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DE3209577A1 - Isoliertes hochspannungskabel - Google Patents

Isoliertes hochspannungskabel

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Publication number
DE3209577A1
DE3209577A1 DE19823209577 DE3209577A DE3209577A1 DE 3209577 A1 DE3209577 A1 DE 3209577A1 DE 19823209577 DE19823209577 DE 19823209577 DE 3209577 A DE3209577 A DE 3209577A DE 3209577 A1 DE3209577 A1 DE 3209577A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sic
layer
cable according
thick
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19823209577
Other languages
English (en)
Inventor
Andrew 06483 Oxford Conn. Hvizd jun.
Richard Thomas 06792 Middlebury Conn. Pye
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harvey Hubbell Inc
Original Assignee
Harvey Hubbell Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Harvey Hubbell Inc filed Critical Harvey Hubbell Inc
Publication of DE3209577A1 publication Critical patent/DE3209577A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B9/00—Power cables
    • H01B9/02—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients
    • H01B9/027—Power cables with screens or conductive layers, e.g. for avoiding large potential gradients composed of semi-conducting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B9/00—Power cables
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S174/00—Electricity: conductors and insulators
    • Y10S174/13—High voltage cable, e.g. above 10kv, corona prevention
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    • Y10S174/27—High voltage cable, e.g. above 10kv, corona prevention having a plural-layer insulation system including a semiconductive layer
    • Y10S174/28—Plural semiconductive layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S174/00—Electricity: conductors and insulators
    • Y10S174/13—High voltage cable, e.g. above 10kv, corona prevention
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Landscapes

  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Insulated Conductors (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

ISOLIERTES HOCHSPANNUNGSKABEL
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf verbesserte isolierte Hochspannungskabel. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Verbesserung des Kabelaufbaus, der die elektrischen Verluste in der gesamten Kabelkonstruktion verringert.
Normal isolierte Kabel, die ausqelegt sind, um eine hohe Last zu übertragen, z.B. 2000 -130 000 Volt, sind schwerwiegenden Nachteilen dadurch ausgesetzt, daß Unzulänglichkeiten auftreten, insbesondere solche, die sich als Löcher darstellen, die geneigt sind, zwischem dem Leiter und der Isolierung und zwischen der Isolierung und der äußeren Umhüllung aufzutreten. Der elektrische Qualitätsverlust, der bei diesen Störstellen auftritt, wird durch Ionisation und andere mögliche elektrische Erscheinungen offensichtlich und führt zu einem schnellen Zusammenbrechen der Isolierung bei diesen Störstellen. Das Zusammenbrechen tritt durch ernsthafte dielektrische Verluste oder ein komplettes Ausfallen der Isolation durch das sog. "Treeing" Phänomen zu Tage.
Bankverbindung: Bayer. Vereinibank München, Konto 620404 (BLZ70020270) ■ Poit.checkkonto: München 27044-802 (BLZ 70010080)
(nur PA Dipl.-Ing. S. Staeger)
3201577
In der US-Patentschrift Nr„ 3 287 489 von Hvizd, deren Offenbarung in dieser Beschreibung bezugnehmend aufgenommen ist, beschreibt ein Mittel zur Überwindung der Nachteile, die bei auf konventionelle Weise isolierten Kabeln auftreten, durch Isolieren des Leiters eines Hochspannungskabels mit einem laminaren Isoliermaterial einer speziellen Konstruktion. Die laminare Isolation weist eine dicke Lage Isoliermaterial mit einer niedrigen spezifischen induktiven Kapazität (im nachfolgenden als SIC bezeichnet) auf, z.B. im Bereich von 2 bis 4,5 und eine dünne Lage Isoliermaterial mit einer hohen SIC, z.B. im Bereich zwischen ungefähr 10 bis ungefähr 25.
