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DE3408788A1 - Elektronische sicherungsvorrichtung fuer halbleiterschalter zum schutz gegen ueberstrom - Google Patents

Elektronische sicherungsvorrichtung fuer halbleiterschalter zum schutz gegen ueberstrom

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Publication number
DE3408788A1
DE3408788A1 DE19843408788 DE3408788A DE3408788A1 DE 3408788 A1 DE3408788 A1 DE 3408788A1 DE 19843408788 DE19843408788 DE 19843408788 DE 3408788 A DE3408788 A DE 3408788A DE 3408788 A1 DE3408788 A1 DE 3408788A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
semiconductor switch
circuit
switch
protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19843408788
Other languages
English (en)
Inventor
Dierk Prof. Schröder
Edgar Dipl.-Ing. 6750 Kaiserslautern Stein
Detlef 5500 Trier Strunk
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to DE19843408788 priority Critical patent/DE3408788A1/de
Publication of DE3408788A1 publication Critical patent/DE3408788A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0824Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in thyristor switches

Landscapes

  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Description

  • Beschreibung
  • Elektronische Sicherungsvorrichtung für Halbleiterschalter durch Abkommutierung des Stromes durch den Leistungspfad.
  • Die Erfindung betrifft eine elektronische Sicherungsvorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Der Oberstromschutz für Halbleiterschalter nach Anspruch 1 beruht auf der Ableitung des von dem Halbleiterschalter geführten Oberstroms auf einen parallelen Zweig.
  • In den letzten Jahren sind in der Halbleitertechnologie besonders zwei Entwicklungsrichtungen zu beachten: Zum Einen werden neue Halbleiterarten gefertigt, die eine spezifische Schutzvorrichtung erfordern. Zum Anderen wird der Ausnutzungsgrad der Halbleiter immer größer und damit deren Oberlastbarkeit kleiner.
  • Dieser Oberstromschutz ist besonders geeignet für Leistungshalbleiter mit folgenden Eigenschaften: - schlechter werdendes Abschaltverhalten mit steigendem Halbleiterstrom bis zum Verlust der Abschaltfähigkeit über den Steueranschluß; - geringer Abstand zwischen Nennstrom und abschaltbarem Oberstrom.
  • Von den derzeit auf dem Markt befindlichen Leistungshalbleitertypen weist der GTO-Thyristor (abschaltbarer Thyristor) o.g.
  • Eigenschaften auf. Für dieses Element wird die Funktion der Vorrichtung exemplarisch dargestellt.
  • Neuere Stromrichterschaltungen die für immer höher werdende Frequenzen ausgelegt werden, erfordern kürzer werdende Kommutierungszeiten, die mit großen Stromsteilheiten di/dt verbunden sind. Durch die hohen Stromsteilheiten werden hohe Anforderungen an die Schutzvorrichtungen für die Ventile gestellt, denn durch ein großes di/dt kann der Ventilstrom vom Erkennen der Störung, die zu dem Oberstrom führt, bis zum Wirksamwerden der Schutzvorrichtung auf erhebliche Werte angestiegen sein. Die Möglichkeit, den Oberstrom des GTO-Thyristors zu dessen Schutz über das Gate abzuschalten ist durch den schnellen Anstieg des Oberstromes beschränkt. Der Laststrom des GTO-Thyristors darf den vorgegebenen Grenzwert des maximal abschaltbaren Stroms nicht überschreiten, bei dem der GTO nicht nur seine Abschaltfähigkeit verliert, sondern sogar die Gefahr der Zerstörung besteht. Bei zu großen Werten des Anodenstroms wird beim Anlegen einer negativen Gate-Spannung auf Grund der inneren Spannungsabfälle der Anodenstrom auf einge Gebiete fokussiert in denen große Stromdichten entstehen, wodurch das Halbleitergefüge zerstört wird. Diese Gefahr besteht bei der erfindungsgemäßen Schutzschaltung nicht, da der Oberstrom auf einen Parallel zweig abkommutiert wird und die Abschaltimpulse am Gate des GTO gesperrt werden.
  • Der Stand der Technik wird durch die folgenden möglichen Schutzmaßnahmen erläutert /1/.
  • Extern verursachte Störungsfälle die ihre Ursache außerhalb des Stromrichters haben - netz- oder lastseitige Oberspannungen - Netzunterbrechung - erhöhte Umgebungstemperatur oder behinderte Kühlung - elektromagnetische Störungen, die die Steuerung beeinflussen - generatorische Last bei nicht rückarbeitsfähigen Stromrichtern - zu geringe Impedanz der Last bzw. direkter Klemmenkurzschluß.
  • Die Maßnahmen zu den an erster und zweiter Stelle genannten Störungen sind bekannt, z.B. die Beschaltung mit Pufferkondensatoren ausreichender Kapazität /2/. Die an dritter bis fünfter Stelle genannten Störungen treten auch bei konventionellen Thyristor-Stromrichtern auf und können mit den gleichen Schutzmaßnahmen beherrscht werden.
  • Der lastseitige Oberstrom aus der an sechster Stelle genannten Störung wird bei Stromrichtern meist mit flinken Schmelzsicherungen oder Gleichstromschnellschaltern abgeschaltet. In Stromrichtern mit GTO-Thyristoren kann vorteilhafterweise ein elektronischer Oberstromschutz verwirklicht werden. Zu diesem Zweck muß der Oberstromfall mit elektronischen Hilfsmitteln erkannt werden. So dann können selbsttätig Abschaltimpulse an die GTO-Thyristoren gegeben werden und der Oberstrom unterbrochen werden, bevor der maximal abschaltbare Strom der GTO-Thyristoren erreicht wird. Die gesamte Ansprechzeit vom Auftreten des Oberstromes bis zur Abschaltung kann unter 10 ijs gehalten werden.
  • Stromrichterinterne Störungsfälle lassen sich unterteilen in - Defekt eines Bauelements in Steuer- und Leistungsteil (irreversibel) - Fehlfunktion eines Bauelements in Steuer- und Leistungsteil (reversibel) Weil das Auftreten solcher Fehler grundsätzlich nicht völlig vermieden werden kann, ist es anzustreben, zumindest Folgeschäden zu vermeiden, oder zu begrenzen.
  • Den Störfällen der erstgenannten Art kann durch Redundanz im Leistungsteil, in der Meßwerterfassung und der Steuerimpulsgeneratoren selbst begegnet werden.
  • Störungen der zweitgenannten Art sollten möglichst ohne Zerstörungen beseitigt werden. Für einen inneren Kurzschluß durch fehlerhaftes Durchzünden eines der GTO-Thyristoren bestehen zwei grundsätzlich verschiedene Schutzmöglichkeiten: - Abschalten des Kurzschlußstroms durch die GTO-Thyristoren - Abschalten des Kurzschlußstroms durch Schmelzsicherungen.
  • In beiden Fällen muß die Anstiegsgeschwindigkeit des Kurzschlußstromes durch zusätzliche Induktivitäten begrenzt werden.
  • Voraussetzung für die erstgenannte Schutzmethode ist eine schnelle elektronische Erfassung des Oberstromfalls und eine Begrenzung der Steilheit des Kurzschlußstroms durch genügend große Induktivitäten.
  • Den Kurzschlußschutz an zweitgenannter Stelle wird man nur wählen, wenn sich der Kurzschlußschutz durch Abschalten der GTO-Thyristoren schlecht realisieren läßt. Dieser Fall wird aus den folgenden Gründen am ehesten bei GTO-Stromrichtern großer Leistung auftreten: - Die Speicherzeiten leistungsstarker GTO-Thyristoren sind höher als bei Elementen kleiner Schaltleistung - Die GTO-Thyristoren werden hoch ausgenutzt, so daß die Differenz zwischen maximal abschaltbarem Strom und dem Spitzenstrom im Normalbetrieb klein wird.
  • Die genannten Gründe können zu unwirtschaftlich großen Schutzdrosseln führen.
  • Sollen GTO-Thyristoren durch Schmelzsicherungen geschützt werden, ist zu beachten, daß nicht ohne weiteres der Stoßstromgrenzwert ausgenutzt werden kann - wie dies bei konventionellen Thyristoren möglich ist. Vielmehr existiert in Form des maximal abschaltbaren Stroms eine wesentlich niedrigere Grenze, bei deren Oberschreitung der GTO-Thyristor beim Abschaltvorgang zerstört werden kann. Eine konservative Auslegung der Sicherungen entsprechend diesem niedrigen Wert ist praktisch ohne Bedeutung, weil die Strombelastbarkeit des GTO-Thyristors nur zu einem kleinen Bruchteil ausgenützt würde.
  • Um den Stoßstromgrenzwert im Fehlerfall ausnutzen zu können, muß sichergestellt werden, daß während der Stoßstrombelastung keine Abschaltimpulse auf die GTO-Thyristoren gegeben werden. Dies erfordert eine schnelle elektronische Erfassung des Oberstromfalls.
  • Wird ein Oberstrom erkannt, können Zündimpulse auf alle GTO-Thyristoren gegeben werden, um den Stoßstrom möglichst gleichmäßig auf alle Zweige des Wechselrichters zu verteilen.
  • Falls diese Maßnahmen nicht ausreichen, kann ein zusätzlicher Thyristor, der dem Stromrichter gleichstromseitig parallel liegt, gezündet werden. Für diesen konventionellen Thyristor kann ein besonders strombelastbarer Typ gewählt werden.
  • Die Kritik betrifft die bisherigen Schutzvorrichtungen sowohl bei extern als auch bei intern verursachten Störfällen.
  • Zunächst werden die externen Störfälle behandelt: Der Störfall des lastseitigen Oberstroms erfordert eine ausreichend hohe Induktivität des Kurzschlußkreises die nötigenfalls durch zusätzliche Induktivitäten erzielt werden muß, damit der GTO über das Gate abgeschaltet werden kann. Die bei modernen Stromrichtern angestrebten kurzen Kommutierungszeiten stehen jedoch im Widerspruch zu dieser Forderung. Mit der Schutzschaltung nach Anspruch 1 tritt das Problem der Begrenzung des Kurzschlußstroms auf den zulässig abschaltbaren Wert mittels Induktivitäten erst garnicht auf, weil der Kurzschlußstrom nicht über das Gate des GTO-Thyristors abgeschaltet wird. Somit kann der GTO-Thyristor mit dem Stoßstrom-Grenzwert im Störfall belastet werden, eine spezielle Kurzschlußkreisinduktivität entfällt und die Einschaltentlastungsinduktivitäten brauchen nur nach der kritischen di/dt Steilheit ausgelegt werden.
  • Bei den stromrichterinternen Störungsfällen, denen die Fehlfunktion eines Bauelements, insbesondere das Durchzünden eines Thyristors ohne Steuerbefehl, zu Grunde liegt, besteht bei einem Abschalten des Kurzschlußstroms über das Gate des GTO-Thyristors ebenfalls die Gefahr der Oberschreitung des maximal zulässigen abschaltbaren Stroms. Auch für diesen Störfall muß der Strom mit in den Kurzschlußkreis zusätzlich eingefügten Induktivitäten begrenzt werden, derart daß der Kreisstrom, nach Erkennen des Überstroms zum Zeitpunkt der Abschaltung über das Gate, den zulässig abschaltbaren Strom nicht überschreitet. Dieser Wert kann zwar innerhalb bestimmter Grenzen durch die zur Anode-Kathode-Strecke parallel geschalteten Ausschalt-Entlastungs-Kapazitäten vergrößert werden, dies steht jedoch im Widerspruch zu den Anforderungen an moderne Stromrichter bezüglich kurzer Kommutierungszeiten.
  • Außerdem ist man bemüht, die Ventile bezüglich Strom und Taktfrequenz hoch auszunutzen und dies erfordert eine kleine Differenz zwischen dem maximal abschaltbaren und dem betriebsmäßig auftretenden Spitzenstrom. Bei der erfindungsmäßigen Ausführung des Oberstromschutzes tritt auch hier das Problem der Grenze für den maximal abschaltbaren Strom erst gar nicht auf, weil der Kurzschlußstrom nicht mit dem GTO-Thyristor abgeschaltet wird.
  • Die zur Vermeidung der Abschaltung des Kurzschlußstroms über das Gate bisher bekannte Schaltung, bei der ein zusätzlicher Thyristor, der dem Wechselrichter gleichstromseitig parallel liegt und im Störfall gezündet wird, bewirkt nur einen Summenschutz der Ventile. Außerdem muß sichergestellt sein, daß dieser besonders mit Stoßstrom belastete zusätzliche Thyristor sehr schnell nach Erkennung des Störfalls zündet, was bei heutigen Anforderungen an den Schutz neuer Halbleiter problematisch ist. Dieser Summenschutz gewährleistet jedoch keinen Schutz, wenn im Stromrichter Energiespeicher in Form z.B. von Kapazitäten enthalten sind, die sich im Störfall schlagartig entladen und zum Defekt der Ventile führen können, wie z.B. bei Schwingkreiswechselrichtern. Außerdem bietet der Summenschutz keine Absicherung gegen generatorische Last bei nicht rückarbeitsfähigen Stromrichtern.
