DE3524983A1 - Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung - Google Patents
Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtungInfo
- Publication number
- DE3524983A1 DE3524983A1 DE19853524983 DE3524983A DE3524983A1 DE 3524983 A1 DE3524983 A1 DE 3524983A1 DE 19853524983 DE19853524983 DE 19853524983 DE 3524983 A DE3524983 A DE 3524983A DE 3524983 A1 DE3524983 A1 DE 3524983A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- current
- silicon
- meniscus
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 208000037824 growth disorder Diseases 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/007—Pulling on a substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/06—Non-vertical pulling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von
bandförmigen Siliziumkristallen für Halbleiterbauelemente,
insbesondere für Solarzellen, bei dem ein gegenüber der
Siliziumschmelze resistenter Trägerkörper in horizontaler
oder nahezu horizontaler Richtung tangierend über die in
einer Wanne befindliche Schmelze gezogen und mit Silizium
beschichtet wird, wobei der Trägerkörper zugleich Kristallisationskeim
für den Aufbau des kristallinen Siliziumbandes
ist.
Ein solches Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Durchführung
dieses Verfahrens wird in der deutschen Patentanmeldung
P 34 28 257.2 vorgeschlagen. Dabei werden als
Trägerkörper und Kristallisationskeimbildner für die Beschichtung
in Ziehrichtung parallel laufende Fäden aus
Graphit, graphitiertem Quarz oder Siliziumcarbid verwendet
und die Schmelzenwanne so dimensioniert, daß ihre
Länge mindestens so groß ist wie die Kontaktlänge, die
sich aus der Verweildauer und der Ziehgeschwindigkeit ergibt.
Die Ziehrichtung wird im Winkel α 10° gegen die
Horizontale geneigt eingestellt.
Ein Problem entsteht dadurch, daß das Abziehen des Kristallbandes
in nahezu horizontaler Richtung erfolgen muß.
Dabei kann die Schmelze von der kristallisierenden Siliziumschicht
über den Schmelzwannenrand mitgezogen werden.
Wenn dies geschieht, treten Wachstumsstörungen an der Unterseite
der Schicht auf. Außerdem besteht die Gefahr,
daß dadurch die Schmelze ausläuft und es deshalb zu einer
Unterbrechung des kontinuierlichen Ziehprozesses kommt.
Darüber hinaus können durch das Auslaufen der Schmelze
die Heizeinrichtungen für die Schmelzwanne zerstört werden.
Aus einem Bericht von Bates und Jewett aus den Proceedings
of the Flat-Plate Solar Array Project Research Forum on
the High-Speed Growth and Characterization of Crystals
for Solar Cells, 25. bis 27. Juli 1983, Port St. Lucie,
Florida, auf den Seiten 297 bis 307, ist bekannt, zur
kontinuierlichen Herstellung von Siliziumbändern ohne
Trägerkörper mit Geschwindigkeiten bis zu 80 cm/min (sogenanntes
LASS-Verfahren = low ªngle silicon sheet) zur
Vermeidung des Mitziehens von Siliziumschmelze Abschabvorrichtungen
(sogenannte scraper) aus Quarz zu verwenden
(siehe Fig. 1 und 2).
Nachteile solcher Vorrichtungen sind, daß Quarz bei der
hohen Temperatur der Siliziumschmelze (ungefähr 1420°C)
nicht formstabil ist. Dazu kommt, daß der Quarz-Scraper
im Laufe des Prozesses mit Silizium bedeckt wird und dann
keine Barriere für Silizium mehr darstellt.
