DE3443563A1 - Fluessigkeitsstrahlaufzeichnungskopf - Google Patents
FluessigkeitsstrahlaufzeichnungskopfInfo
- Publication number
- DE3443563A1 DE3443563A1 DE19843443563 DE3443563A DE3443563A1 DE 3443563 A1 DE3443563 A1 DE 3443563A1 DE 19843443563 DE19843443563 DE 19843443563 DE 3443563 A DE3443563 A DE 3443563A DE 3443563 A1 DE3443563 A1 DE 3443563A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- recording head
- head according
- oxide
- liquid
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 109
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- -1 fluororesin Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 claims description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XKEFYDZQGKAQCN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC(Cl)=C1 XKEFYDZQGKAQCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 206010010144 Completed suicide Diseases 0.000 claims description 2
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002593 Fe-Ti Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017263 Mo—C Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017318 Mo—Ni Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017305 Mo—Si Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UBUCNCOMADRQHX-UHFFFAOYSA-N N-Nitrosodiphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(N=O)C1=CC=CC=C1 UBUCNCOMADRQHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methyl-N-phenylamine Natural products CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004337 Ti-Ni Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910011208 Ti—N Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910011209 Ti—Ni Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910008938 W—Si Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 claims description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 2
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- HWMTUNCVVYPZHZ-UHFFFAOYSA-N diphenylmercury Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Hg]C1=CC=CC=C1 HWMTUNCVVYPZHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 2
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021472 group 8 element Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N hexamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VLZLOWPYUQHHCG-UHFFFAOYSA-N nitromethylbenzene Chemical compound [O-][N+](=O)CC1=CC=CC=C1 VLZLOWPYUQHHCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N pentamethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(C)=C1C BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- ORQWTLCYLDRDHK-UHFFFAOYSA-N phenylselanylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Se]C1=CC=CC=C1 ORQWTLCYLDRDHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 2
- YWBHROUQJYHSOR-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-selanylbenzene Chemical compound [Se]C1=CC=CC=C1 YWBHROUQJYHSOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VGBAECKRTWHKHC-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;1-ethenylcyclopenta-1,3-diene;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH2-]C=C1C=CC=C1 VGBAECKRTWHKHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Hf] Chemical group [B].[B].[Hf] LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- WDODWFPDZYSKIA-UHFFFAOYSA-N benzeneselenol Chemical compound [SeH]C1=CC=CC=C1 WDODWFPDZYSKIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N boranylidyneniobium Chemical compound [Nb]#B VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N boron;vanadium Chemical compound [V]#B AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GYVGXEWAOAAJEU-UHFFFAOYSA-N n,n,4-trimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C)C=C1 GYVGXEWAOAAJEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14379—Edge shooter
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
Τϊρητιτιτ - Rum mr - Kikimc - £3b.£ibc" "Patentanwälte und j·
IEDTKE DUHLING " lYINNE ".CIRrUPE- ; ^Verjreter beim EPA If*
Π /"* e Dipl.-lng. H.Tiedtke f
PELLMANN - fclRAMS - OTRUIF Dipl.-Chem. G. Bühling
Dipl.-lng. R. Kinne
_ g Dipl.-lng. R Grupe
A k 3 5 6 3 Dipl.-lng. B. Pellmann
Dipl.-lng. K. Grams Dipl.-Chem. Dr. B. Struif
Bavariaring 4, Postfach 2024
8000 München
Tel.: 089-5396 Telex: 5-24845 tipat Telecopier: 0 89-537377 cable: Germaniapatent Munch*
29. November 1984 Canon Kabushiki Kaisha
DE 4450
Tokio, Japan
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Flüssigkeitsstrahlauf zeichnungskopf, der Flüssigkeit ausstößt, um
zu Aufzeichnungszwecken "fliegende" Flüssigkeitströpfchen auszubilden.
Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren (Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungsverfahren)
haben in neuerer Zeit zunehmende Bedeutung gewonnen, da beim Aufzeichnen nur geringe Geräusche
verursacht werden, da eine Aufzeichnung mit hoher Geschwindigkeit möglich ist und da der Aufzeichnungsvorgang
auf Normalpapier durchgeführt werden kann, ohne daß irgendeine Spezialbehandlung, beispielsweise eine
Fixierung, erforderlich ist.
Das in der offengelegten japanischen Patentanmeldung
51837/1979 und der DE-OS 28 43 064 beschriebene Flüssigkeitsstrahlauf
zeichnungsverfahren unterscheidet sich
von anderen Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungsverfahren
Dresdner Bank (München) Kto. 3939844 Deutsche Bank (München) Kto. 2861060 Postscheckamt (München) Kto. 670-43-804
dadurch, daß zur Erzeugung der für das Ausstoßen der Flüssigkeitströpfchen erforderlichen Antriebskraft Wärmeenergie
auf die Flüssigkeit aufgebracht wird.
Mit anderen Worten, bei dem vorstehend genannten Aufzeichnungsverfahren
wird Wärmeenergie auf eine Flüssigkeit aufgebracht, um eine abrupte Volumenzunahme der
Flüssigkeit zu erreichen, und wird die Flüssigkeit von einer Öffnung am vorderen Ende des Aufzeichnungskopfes
ausgestoßen, um "fliegende" Flüssigkeitströpfchen zu bilden und diese Flüssigkeitströpfchen zur Ausführung
eines Aufzeichnungsvorganges an einem die Aufzeichnung aufnehmenden Medium anhaften zu lassen.
Das in der DE-OS 28 43 064 beschriebene Tintelstrahlaufzeichnungsverfahren
ist nicht nur für solche Aufzeichnungsverfahren geeignet, die mit Tröpfchenabgabe auf Anforderung
arbeiten, sondern ermöglichen ferner auch in einfacher Weise die Verwirklichung eines Vollzeilen-Mehrfachöffnungsaufzeichnungskopfes
mit in hoher Dichte angeordneten Öffnungen, so daß daher Bilder mit hoher Auflösung
und hoher Qualität mit hoher Geschwindigkeit erzeugt werden können.
Der Aufzeichnungskopfabschnitt einer für das vorstehend
erwähnte Aufzeichnungsverfahren verwendeten Vorrichtung umfasst einen Flüssigkeitsausstoßabschnitt, der aus einer
zum Ausstoßen von Flüssigkeit dienenden Öffnung und einem Flüssigkeitsströmungskanal besteht, der als Teil seines
Aufbaus einen Wärmeeinwirkungsabschnitt aufweist, der mit der Öffnung in Verbindung steht und Wärmeenergie
zum Ausstoßen von Flüssigkeitströpfchen auf die Flüssig-
keit aufbringt, sowie einem elektro-thermischen Wandler
zum Erzeugen der Wärmeenergie.
Der elektro-thermische Wandler ist mit zwei Elektroden
und einer Widerstandsheizschicht versehen, die mit den Elektroden verbunden ist und einen Bereich aufweist,
der Wärme zwischen den Elektroden erzeugt (Wärmeerzeugungsabschnitt) .
Ein typisches Beispiel für den Aufbau eines derartigen Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopfes ist in den Figuren
la und Ib dargestellt.
Figur la zeigt eine Teilvorderansicht des Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopfes
von der Öffnungsseite aus gesehen, während Figur Ib ein Teilschnitt entlang der
strichpunktierten Linie X-Y in Figur la ist.
Der gezeigte Aufzeichnungskopf 100 besteht aus einer Öffnung 104 und einem Flüssigkeitsausstoßabschnitt 105,
der dadurch hergestellt wurde, daß die Oberfläche eines mit einem elektro-thermischen Wandler 101 versehenen
Substrates 102 mit einer Rillenplatte 103 verklebt wurde, welche eine vorgegebene Anzahl von Rillen einer vorgegebenen
Breite und Tiefe in einer vorgegebenen Zeilendichte aufweist, so daß die Rillenplatte das Substrat
abdeckt. Der in Figur 1 gezeigte Aufzeichnungskopf besitzt
eine Vielzahl von Öffnungen 104; die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf eine derartige Ausführungsform
beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr auch einen Aufzeichnungskopf mit einer einzigen Öffnung.
Der Flüssigkeitsausstoßabschnitt 105 besitzt eine Öffnung
104 am Ende, die Flüssigkeit ausstößt, und einen Wärmeeinwirkungsabschnitt 106, in dem die von dem elektrothermischen
Wandler 101 erzeugte Wärmeenergie auf die Flüssigkeit aufgebracht wird, um eine Blase zu erzeugen
und eine abrupte Zustandsänderung infolge einer Volumenexpansion und Volumenschrumpfung herbeizuführen.
Der Wärmeeinwirkungsabschnitt 106 ist über dem Wärmeerzeugungsabschnitt
107 des elektro-thermischen Wandlers 101 angeordnet. Eine Wärmeeinwirkungsfläche 108, mit der
der Wärmeerzeugungsabschnitt 107 mit der Flüssigkeit in Kontakt steht, stellt die Bodenfläche des Wärmebetätigungsabschnittes
106 dar.
Der Wärmeerzeugungsabschnitt 107 besteht aus einer unteren Schicht 109, die auf dem Substrat 102 vorgesehen ist,
einer auf der unteren Schicht 109 vorgesehenen gemeinsamen Elektrode 113, einer auf der gemeinsamen Elektrode
113 vorgesehenen Isolationsschicht 114, einer Widerstandsheizschicht 110, die auf der Isolationsschicht 114 vorgesehen
ist, und einer auf der Widerstandsheizschicht 110 vorgesehenen oberen Schicht 111. Die Widerstandsheizschicht
110 ist mit Elektroden 112 und 113 versehen, so daß elektrischer Strom der Schicht 110 zur Erzeugung
von Wärme zugeführt werden kann. Die Isolationsschicht 114 ist zwischen den Elektroden 112 und 113 eingebettet.
Bei der Elektrode 112 handelt es sich um eine selektive Elektrode zum Auswählen des Wärmeerzeugungsabschnittes
eines jeden Flüssigkeitsausstoßabschnittes zur Wärmeerzeugung, während es sich bei der Elektrode 113 um eine
den Wärmeerzeugungsabschnitt der Flüs sigkeitsausstoßabschnitte
gemeinsame Elektrode handelt, die entlang dem
Flüssigkeitsströmungskanal eines jeden Flüssigkeitsausstoßabschnittes
angeordnet ist.
Die obere Schicht 111 dient dazu, die Widerstandsheizschicht
110 chemisch und physikalisch gegenüber der Flüssigkeit am Wärmeerzeugungsabschnitt 107 zu schützen,
indem sie die Widerstandsheizschicht 110 gegenüber der Flüssigkeit im Flüssigkeitsströmungskanal am Flüssigkeitsausstoßabschnitt
105 isoliert. Die obere Schicht 111 dient ferner dazu, elektrische Lecks zwischen benachbarten
Elektroden zu verhindern. Sie ist insbesondere von Bedeutung, um elektrische Lecks zwischen den selektiven
Elektroden zu verhindern und die elektrische Korrosion von Elektroden auszuschalten, die durch den in einer
Elektrode fließenden elektrischen Strom verursacht wird und auf den Kontakt einer Elektrode unter dem Flüssigkeitsströmungskanal
mit der Flüssigkeit zurückgeht, was manchmal auftritt. Daher ist eine derartige, eine Schutzfunktion
ausübende obere Schicht 111 auf mindestens einer Elektrode vorgesehen, die unter einem Flüssigkeitsströmungskanal
angeordnet ist.
Der in jedem Flüssigkeitsausstoßabschnitt vorgesehene Flüssigkeitsströmungskanal steht mit einer gemeinsamen
Flüssigkeitskammer (nicht gezeigt), die die dem Flüssigkeitskanal zuzuführende Flüssigkeit speichert, aufstromseitig
in Verbindung. Allgemein gesagt ist eine an den elektro-thermischen Wandler im Flüssigkeitsaustoßabschnitt
angeschlossene Elektrode vorgesehen, und zwar derart,
3G daß sie sich unter die gemeinsame Flüssigkeitskammer am aufstromseitigen Abschnitt gegenüber dem Wärmeeinwirkungsabschnitt
erstreckt. Daher ist die obere Schicht auch an diesem Abschnitt vorgesehen, um zu verhindern,
daß die Elektrode mit der Flüssigkeit in Kontakt tritt.
Da sich jedoch bei dem Aufzeichnungskopf nach dem Stand der Technik eine Elektrode unter einen Wärrneerzeugungsabschnitt
erstreckt, muß das Material für die Elektrode eine hohe Hitzebeständigkeit aufweisen. Da die Isolationsschicht
ferner doppelt als Wärmespeicherschicht wirkt, werden bei der Herstellung so viele Durchgangslöcher
erzeugt, daß die Ausbeute der Vorrichtung niedrig ist. Da schließlich der Wärmeerzeugungsabschnitt des Standes
der Technik aus diversen Schichten besteht, wie aus den vorstehend genannten Beispielen hervorgeht, und jede
Schicht aus einem Material besteht, das sich von dem Material der anderen Schichten unterscheidet, liegen
unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizienten vor, so daß beim häufigen Aufbringen von Wärmeenergie innere
Spannungen angesammelt werden, die zur Ausbildung von Rissen führen, so daß sich eine schlechte Haltbarkeit
ergibt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf
zu schaffen, der frei von den vorstehend erwähnten Nachteilen ist.
Die Erfindung bezweckt ferner die Schaffung eines Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopfes,
der eine gute Haltbarkeit sowohl in bezug auf einen häufig wiederholten Gebrauch
als auch in bezug auf einen kontinuierlichen Gebrauch über einen langen Zeitraum aufweist und der die anfänglichen
ausgezeichneten Flüssigkeitströpfchenbildungseigenschaften
über einen langen Zeitraum in beständiger Weise aufrechterhalten kann.
Desweiteren soll erfindungsgemäß ein Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf
zur Verfügung gestellt werden, der mit hoher Zuverlässigkeit hergestellt werden kann.
Die vorstehend genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf gelöst,
der die folgenden Bestandteile umfasst: Eine Öffnung zur Ausbildung von "fliegenden" Flüssigkeitströpfchen
durch Ausstoßen von Flüssigkeit, einen Wärmeeinwirkungsabschnitt, der mit der Öffnung in Verbindung steht und
in dem thermische Energie (hiernach als Wärmeenergie bezeichnet) zur Ausbildung von Flüssigkeitströpfchen
auf die Flüssigkeit aufgebracht wird, mindestens ein Paar von Elektroden, die elektrisch an eine Widerstandsheizschicht
angeschlossen sind, welche auf einem Lagerbett vorgesehen ist, und einen elektro-thermischen Wandler,
der zwischen dem einen Paar von Elektroden angeordnet ist und einen Wärmeerzeugungsabschnitt bildet, wobei
mindestens ein Teil des einen Elektrodenpaares, die gegenüberliegend angeordnet sind, eine Isolationsschicht einbettet.
Der Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Elektrode des einen
Paares von Elektroden und die Isolationsschicht nicht unter dem Wärmeerzeugungsabschnitt angeordnet sind.
Weiterbildungen des Erfindungsgegenstandes gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung im einzelnen
erläutert. Es zeigen:
die Figuren la und Ib
einen herkömmlich ausgebildeten Flüssigkeitsstrahlauf zeichnungskopf, wobei Figur la eine
schematische Teilvorderansicht und Figur Ib einen Teilschnitt entlang der strichpunktier
ten Linie X - Y in Figur la zeigen;
die Figuren 2a, b, c, d und e
einen Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf
nach der vorliegenden Erfindung, wobei Figur 2a
eine schematische Teilvorderansicht, Figur 2b einen Teilschnitt entlang der strichpunktierten
Linie A-A1 in Figur 2a, Figur 2c einen Teilschnitt entlang der strichpunktierten
Linie B - B1 in Figur 2b, Figur 2d eine
Substratdraufsicht entlang der strichpunktierten Linie C-C in Figur 2b und Figur 2e
eine Draufsicht auf das Substrat bei entfernter erster Schutzschicht und zweiter Schutzschicht
zeigen; und
die Figuren 3 und 4
Teilschnitte durch andere Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung.
25
25
Die vorliegende Erfindung wird nunmehr im Detail in Verbindung mit den Figuren 2a - 2e beschrieben.
Figur 2a zeigt eine Teilvorderansicht eines erfindungsgemäß ausgebildeten Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopfes
von der Öffnungsseite her gesehen, um auf diese Weise den Hauptteil des Aufbaus einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern zu können.
Figur 2b zeigt einen Teilschnitt entlang der strichpunktierten Linie A-A' in Figur 2a. Die Figuren 2a
und 2b entsprechen den Figuren la und Ib.
Der Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf 200 besteht in erster Linie aus einem Substrat 202, das mit einer vorgegebenen
Zahl von elektro-thermischen Wandlern 201 zur Flüssigkeitsstrahlaufzeichnung versehen ist, wobei Wärmeenergie
zum Ausstoß der Flüssigkeit verwendet wird, und mit einer Rillenplatte 203, die eine vorgegebene Zahl
von Rillen aufweist, die der Zahl der vorstehend erwähnten elektro-thermischen Wandler 201 entspricht.
Das Substrat 202 und die Rillenplatte 203 sind an vorgegebenen Stellen mit einem Kleber o.a. miteinander verbunden,
so daß ein Flüssigkeitsströmungskanal 204 gebildet wird, der durch den Abschnitt des Substrates 202,
in dem der elektro-thermische Wandler 201 vorgesehen ist, und die Rille der Rillenplatte 203 begrenzt wird.
Der Flüssigkeitsströmungskanal 204 weist einen Wärmeeinwirkungsabschnitt
205 auf.
Das Substrat 202 besteht aus einem Lagerbett 206 aus Silicium, Glas, Keramik o.a., einer unteren Schicht 207,
die das Lagerbett 206 überlagert und aus SiO2 o.a. besteht,
einer gerneinsamen Elektrode 208, einer Isolationsschicht 209, einer Widerstandsheizschicht 210, die nach dem Entfernen
eines Teiles der gemeinsamen Elektrode 208 und eines Teiles der Isolationsschicht 209, der dem Wärmeerzeugungsabschnitt
215 entspricht, hergestellt worden ist, selektiven Elektroden 211 und 212, die an beiden
Seiten des Wärmeerzeugungsabschnittes auf der oberen
Fläche der Uiderstandsheizschicht und entlang dem Flüssigkeitsströmungskanal
204 vorgesehen sind, einer ersten Schutzschicht 213, die den Teil der Widerstandsheizschicht
210, der nicht abgedeckt ist, und die selektiven Elektroden 211 und 212 abdeckt, und einer zweiten Schutzschicht
214, die auf der Oberfläche der ersten Schutzschicht mit Ausnahme des Teiles derselben, der dem Wärmeerzeugungsabschnitt
entspricht, vorgesehen ist. Ein Durchgangsloch ist in der Isolationsschicht in der Nähe des Qffnungs-
endabschnittes angeordnet, um die selektive Elektrode mit der gemeinsamen Elektrode zu verbinden.
Der elektrothermische Wandler 201 umfasst den Wärmeerzeugungsabschnitt
215 als Hauptabschnitt. Der Wärrneerzeugungsabschnitt 215 besteht aus dem Lagerbett 206, der
unteren Schicht 207, der Widerstandsheizschicht 210 und der ersten Schutzschicht 213, die nacheinander in dieser
Reihenfolge ausgebildet werden. Die Oberfläche der ersten Schutzschicht 213 (Wärmeeinwirkungsfläche 216) steht
in direktem Kontakt mit der den Flüssigkeitsströmungskanal 204 füllenden Flüssigkeit.
Die Oberfläche der selektiven Elektroden 211 und 212 ist mit der ersten Schutzschicht 213 bedeckt. Die zweite
Schutzschicht 214 ist auf der ersten Schicht mit Ausnahme des Teiles, der dem Wärmeerzeugungsabschnitt 215 entspricht,
vorgesehen.
Figur 2c zeigt einen Teilschnitt entlang der strichpunktierten Linie B-B' in Figur 2b. Figur 2d ist eine
Draufsicht auf das Substrat entlang der strichpunktierten Linie C-C1 in Figur 2b. Figur 2e zeigt eine Draufsicht
auf das Substrat nach der Entfernung der ersten" Schutzschicht 213 und der zweiten Schutzschicht 214.
35
Im Falle des in Figur 2 gezeigten Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopfes
200 ist die zweite Schutzschicht 214 auf der Oberfläche der selektiven Elektrode 211
vorgesehen. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf eine derartige Ausführungsform beschränkt. Die zweite
Schutzschicht 214 auf der selektiven Elektrode 211 kann auch weggelassen werden. Wenn die zweite Schutzschicht
214 nicht auf der selektiven Elektrode vorgesehen ist, ist die Stufe zwischen dem Bereich von der Wärmeeinwirkungsfläche
216 bis zur Öffnung und der Wärmeeinwirkungsfläche 216 im Flussigkeitsstromungskanal 204 des Flüssigkeitsausstoßabschnittes
so gering, daß die Bodenfläche des Flüssigkeitsströmungskanales glatter ist als die
der Einheit der Figur 2, bei der die zweite Schicht ebenfalls in dem Bereich von der Wärmeeinwirkungsfläche
216 bis zur Öffnung vorgesehen ist. Folglich findet eine glatte Flüssigkeitsströmung statt, und die Flüssigkeitströpfchen
werden in beständiger Weise ausgebildet. Wenn jedoch die Stufe zwischen der Fläche in dem Bereich
von der Wärmeeinwirkungsfläche 216 bis zur Öffnung und der Fläche der Wärmeeinwirkungsfläche 216 im Vergleich
zu der Entfernung zwischen der oberen Fläche des Flüssigkeitsströmungskanales und der Wärmeeinwirkungsfläche
216 vernachlässigbar gering ist, wirkt sich diese Stufe nicht besonders auf die Beständigkeit der Flüssigkeitströpfchenbildung
aus. Solange wie die Größe der Stufe innerhalb des vorstehend erwähnten Bereiches liegt,
kann daher die zweite Schutzschicht in dem Bereich von der Wärmeeinwirkungsfläche 216 bis zur Öffnung vorgesehen
sein oder auch nicht.
Als Materialien zur Ausbildung der ersten Schutzschicht 213 werden vorzugsweise anorganische Isolationsmaterialien
verwendet, die eine relativ gute thermische Leitfähigkeit und Hitzebeständigkeit aufweisen, beispielsweise
anorganische Oxide, wie SiO„ u.a., Übergangsmetalloxide,
wie Titanoxid, Vanadiumoxid, Nioboxid, Molybdänoxid, Tantaloxid, IJolframoxid, Chromoxid, Zirkonoxid,
Hafniumoxid , Lanthanoxid, Yttriumoxid, Manganoxid u.a., Metalloxide, wie Aluminiumoxid, Kalziumoxid, Strontiumoxid,
Bariumoxid, Siliciumoxid u.a., sowie Gemische davon (ein Gemisch ist eine Kombination von mindestens
zwei Arten von anorganischen Oxiden, Übergangsmetalloxiden und Metalloxiden), hochwiderstandfähige Nitride,
wie Siliciumnitrid, Aluminiumnitrid, Bornitrid, Tantalnitrid u.a. sowie Gemische dieser Oxide und Nitride,
und Dünnfilmaterialien, beispielsweise Halbleitermaterialien einschließlich morphem.Silicium, amorphem Selen,
u.a., die als Masse einen niedrigen Widerstand aufweisen, jedoch durch Sprühverfahren, CVD-Verfahren, Bedampfen,
Gasphasenreaktionsverfahren, Flüssigkeitsbeschichtungsverfahren u.a. einen hohen elektrischen Widerstand erhalten
können.
Die zweite Schutzschicht 214 besteht aus einem organisehen
Isolationsmaterial, das ausgezeichnete Eigenschaften in bezug auf das Verhindern des Eindringens von Flüssigkeit
und eine ausgezeichnete Flüssigkeitsbeständigkeit besitzt und desweiteren vorzugsweise die folgenden Eigenschaften
aufweist:
(1) gute Fünf orrnbarkeitseigenschaf ten,
(1) gute Fünf orrnbarkeitseigenschaf ten,
(2) eine dichte Struktur und keine feinen Löcher,
(3) kein Aufquellen und Lösen in der Tinte, (A) gute Isolationseigenschaften in Filmform,
(5) hohe Hitzebeständigkeit usw.
Als organischen Materialien können auch beispielsweise die folgenden Materialien verwendet werden: Silikonharz,
Fluorharz, aromatische Polyamide, Polyimide vorn Additionspolyrnerisationstyp,
Polybenzimidazol, Metallchelatpolyrner, Titansäureester,_ Epoxidharz,Phthalharz, hitzehärtendes
Phenolharz, p-Vinylphenolharz, Ziroxharz, Triazinharz,
BT-Harz (Additionspolymerisationsharz von Triazinharz und Bisrnaleimid) u.a. Alternativ dazu ist es auch möglich,
die zweite Schutzschicht 214 durch Bedampfen mit Polyx.ylolharz und Derivaten davon zu erzeugen.
Die zweite Schutzschicht 214 kann darüber hinaus durch Filmformverfahren gemäß einer Plasmapolymerisation unter
Verwendung von diversen organischen Monomeren hergestellt werden, beispielsweise von Thioharnstoff, Thioazetamid,
Vinylferrocen, 1,3,5-Trichlorbenzol, Chlorbenzol, Styrol,
Ferrocen, Pyrolin, Naphthalin, Pentamethylbenzol, Nitrotoluol, Acrylnitril, Diphenylselenid, p-Toluidin, p-Xylol,
N,N-Dimethyl-p-Toluidin, Toluol, Anilin, Diphenylquecksilber, Hexamethylbenzol, Malononitril, Tetracyanoäthylen,
Thiophen, Benzolselenol, Tetrafluoräthylen, Äthylen, N-Nitrosodiphenylamin, Acethylen, 1,2,4-Trichlorbenzol,
Propan u.a.
Wenn jedoch ein Aufzeichnungskopf mit einer Vielzahl von Öffnungen hoher Dichte, hergestellt wird, ist es abgesehen
von den vorstehend erwähneten organischen Materialien wünschenswert, organische Materialien als
Materialien zur Ausbildung der zweiten Schutzschicht 214 zu verwenden, die in sehr einfacher Weise feinphotolithonraphisch
bearbeitet werden können.
Als Beispiele dieser organischen Materialien können
vorzugsweise verwendet '..'erden: Polyinidoisoidolochinazolindion
(l-Jarennafiie PIQ, Produkt von der Firma Hitachi Kasei
Co., Japan), Polyinidharz (Warenname: PYRALIN, Produkt von der Firma Du Pont, USA), zyklisches Polybutadien
(Warenname JSR-CBR, CBR M 901 von der Firma Japan Synthetic Rubber Co., Japan), Photonith (Warenname von der
Firma Toray Co., Japan), andere lichtempfindliche Polyimide u.a.
Darüberhinaus kann eine dritte Schutzschicht auf der obersten Fläche vorgesehen werden. Diese dritte Schutzschicht
dient in erster Linie dazu, die Flüssigkeitsbeständigkeit zu erhöhen und die mechanische Festigkeit
zu verbessern. Sie wird als oberste Schicht nahezu auf der ganzen Fläche ausgebildet, nämlich dem Flüssigkeitsströmungskanal
204,der gemeinsamen Flüssigkeitskammer u.a., die sich möglicherweise mit der Flüssigkeit in
Kontakt befinden. Die dritte Schutzschicht besteht üblicherweise aus einem Material, das zäh ist, eine relativ
gute mechanische Festigkeit besitzt und eine gute Adhäsion und Kohäsion gegenüber der ersten Schicht 213 und der
zweiten Schicht 214 aufweist. Beispielsweise können metallische Materialien, wie Ta u.a., Anwendung finden, wenn
die Schicht 213 aus SiO2 besteht. Wenn man als Oberflächenschicht
des Substrates die aus einem anorganischen Material, das relativ zäh ist und eine gute mechanische Festigkeit
aufweist, beispielsweise einem Metall, bestehende dritte Schutzschicht vorsieht, können die aufgrund von
Kavitation durch das Ausstoßen von Flüssigkeit entstehenden Schockwirkungen in ausreichender Weise absorbiert werden,
was zu einer bedeutenden Erhöhung der Lebensdauer des elektrothermischen Wandlers 201 führt.
- 22 -
Als Materialien zur Ausbildung der dritten Schutzschicht können zusätzlich zu dem vorstehend erwähnten Ta folgende
Materialien Verwendung finden: Elemente der Gruppe IHa des Periodensystems, wie Sc, Y u.a., Elemente der Gruppe
IVa, wie Ti, Zr, Hf u.a., Elemente der Gruppe Va, wie V, Nb u.a., Elemente der Gruppe VIa, wie Cr, Mo, W u.a.,
Elemente der Gruppe VIII, wie Fe, Co, Ni u.a., Legierungen der vorstehend erwähnten Metalle, wie Ti-Ni, Ta-W, Ta-Mo-Ni,
Ni-Cr, Fe-Co, Te-W, Fe-Ti, Fe-Ni, Fe-Cr, Fe-Ni, Cr u.a.,
Boride der vorstehend erwähnten Metalle, wie Ti-B, Ta-B, Hf-B, W-B u.a., Karbide der vorstehend erwähnten Metalle,
wie Ti-C, Zr-C, V-C, Ta-C, Mo-C, Ni-C u.a., Suizide der vorstehend erwähnten Metalle, wie Mo-Si, W-Si, Ta-Si,
u.a., Nitride der vorstehend erwähnten Metalle, wie Ti-N, Nb-N, Ta-N u.a. Unter Verwendung dieser Materialien
kann die dritte Schutzschicht durch Bedampfen, Besprühen, ein CVD-Verfahren u.a. hergestellt werden. Die dritte
Schutzschicht kann aus den vorstehend genannten Materialien allein oder in Kombination aufgebaut sein. Sie kann ferner
durch Kombination der vorstehend erwähnten Materialien mit dem Material für die erste Schutzschicht erzeugt
werden.
Es ist eine untere Schicht 207 vorgesehen, die in erster Linie dazu dient, die Übertragung der am Wärmeerzeugungsabschnitt
215 erzeugten Wärmeenergie auf das Lagerbett 206 zu steuern. Das Material für diese Schicht und die
Schichtdicke sind dabei so ausgewählt, daß die am Wärmeerzeugungsabschnitt 215 erzeugte Wärmeenergie stärker
zur Seite des Wärmeeinwirkungsabschnittes 205 strömt als zu den anderen Abschnitten, wenn am Wärmeeinwirkungsabschnitt 205 Wärmeenergie auf die Flüssigkeit aufgebracht
wird, während die am Wärmeerzeugungsabschnitt 215 verbleibende
Wärmeenergie rasch zur Seite des Lagerbettes 206 abfließt, wenn der dem elektrothermischen Wandler 201
zugeführte elektrische Strom abgeschaltet wird.
Als Materialien für die untere Schicht 207 können zusätzich zu dem vorstehend erwähnten SiO^ anorganische Materialien
eingesetzt werden, wie beispielsweise Metalloxide, wie Zirkonoxid, Tantaloxid, Magnesiumoxid, Aluminiumoxid
u.a.
Als das die Widerstandsheizschicht 210 bildende Material können die meisten Materialien verwendet werden, die
in der Lage sind, bei Fließen eines elektrischen Stromes Wärme zu erzeugen.
Als Beispiele dieser Materialien können vorzugsweise verwendet werden: Tantalnitrid, Nichrom, Silber-Palladium-Legierungen,
Siliziumhalbleitermaterialien oder Metalle, wie Hafnium, Lanthan, Zirkon, Titan, Tantal, Wolfram,
Molybdän, Niob, Chrom, Vanadium u.a., Legierungen dieser Metalle, Boride dieser Metalle o.a.
Von den Materialien für die Widerstandsheizschicht 210 sind Metallboride besonders geeignet. Von diesen ist
Hafniumborid das beste Material. Danach folgen in dieser
Reihenfolge Zirkonborid, Lsnthanborid, Tantalbori'Ö,
Vanadiumborid und Niobborid.
Die Widerstandsheizschicht 210 kann unter Verwendung der vorstehend erwähnten Materialien durch ein Elektronenstrahlverfahren,
ein Sprühverfahren u.a. hergestellt w erden.
Als Materialien für die Elektroden 203, 211 und 212 können
die meisten herkömmlichen Elektrodenmaterialien in wirksamer Weise verwendet werden, beispielsweise Al, Ag,
Au, Pt, Cu u.a. Die Elektroden können durch Dedampfen
o.a. an einer vorgegebenen Stelle mit einer vorgegebenen Größe, Form und Dicke hergestellt werden.
Als Materialien für die Isolationsschicht 209 können
organische oder anorganische Isolationsmaterialien verwendet werden, die in einfacher Weise auf der Elektrode
208 mit einem vorgegebenen Muster frei von kleinen Löchern hergestellt werden können, um ein Kurzschließen der
Elektroden 203 und 211 oder 212 zu verhindern. Beispiele derartiger Materialien sind: Ein aus SiO^, Si^N. u.a.
bestehendes Material, Polyimidoisoindolochinazolindion (Warenname PIQ von der Firma Hitachi Kasei Co., Japan),
Polyimidharz (Warenname PYRALIN von der Firma Du Pont, USA), zyklisches Polybutadien (Warenname JSR-C3R, CBR-M
901 von der Firma Japan Synthetic Rubber Co., Japan), Photonith (Warenname der Firma Toray Co., Japan), andere
lichtempfindliche Polyimide u.a.
Als Materialien für die Rillenplatte 203 und die am aufstromseitigen
Abschnitt des Wärmeeinwirkungsabschnittes 205 vorgesehene gemeinsame Flüssigkeitskammer können
die meisten der Materialien verwendet werden, die die nachfolgenden Bedingungen erfüllen: (i) die Form darf
während der Herstellung des Aufzeichnungskopfes oder im Betrieb des Kopfes kaum oder überhaupt nicht thermisch
beeinträchtigt werden; (ii) das Material muß einer genauen Feinbearbeitung unterziehbar sein, und die Oberflächenaenauinkcit
muß in einfacher l.'eise erreichbar sein; und
(iii) die Flüssigkeitskanäle müssen so bearbeitet werden können, daß sich eine glatte Strömung der Flüssigkeit
in den Kanälen ergibt.
Materialien, die diese Forderungen erfüllen, sind vorzugsweise Keramik, Glas, Metalle, Kunststoffe, Siliziumplättchen
u.a. Glas und Siliziumplättchen werden besonders bevorzugt, da sie in einfacher Weise bearbeitet werden
können und eine geeignete Hitzebeständigkeit, einen geeigneten Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine geeignete
thermische Leitfähigkeit besitzen. Es ist wünschenswert, die Aussenfläche des Umfanges der Öffnung 217 wasserabstoßend
zu machen, wenn es sich bei der Flüssigkeit um eine wässrige Flüssigkeit handelt, und ölabstoßend, wenn
es sich bei der Flüssigkeit um keine wässrige Flüssigkeit handelt, um auf diese Weise zu verhindern, daß die Flüssigkeit
leckt und zum Aussenabschnitt der Öffnung 217 fließt.
Die Öffnung 217 kann geformt werden, indem man eine Platte aus einem lichtempfindlichen Harz an das Substrat 202
klebt, auf photolithographischem liege ein Muster formt und dann die Deckplatte anklebt.
Die Figuren 5 und 4 zeigen weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Diese Figuren entsprechen
der Figur 2b, wobei gleiche Bezugsziffern gleiche Teile bezeichnen.
Wie aus Figur 3 hervorgeht, ist die untere Schicht 207 auf dem Lagerbett 206 ausgebildet. Auf der unteren Schicht
207 werden von unten nach oben in dieser Reihenfolge die Widerstandsheizschicht 210, die selektiven Elektroden
211 und 212, die Isolationsschicht 209 und die gemeinsame
Elektrode 208 ausgebildet. Danach werden die Elektroden und die Isolationsschicht durch Musterbildung in dem
dem Wärmeerzeugungsabschnitt 215 entsprechenden Bereich entfernt. Die erste Schutzschicht 213 wird so ausgebildet,
daß sie die Elektroden, die Widerstandsheizschicht und die Isolationsschicht bedeckt. Danach wird die zweite
Schutzschicht 214 nur in dem Bereich vom Wärmeerzeugungsabschnitt 215 bis zur gemeinsamen Flüssigkeitskammer
entlang dem Flüssigkeitsströmungskanal 204 vorgesehen.
Wie aus Figur 4 hervorgeht, ist weder eine selektive Elektrode noch eine zweite Schutzschicht in dem Bereich
vom Wärmeerzeugungsabschnitt 215 zur Öffnung 217 ausgebildet. Somit ist die Stufe zwischen dem Bereich vom Wärmeerzeugungsabschnitt
215 zur Öffnung im Flüssigkeitsausstoßabschnitt und der Wärmeeinwirkungsfläche 216 klein.
Der erfindungsgemäß ausgebildete Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf
wird anhand des folgenden Beispiels weiter erläutert.
Ein Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf der in Figur 2 gezeigten Art wurde in der nachfolgenden Weise hergestellt:
Ein SiO2 - Film einer Dicke von 5prn wurde durch thermische
Oxydation eines Si-Plättchens hergestellt. Eine gemeinsame
Elektrode 208 wurde ausgebildet, indem eine Ti-Schicht
einer Dicke von 50 A und eine Al-Schicht einer Dicke
von 5000 A durch Elektronenstrahlabscheidung hergestellt wurden. Danach wurde das Muster der in Figur 2d
gemeinsamen Elektrode 208 auf photolithographische Weise
hergestellt, und der Umfang der Wärmeeinwirkungsfläche wurde abgeschnitten. Das abgeschnitte Teil besaß eine
Breite von 30μη und eine Länge von 150μΐϊΐ.
Eine aus Photonith (Warenname der Firma Toray Co.,Japan)
bestehende Isolationsschicht 209 einer Dicke von 1,5μΐϊΐ
wurde mit Ausnahme des Umfangs der Wärmeeinwirkungsfläche (Breite 25μπι und Länge 140|jm) und eines Kontaktlochs
der gemeinsamen Elektrode 208 und einer selektiven Elektrode (Breite 30μίη und Länge 20μπι) auf dem entstandenen Element
ausgebildet.
Als nächstes wurde eine Widerstandsheizschicht 210 aus
HfB0 in einer Dicke von 1.500 A durch Sprühen hergestellt,
wonach eine Ti-Schicht einer Dicke von 5OA und eine Αία
Schicht einer Dicke von 5000 A durch Elektronenstrahlabscheidung ausgebildet wurden. Die Muster der selektiven
Elektroden 211 und 212 wurden in der in Figur 2e gezeigten Weise auf photolithographischem Wege erzeugt. Die
Wärmeeinwirkungsfläche besaß eine Breite von 25pm und eine Länge von 150μπι. Der Widerstand einschließlich des
Widerstandes der Al-Elektrode betrug 150 Ohm.
Die aus SiO2 bestehende erste Schutzschicht 213 einer
Dicke von 2,0μη wurde über die gesamte Oberfläche des entstandenen Elementes mittels Hochgeschuindigkeitssprühen
durch ein Magnetron abgeschieden. Danach wurde die zweite Schutzschicht 214, die aus Photonith (Warenname
der Firma Toray Co., Japan) bestand und eine Dicke von l,5pm besaß, auf photolithographische Weise auf dem entstandenen
Element mit Ausnahme des Umfangs der Wärmeeinvjirkungsflache
hergestellt. Damit v.'cr der Herstell-
Eine mit Rillen versehene Glasplatte wurde an einer vorgegebenen Stelle des Substrates befestigt. Mit anderen
Worten, die in Figur 2b gezeigte mit Rillen versehene Glasplatte wurde mit dem Substrat verklebt, um einen
Tinteneinführungsströmungskanal und den Uärmeeinwirkungsabsc'nnitt
herzustellen (Größe der Rille: Breite 50μπι, Tiefe 50μιη und Länge 2 mm).
In der vorstehend beschriebenen Weise wurde ein Aufzeichnungskopf mit einer Vielzahl von Düsen einer hohen Dichte
von 25 Pel hergestellt.
Dieser Aufzeichnungskopf besaß eine höhere Dichte als
die Aufzeichnungsköpfe des Standes der Technik. Darüberhinaus besaß der Aufzeichnungskopf eine ausgezeichnete
Haltbarkeit sowohl bei häufigem wiederholten Gebrauch als auch bei kontinuierlichem Gebrauch über eine lange
Zeitdauer. Die anfänglich ausgezeichneten Flüssigkeitstrüpfchenbildungseigenschaften
konnten in beständiger Weise über einen langen Zeitraum aufrechterhalten werden.
Erfindungsgemüß wird somit ein Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf
vorgeschlagen, der die folgenden Bestandteile umfasst: Eine Öffnung zur Ausbildung von "fliegenden"
Flüssigkeitstrüpfchen durch Ausstoßen einer Flüssigkeit, einen Wärneeinwirkungsabschnitt, der mit der öffnung
in Verbindung steht und in dem thermische Energie zur Ausbildung von Flüssigkeitströpchen auf die Flüssigkeit
aufgebracht wird, mindestens ein Paar von Elektroden, die elektrisch an eine Wicerstandsheizschicht angeschlossen
sind, welche ein" einer: Lagsrbett vorgesehen
ist, und einen elektrotherr.ischen Wandler, der zwischen
dem einen Paar von Elektroden angeordnet ist und einen hlärneerzeugungsabschnitt bildet, wobei mindestens ein
Teil des einen Paares von Elektroden, die gegenüberliegend angeordnet sind, eine Isolationsschicht einschließt,
Der Aufzeichnungskopf ist dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Elektrode des einen Paares von Elektroden
und die Isolationsschicht nicht unter den Uä'rneerzeugungsschnitt
angeordnet sind.
Claims (1)
- Tedtke - BoHUMo - Kinne ^-ääipg: '] ---'JSSSSbKA lh.r% /■* O Dipl.-lng. H. Tiedtke fHfcLLMANN - IJIRAMS - OTRUIF Dipl.-Chem. G. BühlingDipl.-lng. R. Kinne Dipl.-lng. R Grupe Dipl.-lng. B. Pellmannο / / OCRQ Dipl.-lng. K. GramsO H H ο O O O Dipl.-Chem. Dr. B. StruifBavariaring 4, Postfach 20 2A 8000 München 2Tel.: 089-539653 Telex: 5-24845 tipat Telecopier: 0 89-537377 cable: Germaniapatent Mund29. November 1984 DE 4450Patentansprüche1. Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf mit einer Öffnung zur Ausbildung von "fliegenden" Flüssigkeitströpfchen durch Ausstoßen von Flüssigkeit, einem Wärmeeinwirkungsabschnitt, der mit der Öffnung in Verbindung steht und in dem thermische Energie zur Ausbildung der Flüssigkeitströpfchen auf die Flüssigkeit aufgebracht wird, mindestens einem Paar von Elektroden, die an eine auf einem Lagerbett vorgesehene Widerstandsheizschicht elektrisch angeschlossen sind, und einem elektro-thermischen Wandler, der zwischen dem einem Paar von Elektroden angeordnet ist und einen Wärmeerzeugungsabschnitt bildet, wobei mindestens ein Teil des einen Paares von Elektroden, die gegenüberliegend angeordnet sind, eine Isolationsschicht einschließt, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Elektrode des einen Paares von Elektroden (208, 211, 212) und die Isolationsschicht (209) nicht unter dem Wärmeerzeugungsabschnitt (215) angeordnet sind.Dresdner Bank (München) Kto. 3939844 Deutsche Bank (München) KIc 2861060 Posischeckamt (München) Kto. 670-43-8042. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeeinwirkungsabschnitt (205) einen Teil eines Flüssigkeitsströmungskanales (204) bildet.3. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er eine gemeinsame Kammer zum Speichern der dem Flüssigkeitsströmungskanal (204) zuzuführenden Flüssigkeit aufweist.4. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er mehrere elektrothermische Wandler (201) aufweist.5. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei einer der Elektroden um eine gemeinsame Elektrode (208) handelt.6. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Lagerbett (206) und dem elektrothermischen Wandler (201) eine untere Schicht (207) vorgesehen ist.7. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Schicht (207) ein anorganisches Material umfasst.8. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das anorganische Material aus SiO2, Zirkonoxid, Tantaloxid, Magnesiumoxid und Aluminiumoxid ausgewählt ist.9. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsheizschicht (210) ein Material umfasst, das aus Tantalnitrid, Nichrom, Silber-Palladium-Legierungen, Silizium-Halbleitermaterial oder aus Hafnium, Lanthan, Zirkon, Titan, Tantal, Wolfram, Molybdän, Niob, Chrom, Vanadium sowie deren Legierungen und Boriden ausgewählt ist.10. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht (209) ein Material umfasst, das aus organischen und anorganischen Isolationsmaterialien ausgewählt ist.11. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Isolationsmaterial aus PoIyimidharz und zyklischem Polybutadien ausgewählt ist.12. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das anorganische Isolationsmaterial aus SiO2 und Si3N4 ausgewählt ist.13. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an der Flüssigkeitsströmungskanalseite der gemeinsamen Elektrode (208), der selektiven Elektrode (211, 212) und der Widerstandsheizschicht (210) eine Schutzschicht (213, 214) vorgesehen ist.14. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht eine erste Schutzschicht(213) und eine zweite Schutzschicht (214) umfasst, welche an einer Stelle mit Ausnahme des Wärmeerzeugungsabschnittes (215) vorgesehen ist.15. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Material für die erste Schutzschicht (213) aus anorganischen Oxiden, Metalloxiden, Mischungen davon, Nitriden und Mischungen dieser Oxide und Nitride ausgewählt ist.16. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem Metalloxid um ein Übergangsmetalloxid handelt.17. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Metalloxid aus den folgenden Materialien ausgewählt ist: Titanoxid, Vanadiumoxid, Nioboxid, Molybdänoxid, Tantaloxid, Wolframoxid, Chromoxid, Zirkonoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid, Yttriumoxid, Manganoxid, Aluminiumoxid, Kalziumoxid, Strontiumoxid, Bariumoxid und Siliziumoxid.18. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Nitrid aus Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Bornitrid und Tantalnitrid ausgewählt ist. .19. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schutzschicht (214) ein organisches Isolationsmaterial umfasst.20. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Isolationsmaterial aus den folgenden Materialien ausgewählt ist: Silikonharz, Fluorharz, aromatisches Polyamid, Polyimid vom Additionspolymerisationstyp, Polybenzimidazol, Metallchelatpolymer, Titansäureester, Epoxidharz, Phthalharz, hitzehärtendes Phenolharz, p-Vinylphenolharz, Ziroxharz, Triazinharz und BT-Harz (Additionspolymerisationsharz von Triazinharz und Bismaleimid).21. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Isolationsmaterial ein Polymer einer monomeren organischen Verbindung ist.22. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Monomer der organischen Verbindung aus den folgenden Materialien ausgewählt ist: Thioharnstoff, Thioacetamid, Vinylferrocen, 1,3,5-Trichlorbenzol, Chlorbenzol, Styrol, Ferrocen, Pyrolin, Naphthalin, Pentamethylbenzol, Nitrotoluol, Acrylnitril, Diphenylselenid, p-Toluidin, p-Xylol, Ν,Ν-Dirnethyl-p-Toluidin, Toluol, Anilin, Diphenylquecksilber, Hexamethylbenzol, Malononitril, Tetracyanoäthylen, Thiophen, Benzolselenol, Tetrafluoräthylen, Äthylen, N-Nitrosodiphenylamin, Acetylen, 1,2,4-Trichlorbenzol und Propan.23· Aufzeichnungskopf nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß eine dritte Schutzschicht auf dem größten Teil der Oberflächenschicht vorgesehen ist. 2024. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schutzschicht ein Material umfasst, das aus Elementen der Gruppe IHa des Periodensystems, Elementen der Gruppe IVa, Elemente der Gruppe Va, Elementen der Gruppe VIa, Elementen der Gruppe VIII, deren Legierungen, Boriden, Karbiden, Suiziden und Nitriden ausgewählt ist.25. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schutzschicht mit einem Material kombiniert werden kann, das für die erste Schutzschicht (213) verwendet wird.-G-26. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe IHa des Periodensystems aus Sc und Y ausgewählt ist.27. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe IVa des Periodensystems aus Ti, Zr und Hf ausgewählt ist.28. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennj_g zeichnet, daß das Element der Gruppe Va des Periodensystems aus V und Nb ausgewählt ist.29. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe VIa des Perioden-j_5 systems aus Cr, Mo und W ausgewählt ist.30. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe VIII des Periodensystems aus Fe, Co und Ni ausgewählt ist.31. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung aus den folgenden Materialien ausgewählt ist: Ti-Ni, Ta-W, Ta-Mo-Ni, Ni-Cr, Fe-Co, Ti-W, Fe-Ti, Fe-Ni, Fe-Cr und Fe-Ni-Cr.32. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Borid aus Ti-B, Ta-B, Hf-B und W-B ausgewählt' ist.3Q 33. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Karbid aus Ti-C, Zr-C, V-C, Ta-C, Mo-C und Ni-C ausgewählt ist.34. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Silizid aus Mo-Si, W-Si und Ta-Si
ausgewählt ist.35. Aufzeichnungskopf nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Nitrid aus Ti-N, Nb-N und Ta-N ausgewählt ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224264A JPS60116451A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 液体噴射記録ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3443563A1 true DE3443563A1 (de) | 1985-06-05 |
| DE3443563C2 DE3443563C2 (de) | 1994-10-20 |
Family
ID=16811048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3443563A Expired - Lifetime DE3443563C2 (de) | 1983-11-30 | 1984-11-29 | Schichtträger für einen Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4686544A (de) |
| JP (1) | JPS60116451A (de) |
| DE (1) | DE3443563C2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0277756A1 (de) * | 1987-02-04 | 1988-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Grundplatte für einen Tintenstrahlaufzeichnungskopf |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157873A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-19 | Canon Inc | 液体噴射記録装置の駆動回路 |
| JPH0729431B2 (ja) * | 1986-03-04 | 1995-04-05 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘツドの作成方法 |
| JPH0729433B2 (ja) * | 1986-03-05 | 1995-04-05 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘツドの作成方法 |
| US4751531A (en) * | 1986-03-27 | 1988-06-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Thermal-electrostatic ink jet recording apparatus |
| JP2815146B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1998-10-27 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド用基体及びインクジェット記録ヘッド並びに該記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 |
| JP2612580B2 (ja) * | 1987-12-01 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッド及び該ヘッド用基板 |
| US4990939A (en) * | 1988-09-01 | 1991-02-05 | Ricoh Company, Ltd. | Bubble jet printer head with improved operational speed |
| JP2840271B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-12-24 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド |
| US4935752A (en) * | 1989-03-30 | 1990-06-19 | Xerox Corporation | Thermal ink jet device with improved heating elements |
| US4947193A (en) * | 1989-05-01 | 1990-08-07 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead with improved heating elements |
| US4956653A (en) * | 1989-05-12 | 1990-09-11 | Eastman Kodak Company | Bubble jet print head having improved multi-layer protective structure for heater elements |
| AU627931B2 (en) * | 1989-09-18 | 1992-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and ink jet recording apparatus having same |
| US5075690A (en) * | 1989-12-18 | 1991-12-24 | Xerox Corporation | Temperature sensor for an ink jet printhead |
| US4980702A (en) * | 1989-12-28 | 1990-12-25 | Xerox Corporation | Temperature control for an ink jet printhead |
| ATE138854T1 (de) * | 1990-02-26 | 1996-06-15 | Canon Kk | Substrat für farbstrahlkopf |
| JP2833875B2 (ja) * | 1991-04-16 | 1998-12-09 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法、及びその製造機 |
| JP3071869B2 (ja) * | 1991-05-13 | 2000-07-31 | 株式会社リコー | 液体噴射記録装置及び記録方法 |
| US5699093A (en) * | 1992-10-07 | 1997-12-16 | Hslc Technology Associates Inc | Ink jet print head |
| DE69427182T2 (de) * | 1993-12-28 | 2001-08-23 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Tintenstrahlaufzeichnungskopf, damit versehene Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung und Herstellungsverfahren für den Tintenstrahlaufzeichnungskopf. |
| JPH0929969A (ja) | 1995-07-18 | 1997-02-04 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
| US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
| US6532027B2 (en) * | 1997-12-18 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, substrate for this head, manufacturing method of this substrate and ink jet recording apparatus |
| US6820959B1 (en) * | 1998-06-03 | 2004-11-23 | Lexmark International, In.C | Ink jet cartridge structure |
| US6331049B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-12-18 | Hewlett-Packard Company | Printhead having varied thickness passivation layer and method of making same |
| JP2001077108A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Nec Corp | 半導体装置及び複合酸化物薄膜の製造方法 |
| JP4564674B2 (ja) | 2000-01-27 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 画像出力制御装置および画像出力制御装置の制御方法および記憶媒体 |
| JP3710364B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2005-10-26 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド |
| US6981760B2 (en) * | 2001-09-27 | 2006-01-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ink jet head and ink jet printer |
| KR100571769B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2006-04-18 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트 헤드의 보호층 및 이를 구비하는 잉크젯프린트 헤드의 제조방법 |
| US7673970B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-03-09 | Lexmark International, Inc. | Flexible circuit corrosion protection |
| JP4208794B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| JP4208793B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| JP4137027B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| JP4182035B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2008-11-19 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| US7413289B2 (en) * | 2005-12-23 | 2008-08-19 | Lexmark International, Inc. | Low energy, long life micro-fluid ejection device |
| JP4847360B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド基体、その基体を用いた液体吐出ヘッドおよびそれらの製造方法 |
| JP4949888B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-06-13 | 三菱重工業株式会社 | 摩擦式差動遊星動力伝達装置 |
| JP7023650B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2022-02-22 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2843064A1 (de) * | 1977-10-03 | 1979-04-12 | Canon Kk | Verfahren und vorrichtung zur fluessigkeitsstrahl-aufzeichnung |
| DE3008487A1 (de) * | 1979-03-06 | 1980-09-18 | Canon Kk | Tintenstrahlaufzeichnungsgeraet |
| DE3011919A1 (de) * | 1979-03-27 | 1980-10-09 | Canon Kk | Verfahren zur herstellung eines aufzeichnungskopfes |
| US4335389A (en) * | 1979-03-27 | 1982-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid droplet ejecting recording head |
| DE3231431A1 (de) * | 1981-08-24 | 1983-03-03 | Canon K.K., Tokyo | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224264A patent/JPS60116451A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-26 US US06/674,659 patent/US4686544A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-29 DE DE3443563A patent/DE3443563C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2843064A1 (de) * | 1977-10-03 | 1979-04-12 | Canon Kk | Verfahren und vorrichtung zur fluessigkeitsstrahl-aufzeichnung |
| DE3008487A1 (de) * | 1979-03-06 | 1980-09-18 | Canon Kk | Tintenstrahlaufzeichnungsgeraet |
| DE3011919A1 (de) * | 1979-03-27 | 1980-10-09 | Canon Kk | Verfahren zur herstellung eines aufzeichnungskopfes |
| US4335389A (en) * | 1979-03-27 | 1982-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid droplet ejecting recording head |
| DE3231431A1 (de) * | 1981-08-24 | 1983-03-03 | Canon K.K., Tokyo | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0277756A1 (de) * | 1987-02-04 | 1988-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Grundplatte für einen Tintenstrahlaufzeichnungskopf |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3443563C2 (de) | 1994-10-20 |
| JPS60116451A (ja) | 1985-06-22 |
| US4686544A (en) | 1987-08-11 |
| JPH0466700B2 (de) | 1992-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3443563A1 (de) | Fluessigkeitsstrahlaufzeichnungskopf | |
| DE3231431C2 (de) | ||
| DE3443560A1 (de) | Fluessigkeitsstrahl-schreibkopf | |
| DE3503283A1 (de) | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungskopf | |
| DE3414937A1 (de) | Fluessigkeitsstrahlaufzeichnungskopf | |
| DE3416059C2 (de) | ||
| DE3344881C2 (de) | Flüssigkeitsstrahl-Aufzeichnungskopf | |
| DE69122726T2 (de) | Tintenstrahlaufzeichnung | |
| DE3874786T2 (de) | Grundplatte fuer tintenstrahlaufzeichnungskopf. | |
| DE69109447T2 (de) | Thermischer Dünnschichttintenstrahldruckkopf mit einer plastischen Düsenplatte und Herstellungsverfahren. | |
| DE3885420T2 (de) | Dünnschichtanordnung für Tintenspritzdruckkopf und Verfahren zu deren Herstellung. | |
| DE2843064C2 (de) | ||
| DE3889087T2 (de) | Integrierter Tintenspritzdruckkopf und Verfahren zu dessen Herstellung. | |
| DE69210673T2 (de) | Düsenplatte für thermische Tintenstrahldruckerköpfe sowie Herstellungsverfahren | |
| DE69110441T2 (de) | Thermischer Farbstrahldruckkopf mit Antriebschaltung und Verfahren zur Herstellung derselben. | |
| DE69923033T2 (de) | Tintenstrahlkopf, Tintenstrahlkopfträgerschicht, und Verfahren zur Herstellung des Kopfes | |
| DE68917790T2 (de) | Aufzeichnungskopf mit Flüssigkeitsemission, Substrat hierfür sowie Aufzeichnungsgerät mit Flüssigkeitsemission unter Verwendung dieses Kopfes. | |
| DE3787922T2 (de) | Tintenstrahldrucker. | |
| DE3525913C2 (de) | ||
| DE3875745T2 (de) | Grundplatte fuer einen tintenstrahlaufzeichnungskopf. | |
| DE69103449T2 (de) | Wärmetintenstrahldruckkopf mit verbesserter Anordnung der Heizelemente. | |
| DE69620656T2 (de) | Flüssigkeitsausstosskopf, Vorrichtung zum Ausstossen von Flüssigkeit und Verfahren zum Ausstossen von Flüssigkeit | |
| DE69515572T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Substrates eines Tintenstrahldruckkopfes, Tintenstrahldruckkopf und Tintenstrahlaufzeichnungsapparat | |
| DE69525669T2 (de) | Substrat für Tintenstrahlkopf, Tintenstrahlkopf, Tintenstrahlschreiber und Tintenstrahlgerät | |
| DE3446968C2 (de) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |