DE3390321C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3390321C2 DE3390321C2 DE3390321T DE3390321T DE3390321C2 DE 3390321 C2 DE3390321 C2 DE 3390321C2 DE 3390321 T DE3390321 T DE 3390321T DE 3390321 T DE3390321 T DE 3390321T DE 3390321 C2 DE3390321 C2 DE 3390321C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- magnetic head
- ferromagnetic thin
- ferromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 114
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 85
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 59
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001308 Zinc ferrite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WGEATSXPYVGFCC-UHFFFAOYSA-N zinc ferrite Chemical group O=[Zn].O=[Fe]O[Fe]=O WGEATSXPYVGFCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 18
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 10
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Dünnfilm-Magnetkopf; mit
einem ferromagnetischen dünnen Film aus magnetoresi
stivem Material, der zwischen Elementen aus hochper
meablem Material angeordnet ist; mit einer Einrich
tung, die elektrischen Strom durch den ferromagneti
schen dünnen Film fließen läßt; und mit Mitteln zum
Erzeugen einer Vorspannung in dem ferromagnetischen
dünnen Film.
Bei solchen Dünnfilm-Magnetköpfen wird der magneto
resistive Effekt eines ferromagnetischen dünnen Films
angewandt. Solche Köpfe sind geeignet als Wiedergabe
köpfe von PCM-Signalen, da das Ausgangssignal bei der
Wiedergabe nicht von der Bandgeschwindkeit abhängt
und das Ausgangssignal verhältnismäßig groß ist. Da
die Beziehung zwischen dem gelesenen Magnetfeld und
dem Widerstand des ferromagnetischen dünnen Films
nicht linear ist, müssen bei solchen Dünnfilm-Magnet
köpfen Vorkehrungen zur magnetischen Vorspannung des
Arbeitspunktes getroffen werden, um die Linearität zu
verbessern.
Es ist bekannt, diese magnetische Vorspannung entwe
der durch ein äußeres Magnetfeld zu erzeugen oder
durch einen elektrischen Leiter in der Nähe des
ferromagnetischen dünnen Films, durch den ein Vor
spannstrom geschickt wird (SHELLEDY, BROCK, A Linear
Self-Biased Magnetoresistive Head, In: IEEE Trans
actions on Magnetics, Sept. 1975, Vol. Mag-11, No. 5,
S. 1206-1208). Die erste bekannte Lösung hat den
Nachteil, daß im Falle von Streufeldern die Gefahr
besteht, daß Informationen auf dem zu lesenden Auf
zeichnungsträger versehenlich gelöscht werden, wäh
rend die zweite Lösung zu zusätzlichen elektrischen
Verlustleistungen und damit zu Wärme führt, was
wiederum erhöhtes thermisches Rauschen zur Folge hat.
Außerdem erfordert die zweite Lösung einen größeren
Platzbedarf, oder die Filmschichten müssen weiter
verkleinert werden. Dies führt wiederum zu größeren
Verlustleistungen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, bei einem Dünnfilm-Magnetkopf der eingangs
genannten Art die zwecks geringer Verzerrung notwen
dige Vorspannung in dem ferromagnetischen dünnen Film
auf eine Weise zu erzeugen, die weder zu einem unbe
absichtigten Löschen der aufgezeichneten Informatio
nen, noch zu einem höheren Platzbedarf und zu höherer
Verlustleistung führt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß zwischen dem ferromagnetischen dünnen Film und
den Elementen aus hochpermeablem Material nichtma
gnetische isolierende Filme angeordnet sind, die den
dünnen Film und die Elemente aus hochpermeablem Mate
rial (ohne Zwischenlage von Hilfsschichten zur magne
tischen Vorspannungserzeugung) unmittelbar verbinden;
daß der ferromagnetische dünne Film auf mindestens
einer Oberfläche eine Gitterstruktur besitzt; und daß
die Richtung der Gitterstruktur mit dem durch den
ferromagnetischen dünnen Film fließenden elektrischen
Strom einen Winkel von 60° bis 80° bildet.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den
Unteransprüchen zu entnehmen.
Im folgenden wird anhand der Figuren die Erfindung im
einzelnen erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung des Funktionsprinzips eines
Dünnfilm-Magnetkopfes,
Fig. 2 die magnetische Flußverteilung innerhalb
eines ferromagnetischen dünnen Films,
Fig. 3 einen Schnitt durch einen Magnetkopf
gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
Fig. 4 eine schematische Darstellung des ferromagnetischen
dünnen Films des Magnetkopfes gemäß der
ersten Ausführungsform,
Fig. 5 die Beziehung zwischen der Tiefe und dem
Strichabstand des Gitters und der Größe
eines anisotropen Magnetfeldes,
Fig. 6 die sekundäre Verzerrung abhängig von der
äußeren Vorspannung des Magnetkopfes
gemäß der ersten Ausführungsform,
Fig. 7 die Arbeitsweise des Magnetkopfes gemäß
der ersten Ausführungsform,
Fig. 8 die Beziehung zwischen dem Strichabstand
des Gitters, der Dicke des ferromagne
tischen dünnen Films und der Größe des an
isotropen Magnetfeldes,
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht eines Magnet
kopfes gemäß einer zweiten Ausführungs
form,
Fig. 10 eine perspektivische Ansicht eines Magnet
kopfes gemäß einer dritten Ausführungs
form,
Fig. 11 einen Schnitt durch einen Magnetkopf
gemäß einer vierten Ausführungsform,
Fig. 12 eine Konfiguration des Gitters auf dem
ferromagnetischen dünnen Film des Magnet
kopfes gemäß der vierten Ausführungsform,
und
Fig. 13 die Arbeitsweise des Magnetkopfes gemäß
der vierten Ausführungsform.