  • Allgemein gilt: Die erfindungsmäßige Schutzvorrichtung gewährleistet den Schutz jedes einzelnen Halbleiterschalters unabhängig von der Struktur der Ventil-Schaltung bei niedrigem Wartungsaufwand ohne Zurhilfenahme von Schmelzsicherungen. Bei nicht rückarbeitsfähigen Stromrichtern stellt die erfindungsmäßige Schaltung den Schutz der Ventile bei inneren Kurzschlußzweigen aufgrund von Fehlfunktionen von Ventilen im Falle generatorischer Last sicher.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Schutz jedes einzelnen Halbleiterschalters unabhängig von der Schaltungsstruktur zu gewährleisten, derart daß eine einfache Wiederinbetriebnahme der Schaltung, evtl. automatisch, möglich ist. Die elektronische Sicherungsvorrichtung soll nicht nur einen Oberstrom im Lastkreis der Gesamtschaltung, sondern auch den durch Fehlverhalten eines Schaltelements bedingten internen Oberstrom der Schaltung erkennen und unschädlich machen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale nach Anspruch 1,2,3,4,5,6.und 7 gelöst.
  • Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen im Schutz jedes einzelnen Halbleiterschalters vor einer weitreichenden Möglichkeit von Störungen, wobei die volle Ausnutzbarkeit des Ventils bezüglich Schaltleistung und -frequenz erhalten bleibt.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden näher beschrieben. Fig. 1 zeigt die Prinzipschaltung der elektronischen Sicherungsvorrichtung nach Anspruch 1 mit dem zum Halbleiterschalter parallel liegenden Zweig, auf den der Hauptstrom im Störfall, nach Aufsteuern des elektronischen Schutzschalters kommutiert, wodurch der Halbleiterschalter entlastet wird. Die Vorspannung des Löschkondensators Cl, die gemäß Fig. 1 mit eigener Schaltung erzeugt wird, kann nach Anspruch 2 durch Spitzenwertgleichrichtung mit Polaritätsumkehr der Spannung an den Hauptklemmen des Halbleiterschalters derart erzeugt werden, daß zwei Kondensatoren geladen werden. Die Höhe dieser Spannung muß evtl.
  • durch einen geeigneten Spannungsteiler festgelegt werden. Die Ladung von C1 bewirkt ein negatives Kathodenpotential des elektronischen Schutzschalters gegenüber dem des zu schützenden Halbleiterschalters.
  • Im folgenden wird die Funktionsweise an einer GTO-Schutzschaltung mit konventionellem Thyristor im Parallelzweig dargestellt. Fig. 2 zeigt den zum GTO-Thyristor parallelen Stromzweig, bestehend aus den Elementen L1, Th und C1, sowie eine mögliche Schaltungsvariante zur Erzeugung der negativen Vorspannung an der Kathode des Thyristors Th, bestehend aus den Elementen C1, R1, Dl, C2 und D2. Die Überstromerkennung zusammen mit dem Strompfad zur Kathode des GTO-Thyristors erzeugt einen Impuls bei Oberschreitung einer Stromschwelle, der nach Impulsformung und Potentialtrennung dem Schutzthyristor Th zugeführt wird und diesen im Störfall zündet. Die Stoßstrombeanspruchung dieses Thyristors liegt in der Größenordnung von der des GTO-Thyristors.
  • Der elektronische Schutzschalter des parallelen Kommutierungskreises wurde durch einen konventionellen Thyristor gemäß Anspruch 7 realisiert, der zum Zeitpunkt der Anmeldung das Element ist, das am geeignetsten die Anfordungen für die Kommutierung erfüllt, wie etwa - hohe Stoßstrombelastbarkeit - hohe du/dt und di/dt Steilheit - hohe Spannungsfestigkeit - niedriger Preis.
  • Gemäß Anspruch 3 ermöglicht die Schaltung zur Vorspannungserzeugung nach Fig. 3 ein selbständiges Löschen des Schutzthyristors Th beim Stromnulldurchgang des Kondensatorstroms von C1, wenn R1 hochohmig ausgeführt wird, so daß der Haltestrom des Thyristors Th unterschritten wird.
  • Gemäß Anspruch 4 wird der Löschkondensator C1 des parallelen Stromkreises in die Schaltung zur Erzeugung der negativen Vorspannung an der Kathode des Thyristors Th, wie in Fig. 3 dargestellt, mit einbezogen.
  • Zur Vorspannungserzeugung kann auch ein kapazitiver Spannungsteiler eingesetzt werden, der ein schnelleres Aufladen von C1 ermöglicht. Dazu kann R1 mit einem Kondensator überbrückt werden.
  • Fig. 4 zeigt den gemäß Anspruch 5 mit L1 erweiterten Parallelkreis, auf den der Laststrom kommutiert. Hier kann die Kondensatorspannung von C1 größer als die Durchbruchspannung des in Rückwärtsrichtung nicht sperrfähigen GTO-Thyristors gewählt werden, da mit der zum GTO-Thyristor antiparallel geschalteten Diode die negative Spannung am GTO-Thyristor auf die Durchlaßspannung der Diode und der Stromanstieg mit L1 nach dem Zünden des Schutzthyristors Th begrenzt wird.
  • Nach Anspruch 6 kann die Spule L1 in den Kathodenkreis des Thyristors Th eingefügt werden. Diese Maßnahme erfordert eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Kreis des Thyristors Th und der Schaltung zur Zündimpulserzeugung.
  • Schrifttum /1/ Marquardt, R. : Untersuchung von Stromrichterschaltungen mit GTO-Thyristoren.
  • Dissertation 09.12.1962; Universität Hannover /2/ Heumann, K. : Kapitel 1 Stromrichter aus HATTE, Taschenbücher der Technik, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, 1978.
  • - L e e r s e i t e -

Claims (7)

  1. Patentansprüche Elektronische Sicherungsvorrichtung für Halbleiterschalter zum Schutz gegen Oberstrom dadurch gekennzeichnet, - daß der Laststrom des Halbleiterschalters durch Zünden eines in einem parallelen Zweig liegenden Schutzschalters, dessen Kathode ein negativeres Potential hat als die Kathode des Halbleiterschalters, abgebaut wird, indem der Strom des Halbleiterschalters auf den parallelen Zweig kommutiert (Fig. 1).
  2. 2. Elektronische Sicherungsvorrichtung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, - daß das negative Potential an der Kathode des Schutzschalters selbständig, aus der mit der Ansteuer-Taktfrequenz springenden Spannung an den Klemmen des Halbleiterschalters, erzeugt wird, indem zwei Kapazitätszweige, von denen einer einen Löschkondensator enthält, wechselseitig geladen werden und somit keine unabhängige Spannungsversorgung zur Erzeugung der nagativen Vorspannung notwendig ist.
  3. 3. Elektronische Sicherungsvorrichtung nach Anspruch 1 und 2 dadurch gekennzeichnet, - daß der Strom durch den Schutzschalter in dem zum Halbleiterschalter parallel liegenden Zweig durch den Ladevorgang eines Löschkondensators Null wird, so daß der Schutzschalter keine Ausschaltarbeit zu leisten hat.
  4. 4. Elektronische Sicherungsvorrichtung nach Anspruch 1,2 und 3 dadurch gekennzeichnet, - daß der Löschkondensator in dem zum Halbleiterschalter parallel liegenden Kreis zugleich Bestandteil der Schaltung zur negativen Vorspannungserzeugung ist.
  5. 5. Elektronische Sicherungsvorrichtung nach Anspruch 1,2 und 3 dadurch gekennzeichnet, - daß der parallele Hilfszweig durch eine in Reihe zum Löschkondensator liegenden Spule erweitert wird, so daß die Spannung am Halbleiterschalter vom Potential des Löschkondensators dynamisch entkoppelt wird, wodurch die negative Vorspannung am Kondensator vergrößert werden kann und somit die erforderliche Kapazität des Löschkondensators klein wird, wobei diese Maßnahme eine antiparallele Diode zum Halbleiterschalter erfordert (siehe L1 in Fig. 4).
  6. 6. Elektronische Sicherungsvorrichtung nach Anspruch 1,2,3,4 und 5 dadurch gekennzeichnet, - daß die Induktivität im Schutzkreis zwischen Masse und Einspeisepunkt zur Vorspannungserzeugung angeordnet wird, so daß der Ladevorgang des Löschkondensators beschleunigt wird.
  7. 7. Elektronische Sicherungsvorrichtung nach Anspruch 1,2 und 3 dadurch gekennzeichnet, - daß der elektronische Schutzschalter im parallelen Zweig zum Halbleiterschalter durch einen konventionellen Thyristor realisiert wird, der aufgrund seiner Eigenschaften -Strommäßige Oberlastbarkeit- und -selbständiges Verlöschen bei IzIH- besonders für diese Aufgabe geeignet ist.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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