Auf diese Weise wird gemäß der Lehre des Patents US-PS 3 287 von Hvizd jr. ein isoliertes Hochspannungskabel vorgeschlagen, das einen zentralen Kern aus Metall mit hoher Leitfähigkeit und eine äußere metallische Umhüllung aufweist. Die laminare Isolation ist zwischen dem Kern und der Umhüllung angeordnet. Diese laminare Isolation weist eine dicke Lage Isoliermaterial mit niedriger spezifischer induktiver Kapazität und eine dünne Lage Isoliermaterial mit einer hohen spezifischen induktiven Kapazität auf, welche mindestens die Fläche der dicken Lage des Isoliermaterials SIC umgibt. Die Erklärung der Eigenschaften der "hohen SIC" und ein SIC-Wert, der mit zunehmender Temperatur zunimmt, liegt in der Grundcharakteristik bestimmter Polymere, welche als "Dipol Moment" bekannt ist. Bestimmte Polymere enthalten polare Moleküle , welche ein Dipol-Moment aufweisen. Diese polymere Strukturcharakteristik ist bekannt und begründet auf einem besonderen Typ von Atom oder Gruppe von Atomen, wie z.B. ein Halogen, das eine Ladung trägt und räumlich so arrangiert ist, daß eine Bewegung in einem Wechselstromfeld möglich ist. Das Messen des Effekts des Dipol - Moments eines Elements oder einer Gruppe in einem Wechselstromfeld, wurde frei als "Molekularreibung" bezeichnet, wobei ein Anzeichen davon SIC und der Leistungsfaktor ist.
Daher weisen Hydrocarbonpolymere ohne Polarmoleküle eine niedrige "SIC" auf, z.B. bei Raumtemperatur weniger als 4, und sind temeperaturstabil. Diejenigen Polymere, die Polarmoleküle aufweisen, haben bei Raumtemperatur eine hohe SIC (4 - 12) und sind mit zunehmender Temperatur instabil, z.B. haben manche einen positiven Temperaturkoeffizienten und manche einen negativen.
Die US-Patentschrift '4 89 von Hvizd hat keine Werte für den Leistungsfaktor oder tan 6 der Isolationslagen angegeben, da dieses als Eigenschaft galt, die im Verhältnis zu der SIC in der Formulierung der Isolationskomposition gesetzt wurde. In der Tat, das Verhältnis tan &/ SIC der Isolationslagen, -das in diesem Patent für einen Betriebsbereich offenbart worden ist, fiel zwischen 0,006 und 0,022. Dies kann zu dielektrischen Verlusten in den Lagen mit einer hohen SIC führen, die sich dem Verlust in der ersten Isolation nähern und ihn überschreiten, abhängig von der verwendeten ersten Isolation und deren relative Dicke im Vergleich zu den normalerweise dünneren Lagen mit hoher SIC. Die dielektrischen Verluste vergrößern die Verluste der Wattleistung in dem Kabel und erhöhen dadurch die Kosten der elektrischen Stromübertragung. Obwohl die dielektrischen Verluste für eine kurze Kabellänge nicht hoch signifikant zu sein brauchen, kumulieren bei der Verwendung, welche Kabel mit einer Länge von mehr als einer Meile erfordern, die Verluste über die Kabellänge und können die Brauchbarkeit eines besonderen Kabels für eine solche Verwendung vom Standpunkt der Kosten signifikant beeinträchtigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein isoliertes Hochspannungskabel der genannten Gattung zu schaffen, bei der die oben erwähnten Nachteile vermieden werden. Erfindungsgemäß können die dielektrischen Verluste bei einem isolierten Hochspannungskabel dadurch beträchtlich reduziert werden,
3208577
daß der Leiter eines solchen Kabels mit mindestens zwei laminaren Lagen von isolierendem Material umgeben ist. Mindestens eine dieser Lagen aus Isoliermaterial ist relativ dick und hat einen niedrigen SIC. Mindestens eine andere Lage des isolierenden Material, welche sich in Berührung und auf der Oberfläche der Lage mit dem niedrigen SIC befindet, ist relativ dünn und hat ein hohes SIC und ein.Verhältnis tan θ/SIC, das nicht größer ist als 0,005 und vorzugsweise weniger als 0,004, bezogen auf einen Betriebstemperaturbereich von ca. 40° bis 90 C. Des weiteren ist vorteilhafterweise vorgesehen, daß die dielektrische Durchschlagsfestigkeit des Isoliermaterials der Lage mit der hohen SIC einen Wert aufweist, der nicht geringer als der Quotient als(i500/SIc) Volt per mil, wenn der Wert des SIC 7 oder mehr beträgt.
Des weiteren ist vorteilhafterweise vorgesehen, daß das Verhältnis tan θ/SIC für den Temperaturbereich von 2O°C bis 150°C einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist. Diese Erfindung schlägt eine Isolierung eines Kabels vor, bei der ein Schutz gegen konzentrierte elektrische Energie oder Spannungsbelastung an jedem Punkt gegeben ist, der fehlerhaft werden könnte, wodurch die Lebensdauer des Kabels vorzeitig verkürzt würde, während keinerlei signifikante zusätzliche dielektrische Verluste des Kabels auftreten.