Die Aufgabe, die der Erfindung zugrundeliegt, besteht nun
darin, ein Verfahren anzugeben, bei dem ein kontinuierliches
horizontales Bandziehen (web-Verfahren) mit hohen
Ziehgeschwindigkeiten möglich ist, ohne daß Siliziumschmelze
mit der kristallisierenden Schicht über den
Schmelzwannenrand hinausgezogen wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der eingangs genannten
Art dadurch gelöst, daß in das in Ziehrichtung im
Bereich des Schmelzwannenrandes liegende Ende der Schmelze
mittels Zuführungen ein elektrischer Strm J in paralleler
Richtung zum Schmelzenmeniskus von einer solchen
Größe geleitet wird, daß die von einem senkrecht dazu stehenden
Magnetfeld mit der Flußdichte B ausgeübte Kraft F
den Schmelzenmeniskus stabilisiert.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Die Durchführung des Verfahrens kann beispielsweise mit
der in der deutschen Patentanmeldung P 34 28 257.2 vorgeschlagenen
Vorrichtung erfolgen, welche durch die erfindungsgemäße
Maßnahme, beispielsweise durch die in den Unteransprüchen
beanspruchten Stromzuführungen bzw. Elektromagneten
ergänzt wird.
Die Erfindung nützt die hohe elektrische Leitfähigkeit
(12000 Ohm-1 cm-1) des flüssigen Siliziums aus, die um
etwa einen Faktor 20 über dem Wert von festem Silizium
bei der gleichen Temperatur liegt (zum Vergleich sei angegeben,
daß das Verhältnis der Leitfähigkeiten flüssig/
fest am Schmelzpunkt für Metalle kleiner 1 ist).
Folgende Überlegungen, die zu der Erfindung geführt haben,
werden anhand der Fig. 1 und 2, welche in schematischer
Darstellung das horizontale Bandziehen gemäß der Erfindung
darstellen, noch näher erklärt. Leitet man über Zuführungen
1 einen Strom J durch die in einer Wanne 2 befindliche
Schmelze 3, so kann man mittels eines senkrecht dazu
stehenden Magnetfeldes B (siehe parallele Pfeile) auf
die Schmelze 3 eine Kraft ausüben. Hierdurch ist es möglich,
den vorderen Meniskus 4 zu stabilisieren und damit
zu verhindern, daß die Schmelze 3 mit der sich bewegenden
kristallisierenden Siliziumschicht 5 über den Wannenrand 2
mitgezogen wird.
Zur Abschätzung der erforderlichen Größe von Strom und
Magnetfeld wird die Kraft F betrachtet, die ein Magnetfeld
mit der magnetischen Flußdichte B auf einen vom
Strom I durchflossenen Leiter der Länge l ausübt:
F = I · l · B für I ┴ B
F = I · l · B für I ┴ B
Einige nach dieser Gleichung berechnete Werte finden
sich in folgender Tabelle: (1 = 5 cm)
Wird der Strom I der Schmelze 3 so zugeführt, daß er
parallel zum und in unmittelbarer Nähe des Meniskus 4
fließt, und stehen die Feldlinien des Magnetfelds B
senkrecht dazu, wobei Feld und Strom so gerichtet sind,
wie es in Fig. 1 gezeichnet ist, dann wirkt die Kraft F
auf den Meniskus 4 rücktreibend, das heißt, stabilisierend.
Die Drucke, die am Meniskus 4 einer Anordnung gemäß Fig. 1
auftreten können, betragen höchstens einige
pond/cm2. Die Meniskusfläche wird als Rechteck aus der
Meniskusbreite = 5 cm und der Meniskushöhe von beispielsweise
0,5 cm zum 2,5 cm2 abgeschätzt. Damit errechnet sich
für die Kraft, die zur Stabilisierung auf die Meniskusfläche
4 ausgeübt werden muß, ein Wert von etwa 7,5 p.
Aus der Tabelle ist ersichtlich, daß hierzu zum Beispiel
eine magnetische Induktion B = 200 G und eine Stromstärke
I = 100 A ausreichen.
Bei der Zuführung des Stroms I zur Schmelze 3, 4 ist zu
beachten, daß der Schmelze 3 durch die Zuleitungen 1
kein Wärme entzogen wird. Dies würde bei dem geringen
Unterschied zwischen Schmelztemperatur und Erstarrungstemperatur
zum Festwerden des kristallisierenden Siliziumbandes
5 und damit zur Unterbrechung des Ziehprozesses
führen. Die Zuleitungen 1, die zweckmäßigerweise aus
hochreinem Kohlenstoff (zum Beispiel Spektralkohle) bestehen
oder einen Pyrocarbon- oder SiC-Überzug haben,
müssen daher im Querschnitt so bemessen werden, daß sie
durch die Joulsche Wärme des Stromes I auf die Temperatur
der Schmelze 3 gebracht werden. Bei hochreinem Kohlenstoff
und einem Stromfluß I von 100 A muß der Durchmesser
der Zuleitungen 1 zum Beispiel 2 mm betragen.
Mit dem Bezugszeichen 6 ist der zu beschichtende Trägerkörper,
zum Beispiel ein Carbonfasergewebe, und mit dem
Pfeil 7 die Ziehrichtung bezeichnet.
Fig. 2: Die Erzeugung des Feldes B kann sowohl durch
einen Elektromagneten, wie auch durch einen zweiten Leiter
10 außerhalb der Schmelze 3, 4 geschehen. Auf den
Strom I 1 in der Schmelze 3, 4 wirkt dann das vom Strom I 2
des zweiten Leiters 10 an der Stelle des ersten Leiters 1
erzeugte Magnetfeld mit der Kraft F. Es gilt:
wobei a der Abstand und l die Länge der Leiter (= Schmelzbreite)
ist. Mit den Annahmen l = 5 cm = 0,05 m, l = 5 mm = 0,005 m ergibt sich
F = 2 × 10-6 ·I 1 · I 2 N (= Newton)
Für I 1 = I 2 = 100 A ergibt sich
F = 2 × 10-2 N ≈ 2 p. (pond).
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen von bandförmigen Siliziumkristallen
für Halbleiterbauelemente, insbesondere
Solarzellen, bei der ein gegenüber der Siliziumschmelze
resistenter Trägerkörper in horizontaler oder nahezu
horizontaler Richtung tangierend über die in einer Wanne
befindliche Schmelze gezogen und mit Silizium beschichtet
wird, wobei der Trägerkörper zugleich Kristallisationskeim
für den Aufbau des kristallinen Siliziumbandes ist,
dadurch gekennzeichnet, daß in
das in Ziehrichtung (7) im Bereich des Schmelzwannenrandes
(2) liegende Ende der Schmelze (3) mittels Zuführungen
(1) ein elektrischer Strom J in paralleler Richtung zum
Schmelzenmeniskus (4) von einer solchen Größe geleitet
wird, daß die von einem senkrecht dazu stehenden Magnetfeld
mit der Flußdichte B ausgeübte Kraft F den Schmelzenmeniskus
(4) stabilisiert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß Stromzuleitungen (1, 10)
verwendet werden, die aus hochreinem Kohlenstoff bestehen
oder einen Überzug aus Pyrocarbon oder Siliziumcarbid
aufweisen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß Stromzuführungen (1)
verwendet werden, die bezüglich ihres Querschnitts so dimensioniert
sind, daß sie durch die Joule'sche Wärme des
Stromes J auf die Temperatur der Schmelze (3, 4) gebracht
werden können.