In einem beidseitig abgeschirmten Magnetkopf, der kurze
Wellenlängen wiedergeben kann, ist auf mindestens einer
Oberfläche eines ferromagnetischen dünnen Films ein
Gitter, Strichmuster oder Raster ausgebildet, das dem
ferromagnetischen dünnen Film eine magnetische Aniso
tropie verleiht. Werden die zwischen der Ausrichtung
des Gitters und dem durch den ferromagnetischen dünnen
Film fließenden elektrischen Strom gebildeten Winkel
größer als 60° und kleiner als 80° gewählt, so ist es
möglich, ein Ausgangssignal mit einer geringeren
Sekundärverzerrung zu erhalten, ohne den Einsatz
äußerer Vorspannung.
Die Widerstandsveränderung des ferromagnetischen dünnen
Films aufgrund eines äußeren Magnetfeldes besitzt die
größte Linearität, wenn der zwischen der Magnetisie
rungsrichtung und der Richtung des elektrischen Stroms
gebildete Winkel um 45° beträgt, sofern der ferromagne
tische dünne Film eine einachsige Anisotropie besitzt.
Daher scheint es am günstigsten, wenn die magnetische
Anisotropie des ferromagnetischen dünnen Films einen
Winkel von 45° zur Richtung des elektrischen Stromes
aufweist. Wie allerdings Fig. 1 zeigt, ist die Magneti
sierungsrichtung M in dem ferromagnetischen dünnen Film
1 an den gegenüberliegenden seitlichen Abschnitten, d. h.
an den gegenüberliegenden parallel zum elektrischen
Strom i verlaufenden Kanten, weniger steil als im
mittleren Abschnitt des ferromagnetischen dünnen Films.
Grund ist der Einfluß eines Demagnetisierungsfeldes.
Außerdem zeigt Fig. 1 Elektroden 2. Werden Abschirm
filme o. dgl. auf den gegenüberliegenden Seiten des
ferromagnetischen dünnen Films angeordnet (vgl. Fig.
2), so dringt mehr äußerer Signal-Magnetfluß Φ durch
die dem magnetischen Aufzeichnungsmedium benachbarte
Seite des ferromagnetischen dünnen Films 1, d. h. durch
das vordere Ende des Magnetkopfes, und mit zunehmendem
Abstand nimmt der Magnetfluß durch den ferromagne
tischen dünnen Film 1 ab. Eine Berechnung des Übertra
gungsweges (durchgezogene Linie in Fig. 2) unter der An
nahme, daß der ferromagnetische dünne Film 1 eine Perme
abilität von 500, eine Breite von 15 µm und eine Dicke
von 50 nm (500 Å) besitzt, zeigt bei einer Entfernung
g 1 = g 2 = 500 nm (0,5 µm) von der Abschirmung, das 70%
des Wiedergabeausgangssignals in dem Bereich bei 3 µm
vom vorderen Ende bestimmt werden. Demgegenüber zeigt
die gestrichelte Linie Φ/Φ o . Aus diesen Daten ergibt
sich, daß das vordere Ende des Magnetkopfes den
wesentlichen Beitrag zum Ausgangssignal liefert. Um die
sekundäre Verzerrung im Ausgangssignal des Magnetkopfes
herabzusetzen, muß die Magnetisierung M im Bereich des
vorderen Endes des Magnetkopfes optimal ausgerichtet
sein. Mit anderen Worten, falls die Anisotropie durch
ein auf der Oberfläche des ferromagnetischen dünnen
Films ausgebildetes Gitter verliehen werden soll, so
werden bei Berücksichtigung des Einflusses des Demagneti
sierungsfeldes am vorderen Ende des ferromagnetischen
dünnen Films günstige Ergebnisse erzielt, wenn die
zwischen der Ausrichtung des Gitters und der Flußrich
tung des elektrischen Stromes gebildeten Winkel größer
als 60° und kleiner als 80° sind. Dies hängt teilweise
von der Anordnung der Magnetköpfe ab.
Fig. 3 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines
Magnetkopfes gemäß einer ersten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung. Auf einem Substrat 3 aus hochperme
ablem (weichmagnetischem) Material wie beispielsweise
Ferrit o. dgl. ist ein ferromagnetischer dünner Film 5
aus Ni-Fe o. dgl. mit einer Dicke von 50 nm (500 Å)
angeordnet, über einem nichtmagnetischen isolieren
den Film 4 aus SiO2 o. dgl. mit einer Dicke von 500 nm
(0,5 µm). Elektroden 6 aus nichtmagnetischem elektrisch
leitfähigem Material wie beispielsweise Gold, Kupfer,
Aluminium o. dgl. stehen in Kontakt mit den Endab
schnitten des ferromagnetischen dünnen Films 5. Ein
magnetischer Abschirmfilm 7 von 500 nm (0,5 µm) Dicke
aus Ni-Fe, Fe-Al-Si o. dgl. ist über einer weiteren
nichtmagnetischen isolierenden Schicht 4 von 500 nm
(0,5 µm) Dicke angeordnet. Die dünnen, bisher be
schriebenen Filme werden mittels Aufdampfen, Sputtern,
Beschichten, Galvanisieren o. dgl. gebildet und mittels
Photolithographie in die gewünschte Form gebracht.
