DE3236113A1

DE3236113A1 - PLAYING DEVICE FOR RECORDING DISKS

Info

Publication number: DE3236113A1
Application number: DE19823236113
Authority: DE
Inventors: John James Gibson; Fred Princeton N.J. Sterzer
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1981-09-30
Filing date: 1982-09-29
Publication date: 1983-05-05
Also published as: GB2106700A; FR2513790A1

Description

EGA 77 338 Ks/RiEGA 77 338 Ks / Ri

U.S. Serial Nos: 307,022/307,023U.S. Serial Nos: 307.022 / 307.023

Piled: September 30, 1981Piled: September 30, 1981

ROA Corporation New York,. N.T., V.St.v.A.ROA Corporation New York ,. N.T., V.St.v.A.

Abspielgerät für AufzeichnungsplattenRecording disc player

Die Erfindung bezieht sich, auf Abnehmer schaltungen, die in Abspielgeräten für Aufzeichnungsplatten verwendet werden können, insbesondere in einem Bildplattenspieler des kapazitiv abtastenden Typs, wie er allgemein in der US-Patentschrift 3 842 194· beschrieben ist.The invention relates to customer circuits that can be used in players for recording discs, in particular in a video disc player of the capacitive sensing type as generally disclosed in U.S. Patent 3,842,194.

Bei einer Ausführungsform des in dieser US-Patentschrift offenbarten Bildplattenspielersystems werden Aufzeichnungsplatten verwendet, auf denen Bild- und Toninformationen in Form geometrischer Änderungen am Boden einer relativ schmalen Spiralrille aufgezeichnet sind, die an der Oberfläche der Platte verläuft und z„B„ 2,5 Mikrometer breit und 0,5 Mikrometer tief ist. Das Informationssignal ist über ein Frequenzband von einigen MHz aufgezeichnet. Beim Abspielen greift eine Abtastnadel an der Spiralrille an, während die Platte durch einen Drehteller gedreht wird« Dabei ändert sich die Kapazität zwischen einer an der Abtastnadel befindlichen leitenden Elektrode und einem leitenden Material der Plattenoberfläche. Diese Kapazitätsänderungen werden gefühlt, um die auf der Platte aufgezeichnete Information wiederzugewinnen. In one embodiment of the video disk player system disclosed in this U.S. patent specification, recording disks are used used on which picture and sound information is in Shape of geometric changes at the bottom of a relatively narrow Spiral groove are recorded, which runs on the surface of the plate and z "B" 2.5 micrometers wide and 0.5 Is micrometers deep. The information signal is recorded over a frequency band of several MHz. When playing a stylus engages the spiral groove while the disk is rotated by a turntable «This changes the capacitance between a conductive electrode located on the stylus and a conductive material of the Plate surface. These changes in capacity are sensed in order to recover the information recorded on the disk.

Eine Einrichtung zur Umwandlung der zwischen der Abtastelektrode und dem Rillenboden der Platte fühlbaren Kapazitätsänderungen ist in der US-Patentschrift 4- 080 625 beschrieben. Bei dieser Einrichtung ist die an der Abtastnadel befindliche Elektrode mit einem Ende eines Schwingkreises verbunden, der mit einem Spitzen detektor gekoppelt ist. Der Schwingkreis wird durch einen Oszillator beaufschlagt, dessen Frequenz z.B. auf einen Wert innerhalb des sogenannten ISM-Frequenzbandes (Frequenzband für industrielie, wissenschaftliche und medizinische Zwecke) eingestellt ist. Bei einer bevorzugten Ausführungsform dieser Einrichtung ist die Oszillatorfrequenz auf 915 MHz gewählt. Der Schwingkreis ist so ausgelegt, daß seine nominelle Resonanzfrequenz bei Verbindung mit der Abtastnadel in der Nähe der Oszillatorfrequenz liegt, z.B. bei 910 MHz. Die an der Nadelelektrode auftretenden Kapazitätsänderungen modulieren das Ansprecbverhalten des Schwingkreises. Der Spitzendetektor demoduliert die sich dadurch ergebende Amplitudenmodulation der Oszillatorfrequenz in ein Signal, dessen Amplitude sich entsprechend der aufgezeichneten Information ändert.A device for converting the between the scanning electrode and the groove bottom of the plate perceptible capacitance changes is in US Pat. No. 4,080,625 described. In this device, the electrode located on the stylus is at one end of an oscillating circuit connected, coupled to a peak detector is. The resonant circuit is acted upon by an oscillator, the frequency of which is e.g. set to a value within the so-called ISM frequency band (frequency band for industry, scientific and medical purposes). In a preferred embodiment of this device the oscillator frequency is selected to be 915 MHz. Of the The resonant circuit is designed so that its nominal resonance frequency when connected to the stylus is close to the Oscillator frequency is, e.g. at 910 MHz. The one on the needle electrode Changes in capacitance that occur modulate the response of the resonant circuit. The peak detector demodulates the resulting amplitude modulation of the oscillator frequency into a signal, its amplitude changes according to the recorded information.

Dieses mit einem Schwingkreis arbeitende Abtastsystem bringt gewisse Probleme hinsichtlich der Strahlung nach außen (d.h. der vom Plattenspieler ausgehenden Abstrahlung). Gewöhnlich ist die Ausgangsleistung des Oszillators niedrig eingestellt, so daß es keine große Schwirigkeit ist, die Abstrahlung nach außen innerhalb derjenigen Grenzen zu halten, die von der in den USA zuständigen Federal Communications Commission (FCC) vorgeschrieben sind. Es gibt jedoch verschiedene Kombinationen von Leistungspegeln außerhalb liegender Quellen und Zeitdauer, welche unerwünschte Folgen für die Bildwiedergabe der mit dem Plattenspieler wiedergewonnenen Information haben.This resonant circuit scanning system poses certain problems with outward radiation (i.e. the radiation emitted by the turntable). Usually If the output power of the oscillator is set low, so that it is not very difficult to keep the radiation to the outside within the limits set by the Federal Communications Commission (FCC) in the United States. However, there are different combinations of power levels of external sources and time duration, which have undesirable consequences for image reproduction of the information recovered with the turntable.

Die Einhaltung der FCC-Bestimmungen ist nicht immer das einzige Problem, mit dem sich ein Hersteller eines Bildplattenspielers befassen muß. In den meisten europäischenCompliance with FCC regulations is not always the only problem a video turntable manufacturer may face must deal. In most of the European

Ländern gelten im Frequenzband, das für den Betrieb des Bildplattenspielers gewählt ist (z.B. in der Umgebung von 915 MHz) strengere Normen hinsichtlich der Abstrahlung. Go wird ein für den Verkauf in den UGA hergestellter Plattenspieler hinsichtlich der Abstrahlung den europäischen Normen nicht immer genügen.Countries apply in the frequency band that is used for the operation of the Image turntable is selected (e.g. in the vicinity of 915 MHz) stricter standards with regard to radiation. Go becomes a record player made for sale in the UGA do not always meet European standards with regard to radiation.

Bekanntlich läßt sich die HF-Abstrahlung wesentlich vermindern, indem man die zu Abstrahlungen neigende Einrichtung innerhalb eines leitenden Gehäuses unterbringt. Bei einem Bildplattenspieler kann dies dadurch erreicht werden, daß man einen inneren Metallkasten vorsieht, der von einem dekorativen äußeren Gehäuse umgeben ist, oder daß man die inneren Oberflächen eines dekorativen äußeren Gehäuses mit einem leitenden Material beschichtet.As is known, the HF radiation can be reduced significantly by removing the device which is prone to radiation housed within a conductive housing. In the case of a video disc player, this can be achieved in that an inner metal box is provided, supported by a decorative outer casing, or having the inner surfaces of a decorative outer casing coated with a conductive material.

Trotz solcher Maßnahmen kann es immer noch Probleme bei der Einhaltung strenger HF-Abstrahlungsnormen geben. Das Außengehäuse (Schale) eines Bildplattenspielers besteht typischerweise aus zwei Teilen, e-vnar oberen Hälfte und einer unteren Hälfte. Außerdem ist für den Zugang zu einem Supportscblitten, der eine auswechselbare Abnehmerkapsel enthält, ein Deckel oder eine Klappe vorgesehen, und zum Eingeben einer abzuspielenden Platte hat der Plattenspieler einen Schlitz mit einer dahinterliegenden Metalltür. Während des Abspielvorgangs ist diese Metalltür um den Schlitz geschlossen. Es hat sich jedoch gezeigt, daß selbst bei Verwendung innerer Metallkästen oder leitender innerer Oberflächen immer noch HF-Leckstrahlung an den Fugen zwischen den oberen und unteren Gehäusehalf ten, an den Fugen um die Zugangsklappe und an den Fugen um den Platteneingabeschlitz austritt.Despite such measures, there may still be problems with the Provide compliance with strict RF emission standards. The outer casing (Shell) of a video disc player typically consists of two parts, an upper half and a lower half Half. In addition, there is a cover for access to a support block, which contains an exchangeable removal capsule or a flap is provided, and for entering a disc to be played, the turntable has a slot with a metal door behind. During playback is this metal door closed around the slot. It has, however has shown that even with the use of internal metal boxes or conductive internal surfaces, RF leakage is still present at the joints between the upper and lower housing halves at the seams around the access door and at the seams around the panel entry slot.

Neben den Problemen der Abstrahlung nach, außen ergibt sich bei dem mit Schwingkreis arbeitenden Abnehmersystem auch ein Problem hinsichtlich externer Strahlung, d.h. irgendwelcher HF-Strahlung, die von Quellen außerhalb des Plattenspielers kommt und den Betrieb des Plattenspielers beeinträch-In addition to the problems of radiation to the outside, this arises also has a problem with the resonant pickup system in terms of external radiation, i.e. any RF radiation that comes from sources outside the turntable and that interferes with the operation of the turntable.

tigt. Es gibt bestimmte Typen von Einrichtungen, z.B. Radaranlagen, die im ISM-Band mit hoher Leistung arbeiten, und wenn diese externen Strahlungsquellen eine Reihe von Bedingungen erfüllen (z.B. hinsichtlich der Frequenz, des Leistungspegels, der Richtwirkung und des Ortes), dann können sie einen störenden Einfluß auf den Abspielbetrieb des Bildplattenspielers nehmen.does. There are certain types of equipment, e.g. radar systems, who work with high performance in the ISM band, and if these external radiation sources meet a number of conditions (e.g. with regard to frequency, des Power level, the directivity and the location), then they can have a disruptive influence on the playback operation of the Take the optical disc player.

Solche unerwünschten Einflüsse äußern sich in folgender Weise. Wenn eine externe Quelle mit einem Pegel strahlt, der höher ist als der im Normalbetrieb des Plattenspielers zu erwartende Empfangspegel des Demodulators der Abnehmerschaltung, dann wird das externe Signal auf den FM-Demodulator gekoppelt. Das demodulierte externe Signal durchläuft die signalverarbeitenden Schaltungen des Plattenspielers und wird auf dem angeschlossenen Fernsehempfänger wiedergegeben. Wenn das externe Signal ein Impuls kurzer Dauer (z.B. in der Größenordnung von 2 MikroSekunden) ist, dann kann die Störung auf dem Bildschirm des Fernsehempfängers als ein kurzes schwarzes oder weißes Intervall in einer Zeile erscheinen. Diese kurz dauernden Störsignale können für das Auge wahrnehmbar sein.Such undesirable influences are expressed in the following way. If an external source emits at a level, which is higher than the reception level of the demodulator of the pick-up circuit to be expected during normal operation of the record player, then the external signal is coupled to the FM demodulator. The demodulated external signal passes through the signal processing circuits of the turntable and is played back on the connected television receiver. If the external signal is a pulse of short duration (e.g. on the order of 2 microseconds), then the Disturbance on the TV receiver screen as a short black or white interval appear in one line. These brief interfering signals can cause the Be perceptible to the eye.

Wenn das externe Störsignal langer dauert (z.B. 125 Mikro- ?-5 Sekunden), dann ist der Effekt im Ausgangsbild viel deutlicher sichtbar. Da eine Fernsehzeile beim NTSC-Format etwa 63 Mikrosekunden lang ist., kann es vorkommen, daß zwei Zeilen des Bildes weiß oder schwarz werden. Noch unangenehmer ist, wenn die externe Strahlungsquelle periodisch arbeitet, weil dann das Bild mit einer entsprechenden Periodizität gestört wird.If the external interference signal lasts longer (e.g. 125 micro- ? -5 seconds), then the effect is much more visible in the output image. Since a television line is approximately 63 microseconds in NTSC format, two lines of the picture may turn white or black. It is even more unpleasant if the external radiation source operates periodically because the image is then disturbed with a corresponding periodicity.

Es gibt verschiedene Kombinationen von Leistungspegeln und Wirkungsdauer externer Strahlungsquellen, die auch zu anderen unerwünschten Effekten im wiedergegebenen Fernsehbild führen. So kann beispielsweise eine Kombination von hellen und dunklen Flecken in einer oder mehreren Zeilen des BildesThere are different combinations of power levels and duration of action of external radiation sources, which also lead to others undesirable effects in the television picture being played back to lead. For example, there can be a combination of light and dark spots in one or more lines of the image

auftreten, und es kann sogar zum Rollen des Bildes kommen, falls sich der FM-Demodulator fälschlich dann auf ein ex ternes Signal bezieht, wenn eigentlich das VertikalSynchronsignal erfaßt werden sollte.occur, and the image may even roll, if the FM demodulator is incorrectly referring to an external one Signal refers to when actually the vertical sync signal should be captured.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Abspielgerät für Aufzeichnungsplatten durch besondere Konstruktion der Abnehmerschaltung so auszulegen, daß sowohl die Abstrahlung vom Gerät nach außen als auch die Empfindlichkeit des Geräts gegenüber eingekoppelter externer Strahlung vermindert oder eliminiert wird. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet»The object of the present invention is to provide a player for recording disks with a special construction the pickup circuit so that both the radiation from the device to the outside and the sensitivity of the device is reduced or eliminated with respect to coupled external radiation. This object is achieved according to the invention solved by specified in claim 1 features. Advantageous embodiments of the invention are shown in characterized by the sub-claims »

Die vorstehend erwähnten. Strahlungsprobleme treten bei dem erfindungsgemäßen Abspielgerät deswegen nicht auf, weil es keinen im Ultrahochfrequenzbereich arbeitenden HF-Oszillator enthält. Außerdem führt die Erfindung &zu, daß die Abnehmerschaltung einfacher, wirtschaftlicher und zuverlässiger ist und leichter o'ustiert werden kann.The aforementioned. Radiation problems occur with that The player according to the invention does not have because it does not have an HF oscillator operating in the ultra-high frequency range contains. In addition, the invention provides & that the pickup circuit is simpler, more economical and more reliable and can be more easily adjusted.

Die Erfindung wird realisiert in einem Abspielgerät zum Wiedergewinnen von Informationen, die längs einer Informationsauf einer Oberfläche einer Aufzeichnungsplatte in Form von Änderungen der Geometrie der Informationsspur aufgezeichnet sind. Erfindungsgemäß ist eine Abtastnadel vorgesehen, die eine leitende Elektrode aufweist und über die modulierte Informationsspur läuft. Ein Isolierschicht-Feldeffekttransistor fühlt während des Abspielens Änderungen der Kapazität zwischen der leitenden Elektrode und der Oberfläche der Aufzeichnungsplatte. The invention is implemented in a player for retrieval of information along an information on recorded on a surface of a recording disk in the form of changes in the geometry of the information track are. According to the invention, a scanning needle is provided which has a conductive electrode and is modulated via the Information trail is running. An insulated gate field effect transistor senses changes in capacitance during playback between the conductive electrode and the surface of the recording disk.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist die leitende Elektrode an der Abtastnadel durch ein konstantes Potential vorgespannt.In one embodiment of the invention, the conductive electrode on the stylus is at a constant potential biased.

- 10 -- 10 -

Bei dem Bildplattensystem nach der eingangs erwähnten US-Patentschrift 3 84-2 194· ist jedoch das Videosignal, das eine Bandbreite von 3 MHz belegt, in der Aufzeichnung einem hochfrequenten Bildträger von 5 MHz mit einem Frequenzhub von 4·,3 bis 6,3 MHz aufgeprägt, und das Tonsignal ist einem niedrigfrequenten Tonträger von 716 KHz mit einem Frequenzhub von -5® KHz aufgeprägt. Verwendet man zur Demodulation eines in diesem Format aufgezeichneten Basisbandsignals eine Abnehmerschaltung mit Feldeffekttransistor, dann können sich wegen des einem solchen Bauelement eigenen niederfrequenten Rauschens Probleme ergeben. Die meisten Isolierschicht-Feldeffekttransxstoren neigen dazu, Rauschkomponenten mit niedrigeren Frequenzen zu erzeugen. Das Niedrigfrequenz-Rauschspektrum ist umgekehrt proportional zur Frequenz (sogenanntes "1/f"-Rauschen). Dieses niedrigfrequente Bauelement-Rauschen kann den Betrieb der Abnehmerschaltung nachteilig beeinflussen.In the optical disk system according to US Pat. No. 3 84-2 194 mentioned at the beginning, however, the video signal, which occupies a bandwidth of 3 MHz, is recorded in a high-frequency image carrier of 5 MHz with a frequency deviation of 4.3 to 6.3 MHz is impressed, and the audio signal is impressed on a low-frequency sound carrier of 716 KHz with a frequency deviation of -5® KHz. If a pick-up circuit with a field effect transistor is used to demodulate a baseband signal recorded in this format, problems can arise because of the low-frequency noise inherent in such a component. Most insulated field effect transformers tend to generate noise components at lower frequencies. The low-frequency noise spectrum is inversely proportional to the frequency (so-called "1 / f" noise). This low frequency component noise can adversely affect the operation of the pickup circuit.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des in der US-Patentschrift 3 84-2 194- beschriebenen Bildplattensystems fällt die Frequenz, mit welcher die Toninformation aufgezeichnet ist, in das AM-Rundfunkband. Dies kann zu einem Problem für die Abnehmerschaltung werden. Wenn nämlich eine Reihe von Bedingungen erfüllt sind (z.B. hinsichtlich der Freauenz, des Leistungspegels, der Richtwirkung und des Ortes), dann kann von außen kommende Strahlung wie AM-Rundfunk einen störenden Einfluß auf den Wiedergabebetrieb des Bildplattensystems nehmen. _ 1Ί _In a preferred embodiment of the optical disc system described in US Pat. No. 3 84-2 194, falls the frequency at which the sound information is recorded in the AM broadcast band. This can create a problem for the customer circuit. If a number of conditions are met (e.g. with regard to friency, the power level, the directivity and the location), then radiation coming from outside, such as AM broadcasting, can cause a disturbance disturbing influence on the playback operation of the optical disc system to take. _ 1Ί _

Ein erfindungsgemäßes Abspielgerät enthält in einer besonderen Ausführung eine Abnehmerschaltung, welche die Empfänglichkeit des Geräts für das niedrigfrequente Rauschen des Abnehmer el em ent es und für Strahlung von externen Quellen reduziert. Diese Vorteile werden durch. Verwendung eines Feldeffekttransistors mit doppelt vorgesehener Gateelektrode (Doppelgate-Feldeffekttransistor) erzielt. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung ist eine Abnehmerschaltung vorgesehen, worin die leitende Elektrode der Abtastnadel mit der einen Gateelektrode des Doppelgate-Feldeffekttransistors verbunden und ein lokaler Oszillator (Überlagerungsoszillator) mit der anderen Gateelektrode gekoppelt ist» Bei dieser Anordnung fühlt der Doppelgate-Feldeffekttransistor das aufgezeichnete Signal als Änderungen in der Kapazität zwischen der leitenden Elektrode und der Platte und mischt das gefühlte Informationssignal mit dem Signal des Überlagerungsoszillators (Überlagerungssignal), um eine Frequenzumsetzung zu bewirken. Bei Anwendung dieser Technik kann die Frequenz des Überlagerungsoszillators so gewählt werden, daß das niedrigfrequente Rauschen des Feldeffekttransistors außerhalb des interessierenden Bandes liegt, und die Empfänglichkeit für Storsignale aus externen Quellen kann reduziert oder eliminiert werden.A playback device according to the invention contains, in a special embodiment, a pickup circuit which controls the receptivity of the device for the low-frequency noise of the Consumers el em ent es and for radiation from external sources reduced. These benefits are due to. Use of a field effect transistor with a double gate electrode (Double gate field effect transistor) achieved. In this embodiment of the invention, a pickup circuit is provided, wherein the conductive electrode of the stylus with the one gate electrode of the double gate field effect transistor connected and a local oscillator (local oscillator) is coupled to the other gate electrode »In this Arrangement, the double gate field effect transistor senses the recorded signal as changes in capacitance between the conductive electrode and the plate, and mixes the sensed information signal with the signal of the local oscillator (local signal) to perform a frequency conversion to effect. Using this technique, the frequency of the local oscillator can be chosen so that the low frequency Noise of the field effect transistor is outside the band of interest, and the susceptibility for interference signals from external sources can be reduced or be eliminated.

Die Erfindung wird nachstehend an Ausführungsbeispielen anhand von Zeichnungen näher erläutert«,The invention is explained in more detail below using exemplary embodiments with reference to drawings «,

Fig. 1 ist eine perspektivische Darstellung eines Bildplattenspielers, in welchem die Erfindung realisiert werden kann.Fig. 1 is a perspective view of an optical disc player; in which the invention can be implemented.

Fig. 2 zeigt, teilweise in Blockform, eine bekannte Abnehmerschaltung für einen Bildplattenspieler nach Fig. 1;Fig. 2 shows, partly in block form, a known pickup circuit for an optical disc player according to Fig. 1;

Fig. 3 zeigt das Schaltbild einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Abnehmerschaltung, die mit Gleichvorspannung arbeitet;Fig. 3 shows the circuit diagram of an embodiment of an inventive Pickup circuit with DC bias is working;

- 12 -- 12 -

Fig. 4 zeigt das Schaltbild einer anderen Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Abnehmerschaltung, die mit Wechselstrom getrieben wird;Fig. 4 shows the circuit diagram of another embodiment a pickup circuit according to the invention, which with Alternating current is driven;

Fig. 5 zeigt, teilweise in Blockform, eine erfindungsgemäße Abnehmer schaltung, die einen Doppelgate-Feldeffekttransistor verwendet.Fig. 5 shows, partly in block form, one according to the invention Consumer circuit using a double gate field effect transistor used.

Der in Fig. 1 dargestellte Bildplattenspieler 20 hat eine obere Hälfte 22 und eine untere Hälfte 24. Die inneren Oberflächen dieser beiden Hälften des Plattenspielers seien mit einem Material beschichtet, welches leitende Partikel enthält, so daß ein im wesentlichen geschlossenes leitendes Gehäuse für die Elektronik des Plattenspielers gebildet wird, die einen Oszillator enthält. Die obere und die untere Hälfte und 24 stoßen an einer Fuge 26 zusammen, die rund um den Plattenspieler geht. Alternativ kann die Elektronik des Plattenspielers auch in einem leitenden Kasten innerhalb einer dekorativen Schale eingeschlossen sein, wo gleichfalls entsprechende Fugen und öffnungen vorhanden sind. Die Außenabmessungen des Plattenspielers sind z.B. 0,15 mal 0,44 mal 0,40 Meter.The optical disc player 20 shown in Fig. 1 has a upper half 22 and a lower half 24. The inner surfaces these two halves of the turntable are coated with a material that contains conductive particles, so that a substantially closed conductive housing for the electronics of the turntable is formed, the contains an oscillator. The top and bottom halves and 24 meet at a joint 26 around the turntable goes. Alternatively, the electronics of the turntable can also be housed in a conductive box within a decorative Shell to be included, where there are also corresponding joints and openings. The external dimensions of the turntable are e.g. 0.15 times 0.44 times 0.40 meters.

V/ie in Fig. 1 zu erkennen ist, hat der Plattenspieler oben einen Deckel 28 für den Zugang zur Abnehmerkapsel. Wenn der Deckel 28 angehoben oder fortgenommen ist, liegt ein Abnehmersupport frei, der eine auswechselbare Abnehmerkapsel trägt. Gibt es Sorgen wegen HF-Strahlung, dann ist der Deckel 28 zumindest an seiner inneren Oberfläche leitend gemacht, z.B. durch einen leitenden Anstrich. Die Fuge 30 bildet die Nahtstelle zwischen der oberen Hälfte 22 und dem Deckel 28.As can be seen in Fig. 1, the turntable has at the top a lid 28 for access to the pickup capsule. If the Lid 28 is raised or removed, there is a customer support free, which carries a replaceable pickup capsule. If there are concerns about RF radiation, then the cover 28 is made conductive at least on its inner surface, e.g. with a conductive paint. The joint 30 forms the seam between the upper half 22 and the lid 28.

Der Plattenspieler 20 hat außerdem eine öffnung 32, die so ausgebildet ist, daß durch sie eine Tasche mit einer darin eingeschlossenen Aufzeichnungsplatte in den Plattenspieler eingeführt werden kann, um die Platte einzugeben. Wenn die Platte eingegeben ist und ein Funktionshebel 34 aus derThe turntable 20 also has an opening 32 which is so is designed that through it a pocket with a recording disk enclosed therein in the turntable can be inserted to enter the plate. When the plate is entered and a function lever 34 out of the

- 13 -- 13 -

Stellung "Eingabe" in die Stellung "Abspielen" bewegt wird, bewegt sich eine Tür (nicht dargestellt) im Inneren des Plattenspielers, um die Öffnung 32 zu verschließen. Es kann zweckmäßig sein, im Bereich der Öffnung 3? zusätzlich zur Tür eine weitere Abschirmung vorzusehen."Input" position is moved to the "Playback" position, a door (not shown) inside the turntable moves to close the opening 32. It can be useful in the area of the opening 3? in addition to Provide further shielding for the door.

Die Fig. 2 zeigt eine elektrische Schaltung, wie sie in bekannten Bildplattenspielern verwendet wird« Diese Schaltung fühlt Änderungen der Kapazität zwischen einer Nadel el ektro™ de und einem leitenden Material der Aufzeichnungsplatte (wie es in der erwähnten US-Patentschrift 3 842 194- beschrieben ist).FIG. 2 shows an electrical circuit as used in known video disc players. This circuit feels changes in capacity between a needle el ektro ™ de and a conductive material of the recording disk (as described in the aforementioned US Pat. No. 3,842,194 is).

In der Figur 2 stellt ein veränderlicher Kondensator 2 die Admittanz zwischen der Nadelelektrode und der (in geeigneter Weise mit Massepotential gekoppelten) Plattenoberfläche während des Abspielens dar» Diese Admittanz ist im wesentlichen eine Kapazität. Wenn in der nachstehenden Beschreibung von Kapazitätsänderungen die Rede ist, kann es sich um verlustbehaftete Kapazitätsänderungen handeln, so daß das Wort "Admittanzänderungen" besser passen wird.» Bei einer bevorzugten Ausführungsform greift eine mit einer leitenden Elektrode versehene Diamantnadel an einer Spiralrille auf der Oberfläche der Aufzeichnungsplatte an. Der Boden der Rille enthält Geometrieänderungen, die repräsentativ für die in der Rille gespeicherte Information sind. Typischerweise sind die Video- und Ton signale über einen 'Frequenzbereich von einigen MHz aufgezeichnet, beispielsweise ist das eine Bandbreite von 3 MHz aufweisende Videosignal in der Aufzeichnung einem hochfrequenten Bildträger von 5 MHz mit einem Hubbereich von 4,3 bis 6,3 MHz aufgeprägt, während das Tonsignal einem niedrigfrequenten Tonträger von 716 KHz -50 KHz aufgeprägt sein kann» Wenn zwischen der Abtastnadel und der Plattenrille eine Relativbewegung stattfindet, dann ergeben sich zwischen der Nadelelektrode und der Rillenoberfläche Kapazitätsänderungen, die repräsentativ für die aufgezeichnete Information sind. In der erwähnten US-Patentschrift 3 842 194 ist eine Abtastnadel und eine Platte zurIn Figure 2, a variable capacitor 2 represents the Admittance between the needle electrode and the plate surface (suitably coupled to ground potential) during of playing back shows »This admittance is essentially a capacity. If in the description of Changes in capacitance are mentioned, it can be a matter of lossy changes in capacitance, so that the word "admittance changes" will fit better. " In a preferred embodiment, one engages with a conductive electrode equipped diamond needle on a spiral groove on the surface the recording disk. The bottom of the groove contains geometry changes representative of those in the Groove is information stored. Typically the video and audio signals are over a frequency range of recorded a few MHz, for example, the video signal having a bandwidth of 3 MHz is in the recording a high-frequency image carrier of 5 MHz with a stroke range of 4.3 to 6.3 MHz, while the sound signal can be impressed on a low-frequency sound carrier of 716 KHz -50 KHz »If between the stylus and the plate groove a relative movement takes place, then arise between the needle electrode and the groove surface Changes in capacity representative of the information recorded. In the aforementioned US patent 3 842 194 is a stylus and plate for

- 14 Wiedergabe von Videoaufzeichnungen beschrieben.- 14 Playback of video recordings described.

Der durch die Nadelelektrode gebildete Teil des "Kondensators" 2 ist über eine elektrische Leitung 6 mit einer Induktivität 4 gekoppelt. Die Induktivität hat eine Anzapfung R₁ an welche der Spitzendetektor 12 angeschlossen ist, der aus einer Diode 10 und einer Parallelschaltung eines Widerstandes 14 und eines Kondensators 16 besteht. Der Widerstand 14 und der Kondensator 16 sind zwischen die Kathode der Diode 10 und einen bezugspotentialführenden Punkt (Massepotential) angeschlossen. Eine zweite Anzapfung 36 an der Induktivität 4 ist mit Masse gekoppelt. Ein HP-Oszillator 38 legt Hochfrequenzsignale an die Induktivität 4. Ein Vorverstärker ist mit dem Spitzendetektor 12 gekoppelt und liefert verstärkte Signale an seinem Ausgang. Zur Verminderung von Streureaktanzen können die Schaltungselemente 4, 12 und 18 innerhalb des gestrichelt angedeuteten Abschirmgehäuses 40 so angeordnet werden, daß die Bauteile nahe der an der Abtastnadel befindlichen Elektrode (Abtastelektrode) liegen.The part of the “capacitor” 2 formed by the needle electrode is coupled to an inductance 4 via an electrical line 6. The inductance has a tap R ₁ to which the peak detector 12 is connected, which consists of a diode 10 and a parallel connection of a resistor 14 and a capacitor 16. The resistor 14 and the capacitor 16 are connected between the cathode of the diode 10 and a reference potential-carrying point (ground potential). A second tap 36 on inductor 4 is coupled to ground. An HP oscillator 38 applies high frequency signals to the inductor 4. A preamplifier is coupled to the peak detector 12 and provides amplified signals at its output. To reduce leakage reactances, the circuit elements 4, 12 and 18 can be arranged within the shielding housing 40, indicated by dashed lines, in such a way that the components are close to the electrode (scanning electrode) located on the scanning needle.

Der Ausgang des Vorverstärkers 18 ist mit einem Verstärker 42 gekoppelt, um die Verstärkung des abgenommenen Signals zu erhöhen. Der Ausgang des Verstärkers 42 ist mit einer geeigneten Schaltungsanordnung zur Verarbeitung der aufgezeichneten Information gekoppelt. Ein Beispiel für eine geeigneteThe output of the preamplifier 18 is coupled to an amplifier 42 to increase the gain of the picked up signal raise. The output of amplifier 42 is connected to suitable circuitry for processing the recorded Information coupled. An example of a suitable one

2.5 Verarbeitungsschaltung ist in der US-Patentschrift 3 969 beschrieben.2.5 Processing circuitry is in U.S. Patent 3,969 described.

Im Betrieb legt der HP-Oszillator 38 eine Erregungsspannung an einen Schwingkreis, der den Kondensator 2, die Induktivität 4, die Sperrschichtkapazität der Diode 10 und den Kondensator 16 umfaßt. Der zwischen dem Oszillator 38 und der Anzapfung 36 liegende Abschnitt der Induktivität 4 funktioniert wie der Primärkreiß eines Autotransformators, der das HP-Erregungssignal auf den Schwingkreis koppelt. Da sich die Resonanzfrequenz des Schwingkreises infolge Änderungen des Kondensators ändert, variiert die Amplitude der Erregungsspannung am Eingang der Diode 10. Der Q-Wert desIn operation, the HP oscillator 38 applies an excitation voltage to a resonant circuit, the capacitor 2, the inductance 4, the junction capacitance of the diode 10 and the capacitor 16 comprises. The one between the oscillator 38 and the tap 36 lying section of the inductance 4 functions like the primary circuit of an autotransformer, the couples the HP excitation signal to the resonant circuit. That I If the resonance frequency of the resonant circuit changes as a result of changes in the capacitor, the amplitude of the excitation voltage varies at the input of diode 10. The Q value of the

- 15 -- 15 -

Schwingkreises und der Pegel der Erregungsspannung sind so gewählt, daß an der Anzapfung 8 die Spannung als Punktion der Frequenz eine steile Kennlinie bildet und dadurch vom Spitζendetektor ein Signal ausreichender Amplitude demoduliert wird. Die Wahl des Q-Wertes ist außerdem so getroffen, daß der Schwingkreis gleichzeitig eine angemessene Signalbandbreite bringt. Die Frequenz des Oszillators 3^ ist so gewählt, daß sie auf eine Flanke der Frequenzgangkurve des Schwingkreises fällt und während praktisch aller Signalbedingungen auf dieser Flanke bleibt, wenn sich die Resonanzfrequenz und damit die Frequenzgangkurve des Schwingkreises aufgrund des Informationssignals verschiebt» Wenn die Abtastelektrode der Plattenrille folgt, ändert sich die Kapazität des Kondensators 2 entsprechend der aufgezeichneten In formation. Diese Kapazitätsänderung verschiebt die Resonanzfrequenz des Schwingkreises. Da an den Schwingkreis ein Erregungssignal konstanter Frequenz (vom Oszillator 38) gelegt wird, ändert sich bei variierender Resonanzfrequenz die Ansprache des Schwingkreises auf die Erregungsfrequenz als Funktion der aufgezeichneten Information, so daß an der Anzapfung 8 ein Ausgangssignal sich ändernder Amplitude erhalten wird. Der Spitζendetektor 12 demoduliert diese Amplitudenänderungen mittels der Diode 10,und das durch den Widerstand 14· und den Kondensator 16 gebildete Filternetzwerk entfernt Komponenten, deren Frequenz oberhalb des Frequenzbandes der Signalinformation liegt»The resonant circuit and the level of the excitation voltage are like that chosen that at the tap 8, the voltage as a puncture of the frequency forms a steep characteristic curve and thereby from Peak detector demodulates a signal of sufficient amplitude will. The choice of the Q value is also made so that the resonant circuit at the same time an appropriate signal bandwidth brings. The frequency of the oscillator 3 ^ is chosen so that it is on an edge of the frequency response curve of the Resonant circuit falls and during virtually all signal conditions remains on this edge when the resonance frequency and thus the frequency response curve of the resonant circuit due to the information signal shifts »If the scanning electrode follows the plate groove, the capacitance of the capacitor 2 changes according to the recorded information. This change in capacitance shifts the resonance frequency of the oscillating circuit. Since an excitation signal is sent to the resonant circuit constant frequency (from the oscillator 38) is set, the response changes with a varying resonance frequency of the resonant circuit on the excitation frequency as a function of the recorded information, so that at the Tap 8 an output signal of varying amplitude is obtained. The peak detector 12 demodulates this Amplitude changes by means of the diode 10, and that by the Resistor 14 · and the capacitor 16 filter network formed removes components whose frequency is above the frequency band the signal information is »

Die Signale vom Detektor 12 werden auf den Vorverstärker 18 gekoppelt. Das Ausgangssignal vom Vorverstärker 18 wird einem zweiten Verstärker 4-2 zur weiteren Verstärkung zugeführt. Bei einer typischen Ausführungsform hst der Verstärker 18 einen Verstärkungsfaktor von 10, während der Verstärker 4-2 einen Verstärkungsfaktor von 100 hat» Die Ausgangssignale vom Verstärker 4-2 können nach geeigneter Verarbeitung auf die Antennenanschlüsse eines Fernsehempfängers gegeben werden, um ein Bild darzustellen.The signals from detector 12 are sent to the preamplifier 18 coupled. The output signal from the preamplifier 18 is fed to a second amplifier 4-2 for further amplification. In a typical embodiment, the amplifier 18 has a gain factor of 10, while the amplifier 4-2 has an amplification factor of 100 »The output signals from amplifier 4-2 can, after suitable processing, on the antenna connections of a television receiver are given, to display an image.

- 16- 16

Die bekannte Abnehmerschaltung nach Fig. 2 sendet HP-Strahlung aus und ist empfänglich für HP-Strahlung von außen. Die Ultrahochfrequenz der Erregungsspannung kann abgestrahlt werden (oder von außen empfangen werden) von der virtuellen Antenne, die sich durch die Abtastnadel und die Masseebene des Bildplattenspielers bildet. Bei bekannten Bildplattenspielern sind komplizierte Schaltungsmaßnahmen und aufwendige Abschirmungen angewandt worden, um die Abstrahlung nach außen (oder die Störung durch externe Strahlungsquellen) zu unterdrücken.The known pickup circuit according to FIG. 2 sends HP radiation and is susceptible to external HP radiation. The ultra-high frequency of the excitation voltage can be emitted (or received from outside) by the virtual antenna, which extends through the stylus and the ground plane of the Optical disc player forms. In known video disk players, complicated circuit measures and expensive shields are required been used to suppress the radiation to the outside (or the interference from external radiation sources).

Die Pig. 3 zeigt eine gleichspannungsbetriebene Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Basisband-Abnehmerschaltung, die einen Isolierschicht-Feldeffekttransistor verwendet. Bei dieser Schaltung, die keinen externen Oszillator benutzt, ist die HP-Abstrahlung nach außen und die Empfindlichkeit gegenüber externen Strahlungsquellen wesentlich geringer als bei der bekannten Abnehmerschaltung. Wenn eine solche gleichstrombetriebene Schaltung für die ßasisbandsignalabnahme verwendet wird, ist ein leitendes Gehäuse zur Abschirmung des Bildplattenspielers nicht notwendig, auch nicht in solchen Ländern, in denen die Emissionsnormen sehr streng sind.The Pig. 3 shows a DC voltage-operated embodiment of a baseband pickup circuit according to the invention, which uses an insulated gate field effect transistor. at of this circuit, which does not use an external oscillator, is the HP radiation to the outside and the sensitivity compared to external radiation sources much lower than with the known pickup circuit. If such a DC-operated circuit for the baseband signal decrease is used, a conductive housing for shielding the video disc player is not necessary, not even in such Countries where the emission standards are very strict.

Die dargestellte Schaltung enthält einen Isolierschicht-Feldeffekttransistor (IGPET) 100, der in Sourceschaltung ange- ordnet ist. Die Gateelektrode des IGFET 100 ist über einen gleichstromsperrenden Kondensator 102 mit der Elektrode der Abtastnadel gekoppelt. Die Kapazität zwischen der Nadelelektrode und der Bildplatte ist in Fig. 3 als Parallelschaltung zweier Kondensatoren G (t) und C dargestellt. Diese "Nadelkapazität" kann nämlich angesehen werden als Kombination einer festen Kapazität C , die bei typischen Bildplattensystemen z.B. in der Größenordnung von 0,5 pf liegt, mit einer sich zeitlich ändernden Kapazität G (t), die z.B. in der Größenordnung von 10""' pf liegt. Die Nadelelektrode ist durch eine Gleichspannung V vorgespannt, die im Bereich von 3 bis 15 Volt liegen kann.The circuit shown contains an insulating-gate field effect transistor (IGPET) 100, which is connected in a source circuit. is arranged. The gate electrode of the IGFET 100 is via a DC blocking capacitor 102 coupled to the electrode of the stylus. The capacitance between the needle electrode and the image plate is shown in Fig. 3 as a parallel connection of two capacitors G (t) and C. This "needle capacity" namely, can be viewed as a combination of a fixed capacitance C that is found in typical optical disk systems e.g. in the order of magnitude of 0.5 pf, with a capacitance G (t) that changes over time, e.g. in the Of the order of 10 "" 'pf. The needle electrode is biased by a DC voltage V, which can range from 3 to 15 volts.

- 17 -- 17 -

Die Drainelektrode des Transistors 100 ist über einen Drain-Lastwiderstand R^ mit einem Vorspannungspotential V, verbunden, das in der Größenordnung von 10 bis 15 Volt liegen kann. Zwischen die Sourceelektrode des IGFET 100 und ein Bezugspotential (z.B. Masse) ist ein Widerstand R_ geschaltet. Die Gateelektrode des Transistors 100 ist über einen Widerstand R mit Masse und über einen Widerstand R-u mit einem Vorspannungspotential V verbunden, das in der Größenordnung von 15 Volt liege. In bevorzugter Ausführungsform sind die Widerstände R und R^ hochohmig dimensioniert (ζ·Β· in der Größenordnung von 1 Megohm), so daß die Eingangsimpedanz der Einrichtung bei Signalfrequenzen die Gatekapazität G des IGFET ist. Parallel zum Widerstand R liegt ein großer Kondensator G , um den Widerstand R_g für Wechselstromsigna™ Ie praktisch kurzzuschließen«. Die Drain elektrode des IGFET 100 ist über einen gleichstromblockierenden Koppelkondensa*= tor 104 mit dem Eingang eines Vorverstärkers 1ß' verbunden»The drain electrode of transistor 100 is connected via a drain load resistor R ^ to a bias potential V i, which can be on the order of 10 to 15 volts. A resistor R_ is connected between the source electrode of the IGFET 100 and a reference potential (eg ground). The gate electrode of transistor 100 is connected to ground via a resistor R and to a bias potential V which is of the order of 15 volts via a resistor Ru. In a preferred embodiment, the resistors R and R ^ are dimensioned with high resistance (ζ · Β · in the order of magnitude of 1 megohm), so that the input impedance of the device at signal frequencies is the gate capacitance G of the IGFET. A large capacitor G is parallel to the resistor R in order to _{practically short-circuit the resistor R g} for alternating current signals «. The drain electrode of the IGFET 100 is connected to the input of a preamplifier 1ß 'via a DC blocking coupling capacitor 104 »

Nachstehend sei die Arbeitsweise der IGFET-Abnehmerschaltung erläutert.The following is the operation of the IGFET pickup circuit explained.

Während des Abspielens wird die Nadelkapazität (G(t)+C ) durch, eine Gleichspannung V_ beaufschlagt» Da sich C(t) zeitlich in Abhängigkeit von den Reliefänderungen im Rillenboden ändert, fließt durch den Kondensator 0(t) ein Wechselstrom i(t) von annähernd gleich:During playback, the needle capacity (G (t) + C) through, a direct voltage V_ is applied »Since C (t) temporally dependent on the changes in relief in the bottom of the groove changes, an alternating current flows through the capacitor 0 (t) i (t) of approximately equal:

i(-fc) = ν £-G£t2 . ' (1)i (-fc) = ν £ -G £ t2. ' (1)

s dts dt

Die Gatekapazität C des IGFET 100 ist in Fig„ 3 gestrichelt eingezeichnet. Für die Analyse im Falle kleiner Signalamplituden kann das vordere Ende der Abnehm er schaltung als eine Stromquelle (d.h. der Strom i(t) durch den Kondensator C(t)) parallel zum Kondensator C angesehen werden, der seinerseits als parallel zur Gatekapazität C angesehen werden kann» Somit ist die Gatespannung des IGFET 100 die Spannung an derThe gate capacitance C of the IGFET 100 is dashed in FIG drawn. For the analysis in the case of small signal amplitudes, the front end of the pick-up circuit can be used as a Current source (i.e. the current i (t) through capacitor C (t)) can be viewed in parallel with capacitor C, which in turn can be viewed as parallel to the gate capacitance C. Thus the gate voltage of the IGFET 100 is the voltage across the

- 18 -- 18 -

Gatekapazität. Die Gatespannung V ist das Integral desGate capacity. The gate voltage V is the integral of the

S
Stroms in der Summe der Kapazitäten, d.h.: S.
Current in the sum of the capacities, ie:

= ι /v_sd c(t) = c(t)v_s C2)= ι / v _s dc (t) = c (t) v _s C2)

Der Ausgangsstrom eines Feldeffekttransistors läßt sich ausdrucken:The output current of a field effect transistor can Express:

^ = Sm ^Vg . <*>^ = Sm ^V g. <*>

wobei g_m die Transkonduktanζ des Feldeffekttransistors ist. Daher läßt sich der Signalstrom ausdrucken durch die Gleichungwhere g _{m is} the transconductance of the field effect transistor. Therefore, the signal current can be expressed by the equation

^Vs ^V s

Der Strom i-, durch den Widerstand R-, erzeugt somit an der Drainelektrode des IGFET 100 eine Spannung, die sich im Einklang mit den Änderungen der Kapazität C(t) ändert. Der Vorverstärker 18· verstärkt das Ausgangssignal des IGFET 100 weiter. Das Ausgangssignal des Vorverstärkers 18' kann an eine geeignete Signalverarbeitungsschaltung zur Wiedergabe auf einen Fernsehempfänger gelegt werden.The current i-, through the resistor R-, is thus generated at the The drain electrode of the IGFET 100 has a voltage that is consistent changes with the changes in capacitance C (t). The preamplifier 18 amplifies the output signal of the IGFET 100 Further. The output signal of the preamplifier 18 'can be sent to a suitable signal processing circuit for reproduction placed on a television receiver.

Wachstehend, sei eine Analyse der Signalqualität einer IGFET-Abnehmerschaltung vorgeführt. In einem IGFET ist die Transkonduktanz im wesentlichen proportional zur Quadratwurzel des Produkts der Gatekapazität C und des Vorstroms (d.h. g = kVC "£)· Entsprechend der Gleichung (4) gilt also für denBelow is an analysis of the signal quality of an IGFET pickup circuit demonstrated. In an IGFET, the transconductance is essentially proportional to the square root of the Product of the gate capacitance C and the bias current (i.e. g = kVC "£) · According to equation (4), the following applies for the

Ausgangssignalstrom:Output signal current:

/V_o CCt)/ V _o CCt)

C5)C5)

- 19 -- 19 -

Der Schrotrauschstroin in einem IGFET kann ausgedrückt werden durch:The shot frenzy in an IGFET can be expressed by:

wobei q die Ladung eines Elektrons ist, I die Drain vor spannung und B eine nominelle Rauschbanäbreite. Unter Verwendung des Signalstroms nach Gleichung ('+) und des Rauschstroms nach Gleichung (5) läßt sich der Rauschabstand S/N (Verhältnis von Nutzsignal zu Rauschsignal) folgendermaßen ausdrucken:where q is the charge of an electron, I the drain before voltage and B a nominal noise bandwidth. Using the signal current according to equation ('+) and the noise current According to equation (5), the signal-to-noise ratio S / N (ratio of useful signal to noise signal) can be as follows Express:

Gemäß dieser Analyse hat der Rauschabstand ein Maximum für den Fall C = O . Eine ideale Einrichtung für den hier verfolgten Zweck sollte eine sehr hohe Eingangsimpedanz zur Anpassung an die Impedanz der Nadel haben. Aus diesem Grund wäre ein Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der eine Eingangskapazität von 20 bis 100 pf hat, nicht gut geeignet als Detektor in einem Bildplattenspieler. Isolierschicht-Feldeffekttransistoren aus Silizium haben eine Eingangs-Gatekapazität in der Größenordnung von wenigen Picofarad, und einige Bauelemente aus Galliumarsenid (GaAs) haben Gatekapazitäten von weniger als einem Picofarad. Ein weiteres Merkmal von GaAs-Bauelementen ist, daß der Faktor k sehr hoch ist. Solche IGFET-Bauelemente eignen sich sehr gut für die Abnehmerschaltung.Für den Fall, daß B gleich 30 KHz, Ce gleich 0,5 pf und der Maximalwert von C (t) gleich 10"" pf ist und ein Galliumarsenid-Mikrowellentransistor in der Abnehmerschaltung verwendet wird, wurde ein theoretischer Rauschabstand von 70 dB errechnet.According to this analysis, the signal-to-noise ratio has a maximum for the case C = O. An ideal facility for the here pursued Purpose should have a very high input impedance to match the impedance of the needle. For this reason a junction field effect transistor with an input capacitance of 20 to 100 pf would not be well suited as a detector in a video record player. Insulating gate field effect transistors made of silicon have an input gate capacitance on the order of a few picofarads, and some gallium arsenide (GaAs) devices have gate capacitances less than one picofarad. Another one A characteristic of GaAs components is that the factor k is very high is. Such IGFET devices are very suitable for the Pickup circuit. In the event that B equals 30 KHz, Ce is 0.5 pf and the maximum value of C (t) is 10 "" pf and a gallium arsenide microwave transistor is used in the pickup circuit, it became a theoretical one Calculated signal-to-noise ratio of 70 dB.

Das Ausgangssignal der Nadelelektrode ist proportional der Vorspannung V_g. Im allgemeinen bringen höhere VorspannungenThe output of the needle electrode is proportional to the bias voltage V _g . Generally bring higher biases

- 20 -- 20 -

ein besseres Ausgangssignal. Die Vorspannung V ist jedoch, begrenzt auf den Wert der Durchschlagsspannung zwischen der Nadelelektrode und der Plattenoberfläche.a better output signal. However, the bias voltage V is limited to the value of the breakdown voltage between the needle electrode and the plate surface.

Die Verwendung der gleichspannungsbetriebenen Basisband-Abnehmerschaltung nach Fig. 3 bat mehrere Vorteile. An erster Stelle sei erwähnt, daß der Pail der Gleichvorspannung zu einem System führt, bei welchem im allgemeinen keine Abschirmung für den Bildplattenspieler notwendig ist. Die Abstrahlung nach außen ist praktisch vernachläßigbar, und das System ist auch nicht empfindlich gegenüber Strahlungsquellen, die extern vom Plattenspieler liegen. Ein weiterer Vorteil der gleichspannungsbetriebenen Basisband-Abnehmerschaltung ist ihre extrem große Bandbreite. Dies ist ein Unterschied zum ultrahochfrequenzgekoppelten System, bei welchem die Bandbreite bei der Wahl der Erregungsfrequenz und des Q-Wertes der Schaltung berücksichtigt werden muß. Weitere Vorteile der Basisband-Abnehmerschaltung sind die Einfachheit der Schaltung (d.h. keine Notwendigkeit zu Justierungen und zur Abstimmung des Schwingkreises wie in bekannten Fällen) und ihre geringen Kosten.The use of the DC-powered baseband pickup circuit according to Fig. 3 had several advantages. At first It should be mentioned that the Pail is the DC bias results in a system in which shielding for the video disc player is generally unnecessary. The radiation to the outside is practically negligible, and the system is also not sensitive to radiation sources, which are external to the turntable. Another advantage of the DC-powered baseband pickup circuit is their extremely wide range. This differs from the ultra-high frequency coupled system in which the Bandwidth must be taken into account when choosing the excitation frequency and the Q value of the circuit. Other advantages of the baseband pickup circuit are the simplicity of the circuit (i.e. no need for adjustments and for tuning the resonant circuit as in known cases) and their low cost.

Die mit Gleichvorspannung betriebene Abnehm er schaltung kann jedoch auch einige Probleme bringen. So ist z.B. ein Abnehmersystem mit Gleichvorspannung viel empfindlicher gegenüber reibungselektrischen Effekten, d.h. gegenüber der Ladung, die sich an der Aufzeichnungsplatte infolge der Reibung zwischen der Abtastnadel und der Plattenoberfläche aufbaut. Entladungen überschüssiger Ladung an der Grenzschicht zwischen Nadel und Platte können den Rauschabstand verschlechtern. Außerdem kann das weiter oben erwähnte 1/f-Rauschen des Feldeffekttransistors das Ansprechverhalten der Abnehmerschaltung bei niedrigen Frequenzen beeinträchtigen.The consumer circuit operated with DC bias can however also bring some problems. For example, there is a customer system with DC bias is much more sensitive to triboelectric effects, i.e. to the charge that builds up on the recording disk due to the friction between the stylus and the disk surface. Discharges Excess charge at the needle-plate interface can degrade the signal-to-noise ratio. aside from that can the above-mentioned 1 / f noise of the field effect transistor the response behavior of the pickup circuit affect low frequencies.

In der Fig. 4 ist eine Ausführungsform einer Feldeffekttransistor-Abnehmerschaltung für einen Bildplattenspieler dargestellt, mit welcher einige der Probleme, die bei gleichspan-4 shows an embodiment of a field effect transistor pick-up circuit for an optical disc player, with which some of the problems that occur with

- 21 -- 21 -

nungsbetriebenen Breitband-Abnehmerschaltungen auftreten, überwunden werden können. In der Anordnung nach Pig. 4- ist die Abtastnadel durch ein Wechselstromsignal "vorgespannt"» Bei dieser Anordnung läßt sich das Wechselstromsignal so wählen, daß die bei bekannten Einrichtungen auftretenden Strahlungsprobleme vermindert oder beseitigt werden.voltage-operated broadband pick-up circuits occur, can be overcome. In the arrangement of Pig. 4- the stylus is "biased" by an alternating current signal » With this arrangement, the alternating current signal can be selected so that that which occurs in known devices Radiation problems are reduced or eliminated.

Die Pig, 4- zeigt einen Isolierschicht-Feldeffekttransistor 100', der in Sourceschaltung angeordnet ist. Der Transistor 100' ist auf seinen Arbeitspunkt in der gleichen Weise vorgespannt, wie es für den Transistor 100 in Fig. 5 beschrieben wurde. Die Gateelektrode des Transistors 100' ist mit einem Ende der Sekundärwicklung eines Transformators 20? verbunden. Das andere Ende der Sekundärwicklung des Transformators 202 ist an ein Bezugspotential (Masse) angeschlossen· Die Nadelelektrode ist mit einem Ende 206 der Primärwicklung 204· des Transformators 202 in einer Wechselstrom-Brückenschaltung 200 gekoppelt· Die Primärwicklung 204- hat eine Mittenanzapfung 208, an die eine Wechselstromquelle 210 angeschlossen ist. Das Ende 212 der Primärwicklung 204- ist mit einem Ausgleichskondensator C^ verbunden. Der Kondensator C^, die Quelle 210 und die Aufzeichnungsplatte (andere Seite der Kondensatoren C (t)' und O₁) sind an einem gemeinsamen Anschluß mit dem Bezugspotential (Masse) verbunden. Der Wert des Kondensators C-. ist so gewählt, daß die Brückenschaltung den Feldeffekttransistor nicht mit dem Wecbselstromsignal überlastet. Allgemein wird es günstig sein, den Kondensator 0, im wesentlichen gleich der Kapazität.C₀, zu machen«Pig, 4- shows an insulating-layer field effect transistor 100 'which is arranged in a source circuit. The transistor 100 'is biased to its operating point in the same manner as was described for the transistor 100 in FIG. The gate electrode of the transistor 100 'is connected to one end of the secondary winding of a transformer 20? tied together. The other end of the secondary winding of the transformer 202 is connected to a reference potential (ground) The needle electrode is coupled to one end 206 of the primary winding 204 of the transformer 202 in an AC bridge circuit 200 The primary winding 204- has a center tap 208 to which an AC power source 210 is connected. The end 212 of the primary winding 204- is connected to a compensation capacitor C ^. The capacitor C ^, the source 210 and the recording plate (other side of the capacitors C (t) 'and O ₁ ) are connected to the reference potential (ground) at a common connection. The value of the capacitor C-. is chosen so that the bridge circuit does not overload the field effect transistor with the AC signal. In general it will be convenient to make the capacitor 0, essentially equal to the capacitance. C ₀ "

Im Betrieb werden die Änderungen der Kapazität C (t)' als eine Modulation des von der Quelle 210 gelieferten Wechselstromsignal gefühlt. Wenn sich C (t)' zeitlich ia Abhängigkeit von den Reliefänderungen am Rillenboden ändert, schwankt die Amplitude des Signals von der Quelle 210 entsprechend diesen Änderungen. Der IGFET 100' verstärkt das Signal von der Brückenschaltung 200 und liefert ein Ausgangssignal an einen Vorverstärker 18"» Wie oben beschrieben, bringt derIn operation, the changes in the capacitance C (t) 'are called a modulation of the AC signal provided by source 210 is sensed. If C (t) 'is generally dependent on time changes from the changes in relief at the bottom of the groove, fluctuates the amplitude of the signal from source 210 corresponding to these changes. The IGFET 100 'amplifies the signal from of the bridge circuit 200 and provides an output signal a preamplifier 18 "» As described above, the

-» 22 —- »22 -

Vorverstärker eine zusätzliche Verstärkung des Signals vom IGPET 1OO¹. Das amplitudenmodulierte Signal vom Vorverstärker 18" wir auf einen Demodulator 300 gegeben, worin es durch Synchrondemodulation demoduliert wird. Zu diesem Zweck ist die Wechselstromquelle 210 auch mit dem Demodulator 300 verbunden. Im Demodulator 300 wird die Amplitudenmodulation vom Träger-Wechselstromsignal abgenommen, um ein Basisband-Ausgangssignal zu erzeugen, das den signalverarbeitenden Schaltungen des Bildplattenspielers zugeführt werden kann.Preamplifier an additional amplification of the signal from the IGPET 1OO ¹ . The amplitude-modulated signal from the preamplifier 18 ″ is fed to a demodulator 300, in which it is demodulated by synchronous demodulation. For this purpose, the alternating current source 210 is also connected to the demodulator 300. In the demodulator 300, the amplitude modulation is picked up from the carrier alternating current signal, around a baseband To generate an output signal that can be fed to the signal processing circuitry of the video disc player.

Wenn der Ausgleichskondensator C, so dimensioniert wird, daß er nicht gleich der Kapazität C ' ist, dann kann der Synchrondemodulator 300 durch einen Hüllkurvendetektor ersetzt werden. Ist CL gleich C gewählt (d.h. die Brückenschaltung ist nominell abgeglichen), dann ist das amplitudenmodulierte Signal ein Zweiseitenbandsignal mit unterdrücktem Träger. In diesem Fall wird ein Synchrondemodulator benötigt, um die Amplitudenmodulation zu demodulieren. Wenn andererseits der Ausgleichskondensator C^ die Brückenschaltung nicht nominell abgleicht (d.h. G^ ist nicht gleich C_e'), dann ist das vom Feldeffekttransistor gefühlte Signal ein Signal mit Zweiseitenband-Amplitudenmodulation, das entweder durch einen Synchrondemodulator oder einen Hüllkurvendetektor demoduliert werden kann. Für diesen zweiten Fall muß jedoch CV so gewählt sein, daß das Wechselstromsignal den Transistor 100' oder den Verstärker 100" nicht übersteuert.If the equalizing capacitor C 1 is dimensioned in such a way that it is not equal to the capacitance C ′, then the synchronous demodulator 300 can be replaced by an envelope curve detector. If CL is selected to be equal to C (ie the bridge circuit is nominally balanced), then the amplitude-modulated signal is a double sideband signal with a suppressed carrier. In this case a synchronous demodulator is required to demodulate the amplitude modulation. On the other hand, if the compensation capacitor C ^ does not nominally balance the bridge circuit (i.e. G ^ is not equal to C _e '), then the signal sensed by the field effect transistor is a signal with double sideband amplitude modulation, which can be demodulated by either a synchronous demodulator or an envelope detector. For this second case, however, CV must be selected in such a way that the alternating current signal does not overdrive the transistor 100 'or the amplifier 100 ".

Für die Schaltung nach Fig. 4- kann eine Schwingkreisanordnung verwendet werden, um die Empfindlichkeit des Feldeffekttransistor-Detektors zu verbessern. Hierzu kann dem Gate-Eingang des IGFET's 100' zusätzlich eine Induktivität parallelgeschaltet werden, um eine Resonanzspitze bei oder nahe der Frequenz der Wechselstromquelle 210 nach Fig. 4 zu erhalten.A resonant circuit arrangement can be used for the circuit according to FIG. 4- to increase the sensitivity of the field effect transistor detector to improve. For this purpose, an inductance can also be connected in parallel to the gate input of the IGFET 100 ′ to obtain a resonance peak at or near the frequency of the AC power source 210 of FIG.

Bei der Anordnung nach Fig. 4 kann die Frequenz des Wechselßtrom-Treibsignals so gewählt werden, daß die Abstrahlung vermindert wird. Bei der bekannten ultrahochfrequenzgekoppel-In the arrangement of Fig. 4, the frequency of the AC drive signal be chosen so that the radiation is reduced. In the known ultra-high frequency coupled

- 23 -- 23 -

ten Abnehmerschaltung liegt die Wellenlänge des UHF-Signals innerhalb des Bereichs von 0,1 bis 1 m. Die Wellenlänge dieses Signals ist so, daß die Dimensionen der-Fugen und Öffnungen im Plattenspieler nach Fig. 1 geeignet sind, dieses kurzwellige UHF-Signal durchzulassen. Wenn die Wellenlänge des Treibsignals so gewählt ist, daß die Dimensionen der öffnungen und Fugen des Plattenspielers im Vergleich zu dieser Wellenlänge klein sind, dann lassen diese Öffnungen und Fugen das Signal nicht durch. Ein Treibsignal einer Frequenz von 20 MHz beispielsweise hat eine Wellenlänge in der Größenordnung von 15 m. Da die größe Abmessung des Plattenspielers ein sehr kleiner Bruchteil der Wellenlänge eines 20-MHz-Signals ist, lassen die öffnungen und Fugen im allgemeinen die Strahlung nicht nach außen durch. Daher ist eine Abschirmung der Öffnungen und Fugen nicht notwendig, solange die obere und die untere Hälfte des Plattenspielers mit einem leitenden Material beschichtet sind.th pickup circuit is the wavelength of the UHF signal within the range of 0.1 to 1 m. The wavelength of this signal is such that the dimensions of the joints and openings in the turntable of Fig. 1 are suitable, this pass shortwave UHF signal. If the wavelength of the drive signal is chosen so that the dimensions of the Openings and joints of the turntable compared to this one Wavelength are small, then leave these openings and Don't put the signal through. For example, a drive signal at a frequency of 20 MHz has a wavelength on the order of magnitude of 15 m. As the size of the turntable a very small fraction of the wavelength of a 20 MHz signal is, the openings and joints generally leave the Radiation does not get through to the outside. It is therefore not necessary to shield the openings and joints as long as the upper one and the lower half of the turntable are coated with a conductive material.

Die Ausführungsform nach Fig. 4- kann auch abgewandelt werden. Beispielsweise kann mit einer Kombination von Quellen, Strom und Spannung das Signal an der Gateelektrode des Feldeffekttransistors ohne Verwendung des Differentialtransformators 204- und der Kapazität C^ ausbalanciert werden.The embodiment according to Fig. 4- can also be modified. For example, with a combination of sources, current and voltage, the signal at the gate electrode of the field effect transistor can be balanced without using the differential transformer 204- and the capacitance C ^.

In Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsform einer Abnehmerschaltung mit Feldeffekttransistor dargestellt. Diese Schaltung enthält einen Doppelgate-Isolierscbicht-Feldeffekttransistor 400, der in Sourceschaltung angeordnet ist. Eine Gateelektrode 4-10 des Transistors 4-00 ist über eine Bandsperre 4-20 mit der Elektrode der Abtastnadel gekoppelt. Die Kapazität zwischen der Nadelelektrode und der Bildplatte ist in Fig. 5 als Parallelschaltung zweier Kondensatoren C (t) und 0 dargestellt. Die Kapazität zwischen Nadel und Platte läßt sich darstellen durch eine feste Kapazität wie C_Q, die bei typischen Bildplattensystemen z.B„ in der Größenordnung von 0,5 pf liegen kann, und eine sich zeitlich, ändernde Kapazität wie G (t), die z.B. in der Größenordnung von 10"^In Fig. 5, a further embodiment of a pickup circuit with field effect transistor is shown. This circuit contains a double gate insulating layer field effect transistor 400 which is arranged in a source circuit. A gate electrode 4-10 of the transistor 4-00 is coupled to the electrode of the scanning needle via a bandstop filter 4-20. The capacitance between the needle electrode and the image plate is shown in FIG. 5 as a parallel connection of two capacitors C (t) and 0. The capacitance between needle and plate can be represented by a fixed capacitance such as C _Q , which in typical optical disk systems can be, for example, "in the order of magnitude of 0.5 pf, and a capacitance that changes over time, such as G (t), which is, for example, in of the order of 10 "^

liegt. Die Nadelelektrode ist durch eine Gleichspannung V vorgespannt, die in der Größenordnung von 12 Volt liegen kann.lies. The needle electrode is by a direct voltage V. biased, which can be on the order of 12 volts.

Die andere Gateelekfcrode 430 ist mit einem lokalen Oszillator (überlagerungsoszillator) 440 gekoppelt, der ein Signal einer Frequenz f._Q liefert. Die Gate elektroden 440 und 410 sind durch jeweils eine Spannung V^ bzw. Vg ^von ungefähr 2 Volt vorgespannt. Die Drainelektrode 450 des Transistors 400 ist über einen Drain-Lastwiderstand E, mit einem Vorspannungspotential V^ gekoppelt, das in der Größenordnung von 8 Volt liegen kann. Die Sourceelektrode 460 ist mit einem Bezugspotential (z.B. Masse) verbunden. Die Drainelektrode 450 ist ferner mit der Eingangsseite eines Verstärkers verbunden, der seinerseits mit einem Demodulator 480 gekoppelt ist. Der Ausgang des Demodulators 480 ist mit einer geeigneten Schaltungsanordnung zur Verarbeitung der aufgezeichneten Information gekoppelt. Eine allgemeine Beschreibung einer geeigneten Verarbeitungsschaltung findet sich z.B. in der US-Patentschrift 3 969 756.The other Gateelekfcrode 430 is coupled to a local oscillator (local oscillator) 440, a signal of a frequency f of the supplies. _Q. The gate electrodes 440 and 410 are ^{biased by a voltage V ^ and Vg of} approximately 2 volts, respectively. The drain electrode 450 of the transistor 400 is coupled via a drain load resistor E 1 to a bias potential V ^ which can be on the order of 8 volts. The source electrode 460 is connected to a reference potential (eg ground). The drain electrode 450 is also connected to the input side of an amplifier, which in turn is coupled to a demodulator 480. The output of the demodulator 480 is coupled to suitable circuitry for processing the recorded information. For a general description of suitable processing circuitry, see, for example, US Pat. No. 3,969,756.

Nachstehend sei die Arbeitsweise der mit Doppelgate-Feldeffekttransistor ausgestatteten Abnehmersehaltung erläutert. Während des Abspielens wird die Nadelkapazität (C(t)+C ) von der Gleichspannung V beaufschlagt. Wenn sich während des Abspielvorgangs die Kapazität C (t) in zeitlicher Abhängigkeit von den Reliefänderungen im Rillenboden der Bildplatte ändert, fließt durch diese Kapazität ein Wechselstrom i (t) gemäß folgender Gleichung:The following is the operation of the double gate field effect transistor equipped customer attitude explained. During playback, the needle capacitance (C (t) + C) is acted upon by the direct voltage V. If during of the playback process the capacity C (t) as a function of time of the changes in relief in the groove bottom of the image plate changes, an alternating current i (t) flows through this capacitance according to the following equation:

dO(t)dO (t)

= ^vs -dt— ·= ^v s -dt- ·

Zur Analyse für kleine Signalamplituden kann das vordere Ende der Abnehmerschaltung durch eine Stromquelle (d.h. den Strom durch den Kondensator G (t)) parallel zum Kondensator G_& dargestellt werden, der seinerseits parallel zur Gatekapazität 0 der Gatelektrode 410 liegt. Somit ist die Gate-S For analysis for small signal amplitudes, the front end of the pickup circuit can be represented by a current source (ie the current through the capacitor G (t)) parallel to the capacitor G _& , which in turn is parallel to the gate capacitance 0 of the gate electrode 410. Thus the Gate-S

- 25 -- 25 -

spannung des Feldeffekttransistors 400 die Spannung an der Gatekapazität, vorausgesetzt die !Impedanz der Bandsperre 420 ist bei den Signal frequenzen veranachlsßipibgr. Die G-atospannung V ist das Integral des Stroms in der Summe dervoltage of the field effect transistor 400 is the voltage at the gate capacitance, provided the impedance of the bandstop filter 420 is responsible for the signal frequencies. The G-atomic voltage V is the integral of the current in the sum of the

Kapazitäten, d.h.:Capacities, i.e .:

OCt)-V₈ OCt) -V ₈

/ s ir/ s ir

g J ^s ■ °e ^{+ G}gg J ^s ■ ° e ^{+ G} g

Der durch den Transistor 4-00 fließende Strom i= ist durch die an die Gateelektroden -'MO und 4-f>0 angel ept en S.ignn"! e amplitudenmoduliert. Der Strom :i, bewirkt; längs des Widerstandes R, an der Drainelektrode des Transistors 4-00 eine Spannung, 'die sich im Einklang mit den geometrischen Aide-» rungen des Rillenbodens«, gemischt mit der Frequenz des Überlagerungsoszillators, änderte V/enn z„B„ die Oszillatorfrequenz auf 20 MHz gewählt ist, enthält der durch den Widerstand R-, fließende Strom Komponenten mit einem oberen Seitenband, das sich von 20,666 bis 29*3 MHz erstreckt, wenn die Aufzeichnung das Format gemäß der eingangs erwähnten Ifö-Patentschrift 3 842 194 hat» Der Verstärker 4?0 verstärkt das Ausgangssignal des Transistors 400 weiter. Das modulierte Signal vom Verstärker 470 wird auf den Demodulator 480 gegeben, worin es wieder in das auf der Platte vorhandene Basisbandsignal rückumgesetzt wird» Der Verstärker 470 und der Demodulator 480 können z.B." auf die Frequenzen des oberen Seitenbandes des vom Transistor 400 gelieferten Signals abgestimmt sein. Das ausgangsseitige Basisbandsignal wird auf die Signalverarbeitungsschaltung des Bildplattenspielers gegeben.The current i = flowing through the transistor 4-00 is through which are attached to the gate electrodes -'MO and 4-f> 0 ept en S.ignn "! e amplitude modulated. The current: i, causes; along the resistance R, at the drain electrode of the transistor 4-00 a Tension, 'which is in line with the geometric aide- » rungen des Rillenboden «, mixed with the frequency of the local oscillator, changed V / enn z "B" the oscillator frequency is selected to be 20 MHz, the current flowing through resistor R-, contains components with an upper sideband, that extends from 20.666 to 29 * 3 MHz, if the recording the format according to the Ifö patent mentioned at the beginning 3,842,194 wrote "The amplifier 4? 0 amplified the output of transistor 400 continues. The modulated signal from amplifier 470 is fed to demodulator 480, in which it is converted back into the baseband signal present on the disk »The amplifier 470 and the demodulator 480 can, for example, "on the frequencies of the upper sideband of the signal supplied by the transistor 400" be coordinated. The baseband signal on the output side is sent to the signal processing circuit of the video disc player given.

Der Transistor 400 bewirkt allgemein eine ausgezeichnete Entkopplung gegenüber dem Überlagerungsoszillator» Er vermindert eine Durchkopplung des Überlagerungsoszillators zu der zwisehen Nadel und Plattenoberfläche gebildeten virtuellen Antenne. In Fällen jedoch, wo diese Entkopplung nicht ausreicht, kann zwischen den Transistor und die Nadelkapazität ein Sperr-The transistor 400 generally provides excellent decoupling compared to the local oscillator »He diminishes a coupling of the local oscillator to the two Needle and plate surface formed virtual antenna. However, in cases where this decoupling is not sufficient, a blocking-

filter 4-20 (d.h. ein Kerbfilter) eingefügt werden, um das vom Überlagerungsoszillator 4-4-0 stammende Signal auszufiltern. filter 4-20 (i.e. a notch filter) can be added to the to filter out the signal coming from the local oscillator 4-4-0.

Claims

1. Playback device for retrieving information recorded along an information track on the surface of a recording disk as changes in the geometry of the information track, characterized by a scanning needle with a conductive electrode (0 _e ) and a field effect transistor (100) for detecting admittance changes between the conductive electrode on the stylus and the surface of the recording disk during playback of the disk.

2. Playback device according to claim 1, characterized in that that the information is recorded within a frequency band of a few megahertz »

3. Player according to claim 2 in the event that the information track as a spiral groove on the surface of the

Recording disk is formed, characterized in that that the stylus for engaging the spiral groove during playback of the recording disk is arranged.

4. Player according to claim 3 »characterized by a Device for producing a relative movement between the stylus and the spiral groove.

5 player according to one of the preceding claims, characterized in that the conductive electrode is through a DC voltage is biased.

6. Player according to one of claims 1 to 4 ·, characterized characterized in that with the conductive electrode a Source (210) of an alternating current of a given Fre ** sequence is connected.

(7 · j player according to claim 6, characterized in that the electrode on the scanning needle and the geometric changes in the information track form a first capacitor, which can be represented essentially by a first fixed capacitance (Ce) parallel to a time-changing capacitance for the recorded information characteristic capacitance (C (t) '); that a second capacitor (C \) is coupled to the alternating current source (210), which capacitor forms a V / echselstrom bridge circuit with the first capacitor; that with the alternating current bridge circuit a Field-effect transistor (100 ') is coupled in order to detect a signal which appears as a signal of the given frequency of the alternating current, which is amplitude-modulated as a result of the time-varying capacitance.

8. Playback device according to claim 7, characterized in that the capacitance value of the second capacitor (CL) in the essentially equal to the capacitance value of the first fixed

Capacitance (C ₀ ,) and that a synchronous demodulator (300) is connected to the field effect transistor (100 ') in order to demodulate the signal modulated in accordance with the capacitance which changes over time and thereby produce an output signal representative of the recorded information. the.

9. Playback device according to claim 7, characterized in that the Kapzitätswert of the second capacitor differs from the capacitance value of the first fixed capacitance and that an envelope detector with the field effect transistor is connected to the modulated signal according to the time-changing capacity demodulate and thus deliver an output signal representative of the recorded information.

10. Player according to one of claims 6 to 9 * thereby characterized in that a housing is provided with conductive surfaces in order to shield an emission of the To prevent alternating current as high-frequency interference signals, and that the wavelength of the alternating current is large in comparison to any outside dimension of the housing.

11. Playback device according to one of the preceding claims, characterized in that the field effect transistor (100 ') is an insulated gate field effect transistor.

12. Player for reproducing an information signal that is longitudinally in a first given frequency band a recording track on a surface of a recording disk in the form of changes in geometry the information track is recorded, characterized by:

a stylus designed to follow the information trail with a conductive electrode for sensing of signals that vary according to the changes in capacitance (C (t)) between the electrode and a conductive

tend to change the material of the information track, with the changes in capacity corresponding to changes in the geometry correspond to the information track; a double gate field effect transistor (4-00), whose a gate electrode (410) with the conductive electrode is coupled;

a source (44-0) of high frequency signals connected to the second gate electrode of the double gate field effect transistor is coupled,

wherein the double gate field effect transistor changes the capacitance detected and the detected changes in capacitance with the high-frequency signals from the Source mixes to produce an output signal of a second given frequency band. 15th

13 · Playback device according to claim 12, characterized in that that the first given frequency band is a few megahertz wide.

14. Playback device according to claim 13, characterized in that the conductive electrode of the stylus _{is biased by a DC voltage (V g} ) of a given polarity.

15. Playback device according to claim 14, characterized in that that a notch filter (420) is inserted between the conductive electrode and the first gate electrode (4-10), to block the passage of the high frequency signals to the stylus.

16. Playback device according to claim 14, characterized by a demodulator (480) which the output signal of the Doppelgste field effect transistor (400) demodulated to an information signal in the first given frequency band

■ ^/ ) 5 to deliver.