 VM angelegt, bevor diese schließlich auf den Wert VM durch entsprechende Aufladung erhöht wird. Hierdurch ist es möglich, die gesamte Leistungsaufnahme der Treiberschaltung gegenüber der konventionellen Schaltung um 3/4 zu verringern.

Bei konventionellen Treiberschaltungen wird die Spannung 1/2 VM an alle auf der geradzahligen Seite liegenden Elektroden während einer Schreibperiode gelegt, wenn die ausgewählte Abtastzeile eine solche ist, die zu den ungeradzahligen Zeilen gehört. Konventionelle Treiberschaltungen liefern also eine Spannung 1/2 VM zu den abtastseitigen Elektroden, die der ausgewählten Zeile gegenüberliegen. Während dieses Betriebs ist jeder Transistor aktiviert bzw. eingeschaltet, um die datenseitigen Elektroden mit 0 V oder 60 V aufzuladen, und zwar in Übereinstimmung mit den Bilddaten. Wie aus dem Ersatzschaltbild gemäß Fig. 8 zu entnehmen ist, sind daher die Kapazitäten der Bildelemente der ausgewählten und nichtausgewählten Zeilen der Datenseite miteinander in Reihe geschaltet. Da die abtastseitigen Elektroden zwischen diesen liegen, variiert das Potential der abtastseitigen Elektroden zwischen 0 V und VM, und zwar abhängig vom Kapazitätsverhältnis zwischen der ausgewählten Zeile und den nichtausgewählten Zeilen auf der Datenseite. Da das abtastseitige Potential sich von demjenigen auf der Datenseite unterscheidet, wird durch Anlegen einer Spannung 1/2 VM an die nichtausgewählten Abtastzeilen ein durch die datenseitigen Elektroden fließender Strom hervorgerufen, der die Leistungsbilanz des konventionellen Modulationssystems verschlechtert.

Im Gegensatz dazu werden bei der Treibeschaltung nach der Erfindung alle Zeilen mit Ausnahme der ausgewählten Abtastzeile in einem schwimmenden Zustand bzw. Floating-Zustand gehalten, und zwar während der Schreibperiode, so daß kein Strom vom Modulationssystem durch die abtastseitigen und die datenseitigen Zeilen fließen kann. Hierdurch wird der Leistungsverbrauch des Modulationssystems erheblich herabgesetzt.

Wie der vorangegangenen Beschreibung klar zu entnehmen ist, wird der Leistungsverbrauch des Modulationssystems auf 1/4 gegenüber dem konventionellen Modulationssystem reduziert, und zwar durch Einfügung einer bestimmten Entladungsperiode beim Betrieb der Treiberschaltung. Auch durch Anlegen der Modulationsspannung VM in zwei Schritten kann der Leistungsverbrauch gegenüber dem konventionellen Modulationssystem um 3/4 gesenkt werden. Da ferner die nichtausgewählten Zeilen in einem schwimmenden Zustand (floating state) gehalten werden, läßt sich der gesamte Leistungsverbrauch maximal auf etwa 3/16 des konventionellen Leistungsverbrauchs absenken. Es sei darauf hingewiesen, daß der Leistungsverbrauch des Modulationssystems etwa 70% der gesamten Treiberleistung ausmacht. Durch Absenkung des Leistungsverbrauchs des Modulationssystems auf maximal 3/16 des konventionellen Werts wird somit eine wirtschaftlich arbeitende Treiberschaltung erhalten, ohne dabei andere Nachteile in Kauf nehmen zu müssen.

Claims

1. Treiberschaltung für eine Dünnfilm-Elektrolumineszenz (EL)-Anzeige mit einer Elektrolumineszenzschicht, die zwischen Abtastelektroden und rechtwinklig zu diesen verlaufenden Datenelektroden angeordnet ist, gekennzeichnet durch
- eine erste und eine zweite Schalteinrichtung (20, 30; 40, 50), die mit jeder der Abtastelektroden (Y 1, Y 2, . . .) verbunden sind, um an diese jeweils eine Spannung mit positiver bzw. negativer Polarität gegenüber der Spannung der Datenelektroden (X 1, X 2, . . .) anzulegen,
- eine dritte und eine vierte Schalteinrichtung (UT 1, . . , UTi; DT 1, . . . DTi), die mit jeder der Datenelektroden (X 1, X 2, . . .) verbunden sind, um die Elektrolumineszenzschicht (4) in Übereinstimmung mit den Abtastelektroden (Y 1, Y 2, . . .) jeweils aufzuladen bzw. zu entladen,
- eine fünfte Schalteinrichtung (400), die mit einer gemeinsamen Leitung der ersten Schalteinrichtung (20, 30) verbunden ist, um eine Spannung in eine negative Schreibspannung umzuwandeln oder auf 0 Volt zu schalten,
- eine sechste Schalteinrichtung (300), die mit einer gemeinsamen Leitung der zweiten Schalteinrichtung (40, 50) verbunden ist, um eine Spannung in eine positive Schreibspannung umzuwandeln oder auf 0 Volt zu schalten, und
- eine siebte Schalteinrichtung (600), die mit einer gemeinsamen Leitung (Vcc 2) der dritten Schalteinrichtung (UT 1 . . . UTi) verbunden ist, um die gemeinsame Leitung (Vcc 2) durch eine schwimmende bzw. erdfreie, eine modulierte Spannung VM oder eine Spannung 1/2 VM aufzuladen.

2. Treiberschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Anlegen einer modulierten Spannung nur dann, wenn zuvor angelegte modulierte Spannungen zur Aufladung der Elektrolumineszenzschicht (4) in jeder Horizontalperiode wieder durch Entladung beseitigt worden sind.