DE3542614A1 - Method for attenuating optical substrate waves in an integrated optical component - Google Patents
Method for attenuating optical substrate waves in an integrated optical componentInfo
- Publication number
- DE3542614A1 DE3542614A1 DE19853542614 DE3542614A DE3542614A1 DE 3542614 A1 DE3542614 A1 DE 3542614A1 DE 19853542614 DE19853542614 DE 19853542614 DE 3542614 A DE3542614 A DE 3542614A DE 3542614 A1 DE3542614 A1 DE 3542614A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metallization
- substrate
- waves
- substrate waves
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/241—Light guide terminations
- G02B6/243—Light guide terminations as light absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dämpfung von optischen Substratwellen in einem integriert optischen Bauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a method for damping optical substrate waves in an integrated optical Component according to the preamble of patent claim 1.
Die Erfindung betrifft insbesondere die Dämpfung von Streulicht und/oder optischen Substratwellen in im wesent lichen planaren integriert optischen Bauelementen, z.B. Kopplern, Schaltern, Multiplexern.The invention particularly relates to the damping of Scattered light and / or optical substrate waves in essentially planar integrated optical components, e.g. Couplers, switches, multiplexers.
Als Beispiel ist in Fig. 1 die Kopplung zwischen einem faseroptischen Einzel-Lichtwellenleiter 1, z.B. einem Quarzglas-Lichtwellenleiter, und einem im wesentlichen planaren integriert optischen Bauelement 2 dargestellt. As Example 1, the coupling between an optical fiber single light waveguide 1, for example in FIG. A quartz glass optical fiber, and a substantially planar integrated optical device 2 is shown.
Der Lichtwellenleiter 1 besteht aus einem lichtführenden Kern 3 und einen diesen umgebenden Mantel 4. Das Bauele ment 2 besteht aus einem Substrat 5, in das optische Wellenleiter 6 allseitig eingebettet sind. Das Substrat 5 sowie die Wellenleiter 6 bestehen aus einem Material, das entsprechend der verwendeten Lichtwellenlänge gewählt ist. Geeignete Materialien sind z.B. Quarzglas, Lithiumniobat oder Halbleitermaterialien wie GaAs oder Inp. Derartige Bauelemente haben Länge- und Breitenabmessungen, die z.B. im Bereich von einigen Millimetern bis einigen Zentimetern liegen, die Dicke beträgt z.B. ungefähr einen Millimeter.The optical waveguide 1 consists of a light-guiding core 3 and a jacket 4 surrounding it. The component 2 consists of a substrate 5 in which optical waveguides 6 are embedded on all sides. The substrate 5 and the waveguide 6 consist of a material which is selected in accordance with the light wavelength used. Suitable materials are quartz glass, lithium niobate or semiconductor materials such as GaAs or Inp. Components of this type have length and width dimensions which are, for example, in the range from a few millimeters to a few centimeters, and the thickness is, for example, approximately one millimeter.
Die Wellenleiter 6 haben Querschnittsflächen, deren Durch messer bzw. Höhen sowie Breiten im Bereich von 1 µm bis 100 µm liegen.The waveguides 6 have cross-sectional areas whose diameters or heights and widths are in the range from 1 μm to 100 μm.
Es ist nun erwünscht, daß beispielsweise in dem Licht wellenleiter 1 im Kern 3 geführtes Licht 7 möglichst verlustfrei in den Wellenleiter 6 eingekoppelt wird. Hat nun dieser z.B. eine von dem Lichtwellenleiter 1 abwei chende Querschnittsfläche, so entstehen in dem Bauelement 2 in der dargestellten Weise im Wellenleiter geführtes Licht 8 sowie störende Substratwellen 9.It is now desirable that, for example, light 7 guided in the core 3 in the light waveguide 1 is coupled into the waveguide 6 with as little loss as possible. If this has, for example, a cross-sectional area deviating from the optical waveguide 1 , light 8 and disruptive substrate waves 9 are produced in the component 2 in the manner shown in the waveguide.