4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß für
die Erzeugung des Magnetfeldes im Bereich des Schmelzenmeniskus
(4) ein Elektromagnet verwendet wird.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß für
die Erzeugung des Magnetfeldes im Bereich des Schmelzenmeniskus
(4) ein zweiter Stromleiter (10, J 2) außerhalb
der Schmelze (3) verwendet wird, der sich mit einem auf
die Länge l der stromdurchlässigen Schmelze (3, 4) angepaßten
Abstand a vom ersten Leiter (J 1) befindet.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das Verhältnis l:a auf
ungefähr 10:1 eingestellt wird, wenn der Strom von J 1
und J 2 ca. 100 A beträgt.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853524983 DE3524983A1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853524983 DE3524983A1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3524983A1 true DE3524983A1 (de) | 1987-01-22 |
Family
ID=6275648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19853524983 Withdrawn DE3524983A1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3524983A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999017381A1 (de) * | 1997-09-26 | 1999-04-08 | Priesemuth W | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer scheibe aus halbleitendem material |
| WO2000009784A1 (en) * | 1998-08-14 | 2000-02-24 | Ebara Solar, Inc. | Method and system for stabilizing dendritic web crystal growth |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1363804A (en) * | 1971-05-19 | 1974-08-21 | Philips Electronic Associated | Preparing single crystals |
| DE3231326A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
| DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
| US4522790A (en) * | 1982-03-25 | 1985-06-11 | Olin Corporation | Flux concentrator |
-
1985
- 1985-07-12 DE DE19853524983 patent/DE3524983A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1363804A (en) * | 1971-05-19 | 1974-08-21 | Philips Electronic Associated | Preparing single crystals |
| US4522790A (en) * | 1982-03-25 | 1985-06-11 | Olin Corporation | Flux concentrator |
| DE3231326A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
| DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999017381A1 (de) * | 1997-09-26 | 1999-04-08 | Priesemuth W | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer scheibe aus halbleitendem material |
| WO2000009784A1 (en) * | 1998-08-14 | 2000-02-24 | Ebara Solar, Inc. | Method and system for stabilizing dendritic web crystal growth |
| US6402839B1 (en) | 1998-08-14 | 2002-06-11 | Ebara Solar, Inc. | System for stabilizing dendritic web crystal growth |
| US6626993B2 (en) | 1998-08-14 | 2003-09-30 | Ebara Solar, Inc. | Method for stabilizing dendritic web crystal growth |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0866150B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls | |
| EP0055372B1 (de) | Verfahren zur Herstellung vertikaler PN-Übergänge beim Ziehen von Siliciumbändern aus einer Siliciumschmelze | |
| DE2638270C2 (de) | Verfahren zur Herstellung großflächiger, freitragender Platten aus Silicium | |
| DE3231326A1 (de) | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen | |
| DE69902911T2 (de) | Widerstandsheizung fur eine kristallzüchtungsvorrichtung und verfahren zu ihrer verwendung | |
| DE1217348B (de) | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium | |
| DE102018114922A1 (de) | Filmabscheidevorrichtung | |
| DE3100245A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen zuechten von kristallinen oder halb-kristallinen bandaehnlichen koerpern aus einer schmelze | |
| DE3306515C2 (de) | ||
| DE69609937T2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung Silizium Einkristallen | |
| DE3709731A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur einkristallzuechtung | |
| DE3524983A1 (de) | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung | |
| EP0170119A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von bandförmigen Siliziumkristallen mit horizontaler Ziehrichtung | |
| DE3005049A1 (de) | Verfahren zum ziehen eines kristallkoerpers aus einer schmelze, insbesondere fuer die herstellung von solarzellen, sowie kapillar-formgebungsteil hierfuer | |
| DE2604351C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei dem eine Siliciumschicht auf einem Substrat angebracht wird | |
| DE3709729C2 (de) | ||
| DE2535160C3 (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Züchten einer Kristallschicht auf einem Halbleitersubstrat | |
| DE3231268A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum asymmetrischen beschichten eines bandfoermigen traegerkoerpers mit silizium fuer die weiterverarbeitung zu solarzellen | |
| EP0252279A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen von für Solarzellen verwendbaren scheibenförmigen Siliziumkörpern von einem nach dem sogenannten horizontalen Bandziehverfahren hergestellten Siliziumband | |
| DE2754856B2 (de) | Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Abscheidungen beim Kristallziehen nach Czochralski in Schutzgasatmosphäre sowie Vorrichtung hierfür | |
| DE2508651C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines ununterbrochenen kristallinen Bandes | |
| DE2755006B2 (de) | Vorrichtung zum Kristallziehen aus der Schmelze | |
| DE2632614A1 (de) | Vorrichtung zum ziehen eines einkristallinen koerpers aus einem schmelzfilm | |
| DE3524997A1 (de) | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung | |
| DE3231267A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum asymmetrischen beschichten eines bandfoermigen traegerkoerpers mit silizium fuer die weiterverarbeitung zu solarzellen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8120 | Willingness to grant licenses paragraph 23 | ||
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |