DE3403290A1 - Storage method for a storage device used in telecommunications systems, in particular telephone switching systems - Google Patents
Storage method for a storage device used in telecommunications systems, in particular telephone switching systemsInfo
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Abstract
Description
Speicherungsverfahren für eine in Fernmeldeanlagen,Storage procedure for one in telecommunication systems,
insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen eingesetzte Speichereinrichtung Die Erfindung betrifft ein Speicherungsverfahren für eine in Fernmeldeanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, eingesetzte Speichereinrichtung, in der wenigstens ein durch Formatierung aus einer Vielzahl von Speicherelementen, z.B. Speichersektoren, einheitlichen Speichervolumens bestehender Gesamtspeicher, z.B. Magnetplatte für Magnetplattenspeicher, vorgesehen ist, und in der durch eine wählbare Anzahl von Speicherelementen größenmäßig bestimmte Speicherabschnitte von hinsichtlich ihrer Ansteuerung zusammenhängenden und mittels Adressen einzeln sukzessive ansteuerbaren Speicherelementen gebildet sind, und in der in einem Reserveabschnitt des Gesamtspeichers enthaltene Reserve-Speicherelemente vor einem der Bildung der ansteuerungsmäßig zusammenhängenden Speicherabschnitte dienenden unmittelbaren Zugriff geschützt, also davon ausgeschlossen sind, und in der bei Defekt eines Speicherelementes diesem ein Reserve-Speicherelement zugeordnet wird, indem für das defekte Speicherelement die Ansteuerungsadresse des Reserve-Speicherelementes gespeichert wird, wodurch bei der einzelnsukzessiven Ansteuerung der Speicherelemente eines Speicherabschnittes mit einem defekten Speicherelement bei Erreichen des letzteren statt seiner das diesem zugeordnete Reserve-Speicherelement in den Ansteuerzyklus eingereiht ist und anstelle des defekten Speicherelementes einem Schreibvorgang bzw. Lesevorgang bzw. Löschungsvorgang unterzogen wird.storage device used in particular for telephone exchanges The invention relates to a storage method for one in telecommunications systems, in particular Telephone switching systems, used storage device, in the at least a by formatting from a large number of storage elements, e.g. storage sectors, uniform storage volume of existing total storage, e.g. magnetic disk for Magnetic disk storage, is provided, and in which by a selectable number of Storage elements size-determined storage sections of with regard to their Control related and individually controllable successively by means of addresses Storage elements are formed, and in a reserve section of the overall memory contained reserve memory elements before one of the formation of the control mode direct access serving contiguous memory sections is protected, are excluded from this, and in the event of a defect in a memory element a reserve storage element is allocated by for the defective storage element the drive address of the reserve memory element is stored, whereby in the case of the individual successive control of the memory elements of a Memory section with a defective storage element when the latter is reached instead of the this allocated reserve storage element is lined up in the control cycle and instead of the defective memory element, a write process or read process or deletion process is subjected.
In bekannten Speicheranordnungen, die nach diesem Verfahren arbeiten, enthält jedes der Speicherelemente zusätzlich zu dem den primären Zwecken der Speicherung irgendwelcher Informationen dienenden Speicherelement-Hauptbestandteil je ein Adreßfeld, in das seine eigene Adresse eingetragen ist. Die Ansteuerung kann durch einen Suchvorgang mittels einer jeweils vorgegebenen Adresse erfolgen, die jedes Mal mit der aus dem Adreßfeld eines Speicherelementes gelesenen Adresse verglichen wird; bei Ubereinstimmung ist dann also das anzusteuernde Speicherelement per Suchvorgang angesteuert. Die Ansteuerung kann aber auch gezielt mittels Ansteuerdaten erfolgen, die zum Beispiel jeweils Zeile und Spalte in einem Koordinatenfeld oder Zylinder und Sektor auf einer Magnetplatte angeben. In diesem Fall dient die im jeweiligen Adreßfeld gespeicherte Adresse zur Kontrolle einer vorher richtig erfolgten Ansteuerung.In known memory arrangements that work according to this method, each of the storage elements contains in addition to the primary purposes of storage memory element main component for any information, one address field each, in which his own address is entered. The control can be done by a search process by means of a given address, which is each time with the from the Address field of a memory element read address is compared; if they agree the memory element to be controlled is then controlled by a search process. the However, control can also take place in a targeted manner by means of control data, for example row and column in a coordinate field or cylinder and sector on one Specify magnetic disk. In this case, the one saved in the respective address field is used Address for checking that the activation was carried out correctly beforehand.
Es kommt nun immer wieder vor, daß das Speichermedium, aus dem die Speicherelemente des Gesamtspeichers jeweils mit Speicherelement-Hauptbestandteil und Adreßfeld bestehen, an irgendwelchen Stellen fehlerhaft wird. Das betrifft in der Regel immer nur einzelne Speicherelemente. Eine solche#Fehlerhaftigkeit kann darin bestehen, daß ein Speicherelement nicht mehr beschreibbar, nicht mehr lesbar oder nicht mehr löschbar ist. Deshalb ist bereits vorgesehen worden, außer den genannten Speicherabschnitten im Gesamtspeicher einen Reserveabschnitt von Reserve-Speicherelementen vorzusehen. Diese können nicht unmittelbar zur Bildung von Speicherabschnitten herangezogen werden, wie die übrigen Speicherelemente. Aus letzteren lassen sich Speicherabschnitte beliebiger Anzahl von Speicherelementen bilden.- Es wird jeweils ein Speicherabschnitt für einen bestimmten Speicherungszweck gebildet, z.B. zur Speicherung eines Programmes oder eines Teilprogrammes oder von Daten über eine Koppelfeldkonfiguration oder dergleichen. Da der Bedarf an Speichervolumen von Speicherungszweck zu Speicherungszweck in der Regel verschieden groß ist, ist bei der Bildung von Speicherabschnitten die Anzahl von Speicherelementen wählbar.. Eine Speicherzugriff-Einrichtung hat dabei auf die Speicherelemente freien Zugriff und kann aus ihnen je nach Speichervolumen-Bedarf Speicherabschnitte beliebiger Größe hinsichtlich der Anzahl von adressenmäßig zusammenhängenden Speicherelementen bilden. Hiervon aber sind die Reserve-Speicherelemente des Reserveabschnittes ausgenommen. Der Speicherzugriff-Einrichtung ist der freie Zugriff auf die Reserve-Speicherelemente also versperrt.It happens again and again that the storage medium from which the Storage elements of the overall storage unit each with a storage element main component and address field exist, becomes incorrect at some point. This affects in usually only individual storage elements. Such # defectiveness can in this exist that a memory element can no longer be written to, no longer read or can no longer be deleted. Therefore, it has already been provided for, in addition to those mentioned Memory sections in the total memory a reserve section of reserve storage elements to be provided. These cannot be used directly to form memory sections like the rest of the storage elements. The latter can be used to create memory sections any number of storage elements.- There is one storage section Formed for a specific storage purpose, e.g. to save a program or a part program or data via a switching matrix configuration or like that. Since the need for storage volume from storage purpose to storage purpose is usually of different sizes, is when forming memory sections Number of memory elements selectable .. A memory access device has here free access to the storage elements and can from them depending on the storage volume requirements Memory sections of any size with regard to the number of address-related contiguous ones Form storage elements. Of these, however, are the reserve storage elements of the reserve section except. The memory access device is the free access to the reserve memory elements so locked.