Derartige Substratwellen 9 und/oder Streulicht entstehen weiterhin bei der nicht vollständigen Überkopplung von Strahlung aus optischen Sendern wie z.B. Halbleiterlasern in die Wellenleiter des Bauelementes, bei Knicken und Krümmungen von Wellenleitern, an Störstellen und Streu zentren der Wellenleiter, an Kopplern und Modulatoren usw., d.h. an allen Stellen innerhalb eines integriert optischen Bauelementes, an denen die in den Wellenleitern geführten Wellen Verluste erleiden. Die Substratwellen 9 pflanzen sich fort durch Reflexion an der Oberseite und/oder Unterseite des in dem integriert optischen Bau element enthaltenden Substrates 5 bzw. an den Endflächen. Diese Substratwellen 9 sind für die meisten integriert optischen Bauelemente unerwünscht, denn sie verschlechtern den Nutzsignal/Störsignal-Abstand und verursachen stören des Übersprechen. In Extremfällen kann die Gesamtleistung der Substratwellen 9 sogar über der in den Wellenleiter 6 geführten optischen Leistung liegen.Such substrate waves 9 and / or scattered light continue to arise in the incomplete coupling of radiation from optical transmitters such as semiconductor lasers into the waveguide of the component, in the event of kinks and curvatures of waveguides, at interference points and scattering centers of the waveguides, at couplers and modulators, etc., ie at all points within an integrated optical component at which the waves guided in the waveguides suffer losses. The substrate waves 9 propagate by reflection on the top and / or bottom of the element 5 contained in the integrated optical component or on the end faces. These substrate waves 9 are undesirable for most integrated optical components, because they degrade the useful signal / interference signal distance and cause interference with crosstalk. In extreme cases, the total power of the substrate waves 9 can even be higher than the optical power guided into the waveguide 6 .
Eine Dämpfung der störenden Substratwellen 9 ist möglich durch Beschichten der Außenfläche des Substrates 5 mit lichtabsorbierender Farbe und/oder Lack oder durch Ein betten des Substrates in ein optisches Medium, welches die gleiche Brechzahl besitzt und welches möglichst hohe optische Verluste besitzt für das zu über tragende Licht. Geeignete derartige Farben, Lacke und/oder optische Medien enthalten organische Stoffe, bei denen sich in nachteiliger Weise im Laufe der Zeit die Funk tionsfähigkeit verringert, z.B. durch Alterung. Dadurch verringert sich z.B. die Temperaturfestigkeit, die Gas dichtigkeit, insbesondere die Dichtigkeit gegen Wasser dampf, sowie die Haftung dieser Stoffe auf dem Substrat.Damping of the disturbing substrate waves 9 is possible by coating the outer surface of the substrate 5 with light-absorbing paint and / or lacquer or by embedding the substrate in an optical medium which has the same refractive index and which has the highest possible optical losses for the one to be transmitted Light. Suitable paints, varnishes and / or optical media of this type contain organic substances in which the functionality is disadvantageously reduced over time, for example due to aging. This reduces, for example, the temperature resistance, the gas tightness, in particular the tightness against water vapor, and the adhesion of these substances to the substrate.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein gat tungsgemäßes Verfahren anzugeben, das in kostengünstiger und zuverlässiger Weise eine möglichst hohe Unterdrückung störender Substratwellen ermöglicht und das insbesondere eine Alterungsbeständigkeit besitzt.The invention is therefore based on the object of a gat appropriate method to specify that in less expensive and reliably the highest possible suppression disturbing substrate waves and in particular has an aging resistance.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteil hafte Ausgestaltungen und/oder Weiterbildungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.This problem is solved by the in the characteristic Part of claim 1 specified features. Advantage sticky refinements and / or further training are the Removable subclaims.
Ein erster Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die aufgebrachte Metallisierung lediglich eine vernachlässig bare Schichtdicke besitzt, so daß die Dicke des Substrates im wesentlichen erhalten bleibt.A first advantage of the invention is that the applied metallization is negligible Bare layer thickness, so that the thickness of the substrate essentially remains.
Ein zweiter Vorteil besteht darin, daß für die Metalli sierung sehr korrosionsbeständige Metalle verwendbar sind, so daß insbesondere ein störendes Eindringen von Wasser in das Substrat vermieden wird.A second advantage is that for the Metalli very corrosion-resistant metals can be used, so that in particular a disturbing penetration of water the substrate is avoided.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungs beispielen näher erläutert unter Bezugnahme auf weitere schematische Figuren.The invention is based on execution examples explained with reference to others schematic figures.
Die Fig. 2 bis 4 zeigen schematisch dargestellte Quer schnitte durch Ausführungsbeispiele. Figs. 2 to 4 show schematic cross sections through embodiments illustrated.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, die Außenfläche des Substrates 5 derart zu metallisieren, daß eine verlust behaftete Reflexion der Substratwellen 9 an der Grenz fläche Substrat/Metallisierung entsteht.The invention is based on the knowledge of metallizing the outer surface of the substrate 5 such that a lossy reflection of the substrate waves 9 arises at the substrate / metallization interface.
Das Reflexionsverhalten von Metallen wird durch die Fresnelschen Formeln beschrieben, wobei der Brechungsindex n des Metalls als komplexe Zahl n = n₁ + i k₁ einzusetzen ist (siehe z.B. "Advanced optical techniques", edited by A.C.S. van Heel, North Holland publishing Co., Seiten 149ff.) Für die erwünschte hohe Dämpfung der Substrat wellen 9 ist es erforderlich, daß der Realteil n 1 und der Imaginärteil k 1 des Brechungsindexes einen möglichst großen Wert besitzen. Dieses ist in der deutschen Patent anmeldung näher erläutert, die zeitgleich mit dieser Patentanmeldung angemeldet ist und die das interne Akten zeichen UL 85/133 besitzt.The reflection behavior of metals is described by the Fresnel formulas, the refractive index n of the metal being used as a complex number n = n ₁ + i k ₁ (see, for example, "Advanced optical techniques", edited by ACS van Heel, North Holland publishing Co. , Pages 149ff.) For the desired high damping of the substrate waves 9 , it is necessary that the real part n 1 and the imaginary part k 1 of the refractive index have the greatest possible value. This is explained in more detail in the German patent application, which is registered at the same time as this patent application and which has the internal file number UL 85/133.
Die Dämpfung der störenden Substratwellen 9 beruht nun darauf, die Reflexion an den nicht zur Einkopplung und Auskopplung benutzten Grenzflächen des ingegriert opti schen Bauelements durch eine geeignete teilweise oder vollständige Metallbeschichtung zu verschlechtern. Als Metalle eignen sich hierfür diejenigen, deren komplexe Brechzahl n = n 1 + ik 1 sowohl einen großen Realteil n 1 als auch einen großen Imaginärteil k 1 besitzen, wie z.B. Titan mit n 1 = 3,67 und k 1 = 4,37 bei einer Lichtwellenlänge von 1,4 µm. Bei dieser Wellenlänge besitzt das Metall Chrom die Werte n 1 = 3,69 und k 1 = 3.84.The attenuation of the interfering substrate waves 9 is now based on deteriorating the reflection at the interfaces of the integrated optical component not used for coupling and decoupling by means of a suitable partial or complete metal coating. Suitable metals are those whose complex refractive index n = n 1 + ik 1 has both a large real part n 1 and a large imaginary part k 1 , such as titanium with n 1 = 3.67 and k 1 = 4.37 a light wavelength of 1.4 µm. At this wavelength, the metal chromium has the values n 1 = 3.69 and k 1 = 3.84.
Da die Dämpfung der Substratwellen 9 ungefähr mit dem Quadrat des Winkels α (Fig. 1) bezüglich der Ausbreitungs richtung steigt (einerseits nimmt die Zahl der Reflexionen mit α linear zu, andererseits nimmt der Reflexionsfaktor annähernd linear mit α zu), ist es vorteilhaft, Substrat wellen mit niedrigen α in solche mit möglichst großem α zu transformieren. Dieses wird anhand der folgenden Ausfüh rungsbeispiele näher erläutert. Since the damping of the substrate shafts 9 approximately with the square of the angle α (Fig. 1) with respect to the propagation direction increases (the one hand, the number of reflections increases with α linear, on the other hand, the reflection factor increases approximately linearly with α to), it is advantageous To transform substrate waves with low α into those with the largest possible α . This is explained in more detail using the following examples.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch ein planares optisches Bauelement 2 mit einer Dicke von ungefähr 1 mm. In die Unterseite des Substrates 5 z.B. Quarzglas, wurde zunächst durch z.B. einen Schleifvorgang eine grabenförmige Vertie fung 11 angebracht, deren Längsrichtung im wesentlichen senkrecht zur Längsrichtung der Wellenleiter 6 verläuft und deren Querschnitt im wesentlichen sägezahnförmig ausgebildet ist. Die Vertiefung 11 besitzt eine Breite b von ungefähr 2 mm und eine maximale Tiefe von ungefähr 0,5 mm. Anschließend wird auf die gesamte Ober- und Unterseite, einschließlich der Vertiefung 11, eine Metallisierung 10 aufgebracht, z.B. eine ungefähr 0,1 µm dicke Titanschicht. Die zunächst einen kleine Winkel a besitzenden Substrat wellen 9 werden in der dargestellten Weise durch die Vertiefung 11 in Substratwellen transformiert, die einen großen Winkel α besitzen. Bei einem großen Winkel α er niedrigt sich jedoch die Reflektanz der Metallisierung 10, so daß die Substratwellen 9 stärker absorbiert werden. Dieser Vorgang ist in der bereits erwähnten deutschen Patentanmeldung mit dem internen Aktenzeichen UL 85/133 näher erläutert. Für die Metallisierung 10 ist alternativ auch eine ungefähr 0,1 µm dicke Metallschicht aus Chrom benutzbar. Das Aufbringen der Metallisierung 10 erfolgt z.B. durch Aufdampfen des Metalls im Vakuum. Außerdem ist es möglich, in die Ober- und Unterseite des Substrates 5 Metall, z.B. Chrom, Titan, Silber, einzubringen, z.B. durch ein Ionenimplantations- und/oder Diffusionsverfah ren, dabei entsteht eine mit Metall angereicherte Schicht mit einer Dicke von ungefähr 10 µm. FIG. 2 shows a cross section through a planar optical component 2 with a thickness of approximately 1 mm. In the underside of the substrate 5, for example quartz glass, a trench-shaped recess 11 was first attached by, for example, a grinding process, the longitudinal direction of which runs essentially perpendicular to the longitudinal direction of the waveguide 6 and the cross section of which is essentially sawtooth-shaped. The recess 11 has a width b of approximately 2 mm and a maximum depth of approximately 0.5 mm. A metallization 10 , for example an approximately 0.1 μm thick titanium layer, is then applied to the entire top and bottom sides, including the depression 11 . The substrate waves 9 , which initially have a small angle a , are transformed in the manner shown by the recess 11 into substrate waves which have a large angle α . At a large angle α , however, the reflectance of the metallization 10 lowers, so that the substrate waves 9 are more strongly absorbed. This process is explained in more detail in the aforementioned German patent application with the internal file number UL 85/133. Alternatively, an approximately 0.1 μm thick metal layer made of chromium can also be used for the metallization 10 . The metallization 10 is applied, for example, by evaporating the metal in a vacuum. In addition, it is possible to introduce metal, for example chromium, titanium, silver, into the top and bottom of the substrate 5 , for example by an ion implantation and / or diffusion process, thereby creating a layer enriched with metal with a thickness of approximately 10 μm .
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei welchem die Ober- und Unterseite des Substrates 5 vor dem Aufbringen der Metallisierung 10 aufgerauht wurde. Dabei beträgt die mittlere Rauhtiefe ungefähr 5 µm. Es ist außerdem möglich, auf der Ober- und Unterseite zusätzlich eine Welligkeit von ungefähr 50 µm zu erzeugen. Danach erfolgt eine vorsteh end beschriebene Metallisierung 10. Durch diese Maßnahmen ist ebenfalls eine Transformation des Winkels möglich, so daß die Reflektanz erniedrigt wird und dadurch die störenden Substratwellen 9 gedämpft werden.Was FIG. 3 shows an embodiment in which the upper and lower side shows the substrate 5 prior to applying the metallization 10 roughened. The average roughness is about 5 µm. It is also possible to create an additional ripple of approximately 50 µm on the top and bottom. This is followed by a metallization 10 described above. These measures also make it possible to transform the angle so that the reflectance is reduced and the interfering substrate waves 9 are thereby damped.
Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei welchem vor dem Aufbringen der Metallisierung der Randbereich des Sub strates 5 verjüngt wurde, z.B. auf einer Breite b von ungefähr 2 mm. Dadurch wird der Winkel α ebenfalls ver größert und störende Substratwellen 9 gedämpft. Fig. 4 shows an embodiment in which the edge region of the substrate 5 was tapered before the metallization was applied, for example to a width b of approximately 2 mm. As a result, the angle α is also enlarged and disruptive substrate waves 9 are damped.
Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungs beispiele beschränkt, sondern sinngemäß auf weitere an wendbar. Beispielsweise ist es möglich, die Dämpfungsmaß nahmen gemäß den Fig. 2 bis 4 zu kombinieren.The invention is not limited to the execution examples described, but analogously to other applicable. For example, it is possible to combine the damping measures shown in FIGS. 2 to 4.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853542614 DE3542614A1 (en) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | Method for attenuating optical substrate waves in an integrated optical component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853542614 DE3542614A1 (en) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | Method for attenuating optical substrate waves in an integrated optical component |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3542614A1 true DE3542614A1 (en) | 1987-06-04 |
Family
ID=6287414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19853542614 Withdrawn DE3542614A1 (en) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | Method for attenuating optical substrate waves in an integrated optical component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3542614A1 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3929999A1 (en) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Litton Systems Inc | ANTI-SYMMETRY MODE FILTER |
| WO2004083915A1 (en) * | 2003-03-15 | 2004-09-30 | Qinetiq Limited | Variable optical attenuator comprising hollow core waveguide |
| US7428351B2 (en) | 2002-01-28 | 2008-09-23 | Qinetiq Limited | Optical circuit fabrication method and device |
| US7689075B2 (en) | 2003-03-22 | 2010-03-30 | Qinetiq Limited | Optical wavelength division multiplexer/demultiplexer device |
| WO2011060843A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Northrop Grumman Litef Gmbh | Integrated optical phase modulator for a fibre-optic interferometer and method for producing an integrated optical phase modulator for a fibre-optic interferometer |
| US8165433B2 (en) | 2003-03-22 | 2012-04-24 | Qinetiq Limited | Optical routing device comprising hollow waveguides and MEMS reflective elements |
| FR2986623A1 (en) * | 2012-02-07 | 2013-08-09 | Ixblue | INTEGRATED OPTICAL CIRCUIT WITH ATTENUATED PRIMARY REFLECTION |
-
1985
- 1985-12-03 DE DE19853542614 patent/DE3542614A1/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3929999A1 (en) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Litton Systems Inc | ANTI-SYMMETRY MODE FILTER |
| US7428351B2 (en) | 2002-01-28 | 2008-09-23 | Qinetiq Limited | Optical circuit fabrication method and device |
| WO2004083915A1 (en) * | 2003-03-15 | 2004-09-30 | Qinetiq Limited | Variable optical attenuator comprising hollow core waveguide |
| CN100385274C (en) * | 2003-03-15 | 2008-04-30 | 秦内蒂克有限公司 | Variable Optical Attenuator Including Hollow-Core Waveguide |
| US8494336B2 (en) | 2003-03-15 | 2013-07-23 | Qinetiq Limited | Variable optical attenuator comprising hollow core waveguide |
| US7689075B2 (en) | 2003-03-22 | 2010-03-30 | Qinetiq Limited | Optical wavelength division multiplexer/demultiplexer device |
| US8165433B2 (en) | 2003-03-22 | 2012-04-24 | Qinetiq Limited | Optical routing device comprising hollow waveguides and MEMS reflective elements |
| WO2011060843A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Northrop Grumman Litef Gmbh | Integrated optical phase modulator for a fibre-optic interferometer and method for producing an integrated optical phase modulator for a fibre-optic interferometer |
| FR2986623A1 (en) * | 2012-02-07 | 2013-08-09 | Ixblue | INTEGRATED OPTICAL CIRCUIT WITH ATTENUATED PRIMARY REFLECTION |
| US9081136B2 (en) | 2012-02-07 | 2015-07-14 | Ixblue | Attenuated primary reflection integrated optical circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3007180C2 (en) | Optical distributor | |
| DE69501404T2 (en) | Proton exchange polarizer with spatial filter to improve the polarization ratio | |
| DE69618434T2 (en) | Curved optical waveguide and process for its manufacture | |
| DE2453524A1 (en) | COUPLING DEVICE | |
| DE2124916A1 (en) | Device for coupling light waves into thin-film light guides | |
| DE2529073C2 (en) | Coupling element for fiber optic light guides | |
| DE19508042A1 (en) | Transparent, heat-reflecting coating for electrical radiation | |
| DE2422298A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING A SURFACE WITH REDUCED REFLECTIVE CAPACITY FOR ELECTROMAGNETIC RAYS OF A CERTAIN WAVELENGTH RANGE | |
| EP0583679B1 (en) | Integrated optical device to change an optical wave with a relatively small cross section to an optical wave with a relatively large cross section | |
| DE2142263B2 (en) | Light wave coupling arrangement in thin-film conductors | |
| EP0075107B1 (en) | Optical isolator | |
| DE3542614A1 (en) | Method for attenuating optical substrate waves in an integrated optical component | |
| DE2331497A1 (en) | ARRANGEMENT FOR COUPLING LASER BEAMS INTO OPTICAL FIBERS | |
| EP0509342B1 (en) | Manufacturing process for wedge shaped structures | |
| DE3024104A1 (en) | INTEGRATED MICRO-OPTICAL DEVICE FOR USE WITH MULTIMODE LIGHT FIBERS AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION | |
| DE3136584A1 (en) | OPTICAL DAMPER | |
| DE69737491T2 (en) | Integrated optical device with active and passive waveguide regions | |
| EP0081685B1 (en) | Wave guiding film | |
| EP0589902A1 (en) | INTEGRATED OPTICAL CIRCUIT. | |
| DE2412294C2 (en) | Connections for optical conductors in optical thin-film circuits | |
| DE3228605C2 (en) | ||
| DE3729014A1 (en) | SURFACE WAVE COMPONENT WITH SUPPRESSION OF UNWANTED ACOUSTIC WAVES | |
| DE102011080328B4 (en) | Waveguide and connector | |
| DE2245221A1 (en) | WAVE CONDUCTORS FOR SHORT WAVES | |
| DE69311464T2 (en) | Optical arrangement with two connected optical waveguides and manufacturing method therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8120 | Willingness to grant licenses paragraph 23 | ||
| 8141 | Disposal/no request for examination |