DE3439719A1 - Treiberschaltung und verfahren zum ansteuern eines duennfilm-el-displays - Google Patents
Treiberschaltung und verfahren zum ansteuern eines duennfilm-el-displaysInfo
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Description
TER MEER · MÜLLER · STEINMEiSTE-;R ;
ι. * Tm. .Ii ■ Ti ·
-4-
Mü/J/Sc
Sharp K.K.
2346-GER-T
2346-GER-T
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine Treiberschaltung gemäß dem Oberbegriff
des Hauptanspruchs zum kapazitiven Ansteuern eines Flachmatrix-Displays, insbesondere eines Elektrolumineszenz
(EL)-Di splays.
Herkömmliche Treiberschaltungen für diesen Zweck weisen
Hochspannungs-N-Kanal (N-ch) MOS-Treiber für das Herunterziehen
der Spannung und Dioden zum Hochziehen der Spannung
auf. Ein Beispiel für eine derartige Spannung ist in Nikkei
Electronics, 02. Apr. 1979, "Practical Applications of Thin-Film Electroluminescent (EL) Character Display" beschrieben.
Bei einer derartigen Schaltung ändert sich die Phasenbeziehung zwischen einem Schreibimpuls und einem Auffrischimpuls
für ein Halbbild für aufeinanderfolgende Abtastelektroden.
Von zusätzlichem Nachteil ist es, daß die Vorladespannung eine Gleichspannungskomponente abhängig davon erzeugt, ob
eine Datenelektrode angesteuert ist oder nicht. Darüberhinaus sind die Amplituden des Schreibimpulses und des Auffrischimpulses
zueinander unsymmetrisch. Diese Tatsachen führen dazu, daß sich das Spannungs-Helligkeits-Verhalten
bei Wechselspannungsansteuerung eines DünnfiIm-EL-Displays
verschlechtert. Mit der herkömmlichen Ansteuerschaltung ist
ein stabiler Langzeitbetrieb eines derartigen Displays
nicht möglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Treiberschaltung
der eingangs genannten Art anzugeben, mit der eine auf lange Zeit stabile Ansteuerung möglich ist.
TER MEER - MÜLLER · STEIMMEISTER
Die Erfindung ist durch die Merkmale des Hauptanspruchs gegeben. Eine Ausführungsform mit besonders vorteilhafter Arbeitsweise
ist Gegenstand eines Unteranspruchs.
Die erfindungsgemäße Treiberschaltung führt zu einem besseren
Spannungs-Hel1igkeits-Verhalten des angesteuerten Displays.
Erfindungsgemäß weist der Abtastteil der Treiberschaltung
einen P-Kanal (P-ch) MOS-Treiber zum Hochziehen der Spannung auf, zuzüglich zu einem N-ch MOS-Treiber für das Herunterziehen
der Spannung. Die beiden Treiber werden in zeitlich vorbestimmter Art und Weise angesteuert. Sie werden
nämlich abwechselnd so betrieben, daß die Polarität der an das DünnfiIm-EL-Display gelegten Spannung von Halbbild zu
Halbbild invertiert wird. Die Phasenbeziehung zwischen den positiven und negativen Impulsen an das Display liegt fest.
Sie sind symmetrisch zueinander.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren näher beschrieben.
Es zeigen:
Fig.l Einen schematischen perspektivischen Teilschnitt
eines EL-Displays;
Fig.2 ein Diagramm betreffend die Abhängigkeit der Helligkeit
eines EL-Displays von der angelegten Spannung;
Fig.3 ein Schaltbild einer bekannten Treiberschaltug für ein EL-Display;
Fig.4 ein AbI aufdiagramm über an Bildelemente A und B des
Fig.3 ein Schaltbild einer bekannten Treiberschaltug für ein EL-Display;
Fig.4 ein AbI aufdiagramm über an Bildelemente A und B des
bekannten EL-Displays gelegte Spannungen; Fig.5 eine Schaltung einer erfindungsgemäßen Treiberschaltung;
und
Fig.6 ein AbI aufdiagramm über an Bildelemente C und D des
erfindungsgemäßen Displays gelegte Spannungen.
Das Dünnfi 1 m-EL-Matri x-Di spl ay gemäß Fig.l ist vom Dcppei i solationstyp
(mit dreischichtigem Aufbau). Es weist ein Glas-
TER MEER · MÜLLER · STEINMEIBTKR
substrat 1 mit darauf ausgebildeten streifenförmigen durchsichtigen
In, O-j-El ek troden 2 auf. Auf letzteren ist eine er·
ste dielektrische Schicht 3 aus z.B. Y2°3>
Si3Na>
Ti0? oder
Al,0 abgeschieden. Eine elektrolumineszente ZnS:Mn-Schicht
η r co
uo ist auf der ersten dielektrischen Schicht 3 ausgebildet.
Auf der eiektrolumineszenten Schicht 4 wiederum ist eine
zweite dielektrische Schicht 3' z.B. aus einem der oben genannten Stoffe ausgebildet. Die EL-Schicht 4 ist also
durch die zwei dielektrischen Schichten 3 und 3' eingeschlossen. Die Dicke der Schichten 3, 4 und 3' ist etwa
0,5 bis liim. Sie sind durch eine DünnfiIm-Abscheidetechnik,
z.B. durch Aufdampfen oder Sputtern hergestellt. Streifenförmige
Al203-Rückelektroden 5 sind auf der zweiten dielektrischen
Schicht 3' rechtwinklig zur Richtung der trans parenten
Elektroden 2 aufgebracht.
Da die EL-Schicht 4 zwischen den beiden dielektrischen
Schichten 3 und 3' liegt, stellt das Display ein kapazitives Element dar. Das Display wird mit einer verhältnismäßig
hohen Spannung von etwa 200 V betrieben, wie dies auch in
Fig.2 dargestellt ist. Die durchgezogene Linie in Fig.2
zeigt das Spannungs-Helligkeits-Verhalten eines Displays
mit dem bisher beschriebenen Aufbau.
Die Ansteuerschaltung gemäß Fig.3 für das EL-Display 10
gemäß Fig.l weist eine Vielzahl von Datenelektroden und von
Abtastelektroden auf. Die Abtastelektroden stehen mit abtastseitigen
Itch MOS-ICs 20 oder 30 in Verbindung. Die abtastseitigen N-ch MOS-ICs 20 bzw. 30 beinhalten eine logisehe
Schaltung 21 bzw. 31, wie z.B. ein Schieberegister. Die Kathode jeweils einer Diode einer Diodenanordnung 40
ist mit einer ungeradzahligen Abtastelektrode verbunden.
Die Anoden der Dioden sind miteinander verbunden. Die Diodenanordnung 40 trennt die abtastsei ti gen Treiberleitungen,
und sie schützt Schaltelemente vor einer umgekehrten Vorspannung.
Die geradzahligen Abtastelektroden stehen mit den Kathoden von Dioden einer anderen Diodenanordnung 50 in Verbindung.
Die Diodenanordnung 50 hat dieselbe Aufgabe wie
TER MEER · MÜLLER ■ STEINM£I3TER
die Diodenanordnung 40. Die Datenelektroden stehen mit
einem datenseiti gen N-ch-MOS-IC 60 in Verbindung, das eine
logische Schaltung 61 wie ein Schieberegister aufweist. Eine datenseitige Diodenanordnung 70 dient dazu, die Datenseitigen
Treiberleitungen zu trennen, und Hochspannungs-Transistor-Schaltelemente
vor der umgekehrten Vorspannung zu schützen, was weiter unten beschrieben wird. Die Treiberschaltung
gemäß Fig.3 weist noch Schreib/Auffrisch-Schaltungen
80 und 90, eine Vorladeschaltung 100 und eine Hochzieh-1adung-Schaltung
110 auf.
Die Funktion der Schaltung gemäß Fig.3 wird nun anhand des
AbI aufdiagramms von Fig.4 beschrieben, indem der Verlauf
von Spannungen dargestellt ist, wie sie an Bildelemente A und B im Display 10 gemäß Fig.3 gelegt werden.
Erste Zeitspanne Tl: Vorladeperiode
Alle MOS-Transistoren der abtastseitigen ICs 20 und 30 werden
eingeschaltet. Gleichzeitig wird die Vorladeschaltung
100 eingeschaltet, während alle MOS-Transistoren im datenseitigen
IC 60 ausgeschaltet bleiben. Dadurch wird das gesamte Display über die datenseitige Diodenanordnung 70 aufgeladen.
Alle abtastseitigen Elektroden liegen auf 0 V, während
alle datenseiti gen Treiberelektroden auf 30 V liegen.
Zweite Zeitspanne T2: Hochziehlade/Entladeperiode
Alle MOS-Transistoren in den abtastsei ti gen ICs 20 und 30 sind ausgeschaltet. Die Hochzieh!adungs-Schaltung 110 ist
eingeschaltet, um alle abtastsei ti gen Elektroden über die
abtastseitigen Diodenanordnungen 40 und 50 auf 30 V hochzuziehen.
Alle datenseitigen Treiberelektroden werden auf 60
V hochgezogen, da diese Elektroden in den Bildelementen des
Dünnfilm-EL-Matrix-Displays kapazitiv miteinander gekoppelt
sind. Danach bleibt ein MOS-Transistor im IC 60, der mit einer ausgewählten Datenelektrode verbunden ist, ausgeschaltet,
während die verbleibenden MOS-Transistoren im IC 60
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER
eingeschaltet werden, und dadurch die Ladungen aus den
nicht angewählten Datenelektroden ableiten. Die ausgewählte
Datenelektrode bleibt also auf 60 V während die nicht gewählten auf 0 V entladen werden. Da alle Abtastelektroden
auf 30 V hochgezogen sind, hat die datenseitige Elektrode
30 V gegenüber den Abtastelektroden, während die nicht ausgewählten
Datenelektroden auf -30 V gegenüber den Abtastelektroden liegen.
Dritte Zeitspanne: Einschreibeperiode
Wenn eine der geradzahligen Abtastelektroden ausgewählt
wird, wird die Schreib/Auffrisch-Schaltung 80 für die ungeradzahlige
Seite eingeschaltet, so daß sie alle ungeradzahliege Seite eingeschaltet, so daß sie alle ungeradzahligen
Abtastelektroden über die abtastsei ti ge Diodenanordnung 40
auf + 190 V hochzieht. Aufgrund der kapazitiven Kopplung wird die ausgewählte Datenelektrode auf 220 V hochgezogen,
während die nicht ausgewählten Datenelektroden auf + 160 V
hochgezogen werden. Dann wird ein MOS-Transistor im IC 30, der mit einer ausgewählten Abtastelektrode verbunden ist,
eingeschaltet, wodurch die ausgewählte Abtastelektrode die
Spannung 0 V einnimmt. Am Schaltelement liegt damit eine
Einschreibspannung von 220 V (Spitzenwert) an, was zum HervorrufeivEl
ektrol umi neszenz ausreichend ist. An den nicht ausgewählten Bildelementen der ausgewählten Abtastelektrode
liegt eine Spannung von 160 V (Spitzenwert), was unter dem
Schwellwert liegt.
Wie oben ausgeführt, wird die ausgewählte Datenelektrode
auf 220 V gelegt, während die nicht ausgewählten Datenelektroden
auf + 160 V gelegt werden. In bezug auf die ungeradzahligen Abtastelektroden und die nicht ausgewählten geradzahligen
Abtastelektroden nimmt die ausgewählte Datenelektrode jedoch eine Spannung von + 30 V ein. Die nicht ausgewählten
Datenelektroden nehmen gegenüber den genannten Abtastelektroden
eine Spannung von - 30 V ein. Dieser Zustand ist also derselbe wie während der zweiten Zeitspanne T2.
TER MEER · MÜLLER · STEINMEIoTER
Wenn eine der ungeradzahligen Abtastelektroden ausgewählt
wird, wird die Schreib/Auffrischschaltung 90 für die geradzahlige Seite eingeschaltet, um so alle Abtastelektroden
°5 über die abtastseitige Diodenanordnung 50 auf + 190 V
hochzuziehen.
wird, wird die Schreib/Auffrischschaltung 90 für die geradzahlige Seite eingeschaltet, um so alle Abtastelektroden
°5 über die abtastseitige Diodenanordnung 50 auf + 190 V
hochzuziehen.
Anwendung eines Auffrischimpulses umgekehrter Polarität
nach dem Einschreiben
10
10
Das angegebene Einschreiben wird für jede Abtastelektrode
durchgeführt. Wenn das Einschreiben für den gesamten Bildschirm abgeschlossen ist, werden alle datenseitigen Transistoren im IC 60 eingeschaltet. Ebenfalls werden die beiden Schreib/Auffrisch-Schaltungen 80 und 90 eingeschaltet. Ein Auffrischimpuls mit einer Amplitude von 190 V und einer Polarität umgekehrt zu der der Einschreibspannung, wird über die abtastsei ti gen Diodenanordnungen 40 und 50 an das gesamte Display gelegt.
durchgeführt. Wenn das Einschreiben für den gesamten Bildschirm abgeschlossen ist, werden alle datenseitigen Transistoren im IC 60 eingeschaltet. Ebenfalls werden die beiden Schreib/Auffrisch-Schaltungen 80 und 90 eingeschaltet. Ein Auffrischimpuls mit einer Amplitude von 190 V und einer Polarität umgekehrt zu der der Einschreibspannung, wird über die abtastsei ti gen Diodenanordnungen 40 und 50 an das gesamte Display gelegt.
Die durchgezogene Linie in Fig.4 zeigt den Zustand, wenn
eine datenseitige Elektrode bei der beschriebenen dreistufigen Einschreiboperation ausgewählt ist. Die gestrichelte Linie zeigt den Zustand, wenn diese datenseitige Elektrode
nicht ausgewählt ist.
eine datenseitige Elektrode bei der beschriebenen dreistufigen Einschreiboperation ausgewählt ist. Die gestrichelte Linie zeigt den Zustand, wenn diese datenseitige Elektrode
nicht ausgewählt ist.
Aus Fig.4 ist ersichtlich, daß die Phasenbeziehung zwischen
einem Schreibimpuls und einem Auffrischimpuls für aufeinanderfolgende
Abtastelektroden bei Verwendung einer herkömmlichen Treiberschaltung unterschiedlich ist. Die Vorladespannung
erzeugt eine Gleichspannung abhängig davon, ob eine datenseitige
Elektrode ausgewählt ist oder nicht. Darüberhinaus sind die Amplituden des Schreibimpulses und des Auffrischimpulses
zueinander unsymmetrisch. Dies führt zu
einer Verschlechterung des Spannungs-Hel1igkeits-Verhaltens
bei einem wechsel spannungsgesteuerten Dünnfilm-EL Matrix-Display.
Das Verhalten verschlechtert sich z.B. in einer
Weise, wie es durch die gestrichelte Linie in Fig.2 darge-
Weise, wie es durch die gestrichelte Linie in Fig.2 darge-
TER MEER · MÜLLER · STEINMEISTER
stellt ist. Mit der bekannten Treiberschaltung ist es daher
nicht möglich, auf lange Zeit ein Dünnfilm-EL-Matrix-Display
stabil anzusteuern.
Anhand von Fig.5 wird nun eine erfindungsgemäße Treiberschaltung
erläutert. Auf bereits anhand von Fig.3 beschriebene
Schaltungsgruppen wird nicht mehr näher eingegangen.
Statt der abtastseiti gen Diodenanordnung 40 liegt nun ein
Hochspannungs-P-ch MOS-IC 310 für die ungeradzahlige Seite
vor. Dieses IC 310 weist eine logische Schaltung 311 wie
ein Schieberegister auf. Statt der abtastseitigen Diodenanordnung
50 liegt ein Hochspannungs-P-ch MOS-IC 320 für die
geradzahlige Seite vor. Auch dieser IC 320 beinhaltet eine logische Schaltung 321 wie ein Schieberegister. Weiterhin
liegen eine Schreibschaltung 330 für die ungeradzahlige
Seite und eine Schreibschaltung 340 für die geradzahlige
Seite vor.
Die Funktion der Schaltung gemäß Fig.5 wird nun anhand des
Zeitablaufs gemäß Fig.6 erläutert. Es wird von einer Abtastelektrode
X2 mit einem Bildelement C als ausgewählter Abtastelektrode ausgegangen. Erfindungsgemäß wird die Polarität
der angelegten Spannung bei jedem Halbbild invertiert. Das erste Halbbild wird als ungeradzahliges und das zweite
Feld wird als geradzahliges Halbbild bezeichnet.
Erste Zeitspanne Tl für ungeradzahliges Halbbild: Vorladeperiode
Alle MOS-Transistoren NTl bis NTi der abtastseiti gen N-ch
MOS ICs 20 und 30 werden eingeschaltet. Gleichzeitig wird
die Vorladeschaltung 100 (Schaltung VN) eingeschaltet, um
das ganze Display über die datenseitige Diodenanordnung
aufzuladen. Während der Aufladeperiode sind alle MOS-Transistoren
NtI bis Ntj des datenseiti gen N-ch MOS ICs und alle MOS-Transistoren PTl bis PTi der abtastseitigen P-ch
MOS ICs 310 und 3209 ausgeschaltet.
TER MEER - MÜLLER
Zweite Zeitspanne T2 für das ungeradzahlige Halbbild: Entladeperiode
Alle MOS-Transistoren NTl bis NTi der abtastsei ti gen N-ch
O5 MOS ICs 20 und 30 sind ausgeschaltet. Ein MOS-Transistor
des datenseitigen N-ch MOS ICs, der mit einer ausgewählten
Datenelektrode verbunden ist, bleibtausgechaltet, während
die restlichen MOS-Transistoren eingeschaltet werden. Außerdem
werden alle MOS-Transistoren PTl bis PTi der abtastseitigen
P-ch MOS ICs 310 und 320 eingeschaltet. Die Ladungen
der nicht ausgewählten Datenelektroden werden über eine
Schaltschleife geerdet, die durch die MOS-Transistoren der
datenseitigen N-ch MOS ICs 60, die MOS-Transistoren PTl bis
PTi der abtastseitigen P-ch MOS ICs 310 bzw. 320 und die
Dioden 331 bzw. 341 in den Schreibschaltungen 330 bzw. 340
gebildet ist. Die ausgewählte Datenelektrode wird dagegen
nicht entladen. Beim erfindungsgemäßen Ansteuerverfahren erfolgt
also kein Hochzieh-Auf1aden. Die Abtastelektroden
bleiben daher auf 0 V. Die ausgewählte Datenelektrode liegt
damit auf + 30 V in bezug auf die Abtastelektroden, während
die nicht ausgewählten Datenelektroden auf 0 V liegen.
Dritte Zeitspanne T3 für das ungeradzahlige Feld: Einschreibeperiode
Nur ein MOS-Transistor NT2 des abtastseitigen N-ch MOS ICs
30, der mit der ausgewählten Abtastelektrode X2 verbunden
ist, wird eingeschaltet. Alle MOS-Transistoren PT2 bis PTi
des P-ch MOS ICs 320 für die geradzahlige Seite werden ausgeschaltet. Alle MOS-Transistoren PTl bis PT^-1 im P-ch MOS
IC 310 für die ungeradzahlige Seite bleiben eingeschaltet.
Dadurch werden alle ungeradzahligen Abtastelektroden über
die MOS-Transistoren PTl bis PT. ·, auf + 190 V hochgezogen.
Da nur der MOS-Transistor NT2 im abtastsei ti gen MOS IC 30 eingeschaltet ist, der mit der ausgewählten Abtastelektrode
X2 verbunden ist, wird die ausgewählte Datenelektrode aufgrund der kapazitiven Kopplung auf 220 V hochgezogen,
während die nicht ausgewählten Datenelektroden auf + 190 V
TER MEER · MÜLLER
hochgezogen werden.
Wenn nur eine ungeradzahlige Abtastelektrode ausgewählt
ist, sind alle MOS-Transistoren PT2 bis PTi im P-ch MOS IC
320 für die geradzahlige Seite eingeschaltet, und ziehen
alle geradzahligen Abtastelektroden auf + 190 V hoch. Die
Schreibschaltungen 330 und 340 sind in dieser dritten Zeitspanne
T3 eingeschaltet. Dabei wird die Schreibschaltung
340 für die geradzahlige Seite dann eingeschaltet, wenn
eine der ungeradzahligen Abtastelektroden ausgewählt wird.
Wenn dagegen eine der geradzahligen Abtastelektroden gewählt
wird, wird die Schreibschaltung 330 für die ungeradzahlige
Seite eingeschaltet. Die Schreibschaltungen 330 und
340 dienen dazu, eine Schreibspannung von 190 V (VW) während des ungeradzahligen Halbbildes und eine Schreibspannung
von 220 V (VW + VM) während des ungeradzahligen Halbbildes anzulegen. Die beschriebene dreistufige Ansteuerung
für das ungeradzahlige Halbbild wird nacheinander für alle Abtastelektroden Xl bis Xi durchgeführt. Dann
erfolgt dieselbe Ansteuerung für das geradzahlige Halbbild.
Erste Zeitspanne Tl' für das geradzahlige Halbbild:
Voraufladeperiode
Das Voraufladen erfolgt wie während der ersten Zeitspanne Tl für das ungeradzahlige Halbbild.
Zweite Zeitspanne T2' für das geradzahlige Halbbild: Entladeperiode
30
30
Ein MOS-Transistordes datenseitigen N-ch MOS ICs 60, der
mit einer ausgewählten Datenelektrode verbunden ist, wird
eingeschaltet. Die übrigen MOS-Transistoren des ICs 60, die
mit nicht ausgewählten Datenelektroden verbunden sind, bleiben
ausgeschaltet. Die ausgewählte Datenelektrode wird über
den eingeschalteten MOS-Transistor im N-ch MOS IC 60, MOS-Transistoren
PTl bis PTi in den abtastsei ti gen P-ch MOS ICs 310 bzw. 320 und Dioden 331 bzw. 341 in den Schreibschaltun-
TER MEER . MÜLLER ■ STEINMESSTER
gen 330 bzw. 340 entladen.
Dritte Zeitspanne T3' für das geradzahlige Halbbild: Schreibperiode
Nur der MOS-Transistor PT2 im abtastseitigen P-ch MOS IC
320, der mit der ausgewählten Abtastelektrode X2 verbunden
ist, bleibt eingeschaltet. Alle MOS-Transistoren NTl bis
NT. ,des N-ch MOS ICs 20 für die ungeradzahlige Seite
werden eingeschaltet. Die Schreibschaltung 340 für die geradzahlige
Seite wird eingeschaltet, so daß sie eine
Schreibspannung von 220 V (= VW + VM) bereitstellt. Aufgrund
der kapazitiven Kopplung wird die ausgewählte Datenelektrode auf - 220 V heruntergezogen, während die nicht
ausgewählten Datenelektroden auf - 190 V heruntergezogen
werden.
Wenn eine geradzahlige Abtastelektrode ausgewält ist, wird
die Schreibschaltung 330 eingeschaltet, um 220 V bereitzustellen.
Dann wird der mit der ausgewählten Abtastelektrode verbundene MOS-Transistor im abtastsei ti gen P-ch MOS IC
eingeschaltet. Ebenfalls werden alle MOS-Transistoren NT2
bis NTi des anderen abtastsei ti gen N-ch MOS ICs 30 eingeschaltet. Das beschriebene dreistufige Ansteuern während
des geradzahligen Halbbildes wird für alle Abtastelektroden
Xl bis Xi aufeinanderfolgend durchgeführt.
Aus dem AbI aufdiagramm von Fig.6 folgt, daß das ausgewählte
Bildelement eine Schreibspannung von 220 V (Spitzenwert) erhält,
die zum Anregen von Elektrolumineszenz erster Polarität
während des ungeradzahligen Halbbildes und zweiter Polarität,
umgekehrt zur ersten Polarität, während des ungeradzahligen Halbbildes ausreicht. Die Wechselspannungsansteuerung
des Dünnfi1m-EL-Matriχ Displays erfolgt also
durch Kombination einer Ansteuerung für das ungeradzahlige
Halbbild und einer solchen für das geradzahlige Halbbild. An den nicht ausgewählten Bildelementen liegt eine Spannung
von 190 V (Spitzenwert), die geringer ist als die Schwell-
TER MEER · MÜLLER · STEINMClSTER
spannung.
Die Phasenbeziehung zwischen dem positiven Impuls und dem negativen Impuls liegt fest. Die Amplituden der beiden Impulse
sind symmetrisch zueinander. Dadurch erfolgt eine rei
ne Wechselspannungsansteuerung.
Claims (2)
1. Treiberschaltung für ein kapazitiv angesteuertes Display,
insbesondere ein DünnfiIm-Elektrolumineszenz
(EL)-Matrixdisplay, mit
Datenelektroden (Yn) auf einer Fläche des Displays in einer ersten Richtung,
Abtastelektroden auf der gegenüberliegenden Fläche
des EL-Displays in einer zweiten Richtung im wesentlichen rechtwinklig zur ersten Richtung, welche Abtastelektroden
in ungeradzahlige Abtastelektroden (X2n-1^ und 9eradzan119e Abtastelektroden
(X2 ) unterteilt sind,
- einem Hochspannungs-N-Kanal-MOS-Treiber (20) für die
geradzahlige Seite, der mit den geradzahligen Abtastelektroden verbunden ist und mit einem anderen
Anschluß geerdet ist, und
f .J Ί <J VJJLJiV. ~ L
TER MEER · MÜLLER · STEIN.N/1EISTER
-2-
einem Hochspannungs-N-Kanal-MOS-Treiber (30) für die
geradzahlige Seite, der mit den geradzahligen Abtastelektroden
verbunden ist, und der mit einem anderen
Anschluß geerdet ist,
gekennzeichnet durch eine Schreibschaltung (330) für die ungeradzahlige Seite,
gekennzeichnet durch eine Schreibschaltung (330) für die ungeradzahlige Seite,
eine Schreibschaltung (340) für die geradzahlige
Sei te,
- einem Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber (310) für die ungeradzahlige Seite, der an die ungeradzahligen Abtastelektroden angeschlossen ist und mit einem anderen Anschluß an die Abtastschaltung für die ungeradzahlige Seite angeschlossen ist, und - einem Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber (320) für die geradzahlige Seite, der an die geradzahligen Abtastelektroden angeschlossen ist und mit einem anderen Anschluß an die Abtastschaltung für die geradzahlige Seite angeschlossen ist. 20
- einem Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber (310) für die ungeradzahlige Seite, der an die ungeradzahligen Abtastelektroden angeschlossen ist und mit einem anderen Anschluß an die Abtastschaltung für die ungeradzahlige Seite angeschlossen ist, und - einem Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber (320) für die geradzahlige Seite, der an die geradzahligen Abtastelektroden angeschlossen ist und mit einem anderen Anschluß an die Abtastschaltung für die geradzahlige Seite angeschlossen ist. 20
2. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch eine erste Einrichtung (20,320) zum Ansteuern während
eines ersten Halbbildes, mit
-- einer ersten Ansteuereinrichtung zum Einschalten
eines MOS-Transistors des Hochspannungs-N-Kanal-MOS-Teibers
(20) für die ungeradzahlige Seite, und -- einer zweiten Ansteuereinrichtung zum Einschalten
aller MOS-Transistoren im Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber
(320) für die geradzahlige Seite,
eine zweite Einrichtung (320,310) zum Ansteuern während des ersten Halbbildes mit
-- einer dritten Ansteuereinrichtung zum Einschalten eines MOS-Transistors des Hochspannungs-N-Kanal-MOS-Treibers (30) für die geradzahlige Seite, und
-- einer dritten Ansteuereinrichtung zum Einschalten eines MOS-Transistors des Hochspannungs-N-Kanal-MOS-Treibers (30) für die geradzahlige Seite, und
-- einer vierten Ansteuereinrichtung zum Einschalten
aller MOS-Transistoren im Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber
(310) für die ungeradzahlige Seite,
-3-
TER MEER · MÜLLER · STEIIMMEISTßR
rend eines zweiten Halbbildes, mit
-- einer fünften Ansteuereinrichtung zum Einschalten
eines MOS-Transistors im Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber
(310) für die ungeradzahlige Seite, und -- einer sechsten Ansteuereinrichtung zum Einschalten
aller MOS-Transistoren im Hochspannungs-N-Kanal-MOS-Treiber
(30) für die geradzahlige Seite, und eine vierte Einrichtung (320,20) zum Ansteuern während
des zweiten Halbbildes, mit
1ö -- einer siebten Ansteuereinrichtung zum Einschalten
eines MOS-Transistors im Hochspannungs-P-Kanal-MOS-Treiber
(320) für die geradzahlige Seite, und -- einer achten Ansteuereinrichtung zum Einschalten aller
MOS-Transistoren des Hochspannungs-N-Kanal-MOS-Treibers
(20) für die ungeradzahlige Seite.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206514A JPS6097394A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3439719A1 true DE3439719A1 (de) | 1985-08-01 |
| DE3439719C2 DE3439719C2 (de) | 1987-07-02 |
Family
ID=16524622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19843439719 Granted DE3439719A1 (de) | 1983-10-31 | 1984-10-30 | Treiberschaltung und verfahren zum ansteuern eines duennfilm-el-displays |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS6097394A (de) |
| DE (1) | DE3439719A1 (de) |
| GB (1) | GB2149182B (de) |
Cited By (1)
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| DE3518598A1 (de) | 1984-05-23 | 1985-11-28 | Sharp K.K., Osaka | Treiberschaltung zum ansteuern eines duennfilm-el-displays |
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1984
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| GB8427528D0 (en) | 1984-12-05 |
| GB2149182A (en) | 1985-06-05 |
| JPH0118434B2 (de) | 1989-04-05 |
| DE3439719C2 (de) | 1987-07-02 |
| GB2149182B (en) | 1987-06-03 |
| US4893060A (en) | 1990-01-09 |
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