Die Reserve-Speicherelemente können vielmehr bei Defekt von Speicherelementen einzeln diesen zugeordnet werden, und zwar als Ersatz für die mit dem defekten Speicherelement verloren gegangene Speicherkapazität; bei dieser Zuordnung wird immer je ein Reserve-Speicherelement einem defekten Speicherelement individuell zugeordnet. Hierfür ist vorgesehen, sowohl im Adreßfeld eines Speicherelementes ein Hinweiszeichen zu speichern, wenn das betreffende Speicherelement defekt ist, als auch ihm ein Reserve-Speicherelement dadurch zuzuordnen, daß in das Adreßfeld des letzteren die Adresse des defekten Speicherelementes eingeschrieben wird. Werden die Speicherelemente zur Ausführung eines Schreibvorganges, Lesevorganges bzw. Löschvorganges sukzessive nacheinander angesteuert, und wird dabei das defekte Speicherelement erreicht, so erscheint beim Lesen seines Adreßfeldes zugleich das Hinweiszeichen, welches den bestehenden Defekt anzeigt und bewirkt, daß statt dieses Speicherelementes das ihm zugeordnete Reserve-Speicherelement angesteuert wird. Dies geschieht in der Weise, daß der Reserveabschnitt angesteuert wird, und daß sukzessive nacheinander die Adreßfelder der Reserve-Speicherelemente gelesen werden und daß bei Ubereinstimmung der jeweils gerade gelesenen Adresse mit der Adresse des betreffenden defekten Speicherelementes dieser Suchvorgang beendet wird, weil das ihm zugeordnete Reserve-Speicherelement gefunden ist, also durch diesen Suchvorgang angesteuert ist.Rather, the reserve storage elements can be used if storage elements are defective individually assigned to these, namely as a replacement for the one with the defective memory element lost storage capacity; in this assignment will always a reserve storage element for a defective storage element individually assigned. This is provided both in the address field of a memory element to save a warning sign if the relevant memory element is defective, as well as assigning a reserve memory element to it by placing it in the address field of the latter, the address of the defective memory element is written. Will the memory elements for executing a write process, read process or delete process controlled successively one after the other, and thereby becomes the defective storage element reached, when reading its address field, the indicator appears at the same time, which indicates the existing defect and causes that instead of this memory element the reserve memory element assigned to it is activated. This is done in in such a way that the reserve section is activated and that successively one after the other the address fields of the reserve memory elements are read and if they match the address just read with the address of the defective memory element concerned this search process is terminated because the reserve storage element allocated to it is found, so is controlled by this search process.
Die zuvor beschriebene Ansteuerung eines einem defekten Speicherelement zugeordneten Reserve-Speicherelementes ist zeitraubend. Außerdem kann bei einem Speicherelement nicht nur dessen Speicherelement-Hauptbestandteil, sondern auch sein Adreßfeld fehlerbehaftet sein. In diesem Fall ist das Adreßfeld nicht lesbar oder aus dem Leseergebnis zeigt sich die Fehlerhaftigkeit.The previously described control of a defective memory element allocated reserve storage element is time consuming. In addition, with one Storage element not only its main component of storage element, but also its address field may be faulty. In this case the address field cannot be read or off the reading result shows the defectiveness.
Dann wird die beschriebene Suche im Reserve-Speicherabschnitt durchgeführt. Dabei kann aber auch das Hinweiszeichen fehlen, oder es kann fälschlich vorgetäuscht sein. Der eine oder der andere dieser beiden Fehler kann zur Folge haben, daß einem defekten Speicherelement, dem bereits ein Reserve-Speicherelement zugeordnet ist, fälschlich erneut ein Reserve-Speicherelement zugeordnet wird, oder daß das einem defekten Speicherelement zugeordnete Reserve-Speicherelement gesucht wird, daß aber eine hierfür vorausgesetzte Zuordnung noch gar nicht erfolgt ist. Letztlich werden nun auch alle derartigen Falschfunktionen erkennbar, also eine doppelte Zuordnung von Reserve-Speicherelementen zu einem defekten Speicherelement oder das Fehlen einer solchen Zuordnung. Aber alle dadurch zur Richtigstellung erforderlich werdenden zusätzlichen Prozeduren, kosten zusätzlichen Aufwand für entsprechende Programmabläufe und kosten vor allem Zeit, verlangsamen also die Vorgangsabläufe bei der Ansteuerung der Speicherelemente eines Speicherabschnittes.Then the described search is carried out in the reserve memory section. However, the reference symbol can also be missing or it can be falsely simulated be. One or the other of these two errors can result in a defective storage element to which a reserve storage element is already assigned, a reserve memory element is wrongly assigned again, or that the one reserve memory element assigned to defective memory element is sought, but that an assignment required for this has not yet taken place. Ultimately be now all such false functions can be recognized, i.e. a double assignment from reserve storage elements to a defective storage element or the lack of it such an assignment. But all that become necessary for correction additional procedures, cost additional effort for corresponding program sequences and, above all, cost time, i.e. slow down the control processes of the storage elements of a storage section.
In Defekt-Fällen solcher Art werden zunächst Lesewiederholungen durchgeführt, die bekanntlich sehr zeitraubend sein können. Dabei wird jeweils das gleiche Speicherelement erneut angesteuert. Solche Lesewiederholungen müssen nicht nur bei erstmaligem Auftreten eines Fehlers im Adreßfeld durchgeführt werden, sondern auch dann, wenn dem defekt gewordenen Speicherelement (defekt im Adreßfeld) bereits zu frühere Zeitpunkt ein Reserve-Speicherelement zugeordnet worden ist, also jedesmal erneut.In defective cases of this type, read repetitions are carried out first, which, as is well known, can be very time-consuming. The same storage element is used in each case driven again. Such reads do not only have to occur the first time an error in the address field, but also if the defective memory element that has become (defective in the address field) is entered at an earlier point in time Reserve memory element has been allocated, so each time again.
Führen solche Lesewiederholungen dennoch nicht zu einem eindeutigen, brauchbaren Leseergebnis, so wird im Reservebereich eine Suche nach einem dem defekten Speicherelement bereits zugeordneten Reserve- Speicherelement gestartet, weil es Ja sein kann, daß der aufgetretene Defekt bereits bei einem früheren Betriebsfall erkannt wurde und zu einem entsprechenden Zuordnungsvorgang geführt hat. Wird dabei Jedoch kein Reserve-Speicherelement mit der Adresse des defekt gewordenen Speicherelementes gefunden, so ist daran erkennbar, daß ein solcher Zuordnungsvorgang noch nicht stattgefunden hat und zu dem betreffenden Zeitpunkt erst noch durchgeführt werden muß. Diese Vorgänge sind alle recht.umständlich und zeitraubend.However, do such reads not lead to a clear, usable reading result, a search for one of the defective ones is carried out in the reserve area Storage element already assigned reserve Memory element started, because it can be the case that the defect occurred in an earlier operational case was recognized and has led to a corresponding assignment process. Will be there However, no reserve storage element with the address of the defective storage element found, it can be seen from this that such an assignment process has not yet taken place and has yet to be carried out at the relevant point in time. These operations are all quite, cumbersome and time consuming.
Ferner treten bekanntlich auch Fehler sporadischer Art auf, d.h.Fehler, die dann zufällig zeitweilig sich auswirken und dann auch wieder nicht. Solche Defekte können z.B. durch wandernde Staub-Partikel hervorgerufen werden.Furthermore, as is well known, errors of a sporadic nature also occur, i.e. errors which then happen to have an effect temporarily and then again not. Such defects can be caused, for example, by moving dust particles.
Wenn nun ein solcher sporadischer Fehler in einem Betriebsfall zur Zuordnung eines Reserve-Speicherelementes zu einem defekt gewordenen Speicherelement geführt hat und eine entsprechende Information in dem Reserve-Speicherelement gespeichert worden ist, und wenn dieser Defekt bei einem nächsten Betriebsfall zufällig wieder verschwunden ist, erfolgt ein Lesen der betreffenden Information statt im Reserve-Speicherelement vielmehr in dem entsprechenden (ürsprünglichen) Speicherelement, dem das Reserve-Speicherelement in dem früheren Betriebsfall,.d.h. bei der früheren Bearbeitung, bereits zugeordnet worden ist.If now such a sporadic error in an operating case to Assignment of a reserve storage element to a storage element that has become defective has led and stored corresponding information in the reserve memory element has been, and if this defect happens again in the next case of operation has disappeared, the relevant information is read instead of in the reserve memory element rather in the corresponding (original) storage element to which the reserve storage element is located in the previous operational case, i.e. in the previous processing, already assigned has been.
Das kann dazu führen, daß eine falsche Information gelesen wird.This can lead to incorrect information being read.
Darüber hinaus kann ein aufgetretener Defekt darin bestehen, daß ein den Beginn eines Speicherelementes markierendes Speicherelement-Beginn-Zeichen unlesbar geworden ist.In addition, a defect that has occurred may be that a The beginning of the memory element marking the beginning of a memory element is illegible has become.
In einem solchen Defektfall kann die Suche nach diesem Speicherelement-Beginn-Zeichen fortgesetzt werden und entweder durch ein späteres, mit dem Speicherelement-Beginn-Zeichen verwechselbares anderweitiges Zeichen vorgetäuscht werden, wodurch der gesamte Lesevorgang bezüglich des betreffenden Adreßfeldes verschoben stattfindet und folglich zufällig falschen Ergebnissen führt, oder es wird ein solches verwechselbares Speicherelement-Beginn-Zeichen nicht gefunden, und erst eine Zeitüberwachung signalisiert, daß der Suchvorgang zu keinem Ergebnis geführt hat. Solche Defektfälle haben unüberschaubare und praktisch kaum noch beherrschbare Konsequenzen.In such a case of a defect, the search for this memory element start character to be continued and either by a later, with the memory element start character Confusable other characters are faked, thereby eliminating the entire reading process regarding the relevant address field takes place and consequently, it accidentally leads to incorrect results, or it becomes such confusable one Memory element start character not found and only a time monitoring signaled that the search process did not lead to any result. Such defect cases are unmanageable and consequences that are hardly manageable in practice.
Für die Erfindung besteht die Aufgabe, ein Speicherungsverfahren der eingangs angegebenen und als bekannt vorausgesetzten Art so zu gestalten, daß der Zeitaufwand für die Ansteuerung von Reserve-Speicherelementen im Falle von defekten an Speicherelementen eines angesteuerten Speicherabschnittes eingeschränkt wird, und zwar im Hinblick auf die verschiedenen Möglichkeiten auftretender Defekte an Speicherelementen.The object of the invention is to provide a storage method of the initially specified and assumed to be known type so that the Time required to control reserve storage elements in the event of defective ones is restricted to memory elements of a controlled memory section, namely with regard to the different possibilities of occurring defects Storage elements.
Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe dadurch, daß in einem Sonderspeicher sowohl die Ansteuerungsadressen aller defekten Speicherelemente gespeichert sind, als auch in Zuordnung zu Jeder einzelnen dieser Ansteuerungsadressen jeweils die Ansteuerungsadresse des betreffenden zugeordneten Reserve-Speicherelementes gespeichert ist, daß während eines Schreib- bzw. Lese- bzw. Löschvorganges an einem Speicherelement anhand der sich aus dessen Ansteuerungsadresse aufgrund der Adressen-Sukzession ergebenden Ansteuerungsadresse des als nächstes anzusteuernden Speicherelementes mittels eines Suchvorganges in dem Sonderspeicher geprüft wird, ob die Ansteuerungsadresse dieses Speicherelementes als defekt gespeichert ist, und daß im positiven Falle die in Zusammenhang damit gespeicherte Ansteuerungsadresse des betreffenden Reserve-Speicherelementes gelesen und dasselbe angesteuert und der Schreib- bzw. Lese-bzw. Löschvorgang ausgeführt wird.The invention solves the problem posed in that in a special memory as well as the control addresses of all defective memory elements are stored, as well as in assignment to each of these control addresses in each case the control address of the relevant allocated reserve memory element is stored that during a write or read or delete operation on a Storage element based on its control address based on the address succession resulting control address of the memory element to be controlled next by means of a search process in the special memory it is checked whether the control address this memory element is stored as defective, and that in the positive case the control address of the relevant reserve memory element stored in connection therewith read and the same controlled and the write or read or. Deletion carried out will.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung nur in wesentlich~ zu ihrem Verständnis beitragenden Bestandteilen dargestellt; die Zeichnung liegt also der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels zugrunde.In the drawing, an embodiment of the invention is only in essential ~ components that contribute to your understanding are shown; the drawing is therefore based on the following description of an exemplary embodiment.
Eine mit konstanter Anzahl von Umdrehungen pro Sekunde um eine Achse A in Drehrichtung r umlaufende Magnetplatte möge in Sektoren Ml bis M12 von je 30 Grad unterteilt sein. Ein Mittelteil N ist für Speicherungszwecke nicht vorgesehen (ähnlich dem Mittelteil auf einer Schallplatte). Ein Schreib- und Lesekopf K dient in bekannter Weise zum Schreiben, d.h. Speichern von Daten und zum Lesen solcher Daten, d.h. zur Entnahme derselben.One with a constant number of revolutions per second around an axis A magnetic disk rotating in the direction of rotation r may be in sectors Ml to M12 of 30 each Be divided into degrees. A middle part N is not provided for storage purposes (similar to the middle section on a record). A read and write head K is used in a known manner for writing, i.e. storing data and reading such Data, i.e. to extract the same.
Eine Entnahme kann zugleich auch zum Löschen dienen.A removal can also serve for deletion at the same time.
Ebenso kann einem Schreiben ein Löschen vorausgehen.Writing can also be preceded by deletion.
Gelöscht kann auch ohne eine Aufnahme gespeicherter Daten werden. Eine Entnahme kannauch ohne ein Löschen erfolgen.Deleted can also be saved without a recording data will. A withdrawal can also take place without deletion.
Der an einem Arm L um einen Drehpunkt B mittels einer Stelleinrichtung C und einer-Stange D schwenkbare Kopf K kann zur Ausführung eines Lese- und/oder Schreib-und/oder Loschvorganges jeweils auf eine der Magnetplattenspuren eingestellt werden. Eine Magnetplattenspur verläuft also konzentrisch um den Drehpunkt A (im Gegensatz zu den Rillen auf einer Schallplatte, die spiralförmig verlaufen). Eine Magnetspur bildet einen Kreisring. Die räumliche Lage einer Jeden Magnetspur ist durch ihren Durchmesser (Innen- oder Außendurchmesser oder mittlerer Durchmesser, bzw. Kreisring-Radius) bestimmt. Nach Maßgabe desselben ist der Kopf mittels der Stelleinrichtung c auf eine bestimmte Magnetspur einstellbar. Die den Kopf tragenden und seine räumliche Lage bestimmenden Teile (C, D, L, B) werden auch als Positioniereinrichtung bezeichnet.The one on an arm L around a pivot point B by means of an adjusting device C and a rod D swivel head K can be used to carry out a reading and / or The writing and / or erasing process is each set to one of the magnetic disk tracks will. A magnetic disk track runs concentrically around the pivot point A (in Contrasted with the grooves on a vinyl record, which run in a spiral). One Magnetic track forms a circular ring. The spatial position of each magnetic track is by their diameter (inside or outside diameter or mean diameter, or circular ring radius). According to the same, the head is by means of the Adjusting device c adjustable to a specific magnetic track. Those who carry the head and its spatial position-determining parts (C, D, L, B) are also called positioning devices designated.
Ferner sei erwähnt, daß eine Magnetplatte beidseitig zur Speicherung von Daten dient, und daß demgemäß zwei Köpfe (jeweils einer auf jeder der beiden Plattenseiten) vorgesehen sind.It should also be mentioned that a magnetic disk on both sides for storage of data, and that accordingly two heads (one on each of the two Plate sides) are provided.
Wie in der Zeichnung dargestellt ist, ist eine Magnetplatte in eine Anzahl von Sektoren unterteilt; im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind 12 Sektoren M7 bis M12 vorgesehen. Ein Speicherelement, z.B. E1/E2, ist durch den Jeweiligen Sektor, z.B. M1, und den Jeweiligen "Zylinder" betimmt; damit ist ein bestimmter, durch seinen Durchmesser (bzw. Radius) definierter Kreisring gemeint - die Kreisringe werden also als "Zylinder" bezeichnet. Ferner ist Jeweils die betreffende Plattenseite maßgebend. Pro Durchmesser und Sektor gibt es also Je zwei Speicherelemente, und zwar Jeweils eines auf der einen Plattenseite und eines auf der anderen Plattenseite. Hiervon ist aber im weiteren Fortgang der Beschreibung nicht mehr die Rede, weil dieser Aspekt £Er die Erfindung nicht von ausschlaggebender Bedeutung ist. Es werden also von hier an nur die Vorgänge bezüglich einer Plattenseite von der Beschreibung behandelt.As shown in the drawing, a magnetic disk is in a Number of sectors divided; in the present embodiment there are 12 sectors M7 to M12 provided. A storage element, e.g. E1 / E2, is through the respective Sector, e.g. M1, and the relevant "cylinder"; with that there is a certain Circular ring defined by its diameter (or radius) - the circular rings are so called "Cylinder" called. Furthermore, the relevant is in each case Plate side decisive. So there are two storage elements per diameter and sector, one on each side of the plate and one on the other side of the plate. However, this is no longer mentioned in the further course of the description, because This aspect is not critical to the invention. It will hence from here on only the processes relating to one side of the plate from the description treated.
Ein Speicherelement, z.B.E1/E2, besteht Jeweils aus einem Adreßfeld, z.B. El, und einem dem Zweck der Speicherung irgendwelcher Informationen dienenden Speicherelement-Hauptbestandteil , z.B. E2; dieser Hauptbestandteil wird im Gegensatz zu Adreßfeld künftig als ~Speicherfeld" bezeichnet. Ein Adreßfeld und ein Speicherfeld sind zusammen also immer ein Speicherelement.A memory element, e.g. E1 / E2, each consists of an address field, E.g. El, and one serving the purpose of storing any information Memory element main component, e.g., E2; this main ingredient is in opposition to address field in the future referred to as ~ memory field ". One address field and one memory field together are therefore always a storage element.
Die zuvor angegebene Unterteilung des im wesentlichen aus der Magnetplatte bestehenden Gesamtspeichers in eine Vielzahl von Speicherelementen wird auch als Formatierung bezeichnet. Die Magnetplatte ist in eine Anzahl von Sektoren ml bis m12 unterteilt.The above-mentioned subdivision essentially consists of the magnetic disk existing total memory in a variety of memory elements is also called Formatting. The magnetic disk is divided into a number of sectors ml to m12 divided.
Ferner ist die Magnetplatte in als Zylinder bezeichnete Kreisringe unterteilt. Ein durch einen Kreisringdurchmesser (bzw. Kreisringradius) und durch einen Sektor (und außerdem durch die eine oder die andere Magnetplattenseite) definierter Teil des Gesamtspeichers ist jeweils ein Speicherelement. In der Praxis wird auch ein solches Speicherelement als "Speichersektor" bezeichnet.Furthermore, the magnetic disk is in circular rings called cylinders divided. One by a circular ring diameter (or circular ring radius) and by a sector (and also by one or the other side of the magnetic disk) A storage element is part of the total storage. In practice, too such a storage element as a "storage sector" designated.
Das hier behandelte Speicherverfahren für eine in Fernmeldeanlagen, insbesondere in einer Fernsprechvermittlungs anlage, eingesetzte Speichereinrichtung kannals Gesamtspeicher anstelle einer Magnetplatte auf ein anders geformtes Speichermedium aufweisen, z.B. eine Magnettrommel. Auch in einem solchen Fall ist eine Unterteilung des gesamten Trommelumfangs in eine Anzahl von Sektoren vorgesehen. Die Magnetspuren sind in einem solchen Falle nicht Kreisringe, sondern sind zylinderförmig und in einem solchen Falle haben die verschiedenen Magnetspuren sämtlich gleiche Durchmesser.Von der Technik der Magnettrommelspeicher her erklärt sich die Bezeichnung Zylinder pro Magnetspur. Diese Bezeichnungsweise ist in die Technik der Magnetplattenspeicher sprachlich übernommen worden. - Die weitere Beschreibung kehrt nun zu dem dargestellten Ausführungsbeispiel eines Magnetplattenspeichers zurück.The storage method dealt with here for one in telecommunication systems, memory device used in particular in a telephone exchange system can be used as total storage instead of a magnetic disk on a differently shaped storage medium e.g. a magnetic drum. Even in such a case there is a subdivision of the entire drum circumference is provided in a number of sectors. The magnetic tracks in such a case are not circular rings, but are cylindrical and in In such a case the different magnetic tracks all have the same diameter The designation cylinder is explained by the technology of magnetic drum storage per magnetic track. This notation is used in the technology of magnetic disk storage linguistically adopted. - The further description now returns to the one shown Embodiment of a magnetic disk storage back.
Es gibt bekanntlich für den praktischen Betrieb in einerFernmeldeanlage, z.B. in einer Fernsprechvermittlungsanlage, eine Vielzahl von Speicherungsaufgaben.As is well known, for practical operation in a telecommunications system, e.g. in a telephone exchange, a variety of storage tasks.
Außer ausgesprochen kurzzeitigen Speicherungsvorgängen, z.B. zur Speicherung der Wahlinformationen für eine Verbindungsherstellung, gibt es Speicherungsaufgaben für Zwecke, bei denen zu speichernde Informationen etwas länger festgehalten werden müssen. Insbesondere für solche Zwecke dient die in dem beschriebenen Ausführungsbeispiel erläuterte Speichereinrichtung.Except for extremely short-term storage processes, e.g. for storage of the dialing information for establishing a connection, there are storage tasks for purposes in which information to be saved is retained for a little longer have to. The exemplary embodiment described is used in particular for such purposes explained storage device.
Den bei den verschiedenen Speicherungszwecken bestehenden Speicherungsaufgaben entspricht Jeweils ein bestimmtes erforderliches Speichervolumen, das von Speicherungsaufgabe zu Speicherungsaufgabe sehr verschieden groß sein kann. Um die insgesamt vorhandene Speicherkapazität gut auszunutzen, werden Speicherabschnitte pro Speicherungsauftrag nicht nach Maßgabe des größten pro Speicherungsauftrag je vorkommenden Speichervolumen-BedarS gebildet, sondern zu diesem Zweck ist der Gesamtspeicher in der bereits beschriebenen Weise in Speicherelemente unterteilt, und pro Speicherungsauftrag wird eine dem Jeweiligen Speichervolumen-Bedarf entsprechende Anzahl von Speicherelementen Jeweils zu einem Speicherabschnitt zusammengefaßt. Diese Anzahl ist also wäbibar, und zwar Je nach dem für den betreffenden Speicherungsauftrag erforderlichen Speicherungsvolumen. Es werden also durch eine wählbare Anzahl von Speicherelementen größenmäßig bestimmte Speicherabschnitte von zusammenhängenden Speicherelementen gebildet.The storage tasks involved in the various storage purposes each corresponds to a certain required storage volume, which can be very different in size from storage task to storage task. In order to make good use of the total available storage capacity, storage sections per storage job, not the largest per storage job ever Occurring storage volume requirements are formed, but for this purpose is the total storage divided into storage elements in the manner already described, and per storage order becomes a number of storage elements corresponding to the respective storage volume requirement Each grouped into a memory section. This number is therefore wäbibar, depending on the storage volume required for the storage job in question. There are thus determined in terms of size by a selectable number of storage elements Storage sections formed by contiguous storage elements.
Dieser Zusammenhang von Speicherelementen jeweils innerhalb eines Speicherabschnittes ist durch Adressen der Speicherelemente gegeben, die zu ihrer Ansteuerung dienen. Diese Adressen können Jeweils aus denjenigen Daten bestehen, die für die Einstellung der Positioniereinrichtung maßgebend sind, können also jeweils den Kreisringradius und den Sektor der Magnetplatte (und die jeweilige Magnetplattenseite) angeben; diese Daten einer Ansteueradresse eines Speicherelementes führen jeweils dazu, daß das gewünschte Speicherelement mit seinem Anfang unter den Kopf K gebracht wird, was bekanntlich durch ein entsprechendes Schwenken des Armes L und durch Drehung der Magnetplatte bewerkstelligt wird.This relationship of storage elements within a Memory section is given by addresses of the memory elements that belong to their Serve control. These addresses can each consist of the data which are decisive for the setting of the positioning device can therefore each the annulus radius and the sector of the magnetic disk (and the respective magnetic disk side) indicate; these data each lead to a control address of a memory element to the fact that the desired memory element is brought under the head K with its beginning is what is known by a corresponding pivoting of the Poor L and is accomplished by rotating the magnetic disk.
Wie bereits ausgeführt wurde, besteht Jedes Speicherelement aus einem Adreßfeld und einem Speicherfeld.As already stated, each storage element consists of one Address field and a memory field.
Das Speicherfeld dient zur Aufnahme derjenigen Informationen, die in dem Jeweils betreffenden Speicherungsauftrag angeliefert werden, zu speichern sind und zum späteren Zeitpunkt wieder gelesen werden sollen. Dagegen dient- das Adreßfeld eines Speicherelementes zur Aufnahme der eigenen Adresse desselben. Diese Adresse kann identisch sein mit der bereits beschriebenen Adresse pro Speicherelement, bei der es sich um die physikalische Adresse handelt, die die örtliche Lage eines Speicherelementes auf der Magnetplatte angibt.The memory field is used to record the information that are delivered in the respective storage order, to save and should be read again at a later point in time. On the other hand, that serves Address field of a memory element for receiving its own address. These Address can be identical to the address already described for each storage element, which is the physical address indicating the local location of a Indicates storage element on the magnetic disk.
Die im Adreßfeld Jedes Speicherelementes gespeicherte Adresse kann aber auch anders zusammengesetzt sein, kann z.B. aus einer fortlaufenden Nummer bestehen.The address stored in the address field of each memory element can but can also be composed differently, e.g. from a consecutive number exist.
Die im Adreßfeld eines Speicherelementes gespeicherte Adresse dient dazu, daß nach Ansteuerung eines Speicherelementes diese Adresse gelesen wird, wodurch überprüfbar ist, ob diese Ansteuerung zum gewünschten Ziel geführt hat, ob also das Jeweils anzusteuernde Speicherelement auch tatsächlich angesteuert worden ist.The address stored in the address field of a memory element is used to the fact that this address is read after activating a memory element, whereby It can be checked whether this control has led to the desired goal, that is, whether the memory element to be controlled in each case has actually been activated.
Wie die praktische Erfahrung zeigt, kommt es immer wieder vor, daß punktuell Defekte im Speichermedium auftreten, was sich darin zeigt, daß ein Speicherelement nicht mehr beschreibbar und/oder nicht mehr lesbar und/oder nicht mehr löschbar ist; ein solcher Defekt kann im Speicherfeld und/oder im Adreßfeld eines Speicherelementes liegen.-Solche Defekte treten sporadisch auf und sind in der Regel völlig unregelmäßig über den Gesamtspeicher verteilt.As practical experience shows, it happens again and again that punctual defects occur in the storage medium, which is evident in the fact that a storage element no longer writable and / or no longer readable and / or no longer erasable is; Such a defect can be in the memory field and / or in the address field of a memory element lie .-- Such defects occur sporadically and are usually distributed completely irregularly over the entire memory.
Werden nun in der beschriebenen Weise größenmäßig bestimmte Speicherabschnitte von -hinsichtli&h ihrer Ansteuerung zusammenhängenden und mittels Adressen einzeln sukzessive ansteuerbaren Speicherelementen gebildet, so kann es vorkommen, daß in einer solchen Reihe von ansteuerungsmäßig zusammenhängenden Speicherelementen irgendeines dieser Speicherelemente mit einem Defekt behaftet ist. Um eine solche Störung der Speicherung-Systematik (es sollen größenmäßig bestimmte Speicherabschnitte von hinsichtlich ihrer Ansteuerung zusammenhängenden und mittels Adressen einzeln sukzessive nacheinander ansteuerbaren Speicherelementen gebildet werden) in ihrer Auswirkung zu eliminieren, sind in einem Reserveabschnitt des Gesamtspeichers Reserve-Speicherelemente, z.B.R6, R7, R8,..., enthalten. Ein solcher Reserveabschnitt kann einen Teil der Speicherelemente eines Kreisringes, oder sämtliche Speicherelemente eines Kreisringes oder auch mehrere Speicherelemente eines Kreisringes ("Zylinder") umfassen.Are now size-specific memory sections in the manner described of their control related and individually by means of addresses successively controllable memory elements formed, it can happen that in of such a series of drive-related contiguous memory elements any this memory element is defective. To such a disruption of the Storage systematics (storage sections of a certain size are to be used with regard to their control related and by means of addresses individually successively one after the other controllable memory elements are formed) to eliminate their effect, If there are reserve storage elements in a reserve section of the overall storage system, e.g. R6, R7, R8, ..., included. Such a reserve section can be part of the storage elements a circular ring, or all storage elements of a circular ring or even several Include storage elements of a circular ring ("cylinder").
Der Reserveabschnitt des Gesamtspeichers kann aus dem innersten Kreisring oder den innersten Kreisringen oder den äußersten Kreisringen auf der Magnetplatte eines Magnetplattenspeichers bestehen. Im vorliegenden Falle mögen die Speicherelemente der innersten beiden Kreisringe (Zylinder) der dargestellten Magnetplatte als Reserve-Speicherelemente vorgesehen sein und den Reserveabschnitt bilden.The reserve section of the total memory can be taken from the innermost circular ring or the innermost circular rings or the outermost circular rings on the magnetic disk a magnetic disk storage exist. In the present case like the storage elements the innermost two circular rings (cylinders) of the magnetic disk shown as reserve storage elements be provided and form the reserve section.
Die in dem Reserveabschnitt des Gesamtspeichers enthaltenen Reserve-Speicherelemente (...,R6, R7, R8,...) sind vor einem der Bildung der ansteuerungsmäßig zusammenhängenden Speicherabschnitte dienenden unmittelbaren Zugriff durch die nicht im einzelnen dargestellte Steuereinrichtung der erläuterten Speichereinrichtung geschützt; diese Speicherelemente snd also von der Bildung der ansteuerungsmäßig zusammenhängenden Speicherabschnitte ausgeschlossen. Diese Reserve-Speicherelemente dienen vielmehr als Ersatz für den Fall eines Defektes eines der übrigen Speicherelemente.The reserve memory elements contained in the reserve section of the overall memory (..., R6, R7, R8, ...) are prior to the formation of the controls contiguous memory sections serving direct access by the non control device shown in detail of the explained memory device protected; these memory elements are thus from the formation of the control-wise contiguous memory sections excluded. These reserve storage elements rather serve as a replacement in the event of a defect in one of the remaining storage elements.
Tritt der Fall auf, daß eines der nicht zum Reserveabschnitt gehörenden Speicherelemente in der angegebenen Weise einen Defekt aufweist, so wird diesem ein Reserve-Speicherelement zugeordnet, und bei der Ansteuerung der Speicherelemente eines Speicherabschnittes wird in die sukzessive nacheinander erfolgende Ansteuerung seiner Speicherelemente dann, wenn das defekte Speicherelement an die Reihe kommt, statt seiner das ihm zugeordnete Reserve-Speicherelement angesteuert. Hierzu sind in einem einer Speicheransteuereinrichtung H der anhand der Zeichnung erläuterten Speichereinrichtung zugeordneten Ansteuerspeicher G die Ansteuerungsadressen sämtlicher jeweils zu einem Speicherabschnitt zusammengefaßten Speicherelemente gespeichert. Diese Ansteuerungsadressen dienen also sukzessive nacheinander zur Ansteuerung der Speicherelemente jeweils eines Speicherabschnittes.If the case occurs that one of the not belonging to the reserve section Storage elements has a defect in the specified manner, this will be the case a reserve memory element is assigned, and when the memory elements are controlled a memory section is activated successively one after the other of its storage elements when it is the turn of the defective storage element, instead of it the reserve memory element assigned to it is controlled. These are in one of a memory control device H explained with reference to the drawing The control memory G assigned to the memory device contains the control addresses of all each combined to a memory section are stored memory elements. These control addresses are used successively to control the Storage elements each of a storage section.
Bei bekannten Anordnungen wurde Jeweils für das defekte Speicherelement die Ansteuerungsadresse des ihm zugeordneten Reserve-Speicherelementes im Adreßfeld des defekten Speicherelementes gespeichert. Wurde dann das betreffende defekte Speicherelement erreicht, so wurde aus seinem Adreßfeld anstatt seine eigene Adresse vielmehr die Adresse des ihm zugeordneten Reserve-Speicherelementes gelesen, woraufhin nunmehr dieses Reserve-Speicherelement angesteuert wurde.In known arrangements, each time for the defective memory element the control address of the reserve memory element assigned to it in the address field of defective memory element stored. Then became the relevant one If a defective memory element is reached, its address field instead of its own Address rather the address of the reserve memory element assigned to it read, whereupon this reserve memory element has now been activated.
Schwierigkeiten ergaben sich Jedoch dann, wenn der betreffende Defekt nicht nur im Speicherfeld oder anstatt im Speicherfeld des betreffenden Speicherelementes vielmehr in seinem Adreßfeld lag. Nur wenn ein solcher Fall nicht vorlag, wenn also ein aufgetretener Defekt im Speicherfeld eines Speicherelementes lag, konnte auch in bekannten Anordnungen bei der einzeln-sukzessiven Ansteuerung der Speicherelemente eines Speicherabschnittes mit einem defekten Speicherelement bei Erreichen des letzteren statt seiner das diesem zugeordnete Reserve-Speicherelement in den Ansteuerzyklus eingereicht werden und anstelle des defekten Speicherelementes einem Schreibvorgang bzw. Lesevorgang bzw. Löschungsvorgang unterzogen werden.However, difficulties arose when the defect in question not only in the memory field or instead of in the memory field of the relevant memory element rather it was in its address field. Only if such a case did not exist, then if so A defect that occurred was in the memory field of a memory element could also in known arrangements with the individual successive control of the memory elements a memory section with a defective memory element when the latter is reached instead of this the reserve memory element assigned to it in the control cycle are submitted and instead of the defective memory element a write process or reading process or deletion process.
In Speicherungseinrichtungen der bekannten Art, wie auch in der anhand der Zeichnung beschriebenen erfindungsgemäßen Speichereinrichtung ist also eine Speicheransteuereinrichtung H vorgesehen, die einen Ansteuerspeicher G enthält. Darin ist pro Speicherauftrag Jeweils die das erste Speicherelement eines Speicherabschnittes bezeichnende Ansteuerungsadresse sowie die jeweils zu dem betreffenden Speicherabschnitt gehörende Anzahl von Speicherelementen gespeichert. Es brauchen in dem Ansteuerspeicher G also nicht sämtliche Ansteuerungsadressen aller Jeweils zu einem Speicherabschnitt zusammengefaßten Speicherelemente gespeichert zu sein, sondern jeweils nur die Anfangsadresse und die Anzahl der Speicherelemente pro Speicherabschnitt. Anhand dieser Daten vermag die Speicheransteuereinrichtung H sukzessive nacheinander die Speicherelemente eines Speicherabschnittes anzusteuern.In storage devices of the known type, as well as in the based The storage device according to the invention described in the drawing is therefore a Memory control device H is provided, which contains a control memory G. The first storage element of a storage section is contained therein for each storage job Descriptive control address as well as the one for the relevant memory section corresponding number of storage elements stored. Need it in the control memory G so not all control addresses of all each to one Storage section combined storage elements to be stored, but only the start address and the number of storage elements per storage section. On the basis of this data, the memory control device H is able to successively one after the other to control the storage elements of a storage section.
Tritt nun beim erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel ein Defekt in einem Speicherelement auf, was sich daran zeigt, daß das betreffende Speicherelement nicht mehr störungsfrei beschreibbar ur.d/oder lesbar und/oder löschbar ist (was sein Speicherfeld und/oder sein Adreßfeld betreffen kann), so wird die Ansteuerungsadresse des als defekt festgestellten Speicherelementes in einem Sondernspeicher T gespeichert. Dieser Sonderspeicher enthält in zwei Spalten T1a bis Tna und Tlb bis Tnb Speicherzellen T1a bis Tnb, die paarweise einander zugeordnet sind, z.B. die Speicherzellen T1a und Tlb. In diesem Sonderspeicher werden die Ansteuerungsadressen aller defekten Speicherelemente und in Zuordnung zu jeder einzelnen derselben die Ansteuerungsadresse des jeweils betreffenden zugeordneten Reserve-Speicherelementes gespeichert. Wird also z.B. festgestellt,daß das Speicherelement E1/E2 einen Defekt aufweist, so wird ihm ein Reserve-Speicherelement, z*B. das Speicherelement R7 zugeordnet. Die Ansteuerungsadresse des defekten Speicherelementes E1/E2 möge nun in der Speicherzelle T2a und die Ansteuerungsadresse des ihm zugeordneten Reserve-Speicherelementes, z.B.If a defect occurs in the exemplary embodiment according to the invention a memory element, which is evident from the fact that the memory element in question can no longer be written and / or read and / or erased without interference (what its memory field and / or its address field), the control address of the memory element found to be defective is stored in a special memory T. This special memory contains memory cells in two columns T1a to Tna and Tlb to Tnb T1a to Tnb, which are assigned to one another in pairs, for example the memory cells T1a and Tlb. The control addresses of all defective ones are stored in this special memory Storage elements and, in association with each one of them, the control address of the respective associated reserve storage element is stored. Will For example, if it is found that the memory element E1 / E2 has a defect, then him a reserve storage element, z * B. assigned to the storage element R7. The control address of the defective memory element E1 / E2 may now be in memory cell T2a and the control address the reserve storage element allocated to it, e.g.
des Reserve-Speicherelementes R7, möge in der Speicherzelle T2b gespeichert werden, wobei davon dausgegangen ist, daß die Speicherzellen T1a und Tlb bereits anderweitig zur Speicherung von Ansteuerungsadressen verwendet sind.of the reserve storage element R7 may be stored in the storage cell T2b be, being of it d it was assumed that the memory cells T1a and Tlb are already used elsewhere for storing control addresses.
Wie bereits ausgeführt wurde, ist für die Ansteuerung eines Jeden Speicherabschnitt es in der Speicheransteuereinrichtung H Jeweils die Anfangsadresse des ersten Speicherelementes und die Anzahl von zu dem betreffenden Speicherabschnitt Jeweils gehörenden Speicherelemente gespeichert.As already stated, is for the control of everyone Memory section it in the memory control device H in each case the start address of the first storage element and the number of to the relevant storage section Associated memory elements are stored in each case.
Hieraus bildet die Speicheransteuereinrichtung H sukzessive nacheinander die Ansteuerungsadressen der einzelnen Speicherelemente, die in dem betreffenden Speicherabschnitt zusammengefaßt sind,und verwendet sie einzeln nacheinander zur Ansteuerung eines Jeden dieser Speicherelemente. Gelangt nun die Speicheransteuereinrichtung H zu einem Speicherelement, das bereits als defekt erkannt ist, so ist dafür zu sorgen, daß anstelle dieses Speicherelementes vielmehr das ihm zugeordnete Reserve-Speicherelement angesteuert wird. Zu diesem Zweck sind die Ansteuerungsadressen Jeweils eines defekt gewordenen Speicherelementes und des ihm zugeordneten Reserve-Speicherelementes in zwei einander zugeordneten Speicherzellen des Sonderspeichers T in der bereits angegebenen Weise gespeichert. Es ist nun vorgesehen, daß während eines Schreib- bzw. Lese- bzw. Löschvorganges an einem Speicherelement anhand der sich aus dessen Ansteuerungsadresse aufgrund der Adressen-Sukzession ergebenden Ansteuerungsadresse des als nächstes anzusteuernden Speicherelementes mittels eines Suchvorganges in dem Sondernspeicher T geprüft wird, ob die Ansteuerungsadresse dieses Speicherelementes als defekt gespeichert ist. Zum besseren Verständnis sei beispielsweise davon ausgegangen, daß das aus dem Adreßfeld E21 und dem Speicherfeld E22 bestehende Speicherelement als defekt bereits erkannt worden ist, und daß ihm bereits ein Reserve-Speicherelement, z.B. das Reserve-Speicherelement R8, zugeordnet ist.From this, the memory control device forms H successively one after the other the control addresses of the individual memory elements in the relevant Memory section are combined, and used one after the other for Control of each of these storage elements. Now comes the memory control device H to a memory element that is already recognized as defective, it is to ensure that instead of this memory element, the reserve memory element assigned to it is rather used is controlled. For this purpose, the control addresses are each defective become memory element and the reserve memory element assigned to it in two memory cells assigned to one another in the special memory T in the already specified way. It is now provided that during a writing or read or delete process on a memory element based on the Control address based on the address succession resulting control address of the memory element to be controlled next by means of a search process in the special memory T is checked whether the control address of this memory element is saved as defective. For a better understanding it is assumed, for example, that from the Address field E21 and the memory field E22 Storage element has already been recognized as defective, and that it has already received a reserve storage element, e.g. the reserve storage element R8 is assigned.
Demgemäß sind also die Ansteuerungsadressen des aus dem Adreßfeld E21 und dem Speicherfeld E22 bestehenden Speicherelementes und des Reserve-Speicherelementes R8 in zwei Speicherzellen des Sonderspeichers (z.B. in den Speicherzellen T3a und T3b ii der beschriebenen Weise gespeichert. Die Speicherzellen T1a, Tlb, T2a und T2b mögen bereits für andere entsprechende Zwecke benutzt sein. Ferner sei an dieser Stelle vorausgesetzt, daß das aus dem Adreßfeld El und dem Speicherfeld E2 bestehende Speicherelement nicht defekt ist.Accordingly, the control addresses are from the address field E21 and the memory field E22 existing memory element and the reserve memory element R8 in two memory cells of the special memory (e.g. in memory cells T3a and T3b ii stored in the manner described. The memory cells T1a, Tlb, T2a and T2b may already be used for other corresponding purposes. Furthermore, be on this one Assuming that the address field El and the memory field E2 Storage element is not defective.
Es sei nun die Betriebssituation ins Auge gefaßt, in der ein Schreib- bzw. Lese- bzw. Löschvorgang an dem aus dem Adreßfeld El und dem Speicherfeld E2 bestehenden Speicherelement ausgeführt wird. Es befindet sich also dieses Speicherelement gerade unter dem Kopf K. Dieses Speicherelement ist also bereits ordnungsgemäß und störungsfrei angesteuert worden. In dieser Betriebssituation ermittelt die Speicheransteuereinrichtung H anhand der bereits genannten Anfangsadresse und anhand der gespeicherten Anzahl von Speicherelementen des gerade bearbeiteten Speicherabschnittes aufgrund der systematischen Adressen-Sukzession die nach Ansteuerung des Speicherelementes E1/E2 für den nächsten Ansteuerungsvorgang erforderliche Ansteuerungsadresse anhand der Ansteuerungsadresse des Speicherelementes E1/E2 und aufgrund der systematischen Adressensukzession. Hieraus ergibt sich also die Ansteuerungsadressn des als nächstes anzusteuernden Speicherelementes E21/E22. Dieses aber - so wurde weiter oben bereits angenommen, sei defekt.Let us now consider the operational situation in which a writing or read or delete process on the one from the address field E1 and the memory field E2 existing storage element is executed. So there is this memory element just under the head K. This storage element is already properly and has been driven without interference. The memory control device determines in this operating situation H on the basis of the start address already mentioned and on the basis of the stored number of storage elements of the currently processed storage section due to the systematic Address succession after the activation of the memory element E1 / E2 for the next Control process required control address based on the control address of the storage element E1 / E2 and due to the systematic address succession. This results in the control address of the next to be controlled Storage element E21 / E22. But this - so it became above already assumed to be defective.
Deshalb sind seine Ansteuerungsadresse und die Ansteuerungsadresse des ihm zugeordneten Reserve-Speicherelementes R8 in den Speicherzellen T3a und T3b gespeichert. Nachdem nun während des Schreib-bzw. Lese- bzw. Löschvorganges an dem Speicherelement E1/E2 anhand der sich aus dessen Ansteuerungsadresse aufgrund der Adressen-Sukzession die Ansteuerungsadresse des als nächstes anzusteuernden Speicherelementes E21/E22 gewonnen wurde, wird noch während des Bearbeitungsvorganges an dem Speicherelement E1/E2 mittels eines Suchvorganges in dem Sonderspeicher T geprüft, ob die Ansteuerungsadresse des nächstfolgenden Speicherelementes E21/E22 als defekt hierin gespeichert ist. Erweist sich eine solche Prüfung nicht als positiv, wird also die Ansteuerungsadresse des jeweils nächstfolgend anzusteuernden Speicherelementes im Sonderspeicher nicht gefunden, so wird dieses Speicherelement entsprechend der Adressen-Sukzession anschließend angesteuert. Im vorliegenden Falle ist aber davon ausgegangen worden, daß das Speicherelement E21,/E22 defekt ist, und daß seine Ansteuerungsädresse in der Speicherzelle t3a gespeichert ist. Die genannte Prüfung verläuft also im gegebenen Beispiel positiv.Therefore, its control address and the control address are of the reserve storage element R8 assigned to it in the storage cells T3a and T3b saved. After now during the writing or. Read or delete process on the memory element E1 / E2 based on the address of its activation the address succession is the address of the address to be activated next Storage element E21 / E22 was obtained, is still during the machining process at the memory element E1 / E2 by means of a search process in the special memory T. checked whether the control address of the next storage element E21 / E22 is stored therein as defective. If such a test does not prove to be positive, thus becomes the control address of the next memory element to be controlled in each case not found in the special memory, this memory element is stored according to the Address succession then controlled. In the present case, however, is of it it has been assumed that the memory element E21, / E22 is defective, and that its control address is stored in the memory cell t3a. The mentioned test runs in given example positive.
Die Ansteuerungsadresse des Speicherelementes E21/E22 wird von einer entsprechenden Prüfeinrichtung P des Sonderspeichers T in der Speicherzelle T3a gespeichert aufgefunden; daraufhin entnimmt die Prüfeinrichtung P des Sonderspeichers T der der Speicherzelle T3a entsprechenden Speicherzelle T3b die Ansteuerungsadresse des betreffenden zugeordneten Reserve-Speicherelementes R8 und überträgt diese Adresse zur Speicheransteuereinrichtung H, die dann beim nächsten Ansteuerungsvorgang anstelle der Ansteuerungsadresse des Speicherelementes E21/E22 die Ansteuerungsadresse des Speicherelementes R8 verwendet. Dadurch wird als nächstes nicht das Speicherelement E21/E22 angesteuert, sondern das ihm zugeordnete Reserve-Speicherelement R8.The address of the memory element E21 / E22 is from a corresponding test device P of the special memory T in the memory cell T3a found stored; thereupon the test device removes P from the special memory T of the memory cell T3b corresponding to the memory cell T3a is the drive address of the relevant allocated reserve storage element R8 and transmits this address to the memory control device H, which then at the next Control process instead of the control address of the memory element E21 / E22 the control address of the storage element R8 is used. This will not use the storage element next E21 / E22 controlled, but the reserve memory element R8 assigned to it.
Während der Bearbeitung des Reserve-Speicherelementes R8 bleibt die Ansteuerungsadresse des defekten Speicherelementes E21/E22 in der Ansteuerungseinrichtung H gespeichert. Anhand dieser Ansteuerungsadresse und aufgrund der Adressen-Sukzession ermittelt die Ansteuerungseinrichtung H erneut das nach Ansteuerung des Reserve-Speicherelementes R8 (anstelle des Speicherelementes E21/E22) als nächstes anzusteuernden weiteren Speicherelementes.While the reserve storage element R8 is being processed, the Control address of the defective memory element E21 / E22 in the control device H saved. Based on this control address and on the basis of the address succession the control device H determines again after the control of the reserve storage element R8 (instead of the memory element E21 / E22) is the next to be controlled Storage element.
Diese sich als nächste ergebende Ansteuerungsadresse ist die desjenigen Speicherelementes, das auf dem gleichen Zylinder im Sektor M3 sich an das Speicherelement E21/E22 unmittelbaranschließt.This next resulting control address is that of that one Storage element that is on the same cylinder in sector M3 to the storage element E21 / E22 immediately follows.
Auch anhand dieser sich ergebenden Ansteuerungsadresse des als nächstes anzusteuernden Speicherelementes wird erneut mit Hilfe des Sonderspeichers geprüft, ob das gemäß der Adressen-Sukzession als nächstes anzusteuernde Speicherelement defekt ist oder nicht. Wenn dies nicht zutrifft, erfolgt diese Ansteuerung tatsächlich. Ist das Speicherelement aber defekt, so ist auch seine Ansteuerungsadresse im Sonderspeicher T in der bereits beschriebenen Weise gespeichert, wird bei dem betreffenden Prüfvorgang aufgefunden und durch die zugeordnete Ansteuerungsadresse des bereits zugeordneten Reserve-Speicherelements hinsichtlich des als nächsten durchzuführenden Ansteuerungsvorgang ersetzt.Also based on this resulting control address of the next The memory element to be controlled is checked again with the help of the special memory, whether the memory element to be controlled next in accordance with the address succession is defective or not. If this is not the case, this control actually takes place. However, if the memory element is defective, its control address is also in the special memory T is stored in the manner already described, is used in the relevant test procedure found and by the assigned control address of the already assigned Reserve memory element with regard to the control process to be carried out next replaced.
Tritt ein Defekt an einem Speicherelement auf, bzw. tritt ein solcher neu in Erscheinung, was sich dadurch zeigt, daß es nicht mehr lesbar, beschreibbar und/oder löschbar ist und was sein Adreßfeld und/oder sein Speicherfeld betreffen kann, so wählt die Speicheransteuereinrichtung H zunächst ein freies Reserve-Speicherelement aus und überträgt dann dessen Arssteuerungsadresse zusammen mit der des als defekt erkannten Speicherelementes zum Sonderspeicher T. Dieser wählt dann mittels seiner Prüf einrichtung P zwei freie Speicherzellen aus und nimmt die Speicherung der beiden einander neu zugeordneten Ansteuerungsadressen vor.If a defect occurs in a storage element, respectively. such a thing reappears, which is shown by the fact that it is no longer readable, writable and / or erasable and what its address field and / or its Can relate to the memory field, the memory control device H first selects a free reserve memory element and then transfers its work control address together with that of the memory element recognized as defective to the special memory T. This then selects two free memory cells by means of its test device P and takes the storage of the two newly assigned control addresses before.
1 Patentanspruch 1 Figur1 claim 1 figure
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Applications Claiming Priority (1)
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