Im folgenden werden erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäß aufgebautes Kabel,
~ Jo ~
Pig. 2 einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäß aufgebauten Kabels,
Fig. 3 einen Querschnitt eines weiteren Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Kabels,
Fig. 4
und 5 eine graphische Darstellung des SIC-Verhaltens des tancT und des Verhältnisses (Quotient) tan θ/SIC bei variierender Temperatur für eine Lage mit einer hohen SIC gemäß des Stands der Technik von Hvizd, jr. US-PS · 489, und
Fig. 6
und 7 eine graphische Darstellung des SIC, tan &, und des Verhältnisses tan δ/SIC bei veränderlicher Temperatur für die Isolierlage mit hohem SIC gemäß der Erfindung.
Die in dieser Beschreibung verwendete Terminologie ist die in der Hochspannungskabeltechnologie gebräuchliche. SIC ist als die dielektrische Konstante bekannt. Der Begriff "Leitermaterial" wird auf Widerstände unter 0,001 ohm-cm und der Begriff "Halbleitermaterial" auf Widerstände im Bereich zwischen 1 bis 1 000 000 ohm-cm verwendet. Der Begriff Isoliermaterial
10
wird für Widerstände über 10 ohm-cm verwendet.
Das in Fig. 1 dargestellte Kabel weist einen Leiter 10 auf, der aus einem Leitermaterial, wie z.B. Kupfer oder Aluminium besteht, der von einer relativ dünnen, z.B. weniger als 50 mils (50 χ 10~ inch) dicken Isolierlage 12 umgeben ist, die aus einem Isoliermaterial mit einer hohen SIC besteht, z.B. im Bereich zwischen etwa 7 bis 1500, und einen Wert tan S /SIC von 0,005 oder weniger für einen Temperaturbereich von ca. 40 C bis ca. 90 C aufweist.
-jr-
Ein Beispiel für ein derartiges Material ist ein Hydrocarbonpolymer, das aufgrund der Gegenwart der Hälfte odes eines Anteils von Chlor, Vinylacetat oder Acrylnitril Polarmoleküle aufweist, zu dem 25 bis 35 Gewichtsteile pro 100 Polymer (pph) Teile Ruß hinzugefügt wurde, welcher eine hohe Carbonstruktur und eine feine Partikelgröße aufweist. Vorzugsweise wird Ruß vom Typ ASTM 358 verwendet. Das Polymer, das verwendet werden kann, weist eine vernetzbare Polyäthylenzusammensetzung auf, wie beispielsweise Bakelit HFDE-4201; und Polyvinylchloridlegierungen wie Geon 8720, Tenneco 2920 und 2921 und Pantasote-Nr. 1149 (ein Polyvinylchloridäthylenvinylacetat gepfropftes Copolymer Dabei muß darauf geachtet werden, daß beim Hinzufügen des Rußes vermieden wird, daß Material halbleitend zu machen. Abhängig von der Natur des Rußes und/oder des Polymers kann die Leitfähigkeit bei oder über 35 pph des Rußes eintreten. Um in der beabsichtigten Weise zu funktionieren, muß die Mischung noch als isolierend klassifiziert werden, nicht als leitend. Das Polymer und der Ruß werden in einem Mischer miteinander verbunden, wie beispielsweise einem Banburymischer (Gummikneter), wobei die Mischzeit ca. 8 bis 10 Minuten beträgt. Die maximale Chargentemperatur sollte für ein Polyvinylchlorid 300 bis 350 F erreichen (149,9° bis 162,8°C). Die Chargentemperatur von vernetzbarem Polyäthylen sollte nicht 26O°F (126,6°C) überschreiten. Im nachfolgenden wird eine spezifische Ausbildung näher erläutert.
In einem dampfbeheizten Banburyinnenmischer der Größe 9 werden ca. 238 lbs. (107,95 kg) Geon 8720 und 82 lbs. (37,2 kg) eines hochstruktuierten Rußes eingefüllt. Das Geon 8720 wird vor dem Hinzufügen des Rußes eingefüllt. Der Ruß wird eher langsam als auf einmal eingefüllt, um das gute Vermischen mit dem Kunststoff über die Zeit zu gestatten. Der Mischungsvorgang läuft wie folgt ab:
Zeit
Min.
O Einfüllen des Harzes, Aufbringen des Drucks für den Stempel.
2 Eintauchen des Stempels und langsames Hinzufügen des Rußes.
4-5 Aufbringen des vollen Stempeldrucks.
5.5 Anheben des Stempels und Einfüllen des Restes des Rußes in die Charge.
6 Aufbringen des vollen Stempeldrucks.
7 Anheben des Stempels und vollständiges Drucharbeiten.
10-12 Wenn die Mischungstemperatur (Banbury Temperaturaufzeichnung) 26O°F,(126,6°C)erreicht hat, Auslehren der Charge.
Die Verbindung wird als nächstes zum Einfüllen in einen Extruder in eine Granulatform übergeführt. Sie wird des weiteren unter niedrigen Luftfeuchtigkeitsbedingungen gelagert, um Probleme mit
der Feuchtigkeitsaufnahme durch den Ruß zu vermeiden. Sobald das trockene und granulierte Mate-
pe
rial verfügbar ist,/wird auf einem aus Litzen bestehenden Starkstromkabel leiter aus Kupfer oder Aluminium oder über einen isolierten Kern aufgebracht, und zwar in einem normalen Extrusionsverfahren, wie es allgemein bekannt ist. Dies bedingt einen Kreuzkopfextruder. Das extrudierte Produkt wird im kalten Wasser abgekühlt.
Die Isolierlage 12 wird von einer relativ dicken Erstisolierlage aus einem Isoliermaterial mit einer niedrigen SIC umgeben, z.B. im Bereich zwischen 2 und 4,5, wie z.B. ein natürlicher oder synthetischer Gummi oder ein thermoplastisches Material mit einem Isolationsgrad von Polyäthylen. Die jeweiligen Lagen 12 und 14 sind auf dem Kabel derart aufgearbeitet, daß sie einen guten physischen Kontakt zwischen ihren Berührflächen aufweisen.
Dies wird gewöhnlich mittels bekannter Extrusionsprozesse bewerkstelligt.
Um die Isolierlage 14 ist ein Halbleiter 16 konventionellen Aufbaus herum gewickelt. Der Halbleiter kann eine extrudierte Lage sein oder aus einem Baumwoll oder einem anderen Band bestehen, das mit einem Material imprägniert ist, das elektrisch leitend ist. Der Halbleiter 16 wird dann in bekannter Weise mit einer metallischen leitenden Umhüllung 18 umgeben. Diese Umhüllung kann leitende Elemente aufweisen, wie z.B. Kupfer, Aluminium oder andere metallische Drahtumhüllungen oder metallische Drahtbänder, die schraubenförmig oder in Längsrichtung aufgebracht sind.
Das in Figur 2 dargestellte Kabel weist einen Leiter 20 auf, der von einer Lage 22 aus Halbleitermaterial umhüllt ist und dann von einer relativ dünnen Lage 2 4 eines Isoliermaterials mit einer hohen SIC und einem Verhältniswert tan δ"/SIC von 0,005
oder weniger über einen Temperaturbereich von ca. 40 C bis ca. 900C umgeben ist. Die Lage 24 wird durch eine relativ dicke Lage 26 aus Isoliermaterial mit einer geringen SIC bedeckt. Die Lage 26 ist dann von einer Lage 27 aus Halbleitermaterial umgeben, die ihrerseits von einer metallischen Umhüllung 28 in an sich bekannter Weise umgeben ist.
Das in Figur 3 dargestellte Kabel weist einen Leiter 30 auf, der von einer relativ dünnen Lage 32 aus Isoliermaterial mit einer hohen SIC und einem Wert tan δ /SIC von 0,005 oder weniger bei einem Temepraturbereich von ca. 40 C bis ca. 90 C umgeben ist. Die Lage 32 ist von einer relativ dicken Lage 34 aus Isoliermaterial mit einer geringen SIC umgeben. Die Lage 34 wird von einer weiteren relativ dünnen Lage 36 aus einem Material mit einer hohen SIC und einem Wert tan S /SIC nicht größer als 0,005 bei einem Temperaturbereich von ca. 40°C bis 90°C umgeben, wobei die Dicke nicht stärker ist als 100 mils (100 χ 10 inch). Die Lage 36 wird von einer Lage 3 8 aus Halbleitermaterial umgeben,
welche ihrerseits von einer metallischen Umhüllung 40 in bekannter Weise umhüllt wird.
Vorzugsweise beträgt das Verhältnis der Dicke der Lage mit einer hohen SIC zu der Dicke der Lage mit einer niedrigen SIC weniger als ungefähr 0,3.
Die Kabelkonstruktionen, die in Bezug auf die Figuren 1,2 und 3 beschrieben worden sind, weisen genügend/aieleRtrische Verluste auf, so daß eine Herabsetzung der Leistung des Kabels nicht erforderlich ist, um solchen Verlusten Rechnung zu tragen. Bei Kabeln, die entsprechend dem Stand der Technik hergestellt sind, z.B.bei denen die Isolationslage mit einer hohen SIC einen Wert tan S/SIC von 0,02 aufweist, beeinflussen/bei zurückhaltender Betrachtung, die dielektrischen Verluste die zulässige Stromstärke in Größenordnungen von 1% bis 2,8 %, während bei einem erfindungsgemäßen Kabel mit einer Isolationslage mit einer hohen SIC und einem Wert tan <5 /SIC nicht größer als 0,005 bei einem Temperaturbereich von ca. 40 C bis 90 C die dielektrischen Verluste die zulässige Stromstärke lediglich in Größenbereichen von nur 0,7 bis 1,8 % beeinträchtigen. Darüber hinaus wird der resultierende Dissipationsfaktor bei einem erfindungsgemäß hergestellten Kabel signifikant von 5,4 bis 5,6 % auf 3,5 bis 3,7 % im Vergleich zu einem Kabel des Stands der Technik reduziert. Mit den zunehmenden Energiekosten werden diese Verringerungen zunehmend größer, insbesondere da Millionen von Metern dieses Typs von Kabeln jährlich installiert werden. Der Quotient tan δ/SIC, der nicht mehr als 0,005 über den normalen Betriebstemepraturbereich des Kabels (40°C bis 90 C) beträgt, kann vorteilhafter Weise mit dem viermal größeren Quotienten von 0,02 des Kabels nach dem Stand der Technik verglichen werden.
- 10 -
Es wird nun Bezug genommen zu den Figuren 4,5,6 und 7. In den Figuren 4 und 5 sind graphische Darstellungen der SIC, des tan S und des Verhältnisses tan $/SIC bei variirender Temperatur für Lagen mit einer hohen SIC bei der Isolierung nach dem Stand der Technik gemäß Hvizd jr. US-Patent ' 489. Der Bereich unter den Kurven ist ein Maß für den Betrag des Stromverlustes in einem Kabel.
In Figur 6' ist eine graphische Darstellung für diese Daten bei einer Isolationslage mit einer hohen SIC dargestellt, welche Lage auf einem vernetzbaren Polyäthylencompound DF-D 4201 von Union Carbide basiert, mit 35% Gewichtsprozent ! in Bezug auf das Gewicht des Polyäthylen, N-358 Rußbeimischung.
In Figur 7 ist eine graphische Darstellung dieser Werte für eine Isolationslage mit einer hohen SIC auf der Grundlage von B.F. Goodrich Geon 8720, eine Polyvinylchloridmischung mit Acrylnitrile-Butadienepolymer mit 30% Gewichtsprozent Ruß vom Typ N-358, bezogen auf das Gewicht des Polymers. Zum Zwecke des Vergleichs der Werte tan S/SIC bei verschiedenen Temperaturen bei den Lagen aus dem Stand der Technik, ist z.B. die Grundkurve in Figur 5 in jeder der Figuren 6 und 7 mit gestrichelten Linien dargestellt. Das Gebiet zwischen zwei tan S /SIC Kurven ist ein Indikator für den Betrag des Energielustes in einem Kabelaufbau nach dem Stand der Technik, welcher bei dem erfindungsgemäßen Kabelaufbau nicht auftritt.
Die elektrischen Charakteristika, die in den Figuren 4, 5, 6 und 7 dargestellt sind, wurden bei einem umhüllten Muster eines #14 (s) Kupferdraht/,g^ers nät einem 0,30" Isoliermaterial des Compounds isoliert wurde. Als Teststrom wurde ein 100 Volt Wechselstrom (60 Hz) verwendet. Die Umhüllung wurde gegen Masse isoliert. Die Messungen wurden mit einer Tettex Hochspannungsbrücke mit kapazitiven Blindwiderstand durchgeführt. Die Drahtproben wurden in einem Zirkulationsofen erwärmt.

Claims (30)

PATENTANSPRÜCHE
1.1 Isoliertes Hochspannungskabel mit einem mit mindestens zwei laminaren Lagen aus Isoliermaterial isolierten Leiter, dadurch gekennzeichnet , daß mindestens eine der genannten Lagen relativ dick ausgebildet ist und eine niedrige SIC (spezifische induktive Kapazität) aufweist, daß mindestens eine andere der genannten Lagen eine hohe SIC aufweist und sich in Kontakt und in Auflage mit der Oberfläche der Lage mit der niedrigen SIC befindet, wobei die Lage mit der hohen SIC relativ dünn ausgebildet ist und einen Wert tan <$ /SIC besitzt, der für einen Temepraturbereich zwischen 4O°C und 90 C nicht größer als 0,005 beträgt.
2. Kabel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Leiter mit aufeinanderfolgende Lagen beschichtet ist, wobei eine dünne Lage mit einem hohen SIC-Material, eine dicke Lage mit einem niedrigen SIC-Material, eine Lage aus Halbleitermaterial und eine Lage aus leitendem Material vorgesehen ist.
(nur PA Dipl.-Ing. S. Staeger)
3. Kabel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Leiter mit aufeinanderfolgenden Lagen beschichtet ist, wobei eine Lage aus Halbleitermaterial, eine dünne Lage aus Material mit einer hohen SIC, eine dicke aus Material mit einer niedrigen SIC, eine Lage aus Halbleitermaterial und eine Lage aus leitendem Material vorgesehen sind.
4. Kabel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Leiter mit aufeinanderfolgenden Lagen beschichtet ist, wobei eine dünne Lage aus hohem SIC-Material, eine dicke Lage aus niedrigem SIC-Material, eine dünne Lage aus hohem SIC-Material, eine Lage aus Halbleitermaterial und eine Lage aus leitendem ' Material vorgesehen ist.
5. Kabel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dünnen Lage mit hohem SIC 7 oder höher beträgt, und die SIC der dicken Lage unter 4,5 liegt.
6. Kabel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dünnen Lage mit einer hohen SIC 7 oder höher beträgt und die SIC der dicken Lage unter 4,5 liegt.
7. Kabel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dünnen Lage mit der hohen SIC 7 oder höher beträgt und die SIC der dicken Lage niedriger als 4,5 ist.
8. Kabel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dünnen Lage mit einer hohen SIC 7 oder höher beträgt, und die SIC der dicken Lage niedriger als 4,5 ist.
9. Kabel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dicken Lage mit einer niedrigen SIC im Bereich zwischen 2 bis 4,5 und die SIC der dünnen Lage im Bereich zwischen ungefähr 7 bis ungefähr 1500 liegt.
10. Kabel nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dicken Lage mit der niedrigen SIC im Bereich zwischen ungefähr 6 bis 4,5 und die SIC der dünnen Lage im Bereich zwischen ungefähr 7 und ungefähr 1500 liegt.
11. Kabel nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dicken Lage mit der niedrigen SIC im Bereich zwischen ungefähr 6 bis 4,5 und die SIC der dünnen Lage im Bereich zwischen ungefähr 7 und ungefähr 1500 liegt.
12. Kabel nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die SIC der dicken Lage mit der niedrigen SIC im Bereich zwischen ungefähr 6 bis 4,5 und die SIC der dünnen Lage im Bereich zwischen ungefähr 7 und ungefähr 1500 liegt.
13. Kabel nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage vernetzt ist.
14. Kabel nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage vernetzt ist.
15. Kabel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage vernetzt ist.
16. Kabel nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage vernetzt ist.
17. Kabel nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage ein Thermoplast ist.
18. Kabel nach ANspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage ein Thermoplast ist.
19. Kabel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage ein Thermoplast ist.
20. Kabel nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß die dicke Isolierlage ein Thermoplast ist.
21. Kabel nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage vernetzt ist»
22. Kabel nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage vernetzt ist.
23. Kabel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage vernetzt ist.
24. Kabel nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage vernetzt ist.
25. Kabel nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage ein Thermoplast ist.
26. Kabel nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage ein Thermoplast ist.
27. Kabel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage ein Thermoplast ist.
28. Kabel nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierlage ein Thermoplast ist.
29. Kabel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Isolierl
ca. 1,27 mm) dick ist.
_3 daß die dünne Isolierlage weniger als 50 mils. (50 χ 10 inch =
30. Kabel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die zweite aufgeführte dünne Lage mit einer hohen SIC nicht größe als 100 mils (100 χ 10~3 inch = 2,54 mm) dick ist.
DE19823209577 1981-03-16 1982-03-16 Isoliertes hochspannungskabel Withdrawn DE3209577A1 (de)

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