Auf der Oberfläche des Substrates 3 wird ein Raster
oder Gitter von beispielsweise 300 nm (0,3 µm) Strichab
stand von 20 nm (200 Å) Tiefe in einem Winkel von 70°
zur Richtung des elektrischen Stromes i ausgebildet
(vgl. Fig. 4). Das Substrat wird einem Ionenbeschuß
(ion-milling) mit einer als Gitter ausgebildeten
Schablone aus Photoresistmaterial unter Verwendung des
Interferenzeffektes eines Lasterstrahls ausgesetzt. Das
anisotrope Magnetfeld, das dem ferromagnetischen dünnen
Film 5 aufgeprägt wird, unterscheidet sich je nach
Strichabstand P und Tiefe D des Gitters. Ein
Ni-Fe-Film von 50 nm (500 Å) Dicke beispielsweise ist
in Fig. 5 dargestellt, dabei ist Hk = 36 Oe im Beispiel
aus Fig. 4. Beobachtet man die Veränderungen der sekun
dären Verzerrung des vorbeschrieben präparierten Magnet
kopfes abhängig von der Größe des äußeren Vorspannungs-
Magnetfeldes, so wird die Verzerrung zu einem Minimum,
wenn das äußere Vorspannungs-Magnetfeld im Magnetkopf
zu null wird (vgl. Fig. 6). Bei einem Magnetkopf da
gegen, bei dem der zwischen der Ausrichtung des Gitters
und der Flußrichtung des elektrischen Stromes gebildete
Winkel 50° beträgt, wird die Verzerrung zu einem Mini
mum, wenn eine äußere Vorspannung angewendet wird.
Daher ist ein größerer Wert als 50° für den zwischen
der Richtung der durch das Gitter eingeführten Aniso
tropie und der Flußrichtung des elektrischen Stromes
gebildeten Winkel erforderlich. Der Ausrichtungswinkel
des Gitters mit dem optimalen Vorspannungspunkt ist in
dieser Ausführungsform 70°. Dies ist allerdings nur ein
Beispiel und der Winkel kann abhängig von der Dicke,
Breite, Spaltbreite etc. des ferromagnetischen dünnen
Films verschieden sein. Aufgrund dieser Erkenntnisse
und unter weiterer Berücksichtigung von Streuungen bei
der Herstellung etc. ergaben sich Winkel, die größer
waren als 60° und kleiner als 80°, um einen Zustand
nahe dem optimalen Vorspannungspunkt zu erreichen.
Falls die Tiefe des Gitters die Dicke des ferromagne
tischen dünnen Films übersteigt, kann der ferromagne
tische dünne Film in rippenförmige Abschnitte zer
schnitten werden. Daher sollte die Tiefe des Gitters,
das die benötigte Stärke des anisotropen Magnetfeldes
bilden soll, nicht die Dicke des Films übersteigen und
der Strichabstand des Gitters geeignet ausgewählt
werden.
Wird an dem so vorbereiteten Magnetkopf von außen ein
starkes Magnetfeld angelegt, richtet sich die Magneti
sierung in dem ferromagnetischen dünnen Film in eine
Richtung aus. Die Veränderung Δ R des Widerstandes des
selben bezüglich eines äußeren Signal-Magnetfeldes Hsig
verhält sich in Richtung senkrecht zur Richtung des
elektrischen Stromes wie in Fig. 7 dargestellt. Fig. 7B
betrifft einen Fall, in dem das äußere Signal-Magnet
feld stärker ist als in Fig. 7A. In diesem Fall wird
die Richtung der Magnetisierung in dem ferromagne
tischen dünnen Film zufällig, mit einer dementsprechen
den Abnahme des Ausgangssignals. Wird die magnetische
Anisotropie durch sorgfältige Auswahl des Strichab
standes und der Tiefe des Gitters bewirkt, so daß ein
solcher Zustand durch das Signal-Magnetfeld von dem
magnetischen Aufzeichnungsmedium nicht herbeigeführt
werden kann, so arbeitet der Magnetkopf zufrieden
stellend stabil.
Die Permeabilität der Abschirmfilme sollte so groß wie
möglich sein. Es besteht allerdings eine Beziehung
zwischen dem anisotropen Magnetfeld und der Filmdicke
(vgl. Fig. 8). Die Anisotropie neigt dazu, aufgrund des
Einflusses des Gitters im unteren Bereich groß zu
werden. Bei gleicher Filmdicke wie in den bekannten
Magnetköpfen ist die Permeabilität kleiner. Vorteil
hafte charakteristische Eigenschaften können daher er
halten werden, falls die Abschirmfilmdicke über die von
bekannten Filmen erhöht wird. Fig. 9 zeigt eine weitere
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Dieser Dünnfilm-Magnetkopf ist auf beiden Seiten abge
schirmt. Magnetische Elemente 9 und 10 mit einer hohen
Permeabilität sind auf entgegengesetzten Seiten des
ferromagnetischen dünnen Films 8 angeordnet. Üblicher
weise ist das magnetische Element 9 ein Substrat zum
Bilden des dünnen Films und verwendet ein hochperme
ables (weichmagnetisches) Material wie Ferrit o. dgl.
Das Gitter wird auf der Oberfläche auf ähnliche Weise
wie in der ersten Ausführungsform ausgebildet.
Andererseits wird das hochpermeable magnetische Ele
ment 10 aus einem dünnen Film einer Legierung wie
Ni-Fe, Fe-Al-Si, amorphem ferromagnetischem Material
etc. hergestellt und besitzt eine Dicke im Bereich von
etwa 0,1 bis 5 µm. Unter der Annahme, daß eine durch
schnittliche Richtung der Magnetisierung M des ferro
magnetischen dünnen Films 8 zum elektrischen Strom i
einen Winkel R aufweist, kann eine Eigenvorspannung
erreicht werden, falls der Winkel R geeignet ausge
wählt wird. Dadurch wird ein lineares Arbeiten möglich.
Es ist wichtig, daß keine Störung des Winkels R in
der Umgebung des vorderen Endes auftritt.
Demzufolge wird angenommen, daß der Einfluß der Bearbei
tungsverformung, die nach dem Bearbeiten des Magnetkopfs
im Bereich des vorderen Endes verbleibt, mit den Eigen
schaften des Magnetkopfes in Verbindung gebracht werden
sollte.
In Beispielen wie in Fig. 9 wird üblicherweise der Be
reich des vorderen Endes des Magnetkopfes geläppt. Ein
solches Verfahren bewirkt - wenn auch in unterschied
lichem Ausmaß - eine bleibende Druckspannung, die durch
den Pfeil X dargestellt ist, in einer Ebene parallel
zur Fläche ABCD in der Richtung der Dicke des dünnen
Films 8 des Magnetkopfes. Die Richtung der Magnetisie
rung wird daher nicht im geringsten beeinflußt, sofern
die Magnetostriktionskonstante g des ferromagne
tischen dünnen Films 6 genau Null ist (ein nur schwer
zu realisierender Zustand), aber der Winkel R ver
ändert sich aufgrund eines gegen-magnetostriktiven
Phänomens, sofern die Magnetostriktionskonstante
nicht exakt Null ist. Da die Dicke des ferromagne
tischen dünnen Films 8 im Bereich zwischen 50 und 100
nm (500-1000 Å) liegt, was kleiner als die anderen
Abmessungen ist, ist im allgemeinen das Demagnetisie
rungsfeld in Richtung der Dicke groß. Eine Neigung der
Magnetisierung in der Richtung der Dicke tritt daher
nicht auf. Näherungsweise sind alle Magnetisierungen in
einer Ebene parallel zur Oberfläche BCEF vorhanden.
Falls λ größer als Null ist, wird die Magnetisierung
in eine Richtung senkrecht zur Druckspannung ausge
richtet, um die Energie zu verringern. Dies ist die
Richtung, in der der Winkel R zunimmt (d. h. senkrecht
zum Strom i). Falls λ kleiner als Null ist, wird eine
Veränderung in der Richtung bewirkt, die den Winkel
verkleinert (d. h. die Richtung parallel zum Strom i),
da die Magnetisierung parallel zur Richtung der Druck
spannung ausgerichtet ist. In der Umgebung des vorderen
Endes neigt die Richtung der Magnetisierung, aufgrund
des Demagnetisierungsfeldes dazu, den Winkel R zu ver
kleinern. Um den Einfluß des Demagnetisierungsfeldes
aufzuheben und den optimalen Winkel R zu erhalten,
ist es vorzuziehen, wenn der Wert λ positiv ist.
Andererseits ist es vorteilhaft, wenn der hochperme
able magnetische Film 10 eine magnetostriktive Kon
stante λ bei Null oder im Negativen aufweist. Da es
wichtig ist, daß dieser Bereich als magnetisches Ab
schirmelement eine hohe Permeabilität aufweisen sollte,
sollte zu diesem Zweck die Anisotropie vorzugsweise in
der longitudinalen Richtung 11 sein (d. h. in eine Rich
tung parallel zur Spurbreite im vorstehenden Fall), um
die Funktion der Hartachse verwenden zu können, d. h.
die Drehung der Magnetisierung für eine höhere Permeabi
lität im Hochfrequenzbereich. Da die Permeabilität aber
bei übermäßiger Anisotropie ebenfalls abnimmt, sollte
die magnetostriktive Konstante nicht zu groß werden,
auch wenn sie negativ ist.
Wird die Materialzusammensetzung des ferromagnetischen
dünnen Films 8 so gewählt, daß die magnetostriktive
Konstante positiv oder Null wird, so scheint dies einen
vorbestimmten qualitativen Effekt zu haben. Experi
mentell hat sich allerdings herausgestellt, daß ins
Auge fallende Effekte nur erreicht werden, wenn die
magnetostriktive Konstante λ des hochpermeablen
magnetischen Elementes 10 (des dünnen Films aus der
Legierung), das als Abschirmung dient, Null oder nega
tiv ist. Folgende Gründe mögen dazu führen. Falls die
magnetostriktive Konstante der Zusammensetzung des hoch
permeablen magnetischen Elementes 10 positiv ist, ist
die effektive Permeabilität am vorderen Ende klein und
daher ist es nicht möglich, die Größe des Demagnetisie
rungfeldes aufgrund der am vorderen Ende des ferromagne
tischen dünnen Films 8 erzeugten magnetischen Bele
gung zu verringern. Demzufolge wirkt am vorderen Ende
des ferromagnetischen dünnen Films 8 die Magnetisierung
in einer Richtung, die vom optimalen Winkel ablenkt.
Selbst wenn die magnetostriktive Konstante des hochper
meablen magnetischen Elementes 10 Null oder negativ ist
und eine hohe Permeabilität an dessen vorderem Ende er
halten wird, so tritt der gewünschte Effekt nicht ein,
betrachtet vom Gesichtspunkt der Wiedergabe kurzer
Wellenlänge, falls die ausgewählte Zusammensetzung so
ist, daß die Magnetisierung vom optimalen Winkel am
vorderen Ende des ferromagnetischen dünnen Films 8 ab
lenkt.
Die Laufrichtung des magnetischen Aufzeichnungsmediums
wird durch "y" gekennzeichnet.
Die Auswahl desselben Materials, einer Ni-Fe-Legierung
für den ferromagnetischen dünnen Film 8 und das Element
10 hat folgende Vorteile. Erstens besitzt das hochperme
able Material einen verhältnismäßig großen Magnetwider
stand. Zweitens besitzen Nickel und Eisen nahe beiein
anderliegende Dampfdrücke und ihre Zusammensetzung kann
verhältnismäßig einfach durch ein Vakuumaufdampfver
fahren unter Verwendung einer einzigen Verdampfungs
quelle gesteuert werden. Eine genauere Untersuchung
liefert darüber hinaus einen dritten Vorteil. Von den
nahe beieinanderliegenden Dampfdruckkurven von Nickel
und Eisen, besitzt Eisen einen geringfügig höheren
Dampfdruck. Während des Aufdampfens finden mehrere Ver
dampfungen in bezug auf eine Mutterlegierung mit einer
bestimmten Anfangszusammensetzung, die als Verdampfungs
quelle dient, statt. Die Zusammensetzung der Mutterle
gierung verändert sich dabei. Dementsprechend entstehen
dünne Filme mit veränderter Zusammensetzung aus der
Mutterlegierung. Falls dasselbe Material wie in der vor
liegenden Erfindung dafür benutzt wird, so kann eine
Mutterlegierung geeignet verwendet werden, deren magne
tostriktive Konstante zur positiven oder negativen
Seite verändert wird. Dies ermöglicht eine effektive
Verwendung der Mutterlegierung bzw. Verdampfungsquelle.
Während der Bearbeitung der Magnetköpfe kann der Ein
fluß des Bearbeitungsdruckes nie vollständig auf Null
verringert werden, auch nicht durch die Anwendung
irgendwelcher spezieller Bearbeitungsverfahren. Daher
sollte statt dessen eine bevorzugte Richtung in bezug
auf die Eigenschaften des Magnetkopfes aufgeprägt
werden. Dementsprechend kann die Orientierung der Magne
tisierung des vorderen Endes des ferromagnetischen
dünnen Films optimiert werden. Zusammen mit der höheren
Permeabilität der Abschirmschicht können Wiedergabe
signale mit einer guten Linearität und wenig Verzerrung
gewonnen werden. Es wird möglich, eine wirksame Wieder
gabe kurzer Wellenlängen zu erreichen.
Fig. 10 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Dünn
film-Magnetkopfes einer weiteren Ausführungsform. Auf
ein Substrat 12 aus einem hochpermeablen magnetischen
Material, beispielsweise Ferrit o. dgl., wird eine Zink-
Ferritschicht 13 aus einem nichtmagnetischen isolieren
den Material gesputtert. Auf diesem wird ein ferromagne
tischer dünner Film 14 aus Ni-Fe etc. ausgebildet und
Elektroden 15 aus einem nichtmagnetischen elektrisch
leitfähigen Material wie beispielsweise Hold- Kupfer
o. dgl. Auf diesem wiederum wird ein nichtmagnetischer
isolierender Film 16 gebildet. Der Brechungsindex der
Zink-Ferritschicht 13 ist größer als der Brechungsindex
von Photoresistmaterial (der beispielsweise bei dem Typ
AZ-1350J ungefähr 1,6 beträgt). Es ist möglich, eine Ab
deckungsschablone mit einem Gitter mit einem Strichab
stand von beispielsweise 400 nm (0,4 µm) mittels geeig
neter Adhäsion und Konfigurationswiedergabe durch Licht
interferenz und dergleichen herzustellen: während der
Interferenzbestrahlung durch einen Laserstrahl oder
ähnliches bildet sich eine stehende Welle. Die Position
eines Knotens der stehenden Welle wird exakt auf die
Grenzfläche von dem Ferrit bzw. dem Keramikteil des
nichtmagnetischen isolierenden Materials und dem Photo
resistmaterial (das den kleineren Brechungsindex be
sitzt) ausgerichtet. Daher ist die Adhäsion des Photo
resistmaterials nach der Entwicklung gut und die Repro
duzierbarkeit der Konfiguration der Abdeckungsschablone
wird verbessert. Diese Abdeckschablone wird als Maske
eingesetzt. Ein Gitter mit einem Strichabstand von 400
nm (0,4 µm) und einer Tiefe von 40 nm (400 Å) wird auf
der Oberfläche der Zink-Ferritschicht 13 durch das
Ionenbeschußverfahren ausgebildet. In dem darüber aus
gebildeten ferromagnetischen dünnen Film 14 entsteht
aufgrund des Gitters eine Anisotropie, die sich auf die
Konfiguration stützt. Magnetische Anisotropie entsteht
in Richtung längs des Gitters. Das anisotrope Magnet
feld Hk beträgt 20 Oe.
Außerdem ist das magnetische Aufzeichnungsmedium 17 dar
gestellt.
Als Vergleichsbeispiel wurde SiO2 auf einer Oberfläche
der Zink-Ferritschicht mit 300 nm (0,3 µm) bzw. 500 nm
(0,5 µm) abgesetzt und darüber ein ferromagnetischer
dünner Film gebildet. Die anisotropen Magnetfelder Hk
dieser ferromagnetischen dünnen Filme betrugen 15 Oe
bzw. 11 Oe. Wurden dagegen die SiO2-Schichten unter Ver
änderung der beim Sputtern verwendeten Menge ausgebil
det, so streuten die anisotropen Magnetfelder Hk um 12
bis 18 Oe bei einer Dicke von 300 nm (0,3 µm) und von 8
bis 15 Oe bei 500 nm (0,5 µm) Dicke. Nach der Bildung
der SiO2-Schichten auf der Oberfläche mit dem Gitter
wird es schwierig, die Größe des anisotropen Magnet
feldes Hk entsprechend der Dicke und den beim Sputtern
des SiO2 auftretenden Bedingungen mit einer guten Re
produzierbarkeit zu steuern. Diese Unannehmlichkeit
liegt vermutlich daran, daß die Erzeugung der Aniso
tropie sich auf die magnetischen Konfigurationsaniso
tropie stützt und die Konfiguration des Gitters durch
die SiO2-Schicht verändert wird. Verschiedene Arten
Ferrite und keramische Grundstoffe wie beispielsweise
TiO2, die als Isoliermaterialien verwendet werden, sind
sehr hart und besitzen einen genügenden Widerstand
gegen Abrieb, Abnutzung oder Verschleiß. Außerdem
zeigen sie gute Eigenschaften als Material zum Bilden
des Spaltes des Magnetkopfes.
Die magnetischen Eigenschaften und die elektrische Leit
fähigkeit in Zink-Ferrit kann üblicherweise durch eine
Veränderung des Verhältnisses von ZnO und Fe2O3 ver
ändert werden. Durch das richtige Zusammensetzungsver
hältnis und geeignete Herstellungsbedingungen kann Zink-
Ferrit nichtmagnetisch und isolierend gemacht werden.
Der spezifische Widerstand von normalerweise erhält
lichem Ferrit liegt im Bereich von mehreren Ω × cm bis
zu mehreren 104 Ω × cm. Dieser Bereich kann gemäß der
vorliegenden Erfindung als isolierend betrachtet
werden.
Anschließend soll ein Beispiel erläutert werden, in dem
die vorliegende Erfindung auf einen Magnetkopf mit
einem Gegentaktaufbau angewendet wird. Fig. 11 zeigt im
Schnitt den Aufbau dieses Magnetkopfes. Ein ferromagne
tischer dünner Film 21 aus Ni-Fe oder dergleichen wird
auf einem Substrat 18 aus einem hochpermeablen magne
tischen Material wie beispielsweise Ferrit o. dgl. über
einem nichtmagnetischen isolierenden Film 19 aus SiO2
o. dgl. ausgebildet. Elektroden 20 aus einem nicht
magnetischen elektrisch leitfähigen Material wie bei
spielsweise Gold, Kupfer o. dgl. sind mit dem ferroma
gnetischen dünnen Film 21 verbunden. Ein weiterer Film
19 aus demselben nichtmagnetischen isolierenden
Material wie eben ist darüber ausgebildet, und darüber
ein magnetischer Abschirmfilm 22 aus Ni-Fe, Fe-Al-Si
o. dgl. Wie in Fig. 12 dargestellt ist, ist auf der Ober
fläche des Substrates 18 ein Gitter von beispielsweise
300 nm (0,3 µm) Spaltabstand und 20 nm (200 A) Tiefe
symmetrisch in bezug auf die Stellung einer zentralen
Elektrode 22 b ausgebildet. Elektroden 20 a, 20 b und 20 c
sind mit dem ferromagnetischen dünnen Film 21 ver
bunden. Diese Abschnitte werden dadurch gebildet, daß
das Photoresistmaterial in Form von Streifen als Maske
beim Ionenbeschuß verwendet wird. Aufgrund des Gitters
besitzt der ferromagnetische dünne Film 21 eine starke
Anisotropie in Richtung des Gitters. Die Magnetisierung
in dem Film liegt in Richtung längs des Gitters. Wird
in diesem Zustand ein starkes äußeres Magnetfeld H in
einer Richtung im wesentlichen parallel zur Richtung
des elektrischen Stromes i im ferromagnetischen dünnen
Film 21 angelegt (vgl. Fig. 13), so richtet sich die
Magnetisierung M wie in der Darstellung aus. Wird ein
äußeres Signal-Magnetfeld Hsig in einer Richtung senk
recht zum elektrischen Strom i angelegt, d. h. senkrecht
zum Magnetfeld H, so erhält man die Wiedergabesignale
zwischen den Elektroden 20 a und 20 b, sowie zwischen den
Elektroden 20 b und 20 c. Wird die Spannung zwischen den
Elektroden 20 a und 20 b erhöht, so sinkt die Spannung
zwischen den Elektroden 20 b und 20 c. Werden daher beide
Wiedergabesignale mittels Differentiation entnommen, so
können die sekundären harmonischen Verzerrungen in
ihnen gegeneinander in einem hohen Grad aufgehoben
werden.
Im Gegensatz zu bekannten Magnetköpfen, in denen die
Vorspannung durch einen elektrischen durch den elek
trisch leitfähigen Film fließenden Strom bewirkt wird,
ist es in einem erfindungsgemäßen Magnetkopf möglich,
das Ausmaß der sekundären Verzerrung der entsprechenden
Elemente in den verschiedenen Bereichen der Richtungen
des Gitters auf ein Minimum zu senken, indem die Rich
tung des Gitters auf der Oberfläche des ferromagne
tischen dünnen Films geeignet bestimmt wird. Die sekun
däre Verzerrung kann demzufolge mittels eines durch
Differentiation gewonnenen Ausgangssignals weiter herab
gesetzt werden. Gleichzeitig wird die Zunahme der durch
Azimutabweichung verursachten sekundären Verzerrung ver
ringert.
Claims (6)
1. Dünnfilm-Magnetkopf;
mit einem ferromagnetischen dünnen Film aus magnetoresi stivem Material, der zwischen Elementen aus hochpermeab lem Material angeordnet ist;
mit einer Einrichtung, die elektrischen Strom durch den ferromagnetischen dünnen Film fließen läßt; und
mit Mitteln zum Erzeugen einer Vorspannung in dem ferro magnetischen dünnen Film;
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem ferromagne tischen dünnen Film (1, 5, 8, 14, 21) und den Elementen (3, 7, 9, 10, 12, 18, 22) aus hochpermeablem Material nichtmagnetische isolierende Filme (4, 16, 19) angeord net sind, die den dünnen Film und die Elemente aus hoch permeablem Material (ohne Zwischenlage von Hilfsschich ten zur magnetischen Vorspannungserzeugung) unmittelbar verbinden; daß der ferromagnetische dünne Film (1, 5, 8, 14, 21) auf mindestens einer Oberfläche eine Gitter struktur besitzt; und daß die Richtung der Gitterstruk tur mit dem durch den ferromagnetischen dünnen Film (1, 5, 8, 14, 21) fließenden elektrischen Strom (i) einen Winkel von 60° bis 80° bildet.
mit einem ferromagnetischen dünnen Film aus magnetoresi stivem Material, der zwischen Elementen aus hochpermeab lem Material angeordnet ist;
mit einer Einrichtung, die elektrischen Strom durch den ferromagnetischen dünnen Film fließen läßt; und
mit Mitteln zum Erzeugen einer Vorspannung in dem ferro magnetischen dünnen Film;
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem ferromagne tischen dünnen Film (1, 5, 8, 14, 21) und den Elementen (3, 7, 9, 10, 12, 18, 22) aus hochpermeablem Material nichtmagnetische isolierende Filme (4, 16, 19) angeord net sind, die den dünnen Film und die Elemente aus hoch permeablem Material (ohne Zwischenlage von Hilfsschich ten zur magnetischen Vorspannungserzeugung) unmittelbar verbinden; daß der ferromagnetische dünne Film (1, 5, 8, 14, 21) auf mindestens einer Oberfläche eine Gitter struktur besitzt; und daß die Richtung der Gitterstruk tur mit dem durch den ferromagnetischen dünnen Film (1, 5, 8, 14, 21) fließenden elektrischen Strom (i) einen Winkel von 60° bis 80° bildet.
2. Dünnfilm-Magnetkopf nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der ferromagnetische dünne
Film (1, 5, 8, 14, 21) eine magnetostriktive Konstante
besitzt, die positiv oder null ist, und daß wenigstens
eines der Elemente (3, 7, 9, 10, 12, 18, 22) aus hoch
permeablem Material eine magnetostriktive Konstante
besitzt, die null oder negativ ist.
3. Dünnfilm-Magnetkopf nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Gitter auf dem nicht
magnetischen isolierenden Film (4, 16, 19) gebildet
ist, der einen Brechungsindex besitzt, der größer ist
als der Brechungsindex von Photoresistmaterial.
4. Dünnfilm-Magnetkopf nach einem der vor
stehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der nichtmagnetische iso
lierende Film (4, 16, 19) aus Ferrit besteht.
5. Dünnfilm-Magnetkopf nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das Ferrit Zinkferrit ist.
6. Dünnfilm-Magnetkopf nach einem der vor
stehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Richtung des Gitters in
verschiedenen Bereichen des Dünnfilm-Magnetkopfes unter
schiedlich ist, und daß die Richtungen des Gitters sym
metrisch in bezug auf die Grenzen dieser Bereiche sind.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198686A JPS5987617A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 薄膜磁気ヘツド |
| JP57204061A JPS5994225A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 薄膜磁気ヘツド |
| JP58105199A JPS59231728A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜磁気ヘツド |
| PCT/JP1983/000401 WO1984002028A1 (en) | 1982-11-11 | 1983-11-10 | Thin-film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3390321T1 DE3390321T1 (de) | 1985-01-24 |
| DE3390321C2 true DE3390321C2 (de) | 1988-12-22 |
Family
ID=27310422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19833390321 Granted DE3390321T1 (de) | 1982-11-11 | 1983-11-10 | Dünnfilm-Magnetkopf |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4663683A (de) |
| DE (1) | DE3390321T1 (de) |
| WO (1) | WO1984002028A1 (de) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4994320A (en) * | 1988-06-08 | 1991-02-19 | Eastman Kodak Company | Thin magnetic film having long term stabilized uniaxial anisotropy |
| US5218497A (en) * | 1988-12-02 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith |
| JPH077196A (ja) * | 1992-12-29 | 1995-01-10 | Eastman Kodak Co | 磁界センサ及び磁界検知方法 |
| TW243530B (en) * | 1992-12-30 | 1995-03-21 | Ibm | Magnetoresistive sensor with improved microtrack profile for improved servo-positioning precision |
| CN1195294C (zh) * | 1994-03-10 | 2005-03-30 | 国际商业机器公司 | 边缘偏置的磁阻传感器、其制作方法及包括它的磁存储系统 |
| US7139156B1 (en) | 2002-06-20 | 2006-11-21 | Storage Technology Corporation | Non-penetration of periodic structure to PM |
| US7227726B1 (en) | 2002-11-12 | 2007-06-05 | Storage Technology Corporation | Method and system for providing a dual-stripe magnetoresistive element having periodic structure stabilization |
| US7545602B1 (en) * | 2005-07-26 | 2009-06-09 | Sun Microsystems, Inc. | Use of grating structures to control asymmetry in a magnetic sensor |
| US9134386B2 (en) | 2011-06-28 | 2015-09-15 | Oracle International Corporation | Giant magnetoresistive sensor having horizontal stabilizer |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL130450C (de) * | 1958-11-18 | |||
| US3881190A (en) * | 1973-09-20 | 1975-04-29 | Ibm | Shielded magnetoresistive magnetic transducer and method of manufacture thereof |
| US4052748A (en) * | 1974-04-01 | 1977-10-04 | U.S. Philips Corporation | Magnetoresistive magnetic head |
| GB1545295A (en) * | 1975-04-14 | 1979-05-10 | Philips Electronic Associated | Magnetoresistive read head |
| NL168981C (nl) * | 1975-04-15 | 1982-05-17 | Philips Nv | Magnetoweerstand leeskop. |
| JPS5223924A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic flux response type magnetic head |
| US4103315A (en) * | 1977-06-24 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films |
| NL7804377A (nl) * | 1978-04-25 | 1979-10-29 | Philips Nv | Magnetoweerstandkop. |
| JPS5597020A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
| FR2455330A1 (fr) * | 1979-04-25 | 1980-11-21 | Cii Honeywell Bull | Dispositif magnetique de transduction a magnetoresistances |
| EP0053343A1 (de) * | 1980-11-28 | 1982-06-09 | Hitachi, Ltd. | Wiedergabe- und Verstärkerschaltung für einen magnetoresistiven Kopf |
| JPS57203219A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-13 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | Thin film magnetic head |
| JPS57208624A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Magneto-resistance effect head |
| JPS584992A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Hitachi Ltd | 磁気電気変換素子 |
| JPS5814118A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-26 | Asahi Glass Co Ltd | ツイストネマチツク型液晶表示装置 |
| US4477794A (en) * | 1981-08-10 | 1984-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| JPS5845619A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-16 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| JPS58143403A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-26 | Hitachi Ltd | 磁化パタ−ン読出し方式 |
| JPS58166527A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
| JPS5992419A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-28 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗ヘツド |
| US4535375A (en) * | 1983-01-14 | 1985-08-13 | Magnetic Peripherals, Inc. | Magnetoresistive head |
-
1983
- 1983-11-10 WO PCT/JP1983/000401 patent/WO1984002028A1/ja not_active Ceased
- 1983-11-10 DE DE19833390321 patent/DE3390321T1/de active Granted
- 1983-11-10 US US06/629,546 patent/US4663683A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Hammaker, Lee, Lynch, Stable Magnetoresistive Sensor Element with International Self-Bias, In: IBM Technical Disclosure Bulletin, März 1982, Vol. 24, No. 10, S. 4927-4928 * |
| Shelledy, Brock, A Linear Self-Biased Magnetoresistive Head, In: IEEE Trans- actions on Magnetics, Sept. 1975, Vol. Mag-11, No. 5, S. 1206-1208 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1984002028A1 (en) | 1984-05-24 |
| DE3390321T1 (de) | 1985-01-24 |
| US4663683A (en) | 1987-05-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3876849T2 (de) | Magnetkopfzusammenbau fuer senkrechte magnetaufzeichnung. | |
| DE69117323T2 (de) | Dünnfilm-Magnetkopf mit schmaler Spurbreite und dessen Herstellungsverfahren | |
| DE69130368T2 (de) | Planarer Dünnfilmmagnetkopf | |
| DE69030891T2 (de) | Dünnfilmmagnetköpfe, ihr Herstellungsverfahren und diese Köpfe enthaltendes magnetisches Informationsspeicherungsgerät | |
| DE2924013C2 (de) | ||
| DE2527934C2 (de) | Magnetkopfanordnung in Dünnschicht-Technik mit einem magnetoresistiven Lese- und einem induktiven Schreibwandler und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE69124850T2 (de) | Dünnfilmaufzeichnungskopf mit Magnetpolkonfiguration zur Aufzeichnung mit hoher Dichte | |
| DE69032935T2 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Magnetwandlers in Dünnfilmtechnik | |
| DE69731177T2 (de) | Dünnfilm-Magnetkopf und magnetische Aufzeichnungs/Wiedergabevorrichtung | |
| DE69831999T2 (de) | Magnetkopf und Herstellungsverfahren | |
| DE3343035C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Magnetmeßfühlers mit mindestens zwei Elementen mit magnetischer Widerstandsänderung | |
| DE2600630C3 (de) | Integrierter Dünnschicht-Magnetkopf | |
| DE69025164T2 (de) | Verfahren zur Erzeugung einer Polspitzenstruktur bei einem magnetischen Wandler in Dünnfilmausführung | |
| DE2333813A1 (de) | Anordnung von magnetkoepfen in ebenen strukturen | |
| DE69218711T2 (de) | Magnetowiderstandseffekt-Dünnfilmmagnetkopf | |
| DE3229774A1 (de) | Magnetoresistives element | |
| DE3390321C2 (de) | ||
| DE69722860T2 (de) | Magnetkopf mit magnetoresistivem sensor und mit den magnetkopf versehende abtastvorrichtung | |
| DE69516215T2 (de) | Magneto-Widerstandseffekt-Dünnfilmmagnetkopf | |
| DE69112252T2 (de) | Herstellungsverfahren von einem magnetischen Wiedergabe-Aufzeichnungskopf. | |
| DE69510382T2 (de) | Dualer magnetoresistiver Wiedergabekopf mit magnetischer Abschirmung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE19956196A1 (de) | Magnetisches Material und Magnetkopf unter Verwendung desselben und Magnetspeichervorrichtung mit ihm | |
| EP0135739A1 (de) | Kombinierter Schreib- und Lese-Magnetkopf für ein senkrecht zu magnetisierendes Aufzeichnungsmedium | |
| DE69026556T2 (de) | Magnetkopfvorrichtung | |
| DE2160970A1 (de) | Mehrspurmagnetkopf und Verfahren zu dessen Herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: EISENFUEHR, G., DIPL.-ING. SPEISER, D., DIPL.-ING. |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |